JP2005116922A - 発光ダイオード及び発光ダイオードからの二次発光の制御方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 発光ダイオード1において,p型GaAsの半導体基板2の上に,透過層3,p型AlGaAs活性層4,n型AlGaAsクラッド層5が順次エピタキシャル成長によって形成されている。透過層3は,Al混晶比が,p型AlGaAs活性層4よりも高い組成を有している。活性層4の厚み,及び透過層3の厚みを5〜100μmの間で調整することにより,一次発光に対する二次発光強度比を制御することができる。
【選択図】 図1
Description
しかしながら,最近では,この二次発光を積極的に利用し,例えばセンサの制御などに有効利用することが考えられている。かかる場合,二次発光の強度を制御できなければ,センサ本来の機能に悪影響を与えるので,二次発光を積極的に利用するにあたっては,二次発光の強度を任意に制御できるものでなければならならない。
しかしながら従来のように,二次発光の発生そのものを抑制する技術では,二次発光強度を任意の値に制御することは困難であった。
またp型活性層の厚みを変化させることによっても,二次発光強度を制御することができる。これは例えば活性層の厚みを減少させると,一次発光の活性層内での吸収が減り,基板側への光量が増加するためだと考えられる。
2 半導体基板
3 透過層
4 p型AlGaAs活性層
5 n型AlGaAsクラッド層
Claims (4)
- 半導体基板と,当該半導体基板の上に形成されたp型の活性層と,当該p型の活性層の上に形成されたn型のクラッド層とを備えた発光ダイオードにおいて,
前記p型の活性層と半導体基板との間に,前記p型活性層よりAl組成が高い透過層が形成されていることを特徴とする,発光ダイオード - 前記半導体基板は,GaAs基板であり,
前記p型の活性層は,Al混晶比が0.15〜0.40でZnがドープされたp型AlGaAs活性層であり,
前記透過層は,Al混晶比0.40〜0.75でZnがドープされたp型AlGaAs層であり,
前記n型のクラッド層は,Al混晶比が0.45〜0.75でTeがドープされたn型AlGaAs層であることを特徴とする,請求項1に記載の発光ダイオード。 - 前記p型の活性層の厚みは,30μm以下であり,
前記透過層の厚みは5〜100μmであることを特徴とする,請求項1又は2に記載の発光ダイオード。 - 半導体基板とその上に形成されたp型の活性層とn型のクラッド層とを備えた発光ダイオードにおいて,
前記p型の活性層と半導体基板との間に,前記p型活性層よりAl組成が高い透過層を形成し,少なくとも前記p型の活性層又は前記透過層の厚みを調整することによって,半導体基板の二次発光強度を制御することを特徴とする,発光ダイオードからの二次発光の制御方法。
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