JP2005115010A - レーザ光変換光学素子およびレーザ装置 - Google Patents

レーザ光変換光学素子およびレーザ装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2005115010A
JP2005115010A JP2003348911A JP2003348911A JP2005115010A JP 2005115010 A JP2005115010 A JP 2005115010A JP 2003348911 A JP2003348911 A JP 2003348911A JP 2003348911 A JP2003348911 A JP 2003348911A JP 2005115010 A JP2005115010 A JP 2005115010A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser light
optical element
laser
optical unit
laser beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003348911A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomoyoshi Nagayasu
同慶 長安
Hiromoto Ichihashi
宏基 市橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2003348911A priority Critical patent/JP2005115010A/ja
Publication of JP2005115010A publication Critical patent/JP2005115010A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

【課題】 高出力マトリックスアレイ型半導体レーザのレーザ光を変換しようとすると、光学素子が大型化するという課題を有している。
【解決手段】 ファースト方向のレーザ光強度分布を変換するファースト方向レーザ光変換光学素子2は、そのファースト方向断面は斜辺の長さが等しい平行四辺形状の平行平板を、スロー方向に重ねた形状で、その光学ユニットをアレイの段数に応じて、それらの斜辺がジグザグ形状を形成するように組み立て、または一体に積み上げたので、小型のレーザ光変換光学素子を提供できる。
【選択図】 図1

Description

本発明はレーザ光の光強度分布を変換するレーザ光変換光学素子に関するものである。
近年、レーザ加工機はファイバーに接続して用いられており、レーザ加工機は、ファイバーにレーザ光を効率よく導光するためにレーザ光の強度分布を変換するレーザ光変換光学素子を備えている。
従来のこのレーザ光変換光学素子は、扇状に積層したガラス板にレーザ光を透過させ、レーザ光を分割、並び替えている。例えば特許文献1、特許文献2を参照。
以下、レーザ光源を構成する半導体レーザ素子の活性層厚さ方向をファースト方向と呼び、半導体レーザ素子の活性層厚さに垂直な方向をスロー方向と呼んで説明する。
図12(a)は従来のレーザ装置におけるスロー方向レーザ光変換光学素子の動作模式図、図12(b)は同装置におけるファースト方向レーザ光変換光学素子の動作模式図を示している。
レーザ光を出射するリニアアレイ型半導体レーザ素子110は、ヒートシンク111に半田付けされており、アレイ状に配置されたレーザ光源から矩形状の1バー半導体レーザ(以下、1段のLDバー)LD0を出射している。
1段のLDバーLD0のレーザ光は、ファーストコリメーションレンズ112によりファースト方向の発散性を抑制され、略平行光線となり、ファースト方向レーザ光変換光学素子113,スロー方向レーザ光変換光学素子114を経て出力されている。
ファースト方向レーザ光変換光学素子113は、入射面に入射したレーザ光の光強度分布を変換するようにスロー方向にガラス板を複数枚扇形に積層して構成されており、レーザ光をファースト方向に3分割したレーザ光をスロー方向レーザ光変換光学素子114によって、ファースト方向レーザ光変換光学素子113と同様にして出力する。
特許第3.098.200号(第2図(a)) 米国特許5.986.794号(第1図)
しかし、従来のレーザ光変換光学素子113,114は、高出力化のために複数レーザ光をスタッキングした光源、特に、半導体レーザ装置においては、1段のLDバーを多数スタッキングする必要があり、すなわち、マトリックスアレイ型半導体レーザとする必要があり、高出力に適用しようとすると、レーザ光変換光学素子113は大型化して次段のレーザ光変換光学素子114を近接して設置することができなくなり、レーザ光の位置制御が困難になるという課題を有している。
また、レーザ光変換光学素子113のガラス板115,116,117は、精度良く積層しなければならないという課題を有している。
本発明は、小型で、製造が容易なレーザ光変換光学素子を提供することを目的とする。
本発明のレーザ光変換光学素子は、端面が平行四辺形の平行平板でそのレーザ光透過方向の厚みが異なる複数の光学ユニットを、入射面に入射するレーザ光のスロー方向に配置して、前記レーザ光をファースト方向に変位させて出力するよう構成したことを特徴とする。
また、本発明のレーザ光変換光学素子は、端面が平行四辺形の平行平板でその厚みが異なる複数の光学ユニットを、入射面に入射するレーザ光のスロー方向に配置して、前記レーザ光をファースト方向に変位させて出力するよう構成した第1の光学ユニット群と第2の光学ユニット群を設け、この第1の光学ユニット群と第2の光学ユニット群を前記スロー方向に隙間を空けて配置して、第1,第2の光学ユニット群を通過して前記ファースト方向に変位したN個の分割レーザ光と前記隙間を通過したレーザ光との(N+1)個の分割レーザ光を出力することを特徴とする。
また、本発明のレーザ光変換光学素子は、前記レーザ光変換光学素子を、前記ファースト方向にレーザ光源のスタッキングピッチで積層したことを特徴とする。
また、本発明のレーザ光変換光学素子は、前記レーザ光変換光学素子を、レーザ光源のスタッキングピッチと前記光学ユニットの材質で決まる屈折率に応じた大きさのスペーサを間に挟んでファースト方向にレーザ光源のスタッキングピッチで積層したことを特徴とする。
また、前記スペーサを端面が平行四辺形の平行平板で構成し、前記スペーサと光学ユニットとを、ファースト方向にジグザク形状に積層したことを特徴とする。
また、本発明のレーザ光変換光学素子は、前記第1の光学ユニット群と第2の光学ユニット群との前記隙間の一部または全部を、高透過材で充填して第1の光学ユニット群と第2の光学ユニット群とを一体に構成したことを特徴とする。
また、本発明のレーザ装置は、複数段スタッキングしたレーザ光を出射するレーザ光源と、前記レーザ光源からの各レーザ光が各入射面に入射する前記何れかのレーザ光変換光学素子と、前記レーザ光変換光学素子に続けて前記レーザ光のスロー方向にレーザ光を変位する光学素子とを設けたことを特徴とする。
本発明のレーザ光変換光学素子は、端面が平行四辺形の平行平板でそのレーザ光透過方向の厚みが異なる複数の光学ユニットを、入射面に入射するレーザ光のスロー方向に配置して、前記レーザ光をファースト方向に変位させて出力するので、これを単位として、前記ファースト方向にレーザ光源のスタッキングピッチで積層することによって、精度良く多数スタッキングしたレーザ光を得ることができる。また、この構成によると従来に比べて小型化が可能で、製造も容易である。
以下、本発明の各実施の形態を図1〜図11に基づいて説明する。
ここでは、マトリックスアレイ型半導体レーザを例に挙げて説明する。
また、ファースト方向およびスロー方向の定義については背景技術と同様とする。
(実施の形態1)
図1〜図7は本発明の(実施の形態1)を示す。
図1と図2は本実施の形態のレーザ装置を示す。
マトリックスアレイ型半導体レーザで構成されるアレイ状レーザ光源1は、LDバーを等ピッチで5段スタッキングしたレーザ光LD1〜LD5を出射する。
なお、図1と図2では各段のスロー方向レーザ光を7分割し、その1段分のLDバーレーザ光の挙動を示している。
レーザ光源1から出射するレーザ光は、図1と図2には図示されていないが図12に示した従来例と同じようにファースト方向コリメーションレンズ112によりレーザ光のファースト方向発散性を抑制され、続いてスロー方向コリメーションレンズ(図示せず)によりレーザ光のスロー方向発散性を抑制されてからレーザ光変換光学素子2に入射する。
そのときのレーザ光強度分布を図6(a)に示す。横軸はスロー方向におけるレーザ光の位置を示し、縦軸はファースト方向におけるアレイ状のレーザ光LD1〜LD5の位置を示している。
なお、アレイ状レーザ光の強度分布を便宜上、直線で表示しているが、正確には、多数の光源(エミッタ)が一定の微少間隔でスロー方向に、アレイ状に配列されており、各エミッタから出射するそれぞれのレーザ光はスロー方向に発散し、レーザ光が重なりあい、直線状に見える。加えて、ファースト方向に積層されたこのアレイ状のレーザ光LD1〜LD5を有するレーザ光源1を、マトリクス状レーザ光源と言うこともできる。
レーザ光源1の後段に配設され、レーザ光LD1〜LD5のファースト方向のレーザ光強度分布を変換するプリズムであるファースト方向レーザ光変換光学素子2は、図3と図4に示すように構成されている。
図3は図1と同じ方向からレーザ光変換光学素子2を見たもので、図4はレーザ光変換光学素子2を入射面の側から見たものである。
レーザ光LD1の1段分に対するレーザ光変換光学素子2の光学ユニットだけを見ると、この光学ユニット41は、ファースト方向から見た端面が斜辺の長さa,bが等しい平行四辺形でその厚みがスロー方向にL1〜L7と段階的に異なった平行平板51〜57をスロー方向に重ねた形状で、レーザ光LD1〜LD5の5段分処理するレーザ光変換光学素子2の全体は、光学ユニット41とこれと同じ形状の光学ユニット42〜45を、スペーサ61〜64を挟んで交互に積み上げた形状である。このとき、レーザ光源1と光学ユニット41〜45の距離が各段において等しくなるように設けられている。
更に具体的には、各スペーサ61〜64の形状は光学ユニット41と同じ平行平板形状で、光学ユニット42〜45の積み上げピッチがレーザ光LD1〜LD5のスタッキングピッチに等しくなるように、光学ユニット41〜45,スペーサ61〜64を積み上げてそれらの斜辺がジグザグ形状を形成するようにしたものである。
なお、このレーザ光変換光学素子2は高屈折率(望ましくはn=1.8以上)のガラスまたは樹脂を材料として構成されている。
したがって、レーザ光変換光学素子2に入射したレーザ光LD1〜LD5は、光学ユニット41〜45のスロー方向の屈折量の違いによってその一部を図5に示すように、光学ユニット41〜45を透過する位置の厚みL1〜L7の違いによって、図5(b)に示す厚い場所では図5(a)に示す薄い場所よりも大きく屈折して、その時の入射方向から見たレーザ光強度分布を図6(b)に示す。
このようにレーザ光変換光学素子2によりスロー方向に7分割されたレーザ光のうち、6個分が各透過位置のセルの厚さの違いによって順に、ファースト方向の下方に向かって大きく変位する。
レーザ光変換光学素子2を介してスロー方向に分割されスロー方向のレーザ光発散性が抑制されて出射した後の図6(b)に示した分布の分割後のレーザ光は、レーザ光変換光学素子3を介してスロー方向に変位して出力される。その時のレーザ光強度分布を図6(c)に示す。
以上のように、1段分のレーザ光を分割、変位する端面が平行四辺形状の光学ユニットを、ファースト方向のスタッキング段数に合わせた数だけ備えており、この構成により小型化できる。
図7は光学ユニット41〜45とスペーサ61〜64を別々に製作し、積層している途中の状態を示している。
また、レーザ光変換光学素子2は上記のように光学ユニット41〜45,スペーサ61〜64を積み上げて組み上げる他に、図3と図4に示す形状に、高屈折率(望ましくはn=1.8以上)のガラスまたは樹脂を材料として一体形成することも容易であり、この場合には、光学ユニット41〜45,スペーサ61〜64を積み上げてくみ上げたものよりも精度のよい積層状態を容易に得ることができ、安価にレーザ光変換光学素子を提供できる。
(実施の形態2)
図8〜図10は本発明の(実施の形態2)のレーザ光変換光学素子2を示す。なお、(実施の形態1)と同様の構成については同一の符号を付けて説明する。
図8は本実施の形態の模式図、図10は各光学素子におけるレーザ光強度分布を示している。(実施の形態1)と異なるのは、レーザ光変換光学素子2をスロー方向に2分割して形状を変更した点である。
具体的には、端面が平行四辺形の平行平板でスロー方向の厚みが段階的に異なる第1の光学ユニット群21と第2の光学ユニット群22を、スロー方向に隙間23を空けて配置している。空隙23の位置はレーザ光変換光学素子2のスロー方向の中央に位置しており、レーザ光変換光学素子2は空隙23をレーザ光源1の中央部分に正対するように配置されている。
図9はレーザ光変換光学素子2をレーザ光LD1〜LD5の入射面側から見た図である。
第1の光学ユニット群21は、光学ユニット411〜415がファースト方向にレーザ光LD1〜LD5のスタッキングピッチで積層されるように、それぞれスペーサ611〜614を介してファースト方向に積層した形状に一体成形されている。
第2の光学ユニット群22は、光学ユニット421〜425がファースト方向にレーザ光LD1〜LD5のスタッキングピッチで積層されるように、それぞれスペーサ621〜624を介してファースト方向に積層した形状に一体成形されている。第1,第2の光学ユニット群21,22は、高屈折率(望ましくはn=1.8以上)のガラスまたは樹脂より一体形成されている。
なお、光学ユニット411〜415の入射面の傾きは、入射したレーザ光LD1〜LD5をファースト方向のプラス方向にシフトさせる方向に傾いており、光学ユニット421〜425の入射面の傾きは、入射したレーザ光LD1〜LD5をファースト方向のマイナス方向にシフトさせる方向に傾いている。
レーザ光変換光学素子2についてレーザ光LD1の1段分の動作を説明する。他の4段も以下と同様に動作する。
図10(a)に示すレーザ光LD1は、第1の光学ユニット群21の光学ユニット411と第2の光学ユニット群22の光学ユニット421に入射する。
なお、図10(a)では各レーザ光強度分布を、便宜上、直線で表示しているが、図6(a)の説明と同様のマトリクス状レーザ光源である。
第1の光学ユニット群21の光学ユニット411に入射したレーザ光LD1は、図10(b)に示すようにファースト方向のプラス方向に段階的に大きくシフトする。
第2の光学ユニット群22の光学ユニット421に入射したレーザ光LD1は、図10(b)に示すようにファースト方向のマイナス方向に段階的に大きくシフトする。
第1の光学ユニット群21の光学ユニット411と第2の光学ユニット群22の光学ユニット421との隙間23を通過したレーザ光LD1は、ファースト方向にシフトせずに通過する。
このようにしてレーザ光LD1は、第1,第2の光学ユニット群21,22を通過してファースト方向に6段階にシフト量したN=6個の分割レーザ光と前記隙間23を通過したレーザ光との合計(N+1)=7個の7段階のシフト量の分割レーザ光となって出射する。
レーザ光LD2〜LD5も図10(b)に示すように第1,第2の光学ユニット群21,22によって同様に処理されて出射する。
この実施の形態が(実施の形態1)と異なるのは、アレイ状レーザ光源の中央部分にファースト方向レーザ光変換光学素子がなく、変位を受けることなく出射することである。
レーザ光変換光学素子2から図10(b)に示すように出射した分割レーザ光は、スロー方向レーザ光変換光学素子3に入射し、図10(c)に示すようにファースト方向にスタッキングして出力される。
このように、レーザ光変換光学素子2をアレイ状レーザ光源の中央部分に空隙23を設けた構成とすることにより、レーザ光変換光学素子を小型化できる。
また、レーザ光をファースト方向に関して上下に分割することで、上方(または下方)に分割するレーザ光変換光学素子をレーザ光光軸に関して点対称に回転すれば、下方(または上方)に分割するレーザ光変換光学素子として使用することができる。
(実施の形態3)
(実施の形態2)では第1の光学ユニット群21と第2の光学ユニット群22を、隙間23を空けて配置したが、この隙間23の一部または全部を、高透過材で充填することで第1の光学ユニット群21と第2の光学ユニット群22とを一体に構成することもできる。
具体的には、前記空隙23に、レーザ光源1からのレーザ光に対して正対している入射側面と出射側面とが平行な矩形もしくは正方形の平行平板を充填することによって、ファースト方向にシフトさせずに通過させることができ、しかも前記第1の光学ユニット群21と第2の光学ユニット群22とを一体に取り扱うことができるので、レーザ光変換光学素子2の保持が容易になる。
上記の各実施の形態において、下記のように変形することによっても同様のレーザ光変換光学素子2を実現できる。
具体的には、(実施の形態1)のレーザ光変換光学素子2の光学ユニット41〜45とスペーサ61〜64とを積み重ねてレーザ光変換光学素子2を作成する場合に、スペーサ61〜64は光学ユニット41〜45と同じく端面が平行四辺形の平行平板で構成したが、レーザ光が通過しないスペーサ61〜64は図11に示すように正方形もしくは矩形の平行平板を挟んで構成することもできる。なお、この点は(実施の形態2)(実施の形態3)でも同様である。
また、前記レーザ光源1から出射したレーザ光はレーザ光源1から離れるに従って僅かに照射位置が外側に広がりを見せるが、(実施の形態1)のレーザ光変換光学素子2の前記入射面に僅かの曲率を付けることによって、この影響を低減することができる。なお、この点は(実施の形態2)(実施の形態3)でも同様である。
ファイバーなどで構成される光導波路にレーザ光源からのレーザを送り込む必要のある各種レーザ加工機、またはこれを使用した各種の生産設備に使用できる。
本発明のレーザ光変換光学素子を使用したレーザ装置の(実施の形態1)における全体斜視図 同実施の形態の正面図 同実施の形態のレーザ光変換光学素子の拡大斜視図 図3のレーザ光変換光学素子の入射面から見た拡大斜視図 同実施の形態のレーザ光変換光学素子の説明図 同実施の形態のレーザ光変換光学素子へ入射前レーザ光強度分布図とレーザ光変換光学素子出射後レーザ光強度分布図およびレーザ装置出射後レーザ光強度分布図 同実施の形態のレーザ光変換光学素子を組み立てて構成する場合の組み立て途中の斜視図 本発明のレーザ装置の(実施の形態2)における要部斜視図 図8のレーザ光変換光学素子の入射面から見た拡大斜視図 同実施の形態のレーザ光変換光学素子へ入射前レーザ光強度分布図とレーザ光変換光学素子出射後レーザ光強度分布図およびレーザ装置出射後レーザ光強度分布図 本発明の(実施の形態1)のレーザ光変換光学素子のスペーサの別の形状を示す要部正面図 従来のレーザ装置におけるスロー方向光学素子動作模式図とファースト方向光学素子動作模式図
符号の説明
1 レーザ光源
LD1〜LD5 レーザ光
2 レーザ光変換光学素子
112 ファースト方向コリメーションレンズ
L1〜L7 スロー方向の厚み
51〜57 平行平板
41〜45 光学ユニット
61〜64 スペーサ
21 第1の光学ユニット群
22 第2の光学ユニット群
23 隙間
411〜415,421〜425 光学ユニット
611〜614,621〜624 スペーサ

Claims (7)

  1. 端面が平行四辺形の平行平板でそのレーザ光透過方向の厚みが異なる複数の光学ユニットを、入射面に入射するレーザ光のスロー方向に配置して、前記レーザ光をファースト方向に変位させて出力するよう構成した
    レーザ光変換光学素子。
  2. 端面が平行四辺形の平行平板でその厚みが異なる複数の光学ユニットを、入射面に入射するレーザ光のスロー方向に配置して、前記レーザ光をファースト方向に変位させて出力するよう構成した第1の光学ユニット群と第2の光学ユニット群を設け、
    この第1の光学ユニット群と第2の光学ユニット群を前記スローに隙間を空けて配置して、第1,第2の光学ユニット群を通過して前記ファースト方向に変位したN個の分割レーザ光と前記隙間を通過したレーザ光との(N+1)個の分割レーザ光を出力する
    レーザ光変換光学素子。
  3. 請求項1または請求項2に記載のレーザ光変換光学素子を、ファースト方向にレーザ光源のスタッキングピッチで積層した
    レーザ光変換光学素子。
  4. 請求項1または請求項2記載のレーザ光変換光学素子を、レーザ光源のスタッキングピッチと前記光学ユニットの材質で決まる屈折率に応じた大きさのスペーサを間に挟んでファースト方向にレーザ光源のスタッキングピッチで積層した
    レーザ光変換光学素子。
  5. スペーサを端面が平行四辺形の平行平板で構成し、
    前記スペーサと光学ユニットとを、ファースト方向にジグザク形状に積層した
    請求項4記載のレーザ光変換光学素子。
  6. 第1の光学ユニット群と第2の光学ユニット群の前記隙間の一部または全部を、高透過材で充填して前記第1の光学ユニット群と前記第2の光学ユニット群とを一体に構成した
    請求項2記載のレーザ光変換光学素子。
  7. 複数段スタッキングしたレーザ光を出射するレーザ光源と、
    前記レーザ光源からの各レーザ光が各入射面に入射する請求項1〜請求項6の何れかのレーザ光変換光学素子と、
    前記レーザ光変換光学素子に続けて前記レーザ光のスロー方向にレーザ光を変位する光学素子とを設けた
    レーザ装置。
JP2003348911A 2003-10-08 2003-10-08 レーザ光変換光学素子およびレーザ装置 Pending JP2005115010A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003348911A JP2005115010A (ja) 2003-10-08 2003-10-08 レーザ光変換光学素子およびレーザ装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003348911A JP2005115010A (ja) 2003-10-08 2003-10-08 レーザ光変換光学素子およびレーザ装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005115010A true JP2005115010A (ja) 2005-04-28

Family

ID=34540925

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003348911A Pending JP2005115010A (ja) 2003-10-08 2003-10-08 レーザ光変換光学素子およびレーザ装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005115010A (ja)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0399590A (ja) * 1989-09-13 1991-04-24 Fujitsu Ltd 走査型撮像装置
JPH07287109A (ja) * 1994-04-18 1995-10-31 Nippon Steel Corp マルチプリズムアレイ及びマルチミラーアレイの製造方法
JPH10186246A (ja) * 1996-12-27 1998-07-14 Showa Oputoronikusu Kk レーザビームの補正方法及び装置
US5986794A (en) * 1997-02-01 1999-11-16 Laserline Gesellschaft Fur Entwicklung Und Vertrieb Von Diodenlasern Mbh Laser optics and diode laser
WO2002082163A1 (fr) * 2001-03-30 2002-10-17 Nippon Steel Corporation Dispositif laser a semi-conducteur et dispositif laser solide utilisant le premier
JP2002335047A (ja) * 2001-05-10 2002-11-22 Hamamatsu Photonics Kk 半導体レーザ装置
JP2003057588A (ja) * 2001-08-10 2003-02-26 Hamamatsu Photonics Kk レーザバー積層体用整形光学系及びレーザ光源
JP2003241135A (ja) * 2002-02-19 2003-08-27 Fuji Photo Film Co Ltd アレイ屈折素子及び露光装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0399590A (ja) * 1989-09-13 1991-04-24 Fujitsu Ltd 走査型撮像装置
JPH07287109A (ja) * 1994-04-18 1995-10-31 Nippon Steel Corp マルチプリズムアレイ及びマルチミラーアレイの製造方法
JPH10186246A (ja) * 1996-12-27 1998-07-14 Showa Oputoronikusu Kk レーザビームの補正方法及び装置
US5986794A (en) * 1997-02-01 1999-11-16 Laserline Gesellschaft Fur Entwicklung Und Vertrieb Von Diodenlasern Mbh Laser optics and diode laser
WO2002082163A1 (fr) * 2001-03-30 2002-10-17 Nippon Steel Corporation Dispositif laser a semi-conducteur et dispositif laser solide utilisant le premier
JP2002335047A (ja) * 2001-05-10 2002-11-22 Hamamatsu Photonics Kk 半導体レーザ装置
JP2003057588A (ja) * 2001-08-10 2003-02-26 Hamamatsu Photonics Kk レーザバー積層体用整形光学系及びレーザ光源
JP2003241135A (ja) * 2002-02-19 2003-08-27 Fuji Photo Film Co Ltd アレイ屈折素子及び露光装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10310278B2 (en) Semiconductor laser
EP2003484B1 (en) A Light Source
US7079566B2 (en) Semiconductor laser apparatus capable of routing laser beams emitted from stacked-array laser diode to optical fiber with little loss
JP4739819B2 (ja) 光束配列密度変換方法および光束配列密度変換部材および光源装置
US10310280B2 (en) Offset laser array with beam combining optical element
US20130287339A1 (en) Planar waveguide element
JP2013065002A (ja) 結合光学系及び結合方法
CN110989088B (zh) 一种基于透镜和超表面透镜的复用/解复用装置及方法
WO2001035146A1 (fr) Lentille optique et systeme optique
KR101729341B1 (ko) 레이저 빔 인터리빙
JP2000098191A (ja) 半導体レーザ光源装置
JP2015015305A (ja) レーザ装置
US20040146083A1 (en) Apparatus for shaping the output beam of semiconductor lasers
US20150177523A1 (en) Reflector unit, apparatus and method of light beam shaping
CN113231733A (zh) 一种激光合束装置及加工设备
CN115224583A (zh) 基于微透镜阵列的激光投射模组
JP4040934B2 (ja) 集光装置
JP2009271206A (ja) レーザ光整形光学系及びそれを用いたレーザ光供給装置
CN112505983B (zh) 用于实现激光点阵的微棱镜光学元件及投射模组
CA2927713C (en) Device for producing laser radiation
CN111146682B (zh) 一种光纤耦合半导体激光器模块及半导体激光器
JP5241785B2 (ja) 光ビーム再配置光学系、光学素子および光源装置
JP2005115010A (ja) レーザ光変換光学素子およびレーザ装置
JP2015166845A (ja) 光学結像素子及びその製造方法
US20150085370A1 (en) Beam-stacking element for diode-laser bar stack

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060222

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20071001

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071030

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071228

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080129