JP2005114680A - Radiographic image conversion panel, and manufacturing method of radiographic image conversion panel - Google Patents

Radiographic image conversion panel, and manufacturing method of radiographic image conversion panel Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiation image conversion panel having high luminance, high sharpness, and no cracks in a stimulable phosphor layer. <P>SOLUTION: This radiation image conversion panel has a constitution wherein the stimulable phosphor layer 12 is formed on a support 11 by a vapor-phase sedimentation method. Since the support 11 comprises a substrate 11a, and a heat-resistant resin layer 11b applied on at least one surface of the substrate 11a, the surface properties of the substrate 11a is improved, and the stimulable phosphor layer 12 is formed on the heat-resistant resin layer 11b side. Hereby, the thermal expansion coefficient of the heat-resistant resin layer 11b is similar to the thermal expansion coefficient of the stimulable phosphor layer 12, and generation of cracks can be prevented at the formation of the stimulable phosphor layer 12. The radiation image conversion panel, having high brightness and high sharpness, can be acquired by adjusting the reflectivity of stimulable emission of the support 11 to be high and the reflectivity of excitation light to be somewhat low. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法に関する。   The present invention relates to a radiation image conversion panel using a stimulable phosphor and a method for manufacturing a radiation image conversion panel.

従来、銀塩を使用しないで放射線画像を得る方法として、基板上に輝尽性蛍光体層を設けた放射線画像変換パネルが開発されている。   Conventionally, as a method for obtaining a radiation image without using a silver salt, a radiation image conversion panel having a photostimulable phosphor layer on a substrate has been developed.

放射線画像変換パネルは、輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放射線を当てることで、被写体各部の放射線透過密度に対応する放射線エネルギーを蓄積させることができる。その後、輝尽性蛍光体を可視光線、赤外線などの電磁波(励起光)で時系列的に励起することにより、輝尽性蛍光体中に蓄積されている放射線エネルギーを輝尽発光として放出させる。この光の強弱による信号を、例えば、光電変換して電気信号を得て、この信号をハロゲン化銀写真感光材料などの記録材料、CRTなどの表示装置上に可視像として再生することができる。   The radiation image conversion panel can accumulate radiation energy corresponding to the radiation transmission density of each part of the subject by applying radiation transmitted through the subject to the stimulable phosphor layer. Thereafter, the stimulable phosphor is excited in time series with electromagnetic waves (excitation light) such as visible light and infrared rays, thereby releasing the radiation energy accumulated in the stimulable phosphor as stimulated luminescence. For example, an electric signal is obtained by photoelectrically converting the signal based on the intensity of the light, and this signal can be reproduced as a visible image on a recording material such as a silver halide photographic material or a display device such as a CRT. .

放射線画像変換パネルを使用した放射線画像変換方式の優劣は、該パネルの輝尽性発光輝度およびパネルの発光均一性に大きく左右され、特に、これらの特性は用いる輝尽性蛍光体の特性により大きく支配されていることが知られている。   The superiority or inferiority of the radiation image conversion method using the radiation image conversion panel greatly depends on the stimulable light emission luminance of the panel and the light emission uniformity of the panel, and in particular, these characteristics greatly depend on the characteristics of the stimulable phosphor used. It is known to be ruled.

放射線画像変換パネルの輝度及び鮮鋭度を向上させるために、例えば特許文献1では、蛍光体層の厚さを300〜700μmの範囲にしてかつ相対密度を85〜97%とすることで輝度及び鮮鋭度を向上させている。   In order to improve the brightness and sharpness of the radiation image conversion panel, for example, in Patent Document 1, the thickness and the sharpness of the phosphor layer are set in the range of 300 to 700 μm and the relative density is set to 85 to 97%. The degree is improved.

また、特許文献2には、下記一般式で示された輝尽性蛍光体、特にeが0.003≦e≦0.005の範囲内の数値を示す輝尽性蛍光体を用いることで、高輝度の放射線画像変換パネルが得られることが示されている。   Further, Patent Document 2 uses a stimulable phosphor represented by the following general formula, in particular, a stimulable phosphor having an e value in the range of 0.003 ≦ e ≦ 0.005. It has been shown that a high brightness radiation image conversion panel can be obtained.

M1X・aM2X'2・bM3X''3:eA
[ここで、M1はLi、Na、K、Rb及びCsからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、M2はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cu及びNiからなる群から選ばれる少なくとも一種の二価金属であり、M3はSc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga及びInからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、X、X'及びX''はF、Cl、Br及びIからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、AはEu、Tb、In、Ga、Cs、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMgからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属であり、a、b、eはそれぞれ0≦a<0.5、0≦b<0.5、0.0001<e≦1.0の範囲の数値を示す。]
M 1 X ・ aM 2 X ' 2・ bM 3 X'' 3 : eA
[Wherein M 1 is at least one alkali metal selected from the group consisting of Li, Na, K, Rb and Cs, and M 2 is Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Cu and Ni. M 3 is Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, at least one divalent metal selected from the group consisting of Is at least one trivalent metal selected from the group consisting of Lu, Al, Ga and In, and X, X ′ and X ″ are at least one halogen selected from the group consisting of F, Cl, Br and I. , A is from the group consisting of Eu, Tb, In, Ga, Cs, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Gd, Lu, Sm, Y, Tl, Na, Ag, Cu and Mg It is at least one metal selected, and a, b, and e represent numerical values in the range of 0 ≦ a <0.5, 0 ≦ b <0.5, and 0.0001 <e ≦ 1.0, respectively. ]

最近では、CsBrなどのハロゲン化アルカリを母体にEuを賦活した輝尽性蛍光体を用いた放射線パネルが提案され、特にEuを賦活剤とすることで従来不可能であったX線変換効率の向上が可能になると期待され、医療用のX線画像診断機器等にも多く用いられることが予想される。   Recently, a radiation panel using a stimulable phosphor activated with Eu based on an alkali halide such as CsBr has been proposed. In particular, by using Eu as an activator, X-ray conversion efficiency that has been impossible in the past has been proposed. The improvement is expected to be possible, and it is expected to be used in many medical X-ray diagnostic imaging equipment.

放射線画像変換パネルは、上記の輝尽性蛍光体を基板上に蒸着させることにより輝尽性蛍光体層を設けている。放射線画像変換パネルに用いられる基板としては、各種高分子材料、硝子、金属等が知られている(例えば、特許文献3参照)。
特開2002−214397号公報(第2頁) 特開2003−028995号公報 特開2001−83299号公報(第5頁)
In the radiation image conversion panel, the photostimulable phosphor layer is provided by depositing the photostimulable phosphor on a substrate. As a substrate used in the radiation image conversion panel, various polymer materials, glass, metal, and the like are known (see, for example, Patent Document 3).
JP 2002-214397 A (second page) JP 2003-028995 A JP 2001-83299 A (page 5)

しかし基板の素材によっては、表面に凹凸があり、輝尽性蛍光体を蒸着させる際に成形性が悪いという問題があった。また基板として熱に弱い樹脂を用いた場合には、輝尽性蛍光体を蒸着する際に、基板が蒸気流の熱により変形する恐れがあった。また、硝子、金属はX線等の放射線エネルギーの吸収量が多く、放射線画像変換パネルが基板側から放射線を受けるシステムにおいては、高輝度にすることが難しかった。   However, depending on the material of the substrate, there is a problem that the surface has irregularities and the moldability is poor when the stimulable phosphor is deposited. Further, when a heat-sensitive resin is used as the substrate, the substrate may be deformed by the heat of the vapor flow when the stimulable phosphor is deposited. Glass and metal have a large amount of absorption of radiation energy such as X-rays, and it has been difficult to achieve high brightness in a system in which the radiation image conversion panel receives radiation from the substrate side.

本発明の課題は、高輝度、高鮮鋭性を示し、輝尽性蛍光体層の割れがない放射線画像変換パネルを提供することにある。   An object of the present invention is to provide a radiation image conversion panel that exhibits high brightness and high sharpness and has no cracking of the stimulable phosphor layer.

以上の課題を解決するため、本発明の請求項1に記載の発明は、例えば図1に示すように、支持体11に輝尽性蛍光体層12が気相堆積法により形成されてなる放射線画像変換パネルにおいて、前記支持体11は基板11aと該基板11aの少なくとも一方の面に塗設された耐熱性樹脂層11bとからなり、該耐熱樹脂層11b側に前記輝尽性蛍光体層12が形成されることを特徴とする。   In order to solve the above problems, the invention described in claim 1 of the present invention is a radiation in which a photostimulable phosphor layer 12 is formed on a support 11 by a vapor deposition method as shown in FIG. In the image conversion panel, the support 11 includes a substrate 11a and a heat resistant resin layer 11b coated on at least one surface of the substrate 11a, and the photostimulable phosphor layer 12 is disposed on the heat resistant resin layer 11b side. Is formed.

請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の放射線画像変換パネルにおいて、前記基板11aは熱硬化性樹脂、炭素繊維強化樹脂、熱可塑性樹脂のいずれかからなることを特徴とする。   According to a second aspect of the present invention, in the radiation image conversion panel according to the first aspect, the substrate 11a is made of any one of a thermosetting resin, a carbon fiber reinforced resin, and a thermoplastic resin.

請求項1または2項に記載の発明によれば、前記支持体11は基板11aと該基板11aの少なくとも一方の面に塗設された耐熱性樹脂層11bとからなるので、基板11aの表面性を改善することができる。   According to the invention described in claim 1 or 2, since the support 11 includes the substrate 11a and the heat-resistant resin layer 11b coated on at least one surface of the substrate 11a, the surface property of the substrate 11a. Can be improved.

請求項3に記載の発明は、請求項1または2に記載の放射線画像変換パネルにおいて、前記輝尽性蛍光体層12は下記一般式(1)で表される輝尽性蛍光体からなることを特徴とする。
CsX:eA ・・・(1)
ここで、XはCl、BrまたはIを表し、AはEu、Sm、In、Tl、GaまたはCeを表し、eは1×10-7<e<1×10-2の範囲の数値を表す。
The invention according to claim 3 is the radiation image conversion panel according to claim 1 or 2, wherein the stimulable phosphor layer 12 is made of a stimulable phosphor represented by the following general formula (1). It is characterized by.
CsX: eA (1)
Here, X represents Cl, Br or I, A represents Eu, Sm, In, Tl, Ga or Ce, and e represents a numerical value in the range of 1 × 10 −7 <e <1 × 10 −2. .

請求項3に記載の発明によれば、輝尽性蛍光体層12が上記一般式(1)で表される輝尽性蛍光体からなるので、より高輝度の放射線画像を得ることができる。   According to the invention described in claim 3, since the photostimulable phosphor layer 12 is made of the photostimulable phosphor represented by the general formula (1), a higher-luminance radiation image can be obtained.

請求項4に記載の発明は、請求項3に記載の放射線画像変換パネルにおいて、前記耐熱性樹脂層11bはポリイミド、ポリアミドイミド、フッ素樹脂の少なくとも1つからなることを特徴とする。   According to a fourth aspect of the present invention, in the radiation image conversion panel according to the third aspect, the heat-resistant resin layer 11b is made of at least one of polyimide, polyamideimide, and fluororesin.

請求項4に記載の発明によれば、耐熱性樹脂層11bがポリイミド、ポリアミドイミド、フッ素樹脂の少なくとも1つからなるので、耐熱性樹脂層11bの熱膨張係数が前記輝尽性蛍光体層12の熱膨張係数と近く、輝尽性蛍光体層12の形成時にひび割れが発生することを防ぐことができる。   According to the invention described in claim 4, since the heat resistant resin layer 11b is made of at least one of polyimide, polyamideimide, and fluororesin, the thermal expansion coefficient of the heat resistant resin layer 11b is the stimulable phosphor layer 12. Thus, cracks can be prevented from occurring when the photostimulable phosphor layer 12 is formed.

請求項5に記載の発明は、請求項1〜4のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネルにおいて、前記耐熱性樹脂層11bは波長400〜500nmの光の反射率が8%以上であり、かつ波長640〜700nmの光の反射率が5〜70%であることを特徴とする。   The invention according to claim 5 is the radiation image conversion panel according to any one of claims 1 to 4, wherein the heat resistant resin layer 11b has a reflectance of light having a wavelength of 400 to 500 nm of 8% or more. In addition, the reflectance of light having a wavelength of 640 to 700 nm is 5 to 70%.

請求項5に記載の発明によれば、前記耐熱性樹脂層11bは波長400〜500nmの光の反射率が8%以上であり、かつ波長640〜700nmの光の反射率が5〜70%であるため、波長400〜500nm(輝尽発光波長)の光の反射率が高く、かつ波長640〜700nm(励起波長)の光の反射率が若干低い支持体11を得ることができる。   According to the invention described in claim 5, the heat resistant resin layer 11b has a reflectance of light having a wavelength of 400 to 500 nm of 8% or more, and a reflectance of light having a wavelength of 640 to 700 nm is 5 to 70%. Therefore, the support 11 having a high reflectance of light having a wavelength of 400 to 500 nm (stimulated emission wavelength) and a slightly low reflectance of light having a wavelength of 640 to 700 nm (excitation wavelength) can be obtained.

請求項6に記載の発明は、支持体11に輝尽性蛍光体層12を気相堆積法により形成する放射線画像変換パネルの製造方法であって、基板11aの少なくとも一方の面に耐熱性樹脂をスプレー塗布して支持体11を形成し、次いで支持体11の耐熱性樹脂を塗布した面に輝尽性蛍光体層12を形成することを特徴とする。   The invention according to claim 6 is a method for manufacturing a radiation image conversion panel in which a photostimulable phosphor layer 12 is formed on a support 11 by vapor deposition, and a heat resistant resin is formed on at least one surface of a substrate 11a. The support 11 is formed by spray coating, and then the photostimulable phosphor layer 12 is formed on the surface of the support 11 on which the heat-resistant resin is applied.

請求項6に記載の発明によれば、基板11aの少なくとも一方の面に耐熱性樹脂をスプレー塗布して支持体11を形成することで、基板11aの凹凸を平坦にすることができ、次いで支持体11の耐熱性樹脂を塗布した面に気相堆積法により輝尽性蛍光体層12を平滑に形成することができる。   According to invention of Claim 6, the unevenness | corrugation of the board | substrate 11a can be made flat by spray-applying a heat resistant resin to at least one surface of the board | substrate 11a, and can form the unevenness | corrugation of the board | substrate 11a. The photostimulable phosphor layer 12 can be smoothly formed on the surface of the body 11 coated with the heat resistant resin by a vapor deposition method.

本発明によれば、基板の少なくとも一方の面に耐熱性樹脂層を塗設して、表面の平滑な支持体を得ることができる。また耐熱性樹脂層の熱膨張係数が輝尽性蛍光体層の熱膨張係数と近いため、輝尽性蛍光体層の形成時にひび割れが発生することを防ぐことができる。したがって輝尽性蛍光体層を平滑に形成することができるので、良質な再生画像を得ることができる。   According to the present invention, a support having a smooth surface can be obtained by coating a heat-resistant resin layer on at least one surface of a substrate. Moreover, since the thermal expansion coefficient of the heat resistant resin layer is close to the thermal expansion coefficient of the photostimulable phosphor layer, it is possible to prevent the occurrence of cracks during the formation of the photostimulable phosphor layer. Therefore, since the photostimulable phosphor layer can be formed smoothly, a high-quality reproduced image can be obtained.

また、支持体の励起波長の光の反射率が低いことにより、輝尽性蛍光体層側から照射した励起光が支持体で反射されることが少なく、反射された励起光により輝尽性蛍光体が励起されることがないため、鮮鋭度の高い像を再生することができる。また、輝尽発光波長の光の反射率が高いため、輝尽発光は輝尽性蛍光体層から支持体の反対側にのみ放出され、より輝度の高い像を再生することができる。   In addition, due to the low reflectivity of the light having the excitation wavelength of the support, the excitation light irradiated from the stimulable phosphor layer side is less likely to be reflected by the support, and the stimulated fluorescence is reflected by the reflected excitation light. Since the body is not excited, an image with high sharpness can be reproduced. Further, since the reflectance of the light having the stimulated emission wavelength is high, the stimulated emission is emitted only from the photostimulable phosphor layer to the opposite side of the support, and an image with higher luminance can be reproduced.

以下に、本発明の実施の形態例について詳細に述べる。本発明の実施の形態例の放射線像変換パネルは、図1に示すように、基板11aの一面に耐熱性樹脂層11bの塗設された支持体11と、支持体11の耐熱性樹脂層11b側の面に形成された輝尽性蛍光体層12と、輝尽性蛍光体層12を被覆して保護する保護層20とからなる。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. As shown in FIG. 1, the radiation image conversion panel according to the embodiment of the present invention includes a support 11 having a heat-resistant resin layer 11b coated on one surface of a substrate 11a, and a heat-resistant resin layer 11b of the support 11. It consists of a stimulable phosphor layer 12 formed on the side surface and a protective layer 20 that covers and protects the stimulable phosphor layer 12.

基板11aとしては、例えば、石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラス、結晶化ガラスなどの板ガラス、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、エポキシフィルム、ポリアミドイミドフィルム、ビスマレイイミドフィルム、フッ素樹脂フィルム、シロキサンフィルム、アクリルフィルム、ポリウレタンフィルム等の熱硬化性プラスチックフィルム、ナイロン12、ナイロン6、ポリカーボネート、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルイミドなどの熱可塑性樹脂からなるシートや、これらを貼り合わせたもの、炭素繊維強化樹脂板、アルミニウム、鉄、銅、クロム等の金属シートあるいは親水性微粒子の被覆層を有する金属シート等があげられる。この中では熱硬化性プラスチックシート、炭素繊維強化樹脂板が好ましい。   Examples of the substrate 11a include plate glass such as quartz, borosilicate glass, chemically strengthened glass, and crystallized glass, cellulose acetate film, polyester film, polyethylene terephthalate film, polyamide film, polyimide film, epoxy film, polyamideimide film, and screw. Thermosetting plastic film such as maleimide film, fluororesin film, siloxane film, acrylic film, polyurethane film, etc., made of thermoplastic resin such as nylon 12, nylon 6, polycarbonate, polyphenylene sulfide, polyethersulfone, polyetherimide Sheet, a laminate of these, a carbon fiber reinforced resin plate, a metal sheet such as aluminum, iron, copper, and chromium, or a coating of hydrophilic fine particles Metal sheets having a layer can be cited. Among these, a thermosetting plastic sheet and a carbon fiber reinforced resin plate are preferable.

またアルミニウムや、ホワイトポリエチレンテレフタレート、銀箔を樹脂板に積層したものなどの反射性の材料を基板11aに用いる場合には、基板11a側からX線を入射させる放射線画像変換パネル輝尽発光を効率よく集光することができるので好ましいが、鮮鋭度が低下する懸念があり、後述する輝尽性蛍光体層12の厚みの設計が重要となる。   In addition, when a reflective material such as aluminum, white polyethylene terephthalate, or a silver foil laminated on a resin plate is used for the substrate 11a, the radiation image conversion panel that emits X-rays from the substrate 11a side is efficiently excited. Although it is possible to collect light, it is preferable, but there is a concern that the sharpness may be lowered, and the design of the thickness of the stimulable phosphor layer 12 described later is important.

ここで反射性の材料とは、波長400〜500nmの光の反射率が60%以上で波長640〜700nmの光の反射率が50%以上である材料をいう。基板11aは輝尽発光波長(400〜500nm)の光の反射率が高く、読み取りレーザー波長(640〜700nm)の光の反射率が低いことが好ましい。読み取りレーザー波長の反射率が低いことで鮮鋭性を向上させることができるとともに、輝尽発光波長の反射率が高いことで発光輝度を向上させることができる。   Here, the reflective material refers to a material having a reflectance of light having a wavelength of 400 to 500 nm of 60% or more and a reflectance of light having a wavelength of 640 to 700 nm of 50% or more. It is preferable that the substrate 11a has a high reflectance of light having a stimulated emission wavelength (400 to 500 nm) and a low reflectance of light having a reading laser wavelength (640 to 700 nm). The sharpness can be improved by the low reflectance of the reading laser wavelength, and the emission luminance can be improved by the high reflectance of the stimulated emission wavelength.

これら基板11aの厚みは用いる材質等によって異なるが、一般的には80μm〜5000μmであり、取り扱い上の観点から、更に好ましいのは250μm〜4000μmである。   The thickness of the substrate 11a varies depending on the material used, but is generally 80 μm to 5000 μm, and more preferably 250 μm to 4000 μm from the viewpoint of handling.

基板11aの少なくとも輝尽性蛍光体層12を形成する面には、耐熱性樹脂層11bを設ける。耐熱性樹脂層11bを設けることで、基板11aの表面を平滑にすることができ、輝尽性蛍光体層12を平滑に形成することができる。なお耐熱性樹脂層11bは基板の両面に設けてもよい。耐熱性樹脂層11bを両面に設けることで、加熱したときに基板11aと耐熱性樹脂層11bとの熱膨張率の差によって支持体11がひずむことを防止することができる。   A heat resistant resin layer 11b is provided on at least the surface of the substrate 11a on which the photostimulable phosphor layer 12 is formed. By providing the heat resistant resin layer 11b, the surface of the substrate 11a can be smoothed, and the photostimulable phosphor layer 12 can be formed smoothly. The heat resistant resin layer 11b may be provided on both sides of the substrate. By providing the heat resistant resin layer 11b on both surfaces, it is possible to prevent the support 11 from being distorted due to the difference in thermal expansion coefficient between the substrate 11a and the heat resistant resin layer 11b when heated.

耐熱性樹脂は、Tgが180℃以上であることが好ましく、ポリイミド、ポリアミドイミド、フッ素樹脂、アクリル樹脂、シロキサン等のうち少なくとも1つを用いることができる。このうち、ポリイミド、ポリアミドイミド、フッ素樹脂の熱膨張係数は、後述する輝尽性蛍光体層12の熱膨張係数と近いため、輝尽性蛍光体層12のひび割れが発生する恐れがなく好ましい。   The heat resistant resin preferably has a Tg of 180 ° C. or higher, and at least one of polyimide, polyamideimide, fluororesin, acrylic resin, siloxane and the like can be used. Among these, the thermal expansion coefficients of polyimide, polyamideimide, and fluororesin are close to the thermal expansion coefficient of the stimulable phosphor layer 12, which will be described later, and therefore, there is no fear that cracking of the stimulable phosphor layer 12 occurs.

基板11a上に耐熱性樹脂層11bを設ける方法としては、樹脂製のシートを貼り合わせる方法や、樹脂を基板11a上に塗布することで設ける方法があるが、後者が好ましい。これは塗布により耐熱性樹脂層11bを設けることにより、基板11a表面の凹凸を覆い、輝尽性蛍光体層12の形成面を平坦にすることができるからである。   As a method of providing the heat-resistant resin layer 11b on the substrate 11a, there are a method of attaching a resin sheet and a method of providing by applying a resin on the substrate 11a, but the latter is preferable. This is because by providing the heat-resistant resin layer 11b by coating, the unevenness of the surface of the substrate 11a can be covered and the surface on which the photostimulable phosphor layer 12 is formed can be made flat.

耐熱性樹脂の塗布方法としては、スピンコーター、バーコーターを用いる方法や、スプレー塗布による方法等があるが、スプレー塗布が好ましい。スプレー塗布としては、基板11aを固定し、スプレーガンを一定スピードで動かす方法、基板11aを一定スピードで動かし、一個または複数の固定スプレーノズルで行う方法、いずれでもよいが、基板11aサイズが350mm四方以上の大きなものになる場合は、基板11aを一定スピードで動かし、複数の固定スプレーノズルで行う方法が好ましい。   Examples of the method for applying the heat resistant resin include a method using a spin coater and a bar coater, a method using spray coating, and the like, and spray coating is preferable. Spray coating may be performed by fixing the substrate 11a and moving the spray gun at a constant speed, or by moving the substrate 11a at a constant speed and using one or a plurality of fixed spray nozzles, but the size of the substrate 11a is 350 mm square. When it becomes the above big thing, the method of moving the board | substrate 11a at a fixed speed and performing with several fixed spray nozzles is preferable.

耐熱性樹脂層11bの乾燥膜厚としては10〜150μmが好ましく、特に20〜100μmが好ましい。薄すぎると基板11aの凹凸が表面で顕著にわかり、厚すぎると重ね塗りになるために膜厚分布が悪くなる。   The dry film thickness of the heat-resistant resin layer 11b is preferably 10 to 150 μm, particularly preferably 20 to 100 μm. If it is too thin, the unevenness of the substrate 11a is noticeable on the surface, and if it is too thick, it is overcoated, resulting in poor film thickness distribution.

耐熱性樹脂層11bは、読み取りレーザー波長(640〜700nm)の光の反射率が低いことが好ましい。読み取りレーザー波長の光の反射率が高すぎると鮮鋭度の低下を招く恐れがある。読み取りレーザー波長の反射率が低いと鮮鋭性を向上させることができる。640〜700nmの光の反射率は5〜70%、好ましくは5〜50%であるとよい。   The heat resistant resin layer 11b preferably has a low reflectance of light having a reading laser wavelength (640 to 700 nm). If the reflectance of the reading laser wavelength light is too high, the sharpness may be lowered. When the reflectance of the reading laser wavelength is low, the sharpness can be improved. The reflectance of light at 640 to 700 nm is 5 to 70%, preferably 5 to 50%.

また耐熱性樹脂層11bは、輝尽発光波長(400〜500nm)の光の反射率が高いことが好ましい。輝尽発光波長の反射率が高いと発光輝度を向上させることができる。400〜500nmの光の反射率は8%以上、好ましくは20%以上であるとよい。   Moreover, it is preferable that the heat resistant resin layer 11b has a high reflectance of light having a stimulated emission wavelength (400 to 500 nm). If the reflectance of the stimulated emission wavelength is high, the emission luminance can be improved. The reflectance of light at 400 to 500 nm is 8% or more, preferably 20% or more.

以上のようにして基板11aに耐熱性樹脂層11bを設けたら、その耐熱性樹脂層11bの基板11aと反対側の面に、輝尽性蛍光体層12を設ける。   When the heat-resistant resin layer 11b is provided on the substrate 11a as described above, the photostimulable phosphor layer 12 is provided on the surface of the heat-resistant resin layer 11b opposite to the substrate 11a.

本発明に好ましく用いられる輝尽性蛍光体としては、下記一般式で表されるものを使用することができる。   As the stimulable phosphor preferably used in the present invention, those represented by the following general formula can be used.

M1X・aM2X'2・bM3X''3:eA M 1 X ・ aM 2 X ' 2・ bM 3 X'' 3 : eA

ここで、M1はLi、Na、K、Rb及びCsからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、特にK、Rb及びCsからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であることが好ましい。 Here, M 1 is at least one alkali metal selected from the group consisting of Li, Na, K, Rb and Cs, and in particular, is at least one alkali metal selected from the group consisting of K, Rb and Cs. preferable.

M2はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cu及びNiからなる群から選ばれる少なくとも一種の二価金属であり、特に、Be、Mg、Ca、Sr及びBaから選ばれる少なくとも一種の二価金属であることが好ましい。 M 2 is at least one divalent metal selected from the group consisting of Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Cu and Ni, in particular, at least selected from Be, Mg, Ca, Sr and Ba A kind of divalent metal is preferable.

M3はSc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga及びInからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、特に、Y、La、Ce、Sm、Eu、Gd、Lu、Al、Ga及びInからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であることが好ましい。 At least one M 3 represents that Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Al, selected from the group consisting of Ga and In In particular, at least one trivalent metal selected from the group consisting of Y, La, Ce, Sm, Eu, Gd, Lu, Al, Ga and In is preferable.

X、X'及びX''はF、Cl、Br及びIからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンである。   X, X ′ and X ″ are at least one halogen selected from the group consisting of F, Cl, Br and I.

AはEu、Tb、In、Ga、Cs、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMgからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属である。   A is selected from the group consisting of Eu, Tb, In, Ga, Cs, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Gd, Lu, Sm, Y, Tl, Na, Ag, Cu, and Mg. At least one kind of metal.

a、b、eはそれぞれ0≦a<0.5、0≦b<0.5、0<e≦0.2の範囲の数値を示し、特にbは0≦b≦10-2 の範囲の数値を示すことが好ましい。 a, b, and e each represent a numerical value in the range of 0 ≦ a <0.5, 0 ≦ b <0.5, and 0 <e ≦ 0.2. Particularly, b preferably represents a numerical value in the range of 0 ≦ b ≦ 10 −2. .

特に、上記輝尽性蛍光体層12は下記一般式(1)で表される輝尽性蛍光体を有することが好ましい。   In particular, the photostimulable phosphor layer 12 preferably has a photostimulable phosphor represented by the following general formula (1).

CsX:eA ・・・(1)   CsX: eA (1)

ここで、XはCl、BrまたはIを表し、AはEu、Sm、In、Tl、GaまたはCeを表し、eは1×10-7<e<1×10-2の範囲の数値を示す。 Here, X represents Cl, Br or I, A represents Eu, Sm, In, Tl, Ga or Ce, and e represents a numerical value in the range of 1 × 10 −7 <e <1 × 10 −2. .

上記の輝尽性蛍光体は、例えば下記(a)〜(d)の蛍光体原料を用いて以下に述べる製造方法により製造される。   The photostimulable phosphor is manufactured by the following manufacturing method using, for example, the following phosphor materials (a) to (d).

(a)LiF、LiCl、LiBr、LiI、NaF、NaCl、NaBr、NaI、KF、KCl、KBr、KI、RbF、RbCl、RbBr、RbI、CsF、CsCl、CsBr及びCsIからなる群から選ばれる少なくとも1種もしくは2種以上の化合物。   (A) At least one selected from the group consisting of LiF, LiCl, LiBr, LiI, NaF, NaCl, NaBr, NaI, KF, KCl, KBr, KI, RbF, RbCl, RbBr, RbI, CsF, CsCl, CsBr and CsI Species or two or more compounds.

(b)
BeF2、BeCl2、BeBr2、BeI2、MgF2、MgCl2、MgBr2、MgI2、CaF2、CaCl2、CaBr2、CaI2、SrF2、SrCl2、SrBr2、SrI2、BaF2、BaCl2、BaBr2、BaI2、ZnF2、ZnCl2、ZnBr2、ZnI2、CdF2、CdCl2、CdBr2、CdI2、CuF2、CuCl2、CuBr2、CuI2、NiF2、NiCl2、NiBr2及びNiI2からなる群から選ばれる少なくとも1種もしくは2種以上の化合物。
(B)
BeF 2, BeCl 2, BeBr 2 , BeI 2, MgF 2, MgCl 2, MgBr 2, MgI 2, CaF 2, CaCl 2, CaBr 2, CaI 2, SrF 2, SrCl 2, SrBr 2, SrI 2, BaF 2 , BaCl 2, BaBr 2, BaI 2, ZnF 2, ZnCl 2, ZnBr 2, ZnI 2, CdF 2, CdCl 2, CdBr 2, CdI 2, CuF 2, CuCl 2, CuBr 2, CuI 2, NiF 2, NiCl 2 , at least one or two or more compounds selected from the group consisting of NiBr 2 and NiI 2 .

(c)ScF3、ScCl3、ScBr3、ScI3、YF3、YCl3、YBr3、YI3、LaF3、LaCl3、LaBr3、LaI3、CeF3、CeCl3、CeBr3、CeI3、PrF3、PrCl3、PrBr3、PrI3、NdF3、NdCl3、NdBr3、NdI3、PmF3、PmCl3、PmBr3、PmI3、SmF3、SmCl3、SmBr3、SmI3、EuF3、EuCl3、EuBr3、EuI3、GdF3、GdCl3、GdBr3、GdI3、TbF3、TbCl3、TbBr3、TbI3、DyF3、DyCl3、DyBr3、DyI3、HoF3、HoCl3、HoBr3、HoI3、ErF3、ErCl3、ErBr3、ErI3、TmF3、TmCl3、TmBr3、TmI3、YbF3、YbCl3、YbBr3、YbI3、LuF3、LuCl3、LuBr3、LuI3、AlF3、AlCl3、AlBr3、AlI3、GaF3、GaCl3、GaBr3、GaI3、InF3、InCl3、InBr3及びInI3からなる群から選ばれる少なくとも1種もしくは2種以上の化合物。 (C) ScF 3, ScCl 3 , ScBr 3, ScI 3, YF 3, YCl 3, YBr 3, YI 3, LaF 3, LaCl 3, LaBr 3, LaI 3, CeF 3, CeCl 3, CeBr 3, CeI 3 , PrF 3 , PrCl 3 , PrBr 3 , PrI 3 , NdF 3 , NdCl 3 , NdBr 3 , NdI 3 , PmF 3 , PmCl 3 , PmBr 3 , PmI 3 , SmF 3 , SmCl 3 , SmBr 3 , SmF 3 , SmI 3 3, EuCl 3, EuBr 3, EuI 3, GdF 3, GdCl 3, GdBr 3, GdI 3, TbF 3, TbCl 3, TbBr 3, TbI 3, DyF 3, DyCl 3, DyBr 3, DyI 3, HoF 3, HoCl 3, HoBr 3, HoI 3 , ErF 3, ErCl 3, ErBr 3, ErI 3, TmF 3, TmCl 3, TmBr 3, TmI 3, YbF 3, YbCl 3, YbBr 3, YbI 3, LuF 3, LuCl 3 , LuBr 3 , LuI 3 , AlF 3 , AlCl 3 , AlBr 3 , AlI 3 , GaF 3 , GaCl 3 , GaBr 3 , GaI 3 , InF 3 , InCl 3 , InBr 3 and InI 3 and at least one selected from the group consisting of Species or two or more compounds.

(d)Eu、Tb、In、Ga、Cs、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMgからなる群から選ばれる少なくとも1種もしくは2種以上の金属。   (D) From the group consisting of Eu, Tb, In, Ga, Cs, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Gd, Lu, Sm, Y, Tl, Na, Ag, Cu and Mg At least one or two or more metals selected.

上記(a)〜(d)の蛍光体原料を一般式(1)のa、b、eの範囲を満たすように秤量し、純水にて混合する。この際、乳鉢、ボールミル、ミキサーミル等を用いて充分に混合してもよい。   The phosphor materials of the above (a) to (d) are weighed so as to satisfy the ranges of a, b and e in the general formula (1) and mixed with pure water. At this time, the mixture may be sufficiently mixed using a mortar, ball mill, mixer mill or the like.

次に、得られた混合液のpH値Cを0<C<7に調整するように所定の酸を加えた後、水分を蒸発気化させる。   Next, a predetermined acid is added so that the pH value C of the obtained mixed solution is adjusted to 0 <C <7, and then water is evaporated.

次に、得られた原料混合物を石英ルツボあるいはアルミナルツボ等の耐熱性容器に充填して電気炉内で焼成を行う。焼成温度は500〜1000℃が好ましい。焼成時間は原料混合物の充填量、焼成温度等によって異なるが、0.5〜6時間が好ましい。   Next, the obtained raw material mixture is filled in a heat-resistant container such as a quartz crucible or an alumina crucible and fired in an electric furnace. The firing temperature is preferably 500 to 1000 ° C. The firing time varies depending on the filling amount of the raw material mixture, the firing temperature and the like, but is preferably 0.5 to 6 hours.

焼成雰囲気としては少量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気、少量の一酸化炭素を含む炭酸ガス雰囲気等の弱還元性雰囲気、窒素ガス雰囲気、アルゴンガス雰囲気等の中性雰囲気あるいは少量の酸素ガスを含む弱酸化性雰囲気が好ましい。   The firing atmosphere includes a nitrogen gas atmosphere containing a small amount of hydrogen gas, a weak reducing atmosphere such as a carbon dioxide gas atmosphere containing a small amount of carbon monoxide, a neutral atmosphere such as a nitrogen gas atmosphere and an argon gas atmosphere, or a small amount of oxygen gas. A weak oxidizing atmosphere is preferred.

なお、上記の焼成条件で一度焼成した後、焼成物を電気炉から取り出して粉砕し、しかる後、焼成物粉末を再び耐熱性容器に充填して電気炉に入れ、同じ焼成条件で再焼成を行なえば輝尽性蛍光体の発光輝度を更に高めることができ、また、焼成物を焼成温度より室温に冷却する際、焼成物を電気炉から取り出して空気中で放冷することによっても所望の輝尽性蛍光体を得ることができるが、焼成時と同じ、弱還元性雰囲気、中性雰囲気あるいは弱酸化性雰囲気のままで冷却してもよい。   After firing once under the above firing conditions, the fired product is taken out of the electric furnace and pulverized, and then the fired product powder is again filled in a heat-resistant container and placed in the electric furnace, and refired under the same firing conditions. If this is done, the luminous brightness of the photostimulable phosphor can be further increased, and when the fired product is cooled to the room temperature from the firing temperature, the desired brightness can also be obtained by removing the fired product from the electric furnace and allowing it to cool in the air. Although a photostimulable phosphor can be obtained, it may be cooled in the same weakly reducing atmosphere, neutral atmosphere or weakly oxidizing atmosphere as at the time of firing.

また、焼成物を電気炉内で加熱部より冷却部へ移動させて、弱還元性雰囲気、中性雰囲気あるいは弱酸化性雰囲気で急冷することにより、得られた輝尽性蛍光体の輝尽による発光輝度をより一層高めることができる。   In addition, by moving the fired product from the heating part to the cooling part in an electric furnace and quenching in a weakly reducing atmosphere, neutral atmosphere or weakly oxidizing atmosphere, the resulting stimulable phosphor is excited. The light emission luminance can be further increased.

輝尽性蛍光体層12は、上記の輝尽性蛍光体を蒸発源として基板11aの一方の面へ気相堆積させることにより形成される。気相堆積法としては、蒸着法、スパッタリング法、CVD法、その他を用いることができる。   The photostimulable phosphor layer 12 is formed by vapor deposition on the one surface of the substrate 11a using the photostimulable phosphor as an evaporation source. As the vapor deposition method, an evaporation method, a sputtering method, a CVD method, or the like can be used.

蒸着法では、まず、基板11aを蒸着装置内に設置した後、装置内を排気して1.333×10-4Pa程度の真空度とする。次いで、輝尽性蛍光体を蒸発源として蒸着装置内の蒸発装置に設置し、抵抗加熱法、エレクトロンビーム法等の方法で加熱蒸発させて、基板11a表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに成長させる。 In the vapor deposition method, first, after the substrate 11a is installed in a vapor deposition apparatus, the inside of the apparatus is evacuated to a vacuum degree of about 1.333 × 10 −4 Pa. Next, the stimulable phosphor is set as an evaporation source in an evaporation apparatus in the vapor deposition apparatus, and is heated and evaporated by a resistance heating method, an electron beam method, or the like, so that the stimulable phosphor is formed on the surface of the substrate 11a with a desired thickness. Let it grow.

この結果、結着材を含有しない輝尽性蛍光体層12が形成される。上記の蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層12を形成することも可能である。   As a result, the photostimulable phosphor layer 12 containing no binder is formed. In the above vapor deposition step, the photostimulable phosphor layer 12 can be formed in a plurality of times.

また、上記の蒸着工程では複数の抵抗加熱機あるいはエレクトロンビームを用いて複数の輝尽性蛍光体原料を蒸発源として共蒸着し、基板11a上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層12を形成することも可能である。   In the vapor deposition step, a plurality of photostimulable phosphor materials are co-deposited using a plurality of resistance heaters or electron beams as an evaporation source, and the target photostimulable phosphor is synthesized on the substrate 11a. It is also possible to form the photostimulable phosphor layer 12.

上記の気相堆積法による輝尽性蛍光体層12の作成にあたり、輝尽性蛍光体層12が形成される支持体11の温度は、50℃〜400℃に設定することが好ましく、蛍光体の特性上は100℃〜250℃が好ましく、基板11aに樹脂を用いる場合には樹脂の耐熱性を考慮して50℃〜150℃、さらに好ましくは50℃〜100℃がよい。   In preparation of the photostimulable phosphor layer 12 by the vapor deposition method, the temperature of the support 11 on which the photostimulable phosphor layer 12 is formed is preferably set to 50 ° C. to 400 ° C. 100 ° C. to 250 ° C. is preferable, and when a resin is used for the substrate 11a, it is preferably 50 ° C. to 150 ° C., more preferably 50 ° C. to 100 ° C. in consideration of the heat resistance of the resin.

図2は、支持体11上に輝尽性蛍光体層12が蒸着により形成される様子を示す図である。支持体ホルダ15に固定された支持体11の耐熱性樹脂層11b側の面の法線方向(R)に対する輝尽性蛍光体の蒸気流16の入射角度をθ2(例えば図では60°)とし、形成される柱状結晶13の基板11a面の法線方向(R)に対する角度をθ1(例えば図では30°)とすると、経験的にはθ1はθ2の約半分となり、この角度で柱状結晶13が形成される。 FIG. 2 is a diagram showing a state in which the photostimulable phosphor layer 12 is formed on the support 11 by vapor deposition. The incident angle of the vapor flow 16 of the stimulable phosphor with respect to the normal direction (R) of the surface of the support 11 fixed to the support holder 15 on the heat resistant resin layer 11b side is θ 2 (for example, 60 ° in the figure). Assuming that the angle of the formed columnar crystal 13 with respect to the normal direction (R) of the surface of the substrate 11a is θ 1 (for example, 30 ° in the figure), empirically θ 1 is about half of θ 2 and this angle Thus, the columnar crystal 13 is formed.

輝尽性蛍光体の柱状結晶の成長角は0°〜70°がよく、好ましくは0°〜55°である。   The growth angle of the columnar crystal of the photostimulable phosphor is preferably 0 ° to 70 °, and preferably 0 ° to 55 °.

これらの場合において、支持体11と蒸発源との最短部の間隔は輝尽性蛍光体の平均飛程に合わせて概ね10cm〜80cmに設置するのが好ましい。   In these cases, it is preferable that the distance between the shortest part of the support 11 and the evaporation source is approximately 10 cm to 80 cm in accordance with the average range of the stimulable phosphor.

柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層12において鮮鋭度(MTF)をよくするためには、柱状結晶の大きさは1μm〜50μm程度がよく、更に好ましくは、1μm〜30μmである。即ち、柱状結晶が1μmより細い場合は、柱状結晶により輝尽励起光が散乱される為にMTFが低下するし、柱状結晶が50μm以上の場合も輝尽励起光の指向性が低下し、MTFは低下する。   In order to improve sharpness (MTF) in the stimulable phosphor layer 12 made of columnar crystals, the size of the columnar crystals is preferably about 1 μm to 50 μm, and more preferably 1 μm to 30 μm. That is, when the columnar crystal is thinner than 1 μm, the excitation excitation light is scattered by the columnar crystal, so that the MTF decreases. When the columnar crystal is 50 μm or more, the directivity of the excitation excitation light decreases, and the MTF Will decline.

なお、柱状結晶の大きさは、柱状結晶を支持体11と平行な面から観察したときの各柱状結晶の断面積の円換算した直径の平均値であり、少なくとも100個以上の柱状結晶を視野中に含む顕微鏡写真から計算する。   The size of the columnar crystals is an average value of the diameters in terms of circles of the cross-sectional areas of the respective columnar crystals when the columnar crystals are observed from a plane parallel to the support 11, and at least 100 or more columnar crystals are viewed. Calculate from the photomicrograph included.

また、各柱状結晶間の間隙の大きさは30μm以下がよく、更に好ましくは5μm以下がよい。間隙が30μmを越える場合は蛍光体層中の蛍光体の充填率が低くなり、輝度が低下してしまう。   Further, the size of the gap between the columnar crystals is preferably 30 μm or less, and more preferably 5 μm or less. When the gap exceeds 30 μm, the filling rate of the phosphor in the phosphor layer is lowered, and the luminance is lowered.

柱状結晶の太さは基板11a温度、真空度、蒸気流入射角度等によって影響を受け、これらを制御することによって所望の太さの柱状結晶を作製することが可能である。   The thickness of the columnar crystal is influenced by the temperature of the substrate 11a, the degree of vacuum, the incident angle of the vapor flow, and the like, and it is possible to produce a columnar crystal having a desired thickness by controlling these.

スパッタリング法では、蒸着法と同様、支持体11をスパッタリング装置内に設置した後、装置内を一旦排気して1.333×10-4Pa程度の真空度とし、次いでスパッタリング用のガスとしてAr、Ne等の不活性ガスをスパッタリング装置内に導入して1.333×10-1Pa程度のガス圧とする。次に、輝尽性蛍光体をターゲットとして、斜めにスパッタリングすることにより、支持体11上に輝尽性蛍光体層12を所望の厚さに斜めに成長させる。 In the sputtering method, like the vapor deposition method, after the support 11 is installed in the sputtering apparatus, the inside of the apparatus is once evacuated to a vacuum degree of about 1.333 × 10 −4 Pa, and then Ar, An inert gas such as Ne is introduced into the sputtering apparatus to obtain a gas pressure of about 1.333 × 10 −1 Pa. Next, the stimulable phosphor layer 12 is grown obliquely to a desired thickness on the support 11 by sputtering obliquely using the stimulable phosphor as a target.

スパッタリング工程では蒸着法と同様に複数回に分けて輝尽性蛍光体層12を形成することも可能であるし、また複数の輝尽性蛍光体原料をターゲットとして用い、これを同時或いは順次スパッタリングして、支持体11上で目的とする輝尽性蛍光体層12を形成する事も可能である。必要に応じてO2、H2等のガスを導入して反応性スパッタリングを行ってもよい。更に、スパッタリング時に必要に応じて被蒸着物を冷却或いは加熱してもよい。また、スパッタリング終了後に輝尽性蛍光体層12を加熱処理してもよい。 In the sputtering process, it is possible to form the photostimulable phosphor layer 12 in a plurality of times as in the vapor deposition method, and a plurality of photostimulable phosphor materials are used as targets, and these are simultaneously or sequentially sputtered. Thus, it is possible to form the desired photostimulable phosphor layer 12 on the support 11. If necessary, reactive sputtering may be performed by introducing a gas such as O 2 or H 2 . Furthermore, the deposition object may be cooled or heated as necessary during sputtering. Moreover, you may heat-process the photostimulable phosphor layer 12 after completion | finish of sputtering.

CVD法は、目的とする輝尽性蛍光体或いは輝尽性蛍光体原料を含有する有機金属化合物を熱、高周波電力等のエネルギーで分解することにより、支持体11上に結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層12を得るものである。CVD法によっても、輝尽性蛍光体を独立した細長い柱状結晶に気相成長させて輝尽性蛍光体層12を得ることが可能である。   The CVD method does not contain a binder on the support 11 by decomposing an organometallic compound containing the desired stimulable phosphor or stimulable phosphor raw material with energy such as heat and high-frequency power. The photostimulable phosphor layer 12 is obtained. The photostimulable phosphor layer 12 can also be obtained by vapor phase growth of the photostimulable phosphor into independent elongated columnar crystals by the CVD method.

これらの方法により形成した輝尽性蛍光体層12の膜厚は目的とする放射線像変換パネルの放射線に対する輝度、輝尽性蛍光体の種類等によって異なるが、10μm〜1000μmの範囲が好ましく、更に好ましくは、20μm〜800μmの範囲である。   The thickness of the photostimulable phosphor layer 12 formed by these methods varies depending on the brightness of the intended radiation image conversion panel with respect to radiation, the type of stimulable phosphor, etc., but is preferably in the range of 10 μm to 1000 μm. Preferably, it is the range of 20 micrometers-800 micrometers.

なお、気相堆積法における輝尽性蛍光体層12の成長速度は、0.05μm/min〜300μm/minであることが好ましい。成長速度が0.05μm/min未満の場合には放射線画像変換パネルの生産性が悪く好ましくない。また成長速度が300μm/minを超える場合には成長速度のコントロールが難しく好ましくない。   The growth rate of the photostimulable phosphor layer 12 in the vapor deposition method is preferably 0.05 μm / min to 300 μm / min. When the growth rate is less than 0.05 μm / min, the productivity of the radiation image conversion panel is poor and is not preferable. Further, when the growth rate exceeds 300 μm / min, it is difficult to control the growth rate, which is not preferable.

この様にして支持体11上に形成した輝尽性蛍光体層12は、結着剤を含有していないので、指向性に優れており、輝尽励起光及び輝尽発光の指向性が高く、輝尽性蛍光体を結着剤中に分散した分散型の輝尽性蛍光体層12を有する放射線画像変換パネルより層厚を厚くすることができる。更に輝尽励起光の輝尽性蛍光体層12中での散乱が減少することで像の鮮鋭性が向上する。   Since the photostimulable phosphor layer 12 formed on the support 11 in this way does not contain a binder, it has excellent directivity and high directivity of stimulated excitation light and stimulated emission. The layer thickness can be made larger than that of the radiation image conversion panel having the dispersive stimulable phosphor layer 12 in which the stimulable phosphor is dispersed in the binder. Further, the sharpness of the image is improved by reducing the scattering of the stimulating light in the stimulable phosphor layer 12.

また、柱状結晶間の間隙に結着剤等充填物を充填してもよく、輝尽性蛍光体層12の補強となる。また高光吸収率の物質、高光反射率の物質等を充填してもよい。これにより前記補強効果をもたせるほか、輝尽性蛍光体層12に入射した輝尽励起光の横方向への光拡散をほぼ完全に防止できる。   In addition, the gap between the columnar crystals may be filled with a filler or the like, which will reinforce the stimulable phosphor layer 12. Further, a substance having a high light absorption rate, a substance having a high light reflectance, or the like may be filled. As a result, the reinforcing effect can be provided, and the light diffusion in the lateral direction of the stimulated excitation light incident on the stimulable phosphor layer 12 can be almost completely prevented.

高光反射率の物質とは、輝尽発光(400〜600nm、特に400〜500nm)に対する反射率の高いものをいい、白色顔料、及び紫色から青色領域の色材(青色系色材)を用いることができる。   A substance having a high light reflectance means a material having a high reflectance with respect to stimulating light emission (400 to 600 nm, particularly 400 to 500 nm), and a white pigment and a color material (blue color material) in a purple to blue region are used. Can do.

白色顔料として、TiO2(アナターゼ型、ルチル型)、MgO、PbCO3・Pb(OH)2、BaSO4、Al23、M(II)FX(但し、M(II)はBa、Sr及びCaの中の少なくとも一種であり、XはCl、及びBrのうちの少なくとも一種である。)、CaCO3、ZnO、Sb23、SiO2、ZrO2、リトポン(BaSO4・ZnS)、珪酸マグネシウム、塩基性珪硫酸鉛、塩基性燐酸鉛、珪酸アルミニウム、アルミニウム、マグネシウム、銀、インジウムなどが挙げられる。これらの白色顔料は隠蔽力が強く、屈折率が大きいため、光を反射したり、屈折させることにより輝尽発光を容易に散乱し、得られる放射線画像変換パネルの輝度を顕著に向上させうる。 As white pigments, TiO 2 (anatase type, rutile type), MgO, PbCO 3 .Pb (OH) 2 , BaSO 4 , Al 2 O 3 , M (II) FX (where M (II) is Ba, Sr and At least one of Ca, and X is at least one of Cl and Br.), CaCO 3 , ZnO, Sb 2 O 3 , SiO 2 , ZrO 2 , lithopone (BaSO 4 .ZnS), magnesium silicate , Basic lead silicic acid sulfate, basic lead phosphate, aluminum silicate, aluminum, magnesium, silver, indium and the like. Since these white pigments have a strong hiding power and a high refractive index, they can easily scatter stimulated luminescence by reflecting or refracting light, and can significantly improve the brightness of the obtained radiation image conversion panel.

また、青色系色材は、有機若しくは無機系色材のいずれでもよい。有機系色材としては、ザボンファーストブルー3G(ヘキスト製)、エストロールブリルブルーN−3RL(住友化学製)、D&CブルーNo.1(ナショナルアニリン製)、スピリットブルー(保土谷化学製)、オイルブルーNo.603(オリエント製)、キトンブルーA(チバガイギー製)、アイゼンカチロンブルーGLH(保土ヶ谷化学製)、レイクブルーAFH(協和産業製)、プリモシアニン6GX(稲畑産業製)、ブリルアシッドグリーン6BH(保土谷化学製)、シアンブルーBNRCS(東洋インク製)、ライオノイルブルーSL(東洋インク製)等が用いられる。またカラーインデクスNo.24411、23160、74180、74200、22800、23154、23155、24401、14830、15050、15760、15707、17941、74220、13425、13361、13420、11836、74140、74380、74350、74460等の有機系金属錯塩色材も挙げられる。無機系色材としては群青、コバルトブルー、セルリアンブルー、酸化クロム、TiO2−ZnO−Co−NiO系顔料が挙げられる。 The blue color material may be either an organic or inorganic color material. Examples of organic colorants include Zavon First Blue 3G (Hoechst), Estrol Brill Blue N-3RL (Sumitomo Chemical), D & C Blue No. 1 (made by National Aniline), Spirit Blue (made by Hodogaya Chemical), Oil Blue No. 1 603 (made by Orient), Kitten Blue A (made by Ciba Geigy), Eisen Katyron Blue GLH (made by Hodogaya Chemical), Lake Blue AFH (made by Kyowa Sangyo), Primocyanin 6GX (made by Inabata Sangyo), Brill Acid Green 6BH (Hodogaya) Chemical Blue), Cyan Blue BNRCS (Toyo Ink), Lionoyl Blue SL (Toyo Ink), etc. are used. The color index No. 24411, 23160, 74180, 74200, 22800, 23154, 23155, 24401, 14830, 15050, 15760, 15707, 17941, 74220, 13425, 13361, 13420, 11836, 74140, 74380, 74350, 74460, etc. Materials are also mentioned. Examples of inorganic color materials include ultramarine blue, cobalt blue, cerulean blue, chromium oxide, and TiO 2 —ZnO—Co—NiO pigments.

高光吸収率の物質としては、例えば、カーボン、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化鉄などが用いられる。   For example, carbon, chromium oxide, nickel oxide, iron oxide or the like is used as the substance having a high light absorption rate.

以上のようにして輝尽性蛍光体層12を形成した後、必要に応じて輝尽性蛍光体層12の基板11aとは反対の側に保護層20を設ける。保護層20は、保護装用の塗布液を輝尽性蛍光体層12の表面に直接塗布して形成もよいし、またあらかじめ別途形成した保護層20を輝尽性蛍光体層12に接着してもよい。   After forming the photostimulable phosphor layer 12 as described above, a protective layer 20 is provided on the side of the photostimulable phosphor layer 12 opposite to the substrate 11a as necessary. The protective layer 20 may be formed by directly applying a coating solution for protection to the surface of the photostimulable phosphor layer 12, or by adhering a separately formed protective layer 20 to the photostimulable phosphor layer 12. Also good.

保護層20の材料としては、防湿性樹脂フィルムを好適に用いることができる。防湿性樹脂フィルムとしては、酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化−塩化エチレン、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体などを用いることができる。樹脂フィルムは加工が容易で厚みを100μm以下と薄くしても製造工程中の強度には問題がなく、薄層であるため初期画質の点で好ましい。   As a material for the protective layer 20, a moisture-proof resin film can be suitably used. As moisture-proof resin film, cellulose acetate, nitrocellulose, polymethyl methacrylate, polyvinyl butyral, polyvinyl formal, polycarbonate, polyester, polyethylene terephthalate, polyethylene, polyvinylidene chloride, nylon, polytetrafluoroethylene, polytrifluoride-chloride Ethylene, tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer, vinylidene chloride-vinyl chloride copolymer, vinylidene chloride-acrylonitrile copolymer, and the like can be used. The resin film is easy to process, and even if the thickness is reduced to 100 μm or less, there is no problem in strength during the manufacturing process, and since it is a thin layer, it is preferable in terms of initial image quality.

また、これらの防湿性樹脂フィルムは、透湿度及び酸素透過性が低い無機物質の層を積層して有していてもよい。このような無機物質としては、SiOx(SiO、SiO2)、Al2O3、ZrO2、SnO2,SiC、SiN等があるが、このうち特にAl2O3やSiOxは光透過率が高くかつ透湿度及び酸素透過性が低い、すなわちクラックやマイクロポアが少なく緻密な膜を形成することができるので特に好ましい。SiOx、Al2O3は単独で積層しても良いが、両方を共に積層すると透湿度及び酸素透過性をより低くすることができるので、SiOx、Al2O3の両方を積層することがより好ましい。 Moreover, these moisture-proof resin films may have laminated | stacked the layer of the inorganic substance with low moisture permeability and oxygen permeability. Examples of such inorganic substances include SiO x (SiO, SiO 2 ), Al 2 O 3 , ZrO 2 , SnO 2 , SiC, and SiN. Of these, Al 2 O 3 and SiO x are particularly light transmissive. The moisture permeability and oxygen permeability are low, that is, a dense film with few cracks and micropores can be formed, which is particularly preferable. SiO x and Al 2 O 3 may be laminated alone, but if both are laminated together, moisture permeability and oxygen permeability can be lowered, so both SiO x and Al 2 O 3 should be laminated. Is more preferable.

無機物質の樹脂フィルムへの積層は、PVD法、スパッタリング法、CVD法、PE-CVD(Plasma enhanced CVD)等の方法が使用できる。積層は、蛍光体層を樹脂フィルムで被覆したのちに行ってもよいし、蛍光体層を被覆する前に行ってもよい。積層厚は0.01μmから1μm程度であることが好ましい。あるいは、あらかじめ蒸着層が形成された市販の防湿性樹脂フィルムを用いてもよい。このような防湿性樹脂フィルムとしては、例えば、凸版印刷(株)GL−AEなどがある。   Lamination of the inorganic substance to the resin film can be performed by methods such as PVD method, sputtering method, CVD method, PE-CVD (Plasma enhanced CVD). Lamination may be performed after the phosphor layer is coated with the resin film, or may be performed before the phosphor layer is coated. The laminated thickness is preferably about 0.01 μm to 1 μm. Or you may use the commercially available moisture-proof resin film in which the vapor deposition layer was formed previously. Examples of such a moisture-proof resin film include Toppan Printing Co., Ltd. GL-AE.

以下、本発明を実施例により説明する。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described with reference to examples. The present invention is not limited to these examples.

基板と耐熱性樹脂層と組み合わせを変えて支持体を作製した。   Supports were produced by changing the combination of the substrate and the heat-resistant resin layer.

厚さ2mm厚、300mm角サイズの炭素繊維強化樹脂板(東邦テナックス製CFRP#155C含侵樹脂硬化エポキシ樹脂)を基板とし、これにポリイミド(宇部興産製アンダーフィル材UMEKOTE)をバーコーターにて塗布し、80℃で30分と、180℃で30分との2段階で乾燥した後、10μ厚のポリイミド膜からなる耐熱性樹脂層を形成した。   A 2 mm thick, 300 mm square carbon fiber reinforced resin plate (CFRP # 155C impregnated resin cured epoxy resin manufactured by Toho Tenax) is used as a substrate, and polyimide (Ube Industries' underfill material UMEKOTE) is applied to it with a bar coater. Then, after drying in two stages of 80 ° C. for 30 minutes and 180 ° C. for 30 minutes, a heat-resistant resin layer made of a 10 μm thick polyimide film was formed.

実施例1のポリイミドをフッソ樹脂(ダイキン社製TC−7105GN)に代えて、スプレー塗布乾燥し、25μ厚のフッソ樹脂膜を炭素繊維強化樹脂板に形成した。スプレー塗布は高圧用スプレーガンでノズル圧0.3MPa、基板との距離15cmで行った。   The polyimide of Example 1 was replaced with a fluorine resin (TC-7105GN manufactured by Daikin) and spray-dried to form a 25-μ thick fluorine resin film on a carbon fiber reinforced resin plate. Spray coating was performed with a high pressure spray gun at a nozzle pressure of 0.3 MPa and a distance of 15 cm from the substrate.

実施例1のポリイミドをポリアミドイミド(東洋紡社製バイロマックスHR12N2)に代えてバーコーターで塗布乾燥し、10μ厚のポリアミドイミド膜を炭素繊維強化樹脂板に形成した。   The polyimide of Example 1 was replaced with polyamide imide (Vilomax HR12N2 manufactured by Toyobo Co., Ltd.) and applied and dried with a bar coater to form a 10 μm thick polyamide imide film on a carbon fiber reinforced resin plate.

実施例1のポリイミドをフッソ樹脂(ダイキン社製TC−7898SLM)に代えて、スプレー塗布乾燥し、25μ厚のフッソ樹脂膜を炭素繊維強化樹脂板に形成した。   The polyimide of Example 1 was replaced with a fluorine resin (TC-7898SLM manufactured by Daikin) and spray-dried to form a 25-μ thick fluorine resin film on a carbon fiber reinforced resin plate.

実施例1の炭素繊維強化樹脂板を硬化エポキシ板(東邦テナックス社製特注エポキシ板3.5mm厚)に代えた以外は同様である。   This is the same except that the carbon fiber reinforced resin plate of Example 1 is replaced with a cured epoxy plate (a custom-made epoxy plate 3.5 mm thick manufactured by Toho Tenax Co., Ltd.).

実施例1の炭素繊維強化樹脂板をポリカーボネート板(東邦テナックス社製4mm厚)に代え、ポリイミドをフッソ樹脂(ダイキン社製TC−7105GN)に代えて、スプレー塗布乾燥し、25μ厚のフッソ樹脂膜をポリカーボネート板に形成した。   The carbon fiber reinforced resin plate of Example 1 was replaced with a polycarbonate plate (4 mm thickness, manufactured by Toho Tenax Co., Ltd.), and polyimide was replaced with a fluorine resin (TC-7105GN, manufactured by Daikin). Was formed into a polycarbonate plate.

実施例1の炭素繊維強化樹脂板をアルミ板(住友軽金属社製A1050−H24MF 0.5mm厚)に代えた以外は同様である。
[比較例1]
This is the same except that the carbon fiber reinforced resin plate of Example 1 is replaced with an aluminum plate (A1050-H24MF 0.5 mm thickness manufactured by Sumitomo Light Metal Co., Ltd.).
[Comparative Example 1]

実施例1のポリイミドをアクリル樹脂(日産化学工業社製サンエバーSUN−4001)に代えてバーコーターで塗布乾燥し、20μ厚のアクリル樹脂膜を炭素繊維強化樹脂板に形成した。
[比較例2]
The polyimide of Example 1 was applied and dried with a bar coater instead of the acrylic resin (Sunever SUN-4001 manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.), and a 20 μ thick acrylic resin film was formed on a carbon fiber reinforced resin plate.
[Comparative Example 2]

比較例1のアクリルをポリシロキサン樹脂(日本触媒社製ポリシロキサングラフトポリマーSG−204)に代えてバーコーターで塗布乾燥し、10μ厚のポリシロキサン樹脂膜を炭素繊維強化樹脂板に形成した。
[比較例3]
The acrylic of Comparative Example 1 was applied with a bar coater instead of the polysiloxane resin (polysiloxane graft polymer SG-204 manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd.) and dried to form a 10 μm thick polysiloxane resin film on the carbon fiber reinforced resin plate.
[Comparative Example 3]

比較例1の炭素繊維強化樹脂板をテンパックスガラス(パイレックス(登録商標)ガラス)0.7mmに代えて行った。
[比較例4]
The carbon fiber reinforced resin plate of Comparative Example 1 was replaced with Tempax glass (Pyrex (registered trademark) glass) 0.7 mm.
[Comparative Example 4]

比較例1の炭素繊維強化樹脂板を硬化エポキシ板(試作品EA−2)に代え、耐熱性樹脂膜を形成させなかった。   The carbon fiber reinforced resin plate of Comparative Example 1 was replaced with a cured epoxy plate (prototype EA-2), and no heat resistant resin film was formed.

これらの支持体を蒸着装置の真空チャンバー中に入れるとともに、CsBr:0.001Euからなる輝尽性蛍光体を入れたルツボ(蒸着源)を入れた。比較例4を除き、基板の耐熱性樹脂層が形成されている面を蒸着源に向けた。比較例4では基板のいずれか一方の面を蒸着源に向けた。基板と蒸着源との間にはアルミニウム製のスリットを配置した。基板と蒸着源の距離は60cmとした。次いで真空チャンバー中にアルゴンガスを導入し、真空度を0.27Paとした。   These supports were placed in a vacuum chamber of a vapor deposition apparatus, and a crucible (vapor deposition source) containing a stimulable phosphor composed of CsBr: 0.001 Eu was placed. Except for Comparative Example 4, the surface of the substrate on which the heat-resistant resin layer was formed was directed to the vapor deposition source. In Comparative Example 4, one side of the substrate was directed to the vapor deposition source. An aluminum slit was disposed between the substrate and the evaporation source. The distance between the substrate and the evaporation source was 60 cm. Next, argon gas was introduced into the vacuum chamber, and the degree of vacuum was 0.27 Pa.

輝尽性蛍光体の蒸気はアルミニウム製のスリットを通って基板の法線方向に対して0°の入射角度で入射するようにし、基板と平行な方向に基板を搬送しながら、蒸着を行った。比較例4を除き、基板の耐熱性樹脂層が形成されている面に蒸着を行った。比較例4では基板のいずれか一方の面に蒸着を行った。以上のようにして300μm厚の柱状結晶構造を有する輝尽性蛍光体層を得た。   The vapor of the stimulable phosphor was made to enter through an aluminum slit at an incident angle of 0 ° with respect to the normal direction of the substrate, and was deposited while transporting the substrate in a direction parallel to the substrate. . Except for the comparative example 4, it vapor-deposited on the surface in which the heat resistant resin layer of the board | substrate is formed. In Comparative Example 4, vapor deposition was performed on one surface of the substrate. As described above, a photostimulable phosphor layer having a columnar crystal structure with a thickness of 300 μm was obtained.

下記構成で表されるアルミナ蒸着ポリエチレンテレフタレート樹脂層を含む積層保護フィルムAを作成し、これを防湿性保護フィルムとして用いた。   A laminated protective film A including an alumina-deposited polyethylene terephthalate resin layer represented by the following configuration was prepared and used as a moisture-proof protective film.

積層保護フィルムA:VMPET12///VMPET12///PET   Laminated protective film A: VMPET12 /// VMPET12 /// PET

積層保護フィルムAにおいて、VMPETは、アルミナ蒸着したポリエチレンテレフタレート(市販品:東洋メタライジング社製)を表し、PETはポリエチレンテレフタレートを表す。また、上記「///」は、ドライラミネーション接着層における2液反応型のウレタン系接着剤層の厚みが3.0μmであることを表し、各樹脂フィルムの後に表示した数字は、各フィルムの膜厚(μm)を表す。   In the laminated protective film A, VMPET represents polyethylene terephthalate deposited on alumina (commercial product: manufactured by Toyo Metallizing Co., Ltd.), and PET represents polyethylene terephthalate. Further, the above “///” indicates that the thickness of the two-component reactive urethane adhesive layer in the dry lamination adhesive layer is 3.0 μm, and the numbers displayed after each resin film are the numbers of each film. Represents film thickness (μm).

防湿性保護フィルムで輝尽性蛍光体板を包み、減圧しながら、蛍光体面側の蛍光体周縁より外側にある領域で、基板と保護フィルムとをインパルスシーラー等で加熱、融着して封止して、放射線画像変換パネルを作成した。   The photostimulable phosphor plate is wrapped with a moisture-proof protective film, and the substrate and the protective film are heated and fused with an impulse sealer or the like in a region outside the phosphor periphery on the phosphor surface side while reducing the pressure. A radiation image conversion panel was created.

<反射率測定> 日立製分光光度計557を用い、ポリイミド上にアルミ蒸着した基板を基準として反射率(%)を測定した。下記表1にその値を示す。   <Reflectance measurement> Using Hitachi spectrophotometer 557, reflectance (%) was measured on the basis of the board | substrate which vapor-deposited aluminum on the polyimide. The values are shown in Table 1 below.

<ひび割れ評価> 基板に耐熱性樹脂層を塗布し、その上に輝尽性蛍光体層を気相堆積法により設け、すぐさま蒸着装置から取りだし、3時間室温中に放置し、輝尽性蛍光体層にひび割れが発生するかどうかを評価した。下記表1において、○は目視で全くひび割れなし、△は目視で部分的にひび割れがある、×は完全に割れて、基板から輝尽性蛍光体層が剥離したことをそれぞれ示す。   <Crack evaluation> A heat-resistant resin layer is applied to a substrate, and a stimulable phosphor layer is provided on the substrate by a vapor deposition method. The stimulable phosphor layer is immediately taken out from the vapor deposition apparatus and left at room temperature for 3 hours. It was evaluated whether the layer was cracked. In Table 1 below, ○ indicates that there is no visual crack, Δ indicates that there is a partial crack, and × indicates that the photostimulable phosphor layer is peeled from the substrate.

<輝度評価> 放射線画像変換パネルより2m離れた点から放射線画像変換パネルに管電圧80kVpのX線を10mAs照射した。その後、コニカRegius350に放射線画像変換パネルを設置して輝尽発光を読み取った。得られた光電子増倍管からの電気信号を元に評価を行った。下記表1の値は、輝尽性蛍光体面全体の平均値であり、実施例1の輝度を1.08としたときの相対値である。   <Luminance Evaluation> The radiation image conversion panel was irradiated with X-rays having a tube voltage of 80 kVp from a point 2 m away from the radiation image conversion panel at 10 mAs. Thereafter, a radiation image conversion panel was installed in Konica Regius 350 to read out the photostimulated luminescence. Evaluation was performed based on the electrical signal from the obtained photomultiplier tube. The values in Table 1 below are average values of the entire photostimulable phosphor surface, and are relative values when the brightness of Example 1 is 1.08.

<鮮鋭度評価> 放射線画像変換パネルの基板側に試料にCTFチャートを貼付した後、被写体から1.5m離れた点から80kVpのX線を10mAs照射した。その後、直径100μm、波長680nmの半導体レーザー(放射線画像変換パネル上でのパワー40mW)で輝尽性蛍光体層上を走査し、励起された輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発光を光電子増倍管(浜松ホトニクス製、R1305)で受光して電気信号に変換し、A/D変換して磁気テープにより記録した。記録した磁気テープをコンピューターで分析して磁気テープに記録されているX線像の変調伝達関数を求めた。表の値は空間周波数2.0Lp/mmでのMTF値(変調伝達関数、%)を示す。MTF値は高いほど鮮鋭度が良好であることを示す。   <Evaluation of Sharpness> After a CTF chart was attached to the sample on the substrate side of the radiation image conversion panel, 80 kVp X-rays were irradiated by 10 mAs from a point 1.5 m away from the subject. Thereafter, the photostimulable phosphor layer is scanned with a semiconductor laser having a diameter of 100 μm and a wavelength of 680 nm (power of 40 mW on the radiation image conversion panel), and stimulated emission emitted from the excited photostimulable phosphor layer is emitted. Light was received by a photomultiplier tube (R1305, manufactured by Hamamatsu Photonics), converted into an electrical signal, A / D converted, and recorded on a magnetic tape. The recorded magnetic tape was analyzed with a computer to determine the modulation transfer function of the X-ray image recorded on the magnetic tape. The values in the table indicate MTF values (modulation transfer function,%) at a spatial frequency of 2.0 Lp / mm. The higher the MTF value, the better the sharpness.

下記表1に各実施例及び比較例の波長400〜500nm、または640〜700nmの光の反射率(%、相対値)、ひび割れ評価、輝度評価、鮮鋭度評価を示す。

Figure 2005114680
Table 1 below shows the reflectance (%, relative value), crack evaluation, luminance evaluation, and sharpness evaluation of light having a wavelength of 400 to 500 nm or 640 to 700 nm in each example and comparative example.
Figure 2005114680

実施例1の放射線画像変換パネルは、波長400〜500nmの反射率が15%、波長640〜700nmの反射率が10%となった。輝尽性蛍光体層に目視でひび割れは全くなく、輝度は1.08、鮮鋭度は37%であった。   In the radiation image conversion panel of Example 1, the reflectance at a wavelength of 400 to 500 nm was 15%, and the reflectance at a wavelength of 640 to 700 nm was 10%. The photostimulable phosphor layer was not visually cracked, the luminance was 1.08, and the sharpness was 37%.

実施例2の放射線画像変換パネルは、波長400〜500nmの反射率が17%、波長640〜700nmの反射率が12%となった。輝尽性蛍光体層に目視でひび割れは全くなく、輝度は1.11、鮮鋭度は36%であった。   In the radiation image conversion panel of Example 2, the reflectance at a wavelength of 400 to 500 nm was 17%, and the reflectance at a wavelength of 640 to 700 nm was 12%. The photostimulable phosphor layer was not visually cracked, the luminance was 1.11 and the sharpness was 36%.

実施例3の放射線画像変換パネルは、波長400〜500nmの反射率が14%、波長640〜700nmの反射率が14%となった。輝尽性蛍光体層に目視でひび割れは全くなく、輝度は1.07、鮮鋭度は35%であった。   In the radiation image conversion panel of Example 3, the reflectance at a wavelength of 400 to 500 nm was 14%, and the reflectance at a wavelength of 640 to 700 nm was 14%. The photostimulable phosphor layer was not visually cracked, the luminance was 1.07, and the sharpness was 35%.

実施例4の放射線画像変換パネルは、波長400〜500nmの反射率が25%、波長640〜700nmの反射率が15%となった。輝尽性蛍光体層に目視でひび割れは全くなく、輝度は1.21、鮮鋭度は35%であった。   In the radiation image conversion panel of Example 4, the reflectance at a wavelength of 400 to 500 nm was 25%, and the reflectance at a wavelength of 640 to 700 nm was 15%. The photostimulable phosphor layer was not visually cracked, the luminance was 1.21, and the sharpness was 35%.

実施例5の放射線画像変換パネルは、波長400〜500nmの反射率が18%、波長640〜700nmの反射率が15%となった。輝尽性蛍光体層に目視でひび割れは全くなく、輝度は1.1、鮮鋭度は36%であった。   In the radiation image conversion panel of Example 5, the reflectance at a wavelength of 400 to 500 nm was 18%, and the reflectance at a wavelength of 640 to 700 nm was 15%. The photostimulable phosphor layer was not visually cracked, the luminance was 1.1, and the sharpness was 36%.

実施例6の放射線画像変換パネルは、波長400〜500nmの反射率が19%、波長640〜700nmの反射率が17%となった。輝尽性蛍光体層に目視でひび割れは全くなく、輝度は1.08、鮮鋭度は34%であった。   In the radiation image conversion panel of Example 6, the reflectance at a wavelength of 400 to 500 nm was 19%, and the reflectance at a wavelength of 640 to 700 nm was 17%. The photostimulable phosphor layer was not visually cracked, the luminance was 1.08, and the sharpness was 34%.

実施例7の放射線画像変換パネルは、波長400〜500nmの反射率が28%、波長640〜700nmの反射率が58%となった。輝尽性蛍光体層に目視でひび割れは全くなく、輝度は1.26、鮮鋭度は30%であった。   In the radiation image conversion panel of Example 7, the reflectance at a wavelength of 400 to 500 nm was 28%, and the reflectance at a wavelength of 640 to 700 nm was 58%. The photostimulable phosphor layer was not visually cracked, the luminance was 1.26, and the sharpness was 30%.

比較例1の放射線画像変換パネルは、波長400〜500nmの反射率が17%、波長640〜700nmの反射率が14%となった。完全に割れて、基板から輝尽性蛍光体層が剥離した。輝度及び鮮鋭度の評価はできなかった。   In the radiation image conversion panel of Comparative Example 1, the reflectance at a wavelength of 400 to 500 nm was 17%, and the reflectance at a wavelength of 640 to 700 nm was 14%. The photostimulable phosphor layer was peeled off from the substrate completely. The brightness and sharpness could not be evaluated.

比較例2の放射線画像変換パネルは、波長400〜500nmの反射率が15%、波長640〜700nmの反射率が17%となった。完全に割れて、基板から輝尽性蛍光体層が剥離した。輝度及び鮮鋭度の評価はできなかった。   In the radiation image conversion panel of Comparative Example 2, the reflectance at a wavelength of 400 to 500 nm was 15%, and the reflectance at a wavelength of 640 to 700 nm was 17%. The photostimulable phosphor layer was peeled off from the substrate completely. The brightness and sharpness could not be evaluated.

比較例3の放射線画像変換パネルは、波長400〜500nmの反射率が12%、波長640〜700nmの反射率が18%となった。完全に割れて、基板から輝尽性蛍光体層が剥離した。輝度及び鮮鋭度の評価はできなかった。   In the radiation image conversion panel of Comparative Example 3, the reflectance at a wavelength of 400 to 500 nm was 12%, and the reflectance at a wavelength of 640 to 700 nm was 18%. The photostimulable phosphor layer was peeled off from the substrate completely. The brightness and sharpness could not be evaluated.

比較例4の放射線画像変換パネルは、波長400〜500nmの反射率が27%、波長640〜700nmの反射率が35%となった。輝尽性蛍光体層に目視で部分的にひび割れがあり、輝度は0.99、鮮鋭度は25%であった。   In the radiation image conversion panel of Comparative Example 4, the reflectance at a wavelength of 400 to 500 nm was 27%, and the reflectance at a wavelength of 640 to 700 nm was 35%. The photostimulable phosphor layer was partially cracked visually, the luminance was 0.99, and the sharpness was 25%.

実施例1〜7では、波長400〜500nmの反射率が高いほど、輝度が高い傾向があった。また、波長640〜700nmの反射率が低いほど、鮮鋭度が高い傾向があった。   In Examples 1-7, there existed a tendency for the brightness | luminance to become high, so that the reflectance of wavelength 400-500 nm was high. Further, the sharpness tended to be higher as the reflectance at a wavelength of 640 to 700 nm was lower.

樹脂層を設けなかった比較例4では、波長400〜500nmの反射率が比較的高い割に輝度は低かった。また鮮鋭度も実施例1〜7と比較して低かった。その理由としては輝尽性蛍光体層を設ける際に基板の表面性が悪く、輝尽性蛍光体層に部分的にひび割れがあったことなどが考えられる。   In Comparative Example 4 in which no resin layer was provided, the luminance was low although the reflectance at a wavelength of 400 to 500 nm was relatively high. Moreover, the sharpness was also low compared with Examples 1-7. The reason may be that the surface property of the substrate is poor when the stimulable phosphor layer is provided, and the stimulable phosphor layer is partially cracked.

以上の結果から、基板に耐熱性樹脂層を設け、その波長400〜500nmの反射率を高く、波長640〜700nmの反射率を低くすることで、輝尽性蛍光体層にひび割れが生じず、輝度及び鮮鋭度の優れた放射線画像変換パネルが得られることがわかる。   From the above results, by providing a heat-resistant resin layer on the substrate, the reflectance at a wavelength of 400 to 500 nm is high, and the reflectance at a wavelength of 640 to 700 nm is low, so that the photostimulable phosphor layer does not crack, It can be seen that a radiation image conversion panel having excellent brightness and sharpness can be obtained.

本発明の放射線画像変換パネルの形態例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the example of a form of the radiographic image conversion panel of this invention. 本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の形成方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the formation method of the photostimulable phosphor layer of the radiographic image conversion panel of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

11 支持体
11a 基板
11b 耐熱性樹脂層
12 輝尽性蛍光体層
11 Support 11a Substrate 11b Heat Resistant Resin Layer 12 Stimulable Phosphor Layer

Claims (6)

支持体に輝尽性蛍光体層が気相堆積法により形成されてなる放射線画像変換パネルにおいて、前記支持体は基板と該基板の少なくとも一方の面に塗設された耐熱性樹脂層とからなり、該耐熱樹脂層側に前記輝尽性蛍光体層が形成されることを特徴とする放射線画像変換パネル。   In a radiation image conversion panel in which a photostimulable phosphor layer is formed on a support by a vapor deposition method, the support comprises a substrate and a heat resistant resin layer coated on at least one surface of the substrate. The radiation image conversion panel, wherein the photostimulable phosphor layer is formed on the heat-resistant resin layer side. 前記基板は熱硬化性樹脂、炭素繊維強化樹脂、熱可塑性樹脂のいずれかからなることを特徴とする請求項1に記載の放射線画像変換パネル。   The radiation image conversion panel according to claim 1, wherein the substrate is made of any one of a thermosetting resin, a carbon fiber reinforced resin, and a thermoplastic resin. 前記輝尽性蛍光体層は下記一般式(1)で表される輝尽性蛍光体からなることを特徴とする請求項1または2に記載の放射線画像変換パネル。
CsX:eA ・・・(1)
ここで、XはCl、BrまたはIを表し、AはEu、Sm、In、Tl、GaまたはCeを表し、eは1×10-7<e<1×10-2の範囲の数値を表す。
The radiation image conversion panel according to claim 1, wherein the photostimulable phosphor layer is composed of a stimulable phosphor represented by the following general formula (1).
CsX: eA (1)
Here, X represents Cl, Br or I, A represents Eu, Sm, In, Tl, Ga or Ce, and e represents a numerical value in the range of 1 × 10 −7 <e <1 × 10 −2. .
前記耐熱性樹脂層はポリイミド、ポリアミドイミド、フッ素樹脂の少なくとも1つからなることを特徴とする請求項3に記載の放射線画像変換パネル。   The radiation image conversion panel according to claim 3, wherein the heat-resistant resin layer is made of at least one of polyimide, polyamideimide, and fluororesin. 前記耐熱性樹脂層は波長400〜500nmの光の反射率が8%以上であり、かつ波長640〜700nmの光の反射率が5〜70%であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネル。   The heat-resistant resin layer has a reflectance of light having a wavelength of 400 to 500 nm of 8% or more, and a reflectance of light having a wavelength of 640 to 700 nm is 5 to 70%. The radiation image conversion panel as described in any one of Claims. 支持体に輝尽性蛍光体層を気相堆積法により形成する放射線画像変換パネルの製造方法であって、基板の少なくとも一方の面に耐熱性樹脂をスプレー塗布して支持体を形成し、次いで支持体の耐熱性樹脂を塗布した面に輝尽性蛍光体層を形成することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。

A method for producing a radiation image conversion panel in which a photostimulable phosphor layer is formed on a support by a vapor deposition method, wherein a support is formed by spray-coating a heat resistant resin on at least one surface of a substrate, A method for producing a radiation image conversion panel, comprising forming a stimulable phosphor layer on a surface of a support on which a heat resistant resin is applied.

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