JP2005091188A - Radiological image conversion panel - Google Patents

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JP2005091188A JP2003325651A JP2003325651A JP2005091188A JP 2005091188 A JP2005091188 A JP 2005091188A JP 2003325651 A JP2003325651 A JP 2003325651A JP 2003325651 A JP2003325651 A JP 2003325651A JP 2005091188 A JP2005091188 A JP 2005091188A
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Osamu Morikawa
修 森川
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiological image conversion panel more excellent in contrast by avoiding back scattering of an X ray detrimental to imaging. <P>SOLUTION: The radiological image conversion panel has a stimulable phosphor layer 12 on a substrate 11. An X-ray absorbent layer 13 is formed by including an X-ray absorbent body in the opposite face of the phosphor layer 12 to the substrate 11. Because the X-ray absorbent layer is formed on the opposite face of the phosphor layer to the substrate, the X ray radiated against the conversion panel from the substrate side and passing through the phosphor layer can be absorbed by the X-ray absorbent layer. The X ray passing through the X-ray absorbent layer, scattered at a rear matter and incident again to the conversion panel can be absorbed by the X-ray absorbent layer. Therefore, back scattering of the X ray detrimental to imaging can be avoided so that the radiological image conversion panel more excellent in contrast can be obtained. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルに関する。   The present invention relates to a radiation image conversion panel using a photostimulable phosphor.

従来、放射線画像を得るために銀塩を使用しないで放射線像を画像化する方法として、基板上に輝尽性蛍光体層が設けられた放射線画像変換パネルを用いて放射線像を記録する方法が開発されている。   Conventionally, as a method of imaging a radiation image without using a silver salt in order to obtain a radiation image, there is a method of recording a radiation image using a radiation image conversion panel in which a stimulable phosphor layer is provided on a substrate. Has been developed.

放射線画像変換パネルを用いて放射線像を記録する方法は、例えば以下のとおりである。まず放射線画像変換パネルを読み取り装置に固定し、被写体を放射線画像変換パネルの前方に配置する。次に被写体に前方からX線を照射し、被写体を透過したX線を輝尽性蛍光体層に入射し、被写体各部の放射線透過密度に対応する放射線エネルギーを蓄積させる。エネルギーを蓄積した輝尽性蛍光体層に可視光線、赤外線などの電磁波(励起光)を照射して時系列的に励起させることにより、輝尽性蛍光体中に蓄積された放射線エネルギーを輝尽発光として放出させる。輝尽発光の強弱による信号を、例えば光電変換して電気信号とすることで、ハロゲン化銀写真感光材料などの記録材料、CRTなどの表示装置上に可視像として再生することができる。   A method for recording a radiation image using the radiation image conversion panel is, for example, as follows. First, the radiation image conversion panel is fixed to the reading device, and the subject is placed in front of the radiation image conversion panel. Next, the subject is irradiated with X-rays from the front, and the X-rays transmitted through the subject are incident on the stimulable phosphor layer to accumulate radiation energy corresponding to the radiation transmission density of each part of the subject. By irradiating the stimulable phosphor layer that stores energy with electromagnetic waves (excitation light) such as visible light and infrared rays in time series excitation, the radiation energy accumulated in the stimulable phosphor is stimulated. Release as luminescence. A signal based on the intensity of the stimulated light emission is converted into an electric signal by photoelectric conversion, for example, and can be reproduced as a visible image on a recording material such as a silver halide photographic light-sensitive material or a display device such as a CRT.

放射線画像変換パネルを使用した放射線画像変換方式の優劣は、該パネルの輝尽性発光輝度およびパネルの発光均一性に大きく左右され、特に、これらの特性は用いる輝尽性蛍光体の特性に大きく支配されていることが知られている。   The superiority or inferiority of the radiation image conversion method using the radiation image conversion panel greatly depends on the stimulable light emission luminance of the panel and the light emission uniformity of the panel, and in particular, these characteristics greatly depend on the characteristics of the stimulable phosphor used. It is known to be ruled.

最近では、CsBrなどのハロゲン化アルカリを母体にEuを賦活した輝尽性蛍光体を用いた放射線パネルが提案され、特にEuを賦活剤とすることで従来不可能であったX線変換効率の向上が可能になると期待されている。   Recently, a radiation panel using a photostimulable phosphor activated with Eu based on an alkali halide such as CsBr has been proposed. In particular, by using Eu as an activator, X-ray conversion efficiency which has been impossible in the past has been proposed. It is expected that improvement will be possible.

このような放射線画像変換パネルは医療用のX線画像診断機器等にも多く用いられている。医療用の画像診断機器では特に患者へ照射される放射線の被曝線量を減少させるために、より感度及び鮮鋭度の高い放射線画像変換パネルが求められている。   Such radiation image conversion panels are often used in medical X-ray diagnostic imaging equipment and the like. In medical diagnostic imaging equipment, a radiation image conversion panel with higher sensitivity and sharpness is particularly required in order to reduce the exposure dose of radiation irradiated to a patient.

放射線画像変換パネルの感度及び鮮鋭度を向上させるために、例えば特許文献1では、蛍光体層の厚さを300〜700μmの範囲にしてかつ輝尽性蛍光体層の全体積に対して輝尽性蛍光体が占める体積の比率を85〜97%とすることで感度及び鮮鋭度を向上させている。   In order to improve the sensitivity and sharpness of the radiation image conversion panel, for example, in Patent Document 1, the thickness of the phosphor layer is set in the range of 300 to 700 μm and the stimulable phosphor layer is totally stimulated. Sensitivity and sharpness are improved by setting the ratio of the volume occupied by the fluorescent material to 85 to 97%.

また、特許文献2には、下記一般式(1)で示された輝尽性蛍光体、特にeが0.003≦e≦0.005の範囲内の数値を示す輝尽性蛍光体を用いることで、高感度の放射線画像変換パネルを得られることが示されている。   Patent Document 2 uses a photostimulable phosphor represented by the following general formula (1), particularly a photostimulable phosphor having an e value in the range of 0.003 ≦ e ≦ 0.005. This indicates that a highly sensitive radiation image conversion panel can be obtained.

M1X・aM2X'2・bM3X''3:eA ・・・(1)
[ここで、M1はLi、Na、K、Rb及びCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、M2はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cu及びNiからなる群より選ばれる少なくとも一種の二価金属であり、M3はSc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga及びInからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、X、X'及びX''はF、Cl、Br及びIからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、AはEu、Tb、In、Ga、Cs、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMgからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属であり、a、b、eはそれぞれ0≦a<0.5、0≦b<0.5、0.0001<e≦1.0の範囲の数値を示す。]
特開2002−214397号公報(第2頁) 特開2003−028995号公報
M 1 X · aM 2 X ' 2 · bM 3 X''3: eA ··· (1)
[Wherein M 1 is at least one alkali metal selected from the group consisting of Li, Na, K, Rb and Cs, and M 2 is Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Cu and Ni. represents at least one trivalent metal selected from the group consisting of, M 3 is Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Is at least one trivalent metal selected from the group consisting of Lu, Al, Ga and In, and X, X ′ and X ″ are at least one halogen selected from the group consisting of F, Cl, Br and I. , A is from the group consisting of Eu, Tb, In, Ga, Cs, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Gd, Lu, Sm, Y, Tl, Na, Ag, Cu and Mg It is at least one metal selected, and a, b, and e represent numerical values in the range of 0 ≦ a <0.5, 0 ≦ b <0.5, and 0.0001 <e ≦ 1.0, respectively. ]
JP 2002-214397 A (second page) JP 2003-028995 A

しかし、放射線画像変換パネルを読み取り装置に固定した状態で前方からX線を照射して撮影を行う場合には、X線が放射線画像変換パネルを透過した後で、装置の放射線画像変換パネルよりも後方部分で散乱し再び放射線画像変換パネルへ入射して輝尽性蛍光体を感光させるため、コントラストが低下する問題があった。   However, when imaging is performed by irradiating X-rays from the front while the radiation image conversion panel is fixed to the reader, the X-rays pass through the radiation image conversion panel and then the radiation image conversion panel of the apparatus. There is a problem that the contrast is lowered because the photostimulable phosphor is exposed after being scattered at the rear portion and incident on the radiation image conversion panel again.

本発明の課題は、撮像に有害なX線の後方散乱を防ぎ、よりコントラストが優れた放射線画像変換パネルを提供することである。   An object of the present invention is to provide a radiographic image conversion panel that prevents backscattering of X-rays that are harmful to imaging and has a higher contrast.

以上の課題を解決するため、本発明の請求項1に記載の発明は、図1に示すように、基板11上に輝尽性蛍光体層12を有する放射線画像変換パネルにおいて、前記輝尽性蛍光体層12を下記一般式(1)で表す輝尽性蛍光体を含有させて形成するとともに、前記輝尽性蛍光体層12の前記基板11と反対側の面に下記一般式(2)で表すX線吸収体を含有させて形成するX線吸収体層13を備えることを特徴とする。   In order to solve the above-mentioned problems, the invention described in claim 1 of the present invention is the radiation image conversion panel having the stimulable phosphor layer 12 on the substrate 11 as shown in FIG. The phosphor layer 12 is formed by containing a stimulable phosphor represented by the following general formula (1), and the following general formula (2) is formed on the surface of the stimulable phosphor layer 12 opposite to the substrate 11. An X-ray absorber layer 13 formed by containing an X-ray absorber represented by the formula is provided.

M1X・aM2X'2・bM3X''3:eA ・・・(1) M 1 X · aM 2 X ' 2 · bM 3 X''3: eA ··· (1)

M1X・aM2X'2・bM3X''3 ・・・(2) M 1 X ・ aM 2 X ' 2・ bM 3 X'' 3・ ・ ・ (2)

ここで、M1はLi、Na、K、Rb及びCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、M2はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cu及びNiからなる群より選ばれる少なくとも一種の二価金属であり、M3はSc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga及びInからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、X、X'及びX''はF、Cl、Br及びIからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、AはEu、Tb、In、Ga、Cs、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMgからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属であり、a、b、eはそれぞれ0≦a<0.5、0≦b<0.5、0<e≦0.2の範囲の数値を示す。 Here, M 1 is at least one alkali metal selected from the group consisting of Li, Na, K, Rb and Cs, and M 2 is selected from Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Cu and Ni. At least one divalent metal selected from the group consisting of M 3 is Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu , At least one trivalent metal selected from the group consisting of Al, Ga and In, and X, X ′ and X ″ are at least one halogen selected from the group consisting of F, Cl, Br and I, A is selected from the group consisting of Eu, Tb, In, Ga, Cs, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Gd, Lu, Sm, Y, Tl, Na, Ag, Cu, and Mg. A, b, and e are numerical values in the range of 0 ≦ a <0.5, 0 ≦ b <0.5, and 0 <e ≦ 0.2, respectively.

請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の放射線画像変換パネルであって、前記一般式(1)及び前記一般式(2)におけるM1はK、Rb及びCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であることを特徴とする。 The invention according to claim 2 is the radiation image conversion panel according to claim 1, wherein M 1 in the general formula (1) and the general formula (2) is selected from the group consisting of K, Rb and Cs. And at least one alkali metal.

請求項3に記載の発明は、請求項1または2に記載の放射線画像変換パネルであって、前記一般式(1)及び前記一般式(2)におけるXはBr及びIからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであることを特徴とする。   Invention of Claim 3 is a radiation image conversion panel of Claim 1 or 2, Comprising: X in the said General formula (1) and the said General formula (2) is selected from the group which consists of Br and I It is at least one kind of halogen.

請求項4に記載の発明は、請求項1〜3のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネルであって、前記一般式(1)及び前記一般式(2)におけるM2はBe、Mg、Ca、Sr及びBaから選ばれる少なくとも一種の二価金属であることを特徴とする。 The invention described in claim 4 is the radiation image conversion panel according to any one of claims 1 to 3, M 2 in the formula (1) and the general formula (2) is Be, Mg And at least one divalent metal selected from Ca, Sr and Ba.

請求項5に記載の発明は、請求項1〜4のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネルであって、前記一般式(1)及び前記一般式(2)におけるM3はY、La、Ce、Sm、Eu、Gd、Lu、Al、Ga及びInからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属であることを特徴とする。 The invention described in claim 5 is the radiation image conversion panel according to any one of claims 1 to 4, M 3 in the general formula (1) and the general formula (2) is Y, La And at least one trivalent metal selected from the group consisting of Ce, Sm, Eu, Gd, Lu, Al, Ga and In.

請求項6に記載の発明は、請求項1〜5のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネルであって、前記一般式(1)及び前記一般式(2)におけるbは0≦b≦10-2の範囲の数値を示すことを特徴とする。 Invention of Claim 6 is a radiographic image conversion panel as described in any one of Claims 1-5, Comprising: b in the said General formula (1) and the said General formula (2) is 0 <= b <=. It is characterized by a numerical value in the range of 10 -2 .

請求項7に記載の発明は、請求項1〜6のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネルであって、前記一般式(1)及び前記一般式(2)におけるAはEu、Cs、Sm、Tl及びNaからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属であることを特徴とする。   Invention of Claim 7 is a radiographic image conversion panel as described in any one of Claims 1-6, Comprising: A in the said General formula (1) and the said General formula (2) is Eu, Cs, It is at least one metal selected from the group consisting of Sm, Tl and Na.

請求項8に記載の発明は、請求項1〜7のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネルであって、前記輝尽性蛍光体層12は、前記輝尽性蛍光体の柱状結晶を有することを特徴とする。   Invention of Claim 8 is a radiation image conversion panel as described in any one of Claims 1-7, Comprising: The said stimulable fluorescent substance layer 12 is the columnar crystal of the said stimulable fluorescent substance. It is characterized by having.

請求項9に記載の発明は、請求項8に記載の放射線画像変換パネルであって、前記柱状結晶は下記一般式(3)で表される輝尽性蛍光体を有することを特徴とする。
CsX:A ・・・(3)
The invention according to claim 9 is the radiation image conversion panel according to claim 8, wherein the columnar crystal has a stimulable phosphor represented by the following general formula (3).
CsX: A (3)

ここで、XはBrまたはIを表し、AはEu、In、GaまたはCeを表す。   Here, X represents Br or I, and A represents Eu, In, Ga, or Ce.

請求項10に記載の発明は、請求項1〜9のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネルであって、前記X線吸収体層13は厚さ0.005〜20μmであることを特徴とする。   Invention of Claim 10 is a radiation image conversion panel as described in any one of Claims 1-9, Comprising: The said X-ray absorber layer 13 is 0.005-20 micrometers in thickness, It is characterized by the above-mentioned. And

請求項11に記載の発明は、請求項1〜10のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネルであって、前記X線吸収体層13は厚さ0.02〜5μmであることを特徴とする。   Invention of Claim 11 is a radiographic image conversion panel as described in any one of Claims 1-10, Comprising: The said X-ray absorber layer 13 is 0.02-5 micrometers in thickness, It is characterized by the above-mentioned. And

本発明によれば、輝尽性蛍光体層の基板と反対側の面にX線吸収体層を設けることで、放射線画像変換パネルへ基板側から照射され輝尽性蛍光体層を透過したX線をX線吸収体層で吸収することができる。また、X線吸収体層を透過して後方の物体で散乱し再び放射線画像変換パネルへ入射するX線を、X線吸収体層で吸収することができる。したがって、撮像に有害なX線の後方散乱を防ぎ、よりコントラストが優れた放射線画像変換パネルを得ることができる。   According to the present invention, by providing an X-ray absorber layer on the surface of the photostimulable phosphor layer opposite to the substrate, X is irradiated from the substrate side to the radiation image conversion panel and transmitted through the photostimulable phosphor layer. Lines can be absorbed by the X-ray absorber layer. Further, X-rays that are transmitted through the X-ray absorber layer, scattered by an object behind, and incident on the radiation image conversion panel again can be absorbed by the X-ray absorber layer. Therefore, the backscattering of X-rays harmful to imaging can be prevented, and a radiographic image conversion panel with better contrast can be obtained.

以下に、本発明の実施の形態例について詳細に述べる。本発明の実施の形態例の放射線像変換パネルは、図1に示すように、基板11の一面に輝尽性蛍光体層12が気相堆積法で50μm以上、好ましくは300〜700μmの層厚に形成されている。また、輝尽性蛍光体層12に重ねて、X線吸収体層13が気相堆積法で0.005〜20μm以上、好ましくは0.02〜5μmの層厚に形成されている。輝尽性蛍光体層12及びX線吸収体層13は、気相堆積法により柱状結晶14として一体に形成されている。また、輝尽性蛍光体層12及びX線吸収体層13は空気に触れないように保護層や図示しない封止材により封止されている。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. In the radiation image conversion panel according to the embodiment of the present invention, as shown in FIG. 1, the stimulable phosphor layer 12 is deposited on one surface of the substrate 11 by a vapor deposition method to a thickness of 50 μm or more, preferably 300 to 700 μm. Is formed. Further, an X-ray absorber layer 13 is formed on the photostimulable phosphor layer 12 by a vapor deposition method so as to have a layer thickness of 0.005 to 20 μm or more, preferably 0.02 to 5 μm. The photostimulable phosphor layer 12 and the X-ray absorber layer 13 are integrally formed as columnar crystals 14 by a vapor deposition method. The photostimulable phosphor layer 12 and the X-ray absorber layer 13 are sealed with a protective layer or a sealing material (not shown) so as not to come into contact with air.

基板11としては、樹脂含浸炭素繊維(炭素繊維強化樹脂)を用いることができ、具体的には市販されている炭素繊維(東邦レーヨン(株)製#132、エポキシ樹脂含浸)が挙げられる。また従来の放射線画像変換パネルの基板11として公知の材料から耐熱性のあるものを任意に選ぶことができ、石英ガラスシート、アルミニウム、鉄、スズ、クロムなどからなる金属シート、およびアラミドなどからなる樹脂シートやこれらを貼り合わせたものなどを用いることができる。   As the substrate 11, resin-impregnated carbon fiber (carbon fiber reinforced resin) can be used, and specifically, commercially available carbon fiber (# 132 manufactured by Toho Rayon Co., Ltd., impregnated with epoxy resin) can be used. In addition, a heat-resistant material can be arbitrarily selected from known materials as the substrate 11 of the conventional radiation image conversion panel, and is made of a quartz glass sheet, a metal sheet made of aluminum, iron, tin, chrome, etc., and aramid. A resin sheet or a laminate of these can be used.

本発明に好ましく用いられる輝尽性蛍光体としては、一般式(1)で表されるものを使用することができる。   As the stimulable phosphor preferably used in the present invention, those represented by the general formula (1) can be used.

M1X・aM2X'2・bM3X''3:eA ・・・(1) M 1 X · aM 2 X ' 2 · bM 3 X''3: eA ··· (1)

ここで、M1はLi、Na、K、Rb及びCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、特にK、Rb及びCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であることが好ましい。 Here, M 1 is at least one alkali metal selected from the group consisting of Li, Na, K, Rb and Cs, and in particular, is at least one alkali metal selected from the group consisting of K, Rb and Cs. preferable.

M2はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cu及びNiからなる群より選ばれる少なくとも一種の二価金属であり、特に、Be、Mg、Ca、Sr及びBaから選ばれる少なくとも一種の二価金属であることが好ましい。 M 2 is at least one divalent metal selected from the group consisting of Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Cu and Ni, in particular, at least selected from Be, Mg, Ca, Sr and Ba A kind of divalent metal is preferable.

M3はSc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga及びInからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、特に、Y、La、Ce、Sm、Eu、Gd、Lu、Al、Ga及びInからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属であることが好ましい。 At least one M 3 represents that Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Al, selected from the group consisting of Ga and In In particular, at least one trivalent metal selected from the group consisting of Y, La, Ce, Sm, Eu, Gd, Lu, Al, Ga, and In is preferable.

X、X'及びX''はF、Cl、Br及びIからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、特にXはBr及びIからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであることが好ましい。   X, X ′ and X ″ are at least one halogen selected from the group consisting of F, Cl, Br and I, and in particular, X is preferably at least one halogen selected from the group consisting of Br and I. .

AはEu、Tb、In、Ga、Cs、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMgからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属であり、特にEu、Cs、Sm、Tl及びNaからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属であることが好ましい。   A is selected from the group consisting of Eu, Tb, In, Ga, Cs, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Gd, Lu, Sm, Y, Tl, Na, Ag, Cu, and Mg. At least one metal selected from the group consisting of Eu, Cs, Sm, Tl and Na.

a、b、eはそれぞれ0≦a<0.5、0≦b<0.5、0<e≦0.2の範囲の数値を示し、特にbは0≦b≦10-2 の範囲の数値を示すことが好ましい。 a, b, and e each represent a numerical value in the range of 0 ≦ a <0.5, 0 ≦ b <0.5, and 0 <e ≦ 0.2. Particularly, b preferably represents a numerical value in the range of 0 ≦ b ≦ 10 −2. .

また、上記柱状結晶14は下記一般式(3)で表される輝尽性蛍光体を有することが好ましい。   Further, the columnar crystal 14 preferably has a stimulable phosphor represented by the following general formula (3).

CsX:A ・・・(3)   CsX: A (3)

ここで、XはBrまたはIを表し、AはEu、In、GaまたはCeを表す。   Here, X represents Br or I, and A represents Eu, In, Ga, or Ce.

上記の輝尽性蛍光体は、例えば下記(a)〜(d)の蛍光体原料を用いて以下に述べる製造方法により製造される。   The photostimulable phosphor is manufactured by the following manufacturing method using, for example, the following phosphor materials (a) to (d).

(a)LiF、LiCl、LiBr、LiI、NaF、NaCl、NaBr、NaI、KF、KCl、KBr、KI、RbF、RbCl、RbBr、RbI、CsF、CsCl、CsBr及びCsIからなる群より選ばれる少なくとも1種もしくは2種以上の化合物。   (A) At least one selected from the group consisting of LiF, LiCl, LiBr, LiI, NaF, NaCl, NaBr, NaI, KF, KCl, KBr, KI, RbF, RbCl, RbBr, RbI, CsF, CsCl, CsBr and CsI Species or two or more compounds.

(b)
BeF2、BeCl2、BeBr2、BeI2、MgF2、MgCl2、MgBr2、MgI2、CaF2、CaCl2、CaBr2、CaI2、SrF2、SrCl2、SrBr2、SrI2、BaF2、BaCl2、BaBr2、BaI2、ZnF2、ZnCl2、ZnBr2、ZnI2、CdF2、CdCl2、CdBr2、CdI2、CuF2、CuCl2、CuBr2、CuI2、NiF2、NiCl2、NiBr2及びNiI2からなる群より選ばれる少なくとも1種もしくは2種以上の化合物。
(B)
BeF 2, BeCl 2, BeBr 2 , BeI 2, MgF 2, MgCl 2, MgBr 2, MgI 2, CaF 2, CaCl 2, CaBr 2, CaI 2, SrF 2, SrCl 2, SrBr 2, SrI 2, BaF 2 , BaCl 2, BaBr 2, BaI 2, ZnF 2, ZnCl 2, ZnBr 2, ZnI 2, CdF 2, CdCl 2, CdBr 2, CdI 2, CuF 2, CuCl 2, CuBr 2, CuI 2, NiF 2, NiCl 2 , at least one compound selected from the group consisting of NiBr 2 and NiI 2, or two or more compounds.

(c)ScF3、ScCl3、ScBr3、ScI3、YF3、YCl3、YBr3、YI3、LaF3、LaCl3、LaBr3、LaI3、CeF3、CeCl3、CeBr3、CeI3、PrF3、PrCl3、PrBr3、PrI3、NdF3、NdCl3、NdBr3、NdI3、PmF3、PmCl3、PmBr3、PmI3、SmF3、SmCl3、SmBr3、SmI3、EuF3、EuCl3、EuBr3、EuI3、GdF3、GdCl3、GdBr3、GdI3、TbF3、TbCl3、TbBr3、TbI3、DyF3、DyCl3、DyBr3、DyI3、HoF3、HoCl3、HoBr3、HoI3、ErF3、ErCl3、ErBr3、ErI3、TmF3、TmCl3、TmBr3、TmI3、YbF3、YbCl3、YbBr3、YbI3、LuF3、LuCl3、LuBr3、LuI3、AlF3、AlCl3、AlBr3、AlI3、GaF3、GaCl3、GaBr3、GaI3、InF3、InCl3、InBr3及びInI3からなる群より選ばれる少なくとも1種もしくは2種以上の化合物。 (C) ScF 3, ScCl 3 , ScBr 3, ScI 3, YF 3, YCl 3, YBr 3, YI 3, LaF 3, LaCl 3, LaBr 3, LaI 3, CeF 3, CeCl 3, CeBr 3, CeI 3 , PrF 3 , PrCl 3 , PrBr 3 , PrI 3 , NdF 3 , NdCl 3 , NdBr 3 , NdI 3 , PmF 3 , PmCl 3 , PmBr 3 , PmI 3 , SmF 3 , SmCl 3 , SmBr 3 , SmF 3 , SmI 3 3, EuCl 3, EuBr 3, EuI 3, GdF 3, GdCl 3, GdBr 3, GdI 3, TbF 3, TbCl 3, TbBr 3, TbI 3, DyF 3, DyCl 3, DyBr 3, DyI 3, HoF 3, HoCl 3, HoBr 3, HoI 3 , ErF 3, ErCl 3, ErBr 3, ErI 3, TmF 3, TmCl 3, TmBr 3, TmI 3, YbF 3, YbCl 3, YbBr 3, YbI 3, LuF 3, LuCl 3 , LuBr 3 , LuI 3 , AlF 3 , AlCl 3 , AlBr 3 , AlI 3 , GaF 3 , GaCl 3 , GaBr 3 , GaI 3 , InF 3 , InCl 3 , InBr 3, and InI 3. Species or two or more compounds.

(d)Eu、Tb、In、Ga、Cs、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMgからなる群より選ばれる少なくとも一種もしくは2種以上の金属。   (D) From the group consisting of Eu, Tb, In, Ga, Cs, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Gd, Lu, Sm, Y, Tl, Na, Ag, Cu and Mg At least one or two or more metals selected.

上記(a)〜(d)の蛍光体原料を一般式(1)のa、b、eの範囲を満たすように秤量し、純水にて混合する。この際、乳鉢、ボールミル、ミキサーミル等を用いて充分に混合してもよい。   The phosphor materials of the above (a) to (d) are weighed so as to satisfy the ranges of a, b and e in the general formula (1) and mixed with pure water. At this time, the mixture may be sufficiently mixed using a mortar, ball mill, mixer mill or the like.

次に、得られた混合液のpH値Cを0<C<7に調整するように所定の酸を加えた後、水分を蒸発気化させる。   Next, a predetermined acid is added so that the pH value C of the obtained mixed solution is adjusted to 0 <C <7, and then water is evaporated.

次に、得られた原料混合物を石英ルツボあるいはアルミナルツボ等の耐熱性容器に充填して電気炉内で焼成を行う。焼成温度は500〜1000℃が好ましい。焼成時間は原料混合物の充填量、焼成温度等によって異なるが、0.5〜6時間が好ましい。   Next, the obtained raw material mixture is filled in a heat-resistant container such as a quartz crucible or an alumina crucible and fired in an electric furnace. The firing temperature is preferably 500 to 1000 ° C. The firing time varies depending on the filling amount of the raw material mixture, the firing temperature and the like, but is preferably 0.5 to 6 hours.

焼成雰囲気としては少量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気、少量の一酸化炭素を含む炭酸ガス雰囲気等の弱還元性雰囲気、窒素ガス雰囲気、アルゴンガス雰囲気等の中性雰囲気あるいは少量の酸素ガスを含む弱酸化性雰囲気が好ましい。   The firing atmosphere includes a nitrogen gas atmosphere containing a small amount of hydrogen gas, a weak reducing atmosphere such as a carbon dioxide gas atmosphere containing a small amount of carbon monoxide, a neutral atmosphere such as a nitrogen gas atmosphere and an argon gas atmosphere, or a small amount of oxygen gas. A weak oxidizing atmosphere is preferred.

なお、前記の焼成条件で一度焼成した後、焼成物を電気炉から取り出して粉砕し、しかる後、焼成物粉末を再び耐熱性容器に充填して電気炉に入れ、前記と同じ焼成条件で再焼成を行なえば輝尽性蛍光体の発光輝度を更に高めることができ、また、焼成物を焼成温度より室温に冷却する際、焼成物を電気炉から取り出して空気中で放冷することによっても所望の輝尽性蛍光体を得ることができるが、焼成時と同じ、弱還元性雰囲気、中性雰囲気あるいは弱酸化性雰囲気のままで冷却してもよい。   After firing once under the aforementioned firing conditions, the fired product is taken out from the electric furnace and pulverized, and then the fired product powder is again filled in a heat-resistant container and placed in the electric furnace, and again under the same firing conditions as described above. If the firing is performed, the luminous brightness of the photostimulable phosphor can be further increased, and when the fired product is cooled to the room temperature from the firing temperature, the fired product is taken out of the electric furnace and allowed to cool in the air. Although a desired photostimulable phosphor can be obtained, it may be cooled in the same weakly reducing atmosphere, neutral atmosphere or weakly oxidizing atmosphere as at the time of firing.

また、焼成物を電気炉内で加熱部より冷却部へ移動させて、弱還元性雰囲気、中性雰囲気あるいは弱酸化性雰囲気で急冷することにより、得られた輝尽性蛍光体の輝尽による発光輝度をより一層高めることができる。   In addition, by moving the fired product from the heating part to the cooling part in an electric furnace and quenching in a weakly reducing atmosphere, neutral atmosphere or weakly oxidizing atmosphere, the resulting stimulable phosphor is excited. The light emission luminance can be further increased.

輝尽性蛍光体層12は、上記の輝尽性蛍光体を蒸発源として基板11の一方の面へ気相堆積させることにより形成される。気相堆積法としては、蒸着法、スパッタリング法、CVD法、イオンプレーティング法、その他を用いることができる。   The photostimulable phosphor layer 12 is formed by vapor deposition on the one surface of the substrate 11 using the photostimulable phosphor as an evaporation source. As the vapor deposition method, an evaporation method, a sputtering method, a CVD method, an ion plating method, or the like can be used.

蒸着法では、まず、基板11を蒸着装置内に設置した後、装置内を排気して1.333×10-2Pa程度の真空度とする。次いで、輝尽性蛍光体を蒸発源として蒸着装置内の蒸発装置に設置し、抵抗加熱法、エレクトロンビーム法等の方法で加熱蒸発させて、基板11表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに成長させる。 In the vapor deposition method, first, after the substrate 11 is installed in a vapor deposition apparatus, the inside of the apparatus is evacuated to a degree of vacuum of about 1.333 × 10 −2 Pa. Next, the stimulable phosphor is set as an evaporation source in an evaporation apparatus in the vapor deposition apparatus, and is heated and evaporated by a method such as a resistance heating method or an electron beam method, so that the stimulable phosphor is formed on the surface of the substrate 11 with a desired thickness. Let it grow.

この結果、結着材を含有しない輝尽性蛍光体層12が形成される。上記の蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層12を形成することも可能である。   As a result, the photostimulable phosphor layer 12 containing no binder is formed. In the above vapor deposition step, the photostimulable phosphor layer 12 can be formed in a plurality of times.

また、上記の蒸着工程では複数の抵抗加熱機あるいはエレクトロンビームを用いて複数の輝尽性蛍光体原料を蒸発源として共蒸着し、基板11上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層12を形成することも可能である。   In the vapor deposition step, a plurality of photostimulable phosphor materials are co-deposited using a plurality of resistance heaters or electron beams as an evaporation source, and at the same time, the target photostimulable phosphor is synthesized on the substrate 11. It is also possible to form the photostimulable phosphor layer 12.

輝尽性蛍光体層12の膜厚は、放射線画像変換パネルの使用目的によって、また輝尽性蛍光体の種類により異なるが、50μm以上、好ましくは300〜700μmである。   The film thickness of the photostimulable phosphor layer 12 is 50 μm or more, preferably 300 to 700 μm, although it varies depending on the intended use of the radiation image conversion panel and the type of stimulable phosphor.

上記の気相堆積法による輝尽性蛍光体層12の作成にあたり、輝尽性蛍光体層12が形成される基板11の温度は、50℃〜400℃に設定することが好ましく、蛍光体の特性上は100℃〜250℃が好ましく、基板11に樹脂を用いる場合には樹脂の耐熱性を考慮して50℃〜150℃、さらに好ましくは50℃〜100℃がよい。   In preparation of the photostimulable phosphor layer 12 by the above vapor deposition method, the temperature of the substrate 11 on which the photostimulable phosphor layer 12 is formed is preferably set to 50 ° C. to 400 ° C. From the viewpoint of characteristics, 100 ° C. to 250 ° C. is preferable. When a resin is used for the substrate 11, 50 ° C. to 150 ° C., more preferably 50 ° C. to 100 ° C. is preferable in consideration of heat resistance of the resin.

図2は、基板11上に輝尽性蛍光体層12が蒸着により形成される様子を示す図である。基板ホルダ15に固定された基板11面の法線方向(R)に対する輝尽性蛍光体の蒸気流16の入射角度をθ2(図では60°)とし、形成される柱状結晶14の基板11面の法線方向(R)に対する角度をθ1(図では30°)とすると、経験的にはθ1はθ2の約半分となり、この角度で柱状結晶14が形成される。 FIG. 2 is a diagram illustrating a state in which the photostimulable phosphor layer 12 is formed on the substrate 11 by vapor deposition. The incident angle of the stimulable phosphor vapor flow 16 with respect to the normal direction (R) of the surface of the substrate 11 fixed to the substrate holder 15 is θ 2 (60 ° in the figure), and the substrate 11 of the columnar crystals 14 to be formed is formed. Assuming that the angle with respect to the normal direction (R) of the surface is θ 1 (30 ° in the figure), θ 1 is empirically about half of θ 2 , and the columnar crystal 14 is formed at this angle.

輝尽性蛍光体の柱状結晶の成長角は10〜70°がよく、好ましくは20°〜55°である。成長角を10〜70°にするには、入射角を20〜80°にすればよく20〜55°にするには入射角を40〜70°にすればよい。成長角が大きいと基板11に対して柱状結晶が倒れすぎ、膜が脆くなる。   The growth angle of the columnar crystal of the stimulable phosphor is preferably 10 to 70 °, and preferably 20 to 55 °. To make the growth angle 10-70 °, the incident angle should be 20-80 °, and to make it 20-55 °, the incident angle should be 40-70 °. When the growth angle is large, the columnar crystal falls too much with respect to the substrate 11 and the film becomes brittle.

輝尽性蛍光体または輝尽性蛍光体原料の蒸気流を基板11面に対しある入射角をつけて供給するには、基板11を蒸発源に対し互いに傾斜させる配置を取る方法がある。あるいは、基板11と蒸発源とを互いに平行に設置し、蒸発面からスリット等により斜め成分のみ基板11上に蒸着させるように規制する等の方法をとることができる。   In order to supply the vapor flow of the stimulable phosphor or the stimulable phosphor material at an incident angle with respect to the surface of the substrate 11, there is a method in which the substrate 11 is arranged to be inclined with respect to the evaporation source. Alternatively, a method may be employed in which the substrate 11 and the evaporation source are installed in parallel to each other and only an oblique component is deposited on the substrate 11 through a slit or the like from the evaporation surface.

これらの場合において、基板11と蒸発源との最短部の間隔は輝尽性蛍光体の平均飛程に合わせて概ね10cm〜60cmに設置するのが好ましい。   In these cases, it is preferable that the distance between the shortest portion of the substrate 11 and the evaporation source is approximately 10 cm to 60 cm in accordance with the average range of the stimulable phosphor.

柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層12において変調伝達関数(MTF)をよくするためには、柱状結晶の大きさは1μm〜50μm程度がよく、更に好ましくは、1μm〜30μmである。即ち、柱状結晶が1μmより細い場合は、柱状結晶により輝尽励起光が散乱される為にMTFが低下するし、柱状結晶が50μm以上の場合も輝尽励起光の指向性が低下し、MTFは低下する。   In order to improve the modulation transfer function (MTF) in the stimulable phosphor layer 12 made of columnar crystals, the size of the columnar crystals is preferably about 1 μm to 50 μm, and more preferably 1 μm to 30 μm. That is, when the columnar crystal is thinner than 1 μm, the excitation excitation light is scattered by the columnar crystal, so that the MTF decreases. When the columnar crystal is 50 μm or more, the directivity of the excitation excitation light decreases, and the MTF Will decline.

なお、柱状結晶の大きさは、柱状結晶を基板11と平行な面から観察したときの各柱状結晶の断面積の円換算した直径の平均値であり、少なくとも100個以上の柱状結晶を視野中に含む顕微鏡写真から計算する。   The size of the columnar crystal is an average value of the diameters in terms of a circle of the cross-sectional area of each columnar crystal when the columnar crystal is observed from a plane parallel to the substrate 11, and at least 100 columnar crystals are being viewed. Calculate from the photomicrographs included.

また、各柱状結晶間の間隙の大きさは30μm以下がよく、更に好ましくは5μm以下がよい。間隙が30μmを越える場合は蛍光体層中の蛍光体の充填率が低くなり、感度が低下してしまう。   Further, the size of the gap between the columnar crystals is preferably 30 μm or less, and more preferably 5 μm or less. When the gap exceeds 30 μm, the filling rate of the phosphor in the phosphor layer is lowered and the sensitivity is lowered.

柱状結晶の太さは温度、真空度、蒸気流入射角度等によって影響を受け、これらを制御することによって所望の太さの柱状結晶を作製することが可能である。   The thickness of the columnar crystal is influenced by the temperature, the degree of vacuum, the vapor flow incident angle, and the like, and it is possible to produce a columnar crystal having a desired thickness by controlling these.

また、柱状結晶14の間に形成された間隙に結着剤等の充填物を充填してもよく、輝尽性蛍光体層12の補強となるほか、高光吸収の物質、高光反射の物質を充填してもよい。充填物により補強効果をもたせるほか、輝尽性蛍光体層12に入射した輝尽励起光の横方向への光拡散の低減に有効である。   In addition, the gap formed between the columnar crystals 14 may be filled with a filler such as a binder, and in addition to reinforcing the stimulable phosphor layer 12, a highly light-absorbing substance and a highly light-reflecting substance may be used. It may be filled. In addition to providing a reinforcing effect by the filler, it is effective for reducing the light diffusion in the lateral direction of the stimulated excitation light incident on the stimulable phosphor layer 12.

スパッタリング法では、蒸着法と同様、基板11をスパッタリング装置内に設置した後、装置内を一旦排気して1.333×10-4Pa程度の真空度とし、次いでスパッタリング用のガスとしてAr、Ne等の不活性ガスをスパッタリング装置内に導入して1.333×10-1Pa程度のガス圧とする。次に、輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタリングすることにより、基板11上に輝尽性蛍光体層12を所望の厚さに成長させる。 In the sputtering method, as in the vapor deposition method, after the substrate 11 is placed in the sputtering apparatus, the inside of the apparatus is once evacuated to a vacuum of about 1.333 × 10 −4 Pa, and then Ar, Ne as sputtering gases. An inert gas such as is introduced into the sputtering apparatus to obtain a gas pressure of about 1.333 × 10 −1 Pa. Next, the photostimulable phosphor layer 12 is grown on the substrate 11 to a desired thickness by sputtering using the photostimulable phosphor as a target.

スパッタリング工程では蒸着法と同様に各種応用処理を用いることができる。CVD法やイオンプレーティング法、その他においても同様である。   Various applied treatments can be used in the sputtering process as in the vapor deposition method. The same applies to the CVD method, the ion plating method, and others.

なお、気相堆積法における輝尽性蛍光体層12の成長速度は、0.05μm/min〜300μm/minであることが好ましい。成長速度が0.05μm/min未満の場合には放射線画像変換パネルの生産性が悪く好ましくない。また成長速度が300μm/minを超える場合には成長速度のコントロールが難しく好ましくない。   The growth rate of the photostimulable phosphor layer 12 in the vapor deposition method is preferably 0.05 μm / min to 300 μm / min. When the growth rate is less than 0.05 μm / min, the productivity of the radiation image conversion panel is poor and is not preferable. Further, when the growth rate exceeds 300 μm / min, it is difficult to control the growth rate, which is not preferable.

以上のようにして形成した輝尽性蛍光体層12に対して、X線吸収体層13を形成する。なおX線吸収体層13は輝尽性蛍光体の励起波長(640〜700nm)及び輝尽発光波長(400〜500nm)の光の透過率が高いことが好ましい。X線吸収体層13に好ましく用いられるX線吸収体としては、一般式(2)で表されるものを使用することができる。   An X-ray absorber layer 13 is formed on the photostimulable phosphor layer 12 formed as described above. In addition, it is preferable that the X-ray absorber layer 13 has a high transmittance of light having an excitation wavelength (640 to 700 nm) and a stimulated emission wavelength (400 to 500 nm) of the stimulable phosphor. As the X-ray absorber preferably used for the X-ray absorber layer 13, those represented by the general formula (2) can be used.

M1X・aM2X'2・bM3X''3 ・・・(2) M 1 X ・ aM 2 X ' 2・ bM 3 X'' 3・ ・ ・ (2)

ここで、M1はLi、Na、K、Rb及びCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、特にK、Rb及びCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であることが好ましい。 Here, M 1 is at least one alkali metal selected from the group consisting of Li, Na, K, Rb and Cs, and in particular, is at least one alkali metal selected from the group consisting of K, Rb and Cs. preferable.

M2はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cu及びNiからなる群より選ばれる少なくとも一種の二価金属であり、特に、Be、Mg、Ca、Sr及びBaから選ばれる少なくとも一種の二価金属であることが好ましい。 M 2 is at least one divalent metal selected from the group consisting of Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Cu and Ni, in particular, at least selected from Be, Mg, Ca, Sr and Ba A kind of divalent metal is preferable.

M3はSc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga及びInからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、特に、Y、La、Ce、Sm、Eu、Gd、Lu、Al、Ga及びInからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属であることが好ましい。 At least one M 3 represents that Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Al, selected from the group consisting of Ga and In In particular, at least one trivalent metal selected from the group consisting of Y, La, Ce, Sm, Eu, Gd, Lu, Al, Ga, and In is preferable.

X、X'及びX''はF、Cl、Br及びIからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、特にXはBr及びIからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであることが好ましい。   X, X ′ and X ″ are at least one halogen selected from the group consisting of F, Cl, Br and I, and in particular, X is preferably at least one halogen selected from the group consisting of Br and I. .

a、bはそれぞれ0≦a<0.5、0≦b<0.5の範囲の数値を示し、特にbは0≦b≦10-2 の範囲の数値を示すことが好ましい。 a and b each represent a numerical value in the range of 0 ≦ a <0.5 and 0 ≦ b <0.5, and in particular, b preferably represents a numerical value in the range of 0 ≦ b ≦ 10 −2 .

上記のX線吸収体は、上記(d)の蛍光体原料を使用しないことを除き、輝尽性蛍光体と同様にして製造することができる。また、X線吸収体層13は、製造されたX線吸収体を用いて、輝尽性蛍光体層12と同様に気相堆積法を用いて形成することができる。   The X-ray absorber can be produced in the same manner as the photostimulable phosphor except that the phosphor material (d) is not used. Further, the X-ray absorber layer 13 can be formed using the manufactured X-ray absorber by using a vapor deposition method in the same manner as the stimulable phosphor layer 12.

X線吸収体層13の膜厚は、0.005〜20μmであることが好ましく、0.02〜5μmであることがより好ましい。   The film thickness of the X-ray absorber layer 13 is preferably 0.005 to 20 μm, and more preferably 0.02 to 5 μm.

X線吸収体層13を形成した後、必要に応じてX線吸収体層13の基板11とは反対側の面に保護層が設けられる。保護層は、保護層用の塗布液をX線吸収体層13の表面に直接塗布して形成もよいし、またあらかじめ別途形成した保護層をX線吸収体層13に接着してもよい。これらの保護層の層厚は、0.1〜2000μmが好ましい。   After the X-ray absorber layer 13 is formed, a protective layer is provided on the surface of the X-ray absorber layer 13 opposite to the substrate 11 as necessary. The protective layer may be formed by directly applying a coating solution for the protective layer to the surface of the X-ray absorber layer 13, or a protective layer separately formed in advance may be adhered to the X-ray absorber layer 13. The thickness of these protective layers is preferably 0.1 to 2000 μm.

保護層の材料としては、防湿性樹脂フィルムを好適に用いることができる。防湿性樹脂フィルムとしては、酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化−塩化エチレン、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体などを用いることができる。樹脂フィルムは加工が容易で厚みを100μm以下と薄くしても製造工程中の強度には問題がなく、薄層であるため初期画質の点で好ましい。   As a material for the protective layer, a moisture-proof resin film can be suitably used. As moisture-proof resin film, cellulose acetate, nitrocellulose, polymethyl methacrylate, polyvinyl butyral, polyvinyl formal, polycarbonate, polyester, polyethylene terephthalate, polyethylene, polyvinylidene chloride, nylon, polytetrafluoroethylene, polytrifluoride-chloride Ethylene, tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer, vinylidene chloride-vinyl chloride copolymer, vinylidene chloride-acrylonitrile copolymer, and the like can be used. The resin film is easy to process, and even if the thickness is reduced to 100 μm or less, there is no problem in strength during the manufacturing process, and since it is a thin layer, it is preferable in terms of initial image quality.

また、これらの防湿性樹脂フィルムは、透湿度及び酸素透過性が低い無機物質の層を積層して有していてもよい。このような無機物質としては、SiOx(SiO、SiO2)、Al2O3、ZrO2、SnO2,SiC、SiN等があるが、このうち特にAl2O3やSiOxは光透過率が高くかつ透湿度及び酸素透過性が高い、すなわちクラックやマイクロポアが少なく緻密な膜を形成することができるので特に好ましい。SiOx、Al2O3は単独で積層しても良いが、両方を共に積層すると透湿度及び酸素透過性をより高くすることができるので、SiOx、Al2O3の両方を積層することがより好ましい。 Moreover, these moisture-proof resin films may have laminated | stacked the layer of the inorganic substance with low moisture permeability and oxygen permeability. Examples of such inorganic substances include SiO x (SiO, SiO 2 ), Al 2 O 3 , ZrO 2 , SnO 2 , SiC, and SiN. Of these, Al 2 O 3 and SiO x are particularly light transmissive. It is particularly preferable because it has a high moisture permeability and oxygen permeability, that is, it can form a dense film with few cracks and micropores. SiO x and Al 2 O 3 may be laminated alone, but if both are laminated together, moisture permeability and oxygen permeability can be increased, so both SiO x and Al 2 O 3 should be laminated. Is more preferable.

無機物質の樹脂フィルムへの積層は、PVD法、スパッタリング法、CVD法、PE-CVD(Plasma enhanced CVD)等の方法が使用できる。積層は、蛍光体層を樹脂フィルムで被覆したのちに行ってもよいし、蛍光体層を被覆する前に行ってもよい。積層厚は0.01μmから1μm程度であることが好ましい。あるいは、あらかじめ蒸着層が形成された市販の防湿性樹脂フィルムを用いてもよい。このような防湿性樹脂フィルムとしては、例えば、凸版印刷(株)GL−AEなどがある。   Lamination of the inorganic substance to the resin film can be performed by methods such as PVD method, sputtering method, CVD method, PE-CVD (Plasma enhanced CVD). Lamination may be performed after the phosphor layer is coated with the resin film, or may be performed before the phosphor layer is coated. The laminated thickness is preferably about 0.01 μm to 1 μm. Or you may use the commercially available moisture-proof resin film in which the vapor deposition layer was formed previously. Examples of such a moisture-proof resin film include Toppan Printing Co., Ltd. GL-AE.

膜厚1mmの炭素繊維(東邦レーヨン(株)製#132)を搬送速度1.0m/minで搬送しながら、搬送ヒートロールに4.9×10N/cmの圧力をかけ、基板を得た。この基板の片面に輝尽性蛍光体(CsBr:Eu)及びX線吸収体原料(CsBr)を蒸着させて輝尽性蛍光体層12及びX線吸収体層を形成し放射線画像変換パネルを得た。   While a carbon fiber having a thickness of 1 mm (# 132 manufactured by Toho Rayon Co., Ltd.) was conveyed at a conveyance speed of 1.0 m / min, a pressure of 4.9 × 10 N / cm was applied to the conveyance heat roll to obtain a substrate. A stimulable phosphor layer (CsBr: Eu) and an X-ray absorber material (CsBr) are vapor-deposited on one side of the substrate to form a stimulable phosphor layer 12 and an X-ray absorber layer, thereby obtaining a radiation image conversion panel. It was.

なお、蒸着は、アルミニウム製のスリットを用い、基板とスリットとの距離を60cmとして、基板と平行な方向に基板を搬送しながら行い、輝尽性蛍光体層の厚みが400μmになるように調整した。また、蒸着にあたっては、前記基板11を蒸着器内に設置し、次いで、蛍光体原料(CsBr:Eu)及びX線吸収体原料(CsBr)を蒸着源として、プレス成形し水冷したルツボに入れた。   Vapor deposition is performed using an aluminum slit, the distance between the substrate and the slit being 60 cm, and transporting the substrate in a direction parallel to the substrate, and adjusting the thickness of the stimulable phosphor layer to 400 μm. did. In the vapor deposition, the substrate 11 was placed in a vapor deposition device, and then, the phosphor raw material (CsBr: Eu) and the X-ray absorber raw material (CsBr) were used as a vapor deposition source and placed in a crucible that was press-molded and water-cooled. .

その後、蒸着器内を一旦排気し、N2ガスを導入し、1.33×10-2Paに真空度を調整した後、基板の温度を50℃〜100℃に保持しながら、輝尽性蛍光体層を蒸着した。輝尽性蛍光体層の膜厚が400μmとなったところで蒸着源をX線吸収体に代え、X線吸収体層を膜厚が50μmになるまで蒸着した。 Thereafter, the inside of the vapor deposition device was once evacuated, N 2 gas was introduced, the degree of vacuum was adjusted to 1.33 × 10 −2 Pa, and the photostability was maintained while maintaining the substrate temperature at 50 ° C. to 100 ° C. A phosphor layer was deposited. When the thickness of the photostimulable phosphor layer reached 400 μm, the evaporation source was changed to an X-ray absorber, and the X-ray absorber layer was evaporated until the film thickness reached 50 μm.

実施例1と同様にして輝尽性蛍光体層を膜厚が400μmとなるまで、X線吸収体層を膜厚が20μmとなるまで蒸着した。   In the same manner as in Example 1, the stimulable phosphor layer was vapor-deposited until the film thickness became 400 μm, and the X-ray absorber layer was deposited until the film thickness became 20 μm.

実施例1〜2と同様にして輝尽性蛍光体層を膜厚が400μmとなるまで、X線吸収体層を膜厚が5μmとなるまで蒸着した。   In the same manner as in Examples 1 and 2, the stimulable phosphor layer was vapor-deposited until the film thickness became 400 μm, and the X-ray absorber layer was deposited until the film thickness became 5 μm.

実施例1〜3と同様にして輝尽性蛍光体層を膜厚が400μmとなるまで、X線吸収体層を膜厚が1μmとなるまで蒸着した。   In the same manner as in Examples 1 to 3, the stimulable phosphor layer was vapor-deposited until the film thickness became 400 μm, and the X-ray absorber layer was deposited until the film thickness became 1 μm.

実施例1〜4と同様にして輝尽性蛍光体層を膜厚が400μmとなるまで、X線吸収体層を膜厚が0.1μmとなるまで蒸着した。   In the same manner as in Examples 1 to 4, the stimulable phosphor layer was vapor-deposited until the film thickness became 400 μm, and the X-ray absorber layer was deposited until the film thickness became 0.1 μm.

実施例1〜5と同様にして輝尽性蛍光体層を膜厚が400μmとなるまで、X線吸収体層を膜厚が0.02μmとなるまで蒸着した。   In the same manner as in Examples 1 to 5, the photostimulable phosphor layer was vapor-deposited until the film thickness became 400 μm, and the X-ray absorber layer was deposited until the film thickness became 0.02 μm.

実施例1〜6と同様にして輝尽性蛍光体層を膜厚が400μmとなるまで、X線吸収体層を膜厚が0.005μmとなるまで蒸着した。   In the same manner as in Examples 1 to 6, the stimulable phosphor layer was vapor-deposited until the film thickness became 400 μm, and the X-ray absorber layer was deposited until the film thickness became 0.005 μm.

[比較例1]
実施例1〜7と同様にして輝尽性蛍光体層を膜厚が400μmとなるまで蒸着した。X線吸収体層は蒸着しなかった。
[Comparative Example 1]
The photostimulable phosphor layer was deposited in the same manner as in Examples 1 to 7 until the film thickness was 400 μm. The X-ray absorber layer was not deposited.

<コントラスト評価> 放射線画像変換パネルに直径40mmの鉛ディスクを貼り付け、管電圧80kVpのX線を10mAs照射した。次に、放射線画像変換パネルを100mWの半導体レーザー(680nm)で走査して励起し、蛍光体層から放射される輝尽発光を光電子増倍管(浜松ホトニクス製、R1305)で受光して電気信号に変換し、A/D変換して磁気テープにより記録し、画像データを得た。記録した画像データからディスク中心と周辺の信号値差(コントラスト)をコンピューターで分析し、コントラスト比を求めた。コントラスト比の値が低いほど良好であることを示す。   <Contrast Evaluation> A lead disk having a diameter of 40 mm was attached to the radiation image conversion panel, and X-rays having a tube voltage of 80 kVp were irradiated with 10 mAs. Next, the radiation image conversion panel is excited by scanning with a 100 mW semiconductor laser (680 nm), and the stimulated emission emitted from the phosphor layer is received by a photomultiplier tube (R1305, manufactured by Hamamatsu Photonics) and an electrical signal is received. And A / D converted and recorded on a magnetic tape to obtain image data. From the recorded image data, the signal value difference (contrast) between the center and the periphery of the disc was analyzed by a computer to obtain the contrast ratio. It shows that it is so favorable that the value of contrast ratio is low.

<鮮鋭性評価> 1.0lp/mmのMTF測定用矩形波チャートを通して放射線画像変換パネルに管電圧80kVpのX線を10mAs照射した。次に、放射線画像変換パネルを100mWの半導体レーザー(680nm)で走査して励起し、蛍光体層から放射される輝尽発光を光電子増倍管(浜松ホトニクス製、R1305)で受光して電気信号に変換し画像データを得た。得られた画像データをコンピューターで分析してX線像の変調伝達関数(MTF)値(%)を求めた。MTF値は高いほど良好であることを示す。   <Evaluation of sharpness> The radiation image conversion panel was irradiated with X-rays having a tube voltage of 80 kVp by 10 mAs through a rectangular wave chart for MTF measurement of 1.0 lp / mm. Next, the radiation image conversion panel is excited by scanning with a 100 mW semiconductor laser (680 nm), and the stimulated emission emitted from the phosphor layer is received by a photomultiplier tube (R1305, manufactured by Hamamatsu Photonics) and an electrical signal is received. To obtain image data. The obtained image data was analyzed with a computer to determine the modulation transfer function (MTF) value (%) of the X-ray image. The higher the MTF value, the better.

表1にコントラスト比、鮮鋭性を測定した結果を示す。

Figure 2005091188
Table 1 shows the results of measuring the contrast ratio and sharpness.
Figure 2005091188

実施例1では、コントラスト比が0.0085、鮮鋭性が50%となった。実施例2でには、コントラスト比が0.009、鮮鋭性が60%となった。実施例3では、コントラスト比が0.01、鮮鋭性が65%となった。実施例4では、コントラスト比が0.015、鮮鋭性が70%となった。実施例5では、コントラスト比が0.02、鮮鋭性が73%となった。実施例6では、コントラスト比が0.025、鮮鋭性が75%となった。実施例7では、コントラスト比が0.0085、鮮鋭性が50%となった。比較例1では、コントラスト比が0.03、鮮鋭性が75.5%となった。   In Example 1, the contrast ratio was 0.0085, and the sharpness was 50%. In Example 2, the contrast ratio was 0.009 and the sharpness was 60%. In Example 3, the contrast ratio was 0.01 and the sharpness was 65%. In Example 4, the contrast ratio was 0.015, and the sharpness was 70%. In Example 5, the contrast ratio was 0.02, and the sharpness was 73%. In Example 6, the contrast ratio was 0.025, and the sharpness was 75%. In Example 7, the contrast ratio was 0.0085, and the sharpness was 50%. In Comparative Example 1, the contrast ratio was 0.03, and the sharpness was 75.5%.

X線吸収体層の層厚が増大するに連れて、コントラストが良好になった。X線吸収体層により後方散乱を防ぐことができるためと考えられる。一方で、X線吸収体層の層厚が増大するに連れて、鮮鋭性は低下した。以上の結果より、X線吸収体層13の層厚は、厚すぎないほうがよく、0.005〜20μmであることが好ましく、0.02〜5μmであることがより好ましい。   As the layer thickness of the X-ray absorber layer increased, the contrast became better. It is considered that backscattering can be prevented by the X-ray absorber layer. On the other hand, the sharpness decreased as the thickness of the X-ray absorber layer increased. From the above results, the thickness of the X-ray absorber layer 13 should not be too thick, preferably 0.005 to 20 μm, and more preferably 0.02 to 5 μm.

本発明の実施の形態例の放射線画像変換パネルを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the radiographic image conversion panel of the embodiment of this invention. 支持体に輝尽性蛍光体層が蒸着により形成される様子を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a mode that a photostimulable fluorescent substance layer is formed in a support body by vapor deposition.

符号の説明Explanation of symbols

11 基板
12 輝尽性蛍光体層
13 X線吸収体層
11 Substrate 12 Stimulable phosphor layer 13 X-ray absorber layer

Claims (11)

基板上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、前記輝尽性蛍光体層を下記一般式(1)で表す輝尽性蛍光体を含有させて形成するとともに、前記輝尽性蛍光体層の前記基板と反対側の面に下記一般式(2)で表すX線吸収体を含有させて形成したX線吸収体層を備えることを特徴とする放射線画像変換パネル。
M1X・aM2X'2・bM3X''3:eA ・・・(1)
M1X・aM2X'2・bM3X''3 ・・・(2)
ここで、M1はLi、Na、K、Rb及びCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、M2はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cu及びNiからなる群より選ばれる少なくとも一種の二価金属であり、M3はSc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga及びInからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、X、X'及びX''はF、Cl、Br及びIからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、AはEu、Tb、In、Ga、Cs、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMgからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属であり、a、b、eはそれぞれ0≦a<0.5、0≦b<0.5、0<e≦0.2の範囲の数値を示す。
In a radiation image conversion panel having a photostimulable phosphor layer on a substrate, the photostimulable phosphor layer is formed by containing a photostimulable phosphor represented by the following general formula (1), and the photostimulability A radiation image conversion panel comprising an X-ray absorber layer formed by containing an X-ray absorber represented by the following general formula (2) on the surface of the phosphor layer opposite to the substrate.
M 1 X · aM 2 X ' 2 · bM 3 X''3: eA ··· (1)
M 1 X ・ aM 2 X ' 2・ bM 3 X'' 3・ ・ ・ (2)
Here, M 1 is at least one alkali metal selected from the group consisting of Li, Na, K, Rb and Cs, and M 2 is selected from Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Cu and Ni. At least one divalent metal selected from the group consisting of M 3 is Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu , At least one trivalent metal selected from the group consisting of Al, Ga and In, and X, X ′ and X ″ are at least one halogen selected from the group consisting of F, Cl, Br and I, A is selected from the group consisting of Eu, Tb, In, Ga, Cs, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Gd, Lu, Sm, Y, Tl, Na, Ag, Cu, and Mg. A, b, and e are numerical values in the range of 0 ≦ a <0.5, 0 ≦ b <0.5, and 0 <e ≦ 0.2, respectively.
前記一般式(1)及び前記一般式(2)におけるM1はK、Rb及びCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であることを特徴とする請求項1に記載の放射線画像変換パネル。 The radiation image conversion panel according to claim 1, wherein M 1 in the general formula (1) and the general formula (2) is at least one alkali metal selected from the group consisting of K, Rb, and Cs. . 前記一般式(1)及び前記一般式(2)におけるXはBr及びIからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであることを特徴とする請求項1または2に記載の放射線画像変換パネル。   3. The radiation image conversion panel according to claim 1, wherein X in the general formula (1) and the general formula (2) is at least one halogen selected from the group consisting of Br and I. 4. 前記一般式(1)及び前記一般式(2)におけるM2はBe、Mg、Ca、Sr及びBaから選ばれる少なくとも一種の二価金属であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネル。 The M 2 in the general formula (1) and the general formula (2) is at least one divalent metal selected from Be, Mg, Ca, Sr, and Ba. The radiation image conversion panel according to one item. 前記一般式(1)及び前記一般式(2)におけるM3はY、La、Ce、Sm、Eu、Gd、Lu、Al、Ga及びInからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネル。 M 3 in the general formula (1) and the general formula (2) is at least one trivalent metal selected from the group consisting of Y, La, Ce, Sm, Eu, Gd, Lu, Al, Ga, and In. The radiation image conversion panel according to any one of claims 1 to 4, wherein 前記一般式(1)及び前記一般式(2)におけるbは0≦b≦10-2の範囲の数値を示すことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネル。 The radiographic image conversion according to claim 1, wherein b in the general formula (1) and the general formula (2) represents a numerical value in a range of 0 ≦ b ≦ 10 −2. panel. 前記一般式(1)及び前記一般式(2)におけるAはEu、Cs、Sm、Tl及びNaからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネル。   The A in the general formula (1) and the general formula (2) is at least one metal selected from the group consisting of Eu, Cs, Sm, Tl, and Na. The radiation image conversion panel according to one item. 前記輝尽性蛍光体層は、前記輝尽性蛍光体の柱状結晶を有することを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネル。   The radiation image conversion panel according to claim 1, wherein the photostimulable phosphor layer has a columnar crystal of the photostimulable phosphor. 前記柱状結晶は下記一般式(3)で表される輝尽性蛍光体を有することを特徴とする請求項8に記載の放射線画像変換パネル。
CsX:A ・・・(3)
ここで、XはBrまたはIを表し、AはEu、In、GaまたはCeを表す。
The radiation image conversion panel according to claim 8, wherein the columnar crystal has a stimulable phosphor represented by the following general formula (3).
CsX: A (3)
Here, X represents Br or I, and A represents Eu, In, Ga, or Ce.
前記X線吸収体層は厚さ0.005〜20μmであることを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネル。   The radiation image conversion panel according to claim 1, wherein the X-ray absorber layer has a thickness of 0.005 to 20 μm. 前記X線吸収体層は厚さ0.02〜5μmであることを特徴とする請求項1〜10のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネル。   The radiation image conversion panel according to claim 1, wherein the X-ray absorber layer has a thickness of 0.02 to 5 μm.
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