JP2005110193A - 周波数可変フィルタ - Google Patents
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Abstract
【課題】 コンデンサと抵抗を使ったCRフィルタにおいて、多数の可変抵抗器や可変コンデンサを1軸に多連に設けて使用するとフィルタのサイズ増大や経済的問題が生ずる。
抵抗やコンデンサを多連にしない構成の課題があった。
【構成】 抵抗に換えてホトカプラ10のホトトランジスタ11の特性における3極管領域を利用して、ホトトランジスタ11のコレクタとエミッタを逆接続して交流信号を扱う抵抗としている。また、逆接続をせず、1個のホトトランジスタのコレクタからエミッタに一定の直流電流を重畳して交流信号を扱う抵抗としている。この抵抗はホトカプラの発光ダイオード12の順方向電流を可変することにより、ノッチ周波数、遮断周波数などを可変することができ、ツインTフィルタ、ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ等を構成する。
【選択図】 図3
抵抗やコンデンサを多連にしない構成の課題があった。
【構成】 抵抗に換えてホトカプラ10のホトトランジスタ11の特性における3極管領域を利用して、ホトトランジスタ11のコレクタとエミッタを逆接続して交流信号を扱う抵抗としている。また、逆接続をせず、1個のホトトランジスタのコレクタからエミッタに一定の直流電流を重畳して交流信号を扱う抵抗としている。この抵抗はホトカプラの発光ダイオード12の順方向電流を可変することにより、ノッチ周波数、遮断周波数などを可変することができ、ツインTフィルタ、ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ等を構成する。
【選択図】 図3
Description
本発明の利用分野は通信工業、音響映像機器、電気電子測定器などの広い分野で利用される。
従来の周波数可変フィルタは可変抵抗器や固定抵抗器をスイッチで切り替える可変抵抗装置とコンデンサにより構成されていた。例えば、ツインTフィルタを周波数可変フィルタにする場合。最低でも3個の可変抵抗器が同軸に並べた3連可変抵抗器が必要になる。また、コンデンサや抵抗器によるローパスフィルタ(高域遮断)やハイパスフィルタ(低域遮断)の性能を上げるため、多段のCRフィルタで構成するが、この遮断周波数を可変する場合、多連の可変抵抗器や多連のバリアブル・コンデンサ(バリコン)使う必要があった。
本発明はフィルタを構成する抵抗器やコンデンサを機械的に多連にしない構成とする。
コンデンサと抵抗器でなるフィルタの抵抗器に変えてホトカプラの発光ダイオードの順方向電流と(対)ホトトランジスタのコレクタ電流特性における3極管領域を利用する。ホトカプラ発光部の発光ダイオードの電流を可変することによって、この抵抗値を可変し周波数可変フィルタとすることができる。
ホトトランジスタの3極管領域とは、ホトトランジスタの一定の光を受光中にコレクタとエミッタ間に次第に電圧を加えて行く過程において、その電圧にほぼ比例してコレクタ電流は増大する領域のことである。
図1はツインTフィルタの原理回路である。信号源1と入力インピーダンスの高い増幅器6の間に二つのTの字の回路からなってぃる。信号源から増幅器の間に抵抗器2が2本直列に接続されている。抵抗2同士の接続点から、コンデンサ5がグランド(GND)に接続されている。このコンデンサ5はコンデンサ4の2倍の静電容量である。また、信号源と増幅器の間にコンデンサ4が2本直列に接続されている。コンデンサ4同士の接続点から前記抵抗2の1/2の値の抵抗3がグランドに接続されている。
信号源1の周波数を次第に上げて行くと、ノッチ周波数になり増幅器の出力信号がほぼ、0Vになる。さらに、周波数を上げて行くと増幅器の信号は次第に大きくなる。ツインTフィルタはこの様な特性をしてぃる。ツインTフィルタは取り除くべき周波数の信号の周波数をノッチ周波数として設計することで、取り除くべき信号を大きく減衰させることができる。
信号源1の周波数を次第に上げて行くと、ノッチ周波数になり増幅器の出力信号がほぼ、0Vになる。さらに、周波数を上げて行くと増幅器の信号は次第に大きくなる。ツインTフィルタはこの様な特性をしてぃる。ツインTフィルタは取り除くべき周波数の信号の周波数をノッチ周波数として設計することで、取り除くべき信号を大きく減衰させることができる。
図2はローパスフィルタ2段の原理回路である。信号源から抵抗8とコンデンサ9を通してグランドに接続し、コンデンサ9の両端は入力インピーダンスの高い増幅器に接続されている。信号源の周波数が次第に高くなるとコンデンサ9のインピーダンスは次第に低くなる。従って、高い周波数の信号を減衰させることができる。信号源の周波数を上げて行くとき、抵抗8の抵抗値とコンデンサ9のインピーダンスが等しくなったときの周波数を遮断周波数と言う。遮断周波数より更に周波数を上げて行くと、コンデンサ9の端子間の信号電圧は周波数に反比例して減衰して行く。
図3はツインTフィルタの実施例の回路である。図1の抵抗2、3に相当する部分がホトカプラ10のホトトランジスタ11に置き換わっている。ホトトランジスタはコレクタからエミッタの抵抗とエミッタからコレクタの逆方向の抵抗が異なるため、逆並列に接続して一つの抵抗を形成している。コンデンサ4、5は図1と変わりはない。
図1の抵抗3は抵抗2の1/2の値であるため、その位置のホトカプラは同一の物を2個並列にしている。ホトトランジスタについては2個を逆並列に接続し、これを更に2組並列に接続している。
図1の抵抗3は抵抗2の1/2の値であるため、その位置のホトカプラは同一の物を2個並列にしている。ホトトランジスタについては2個を逆並列に接続し、これを更に2組並列に接続している。
図3において、ホトカプラの発光ダイオードの電流を等しくなるように流すために発光ダイオードを全て直列に接続して電流を可変することにより、ノッチ周波数を可変している。ツインTフィルタにおいて、ノッチ周波数は減衰が最大になる周波数である。
図4はローパスフィルタの多段回路の実施例である。図4は図2の抵抗8に当る部分がホトカプラ10のホトトランジスタ11をコレクタとエミッタを逆並列に接続した回路に置き換わっている。
図4において、信号源1が直流分を含んでいる場合にコンデンサ14で直流分を阻止して交流信号のみを電界効果トランジスタ(以下FETと言う)16のゲートに伝えている。抵抗15はFET16のゲート電位をグランド(GND)電位に保つための抵抗である。
抵抗17はFET16のソース電位を与える物である。抵抗18はFET16によって増幅された信号を取り出すためであり、次の段に信号を与えるものである。コンデンサ19は直流分を阻止し、抵抗に替わるホトカプラ10のホトトランジスタ11に信号を伝える物である。抵抗18は逆接続されたホトトランジスタの抵抗値に加えられてRCフィルタの抵抗要素として働く。抵抗20はFET21のゲート電位をグランド(GND)電位に保つための抵抗である。抵抗22はFET21のソース電位を与える物である。最終段の抵抗23は出力信号の大きさを考慮して値が決められる。コンデンサ24は直流分を阻止し、信号分を抵抗25に与え、かつ、出力端子7に信号を伝える物である。
図4において、信号源1が直流分を含んでいる場合にコンデンサ14で直流分を阻止して交流信号のみを電界効果トランジスタ(以下FETと言う)16のゲートに伝えている。抵抗15はFET16のゲート電位をグランド(GND)電位に保つための抵抗である。
抵抗17はFET16のソース電位を与える物である。抵抗18はFET16によって増幅された信号を取り出すためであり、次の段に信号を与えるものである。コンデンサ19は直流分を阻止し、抵抗に替わるホトカプラ10のホトトランジスタ11に信号を伝える物である。抵抗18は逆接続されたホトトランジスタの抵抗値に加えられてRCフィルタの抵抗要素として働く。抵抗20はFET21のゲート電位をグランド(GND)電位に保つための抵抗である。抵抗22はFET21のソース電位を与える物である。最終段の抵抗23は出力信号の大きさを考慮して値が決められる。コンデンサ24は直流分を阻止し、信号分を抵抗25に与え、かつ、出力端子7に信号を伝える物である。
図4のn段場合ローパスフィルタは入力信号が遮断周波数より高い場合、ほぼ周波数のn乗に反比例して減衰してゆく。この発光ダイオード12の電流を可変することにより遮断周波数を可変することが出来る。このホトカプラの発光ダイオードの電流を等しくするために、この回路では全て直列に接続している。
図4のように、ホトカプラの発光ダイオードの電流を全て直列にして同時に可変することにより、あたかも多連同軸の可変抵抗器を回しているような働きをする。当然、ハイパスフィルタとしても抵抗とコンデンサの配置を逆にして、C−R−増幅器を何段もカスケードに繋いで構成するができる。
図4のように、ホトカプラの発光ダイオードの電流を全て直列にして同時に可変することにより、あたかも多連同軸の可変抵抗器を回しているような働きをする。当然、ハイパスフィルタとしても抵抗とコンデンサの配置を逆にして、C−R−増幅器を何段もカスケードに繋いで構成するができる。
図5はホトカプラ10のホトトランジスタ11に一定の直流電流を重畳して、ホトトランジスタを逆接続せずに1個のホトトランジスタで一つの抵抗に換えるローパスフィルタの2段回路である。図4と異なる点は抵抗26、27が追加され、コンデンサ28が追加される。電源+Vccから抵抗26を通り、ホトトランジスタを通り、抵抗27を経由してグランドに直流電流を流す。そのため、抵抗27の両端に直流電圧が発生する。従って、この直流電圧をコンデンサ28で阻止する。
実施例では、信号電流Isはホトカプラ10のホトトランジスタ11には10μA程度で流れるが、ホトトランジスタに重畳する一定の電流Idcは25μA程度でIsの2〜3倍の電流を流すように設計している。例えば、+Vcc=+12Vとした場合、抵抗26や27は6V/25μA=240kΩ程度になる。ホトカプラのホトトランジスタ11の抵抗は最大で10kΩ程度であり、遮断周波数に関係する抵抗18は100〜300Ωである。抵抗20は510kΩ〜1MΩであるため、ホトトランジスタの抵抗と比較すると相当大きい値である。従って、抵抗26、27が240kΩと合わせて考えると、フィルタを構成する抵抗18とホトトランジスタの抵抗の合成値とコンデンサ9で決まる静電容量でほぼ遮断周波数の設計は可能となる。詳細には抵抗20、26,27も含んで設計あはされる。
機械的に可変抵抗器やバリアブル・コンデンサを同軸に多数連ねるのではなく、電子回路的に構成するため、フィルタの小型化やハイブリッドIC化が可能になり回路の小型化が出来る。従って、経済的である。
フィルタに使った市販のホトカプラ場合、発光ダイオードの電流が5mA以下で10倍以上の抵抗値を可変できるため、汎用のオペアンプの出力で制御できる。従って、自動的にフィルタの遮断周波数やノッチ周波数や共振周波数を走引(スイープ)することが出来る。
図5の回路において、ホトトランジスタの両端の直流電圧を検出することにより、A/D変換器からコンピュータに取り込み、固定コンデンサの値から遮断周波数を計算し、この周波数をディジタル表示することが出来る。また、コンピュータから遮断周波数を変えるためにD/A変換器を経由して発光ダイオードの順方向電流を制御し、前述のA/D変換器から再度コンピュータに取り込むことによりフィードバック制御ができる。
図3のツインTフィルタをホトトランジスタのエミッタとコレクタを逆並列せず、図5のようにし、なお、かつ個々のホトトランジスタの直流電圧をA/D変換器からコンピュータに取り込み、個々のホトトランジスタの抵抗値を割り出し、最適値と比較し、制御の必要なホトトランジスタに光を当てている当該のホトダイオードの順方向電流を制御することにより、各コンデンサの精度が均一であれば、より深い減衰を得ることができる。
1は信号源
2、3はツインフィルタの抵抗
4、5はツインフィルタのコンデンサ
6は入力インピーダンスの高い増幅器
7は出力端子
8はローパスフィルタの抵抗
9はローパスフィルタのコンデンサ
10はホトカプラ
11はホトトランジスタ
12は発光ダイオード
13は可変直流電流源
14、19、24,28は直流分阻止コンデンサ
15、20は電界効果トランジスタ(FET)のゲート電位をグランドレベルにする抵抗
16、21はFET
17、22はFETのソース電位を決める抵抗
18、23は次段に信号を伝えるための抵抗
25はコンデンサ24を充電し、出力信号を取り出す抵抗
26,27はホトトランジスタに直流電流を重畳させる抵抗
Isは信号電流
+Vccは直流電源電圧
2、3はツインフィルタの抵抗
4、5はツインフィルタのコンデンサ
6は入力インピーダンスの高い増幅器
7は出力端子
8はローパスフィルタの抵抗
9はローパスフィルタのコンデンサ
10はホトカプラ
11はホトトランジスタ
12は発光ダイオード
13は可変直流電流源
14、19、24,28は直流分阻止コンデンサ
15、20は電界効果トランジスタ(FET)のゲート電位をグランドレベルにする抵抗
16、21はFET
17、22はFETのソース電位を決める抵抗
18、23は次段に信号を伝えるための抵抗
25はコンデンサ24を充電し、出力信号を取り出す抵抗
26,27はホトトランジスタに直流電流を重畳させる抵抗
Isは信号電流
+Vccは直流電源電圧
Claims (3)
- 発光部を発光ダイオードとし、受光部をホトトランジスタでなるホトカプラにおいて、発光ダイオードの順方向電流とホトトランジスタのコレクタ電流特性の3極管領域を利用し、順方向電流により変化するホトトランジスタのコレクタエミッタ間抵抗を利用した周波数可変フィルタ。
- 発光部を発光ダイオードとし、受光部をホトトランジスタでなるホトカプラにおいて、発光ダイオードの順方向電流とホトトランジスタのコレクタ電流特性の3極管領域を利用し、2個のホトカプラのホトトランジスタのコレクタとエミッタを逆並列にした回路構成において、発光ダイオードの順方向電流により変化するホトトランジスタのコレクタエミッタ間抵抗を利用した周波数可変フィルタ。
- 発光部を発光ダイオードとし、受光部をホトトランジスタでなるホトカプラにおいて、発光ダイオードの順方向電流とホトトランジスタのコレクタ電流特性の3極管領域を利用し、ホトトランジスタのコレクタからエミッタに直流電流を流し、この電流より少ない信号電流を流す回路構成において、発光ダイオードの順方向電流により変化するホトトランジスタのコレクタエミッタ間抵抗を利用した周波数可変フィルタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003379143A JP2005110193A (ja) | 2003-10-01 | 2003-10-01 | 周波数可変フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003379143A JP2005110193A (ja) | 2003-10-01 | 2003-10-01 | 周波数可変フィルタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2005110193A true JP2005110193A (ja) | 2005-04-21 |
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JP2003379143A Pending JP2005110193A (ja) | 2003-10-01 | 2003-10-01 | 周波数可変フィルタ |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2005110193A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102889876A (zh) * | 2012-10-16 | 2013-01-23 | 杭州国量科技有限公司 | 一种实时测量地下变形的方法和装置 |
-
2003
- 2003-10-01 JP JP2003379143A patent/JP2005110193A/ja active Pending
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CN102889876A (zh) * | 2012-10-16 | 2013-01-23 | 杭州国量科技有限公司 | 一种实时测量地下变形的方法和装置 |
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