JP2005109204A - Electrostatic chuck - Google Patents
Electrostatic chuck Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005109204A JP2005109204A JP2003341658A JP2003341658A JP2005109204A JP 2005109204 A JP2005109204 A JP 2005109204A JP 2003341658 A JP2003341658 A JP 2003341658A JP 2003341658 A JP2003341658 A JP 2003341658A JP 2005109204 A JP2005109204 A JP 2005109204A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrostatic chuck
- purge
- gas
- chuck
- cover
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
Description
本発明は、誘電体の内部電極に電圧を印加することにより、被吸着物を吸着保持する静電チャックに関する。 The present invention relates to an electrostatic chuck for attracting and holding an object to be attracted by applying a voltage to an internal electrode of a dielectric.
従来、精密工作機械や半導体製造装置においては、被加工物を吸着保持する吸着装置が用いられている。このような吸着装置としては、大気中ではバキュームチャック、メカチャック、静電チャックなどが用いられている。また、真空中ではメカチャック、静電チャックなどが用いられている。 Conventionally, in a precision machine tool and a semiconductor manufacturing apparatus, a suction device that holds a workpiece by suction is used. As such an adsorption device, a vacuum chuck, a mechanical chuck, an electrostatic chuck or the like is used in the atmosphere. Further, a mechanical chuck, an electrostatic chuck or the like is used in a vacuum.
ところで、大気から真空までと幅広い圧力領域に渡って被加工物を吸着する場合には、バキュームチャックでは原理的に真空での吸着力が働かないため、他のチャックとの併用が必要となり、切り替えの工数またその切り替えに起因する吸着の不安定という問題が生じる。また、メカチャックならば、広い圧力領域での使用は可能ではあるが、動作機構からの初塵が問題となる。 By the way, when vacuuming a workpiece over a wide pressure range from the atmosphere to vacuum, vacuum chucks do not work in principle with vacuum, so switching with other chucks is necessary. There arises a problem that the adsorption is unstable due to the man-hours and switching. In addition, the mechanical chuck can be used in a wide pressure range, but the initial dust from the operation mechanism becomes a problem.
これに対し、静電チャック（ＥＳＣ：Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ Ｃｈｕｃｋ）は、誘電体の内部電極に電圧を印加することにより被吸着物を吸着保持するものであるため、原理的に広い圧力範囲において使用可能であり、動作機構からの塵の問題もない。このため、真空室での高い清浄度が要求される処理が必要な各種半導体製造装置、例えば、プラズマエッチング装置、プラズマＣＶＤ装置、熱ＣＶＤ装置等においては、シリコンウェーハの固定方法として、静電チャックが使用されることが多い。 On the other hand, an electrostatic chuck (ESC) is capable of attracting and holding an object to be adsorbed by applying a voltage to an internal electrode of a dielectric, and thus can be used in a wide pressure range in principle. There is no problem of dust from the operating mechanism. For this reason, in various semiconductor manufacturing apparatuses that require processing requiring high cleanliness in a vacuum chamber, such as plasma etching apparatuses, plasma CVD apparatuses, thermal CVD apparatuses, etc., an electrostatic chuck is used as a silicon wafer fixing method. Is often used.
かかる静電チャックは、上記のように大気中でも使用することができる。しかし、雰囲気が管理されていない場合、大気中の水分の影響などにより吸着力が不安定になり扱いにくい場合がある。つまり、大気中においては、水分などの影響により被吸着物に現れた電荷が、静電チャック表面に移動して被吸着物を静電遮蔽するために、吸着力が働かなくなるという現象が起こる。このため、大気中での吸着力が弱くなり、そのコントロールが困難になるという問題が生じる。 Such an electrostatic chuck can be used in the atmosphere as described above. However, when the atmosphere is not controlled, the adsorptive power may become unstable due to the influence of moisture in the atmosphere and may be difficult to handle. In other words, in the atmosphere, a phenomenon occurs in which the attracting force does not work because the charges appearing on the object to be adsorbed due to the influence of moisture move to the surface of the electrostatic chuck and electrostatically shield the object to be adsorbed. For this reason, there arises a problem that the adsorptive power in the atmosphere becomes weak and its control becomes difficult.
これら大気中の水分の影響は、吸着にジャンセン−ラーベック力を用いる体積抵抗が１０１２Ωｃｍ以下の静電チャックにとって影響が大きいとされるが、クーロン力を主に用いた体積抵抗１×１０１３Ωｃｍ以上の静電チャックにとっても大きな影響がある。例えば、１×１０１４Ωｃｍの静電チャックの吸着力の雰囲気依存性を、図５に示す。これによると、大気中においては、真空中に比べて、印加電圧に応じた吸着力の上昇率が著しく低下することがわかる。また、静電チャックの素材によっては、誘電率、抵抗率の温度依存性があり、雰囲気の温度が管理されていない場合、その影響により物性値の変化が懸念される。 The influence of moisture in the atmosphere is considered to be large for an electrostatic chuck having a volume resistance of 10 12 Ωcm or less using Janssen-Rahbek force for adsorption, but volume resistance of 1 × 10 13 mainly using Coulomb force. There is also a great influence on electrostatic chucks of Ωcm or more. For example, FIG. 5 shows the atmospheric dependence of the attractive force of an electrostatic chuck of 1 × 10 14 Ωcm. According to this, it can be seen that in the atmosphere, the rate of increase in the attractive force according to the applied voltage is significantly lower than in the vacuum. In addition, depending on the material of the electrostatic chuck, there is a temperature dependency of the dielectric constant and resistivity, and when the temperature of the atmosphere is not controlled, there is a concern that the physical property value may change due to the influence.
これに対処するため、特許文献１には、被吸着物の中心若しくは周縁に配置したノズルから、静電吸着力よりも低い圧力で乾燥気体（空気、ヘリウム）を噴出することにより、外気からの水分の進入を阻止する技術が開示されている。なお、上記の図５においても、窒素雰囲気化では吸着力の低下が抑えられることが示されている。また、特許文献２には、水分の影響防止とは目的は異なるが、被吸着物の周縁全周で下方から上方に向かってパージガス（アルゴン、ヘリウム）を吹き出すことにより、膜の堆積を防止する技術が開示されている。 In order to cope with this, Patent Document 1 discloses that a dry gas (air, helium) is ejected from outside air at a pressure lower than the electrostatic adsorption force from a nozzle arranged at the center or the periphery of the object to be adsorbed. A technique for preventing moisture from entering is disclosed. Note that FIG. 5 also shows that a decrease in adsorption force can be suppressed in a nitrogen atmosphere. Further, in Patent Document 2, although the purpose is different from the prevention of the influence of moisture, deposition of a film is prevented by blowing a purge gas (argon, helium) from the lower side to the upper side around the entire periphery of the adsorbed object. Technology is disclosed.
しかしならが、上記のような従来技術においては、以下のような問題があった。すなわち、特許文献１に開示された技術では、下方から噴出する乾燥気体の噴出圧力が、乾燥気体の静電吸着力よりも低い圧力に制限されるとともに、噴出箇所となるノズルが、中心若しくは外縁に限定される。このため、パージに時間がかかるとともに、場所により気体の濃度にムラができる。さらに、特許文献２に開示された技術においても、パージガスを周縁部から噴出させるため、中央部でのパージに時間がかかるとともに、場所により気体の濃度にムラができる。 However, the conventional techniques as described above have the following problems. That is, in the technique disclosed in Patent Document 1, the ejection pressure of the dry gas ejected from below is limited to a pressure lower than the electrostatic adsorption force of the dry gas, and the nozzle serving as the ejection location is at the center or the outer edge. It is limited to. For this reason, while purging takes time, the concentration of gas varies depending on the location. Further, in the technique disclosed in Patent Document 2, since purge gas is ejected from the peripheral portion, it takes time to purge in the central portion, and the gas concentration varies depending on the location.
本発明は、上記のような従来技術の問題点を解決するために提案されたものであり、その目的は、短時間で均一なガスパージを行うことにより、使用雰囲気の影響を受けずに安定した吸着力を得ることができる静電チャックを提供することにある。 The present invention has been proposed in order to solve the above-described problems of the prior art, and the object thereof is to perform a uniform gas purge in a short time without being affected by the use atmosphere. An object of the present invention is to provide an electrostatic chuck capable of obtaining an attractive force.
上記の目的を達成するため、請求項１記載の発明は、誘電体材料により構成され、内部電極への印加電圧に応じて被吸着物を吸着する静電チャックにおいて、前記静電チャックに向かう位置に配設され、前記静電チャック上の被吸着物の近傍に向けてパージガスを噴出する複数のガス噴出口を備えたパージ手段と、前記ガス噴出口にパージガスを供給するガス供給源とを有することを特徴とする。
以上のような請求項１記載の発明では、静電チャック上の被吸着物に向かって、複数のガス噴出口からパージガスが噴出されるので、被吸着物の近傍を短時間で均一にガスパージして、使用雰囲気から遮断することができ、吸着がより一層安定する。パージガスは、被吸着物側から吹き上げるのではなく、被吸着物に向かって噴出されるので、噴出圧力が制限を受けず、パージ時間をより一層短縮化できる。
In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 is a position toward the electrostatic chuck in an electrostatic chuck that is made of a dielectric material and attracts an object to be attracted according to a voltage applied to the internal electrode. And a purge unit having a plurality of gas ejection ports for ejecting purge gas toward the vicinity of the object to be adsorbed on the electrostatic chuck, and a gas supply source for supplying the purge gas to the gas ejection port It is characterized by that.
In the invention according to the first aspect as described above, purge gas is ejected from the plurality of gas ejection ports toward the object to be adsorbed on the electrostatic chuck, so that the vicinity of the object to be adsorbed is uniformly purged in a short time. Thus, it can be shielded from the use atmosphere, and the adsorption is further stabilized. The purge gas is not blown up from the object to be adsorbed but is ejected toward the object to be adsorbed, so that the ejection pressure is not limited and the purge time can be further shortened.
請求項２記載の発明は、請求項１記載の静電チャックにおいて、前記パージ手段は、少なくとも被吸着物の導入若しくは排出スペースを確保しつつ、前記静電チャックを覆う領域に配設されていることを特徴とする。
以上のような請求項２記載の発明では、パージ手段は静電チャックを覆う領域に配設されているため、静電チャック上の被吸着物に対して、より一層均一なガスパージを行うことができる。
According to a second aspect of the present invention, in the electrostatic chuck according to the first aspect, the purge means is disposed in a region covering the electrostatic chuck while ensuring at least a space for introducing or discharging the object to be attracted. It is characterized by that.
In the invention according to claim 2 as described above, since the purge means is disposed in the region covering the electrostatic chuck, it is possible to perform a more uniform gas purge on the object to be adsorbed on the electrostatic chuck. it can.
請求項３記載の発明は、請求項１又は請求項２記載の静電チャックにおいて、前記パージ手段は、前記静電チャックから退避可能に構成されていることを特徴とする。
以上のような請求項３記載の発明では、パージ手段を退避させて、他のプロセスの邪魔にならないようにすることができる。
According to a third aspect of the invention, in the electrostatic chuck according to the first or second aspect, the purge means is configured to be retractable from the electrostatic chuck.
In the invention described in claim 3 as described above, the purge means can be retracted so as not to interfere with other processes.
請求項４記載の発明は、請求項１〜３のいずれか１項に記載の静電チャックにおいて、前記パージ手段は、ドーム形状であることを特徴とする。
以上のような請求項４記載の発明では、パージ手段がドーム形状であるため、パージガスの逃げと使用雰囲気の進入とが確実に防止され、効率のよいガスパージを行うことができる。
According to a fourth aspect of the present invention, in the electrostatic chuck according to any one of the first to third aspects, the purge means has a dome shape.
In the invention according to claim 4 as described above, since the purge means has a dome shape, escape of the purge gas and entry of the use atmosphere are surely prevented, and an efficient gas purge can be performed.
請求項５記載の発明は、請求項１〜３のいずれか１項に記載の静電チャック前記パージ手段は、複数本のスティック形状であることを特徴とする。
以上のような請求項５記載の発明では、パージ手段が複数本のスティック形状なので、パージガスの供給経路の構成が単純化され、製造コストを節約でき、メンテナンス、修理、交換等も容易となる。
The invention described in claim 5 is characterized in that the electrostatic chuck according to any one of claims 1 to 3 has a plurality of stick shapes.
In the invention according to claim 5 as described above, since the purge means has a plurality of stick shapes, the configuration of the supply path of the purge gas is simplified, the manufacturing cost can be saved, and maintenance, repair, replacement, etc. are facilitated.
請求項６記載の発明は、請求項１〜５のいずれか１項に記載の静電チャックにおいて、容器内に設置されていることを特徴とする。
以上のような請求項６記載の発明では、容器により、パージガスの逃げのない効率のよい吸着が可能となる。
A sixth aspect of the present invention is the electrostatic chuck according to any one of the first to fifth aspects, wherein the electrostatic chuck is installed in a container.
In the invention according to claim 6 as described above, the container enables efficient adsorption without purge gas escape.
以上の通り、本発明によれば、短時間で均一なガスパージを行うことにより、使用雰囲気の影響を受けずに安定した吸着力を得ることができる静電チャックを提供することができる。 As described above, according to the present invention, it is possible to provide an electrostatic chuck capable of obtaining a stable adsorption force without being affected by the use atmosphere by performing a uniform gas purge in a short time.
本発明を実施するための最良の形態（実施形態）を、図面を参照して説明する。
［第１の実施形態］
［構成］
本実施形態は、図１に示すように、静電チャック１とパージカバー２とを備えている。静電チャック１としては、例えば、誘電体から成る載置台の内部電極に電圧を印加することにより、体積抵抗１×１０１３Ωｃｍ以上のクーロン力を利用して、被吸着物である吸着サンプルを載置台上に吸着するものを用いる。
The best mode (embodiment) for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.
[First Embodiment]
[Constitution]
This embodiment includes an electrostatic chuck 1 and a purge cover 2 as shown in FIG. As the electrostatic chuck 1, for example, by applying a voltage to an internal electrode of a mounting table made of a dielectric, an adsorption sample as an object to be adsorbed is utilized by using a Coulomb force having a volume resistance of 1 × 10 13 Ωcm or more. Use what is adsorbed on the mounting table.
パージカバー２は、静電チャック１上を覆うように配設されたドーム形状の部材である。このパージカバー２は、支柱部２ａにより支持され、図示しない昇降機構によって昇降可能に設けられている。支柱部２ａは、その内部にパージガスが流通可能に構成されており、図示しないガス供給源に接続されている。パージガスとしては、腐食性のない乾燥ガス、例えば、乾燥空気の他、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスを用いることが望ましい。 The purge cover 2 is a dome-shaped member disposed so as to cover the electrostatic chuck 1. The purge cover 2 is supported by a column 2a and is provided so as to be lifted and lowered by a lifting mechanism (not shown). The column portion 2a is configured to allow purge gas to flow therein, and is connected to a gas supply source (not shown). As the purge gas, it is desirable to use a non-corrosive dry gas, for example, an inert gas such as nitrogen, argon or helium in addition to dry air.
また、パージカバー２には、パージガスの噴出口２ｂが複数配設されており、支柱部２ａ内を介して供給されるパージガスが、静電チャック１側に噴射可能に設けられている。なお、被吸着物である吸着サンプル３は、パージカバー２と静電チャック１との隙間から導入可能に構成されているが、吸着サンプル３を搬入、搬出するための搬送機構に関しては、説明を省略する。。 The purge cover 2 is provided with a plurality of purge gas ejection ports 2b, and purge gas supplied via the support column 2a can be injected to the electrostatic chuck 1 side. The adsorbed sample 3 which is an object to be adsorbed is configured to be introduced from the gap between the purge cover 2 and the electrostatic chuck 1, but the transport mechanism for carrying in and out the adsorbed sample 3 will be described. Omitted. .
［作用］
以上のような本実施形態の作用は、以下の通りである。すなわち、ガス供給源からのパージガスを、支柱部２ａを介して、噴出口２ｂから静電チャック１側に噴出し、静電チャック１の近傍を局所的に乾燥ガス雰囲気とする。そして、搬送機構により、パージカバー２と静電チャック１との間から吸着サンプル３を導入して、静電チャック１の載置台上に吸着サンプル３を載置し、静電チャック１による吸着を行う。このとき、静電チャック１近傍のパージガスによって、外気からの水分の進入が阻止される。なお、吸着後に他のプロセス、例えば、成膜やエッチング等を行う際は、昇降機構によってパージカバー２を上昇させて、プロセスの邪魔にならないように退避させる。
[Action]
The operation of the present embodiment as described above is as follows. That is, the purge gas from the gas supply source is ejected from the ejection port 2b to the electrostatic chuck 1 side through the support column 2a, and the vicinity of the electrostatic chuck 1 is locally made a dry gas atmosphere. Then, the suction sample 3 is introduced from between the purge cover 2 and the electrostatic chuck 1 by the transport mechanism, the suction sample 3 is placed on the mounting table of the electrostatic chuck 1, and suction by the electrostatic chuck 1 is performed. Do. At this time, the purge gas in the vicinity of the electrostatic chuck 1 prevents moisture from entering from the outside air. When another process such as film formation or etching is performed after the adsorption, the purge cover 2 is raised by an elevating mechanism and retracted so as not to interfere with the process.
［効果］
以上のような本実施形態によれば、大気圧近傍における使用においても、大気中の水分等の影響を排除して、安定した吸着が可能となる。また、大気中の使用はもとより、大気中で吸着した後に真空引きを行うようなプロセスにおいても、静電チャックのみによる処理が可能となり、チャックの切り替えが不要となる。従って、切り替えの工数を省略して、切り替えに起因する吸着力の不安的化を防止できる。
[effect]
According to the present embodiment as described above, even when used near atmospheric pressure, stable adsorption can be achieved by eliminating the influence of moisture in the atmosphere. Further, in the process of vacuuming after being adsorbed in the air as well as in the atmosphere, the process can be performed only by the electrostatic chuck, and switching of the chuck becomes unnecessary. Therefore, the man-hour for switching can be omitted, and the uneasy adsorption force due to switching can be prevented.
また、従来技術と異なり、吸着サンプル３の中央部のみ若しくは周縁部のみのガス噴出ではなく、パージカバー２の多数の噴出口２ｂからのガス噴出によるため、吸着サンプル３の近傍を短時間で均一にガスパージすることができ、吸着がより一層安定する。特に、パージカバー２はドーム形状であるため、パージガスの逃げや外気の進入が確実に防止され、効率のよいガスパージを行うことができる。 Further, unlike the prior art, the vicinity of the adsorption sample 3 is uniform in a short time because the gas is not ejected from only the central portion or the peripheral portion of the adsorption sample 3 but from the numerous ejection ports 2b of the purge cover 2. Can be purged with gas, and the adsorption becomes more stable. In particular, since the purge cover 2 has a dome shape, escape of purge gas and entry of outside air are reliably prevented, and an efficient gas purge can be performed.
また、パージガスは、吸着サンプル３側から吹き上げるのではなく、吸着サンプル３の上方から下方へ噴射されるため、噴出圧力が制限を受けず、パージ時間をより一層短縮化できる。そして、パージガスの吹き付けによる冷却効果を得ることもできるし、温度管理されたガスを用いることにより、静電チャック１の温度管理を容易に行うこともできるので、温度による静電チャック１素材の物性値の変化を抑え、安定且つコントロール可能な吸着を得ることが可能となる。 Further, since the purge gas is not blown up from the adsorbed sample 3 side, but is jetted from the upper side to the lower side of the adsorbed sample 3, the ejection pressure is not limited, and the purge time can be further shortened. The cooling effect by spraying the purge gas can be obtained, and the temperature of the electrostatic chuck 1 can be easily managed by using the temperature-controlled gas. It is possible to obtain a stable and controllable adsorption by suppressing a change in value.
［第２の実施形態］
［構成］
本実施形態は、図２に示すように、静電チャック１とパージアーム４とを備えている。静電チャック１としては、上記の実施形態と同様のものを用いることができる。パージアーム４は、図示しないガス供給源に接続され、内部にパージガスを流通可能な複数のスティックノズル４１が、操作アーム４２に連結されることにより構成されている。スティックノズル４１は直線状の管であり、静電チャック１に向かう側に、それぞれ複数の噴出口４１ａが形成されている。
[Second Embodiment]
[Constitution]
As shown in FIG. 2, the present embodiment includes an electrostatic chuck 1 and a purge arm 4. As the electrostatic chuck 1, the same one as in the above embodiment can be used. The purge arm 4 is connected to a gas supply source (not shown), and a plurality of stick nozzles 41 capable of flowing purge gas therein are connected to an operation arm 42. The stick nozzle 41 is a straight tube, and a plurality of jet nozzles 41 a are formed on the side facing the electrostatic chuck 1.
操作アーム４２は、図示しない駆動機構によって、スティックノズル４１を回動及び昇降させるアームであり、静電チャック１による吸着時は、静電チャック１上の吸着サンプル３にスティックノズル４１を近づけてガスパージし、その他のプロセスにおいては、図３に示すように、プロセスの邪魔にならないように、スティックノズル４１を静電チャック１から退避させることができるように構成されている。なお、その他の構成については、上記の第１の実施形態と同様である。 The operation arm 42 is an arm that rotates and raises and lowers the stick nozzle 41 by a drive mechanism (not shown). When sucking by the electrostatic chuck 1, the stick nozzle 41 is brought close to the suction sample 3 on the electrostatic chuck 1 to perform gas purge. In other processes, as shown in FIG. 3, the stick nozzle 41 can be retracted from the electrostatic chuck 1 so as not to interfere with the process. Other configurations are the same as those in the first embodiment.
［作用］
以上のような本実施形態の作用は、以下の通りである。すなわち、図２に示すように、ガス供給源からのパージガスを、スティックノズル４１を介して、噴出口４１ａから静電チャック１側に噴出し、静電チャック１の近傍を局所的にガス雰囲気とする。そして、搬送機構により、スティックノズル４１と静電チャック１との間から、吸着サンプル３を導入して、静電チャック１の載置台上に吸着サンプル３を載置し、静電チャック１による吸着を行う。このとき、静電チャック１近傍のパージガスによって、外気からの水分の進入が阻止される。なお、図３に示すように、吸着後に他のプロセスを行う際は、操作アーム４２を回動させて、スティックノズル４１を、プロセスの邪魔にならないように退避させる。
[Action]
The operation of the present embodiment as described above is as follows. That is, as shown in FIG. 2, the purge gas from the gas supply source is ejected from the ejection port 41a to the electrostatic chuck 1 side via the stick nozzle 41, and the vicinity of the electrostatic chuck 1 is locally changed to a gas atmosphere. To do. Then, the suction sample 3 is introduced from between the stick nozzle 41 and the electrostatic chuck 1 by the transport mechanism, the suction sample 3 is placed on the mounting table of the electrostatic chuck 1, and the suction by the electrostatic chuck 1. I do. At this time, the purge gas in the vicinity of the electrostatic chuck 1 prevents moisture from entering from the outside air. As shown in FIG. 3, when another process is performed after suction, the operation arm 42 is rotated to retract the stick nozzle 41 so as not to interfere with the process.
［効果］
以上のような本実施形態によれば、上記の第１の実施形態と同様に、安定した吸着が可能となり、チャックの切り替えが不要となる。また、スティックノズル４１の多数の噴出口４１ａからのガス噴出によるため、短時間で均一なガスパージができ、吸着がより一層安定化する。特に、スティックノズル４１は水平であるため、静電チャック１の全面に亘って均一なガスパージを行うことができ、吸着サンプル３の位置によるばらつきが生じない。また、噴出口４１ａを形成した同形状のスティックノズル４１を複数本用いることによって構成できるので、パージガスの供給経路が単純化され、製造コストを節約でき、メンテナンス、修理、交換も容易となる。なお、噴出方向や温度管理による効果も、上記の第１の実施形態と同様である。
[effect]
According to the present embodiment as described above, as in the first embodiment, stable suction is possible, and switching of the chuck becomes unnecessary. Further, since the gas is ejected from the large number of ejection ports 41a of the stick nozzle 41, a uniform gas purge can be performed in a short time, and the adsorption is further stabilized. In particular, since the stick nozzle 41 is horizontal, a uniform gas purge can be performed over the entire surface of the electrostatic chuck 1, and variations due to the position of the adsorption sample 3 do not occur. Further, since a plurality of stick nozzles 41 having the same shape in which the ejection ports 41a are formed can be used, the purge gas supply path is simplified, the manufacturing cost can be saved, and maintenance, repair, and replacement are facilitated. In addition, the effect by the ejection direction and temperature management is the same as that of said 1st Embodiment.
［他の実施形態］
本発明は、上記のような実施形態に限定されるものではない。例えば、上記の第１の実施形態において、図４に示すように、パージカバー２をドーム形状ではなく水平面形状にすることにより、水平のスティックノズル４１による第２の実施形態と同様の効果を得ることも可能である。この場合でも、パージカバー２は静電チャック１を覆う平面形状となるため、ガスの逃げ防止効果は得られる。噴出口２ｂの数や配置も自由であり、例えば、図５（Ａ）（Ｂ）に示すように、方形配置であっても、円形配置であってもよい。
[Other Embodiments]
The present invention is not limited to the embodiment as described above. For example, in the first embodiment, as shown in FIG. 4, the purge cover 2 is formed in a horizontal plane shape instead of a dome shape, thereby obtaining the same effect as the second embodiment by the horizontal stick nozzle 41. It is also possible. Even in this case, since the purge cover 2 has a planar shape covering the electrostatic chuck 1, an effect of preventing escape of gas can be obtained. The number and arrangement of the jet nozzles 2b are also arbitrary. For example, as shown in FIGS. 5 (A) and 5 (B), it may be a square arrangement or a circular arrangement.
また、上記の第２の実施形態においても、噴出口４１ａの数、配置は自由である。スティックノズル４１の形状、数等も自由である。例えば、スティックノズル４１を、曲線状、蛇行状、クランク状等に形成してもよい。また、各スティックノズル４１における噴出口４１ａの噴出角度は、垂直方向には限定されない。例えば、図６（Ａ）に示すように、個々のスティックノズル４１の噴出口４１ａの形成位置を変えたり、図６（Ｂ）に示すように、スティックノズル４１の配置位置に変化を持たせることにより、全体としてドーム形状と似た噴出方向とすることも可能である。また、図７に示すように、個々のスティックノズル４１を、上下（若しくは左右）に角度変更可能に設けたり、図８に示すように、個々のスティックノズル４１を、軸を中心に回動可能に設けることにより、ガス噴出方向の自由度を高めることもできる。 Moreover, also in said 2nd Embodiment, the number and arrangement | positioning of the jet nozzle 41a are free. The shape, number, etc. of the stick nozzle 41 are also free. For example, the stick nozzle 41 may be formed in a curved shape, a meandering shape, a crank shape, or the like. Further, the ejection angle of the ejection port 41a in each stick nozzle 41 is not limited to the vertical direction. For example, as shown in FIG. 6A, the formation position of the jet nozzle 41a of each stick nozzle 41 is changed, or the arrangement position of the stick nozzle 41 is changed as shown in FIG. 6B. Therefore, the ejection direction similar to the dome shape as a whole can be obtained. In addition, as shown in FIG. 7, the individual stick nozzles 41 are provided so that the angle can be changed up and down (or left and right), and as shown in FIG. 8, the individual stick nozzles 41 can be rotated around the axis. By providing in, the freedom degree of a gas ejection direction can also be raised.
また、図９に示すように、上記の実施形態を、真空チャンバ５内に構成することも可能である。この場合、真空チャンバ５の構成例としては、例えば、排気口５ａを介して真空引き可能に設け、ゲート弁５ｂから吸着サンプルを導入するように構成することが考えられる。そして、ガスパージされた真空チャンバ５内に、搬送アーム等により吸着サンプル３を導入し、静電チャック１による吸着後、真空引きを始める際に、パージガスを停止する。かかる実施形態では、真空チャンバ５により、パージガスの逃げのない効率のよい吸着が可能となる。さらに、静電チャック１を固定して使用する用途の他に、移送可能なボックス内に静電チャック１を設置して、大気中における搬送ユニットを組むことも可能である。 Further, as shown in FIG. 9, the above embodiment can be configured in the vacuum chamber 5. In this case, as a configuration example of the vacuum chamber 5, for example, it is conceivable that the vacuum chamber 5 is provided so as to be evacuated via the exhaust port 5 a and the adsorption sample is introduced from the gate valve 5 b. Then, the suction sample 3 is introduced into the gas purged vacuum chamber 5 by a transfer arm or the like, and after the suction by the electrostatic chuck 1, the purge gas is stopped when evacuation is started. In such an embodiment, the vacuum chamber 5 enables efficient adsorption without purge gas escape. Further, in addition to the application in which the electrostatic chuck 1 is fixed, the electrostatic chuck 1 can be installed in a transportable box and a transport unit in the atmosphere can be assembled.
また、本発明に用いられる静電チャックは、上記のような体積抵抗１×１０１３Ωｃｍ以上のクーロン力を主に利用したものには限定されない。ジャンセン−ラーベック力を用いる体積抵抗が１０１２Ωｃｍ以下の静電チャックにおいても適用可能である。 In addition, the electrostatic chuck used in the present invention is not limited to one that mainly uses the Coulomb force having a volume resistance of 1 × 10 13 Ωcm or more as described above. The present invention can also be applied to an electrostatic chuck having a volume resistance of 10 12 Ωcm or less using a Janssen-Rahbek force.
１…静電チャック
２…パージカバー
２ａ…支柱部
２ｂ…噴出口
３…吸着サンプル
４…パージアーム
５ａ…排気口
５ｂ…ゲート弁
４１…スティックノズル
４１ａ…噴出口
４２…操作アーム
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electrostatic chuck 2 ... Purge cover 2a ... Support | pillar part 2b ... Jet port 3 ... Adsorption sample 4 ... Purge arm 5a ... Exhaust port 5b ... Gate valve 41 ... Stick nozzle 41a ... Jet port 42 ... Operation arm
Claims (6)
前記静電チャックに向かう位置に配設され、前記静電チャック上の被吸着物の近傍に向けてパージガスを噴出する複数のガス噴出口を備えたパージ手段と、
前記ガス噴出口にパージガスを供給するガス供給源とを有することを特徴とする静電チャック。 In an electrostatic chuck that is made of a dielectric material and attracts an object to be attracted according to the voltage applied to the internal electrode.
A purge means disposed at a position toward the electrostatic chuck and provided with a plurality of gas ejection ports for ejecting a purge gas toward the vicinity of an object to be adsorbed on the electrostatic chuck;
An electrostatic chuck having a gas supply source for supplying a purge gas to the gas ejection port.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003341658A JP2005109204A (en) | 2003-09-30 | 2003-09-30 | Electrostatic chuck |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003341658A JP2005109204A (en) | 2003-09-30 | 2003-09-30 | Electrostatic chuck |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005109204A true JP2005109204A (en) | 2005-04-21 |
Family
ID=34536196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003341658A Pending JP2005109204A (en) | 2003-09-30 | 2003-09-30 | Electrostatic chuck |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2005109204A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11111579B2 (en) | 2018-05-10 | 2021-09-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Deposition equipment and method of fabricating semiconductor device using the same |
-
2003
- 2003-09-30 JP JP2003341658A patent/JP2005109204A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11111579B2 (en) | 2018-05-10 | 2021-09-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Deposition equipment and method of fabricating semiconductor device using the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5090089B2 (en) | Substrate processing equipment | |
| JP5153296B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| CN108475631B (en) | Substrate processing method | |
| JP5253592B2 (en) | Substrate processing method | |
| JP4355314B2 (en) | Substrate processing apparatus and lid fishing support apparatus | |
| JP4012190B2 (en) | Closed container lid opening and closing system and opening and closing method | |
| KR101293907B1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JP4988510B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JP7454976B2 (en) | Substrate support stand, plasma processing system, and edge ring replacement method | |
| TWI792389B (en) | Method of processing substrate and substrate processing apparatus | |
| JP2016167582A (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
| KR102012605B1 (en) | Substrate treatment method and substrate treatment device | |
| KR20200022681A (en) | Buffer unit, Apparatus and Method for treating substrate with the unit | |
| KR101008680B1 (en) | Ceramic dome structure and plasma processing apparatus with it | |
| JP2005109204A (en) | Electrostatic chuck | |
| KR100712224B1 (en) | Cooling passage | |
| US11201067B2 (en) | Substrate treatment method and substrate treatment device | |
| JP6817821B2 (en) | Substrate processing equipment and substrate processing method | |
| US11211264B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JP5824225B2 (en) | Substrate processing equipment | |
| JP2021009946A (en) | Processing apparatus | |
| JP2017175041A (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| KR100712225B1 (en) | Electrostatic chuck | |
| JP6713370B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| KR20220088171A (en) | Apparatus for treating substrate |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051011 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090915 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090917 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100126 |