KR100712225B1 - Electrostatic chuck - Google Patents

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Abstract

본 발명의 정전척은 몸체와, 상기 몸체의 상부에 마련된 세라믹 시트를 포함하고, 상기 세라믹 시트는 다수개가 방사상으로 이격된 환형의 유로와, 상기 환형의 유로에 형성되어 있는 가스 분출홀을 포함한다.The electrostatic chuck of the present invention includes a body, a ceramic sheet provided on an upper portion of the body, and the ceramic sheet includes a plurality of radially spaced annular flow paths and a gas ejection hole formed in the annular flow path. .

상기와 같은 발명은, 열전달 가스의 전체적인 흐름을 균일하게 형성하여 기판에 균일하게 분사할 수 있는 효과가 있다.The invention as described above has the effect of uniformly forming the entire flow of the heat transfer gas to be uniformly sprayed on the substrate.

열전달 가스, 냉각 유로, 플라즈마, 정전척, 세라믹 시트 Heat transfer gas, cooling flow path, plasma, electrostatic chuck, ceramic sheet

Description

정전척{ELECTROSTATIC CHUCK}Electrostatic chuck {ELECTROSTATIC CHUCK}

도 1은 일반적인 플라즈마 처리 장치를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a general plasma processing apparatus.

도 2는 종래 정전척의 구조를 나타낸 확대 단면도이다.Figure 2 is an enlarged cross-sectional view showing the structure of a conventional electrostatic chuck.

도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a plasma processing apparatus according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 정전척의 확대 단면도이다.4 is an enlarged cross-sectional view of an electrostatic chuck in accordance with the present invention.

도 5는 본 발명에 따른 정전척의 열전달 가스 유로를 나타낸 평면도이다.5 is a plan view showing a heat transfer gas flow path of the electrostatic chuck according to the present invention.

도 6a 및 도 6b는 본 발명에 따른 세라믹 시트에 형성된 가스 분출홀을 나타낸 평면도이다.6A and 6B are plan views illustrating gas ejection holes formed in the ceramic sheet according to the present invention.

도 6c는 도 6b의 선 A-A에 따라 취한 단면도이다.FIG. 6C is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG. 6B.

도 6d는 도 6b의 선 A-A에 따라 취한 변형 단면도이다.6D is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG. 6B.

도 6e는 도 6b의 선 B-B에 따라 취한 단면도이다.FIG. 6E is a cross-sectional view taken along the line B-B in FIG. 6B.

도 7a 내지 도 7e는 본 발명에 따른 정전척 몸체 내부의 냉각 유로를 나타낸 평면도이다.7A to 7E are plan views illustrating cooling passages inside the electrostatic chuck body according to the present invention.

도 8은 냉각수의 흐름에 따라 온도를 측정한 온도 측정 위치를 나타낸 평면도이다.8 is a plan view illustrating a temperature measurement position where temperature is measured according to the flow of cooling water.

도 9는 적외선 카메라로 촬영한 정전척 표면의 온도를 나타낸다.9 shows the temperature of the surface of the electrostatic chuck taken with an infrared camera.

< 도면 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of the code | symbol about the principal part of drawings>

10, 110: 기판 12, 112: 상부 전극부10, 110: substrate 12, 112: upper electrode portion

14, 114: 하부 전극부 16, 116: 하부 전극 14, 114: lower electrode portion 16, 116: lower electrode

18: 정전척 20, 120: 가스 공급원 18: electrostatic chuck 20, 120: gas supply source

22a, 22b, 122a, 122b: 고주파 전원 24, 124: 진공 챔버22a, 22b, 122a, 122b: high frequency power supply 24, 124: vacuum chamber

26, 126: 절연체 30, 130: 직류 고압 전원26, 126: insulator 30, 130: DC high voltage power supply

32, 132: 열전달 가스 공급 라인 34, 134: 배기 라인32, 132: heat transfer gas supply line 34, 134: exhaust line

118: 정전척 몸체 119: 세라믹 시트118: electrostatic chuck body 119: ceramic sheet

150: 내측 유입구 152: 내측 유로150: inner inlet 152: inner passage

154: 외측 유로 162a: 외측 냉각 유로154: outer passage 162a: outer cooling passage

162b: 내측 냉각 유로 164a: 제 1 개구162b: inner cooling passage 164a: first opening

164b: 제 2 개구 166: 돌기164b: second opening 166: projection

본 발명은 정전척 및 이를 이용한 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 냉각수의 흐름 및 열전달 가스의 흐름을 제어하는 정전척 및 이를 이용한 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an electrostatic chuck and a plasma processing apparatus using the same, and more particularly, to an electrostatic chuck and a plasma processing apparatus using the same to control the flow of cooling water and the flow of heat transfer gas.

반도체 및 디스플레이 산업이 발전함에 따라 웨이퍼, 유리 등의 기판 가공도 한정된 면적에 원하는 패턴을 극미세화하고 고집적화하는 방향으로 진행되고 있고, 이에 따라 기판에 박막을 성장시키거나 식각할 때 플라즈마 처리 기술이 널리 활용되고 있다. 플라즈마 처리는 고밀도로 공정을 제어할 수 있는 등의 장점에 의해 반도체, 디스플레이 기판의 가공 공정 등에 널리 사용되고 있다. 플라즈마 처리 장치는 매엽식과 배치식 장치로 구분되고, 매엽식 플라즈마 처리 장치는 진공 챔버 내에 전극이 상하로 대향 배치되어 양 전극 사이에 고주파 전력을 인가하여 플라즈마를 생성시킨다.As the semiconductor and display industry develops, processing of substrates such as wafers and glass is also progressing toward minimizing and integrating desired patterns in a limited area. Accordingly, plasma processing technology is widely used when growing or etching thin films on substrates. It is utilized. Plasma treatment is widely used in processing processes of semiconductors, display substrates, etc. due to the advantages of controlling the process at high density. The plasma processing apparatus is classified into a single sheet type and a batch type apparatus. In the single layer type plasma processing apparatus, electrodes are disposed up and down in a vacuum chamber to generate a plasma by applying high frequency power between both electrodes.

도 1을 참조하면, 일반적인 매엽식 반도체 플라즈마 처리 장치는 진공 챔버 내에 상부 전극부(12) 및 상기 상부 전극부(12)와 대향 위치하고 피처리체인 반도체 기판(10)이 장착되는 하부 전극부(14)를 구비하며, 하부 전극부(14)는 전원이 인가되는 하부 전극(16)과 정전척(18)을 포함한다. 상부 전극부(12) 및 하부 전극부(14)는 일정 간격 이격되어 서로 대향 위치한다. 가스 공급원(20)으로부터 (도시되지 않은) 샤워 헤드를 통하여 가스가 공급되고 외부의 고주파 전원(22a, 22b)으로부터 정합된 고주파 전력이 상부 및 하부 전극부(12, 14)에 인가된다. 이러한 고주파 전력에 의해 진공 챔버(24) 내에 가스가 전리되고, 상부 및 하부 전극부(12, 14) 사이의 공간에서 고밀도의 플라즈마를 발생시킨다. 여기서 하부 전극부(14) 상부에는 기판(10)을 탑재하기 위한 정전척(18)이 설치되어 있으며, 하부 전극부(14)의 하부는 절연체(26)로 구성되어 있다. Referring to FIG. 1, a general sheet type semiconductor plasma processing apparatus includes an upper electrode portion 12 and a lower electrode portion 14 on which a semiconductor substrate 10, which is an object to be processed, is disposed in a vacuum chamber and disposed opposite to the upper electrode portion 12. ), The lower electrode portion 14 includes a lower electrode 16 and an electrostatic chuck 18 to which power is applied. The upper electrode portion 12 and the lower electrode portion 14 are spaced apart from each other at predetermined intervals to face each other. Gas is supplied from the gas supply source 20 through the shower head (not shown), and high frequency power matched from external high frequency power supplies 22a and 22b is applied to the upper and lower electrode portions 12 and 14. Gas is ionized in the vacuum chamber 24 by this high frequency electric power, and a high density plasma is generated in the space between the upper and lower electrode parts 12 and 14. Here, the electrostatic chuck 18 for mounting the substrate 10 is provided above the lower electrode portion 14, and the lower portion of the lower electrode portion 14 is formed of an insulator 26.

상기 상부 및 하부 전극부(12, 14)에 고주파 전원(22a, 22b)을 인가하여 플라즈마가 발생하면 정전척(18)에는 기판(10)을 정전 흡착하기 위해서 일정의 직류 고압 전원(30)을 통해 직류 전압이 인가되고 기판(10)은 정전척(18)에 고정된다. 여기서 인가되는 직류 전압의 크기가 일정 범위를 벗어나면, 공정 후 기판(10)을 정전척(18)과 분리시킬 때 오히려 기판(10)에 손상을 초래한다. 기판(10)과 정전척(18) 사이의 미소 공간에는 기판(10)의 온도 제어를 용이하게 하기 위하여 열전달 가스 공급 라인(32)을 통해 열전달 가스, 예를 들어 헬륨 가스가 공급된다. 일정 시간의 플라즈마 처리 공정이 끝난 후 열전달 가스는 배기 라인(34)을 통해 배기되고 정전척(18)에 정전 흡착되었던 기판(10)은 부극성의 직류 고압 전원(30)에 의해 탈착되고 진공 챔버(24) 밖으로 이송이 된다.When the plasma is generated by applying the high frequency power supplies 22a and 22b to the upper and lower electrode portions 12 and 14, a constant DC high voltage power supply 30 is applied to the electrostatic chuck 18 to electrostatically adsorb the substrate 10. The direct current voltage is applied and the substrate 10 is fixed to the electrostatic chuck 18. If the magnitude of the DC voltage applied here is out of a certain range, it causes damage to the substrate 10 when the substrate 10 is separated from the electrostatic chuck 18 after the process. In the micro space between the substrate 10 and the electrostatic chuck 18, a heat transfer gas, for example helium gas, is supplied through the heat transfer gas supply line 32 to facilitate temperature control of the substrate 10. After a certain period of time, the heat transfer gas is exhausted through the exhaust line 34, and the substrate 10, which has been electrostatically adsorbed to the electrostatic chuck 18, is desorbed by the negative DC high voltage power supply 30 and the vacuum chamber. (24) It is transported out.

상기 정전척(18)의 상면에 고정된 기판(10) 에칭 시에는 기판(10)에 고온의 열이 발생됨과 아울러 플라즈마에 기판(10)이 노출되어 온도가 지속적으로 상승하게 되는데, 이때 가스 공급 라인(32)를 통해 일정량의 열전달 가스가 공급되어 정전척(18) 표면에 형성된 유로를 따라 이동하면서 에칭시 기판(10)에 발생되는 열을 제거시키게 된다.When etching the substrate 10 fixed to the upper surface of the electrostatic chuck 18, a high temperature heat is generated on the substrate 10 and the substrate 10 is exposed to the plasma so that the temperature is continuously raised. A certain amount of heat transfer gas is supplied through the line 32 to move along the flow path formed on the surface of the electrostatic chuck 18 to remove heat generated in the substrate 10 during etching.

도 2는 종래 정전척의 구조를 나타낸 확대 단면도이다. 정전척(18)은 그 내부에 냉각수가 순환할 수 있는 냉각수 이동 경로(27)가 형성되어 있고, 냉각수는 정전척(18)을 설정된 온도로 냉각시키는 역할을 한다. 또한 정전척(18) 내부에는 전극판(17)이 설치되어 있다. 전극판(17)에는 기판의 흔들림이나 이탈을 방지하고 기판(10)을 정전척(18)에 정전 흡착 시키기 위해 직류 전압(30)이 인가된다. 반도체 장치 외부에는 칠러(Chiller, 28)가 위치하여, 정전척(18)으로 냉각수를 제공한다. 정전척 본체는 보통 알루미늄으로 제작되어 있으며, 냉각수로는 일반적으로 에 칠렌 글리콜이 사용된다. 그러나, 종래의 냉각수 공급 방식은 정전척을 균일하게 냉각시키지 못하고, 냉각 효율이 떨어진다는 문제점이 있다.Figure 2 is an enlarged cross-sectional view showing the structure of a conventional electrostatic chuck. The electrostatic chuck 18 has a coolant movement path 27 through which coolant can be circulated, and the coolant serves to cool the electrostatic chuck 18 to a predetermined temperature. In addition, an electrode plate 17 is provided inside the electrostatic chuck 18. A DC voltage 30 is applied to the electrode plate 17 in order to prevent shaking or detachment of the substrate and to electrostatically adsorb the substrate 10 to the electrostatic chuck 18. A chiller 28 is located outside the semiconductor device to provide cooling water to the electrostatic chuck 18. The electrostatic chuck body is usually made of aluminum, and ethylene glycol is commonly used as cooling water. However, the conventional cooling water supply method does not uniformly cool the electrostatic chuck, there is a problem that the cooling efficiency is lowered.

또한, 이러한 종래의 정전척(18)은 중앙부에 1개의 열전달 가스 유입구와 방사상의 유로를 형성하고 있으며, 상기의 정전척(18)으로 주입된 열전달 가스는 정전척(18) 표면에 형성된 유로를 따라 이동하게 된다. 하지만 정전척(18)의 열전달 가스 유로는 중앙에서 가장자리 쪽으로 방사상 형성되어 정전척(18)의 가장자리 쪽으로 갈수록 넓어지게 되므로, 기판(10) 처리시 열전달 가스는 긴 유로를 거쳐 정전척(18)의 가장 자리까지 이동하는데 오랜 시간이 걸리고, 이는 기판(10) 중앙부와 가장자리의 온도 불균형을 초래한다. 즉, 정전척(18)으로 주입되는 열전달 가스가 균일하게 분포되지 못하여 냉각 효율이 저하되면, 기판(10)의 온도가 상승하고 표면의 온도가 국부적으로 불균일하게 된다. 이와 같은 현상은 기판(10)의 표면적이 클수록 심해진다. 이는 결과적으로 공정의 균일도 저하, 감광막의 변형, 에칭 속도 및 재현성의 저하와 같은 문제점을 야기시키고 원하는 식각률의 프로파일, 선폭 및 막두께 등을 얻을 수 없다.In addition, the conventional electrostatic chuck 18 forms a heat transfer gas inlet and a radial flow path at a central portion thereof, and the heat transfer gas injected into the electrostatic chuck 18 has a flow path formed on the surface of the electrostatic chuck 18. Move along. However, since the heat transfer gas flow path of the electrostatic chuck 18 is radially formed from the center to the edge and becomes wider toward the edge of the electrostatic chuck 18, the heat transfer gas passes through a long flow path during the processing of the substrate 10. Moving to the edges takes a long time, which results in temperature imbalances in the center and edge of the substrate 10. That is, when the heat transfer gas injected into the electrostatic chuck 18 is not uniformly distributed and the cooling efficiency is lowered, the temperature of the substrate 10 rises and the surface temperature is locally nonuniform. This phenomenon worsens as the surface area of the substrate 10 increases. This results in problems such as lowering of the uniformity of the process, deformation of the photoresist film, lowering of the etching rate and reproducibility, and failing to obtain a desired etching rate profile, line width and film thickness.

따라서, 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 도출된 것으로서, 열전달 가스의 전체적인 흐름을 균일하게 형성할 수 있는 정전척 및 이를 이용한 플라즈마 처리 장치를 제공함을 그 목적으로 한다.Accordingly, an object of the present invention is to provide an electrostatic chuck capable of uniformly forming the entire flow of heat transfer gas and a plasma processing apparatus using the same.

또한, 본 발명은 공급 유로를 통해 열전달 가스를 기판의 이면에 균일하게 분출시킬 수 있는 정전척 및 이를 이용한 플라즈마 처리 장치를 제공함을 그 목적 으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide an electrostatic chuck capable of uniformly ejecting the heat transfer gas to the back surface of the substrate through a supply flow path and a plasma processing apparatus using the same.

또한, 냉각수의 흐름에 있어서 냉각 유로의 구조 및 형상을 개선하여 냉각수의 접촉 면적을 넓힘으로써 냉각 효율을 높일 수 있는 정전척 및 이를 이용한 플라즈마 처리 장치를 제공함을 그 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide an electrostatic chuck and a plasma processing apparatus using the same, by improving the structure and shape of the cooling channel in the flow of the cooling water to increase the contact area of the cooling water.

상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 정전척은 몸체와, 상기 몸체의 상부에 마련된 세라믹 시트를 포함하고, 상기 세라믹 시트는 다수개가 방사상으로 이격된 환형의 유로와, 상기 환형의 유로에 형성되어 있는 가스 분출홀을 포함한다.In order to achieve the above object, the electrostatic chuck of the present invention includes a body, a ceramic sheet provided on an upper portion of the body, and the ceramic sheet is formed in a plurality of radially spaced annular flow paths and the annular flow path. And a gas ejection hole.

상기 환형의 유로는 정전척의 가스 공급 유로의 형상에 대응하는 것을 특징으로 한다.The annular flow passage corresponds to the shape of the gas supply flow passage of the electrostatic chuck.

상기 가스 분출홀은 상기 환형 유로의 바닥면에 원형으로 관통 형성된 것을 특징으로 한다.The gas blowing hole is formed in a circular shape through the bottom surface of the annular flow path.

상기 가스 분출홀은 상기 환형 유로의 바닥면에 원형으로 관통 형성된 관통홀과 그 위에 연장된 파이프를 포함하여 형성된 것을 특징으로 한다.The gas blowing hole is characterized in that it comprises a through-hole formed in a circular through the bottom surface of the annular flow path and a pipe extending thereon.

상기 몸체는 중앙 부분에 형성된 내측 유입구와, 상기 내측 유입구와 연결된 환형의 내측 유로와, 상기 내측 유로의 외측에 그와 연통되지 않고 독립적으로 형성된 환형의 외측 유로와, 상기 외측 유로 상에 형성된 외측 유입구를 포함하는 것을 특징으로 한다.The body includes an inner inlet formed in the center portion, an annular inner passage connected to the inner inlet, an annular outer passage formed independently of the outer passage without communication with the outer passage, and an outer inlet formed on the outer passage. Characterized in that it comprises a.

상기 내측 유로는 복수개가 방사상으로 이격되게 설치되고, 이는 서로 연통된 것을 특징으로 한다.The inner passage is provided with a plurality of radially spaced apart, which is in communication with each other.

상기 외측 유로는 복수개가 방사상으로 이격되게 설치되고, 이는 서로 연통된 것을 특징으로 한다.The outer passage is provided with a plurality of radially spaced apart, which is in communication with each other.

상기 내측 및 외측 유입구는 내측 및 외측 유로에 복수개가 형성된 것을 특징으로 한다.The inner and outer inlets are characterized in that a plurality is formed in the inner and outer passage.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상의 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and to those skilled in the art to fully understand the scope of the invention. It is provided to inform you. Like reference numerals in the drawings refer to like elements.

도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.3 is a cross-sectional view schematically showing a plasma processing apparatus according to the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 플라즈마 처리 장치는 진공 챔버(124) 내에 상부 전극부(112) 및 상기 상부 전극부(112)와 대향 위치하고 피처리체인 반도체 기판(110)이 장착되는 하부 전극부(114)를 구비한다. 하부 전극부(114)는 전원이 인가되는 하부 전극(116)과, 정전척(118, 119)을 포함한다.Referring to FIG. 3, in the plasma processing apparatus of the present invention, an upper electrode portion 112 and a lower electrode portion on which the semiconductor substrate 110 which is an object to be processed are mounted in the vacuum chamber 124 are disposed opposite to the upper electrode portion 112. 114 is provided. The lower electrode part 114 includes a lower electrode 116 to which power is applied, and electrostatic chucks 118 and 119.

진공 챔버(124)의 측벽에는 기판 반입 반출구(115)가 형성되어, 이를 통해 기판(110)을 반입 반출한다. 또한 진공 챔버(124)의 측벽 또는 하부에는 진공 펌프(113) 등의 배기계가 연결되어 이로부터 배기가 실행되어 진공 챔버(124) 내를 원하는 진공도로 유지할 수 있다.A substrate loading / unloading port 115 is formed on the sidewall of the vacuum chamber 124, thereby carrying the substrate 110 in and out. In addition, an exhaust system such as a vacuum pump 113 may be connected to the sidewall or the bottom of the vacuum chamber 124, and exhaust may be performed therefrom to maintain the inside of the vacuum chamber 124 at a desired degree of vacuum.

상부 전극부(112)에는 RF 전원 장치(122a) 및 임피던스 정합기(123a)를 통해 RF 전원이 가해질 수 있고, 진공 챔버(124) 내로 반응 가스를 유입시킬 수 있는 샤워 헤드(도시되지 않음)가 설치될 수 있다.The upper electrode portion 112 may be supplied with RF power through the RF power supply 122a and the impedance matcher 123a, and may include a shower head (not shown) capable of introducing a reaction gas into the vacuum chamber 124. Can be installed.

상부 전극부(112)와 일정간격 이격되어 서로 대향 위치하고 있는 하부 전극부(114)에는 정합기(123b)를 거쳐 고주파 전원(122b)이 접속되어 기판(110)을 플라즈마 처리하는 경우 하부 전극부(114)에는 고주파 전원(122b)에 의해 고주파 전력이 공급될 수 있다. 하부 전극부(114) 바닥부에는 접지 지지부재(127) 및 절연 부재(126)가 설치되며, 하부 전극부(114) 상면에는 기판(110) 예를 들어 반도체 웨이퍼를 유지하기 위한 유지 수단인 정전척(118, 119)이 설치된다.When the high frequency power source 122b is connected to the lower electrode part 114 which is spaced apart from the upper electrode part 112 by a predetermined distance and connected to each other, the lower electrode part ( The high frequency power may be supplied to the 114 by the high frequency power source 122b. A ground support member 127 and an insulating member 126 are installed at the bottom of the lower electrode 114, and an electrostatic force, which is a holding means for holding the substrate 110, for example, a semiconductor wafer, is disposed on the upper surface of the lower electrode 114. The chucks 118 and 119 are installed.

정전척(118, 119)은 상면에 장착될 기판(110)의 형상과 대략 동일한 형상과 크기로 형성되나 특별히 형상이 한정되지는 않는다. 예를 들어 기판(110)이 반도체 웨이퍼인 경우 웨이퍼의 형상과 유사하게 즉 상면의 직경이 웨이퍼 직경과 대략 유사하게 형성되는 것이 바람직하다. 정전척(118, 119)은 내부에 (도시되지 않은) 도전성 부재를 구비하며, 도전성 부재는 고압 직류 전원(130)에 접속되어 고전압을 인가함으로써 기판(110)을 흡착 유지시킨다. 이때, 정전척(118, 119)은 정전력 외에 기계적 힘 등에 의해 기판(110)을 유지할 수도 있고, 정전척(118, 119)의 외부에는 포커스링(113)이 구비될 수 있다.The electrostatic chucks 118 and 119 are formed in substantially the same shape and size as the shape of the substrate 110 to be mounted on the upper surface, but the shape is not particularly limited. For example, when the substrate 110 is a semiconductor wafer, it is preferable that the diameter of the upper surface of the substrate 110 be similar to that of the wafer. The electrostatic chucks 118 and 119 are provided with a conductive member (not shown) inside, and the conductive member is connected to the high voltage direct current power supply 130 to hold and hold the substrate 110 by applying a high voltage. In this case, the electrostatic chucks 118 and 119 may maintain the substrate 110 by mechanical force in addition to the electrostatic force, and the focus ring 113 may be provided outside the electrostatic chucks 118 and 119.

도 4는 본 발명에 따른 정전척의 확대 단면도를 나타낸다. 정전척(118, 119)은 정전척 몸체(118)와 몸체 상부에 접착되는 세라믹 시트(119)로 구성된다. 이때, 세라믹 시트(119) 내에는 직류 전원이 가해지는 도전성 부재의 전극판(117)이 삽입 되며, 알루미늄 몸체(118)는 알루미늄 산화막(Al2O3)으로 코팅될 수 있다. 상기의 정전척 몸체(118)에는 복수의 열전달 가스 공급 구멍이 마련되고 가스 공급 구멍은 하부 전극 및 절연 부재(116, 126)를 관통하는 가스 공급 라인(132)과 연결된다. 가스 공급 라인(132)은 진공 챔버(124) 외부의 가스 공급원(133)에 접속되고 가스 공급원(133)으로부터 열전달 가스가 공급될 수 있다. 4 shows an enlarged cross-sectional view of an electrostatic chuck in accordance with the present invention. The electrostatic chucks 118 and 119 are composed of an electrostatic chuck body 118 and a ceramic sheet 119 bonded to the upper portion of the body. In this case, the electrode plate 117 of the conductive member to which the DC power is applied is inserted in the ceramic sheet 119, and the aluminum body 118 may be coated with an aluminum oxide layer (Al 2 O 3 ). The electrostatic chuck body 118 is provided with a plurality of heat transfer gas supply holes, and the gas supply holes are connected to the gas supply line 132 passing through the lower electrode and the insulating members 116 and 126. The gas supply line 132 may be connected to a gas supply source 133 outside the vacuum chamber 124, and heat transfer gas may be supplied from the gas supply source 133.

또한 정전척(118, 119) 내부에는 냉각수가 흐를 수 있도록 냉각수 유입구(164a) 및 유출구(164b)가 연결된 냉각 유로(162)가 형성되어 있다. 진공 챔버(124) 외부에는 냉각수 유입 및 유출 라인(129a, 129b)을 통해 냉각 유로(162)와 연결되는 칠러(128)가 위치하여 정전척으로 냉각수를 제공한다. 정전척 몸체(118) 상부면에는 가스 공급 라인(132)과 연결되어 있는 내측 유입구(150)와 내측 유로 및 외측 유로(152, 154)가 형성되어 있다. 또한 정전척 상부면을 덮고 있는 세라믹 시트(119)는 일반적으로 열 가소성 폴리이미드계 접착제를 사용하여, 정전척 몸체(118) 상부에 저온 압착에 의해 접착된다.In addition, a cooling channel 162 connected to the cooling water inlet 164a and the outlet 164b is formed in the electrostatic chucks 118 and 119 to allow the cooling water to flow. Outside the vacuum chamber 124, a chiller 128 is connected to the cooling channel 162 through the coolant inlet and outlet lines 129a and 129b to provide the coolant to the electrostatic chuck. The upper surface of the electrostatic chuck body 118 is formed with an inner inlet 150 and an inner passage and an outer passage 152, 154 connected to the gas supply line 132. In addition, the ceramic sheet 119 covering the top surface of the electrostatic chuck is generally bonded to the top of the electrostatic chuck body 118 by low temperature compression using a thermoplastic polyimide adhesive.

도 5는 본 발명에 따른 정전척 상부면에 형성된 열전달 가스 유로를 나타낸 평면도이다.5 is a plan view showing a heat transfer gas flow path formed on the upper surface of the electrostatic chuck in accordance with the present invention.

도면을 참조하면, 정전척 몸체(118)에는 내측 유입구(150)와, 내측 유로(152)와, 외측 유로(154), 외측 유입구(156)가 형성되어 있다. 정전척 몸체(118)의 중앙 부분에 형성된 내측 유입구(150)는 각각이 환형으로 형성되어 서로 방사상으로 연통된 복수개의 내측 유로(152)에 방사상으로 서로 연결되어 있고, 외측 유 입구(156)는 내측 유로(152)와 연통되지 않고 독립적으로 형성되어 있는 외측 유로(154)에 형성되어 있다. 이때 내측 유입구(150) 및 외측 유입구(156)는 가스 공급 라인(132)과 연결된다. 이때, 외측 유로(154)는 필요에 따라 하나 이상으로 형성할 수 있으며, 하나 이상 형성되었을 경우는 외측 유로(154)끼리 서로 연통되게 형성할 수 있다. 또한 내측 유로(152)의 경우 도면에서는 3개의 환형 유로가 서로 연결되어 있는 형상이나 그 개수는 그에 한정되지 않고 2개 이하 또는 4개 이상일 수 있다. 정전척 몸체(118)를 관통하면서 내측 유로 및 외측 유로(152, 154)에 형성되어 있는 내측 및 외측 유입구(150, 156)는 내측 유로(152)와 외측 유로(154)에 각각 하나 이상으로 형성될 수도 있다.Referring to the drawings, the electrostatic chuck body 118 is formed with an inner inlet 150, an inner passage 152, an outer passage 154, and an outer inlet 156. The inner inlets 150 formed at the central portion of the electrostatic chuck body 118 are radially connected to the plurality of inner flow passages 152 each formed in an annular shape and radially communicating with each other, and the outer oil inlet 156 is It is formed in the outer flow path 154 which is formed independently without communicating with the inner flow path 152. At this time, the inner inlet 150 and the outer inlet 156 is connected to the gas supply line 132. At this time, one or more outer passages 154 may be formed as necessary, and when one or more are formed, the outer passages 154 may be formed to communicate with each other. In addition, in the case of the inner flow path 152, the shape in which three annular flow paths are connected to each other, but the number thereof may be two or less or four or more. One or more inner and outer inlets 150 and 156 formed in the inner channel and the outer channel 152 and 154 while penetrating the electrostatic chuck body 118 are formed in the inner channel 152 and the outer channel 154, respectively. May be

정전척 몸체(118) 중앙의 내측 유입구(150)로부터 열전달 가스가 주입되면 방사상으로 서로 연통되게 형성되어 있는 내측 유로(152)에 퍼지게 되며, 외측 유입구(156)로부터 열전달 가스가 주입되면 개별적으로 형성되어 있는 외측 유로(154)에 가스가 퍼지게 된다. 즉 정전척 몸체(118) 표면에 열전달 가스가 독립된 경로를 통해 공급되어 정전척 중심부와 가장자리 부의 온도 불균형을 효과적으로 제거하고 냉각 효율을 상승시킨다.When the heat transfer gas is injected from the inner inlet 150 at the center of the electrostatic chuck body 118, it is spread in the inner flow path 152 which is formed to communicate radially with each other, and is formed separately when the heat transfer gas is injected from the outer inlet 156. Gas spreads through the outer flow path 154. That is, the heat transfer gas is supplied to the surface of the electrostatic chuck body 118 through an independent path to effectively remove the temperature imbalance at the center and the edge of the electrostatic chuck and increase the cooling efficiency.

도 6a는 세라믹 시트 표면에 형성된 가스 유로 및 가스 분출홀을 나타낸 평면도이다. 도면에 도시된 바와 같이, 세라믹 시트(119)는 동심을 이루어 방사상으로 이격된 환형의 가스 유로(158)를 형성하고 있다. 상기 유로(158)는 정전척 몸체(118) 표면에 형성된 가스 유로(158)의 환형 부분과 대응하는 위치 및 형상으로 무수히 많은 가스 분출홀이 형성되어 있다. 또한, 도 6b와 같이 가스 유로(158)에 돌기(159)가 가스 분출홀(160)과 간섭되지 않게 다수개가 형성될 수 있다. 6A is a plan view illustrating a gas flow path and a gas ejection hole formed on a surface of a ceramic sheet. As shown in the figure, the ceramic sheet 119 forms a concentric concentric radially spaced gas flow path 158. The flow path 158 is formed with a myriad of gas blowing holes in a position and shape corresponding to the annular portion of the gas flow path 158 formed on the surface of the electrostatic chuck body 118. In addition, as shown in FIG. 6B, a plurality of protrusions 159 may be formed in the gas flow path 158 so as not to interfere with the gas ejection holes 160.

도 6c는 도 6b의 선 A-A에 따라 취한 단면도이고, 도 6d는 도 6c의 변형예이다. 가스 분출홀(160)은 도 6c에 도시된 바와 같이 유로(158)의 바닥면에 원형으로 관통 형성되거나, 도 6d와 같이 유로(158)의 바닥면에 형성된 관통 홀과 그 위에 연장된 파이프(161)를 포함하는 형상일 수 있다. 도 6d와 같이 연장 파이프(161)를 형성하면, 기판(110)과 세라믹 시트(119)와의 접촉면을 넓혀 정전 흡착을 용이하게 해 주고, 정전척(118)의 내측 및 외측 유입구(150, 156)를 통해 주입된 가스가 빠른 속도로 분출될 수 있는 효과가 있다. 또한 가스 분출홀(160)은 연장 파이프(161) 외에도 기판(110)과 세라믹 시트(119)의 접촉면을 넓혀주는 다양한 형상일 수 있다. 도 6e는 도 6b의 선 B-B 에 따라 취한 단면도로서, 가스가 이동하면서 접촉하는 접촉면을 확대시킬 수 있는 효과가 있다.FIG. 6C is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG. 6B, and FIG. 6D is a modification of FIG. 6C. As illustrated in FIG. 6C, the gas ejection hole 160 may be formed through the bottom of the flow path 158 in a circular shape, or the through hole formed on the bottom surface of the flow path 158 and the pipe extending thereon as shown in FIG. 6D. 161 may be shaped to include. When the extension pipe 161 is formed as shown in FIG. 6D, the contact surface between the substrate 110 and the ceramic sheet 119 is widened to facilitate electrostatic adsorption, and the inner and outer inlets 150 and 156 of the electrostatic chuck 118 are provided. Through the gas injected there is an effect that can be ejected at a high speed. In addition, the gas ejection hole 160 may have various shapes that widen the contact surface of the substrate 110 and the ceramic sheet 119 in addition to the extension pipe 161. FIG. 6E is a cross-sectional view taken along the line B-B in FIG. 6B, and has an effect of enlarging the contact surface that the gas contacts while moving.

도 7a 내지 도 7e는 본 발명에 따른 정전척 몸체 내부의 냉각 유로를 나타낸다. 도면을 참조하면 정전척 몸체(118) 내부의 가장자리 일측과 중심영역 일측에 제 1 개구(164a)와 제 2 개구(164b)가 각각 형성되고 이들을 연결하는 나선형의 냉각 유로(162)가 정전척 내부에 형성된다. 제 1 개구(164a)는 유입구이고, 제 2 개구(164b)는 유출구이며, 유입구 및 유출구는 냉각수 유입 및 유출 라인(129a, 129b)을 통해 외부의 칠러와 연결된다. 이러한 냉각 유로는 외측 냉각 유로(162a)와 내측 냉각 유로(162b)로 구성되되, 유입구(164a)에서 나온 냉각수가 외측 냉각 유로(162a)를 따라 대략 원주 방향으로 1 회전 한 뒤 내측 냉각 유로(162b)를 따라 다시 원주 방향으로 1 회전 한다. 이때, 외측 냉각 유로(162a) 상에는 다수의 돌 기(166)가 설치되어 냉각수가 이동하면서 접촉하는 접촉면을 확대시킴으로써 정전척(118, 119)의 냉각 효율을 극대화시킬 수 있다. 다수의 돌기는 내측 냉각 유로(162b) 상에도 설치될 수 있음은 물론이다.7A to 7E show cooling passages inside the electrostatic chuck body according to the present invention. Referring to the drawings, the first opening 164a and the second opening 164b are formed at one side of the edge of the electrostatic chuck body 118 and one side of the central region, respectively. Is formed. The first opening 164a is an inlet, the second opening 164b is an outlet, and the inlet and outlet are connected to an external chiller through the coolant inlet and outlet lines 129a and 129b. The cooling passage includes an outer cooling passage 162a and an inner cooling passage 162b, and after the cooling water from the inlet 164a rotates about one circumferential direction along the outer cooling passage 162a, the inner cooling passage 162b. 1 turn again in the circumferential direction. At this time, a plurality of protrusions 166 are installed on the outer cooling passage 162a to maximize the cooling efficiency of the electrostatic chucks 118 and 119 by enlarging the contact surface that the cooling water contacts while moving. Of course, the plurality of protrusions may be installed on the inner cooling passage 162b.

냉각 유로에 설치된 다수의 돌기(166)는 도 7c 및 도 7d와 같이, 원기둥 또는 다각 기둥의 형상으로 형성할 수 있으며, 그 밖에도 타원 기둥 형상도 가능하다. 또한 도 7b에 도시한 바와 같이, 외측 냉각 유로(162a)를 따라 연속하여 형성된 울타리 형상으로 형성 가능하며, 냉각수와의 접촉 면적을 넓히기 위해 도 7e와 같이, 주름 형상으로 냉각 유로 구조를 형성할 수 있다. 또한 다수의 돌기(166)의 그 수는 한정되지 않는다. 상기와 같은 방법은 각각 하나의 유입구(164a)와 유출구(164b)에서 유입되어 유출되는 종래 방식에 비해 넓은 면적을 균일하게 냉각시킬 수 있다.The plurality of protrusions 166 installed in the cooling passage may be formed in the shape of a cylinder or a polygonal pillar, as shown in FIGS. 7C and 7D, and in addition, an elliptic pillar may be formed. In addition, as shown in Figure 7b, it can be formed in the shape of the fence formed continuously along the outer cooling passage 162a, in order to increase the contact area with the cooling water, as shown in Figure 7e, it can form a cooling passage structure in a corrugated shape. have. Also, the number of the plurality of protrusions 166 is not limited. The above method can uniformly cool a large area compared to the conventional method in which each of the inlet 164a and the outlet 164b flows in and out.

냉각수는 유입구(164a)로부터 유입되어, 냉각 유로를 통해 외측 냉각 유로(162a)를 따라 한바퀴 이동한 후, 외측 냉각 유로(162a)에서 내측 냉각 유로(162b)로 유입된다. 또한 내측 냉각 유로(162b)로 유입된 냉각수는 내측 냉각 유로(162b)를 따라 내측 냉각 유로(162b)를 한바퀴 돈 후, 내측 냉각 유로(162b)의 일부분에 형성된 유출구(164b)로 유출된다. 냉각수의 유입구(164a)와 유출구(164b)는 그 위치를 서로 바꾸어 형성할 수 있다. 또한 냉각 유로는 2 회전하는 나선형으로 구성하였지만, 3 회전 이상의 나선으로 형성이 가능하다.Cooling water flows in from the inlet port 164a, and moves along the outer cooling flow path 162a through the cooling flow path, and then flows into the inner cooling flow path 162b from the outer cooling flow path 162a. In addition, the coolant flowing into the inner cooling passage 162b flows around the inner cooling passage 162b along the inner cooling passage 162b and then flows out to the outlet 164b formed in a portion of the inner cooling passage 162b. The inlet 164a and the outlet 164b of the cooling water may be formed by changing their positions. In addition, although the cooling flow path was comprised by the spiral which rotates two rotations, it can form by three or more rotation spirals.

도 8은 냉각수의 흐름에 따라 온도를 측정한 온도 측정 위치를 나타낸다. 도면을 참조하면, 정전척의 온도는 정전척의 냉각 유로를 따라 9개의 위치에서 각각 측정하였다.8 shows a temperature measurement position where temperature is measured according to the flow of cooling water. Referring to the drawings, the temperature of the electrostatic chuck was measured at nine positions along the cooling flow path of the electrostatic chuck.

시간time 설정온도(℃)Set temperature (℃) 1One 22 33 44 55 66 77 88 99 00 5050 48.348.3 48.248.2 4848 48.348.3 47.847.8 47.347.3 47.447.4 47.647.6 47.647.6 1One 4040 4242 40.940.9 40.840.8 40.740.7 40.740.7 40.740.7 40.440.4 40.440.4 40.440.4 33 3333 3434 3434 3434 3434 3434 33.533.5 33.533.5 33.533.5 33.533.5 55 2929 30.830.8 3030 30.130.1 30.130.1 30.130.1 30.130.1 30.130.1 29.629.6 29.729.7 88 1919 19.319.3 19.319.3 19.319.3 19.319.3 19.319.3 19.319.3 19.219.2 19.219.2 19.219.2 1010 1717 17.817.8 17.417.4 17.317.3 17.317.3 17.317.3 17.317.3 17.317.3 17.217.2 17.217.2 1515 99 1111 1111 10.810.8 10.610.6 10.610.6 10.610.6 10.610.6 10.610.6 10.610.6 2020 44 5.55.5 5.45.4 55 55 55 55 55 55 55

표 1은 도 7에 대한 실험 데이터를 나타낸다. 표에 나타난 바와 같이, 시간에 따라 다양하게 실험하였다. 실험 결과, 시간에 따른 각 부분의 온도는 큰 차이가 없음을 알 수 있다.Table 1 shows the experimental data for FIG. As shown in the table, various experiments were conducted over time. As a result of the experiment, it can be seen that the temperature of each part does not differ significantly with time.

도 9는 냉각수 유로를 구성하여 실험하였을 경우 나타나는 정전척 표면의 온도 분포를 적외선 카메라로 촬영한 것을 나타낸다. 도면에 나타난 바와 같이, 정전 척 표면의 온도 분포는 균일하게 유지되는 것을 알 수 있다.9 shows an image of a temperature distribution of the surface of the electrostatic chuck that appears when the cooling water flow path is configured and tested. As shown in the figure, it can be seen that the temperature distribution on the surface of the electrostatic chuck is kept uniform.

상기에서는 정전척 몸체의 열전달 가스 공급 유로, 세라믹 시트의 열전달 가스 분출 구조 및 정전척 내부의 냉각 유로 구조를 개별적으로 설명하였으나, 이들 각각은 독립적으로 정전척에 적용될 수 있고, 두가지 이상이 다양하게 조합되어 정전척에 적용될 수 있다.In the above, the heat transfer gas supply flow path of the electrostatic chuck body, the heat transfer gas ejection structure of the ceramic sheet, and the cooling flow path structure inside the electrostatic chuck are described separately, but each of them may be independently applied to the electrostatic chuck, and two or more of them may be variously combined. Can be applied to the electrostatic chuck.

다음은 상기의 플라즈마 처리 장치를 이용한 처리 동작에 대해 설명한다. 기판 반입 반출구(115)로부터 기판(110)이 반입되어 정전척(118, 119) 상부면에 장착되면, 배기 장치(113)에 의해 진공 챔버(124) 내부를 감압시킨다. 정전척(118, 119)에 고압 직류 전원(130)으로부터 고전원이 인가되어 기판(110)은 정전력에 의 해 흡착 유지된다. 이어서 열전달 가스 공급원(133)으로부터 소정의 온도 및 유량으로 제어된 열전달 가스가 공급 라인(132)을 거쳐 본 발명에 따른 정전척(118, 119)의 내부 유입구(150)와 외부 유입구(156)로 공급되어, 세라믹 시트(119)에 다수의 가스 분출홀(160)로부터 기판(110)과 정전척(118, 119) 사이의 미소 공간에 균일하게 공급되어 기판(110)은 원하는 온도로 균일하게 조절된다. 또한 진공 챔버(124) 외부의 칠러(128)로부터 냉각수가 정전척(118, 119)의 냉각 유로에 따라 유입되어 정전척(118, 119)을 냉각시킨 후 배출된다. 이후, 상부 전극부(112)에 설치된 샤워 헤드로부터 플라즈마 처리 가스가 도입되고 진공 펌프(124)를 이용하여 진공 챔버(124)를 소정 압력으로 유지한다. 외부로부터 정합된 고주파 전력이 상부 및 하부 전극부(112, 114)에 인가되고 고주파 전력에 의해 진공 챔버(124) 내에 가스가 전리되고, 상부 및 하부 전극부(112, 114) 사이의 공간에서 플라즈마를 발생시킨다. 이러한 고밀도의 플라즈마에 의해 건식 식각 등의 플라즈마 처리를 균일하게 수행한다. 플라즈마 처리가 종료되면 고압 직류 전원 및 고주파 전원(130, 122)으로부터 전력 공급이 정지되고 기판(110)은 반입 반출구(115)를 통해 진공 챔버(124) 외부로 반출된다.The following describes the processing operation using the plasma processing apparatus described above. When the substrate 110 is loaded from the substrate loading / unloading port 115 and mounted on the upper surfaces of the electrostatic chucks 118 and 119, the inside of the vacuum chamber 124 is reduced by the exhaust device 113. High power is applied to the electrostatic chucks 118 and 119 from the high voltage direct current power supply 130 so that the substrate 110 is adsorbed and held by the constant power. The heat transfer gas controlled at a predetermined temperature and flow rate from the heat transfer gas source 133 is then passed through the supply line 132 to the inner inlet 150 and the outer inlet 156 of the electrostatic chucks 118, 119 according to the invention. Supplied to the ceramic sheet 119 from the plurality of gas ejection holes 160 to the microcavities between the substrate 110 and the electrostatic chucks 118 and 119 so that the substrate 110 is uniformly adjusted to a desired temperature. do. In addition, the coolant flows from the chiller 128 outside the vacuum chamber 124 along the cooling passages of the electrostatic chucks 118 and 119 to cool the electrostatic chucks 118 and 119 and then discharges them. Thereafter, the plasma processing gas is introduced from the shower head installed in the upper electrode part 112, and the vacuum chamber 124 is maintained at a predetermined pressure by using the vacuum pump 124. The high frequency power matched from the outside is applied to the upper and lower electrode portions 112 and 114, the gas is ionized in the vacuum chamber 124 by the high frequency power, and the plasma in the space between the upper and lower electrode portions 112 and 114. Generates. By such a high-density plasma, plasma treatment such as dry etching is uniformly performed. When the plasma processing is completed, the power supply is stopped from the high-voltage DC power supply and the high frequency power supply 130 and 122, and the substrate 110 is carried out to the outside of the vacuum chamber 124 through the loading-out port 115.

이상에서는 도면 및 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명은 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to the drawings and embodiments, those skilled in the art that the present invention can be variously modified and changed within the scope without departing from the spirit of the invention described in the claims below. I can understand.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 정전척 및 플라즈마 처리 장치는 열전달 가스가 이동하는 가스 유로를 다양하게 구현하였으며, 정전척에 접착되는 세라믹 시트의 표면에 다양한 형태의 다수의 홀을 형성하고, 정전척 내부의 냉각 유로를 재구성하였다.As described above, the electrostatic chuck and the plasma processing apparatus according to the present invention implement various gas flow paths through which the heat transfer gas moves, and form a plurality of holes of various shapes on the surface of the ceramic sheet adhered to the electrostatic chuck, The cooling passage inside the chuck was rebuilt.

그러므로, 본 발명은 열전달 가스의 흐름을 적절하게 분배하여 공급하므로 열전달 가스를 기판 이면에 균일하게 분포시키고, 기판 중심에서 가장자리까지 균일하게 냉각시킬 수 있는 효과가 있다.Therefore, since the present invention distributes and supplies the flow of the heat transfer gas appropriately, there is an effect that the heat transfer gas can be uniformly distributed on the back surface of the substrate and cooled uniformly from the center to the edge of the substrate.

또한, 개선된 냉각 유로를 통해 냉각수의 접촉 면적을 넓힘으로써 냉각 효율을 높일 수 있다.In addition, the cooling efficiency can be improved by increasing the contact area of the cooling water through the improved cooling passage.

또한, 본 발명은 기판이 대형화 되더라도 균일하게 냉각시킬 수 있고, 이에 의해 식각, 증착 등의 반도체 공정을 기판 내에서 균일하게 진행할 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention can be uniformly cooled even if the substrate is enlarged, thereby the semiconductor process such as etching, deposition, etc. can be uniformly carried out in the substrate.

Claims (8)

몸체와,Body, 상기 몸체의 상부에 마련된 세라믹 시트를 포함하고,It includes a ceramic sheet provided on the upper portion of the body, 상기 세라믹 시트는 다수개가 방사상으로 이격된 환형의 유로와,The ceramic sheet has a plurality of annular passages radially spaced apart, 상기 환형의 유로에 형성되어 있는 가스 분출홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척.And a gas ejection hole formed in said annular flow path. 청구항 1에 있어서, 상기 가스 분출홀은 상기 환형 유로의 바닥면에 관통 형성된 관통홀인 것을 특징으로 하는 정전척.The electrostatic chuck of claim 1, wherein the gas blowing hole is a through hole formed through a bottom surface of the annular flow path. 청구항 2에 있어서, 상기 관통홀은 상부로 연장된 파이프를 더 포함하여 형성된 것을 특징으로 하는 정전척.The electrostatic chuck of claim 2, wherein the through hole further comprises a pipe extending upward. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 몸체는 중앙 부분에 형성된 내측 유입구와, 상기 내측 유입구와 연결된 내측 유로와, 상기 내측 유로의 외측에 그와 연통되지 않고 독립적으로 형성된 외측 유로와, 상기 외측 유로 상에 형성된 외측 유입구를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척.The body according to any one of claims 1 to 3, wherein the body has an inner inlet formed in the central portion, an inner flow passage connected to the inner inlet, and an outer flow passage formed independently without being communicated with the outside of the inner flow passage, And an outer inlet formed on the outer passage. 청구항 4에 있어서, 상기 내측 유로는 복수개가 방사상으로 이격되게 설치되 고, 이는 서로 연통된 것을 특징으로 하는 정전척.The electrostatic chuck of claim 4, wherein the plurality of inner flow paths are radially spaced apart from each other, and are in communication with each other. 청구항 5에 있어서, 상기 외측 유로는 복수개가 방사상으로 이격되게 설치되고, 이는 서로 연통된 것을 특징으로 하는 정전척.The electrostatic chuck of claim 5, wherein the plurality of outer flow paths are radially spaced apart from each other, and the outer flow paths communicate with each other. 청구항 6에 있어서, 상기 내측 및 외측 유입구는 내측 및 외측 유로에 복수개가 형성된 것을 특징으로 하는 정전척.The electrostatic chuck of claim 6, wherein a plurality of inner and outer inlets are formed in the inner and outer passages. 청구항 7에 있어서, 상기 내측 유로 및 외측 유로는 환형인 것을 특징으로 하는 정전척.The electrostatic chuck of claim 7, wherein the inner flow passage and the outer flow passage are annular.
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