JP2005108885A - 薄膜コンデンサおよびコンデンサ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 2つの電極の間に、複数の相転移点を有する誘電体材料からなり、かつ隣合う2つの相転移点の間の温度で使用する誘電体層を設けた薄膜コンデンサとし、特に、前記誘電体材料は、(BaxSr1−x)TiyO1+2y―z(ただし、0.8≦x≦0.9,0.8≦y≦1.2,z<0.3)で表わされること、前記誘電体層を構成する結晶粒子が、直径0.5μm以下の等軸結晶粒子および短軸径が0.5μm以下の柱状結晶粒子うちのいずれか1種以上からなることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
2・・・下部電極層
3・・・薄膜誘電体層
4・・・上部電極層
5・・・絶縁体層
6・・・上部引き出し電極
Claims (4)
- 2つの電極の間に、複数の相転移点を有する誘電体材料からなり、かつ隣合う2つの相転移点の間の温度で使用される誘電体層を設けたことを特徴とする薄膜コンデンサ。
- 前記誘電体材料は、(BaxSr1−x)TiyO1+2y―z(ただし、0.8≦x≦0.9,0.8≦y≦1.2,z<0.3)で表わされることを特徴とする請求項1に記載の薄膜コンデンサ。
- 前記誘電体層は、直径0.5μm以下の等軸結晶粒子および短軸径が0.5μm以下の柱状結晶粒子うちのいずれか1種以上からなることを特徴とする請求項1に記載の薄膜コンデンサ。
- 請求項1に記載の薄膜コンデンサの複数を並列接続してなることを特徴とするコンデンサ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003336267A JP2005108885A (ja) | 2003-09-26 | 2003-09-26 | 薄膜コンデンサおよびコンデンサ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003336267A JP2005108885A (ja) | 2003-09-26 | 2003-09-26 | 薄膜コンデンサおよびコンデンサ装置 |
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JP2005108885A true JP2005108885A (ja) | 2005-04-21 |
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Family Applications (1)
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8143697B2 (en) * | 2006-06-29 | 2012-03-27 | Intel Corporation | Method, apparatus, and system for low temperature deposition and irradiation annealing of thin film capacitor |
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2003
- 2003-09-26 JP JP2003336267A patent/JP2005108885A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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