JP2005107648A - メモリ制御装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 データ転送速度を向上させることが可能なメモリ制御装置を提供する。
【解決手段】 2通りのリフレッシュ周期を設定可能なリフレッシュタイマ1と、前記2通りリフレッシュ周期にそれぞれ対応したリフレッシュ要求信号(REQ_Ref_L信号およびREQ_Ref_H信号)を発生するリフレッシュリクエスト生成部2と、アプリケーションによるメモリアクセス要求信号(REQ_APLI(0)およびREQ_APLI(1))や前記リフレッシュ要求信号の中から予め設定した優先順位に基づき最も優先順位が高い要求信号を選択するアービタ部3とを設け、前記アービタ部3においては、前記2つのリフレッシュ要求信号の内の一方を前記メモリアクセス要求信号よりも高い優先順位に設定し、他方を前記メモリアクセス要求信号よりも低い優先順位に設定しておく。
【選択図】 図1
【解決手段】 2通りのリフレッシュ周期を設定可能なリフレッシュタイマ1と、前記2通りリフレッシュ周期にそれぞれ対応したリフレッシュ要求信号(REQ_Ref_L信号およびREQ_Ref_H信号)を発生するリフレッシュリクエスト生成部2と、アプリケーションによるメモリアクセス要求信号(REQ_APLI(0)およびREQ_APLI(1))や前記リフレッシュ要求信号の中から予め設定した優先順位に基づき最も優先順位が高い要求信号を選択するアービタ部3とを設け、前記アービタ部3においては、前記2つのリフレッシュ要求信号の内の一方を前記メモリアクセス要求信号よりも高い優先順位に設定し、他方を前記メモリアクセス要求信号よりも低い優先順位に設定しておく。
【選択図】 図1
Description
本発明は、メモリ制御装置に関し、特に、DRAM(Dynamic Random Access Memory)等の制御を行うメモリ制御装置に適用して有効な技術に関するものである。
本発明者が検討したところによれば、メモリ制御装置に関しては、以下のような技術が考えられる。
例えば、DRAM(SDRAM、DDR−SDRAM等を含む。)などを制御するメモリ制御装置では、各種アプリケーションからのメモリアクセス要求や一定時間毎に発生するリフレッシュ要求などを調停し、その調停によって選択された要求をメモリに実行させている。そして、このメモリに対する各種要求を調停する際、通常、リフレッシュ要求は最も優先順位が高い要求とされる。これによって、リフレッシュ要求が発生した際は、現在行っているメモリ動作に割り込んでリフレッシュ動作が行われる。
ところで、前記のようなメモリ制御装置の技術について、本発明者が検討した結果、以下のようなことが明らかとなった。
近年、メモリのデータ転送速度の向上に伴い、メモリ自体の性能のみならず、そのメモリを効率よく動作させることも重要となってくる。このような中、DRAMなどを制御するメモリ制御装置は、背景技術で述べたように、リフレッシュ要求を最優先で実行している。このため、リフレッシュ要求によってアプリケーションなどによるメモリアクセスが中断され、データ転送速度の低下を招く場合が有り得た。
ところで、アプリケーションなどによるメモリアクセスは、通常、常に絶え間無く行われている訳ではなく、所々にメモリアクセスが行われていない期間(所謂IDLE期間)が存在している。このIDLE期間を利用してリフレッシュ動作を行うことができれば、メモリを効率よく動作させることができる。
そこで、本発明の目的は、データ転送速度を向上させることが可能なメモリ制御装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
本発明によるメモリ制御装置は、予め設定した複数のリフレッシュ周期に対応して、メモリに対して複数のリフレッシュ要求信号を発生する手段と、前記複数のリフレッシュ要求信号やアプリケーションによるメモリアクセス要求信号を含む各種要求信号の中から、実際に前記メモリに実行させる動作を、予め設定した優先順位に基づき選択する手段とを有し、前記選択する手段において優先順位を予め設定する際には、前記複数のリフレッシュ要求信号の内、少なくとも一つのリフレッシュ要求信号が前記メモリアクセス要求信号より低い優先順位に設定され、他の少なくとも一つのリフレッシュ要求信号が前記メモリアクセス要求信号より高い優先順位に設定されるものである。
これによって、前記メモリアクセス要求信号を可能な限り優先して選択するように、前記リフレッシュ要求信号の優先順位を動的に変更することが可能になる。
そして、前記リフレッシュ要求信号を発生する手段は、例えば、第1のリフレッシュ周期とそれよりも長い周期の第2のリフレッシュ周期を設定してカウントを行い、前記カウントの値が前記第1のリフレッシュ周期に達した場合には第1のタイマ信号を発生し、前記カウントの値が前記第2のリフレッシュ周期に達した場合には第2のタイマ信号を発生する手段と、前記第1のタイマ信号に対応して第1のリフレッシュ要求信号を発生する手段と、前記第2のタイマ信号に対応して第2のリフレッシュ要求信号を発生する手段とを有し、前記選択する手段において優先順位を予め設定する際には、前記第1のリフレッシュ要求信号が前記メモリアクセス要求信号より低い優先順位に設定され、前記第2のリフレッシュ要求信号が前記メモリアクセス要求信号より高い優先順位に設定されるものである。
これによって、前記第1のリフレッシュ要求信号の発生から前記第2のリフレッシュ要求信号の発生までの期間において、前記メモリアクセス要求信号によるメモリアクセスが発生しない箇所でリフレッシュ動作を行うことが可能になる。
また、前記第1のリフレッシュ要求信号を発生する手段は、例えば、前記第1のタイマ信号が発生した場合に前記第1のリフレッシュ要求信号を発生する機能を有するものである。そして、前記第2のリフレッシュ要求信号を発生する手段は、前記第1のリフレッシュ要求信号が前記選択する手段において保留された状態で前記第2のタイマ信号が発生した場合に、前記第2のリフレッシュ要求信号を発生する機能と、前記第1のリフレッシュ要求信号が前記選択する手段において保留されていない状態で前記第2のタイマ信号が発生した場合に、前記第2のリフレッシュ要求信号を発生しない機能とを有するものである。
これによって、前記第1のリフレッシュ要求信号によってリフレッシュ動作が行われなかった場合に限って、前記第2のリフレッシュ要求信号によりリフレッシュ動作を行うことが可能になる。
そして、前記タイマ信号を発生する手段は、前記第1のリフレッシュ周期を設定してカウントを行う第1のカウンタ回路と、前記第2のリフレッシュ周期を設定してカウントを行う第2のカウンタ回路と、前記第2のカウンタ回路が前記第2のリフレッシュ周期に達した場合に、前記第1のカウンタ回路と前記第2のカウンタ回路をリセットし、それぞれを再カウントする機能とを有するものである。
これによって、前記メモリに対するリフレッシュ周期の設定を、前記第2のリフレッシュ周期としながら、その個々のリフレッシュ動作を、できる限り前記アプリケーションによるメモリアクセスがない箇所で行うことが可能になる。
また、これまでに説明したようなメモリ制御装置は、さらに、前記第1のリフレッシュ要求信号が前記選択する手段において保留された状態で前記第1のタイマ信号が発生した場合をカウントする手段と、前記選択する手段において、前記第1のリフレッシュ要求信号または前記第2のリフレッシュ要求信号が選択された場合に、前記カウントする手段でカウントした回数に基づいて複数回のリフレッシュ動作を行う手段とを有するものである。
これによって、一定期間で一定回数のリフレッシュ動作を行わせることができる。また、前記第2のリフレッシュ周期内で前記第1のリフレッシュ周期が複数回循環できるような設定においても、リフレッシュ動作の回数を保証することができる。
複数のリフレッシュ要求信号を備え、その中の少なくとも一つのリフレッシュ要求信号の優先順位をアプリケーションなどによるメモリアクセス要求信号より低く設定することで、データ転送速度を向上させることが可能になる。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
図1は、本発明の一実施の形態のメモリ制御装置において、その構成の一例を示すブロック図である。図1に示すメモリ制御装置は、例えば、リフレッシュタイマ1と、リフレッシュレクエスト生成部2と、アービタ部3などから構成される。なお、図1には明示していないが、実際にはメモリに入出力動作などを行わせるメモリコントローラ部なども含んでいる。
リフレッシュタイマ1は、例えば、2つのカウンタ回路(第1のカウンタ回路、第2のカウンタ回路)を有し、これによって2通りのリフレッシュ周期を設定することができる。そして、前記それぞれのカウンタ回路の値が、設定した一方のリフレッシュ周期(第1のリフレッシュ周期)に達した場合にTIMER(10)信号(第1のタイマ信号)を発生し、設定した他方のリフレッシュ周期(第2のリフレッシュ周期)に達した場合にTIMER(11)(第2のタイマ信号)を発生する。なお、これら2つのカウンタ回路は、例えば、TIMER(11)信号に設定したリフレッシュ周期(第2のリフレッシュ周期)の方が長いものとして、TIMER(11)信号が発生した際に同時にリセットされ、再カウントが行われるものとする。
リフレッシュレクエスト生成部2は、前記TIMER(10)信号およびTIMER(11)信号の発生を受けて、それぞれに対応したリフレッシュ要求信号であるREQ_Ref_L信号(第1のリフレッシュ要求信号)およびREQ_Ref_H信号(第2のリフレッシュ要求信号)を発生し、アービタ部3に対して出力する。また、アービタ部3において、前記REQ_Ref_L信号およびREQ_Ref_H信号にそれぞれ対応したリフレッシュ受付信号であるGNT_Ref_L信号およびGNT_Ref_H信号が発生した場合、これらの信号が入力される。
なお、図1には明示していないが、リフレッシュレクエスト生成部2は、前記GNT_Ref_L信号またはGNT_Ref_H信号の発生を受けて、前記メモリコントローラ部に対してリフレッシュ命令を発生する。これにより、前記メモリコントローラ部はメモリに対して波形を入力し、リフレッシュ動作が行なわれる。
アービタ部3は、例えば、メモリに対して発生した各種要求信号を、予め設定した優先順位に基づいて調停する機能などを有する。図1において、このアービタ部3には、前記REQ_Ref_L信号およびREQ_Ref_H信号に加えて、例えば、2種類のアプリケーションからのメモリアクセス要求信号であるREQ_APLI(0)信号およびREQ_APLI(1)信号が入力される。そして、これらの信号の中から、予め設定した優先順位に基づいて最も優先順位が高い信号を選択し、その信号に対応した受付信号を発生する。
すなわち、前記REQ_APLI(0)信号およびREQ_APLI(1)信号にそれぞれ対応したメモリアクセス受付信号であるGNT_APLI(0)信号およびGNT_APLI(1)信号と、前記GNT_Ref_L信号およびGNT_Ref_H信号の中からいずれか1つの受付信号を発生する。なお、前記GNT_APLI(0)信号およびGNT_APLI(1)信号は、前記メモリコントローラ部に入力され、これによってRead/Writeなどといった実際のメモリアクセスが行われる。
このようなメモリ制御装置の構成において、本発明の前提となる従来のメモリ制御装置は、例えば前記図1におけるリフレッシュタイマ1が1通りのリフレッシュ周期しか設定できないようなものであった。したがって、これに伴うリフレッシュ要求信号やリフレッシュ受付信号もそれぞれ1つずつとなる。この場合において、アービタ部3でリフレッシュ要求信号の発生を受けた際、この信号が最も優先順位が高く設定されているため、前記REQ_APLI(0)信号およびREQ_APLI(1)信号などが発生していても、これらに先立ってリフレッシュ要求が受け付けられる。
すなわち、図2に示すような動作波形となる。図2は、本発明の前提となる従来のメモリ制御装置において、その動作の一例を示す波形図である。図2においては、例えば、前記図1の構成を例として、アプリケーションによるメモリアクセス要求信号であるREQ_APLI(0)、(1)信号が発生している最中に、リフレッシュタイマ1がTIMER信号を発生し、これに伴いリフレッシュリクエスト生成部2がリフレッシュ要求信号であるREQ_Ref信号が発生した場合でのアービタ部3の調停動作を示している。
ここで、アービタ部3における優先順位の設定は、例えば図3のように行われている。図3では、REQ_Ref信号が最も優先順位が高く、その下位にREQ_APLI(0)信号とREQ_APLI(1)信号が同一の優先順位に割り当てられている。このREQ_APLI(0)信号とREQ_APLI(1)信号間の優先順位は、ラウンドロビンで動的に変更されるものとする。なお、リフレッシュ周期は、例えばメモリのスペック値である16μsecに設定したものとする。
このような設定において、図2では、信号が発生した際を‘H’レベルとして、REQ_Ref信号が発生したタイミングでREQ_APLI(0)信号やREQ_APLI(1)信号も発生しているが、最初にREQ_Ref信号が選択され、GNT_Ref信号が発生している。ところが、その直後には、REQ_APLI(0)信号やREQ_APLI(1)信号によるメモリアクセスが発生していない期間であるIDLE期間が存在している。つまり、この期間を利用してリフレッシュ動作を行えばデータ転送が効率化され、データ転送速度が向上する。
一方、前記図1に示した本発明の一実施の形態のメモリ制御装置では、前述したように、TIMER(10)信号およびTIMER(11)信号に対応する2通りのリフレッシュ周期を設定することができる。そして、これに伴いアービタ部3に対して、2通りのリフレッシュ要求信号(REQ_Ref_L信号、REQ_Ref_H信号)を入力することができる。
そこで、アービタ部3での優先順位の設定を、例えば図4のように行う。図4は、本発明の一実施の形態のメモリ制御装置において、アービタ部での優先順位設定方法の一例を示す説明図である。図4においては、最も高い優先順位にREQ_Ref_H信号(第2のリフレッシュ要求信号)を設定し、次いで2番目の優先順位にREQ_APLI(0)信号およびREQ_APLI(1)信号、3番目の優先順位にREQ_Ref_L信号(第1のリフレッシュ要求信号)を設定している。
ここで、REQ_Ref_H信号は、TIMER(11)信号に対応するが、このTIMER(11)信号のリフレッシュ周期(第2のリフレッシュ周期)の設定は、例えば、メモリのリフレッシュ周期のスペック値である16μsecなどとする。そして、REQ_Ref_L信号は、TIMER(10)信号に対応するが、このTIMER(10)信号のリフレッシュ周期(第1のリフレッシュ周期)の設定は、前記TIMER(11)信号のリフレッシュ周期より短い周期として、仮に12μsecなどとする。
このような設定によって、図1のメモリ制御装置を動作させた場合、図5および図6に示すような動作となる。図5は、本発明の一実施の形態のメモリ制御装置において、その動作の一例を示す波形図である。図6は、本発明の一実施の形態のメモリ制御装置において、図5とは異なる動作の一例を示す波形図である。
まずは図5において、例えばt=12μsecで図1のリフレッシュタイマ1によってTIMER(10)信号が発生する。これによって、リフレッシュレクエスト生成部2が、REQ_Ref_L信号を発生する。ところが、このREQ_Ref_L信号が発生したタイミングでは、REQ_APLI(0)信号およびREQ_APLI(1)信号も発生している。
アービタ部3では、このREQ_Ref_L信号の優先順位が低く設定されているので、REQ_Ref_L信号は、保留されたまま継続して発生している。このREQ_Ref_L信号が保留されている期間(期間10)は、REQ_APLI(0)信号またはREQ_APLI(1)信号が受け付けられ、GNT_APLI(0)信号またはGNT_APLI(1)信号が発生している。そして、後にアプリケーションによるメモリアクセスが無いIDLE期間が存在しているため、ここで保留されていたREQ_Ref_L信号が受け付けられる。これによって、GNT_Ref_L信号が発生し、REQ_Ref_L信号が‘L’に立ち下がる。そして、このGNT_Ref_L信号によって、メモリ内ではリフレッシュ動作が実行される。
なお、このGNT_Ref_L信号によりリフレッシュ動作を行うことができるので、その後に発生しているTIMER(11)信号からはREQ_Ref_H信号を発生させていない。これは、例えば、リフレッシュリクエスト生成部2において、REQ_Ref_L信号(第1のリフレッシュ要求信号)が発生していない間(アービタ部3で保留されていない状態中)にTIMER(11)信号(第2のタイマ信号)が発生した場合は、REQ_Ref_H信号(第2のリフレッシュ要求信号)を発生せず、逆にREQ_Ref_L信号が発生している間にTIMER(11)信号が発生した場合は、REQ_Ref_H信号を発生し、REQ_Ref_L信号を‘L’に立ち下げるなどの機能を備えればよい。
つぎに図6においては、前記図5と同様に、例えばt=12μsecでTIMER(10)信号が発生し、これによってREQ_Ref_L信号が発生している。ところが、このREQ_Ref_L信号が発生したタイミングでは、REQ_APLI(0)信号およびREQ_APLI(1)信号も発生しているため、このREQ_Ref_L信号は保留されたまま継続して発生している。
そして、ここでは、前記図5と異なりREQ_APLI(0)信号またはREQ_APLI(1)信号によるメモリアクセスが一定期間(期間11)継続して発生しており、これによってREQ_Ref_L信号が保留されている間に、例えばt=16μsecでTIMER(11)信号が発生している。そして、このREQ_Ref_L信号が発生している間でのTIMER(11)信号の発生によって、リフレッシュリクエスト生成部2は、REQ_Ref_H信号を発生し、REQ_Ref_L信号を‘L’に立ち下げる。
ここで、このREQ_Ref_H信号は、最も優先順位が高く設定されているため、アービタ部3では、この信号が再優先で選択される。これによって、GNT_Ref_H信号が発生し、メモリ内でリフレッシュ動作が実行される。
以上のように図1に示したメモリ制御装置を用い、リフレッシュの優先順位を動的に変更することで、TIMER(10)信号の発生時点(例えばt=12μsec)から、TIMER(11)信号の発生時点(例えばt=16μsec)までの期間で、TIMER(10)信号の発生時点を始点にメモリアクセスがないIDLE期間を探し、IDLE期間が存在した場合には、そこでリフレッシュ動作を行うことが可能になる。また、TIMER(11)信号のリフレッシュ周期を例えばメモリのスペック値などにすることで、IDLE期間の有無に関わらず、1回/16μsecのリフレッシュ動作を行うことができる。
したがって、メモリのリフレッシュ規格を保ちながら、従来技術で問題となったリフレッシュ要求によってアプリケーションなどのデータ転送が中断される頻度を少なくすることができ、これによってデータ転送速度を向上させることができる。
なお、前述した図1の構成においては、TIMER(11)に設定した値でメモリのリフレッシュ規格を保証しながら、IDLE期間を探してリフレッシュ動作を行う例を示したが、例えば、前記16μsecより長いある一定の期間で一定回数のリフレッシュ動作を行うことによって、リフレッシュ規格を保証することもできる。この場合の構成の一例を図7に示す。
図7は、本発明の一実施の形態のメモリ制御装置において、図1を変形した構成の一例を示すブロック図である。図7に示すメモリ制御装置は、例えば、前記図1に示した構成に加えて、リフレッシュレクエスト生成部2にリフレッシュ保留カウンタ4が追加された構成となっている。
前記リフレッシュ保留カウンタ4は、例えば、前記TIMER(10)信号によるREQ_Ref_L信号(第1のリフレッシュ要求信号)がアービタ部3で保留されている間に再びTIMER(10)信号(第1のタイマ信号)が発生した場合に、これを検知し、その都度カウントアップを行う機能などを備えている。すなわち、保留されたリフレッシュの回数をカウントすることができる。
そして、ここでは、TIMER(10)信号のリフレッシュ周期を、例えば14μsecとし、TIMER(11)信号のリフレッシュ周期を、例えば48μsecとする。また、TIMER(10)信号よるREQ_Ref_L信号は、前記図1の場合と同様、アプリケーションなどによるメモリアクセス要求信号よりも優先順位が低く設定され、TIMER(11)信号よるREQ_Ref_H信号は、前記メモリアクセス要求信号よりも優先順位が高く設定されるものとする。
このような設定において、リフレッシュレクエスト生成部2では、アービタ部3でリフレッシュ要求信号(REQ_Ref_L信号またはREQ_Ref_H信号)が選択された場合に、前記リフレッシュ保留カウンタ4に蓄えられた値に基づいて複数回のリフレッシュ命令を発生する。
すなわち、例えばTIMER(10)によってt=14μsecで発生したREQ_Ref_L信号が前記メモリアクセス要求信号によって保留され、そのままt=28μsecに達した場合を想定する。このt=28μsecでは、再びTIMER(10)信号が発生するため、前記リフレッシュ保留カウンタ4をカウントアップする。
その後、t=42μsecに達するまでの間に、REQ_Ref_L信号がアービタ部3によって受け付けられた際には、それによるリフレッシュ動作に加えて前記リフレッシュ保留カウンタ4に蓄えられた1回を加算して計2回のリフレッシュ命令を連続して発生し、これによってリフレッシュ動作が行なわれる。そして、リフレッシュ保留カウンタ4をリセットする。
一方、t=42μsecに達するまでの間に、REQ_Ref_L信号がアービタ部3によって受け付けられなかった際には、t=42μsecで再びTIMER(10)信号が発生するため、前記リフレッシュ保留カウンタ4を再びカウントアップする。
さらに、その後、t=48μsecに達するまでの間に、REQ_Ref_L信号がアービタ部3によって受け付けられた際には、それによるリフレッシュ動作に加えて前記リフレッシュ保留カウンタ4に蓄えられた2回を加算し、計3回のリフレッシュ動作が連続して行なわれる。そして、リフレッシュ保留カウンタ4をリセットする。
一方、t=48μsecに達するまでの間に、REQ_Ref_L信号がアービタ部3によって受け付けられなかった際には、t=48μsecでTIMER(11)信号が発生する。そうすると、REQ_Ref_H信号が出力され、それによるリフレッシュ動作と前記リフレッシュ保留カウンタ4に蓄えられた値による計3回のリフレッシュ動作が最優先で行なわれる。
したがって、3回/48μsec(=1回/16μsec)といったリフレッシュ規格を保証しつつ、IDLE期間を探しながらリフレッシュ動作を行うことが可能になる。
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
例えば、図1などでの2つのカウンタ回路を有するリフレッシュタイマ1の動作は、その用途に応じて様々な動作方法が考えられる。その一例として、リフレッシュ動作が発生する度に2つのカウンタ回路を同時にリセットし、再カウントさせるような動作なども挙げられる。つまり、リフレッシュタイマ1に対して、例えばGNT_Ref_L信号とGNT_Ref_H信号のOR出力などを入力し、これによって2つのカウンタ回路のリセットと再カウントを行うような構成にする。
この構成によれば、例えば、リフレッシュ周期にある程度のマージンを持たせたいような場合などで、そのリフレッシュ周期をTIMER(10)に、リフレッシュ周期のスペック値をTIMER(11)に割り当てる。そうすると、通常はTIMER(10)に近いリフレッシュ周期でIDLE期間を探しながらリフレッシュ動作を行い、IDLE期間がなかった場合でもスペック内でリフレッシュ動作を行うようなことが可能になる。
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
(1)アプリケーションなどによるメモリアクセス要求信号より高い優先順位を持つリフレッシュ要求信号と、前記メモリアクセス要求信号より低い優先順位を持つリフレッシュ要求信号とを備えることで、アプリケーションなどによるメモリアクセスを可能な限り優先して行うように、リフレッシュ要求の優先順位を動的に変更することが可能になる。
(2)前記(1)において、前記メモリアクセス要求信号より高い優先順位を持つリフレッシュ要求信号をメモリのリフレッシュ周期のスペック値で発生させ、前記メモリアクセス要求信号より低い優先順位を持つリフレッシュ要求信号を前記スペック値より短い周期で発生させることで、メモリのリフレッシュ規格を保証しながら、前記アプリケーションなどによるメモリアクセスがない箇所でリフレッシュ動作を行うことができる。
(3)リフレッシュ保留カウンタを設けることで、一定期間で一定回数のリフレッシュ動作をアプリケーションなどによるメモリアクセスがない箇所で行わせることができる。そして、これによってもリフレッシュ規格を保証することができる。
(4)前記(1)〜(3)によって、アプリケーションなどによるメモリアクセスがリフレッシュ動作によって中断される頻度を低減でき、データ転送速度を向上させることが可能になる。
1 リフレッシュタイマ
2 リフレッシュリクエスト生成部
3 アービタ部
4 リフレッシュ保留カウンタ
2 リフレッシュリクエスト生成部
3 アービタ部
4 リフレッシュ保留カウンタ
Claims (5)
- 予め設定した複数のリフレッシュ周期に対応して、メモリに対して複数のリフレッシュ要求信号を発生する手段と、
前記複数のリフレッシュ要求信号やアプリケーションによるメモリアクセス要求信号を含む各種要求信号の中から、実際に前記メモリに実行させる動作を、予め設定した優先順位に基づき選択する手段とを有し、
前記選択する手段において優先順位を予め設定する際には、前記複数のリフレッシュ要求信号の内、少なくとも一つのリフレッシュ要求信号が前記メモリアクセス要求信号より低い優先順位に設定され、他の少なくとも一つのリフレッシュ要求信号が前記メモリアクセス要求信号より高い優先順位に設定されることを特徴とするメモリ制御装置。 - 請求項1記載のメモリ制御装置において、
前記リフレッシュ要求信号を発生する手段は、
第1のリフレッシュ周期とそれよりも長い周期の第2のリフレッシュ周期を設定してカウントを行い、前記カウントの値が前記第1のリフレッシュ周期に達した場合には第1のタイマ信号を発生し、前記カウントの値が前記第2のリフレッシュ周期に達した場合には第2のタイマ信号を発生する手段と、
前記第1のタイマ信号に対応して第1のリフレッシュ要求信号を発生する手段と、
前記第2のタイマ信号に対応して第2のリフレッシュ要求信号を発生する手段とを有し、
前記選択する手段において優先順位を予め設定する際には、前記第1のリフレッシュ要求信号が前記メモリアクセス要求信号より低い優先順位に設定され、前記第2のリフレッシュ要求信号が前記メモリアクセス要求信号より高い優先順位に設定されることを特徴とするメモリ制御装置。 - 請求項2記載のメモリ制御装置において、
前記第1のリフレッシュ要求信号を発生する手段は、
前記第1のタイマ信号が発生した場合に前記第1のリフレッシュ要求信号を発生する機能を有し、
前記第2のリフレッシュ要求信号を発生する手段は、
前記第1のリフレッシュ要求信号が前記選択する手段において保留された状態で前記第2のタイマ信号が発生した場合に、前記第2のリフレッシュ要求信号を発生する機能と、
前記第1のリフレッシュ要求信号が前記選択する手段において保留されていない状態で前記第2のタイマ信号が発生した場合に、前記第2のリフレッシュ要求信号を発生しない機能とを有することを特徴とするメモリ制御装置。 - 請求項2または3記載のメモリ制御装置において、
前記タイマ信号を発生する手段は、
前記第1のリフレッシュ周期を設定してカウントを行う第1のカウンタ回路と、
前記第2のリフレッシュ周期を設定してカウントを行う第2のカウンタ回路と、
前記第2のカウンタ回路が前記第2のリフレッシュ周期に達した場合に、前記第1のカウンタ回路と前記第2のカウンタ回路をリセットし、それぞれを再カウントする機能とを有することを特徴とするメモリ制御装置。 - 請求項2〜4のいずれか1項記載のメモリ制御装置において、
さらに、前記第1のリフレッシュ要求信号が前記選択する手段において保留された状態で前記第1のタイマ信号が発生した場合をカウントする手段と、
前記選択する手段において、前記第1のリフレッシュ要求信号または前記第2のリフレッシュ要求信号が選択された場合に、前記カウントする手段でカウントした回数に基づいて複数回のリフレッシュ動作を行う手段とを有することを特徴とするメモリ制御装置。
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