JP2005100750A

JP2005100750A - Organic electroluminescent device and electronic equipment

Info

Publication number: JP2005100750A
Application number: JP2003331670A
Authority: JP
Inventors: Tsukasa Ota; 司大田
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2003-09-24
Filing date: 2003-09-24
Publication date: 2005-04-14

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL device having extended the element lifetime by preventing deterioration of a positive electrode. <P>SOLUTION: In the organic EL device 1 in which a positive electrode 111, a hole injecting layer 110a, a luminous layer 110b, and a negative electrode 12 are laminated in the order on a substrate 2, a corrosion prevention layer 115 for preventing corrosion of the above positive electrode 111 by a hole injecting layer forming material is installed between the positive electrode 111 and the hole injecting layer 110a. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置及びこの有機エレクトロルミネッセンス装置を備えた電子機器に関するものである。 The present invention relates to an organic electroluminescence device and an electronic apparatus including the organic electroluminescence device.

近年、表示装置の分野では、薄型・軽量で視認性のよい有機エレクトロルミネッセンス装置（以下、有機ＥＬ装置という）の研究開発が行なわれている。この有機ＥＬ装置は、発光層を陽極及び陰極によって挟持した発光素子を画像表示領域内に複数配置してなるものであり、これら発光素子の駆動がＴＦＴ等のスイッチング素子によって制御されることで、所望の画像が表示される。
このような有機ＥＬ装置では、表示性能向上のために、発光材料等の面において様々な改良が行なわれている（例えば特許文献１〜５参照）。
特開２００３−１０９７７２号公報特開２００２−１７０６７１号公報特開２０００−６８０７３号公報特開平１１−１５４５９６号公報特開２００２−３４３５６８号公報特開２００１−７６８８０号公報 In recent years, in the field of display devices, research and development have been conducted on organic electroluminescence devices (hereinafter referred to as organic EL devices) that are thin, lightweight, and have good visibility. In this organic EL device, a plurality of light emitting elements each having a light emitting layer sandwiched between an anode and a cathode are arranged in an image display region, and driving of these light emitting elements is controlled by a switching element such as a TFT. A desired image is displayed.
In such an organic EL device, various improvements have been made in terms of light emitting materials and the like in order to improve display performance (see, for example, Patent Documents 1 to 5).
JP 2003-109772 A JP 2002-170671 A JP 2000-68073 A JP-A-11-154596 JP 2002-343568 A JP 2001-76880 A

ところで、特許文献６で開示されるようなウェットプロセスにより作製された有機ＥＬ装置では、陽極から発光層への正孔注入効率を上げるために、陽極と発光層との間にＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）やＰＡＮＩ（ポリアニリン）等の共役系高分子からなる正孔注入層を設ける場合がある。
しかし、このように正孔注入層を導入したものでは、これを導入しないものに比べて、素子が劣化され易く、寿命の面で課題があった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、素子の劣化を防止して長寿命化を図ることのできる有機ＥＬ装置、及びこの有機ＥＬ装置を備えた電子機器を提供することを目的とする。 By the way, in the organic EL device manufactured by the wet process as disclosed in Patent Document 6, in order to increase the hole injection efficiency from the anode to the light emitting layer, PEDOT (polyethylenedioxy) is interposed between the anode and the light emitting layer. In some cases, a hole injection layer made of a conjugated polymer such as thiophene) or PANI (polyaniline) is provided.
However, in the case where the hole injection layer is introduced as described above, the device is easily deteriorated as compared with the case where the hole injection layer is not introduced, and there is a problem in terms of lifetime.
The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide an organic EL device capable of preventing deterioration of elements and extending its life, and an electronic apparatus including the organic EL device. And

本発明者は、このような素子の劣化原因について、正孔注入層内に導入されるドープ材に着目した。つまり、上述の構造では、通常、陽極界面との導通性を高め素子駆動電圧を下げるために、共役系高分子には例えばＰＳＳ（ポリスチレンスルフォン酸）やＣＳＡ（カンファスルフォン酸）等の強酸性のアクセプタ分子をドープする必要がある。このようなドープ材は、上記共役系高分子と共に分散媒中に分散され、陽極上に塗布・焼成されるが、この際、陽極が腐食されると考えられる。 The inventor paid attention to the doping material introduced into the hole injection layer for the cause of the deterioration of the element. In other words, in the above-described structure, in order to increase the conductivity with the anode interface and decrease the element driving voltage, the conjugated polymer usually has a strong acidity such as PSS (polystyrene sulfonic acid) or CSA (campasulfonic acid). It is necessary to dope the acceptor molecule. Such a dope material is dispersed in a dispersion medium together with the conjugated polymer, and is applied and baked on the anode. At this time, it is considered that the anode is corroded.

そこで、本発明者は、このような陽極の腐食を防止するために、以下の構成を採用した。すなわち、上記の課題を解決するため、本発明の有機ＥＬ装置は、基板上に陽極，正孔注入層、発光層，陰極を順に積層してなる有機エレクトロルミネッセンス装置であって、上記陽極と正孔注入層との間に、該正孔注入層を構成する正孔注入層形成材料による上記陽極の腐食を防止するための腐食防止層が設けられたことを特徴とする。
本構成によれば、陽極上に腐食防止層が設けられているため、正孔注入層を形成する際に、そのドープ材によって陽極が腐食されることはない。このため、装置の長寿命化を図ることができる。 Therefore, the present inventor has adopted the following configuration in order to prevent such corrosion of the anode. That is, in order to solve the above problems, the organic EL device of the present invention is an organic electroluminescence device in which an anode, a hole injection layer, a light emitting layer, and a cathode are sequentially laminated on a substrate. A corrosion prevention layer for preventing corrosion of the anode by the hole injection layer forming material constituting the hole injection layer is provided between the hole injection layer and the hole injection layer.
According to this configuration, since the corrosion prevention layer is provided on the anode, the anode is not corroded by the doping material when the hole injection layer is formed. For this reason, the lifetime of the apparatus can be extended.

このような腐食防止性能を有する材料（即ち、腐食防止層の形成材料）としては、例えば、ＡｕやＰｔ等の貴金属、Ａｌ_２Ｏ_３，ＳｉＯ_ｘ等の酸化物、ＳＩＮ_ｘ等の窒化物、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ等の酸窒化物、或いは、トリフェニルアミン含有ポリエーテルケトン等の正孔輸送性を有する高分子等を挙げることができる。このような材料が腐食防止層に少なくとも1種類以上含まれることで、上述の効果が得られる。
なお、腐食防止層が貴金属を含む構成である場合には、その層厚は１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とすることが好ましい。層厚が１００ｎｍよりも厚くなると、正孔注入／輸送性能が損なわれる虞があり、層厚が１０ｎｍよりも薄いと十分な腐食防止性能が得られない。 Examples of the material having such corrosion prevention performance (that is, a material for forming a corrosion prevention layer) include, for example, noble metals such as Au and Pt, oxides such as Al ₂ O ₃ and SiO _x , nitrides such as SIN _x , Examples thereof include oxynitrides such as SiO _x N _y or polymers having hole transport properties such as triphenylamine-containing polyether ketone. By including at least one kind of such a material in the corrosion prevention layer, the above-described effect can be obtained.
In addition, when the corrosion prevention layer is a structure containing a noble metal, it is preferable that the layer thickness shall be 10 nm or more and 100 nm or less. If the layer thickness is greater than 100 nm, the hole injection / transport performance may be impaired. If the layer thickness is less than 10 nm, sufficient corrosion prevention performance cannot be obtained.

また、腐食防止層が酸化物，窒化物，酸窒化物のいずれかを含む構成である場合には、その層厚は１ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることが好ましい。これらの材料は酸等に対する耐久性が高いため、上述のように腐食防止層を貴金属で構成する場合に比べて、層厚を１ｎｍ程度にまで薄くすることができる。逆に、層厚が厚くなると内部応力によりクラックが生じる虞があるため、許容される最大層厚は上記貴金属の場合に比べて薄く（即ち、３０ｎｍ以下）する必要がある。
また、腐食防止層が正孔輸送性を有する高分子を含む構成である場合、このような高分子は架橋構造を有することが好ましく、これにより、より高い腐食防止性能を発揮することができる。 In addition, when the corrosion prevention layer is configured to include any of oxide, nitride, and oxynitride, the layer thickness is preferably 1 nm or more and 30 nm or less. Since these materials have high durability against acids and the like, the layer thickness can be reduced to about 1 nm as compared with the case where the corrosion prevention layer is made of a noble metal as described above. On the contrary, when the layer thickness is increased, cracks may occur due to internal stress, and therefore the allowable maximum layer thickness must be thinner (that is, 30 nm or less) than that of the noble metal.
Further, when the corrosion prevention layer has a structure containing a polymer having a hole transporting property, such a polymer preferably has a cross-linked structure, and thereby, higher corrosion prevention performance can be exhibited.

また、本発明の電子機器は上述の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする。これにより、高輝度で信頼性の高い表示部を備えた電子機器を提供することができる。 In addition, an electronic device according to the present invention includes the above-described organic electroluminescence device. Accordingly, an electronic device including a display portion with high luminance and high reliability can be provided.

以下、図１〜図１４を参照しながら、本発明の有機ＥＬ装置とその製造方法、並びに電子機器に係る実施の形態を説明する。なお、図１〜図１４において、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材に縮尺は実際のものとは異なるように表している。
図１は本実施形態の有機ＥＬ装置の配線構造を示す模式図、図２は本実施形態の有機ＥＬ装置の構造を示す図であり、図２（ａ）は同平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。 Hereinafter, embodiments of the organic EL device, the manufacturing method thereof, and the electronic apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 14, the scales of the layers and the members are shown to be different from the actual scales so that the layers and the members can be recognized on the drawings.
FIG. 1 is a schematic diagram showing the wiring structure of the organic EL device of this embodiment, FIG. 2 is a diagram showing the structure of the organic EL device of this embodiment, FIG. 2A is a plan view thereof, and FIG. ) Is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.

この有機ＥＬ装置１は、図１に示すように、複数の走査線１０１、…と、各走査線１０１に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線１０２、…と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３、…とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１と信号線１０２の各交点付近に、画素領域Ａが設けられている。 As shown in FIG. 1, the organic EL device 1 includes a plurality of scanning lines 101,..., A plurality of signal lines 102 extending in a direction perpendicular to the scanning lines 101, and the signal lines 102. Are arranged in parallel with each other, and a pixel region A is provided in the vicinity of each intersection of the scanning line 101 and the signal line 102.

信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。
更に、画素領域Ａ各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２を介して信号線１０２から共有される画素信号を保持する保持容量１１３と、該保持容量１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ１２３と、この駆動用薄膜トランジスタ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに当該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（陽極）１１１と、この画素電極１１１と陰極（対向電極）１２との間に挟み込まれた機能層１１０とが設けられている。画素電極１１１と陰極１２と機能層１１０により、発光素子が構成されている。 Connected to the signal line 102 is a data side driving circuit 104 including a shift register, a level shifter, a video line, and an analog switch. Further, a scanning side driving circuit 105 including a shift register and a level shifter is connected to the scanning line 101.
Further, in each pixel region A, a switching thin film transistor 112 to which a scanning signal is supplied to the gate electrode via the scanning line 101 and a pixel signal shared from the signal line 102 via the switching thin film transistor 112 are received. A holding capacitor 113 to be held, a driving thin film transistor 123 to which a pixel signal held by the holding capacitor 113 is supplied to a gate electrode, and when electrically connected to the power supply line 103 through the driving thin film transistor 123 A pixel electrode (anode) 111 into which a drive current flows from the power line 103 and a functional layer 110 sandwiched between the pixel electrode 111 and the cathode (counter electrode) 12 are provided. The pixel electrode 111, the cathode 12, and the functional layer 110 constitute a light emitting element.

この有機ＥＬ装置１によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２がオン状態になると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量１１３に保持され、該保持容量１１３の状態に応じて、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極１１１に電流が流れ、更に機能層１１０を介して陰極１２に電流が流れる。機能層１１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。 According to the organic EL device 1, when the scanning line 101 is driven and the switching thin film transistor 112 is turned on, the potential of the signal line 102 at that time is held in the holding capacitor 113, and the holding capacitor 113 is brought into a state. Accordingly, the on / off state of the driving thin film transistor 123 is determined. Then, a current flows from the power supply line 103 to the pixel electrode 111 through the channel of the driving thin film transistor 123, and further a current flows to the cathode 12 through the functional layer 110. The functional layer 110 emits light according to the amount of current flowing through it.

この有機ＥＬ装置１は、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、透明な基板２と、この基板２上に形成されマトリックス状に配置された発光素子を備えた発光素子部１１とを具備している。この発光素子は、画素電極１１１と陰極１２と機能層１１０により構成されている。
基板２は、例えば、可視光に対して透明なガラス等により構成され、この基板２の表面は、中央に位置する略矩形状の表示領域２ａと、基板２の周縁に位置して表示領域２ａを囲む非表示領域２ｂとに区画されている。
表示領域２ａは、マトリックス状に配置された発光素子によって形成される領域であり、この表示領域２ａの外側に形成される非表示領域２ｂには、表示領域２ａに隣接するダミー表示領域２ｄが形成されている。 As shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b), the organic EL device 1 includes a transparent substrate 2 and a light emitting element portion that includes a light emitting element formed on the substrate 2 and arranged in a matrix. 11. This light emitting element is composed of a pixel electrode 111, a cathode 12, and a functional layer 110.
The substrate 2 is made of, for example, glass that is transparent to visible light, and the surface of the substrate 2 has a substantially rectangular display region 2a positioned at the center and a display region 2a positioned at the periphery of the substrate 2. Is divided into a non-display area 2b.
The display area 2a is an area formed by light emitting elements arranged in a matrix, and a dummy display area 2d adjacent to the display area 2a is formed in the non-display area 2b formed outside the display area 2a. Has been.

また、図２（ｂ）に示すように、発光素子部１１と基板２の間には回路素子部１４が備えられ、この回路素子部１４に前述の走査線、信号線、保持容量、スイッチング用の薄膜トランジスタ、駆動用の薄膜トランジスタ１２３等が備えられている。
また、陰極１２は、その一端が陰極用配線１２ａに接続しており、この陰極用配線１２ａの一端部が基板２の一端部に設けられたフレキシブル基板５上の配線５ａに接続されている。この配線５ａは、フレキシブル基板５上に備えられた駆動ＩＣ（駆動回路）６に接続されている。 Further, as shown in FIG. 2B, a circuit element unit 14 is provided between the light emitting element unit 11 and the substrate 2, and the above-described scanning line, signal line, storage capacitor, and switching circuit are provided in the circuit element unit 14. Thin film transistors, a driving thin film transistor 123, and the like.
One end of the cathode 12 is connected to the cathode wiring 12 a, and one end of the cathode wiring 12 a is connected to the wiring 5 a on the flexible substrate 5 provided at one end of the substrate 2. The wiring 5 a is connected to a driving IC (driving circuit) 6 provided on the flexible substrate 5.

また、回路素子部１４の非表示領域２ｂには、前述の電源線１０３（１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂ）が配線されている。
また、この表示領域２ａの図２（ａ）中両側には、前述の走査側駆動回路１０５、１０５が配置されている。この走査側駆動回路１０５、１０５はダミー領域２ｄの下側の回路素子部１４内に設けられている。更に回路素子部１４内には、走査側駆動回路１０５、１０５に接続される駆動回路用制御信号配線１０５ａと駆動回路用電源配線１０５ｂとが設けられている。
更に、この表示領域２ａの図２（ａ）中上側には検査回路１０６が配置されている。この検査回路１０６により、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができる。 Further, the above-described power supply lines 103 (103R, 103G, 103B) are wired in the non-display area 2b of the circuit element unit 14.
Further, the above-described scanning side drive circuits 105 and 105 are arranged on both sides of the display area 2a in FIG. 2A. The scanning side drive circuits 105 and 105 are provided in the circuit element portion 14 below the dummy region 2d. Further, in the circuit element section 14, a drive circuit control signal line 105a and a drive circuit power supply line 105b connected to the scanning side drive circuits 105 and 105 are provided.
Further, an inspection circuit 106 is disposed above the display area 2a in FIG. 2A. The inspection circuit 106 can inspect the quality and defects of the display device during manufacturing or at the time of shipment.

また、発光素子部１１上には封止部３が備えられている。この封止部３は、図２（ｂ）に示すように、基板２の周囲に環状に形成された封止樹脂６０３と、この封止樹脂６０３上に設けられた封止缶６０４とから構成されている。封止樹脂６０３は、熱硬化型樹脂あるいは紫外線硬化型樹脂等から構成されたもので、特に、熱硬化型あるいは紫外線硬化型のエポキシ樹脂が好適に用いられる。
封止樹脂６０３は、例えば、液状もしくは粘性のある熱硬化型樹脂あるいは紫外線硬化型樹脂をマイクロディスペンサ等により塗布し、その後、ホットプレート等を用いて加熱あるいは紫外線ランプ等による紫外線照射により硬化させたものである。 Further, the sealing portion 3 is provided on the light emitting element portion 11. As shown in FIG. 2B, the sealing portion 3 includes a sealing resin 603 formed in an annular shape around the substrate 2 and a sealing can 604 provided on the sealing resin 603. Has been. The sealing resin 603 is composed of a thermosetting resin, an ultraviolet curable resin, or the like, and in particular, a thermosetting or ultraviolet curable epoxy resin is preferably used.
The sealing resin 603 is, for example, a liquid or viscous thermosetting resin or ultraviolet curable resin applied by a microdispenser or the like, and then cured by heating using a hot plate or the like or irradiation with ultraviolet rays by an ultraviolet lamp or the like. Is.

封止缶６０４は、ガラス又は金属からなるもので、封止樹脂６０３を介して基板２に接合されており、その内側には表示素子１０を収納する凹部６０４ａが形成されている。この凹部６０４ａには、水、酸素等を吸収するゲッター剤６０５が貼り付けられており、封止缶６０４の内部に侵入した水、あるいは酸素等のガスを吸収できるようになっている。なお、このゲッター剤６０５は省略しても良い。
これら封止樹脂６０３及び封止缶６０４により、基板２と封止缶６０４の間から封止缶６０４内部への水又は酸素の侵入を防き、陰極１２または発光素子部１１内に形成された図示略の発光層の酸化や劣化を防止している。 The sealing can 604 is made of glass or metal, and is bonded to the substrate 2 via a sealing resin 603, and a recess 604 a that houses the display element 10 is formed inside thereof. A getter agent 605 that absorbs water, oxygen, or the like is attached to the concave portion 604a so that water or oxygen or the like that has entered the inside of the sealing can 604 can be absorbed. The getter agent 605 may be omitted.
The sealing resin 603 and the sealing can 604 prevent water or oxygen from entering the sealing can 604 from between the substrate 2 and the sealing can 604 and are formed in the cathode 12 or the light emitting element portion 11. Oxidation and deterioration of the light emitting layer (not shown) are prevented.

次に、本実施形態の有機ＥＬ装置１の表示領域について更に詳しく説明する。
図３は、この有機ＥＬ装置１の表示領域を示す拡大断面図であり、この図３には３つの画素領域Ａが図示されている。
この有機ＥＬ表示装置１は、基板２上に、ＴＦＴなどの回路等が形成された回路素子部１４、画素電極１１１と陰極１２と機能層１１０とを有する発光素子を備えた発光素子部１１が順次積層されて構成されている。 Next, the display area of the organic EL device 1 of this embodiment will be described in more detail.
FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view showing the display area of the organic EL device 1, and three pixel areas A are shown in FIG.
The organic EL display device 1 includes a circuit element portion 14 in which a circuit such as a TFT is formed on a substrate 2, and a light emitting element portion 11 including a light emitting element having a pixel electrode 111, a cathode 12, and a functional layer 110. It is constructed by sequentially laminating.

この有機ＥＬ装置１においては、機能層１１０から基板２側に発した光が、回路素子部１４及び基板２を透過して基板２の下側（観測者側）に出射されるとともに、機能層１１０から基板２の反対側に発した光が陰極１２により反射されて、回路素子部１４及び基板２を透過して基板２の下側（観測者側）に出射されるようになっている。
なお、陰極１２に透明な材料を用いることにより、発光する光を陰極１２側から出射させることができる。透明な材料としては、例えば、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）等を用いる事ができる。 In the organic EL device 1, light emitted from the functional layer 110 to the substrate 2 side is transmitted through the circuit element unit 14 and the substrate 2 and emitted to the lower side (observer side) of the substrate 2. Light emitted from 110 to the opposite side of the substrate 2 is reflected by the cathode 12, passes through the circuit element unit 14 and the substrate 2, and is emitted to the lower side (observer side) of the substrate 2.
Note that by using a transparent material for the cathode 12, it is possible to emit light from the cathode 12 side. As the transparent material, for example, indium tin oxide (ITO) can be used.

また、発光素子部１１は、複数の画素電極１１１…上の各々に積層された機能層１１０と、各画素電極１１１及び機能層１１０の間に備えられて各機能層１１０を区画するバンク部１１２とを主体として構成され、この機能層１１０上には陰極１２が配置され、これら画素電極１１１、機能層１１０及び陰極１２によって発光素子部１１が構成されている。
ここで、画素電極１１１は、例えば、ＩＴＯ等の透明導電材料により形成されたもので、平面視略矩形にパターニングされて形成されている。この画素電極１１１の膜厚は、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍ程度の厚みがよい。 The light emitting element unit 11 includes a functional layer 110 stacked on each of the plurality of pixel electrodes 111... And a bank unit 112 provided between each pixel electrode 111 and the functional layer 110 to partition each functional layer 110. The cathode 12 is disposed on the functional layer 110, and the pixel electrode 111, the functional layer 110, and the cathode 12 constitute the light emitting element portion 11.
Here, the pixel electrode 111 is formed of, for example, a transparent conductive material such as ITO, and is formed by patterning into a substantially rectangular shape in plan view. The film thickness of the pixel electrode 111 is preferably in the range of 50 to 200 nm, particularly about 150 nm.

バンク部１１２は、図３に示すように、基板２側に位置する無機物バンク層１１２ａと、この無機物バンク層１１２ａ上に積層されて該無機物バンク層１１２ａより幅の狭い有機物バンク層１１２ｂとにより構成されている。
無機物バンク層１１２ａは、その周縁部が画素電極１１１の周縁部上に乗上げるように形成されている。平面的には、画素電極１１１の周囲と無機物バンク層１１２ａの周囲とが平面的に重なるように配置された構造となっている。
また、有機物バンク層１１２ｂも同様に、その一部が画素電極１１１の周縁部と平面的に重なるように配置されている。 As shown in FIG. 3, the bank portion 112 includes an inorganic bank layer 112a located on the substrate 2 side, and an organic bank layer 112b that is stacked on the inorganic bank layer 112a and has a narrower width than the inorganic bank layer 112a. Has been.
The inorganic bank layer 112 a is formed so that the peripheral edge thereof rides on the peripheral edge of the pixel electrode 111. In plan view, the periphery of the pixel electrode 111 and the inorganic bank layer 112a are arranged so as to overlap in plan view.
Similarly, the organic bank layer 112b is arranged so that a part thereof overlaps with the peripheral edge of the pixel electrode 111 in a plan view.

この無機物バンク層１１２ａは、有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側に更に形成されている。このようにして、無機物バンク層１１２ａの各第１積層部１１２ｅが画素電極１１１の内側に形成されることにより、画素電極１１１の形成位置に対応する下部開口部１１２ｃが形成されている。
有機物バンク層１１２ｂにも同様に、上部開口部１１２ｄが上記の下部開口部１１２ｃに対応するように形成されている。
この上部開口部１１２ｄは、下部開口部１１２ｃより幅が広く、画素電極１１１より幅が狭くなるように形成されている。 The inorganic bank layer 112a is further formed closer to the center of the pixel electrode 111 than the organic bank layer 112b. In this manner, each first stacked portion 112e of the inorganic bank layer 112a is formed inside the pixel electrode 111, so that a lower opening 112c corresponding to the formation position of the pixel electrode 111 is formed.
Similarly, the organic bank layer 112b is formed with an upper opening 112d corresponding to the lower opening 112c.
The upper opening 112d is formed to be wider than the lower opening 112c and narrower than the pixel electrode 111.

無機物バンク層１１２ａは、例えば、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂等の無機材料が好適に用いられる。この無機物バンク層１１２ａの膜厚は、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍが好ましい。
その理由は、膜厚が５０ｎｍ未満では、無機物バンク層１１２ａが後述する腐食防止層及び正孔注入／輸送層の合計の厚みより薄くなり、正孔注入／輸送層の平坦性を確保できなくなるからであり、また、膜厚が２００ｎｍを越えると、下部開口部１１２ｃによる段差が大きくなって、正孔注入／輸送層上に積層する後述の発光層の平坦性を確保できなくなるからである。 For example, an inorganic material such as SiO ₂ or TiO ₂ is preferably used for the inorganic bank layer 112a. The film thickness of the inorganic bank layer 112a is preferably in the range of 50 to 200 nm, and particularly preferably 150 nm.
The reason is that if the film thickness is less than 50 nm, the inorganic bank layer 112a becomes thinner than the total thickness of the later-described corrosion prevention layer and the hole injection / transport layer, and flatness of the hole injection / transport layer cannot be ensured. Also, if the film thickness exceeds 200 nm, the level difference due to the lower opening 112c becomes large, and the flatness of the light emitting layer described later stacked on the hole injection / transport layer cannot be secured.

有機物バンク層１１２ｂは、耐熱性、耐溶媒性を有する有機材料、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性を有する材料が好適に用いられる。この有機物バンク層１１２ｂの厚みは、０．１〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度が好ましい。
その理由は、厚みが０．１μｍ未満では、後述する腐食防止層、正孔注入／輸送層及び発光層の合計の厚みより有機物バンク層１１２ｂの厚みが薄くなり、発光層が上部開口部１１２ｄから溢れるおそれがあるからであり、また、厚さが３．５μｍを越えると、上部開口部１１２ｄによる段差が大きくなり、有機物バンク層１１２ｂ上に形成する陰極１２のステップガバレッジを確保できなくなるからである。
なお、有機物バンク層１１２ｂの厚みを２μｍ以上とすれば、駆動用の薄膜トランジスタ１２３との絶縁性を高めることができるので、より好ましい。 For the organic bank layer 112b, an organic material having heat resistance and solvent resistance, for example, a material having heat resistance and solvent resistance such as acrylic resin and polyimide resin is preferably used. The thickness of the organic bank layer 112b is preferably in the range of 0.1 to 3.5 μm, particularly preferably about 2 μm.
The reason is that when the thickness is less than 0.1 μm, the organic bank layer 112b is thinner than the total thickness of the later-described corrosion prevention layer, hole injection / transport layer, and light emitting layer, and the light emitting layer extends from the upper opening 112d. This is because there is a possibility of overflow, and when the thickness exceeds 3.5 μm, the step due to the upper opening 112d becomes large, and it becomes impossible to secure step coverage of the cathode 12 formed on the organic bank layer 112b. .
Note that it is more preferable that the thickness of the organic bank layer 112b be 2 μm or more, since the insulating property with respect to the driving thin film transistor 123 can be improved.

このバンク部１１２には、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域が形成されている。
親液性を示す領域は、無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１２ｅ及び画素電極１１１の電極面１１１ａであり、これらの領域は、酸素を処理ガスとするプラズマ処理によって表面処理されて親液性とされている。
また、撥液性を示す領域は、上部開口部１１２ｄの側面（壁面）及び有機物バンク層１１２ｂの上面１１２ｆであり、これらの領域は、４フッ化メタン、テトラフルオロメタン、もしくは四フッ化炭素等を処理ガスとするプラズマ処理によって表面がフッ化処理（撥液性処理）されて撥液性とされている。 In the bank portion 112, an area showing lyophilicity and an area showing liquid repellency are formed.
The regions showing lyophilicity are the first stacked portion 112e of the inorganic bank layer 112a and the electrode surface 111a of the pixel electrode 111, and these regions are surface-treated by plasma treatment using oxygen as a processing gas to be lyophilic. It is said that.
The regions exhibiting liquid repellency are the side surface (wall surface) of the upper opening 112d and the upper surface 112f of the organic bank layer 112b. These regions include tetrafluoromethane, tetrafluoromethane, carbon tetrafluoride, and the like. The surface is fluorinated (liquid repellency treatment) by plasma treatment using as a treatment gas to make it liquid repellency.

機能層１１０は、画素電極側から順に積層された正孔注入／輸送層（正孔注入層）１１０ａと発光層１１０ｂとから構成されている。なお、この発光層１１０ｂ上に、他の機能層を更に形成しても良い。例えば、電子注入層や電子輸送層を形成する事も可能である。
正孔注入／輸送層１１０ａは、正孔を発光層１１０ｂに注入し、かつ、この注入された正孔を該正孔注入／輸送層１１０ａ内において輸送する機能を有する。
このような正孔注入／輸送層１１０ａを画素電極１１１と発光層１１０ｂの間に形成することにより、発光層１１０ｂの発光効率等の素子特性を向上させることができる。
また、発光層１１０ｂでは、正孔注入／輸送層１１０ａから注入された正孔と、陰極１２から注入された電子が励起子（exiton）を形成し、この励起子が再結合することにより発光（ＥＬ）が得られる。 The functional layer 110 includes a hole injection / transport layer (hole injection layer) 110a and a light emitting layer 110b that are sequentially stacked from the pixel electrode side. Note that another functional layer may be further formed on the light emitting layer 110b. For example, an electron injection layer or an electron transport layer can be formed.
The hole injection / transport layer 110a has a function of injecting holes into the light emitting layer 110b and transporting the injected holes in the hole injection / transport layer 110a.
By forming such a hole injection / transport layer 110a between the pixel electrode 111 and the light emitting layer 110b, device characteristics such as light emission efficiency of the light emitting layer 110b can be improved.
Further, in the light emitting layer 110b, holes injected from the hole injection / transport layer 110a and electrons injected from the cathode 12 form excitons, and the excitons recombine to emit light ( EL) is obtained.

正孔注入／輸送層１１０ａの形成材料としては、３，４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）［商品名；バイトロン−ｐ（Bytron-p）：バイエル社製］の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に共役系高分子である３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液を好適に用いることができる。また、ポリアニリン／カンファスルフォン酸（ＰＡＮＩ―ＣＳＡ）の分散液を用いてもよい。本実施形態では、上記形成材料として例えばバイトロン−ｐを用いることとする。
なお、正孔注入／輸送層１１０ａの形成材料としては、前記のものに限定されることなく種々のものが使用可能である。例えば、共役系高分子であるポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやその誘導体などを、適宜な分散媒、例えば強酸性の分散媒である前記のポリスチレンスルフォン酸に分散させたものなどが使用可能である。 As a material for forming the hole injection / transport layer 110a, a dispersion of 3,4-polyethylenediosithiophene / polystyrene sulfonic acid (PEDOT / PSS) [trade name; Bytron-p: manufactured by Bayer] That is, a dispersion obtained by dispersing 3,4-polyethylenedioxythiophene, which is a conjugated polymer, in polystyrene sulfonic acid as a dispersion medium, and further dispersing it in water can be suitably used. Alternatively, a polyaniline / camphorsulfonic acid (PANI-CSA) dispersion may be used. In the present embodiment, for example, Vitron-p is used as the forming material.
The material for forming the hole injection / transport layer 110a is not limited to the above, and various materials can be used. For example, a conjugated polymer such as polystyrene, polypyrrole, polyaniline, polyacetylene or a derivative thereof can be used in an appropriate dispersion medium, for example, the above-described polystyrene sulfonic acid which is a strongly acidic dispersion medium. .

この正孔注入／輸送層１１０ａは、後述のように液滴吐出法により形成されるが、この際、有機物バンク層１１２ｂの上面１１２ｆが撥液性を示すので、吐出された液滴は選択的に画素内にパターニングされる。 The hole injection / transport layer 110a is formed by a droplet discharge method as will be described later. At this time, since the upper surface 112f of the organic bank layer 112b exhibits liquid repellency, the discharged droplets are selectively used. To be patterned in the pixel.

画素電極１１１と正孔注入／輸送層１１０ａとの間には、腐食防止層１１５が設けられている。腐食防止層１１５は、正孔注入／輸送層１１０ａの形成材料から陽極である画素電極１１１を保護するためのものである。上述のように、正孔注入／輸送層１１０ａの形成材料は強酸性を示すため、これを直接画素電極１１１上に塗布すると、これによって画素電極１１１が腐食される虞がある。このため、画素電極１１１と正孔注入／輸送層１１０ａとの間に、このような腐食防止層１１５を設けることで、画素電極１１１の腐食を防止し、素子寿命を長寿命化することが可能となる。 A corrosion prevention layer 115 is provided between the pixel electrode 111 and the hole injection / transport layer 110a. The corrosion prevention layer 115 is for protecting the pixel electrode 111 which is an anode from the forming material of the hole injection / transport layer 110a. As described above, since the material for forming the hole injection / transport layer 110a shows strong acidity, if it is directly applied onto the pixel electrode 111, the pixel electrode 111 may be corroded. Therefore, by providing such a corrosion prevention layer 115 between the pixel electrode 111 and the hole injection / transport layer 110a, it is possible to prevent the pixel electrode 111 from being corroded and to prolong the device life. It becomes.

この腐食防止層１１５の形成材料としては、例えば、ＡｕやＰｔ等の貴金属、Ａｌ_２Ｏ_３，ＳｉＯ_ｘ等の酸化物、ＳＩＮ_ｘ等の窒化物、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ等の酸窒化物、或いは、トリフェニルアミン含有ポリエーテルケトン等の正孔輸送性を有する高分子等を好適に用いることができる。なお、腐食防止層１１５としては、上述の材料が少なくとも１種類以上含まれていればよく、これにより上述の効果が得られる。 Examples of the material for forming the corrosion prevention layer 115 include noble metals such as Au and Pt, oxides such as Al ₂ O ₃ and SiO _x , nitrides such as SIN _x , oxynitrides such as SiO _x N _y , or Polymers having hole transport properties such as triphenylamine-containing polyether ketone can be preferably used. Note that the corrosion prevention layer 115 only needs to contain at least one of the above-described materials, and the above-described effects can be obtained.

この腐食防止層１１５を例えば貴金属とした場合には、その層厚は１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とすることが好ましい。層厚が１００ｎｍよりも厚くなると、正孔注入／輸送性能が損なわれる虞があり、層厚が１０ｎｍよりも薄いと十分な腐食防止性能が得られない。また、腐食防止層１１５を酸化物，窒化物，酸窒化物とした場合には、その層厚は１ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることが好ましい。これらの材料は酸等に対する耐久性が高いため、上述のように腐食防止層を貴金属で構成する場合に比べて、層厚を１ｎｍ程度にまで薄くすることができる。逆に、層厚が厚くなると内部応力によりクラックが生じる虞があるため、許容される最大層厚は上記貴金属の場合に比べて薄く（即ち、３０ｎｍ以下）する必要がある。 When the corrosion prevention layer 115 is made of a noble metal, for example, the layer thickness is preferably 10 nm or more and 100 nm or less. If the layer thickness is greater than 100 nm, the hole injection / transport performance may be impaired. If the layer thickness is less than 10 nm, sufficient corrosion prevention performance cannot be obtained. Further, when the corrosion prevention layer 115 is made of oxide, nitride, or oxynitride, the layer thickness is preferably 1 nm or more and 30 nm or less. Since these materials have high durability against acids and the like, the layer thickness can be reduced to about 1 nm as compared with the case where the corrosion prevention layer is made of a noble metal as described above. On the contrary, when the layer thickness is increased, cracks may occur due to internal stress, and therefore the allowable maximum layer thickness must be thinner (that is, 30 nm or less) than that of the noble metal.

また、腐食防止層１１５を正孔輸送性を有する高分子とした場合には、この高分子として架橋構造を有するものを用いることが好ましい。このような架橋構造を備えることで、より高い腐食防止性能を発揮することができる。なお、上述のトリフェニルアミン含有ポリエーテルケトンは、トリフェニルアミン含有ポリエーテルケトンを光架橋することで得られるが、腐食防止層１１５の形成材料としては、このように光架橋するものに限らず、熱架橋するタイプのものであっても構わない。また、腐食防止層１１５が高分子からなるものでは、これが架橋構造を有しない場合には、その層厚は例えば５ｎｍ以上８０ｎｍ以下であることが好ましく、架橋構造を有する場合には、例えば５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることが好ましい。 When the corrosion prevention layer 115 is a polymer having a hole transporting property, it is preferable to use a polymer having a crosslinked structure as the polymer. By providing such a crosslinked structure, higher corrosion prevention performance can be exhibited. The above-described triphenylamine-containing polyetherketone can be obtained by photocrosslinking triphenylamine-containing polyetherketone, but the material for forming the corrosion prevention layer 115 is not limited to such photocrosslinking. It may be of a type that undergoes thermal crosslinking. Further, in the case where the corrosion prevention layer 115 is made of a polymer, when it does not have a crosslinked structure, the layer thickness is preferably 5 nm or more and 80 nm or less, and when it has a crosslinked structure, for example, 5 nm or more. It is preferable that it is 30 nm or less.

また、発光層１１０ｂを構成する発光材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料を用いることができる。具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）等のポリシラン系等が好適に用いられる。
また、これらの高分子材料に、ペリレン係色素、クマリン系色素、ローダミン系色素等の高分子系材料、あるいは、ルブレン、ペリレン、９，１０-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることができる。 In addition, as the light-emitting material constituting the light-emitting layer 110b, a known light-emitting material capable of emitting fluorescence or phosphorescence can be used. Specifically, (poly) fluorene derivative (PF), (poly) paraphenylene vinylene derivative (PPV), polyphenylene derivative (PP), polyparaphenylene derivative (PPP), polyvinyl carbazole (PVK), polythiophene derivative, polymethyl Polysilanes such as phenylsilane (PMPS) are preferably used.
In addition, these polymer materials include polymer materials such as perylene dyes, coumarin dyes, rhodamine dyes, or rubrene, perylene, 9,10-diphenylanthracene, tetraphenylbutadiene, Nile red, coumarin 6, A low molecular material such as quinacridone can be used after being doped.

この発光層１１０ｂは、その厚さが５０〜８０ｎｍの範囲とされている。また、発光層１１０ｂは、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層１１０ｂ1、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光層１１０ｂ2、及び青色（Ｂ）に発光する青色発光層１１０ｂ3の３種類を有し、各発光層１１０ｂ1〜１１０ｂ3がストライプ状に配置されている。 The light emitting layer 110b has a thickness in the range of 50 to 80 nm. The light emitting layer 110b has three types, a red light emitting layer 110b1 that emits red (R), a green light emitting layer 110b2 that emits green (G), and a blue light emitting layer 110b3 that emits blue (B). The light emitting layers 110b1 to 110b3 are arranged in a stripe shape.

陰極１２は、図３〜図５に示すように、実表示領域４およびダミー領域５の総面積より広い面積を備え、それぞれを覆うように形成されており、画素電極１１１と対になって機能層１１０に電流を流す役割を果たす。
この陰極１２は、特にトップエミッション型、あるいは両側から出射するタイプである場合には、透明導電材料によって形成される。透明導電材料としては、バソクプロインとセシウムの共蒸着膜を用い、さらに導電性を付与するためにＩＴＯを積層するといった構造が好適に採用される。なお、バソクプロインとセシウムの共蒸着膜の替わりに、Ｃａを５ｎｍ程度に形成して用いてもよい。 As shown in FIGS. 3 to 5, the cathode 12 has a larger area than the total area of the actual display region 4 and the dummy region 5, and is formed so as to cover each, and functions as a pair with the pixel electrode 111. It plays the role of passing a current through layer 110.
The cathode 12 is formed of a transparent conductive material, particularly in the case of a top emission type or a type emitting from both sides. As the transparent conductive material, a structure in which a co-deposited film of bathocuproine and cesium is used and ITO is laminated to impart conductivity is preferably employed. In place of the co-deposited film of bathocuproine and cesium, Ca may be formed to a thickness of about 5 nm.

また、ボトムエミッション型である場合には、光透過性を備えた材料を採用する必要はなく、したがってその場合には、Ａｌ等の高導電性の不透明な材料を用いることができる。或いは、Ｃａを厚さ２０ｎｍ程度に形成し、さらにその上にＡｌを厚さ２００ｎｍ程度に形成して積層構造の電極としてもよい。このとき、発光層に近い側の陰極には仕事関数が小さいものを設けることが好ましく、特にこの形態においては発光層１１０ｂに直接に接して発光層１１０ｂに電流を注入する役割を果たす。また、この構造では、陰極１２によって、発光層１１０ｂから発した光を基板２側に反射させることで光の取り出し効率を高めることができるため、これを構成する材料としては、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）等の光の反射率が高い高反射率材料を好適に用いることができる。この高反射率材料は、Ａｌ膜、Ａｇ膜等の単層の膜の他、ＡｌとＡｇ等、複数の金属膜の積層膜としてもよい。
陰極１２の厚さは、例えば１００〜１０００ｎｍの範囲が好ましく、特に２００ｎｍ程度の厚みが好適である。
更に、この膜の上に、ＳｉＯ₂、ＳｉＯ_xＮ_y等からなる酸素及び水分透過防止用（ガスバリア用）の保護層を設けても良い。 Further, in the case of the bottom emission type, it is not necessary to use a material having optical transparency, and in that case, a highly conductive opaque material such as Al can be used. Alternatively, Ca may be formed to a thickness of about 20 nm, and further Al may be formed thereon to a thickness of about 200 nm to form a laminated structure electrode. At this time, it is preferable to provide a cathode having a small work function on the cathode closer to the light emitting layer, and in this embodiment, in particular, it plays a role of injecting current into the light emitting layer 110b in direct contact with the light emitting layer 110b. Further, in this structure, the light extraction efficiency can be increased by reflecting the light emitted from the light emitting layer 110b to the substrate 2 side by the cathode 12, so that the material constituting this can be aluminum (Al), A high reflectivity material having high light reflectivity such as silver (Ag) can be suitably used. This high reflectivity material may be a single layer film such as an Al film or an Ag film, or a laminated film of a plurality of metal films such as Al and Ag.
The thickness of the cathode 12 is, for example, preferably in the range of 100 to 1000 nm, and particularly preferably about 200 nm.
Further, a protective layer for preventing oxygen and moisture permeation (for gas barrier) made of SiO ₂ , SiO _x N _y or the like may be provided on this film.

また、発光層の材料によっては効率よく発光させるために、発光層１１０と陰極１２との間にＬｉＦ（フッ化リチウム）等のアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属のフッ化物、酸化物、キレート錯体、または電子輸送性を有する有機物を用いてもよい。
このＬｉＦ層の厚さは、例えば０．１〜５ｎｍの範囲が好ましく、また、Ｃａ層の厚さは、例えば１〜５０ｎｍの範囲が好ましい。
この発光素子上には封止缶６０４が配置されている。図２（ｂ）に示すように、封止缶６０４は封止樹脂６０３により接着されて有機ＥＬ装置１を形成している。 Depending on the material of the light emitting layer, in order to efficiently emit light, an alkali metal or alkaline earth metal fluoride such as LiF (lithium fluoride), an oxide, a chelate complex, between the light emitting layer 110 and the cathode 12, Alternatively, an organic substance having an electron transporting property may be used.
The thickness of this LiF layer is preferably in the range of 0.1 to 5 nm, for example, and the thickness of the Ca layer is preferably in the range of 1 to 50 nm, for example.
A sealing can 604 is disposed on the light emitting element. As shown in FIG. 2B, the sealing can 604 is bonded with a sealing resin 603 to form the organic EL device 1.

次に、本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を図面を参照して説明する。
本実施形態の有機ＥＬ装置１の製造方法は、例えば、(1)バンク部形成工程、(2)プラズマ処理工程、(3)正孔注入／輸送層形成工程、(4)発光層形成工程、(5)陰極形成工程、(6)封止工程の計６工程により構成されている。なお、この製造方法は、本実施形態に限られるものではなく、必要に応じてその他の工程が除かれる場合、また追加される場合もある。 Next, a method for manufacturing the organic EL device of this embodiment will be described with reference to the drawings.
The manufacturing method of the organic EL device 1 of the present embodiment includes, for example, (1) a bank part forming step, (2) a plasma processing step, (3) a hole injection / transport layer forming step, (4) a light emitting layer forming step, It consists of a total of six steps, (5) cathode formation step and (6) sealing step. This manufacturing method is not limited to the present embodiment, and other steps may be removed or added as necessary.

(1)バンク部形成工程
バンク部形成工程は、基板２の所定の位置にバンク部１１２を形成する工程である。バンク部１１２は、第１のバンク層として無機物バンク層１１２ａが形成され、第２のバンク層として有機物バンク層１１２ｂが形成された構造である。以下に形成方法について説明する。 (1) Bank Portion Formation Step The bank portion formation step is a step of forming the bank portion 112 at a predetermined position on the substrate 2. The bank portion 112 has a structure in which an inorganic bank layer 112a is formed as a first bank layer, and an organic bank layer 112b is formed as a second bank layer. The formation method will be described below.

(1)-1無機物バンク層１１２ａの形成
まず、図４に示すように、基板２上の所定の位置に無機物バンク層１１２ａを形成する。無機物バンク層１１２ａが形成される位置は、第２層間絶縁膜１４４ｂ上及び画素電極１１１上である。なお、第２層間絶縁膜１４４ｂは薄膜トランジスタ、走査線、信号線、等が配置された回路素子部１４上に形成されている。
無機物バンク層１１２ａは、例えば、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂等の無機物膜を材料として用いることができる。これらの材料は、例えば、ＣＶＤ法、コート法、スパッタ法、蒸着法等によって形成される。
この無機物バンク層１１２ａの膜厚は５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍがよい。 (1) -1 Formation of Inorganic Bank Layer 112a First, as shown in FIG. 4, the inorganic bank layer 112a is formed at a predetermined position on the substrate 2. The positions where the inorganic bank layer 112 a is formed are on the second interlayer insulating film 144 b and the pixel electrode 111. The second interlayer insulating film 144b is formed on the circuit element portion 14 in which a thin film transistor, a scanning line, a signal line, and the like are arranged.
For the inorganic bank layer 112a, for example, an inorganic film such as SiO ₂ or TiO ₂ can be used as a material. These materials are formed by, for example, a CVD method, a coating method, a sputtering method, a vapor deposition method, or the like.
The thickness of the inorganic bank layer 112a is preferably in the range of 50 to 200 nm, particularly 150 nm.

この無機物バンク層１１２ａは、第２層間絶縁膜１４４ｂ上及び画素電極１１１上の全面に無機物膜を形成し、その後、この無機物膜をフォトリソグラフィ法等によりパターニングすることにより、開口部を有する無機物バンク層１１２ａが形成される。この開口部は、画素電極１１１の電極面１１１ａの形成位置に対応するもので、図４に示すように、下部開口部１１２ｃとして形成される。
このとき、無機物バンク層１１２ａは、その周縁部の一部が画素電極１１１の周縁部の一部と重なるように形成される。図４に示すように、画素電極１１１の周縁部の一部と無機物バンク層１１２ａの周縁部の一部とが重なるように無機物バンク層１１２ａを形成することにより、発光層１１０の発光領域を制御することができる。 The inorganic bank layer 112a is formed on the entire surface of the second interlayer insulating film 144b and the pixel electrode 111, and then patterned by a photolithography method or the like to form an inorganic bank having openings. Layer 112a is formed. This opening corresponds to the formation position of the electrode surface 111a of the pixel electrode 111, and is formed as a lower opening 112c as shown in FIG.
At this time, the inorganic bank layer 112 a is formed so that a part of the peripheral part thereof overlaps a part of the peripheral part of the pixel electrode 111. As shown in FIG. 4, the light emitting region of the light emitting layer 110 is controlled by forming the inorganic bank layer 112a so that a part of the peripheral part of the pixel electrode 111 and a part of the peripheral part of the inorganic bank layer 112a overlap. can do.

(1)-2有機物バンク層１１２ｂの形成
次いで、図５に示すように、無機物バンク層１１２ａ上に、第２のバンク層としての有機物バンク層１１２ｂを形成する。
有機物バンク層１１２ｂは、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する有機樹脂を材料として用いることができる。
この有機物バンク層１１２ｂは、無機物バンク層１１２ａ上及び画素電極１１１上の全面に有機樹脂膜を形成し、その後、この有機樹脂膜をフォトリソグラフィ法等によりパターニングすることにより、開口部を有する有機物バンク層１１２ｂが形成される。この開口部は、パターニングする際に、電極面１１１ａ及び下部開口部１１２ｃに対応する位置に上部開口部１１２ｄとして形成される。 (1) -2 Formation of Organic Bank Layer 112b Next, as shown in FIG. 5, an organic bank layer 112b as a second bank layer is formed on the inorganic bank layer 112a.
For the organic bank layer 112b, for example, an organic resin having heat resistance and solvent resistance such as acrylic resin and polyimide resin can be used as a material.
The organic bank layer 112b is formed by forming an organic resin film on the entire surface of the inorganic bank layer 112a and the pixel electrode 111, and then patterning the organic resin film by a photolithography method or the like, thereby providing an organic bank having openings. Layer 112b is formed. The opening is formed as an upper opening 112d at a position corresponding to the electrode surface 111a and the lower opening 112c when patterning.

このように、有機物バンク層１１２ｂに形成された上部開口部１１２ｄと、無機物バンク層１１２ａに形成された下部開口部１１２ｃとを連通させることにより、無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂを貫通する開口部１１２ｇが形成される。
なお、有機物バンク層１１２ｂの厚さは、０．１〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度の厚みが好ましい。有機物バンク層１１２ｂの厚みをこのような範囲に限定した理由は以下の通りである。 As described above, the upper opening 112d formed in the organic bank layer 112b and the lower opening 112c formed in the inorganic bank layer 112a communicate with each other, thereby opening the inorganic bank layer 112a and the organic bank layer 112b. A portion 112g is formed.
The thickness of the organic bank layer 112b is preferably in the range of 0.1 to 3.5 μm, and particularly preferably about 2 μm. The reason why the thickness of the organic bank layer 112b is limited to such a range is as follows.

すなわち、厚さが０．１μｍ未満では、有機物バンク層１１２ｂの厚みが、腐食防止層１１５、正孔注入／輸送層１１０ａ及び発光層１１０ｂの合計の厚みより薄くなり、発光層１１０ｂが上部開口部１１２ｄから溢れてしまうおそれがあるからであり、また、厚さが３．５μｍを越えると、上部開口部１１２ｄによる段差が大きくなり、上部開口部１１２ｄにおける陰極１２のステップガバレッジが確保できなくなるからである。
また、有機物バンク層１１２ｂの厚さを２μｍ以上とすれば、陰極１２と駆動用の薄膜トランジスタ１２３との絶縁性を高めることができるので好ましい。 That is, when the thickness is less than 0.1 μm, the thickness of the organic bank layer 112b is thinner than the total thickness of the corrosion prevention layer 115, the hole injection / transport layer 110a, and the light emitting layer 110b, and the light emitting layer 110b becomes the upper opening portion. If the thickness exceeds 3.5 μm, the step difference due to the upper opening 112d becomes large, and step coverage of the cathode 12 in the upper opening 112d cannot be secured. is there.
In addition, it is preferable to set the thickness of the organic bank layer 112b to 2 μm or more because the insulation between the cathode 12 and the driving thin film transistor 123 can be improved.

(2)プラズマ処理工程
このプラズマ処理工程は、画素電極１１１の表面を活性化処理すること、更にバンク部１１２の表面を撥液化することを目的として行われる。 (2) Plasma Processing Step This plasma processing step is performed for the purpose of activating the surface of the pixel electrode 111 and making the surface of the bank portion 112 liquid repellent.

(2)-１活性化処理工程
活性化処理工程は、画素電極１１１を構成する材料であるＩＴＯの表面洗浄、更に仕事関数の調整、更には画素電極１１１等の表面の親液化を主な目的として行われる。ここでは、Ｏ₂プラズマ処理により、図６に示すように、画素電極１１１の電極面１１１ａ、無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１２ｅ及び有機物バンク層１１２ｂの上部開口部１１２ｄの側面ならびに上面１１２ｆが親液処理される。この親液処理により、これらの各面に水酸基を導入することで親液性が付与される。図６では、親液処理された部分を一点鎖線で示している。 (2) -1 Activation treatment process The activation treatment process has the main purpose of cleaning the surface of ITO, which is the material constituting the pixel electrode 111, adjusting the work function, and making the surface of the pixel electrode 111 lyophilic. As done. Here, as shown in FIG. 6, the O ₂ plasma treatment causes the electrode surface 111a of the pixel electrode 111, the first stacked portion 112e of the inorganic bank layer 112a, the side surface of the upper opening 112d of the organic bank layer 112b, and the upper surface 112f. Lyophilic treatment. By this lyophilic treatment, lyophilicity is imparted by introducing hydroxyl groups into these surfaces. In FIG. 6, the lyophilic portion is indicated by a one-dot chain line.

(2)-２撥液処理工程
この撥液処理工程は、後述のインクジェット工程（機能層形成工程）において吐出された液滴がバンク表面に掛からないようにするために、バンク表面を撥液化することを目的として行なわれる。
ここでは、撥液化工程として、大気雰囲気中でテトラフルオロメタン（四フッ化メタン：ＣＦ₄）を処理ガスとするプラズマ処理を行う。この処理ガスとしては、これ以外の他のフルオロカーボン系のガスを用いることも可能である。 (2) -2 Liquid repellent treatment step This liquid repellent treatment step repels the bank surface in order to prevent droplets discharged in the ink jet step (functional layer forming step), which will be described later, from being applied to the bank surface. It is done for the purpose.
Here, as the lyophobic process, plasma treatment using tetrafluoromethane (tetrafluoromethane: CF ₄ ) as a processing gas is performed in an air atmosphere. As this processing gas, other fluorocarbon gases can be used.

このＣＦ₄プラズマ処理により、図７に示すように、上部開口部１１２ｄの側面及び有機物バンク層の上面１１２ｆが撥液処理される。この撥液処理により、これらの各面にフッ素基が導入されて撥液性が付与される。図７では、撥液性を示す領域を二点鎖線で示している。有機物バンク層１１２ｂを構成するアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の有機物はプラズマ状態のフルオロカーボンが照射することで容易に撥液化させることができる。また、Ｏ₂プラズマにより前処理した方がフッ素化されやすい、という特徴を有しており、本実施形態には特に有効である。
尚、画素電極１１１の電極面１１１ａ及び無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１２ｅもこのＣＦ₄プラズマ処理の影響を多少受けるが、濡れ性に影響を与える事は少ない。図７では、親液性を示す領域を一点鎖線で示している。 By this CF ₄ plasma treatment, as shown in FIG. 7, the side surface of the upper opening 112d and the upper surface 112f of the organic bank layer are subjected to a liquid repellent treatment. By this liquid repellent treatment, fluorine groups are introduced into each of these surfaces to impart liquid repellency. In FIG. 7, the region showing liquid repellency is indicated by a two-dot chain line. Organic substances such as an acrylic resin and a polyimide resin constituting the organic bank layer 112b can be easily made liquid repellent when irradiated with plasma fluorocarbon. In addition, the pretreatment with O ₂ plasma is characterized in that it is more easily fluorinated, and is particularly effective in this embodiment.
Note that the electrode surface 111a of the pixel electrode 111 and the first stacked portion 112e of the inorganic bank layer 112a are also affected to some extent by this CF ₄ plasma treatment, but hardly affect the wettability. In FIG. 7, the region showing lyophilicity is indicated by a one-dot chain line.

(3)正孔注入／輸送層形成工程
次に、正孔注入／輸送層形成工程として、電極（ここでは画素電極１１１）上に正孔注入／輸送層を形成するが、本実施形態では、正孔注入／輸送層の形成材料によって画素電極１１１が腐食されるのを防止するために、まず画素電極１１１上に腐食防止層１１５を形成し、その後、この腐食防止層１１５上に正孔注入／輸送層１１０ａを形成する。 (3) Hole Injection / Transport Layer Formation Step Next, as the hole injection / transport layer formation step, a hole injection / transport layer is formed on the electrode (here, the pixel electrode 111). In this embodiment, In order to prevent the pixel electrode 111 from being corroded by the material for forming the hole injection / transport layer, first, the corrosion prevention layer 115 is formed on the pixel electrode 111, and then the hole injection is performed on the corrosion prevention layer 115. / The transport layer 110a is formed.

(3)-1腐食防止層形成工程
ここでは、まず、図８に示すように、前述した腐食防止層形成材料を画素電極１１１を覆うように成膜する。ここで、腐食防止層形成材料が導電性を有する場合には、腐食防止層１１５の形成方法としては、少なくとも隣接する画素電極１１１にかからないように、上記形成材料を個々の画素電極１１１の上に選択的に形成できる方法を採用する必要がある。例えば、上記腐食防止層形成材料がＡｕやＰｔ等の貴金属である場合には、この金属材料をマスク蒸着（真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等）により形成することが好ましい。或いは、これらの金属材料の微粒子を分散媒中に分散させた液体材料を、後述の液滴吐出装置を介して画素電極上に選択的に配置し、これを乾燥・焼成（焼結）してもよい。 (3) -1 Corrosion Prevention Layer Formation Step Here, first, as shown in FIG. 8, the above-described corrosion prevention layer formation material is formed so as to cover the pixel electrode 111. Here, when the corrosion prevention layer forming material has conductivity, as a method of forming the corrosion prevention layer 115, the formation material is placed on each pixel electrode 111 so as not to cover at least the adjacent pixel electrode 111. It is necessary to adopt a method that can be selectively formed. For example, when the corrosion prevention layer forming material is a noble metal such as Au or Pt, the metal material is preferably formed by mask vapor deposition (vacuum vapor deposition, sputtering, CVD, etc.). Alternatively, a liquid material in which fine particles of these metal materials are dispersed in a dispersion medium is selectively placed on the pixel electrode via a droplet discharge device described later, and dried and fired (sintered). Also good.

また、上記形成材料が、Ａｌ_２Ｏ_３やＳｉＯ_ｘ等の酸化物、ＳｉＮ_ｘ等の窒化物、ＳＩＯ_ｘＮ_ｙ等の酸窒化物等の絶縁材料からなる場合には、この形成材料は基板全面に成膜することができる。この成膜方法としては、真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等のようなドライプロセスの他、一般的なフィルムコーティング方法、例えば、押出コーティング方法、スピンコーティング方法、グラビアコーティング方法、リバースロールコーティング方法、ロッドコーティング方法、マイクログラビアコーティング方法、ナイフコーティング方法等のウェットプロセスを採用することができる。勿論、上記形成材料をマスク蒸着法やインクジェット法等により画素電極１１１上に選択的に形成することも可能である。 Further, when the forming material is made of an insulating material such as an oxide such as Al ₂ O ₃ or SiO _x, a nitride such as SiN _x, or an oxynitride such as SIO _x N _y , the forming material is a substrate. A film can be formed on the entire surface. As this film forming method, in addition to a dry process such as a vacuum deposition method, a sputtering method, a CVD method, etc., a general film coating method, for example, an extrusion coating method, a spin coating method, a gravure coating method, a reverse roll coating method, etc. Further, wet processes such as a rod coating method, a micro gravure coating method, and a knife coating method can be employed. Needless to say, the formation material can be selectively formed over the pixel electrode 111 by a mask vapor deposition method, an inkjet method, or the like.

また、上記腐食防止層１１５がトリフェニルアミン含有ポリエーテルケトン等の正孔輸送性を有する高分子からなる場合には、この高分子材料の導電性に応じて成膜方法を選択する。例えば上記高分子材料の導電性が高い場合には、この高分子の前駆体であるトリフェニルアミン含有ポリエーテルケトンを、例えば、NMP等の分散媒に分散させた溶液を、液滴吐出装置によって画素電極１１１上に選択的に吐出する。そして、この液体材料を乾燥した後、光架橋することで、画素電極１１１上に上述の高分子を形成することができる。一方、上記高分子の導電性が低い場合には、その前駆体の分散液を上述のフィルムコーティング法により基板全面に塗布・乾燥した後、熱架橋すればよい。 When the corrosion prevention layer 115 is made of a polymer having a hole transporting property such as triphenylamine-containing polyether ketone, a film forming method is selected according to the conductivity of the polymer material. For example, when the conductivity of the polymer material is high, a solution obtained by dispersing a triphenylamine-containing polyether ketone, which is a precursor of the polymer, in a dispersion medium such as NMP is used by a droplet discharge device. The ink is selectively discharged onto the pixel electrode 111. Then, after drying the liquid material, the above-described polymer can be formed on the pixel electrode 111 by photocrosslinking. On the other hand, when the conductivity of the polymer is low, the precursor dispersion may be applied and dried on the entire surface of the substrate by the film coating method described above, and then thermally crosslinked.

なお、腐食防止層１１５の厚みは、これが貴金属からなる場合には、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましく、酸化物，窒化物，酸窒化物からなる場合には、１ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることが好ましい。また、上記腐食防止層１１５が正孔輸送性の高分子からなる場合には、その厚みは５ｎｍ以上８０ｎｍ以下であることが好ましく、特に、これが架橋構造を有するものであれば、その厚みは５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることが好ましい。この理由は前述の通りであるため、ここでは説明を省略する。 The thickness of the corrosion prevention layer 115 is preferably 10 nm or more and 100 nm or less when it is made of a noble metal, and is 1 nm or more and 30 nm or less when it is made of an oxide, nitride, or oxynitride. Is preferred. In addition, when the corrosion prevention layer 115 is made of a hole transporting polymer, the thickness is preferably 5 nm or more and 80 nm or less. In particular, if this has a crosslinked structure, the thickness is 5 nm. The thickness is preferably 30 nm or less. The reason for this is as described above, and a description thereof will be omitted here.

(3)-2正孔注入／輸送層形成工程
次に、正孔注入／輸送層形成工程では、液滴吐出としてたとえばインクジェット装置を用いることにより、正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物（組成物）を開口部１１２ｃ或いは開口部１１２ｄ内に吐出する。その後に乾燥処理及び熱処理を行い、腐食防止層１１５上及び無機物バンク層１１２ａ上に正孔注入/輸送層１１０ａを形成する。なお、正孔注入/輸送層１１０ａが形成された無機物バンク層１１２ａをここでは第１積層部１１２ｅという。 (3) -2 Hole Injection / Transport Layer Formation Step Next, in the hole injection / transport layer formation step, the first injection containing the hole injection / transport layer formation material is performed by using, for example, an ink jet device as droplet discharge. A composition (composition) is discharged into the opening 112c or the opening 112d. Thereafter, a drying treatment and a heat treatment are performed to form a hole injection / transport layer 110a on the corrosion prevention layer 115 and the inorganic bank layer 112a. Here, the inorganic bank layer 112a on which the hole injection / transport layer 110a is formed is referred to as a first stacked portion 112e herein.

ここで用いる第１組成物としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルフォン酸（ＰＳＳ）等の混合物を極性溶媒に溶解させた組成物を用いることができる。極性溶媒としては、例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、ｎ−ブチルアルコール、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）及びその誘導体、カルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート等のグリコール類等を挙げることができる。 As the first composition used here, for example, a composition obtained by dissolving a mixture of a polythiophene derivative such as polyethylenedioxythiophene (PEDOT) and polystyrene sulfonic acid (PSS) in a polar solvent can be used. Examples of polar solvents include isopropyl alcohol (IPA), n-butyl alcohol, γ-butyrolactone, N-methylpyrrolidone (NMP), 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone (DMI) and its derivatives, carbitol Examples include glycols such as acetate and butyl carbitol acetate.

より具体的な第１組成物の組成としては、ＰＥＤＩＴ／ＰＳＳ混合物（ＰＥＤＩＴ／ＰＳＳ＝１：２０）：１２．５２重量％、ＰＳＳ：１．４４重量％、ＩＰＡ：１０重量％、ＮＭＰ：２７．４８重量％、ＤＭＩ：５０重量％のものを例示できる。尚、第１組成物の粘度は２〜２０Ｐｓ程度が好ましく、特に４〜１５ｃＰｓ程度が良い。
上記の第１組成物を用いることにより、吐出ノズルＨ2に詰まりが生じることがなく安定吐出できる。
なお、正孔注入／輸送層形成材料は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各発光層１１０ｂ1〜１１０ｂ3に対して同じ材料を用いても良く、各発光層毎に変えても良い。 More specifically, the composition of the first composition is a PEDIT / PSS mixture (PEDIT / PSS = 1: 20): 12.52 wt%, PSS: 1.44 wt%, IPA: 10 wt%, NMP: 27 .48 wt%, DMI: 50 wt% can be exemplified. The viscosity of the first composition is preferably about 2 to 20 Ps, particularly about 4 to 15 cPs.
By using the first composition, the discharge nozzle H2 can be stably discharged without clogging.
The hole injection / transport layer forming material may be the same for the red (R), green (G), and blue (B) light emitting layers 110b1 to 110b3, and may be changed for each light emitting layer. May be.

図９に示すように、インクジェットヘッドＨ１の吐出ノズルＨ２から吐出された第１組成物の液滴１１０ｃは、最終的には腐食防止層１１５及び第１積層部１１２ｅ上に広がり、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に充填される。仮に、第１組成物の液滴１１０ｃが所定の吐出位置からはずれて上面１１２ｆ上に吐出されたとしても、上面１１２ｆが第１組成物滴１１０ｃで濡れることがなく、はじかれた第１組成物滴１１０ｃが下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。 As shown in FIG. 9, the droplets 110c of the first composition discharged from the discharge nozzle H2 of the ink jet head H1 finally spread on the corrosion prevention layer 115 and the first stacked portion 112e, and the lower and upper openings are opened. The parts 112c and 112d are filled. Even if the droplet 110c of the first composition deviates from the predetermined discharge position and is discharged onto the upper surface 112f, the upper surface 112f is not wetted by the first composition droplet 110c and is repelled. The droplet 110c rolls into the lower and upper openings 112c and 112d.

電極面１１１ａ上に吐出する第１組成物の全量は、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄの大きさ、形成しようとする正孔注入／輸送層の厚さ、第１組成物中の正孔注入／輸送層形成材料の濃度等により決定される。 The total amount of the first composition discharged onto the electrode surface 111a is the size of the lower and upper openings 112c and 112d, the thickness of the hole injection / transport layer to be formed, and the hole injection in the first composition. / Determined by the concentration of the transport layer forming material.

次いで、図１０に示すような乾燥工程を行う。乾燥工程を行う事により、吐出後の第１組成物を乾燥処理し、第１組成物に含まれる極性溶媒を蒸発させ、正孔注入／輸送層１１０ａを形成する。
乾燥処理を行うと、第１組成物滴１１０ｃに含まれる極性溶媒の蒸発が、主に無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂに近いところで起き、極性溶媒の蒸発に併せて正孔注入／輸送層形成材料が濃縮されて析出する。 Next, a drying process as shown in FIG. 10 is performed. By performing the drying step, the discharged first composition is dried, the polar solvent contained in the first composition is evaporated, and the hole injection / transport layer 110a is formed.
When the drying process is performed, the evaporation of the polar solvent contained in the first composition droplet 110c mainly occurs near the inorganic bank layer 112a and the organic bank layer 112b, and the hole injection / transport layer is combined with the evaporation of the polar solvent. The forming material is concentrated and deposited.

(4)発光層形成工程
この発光層形成工程は、発光層形成材料吐出工程および乾燥工程により構成される。
まず、発光層形成材料吐出工程を行う。インクジェット法（液滴吐出法）により、発光層形成材料を含む第２組成物を正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出した後に乾燥処理して、正孔注入／輸送層１１０ａ上に発光層１１０ｂを形成する。
図１１に、インクジェットによる吐出方法の概略を示す。図１１に示すように、インクジェットヘッドＨ5と基体２とを相対的に移動し、インクジェットヘッドに形成された吐出ノズルＨ６から各色（たとえばここでは青色（Ｂ））発光層形成材料を含有する第２組成物が吐出される。 (4) Light emitting layer forming step This light emitting layer forming step includes a light emitting layer forming material discharging step and a drying step.
First, a light emitting layer forming material discharge step is performed. The second composition containing the light emitting layer forming material is discharged onto the hole injection / transport layer 110a by an inkjet method (droplet discharge method), and then dried to form the light emitting layer 110b on the hole injection / transport layer 110a. Form.
FIG. 11 shows an outline of an inkjet discharge method. As shown in FIG. 11, the ink-jet head H5 and the base 2 are moved relatively, and each color (for example, blue (B) here) containing the light-emitting layer forming material is discharged from the discharge nozzle H6 formed on the ink-jet head. The composition is discharged.

吐出の際には、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に位置する正孔注入／輸送層１１０ａに吐出ノズルを対向させ、インクジェットヘッドＨ5と基体２とを相対移動させながら、第２組成物が吐出される。吐出ノズルＨ6から吐出される液量は１滴当たりの液量が制御されている。このように液量が制御された液（第２組成物滴１１０ｅ）が吐出ノズルから吐出され、この第２組成物滴１１０ｅを正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する。 At the time of discharge, the second composition is formed while the discharge nozzle is opposed to the hole injection / transport layer 110a located in the lower and upper openings 112c and 112d and the inkjet head H5 and the substrate 2 are moved relative to each other. Discharged. The amount of liquid discharged from the discharge nozzle H6 is controlled per drop. Thus, the liquid (second composition droplet 110e) whose liquid amount is controlled is discharged from the discharge nozzle, and the second composition droplet 110e is discharged onto the hole injection / transport layer 110a.

発光層形成材料としては、（ポリ）フルオレン系高分子誘導体や、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン係色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、あるいは上記高分子に有機ＥＬ材料をドープして用いる事ができる。例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープすることにより用いることができる。 As the light emitting layer forming material, (poly) fluorene polymer derivative, (poly) paraphenylene vinylene derivative, polyphenylene derivative, polyvinyl carbazole, polythiophene derivative, perylene dye, coumarin dye, rhodamine dye, or the above polymer The organic EL material can be used after being doped. For example, it can be used by doping rubrene, perylene, 9,10-diphenylanthracene, tetraphenylbutadiene, Nile red, coumarin 6, quinacridone and the like.

非極性溶媒としては、正孔注入／輸送層１１０ａに対して不溶なものが好ましく、例えば、シクロへキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等を用いることができる。
このような非極性溶媒を発光層１１０ｂの第２組成物に用いることにより、正孔注入／輸送層１１０ａを再溶解させることなく第２組成物を塗布できる。 As the nonpolar solvent, those insoluble in the hole injection / transport layer 110a are preferable. For example, cyclohexylbenzene, dihydrobenzofuran, trimethylbenzene, tetramethylbenzene and the like can be used.
By using such a nonpolar solvent for the second composition of the light emitting layer 110b, the second composition can be applied without re-dissolving the hole injection / transport layer 110a.

図１１に示すように、吐出された第２組成物１１０ｅは、正孔注入／輸送層１１０ａ上に広がって下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に満たされる。その一方で、撥液処理された上面１１２ｆでは第１組成物滴１１０ｅが所定の吐出位置からはずれて上面１１２ｆ上に吐出されたとしても、上面１１２ｆが第２組成物滴１１０ｅで濡れることがなく、第２組成物滴１１０ｅが下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。 As shown in FIG. 11, the discharged second composition 110e spreads on the hole injection / transport layer 110a and fills the lower and upper openings 112c and 112d. On the other hand, even if the first composition droplet 110e is removed from the predetermined discharge position and discharged onto the upper surface 112f on the upper surface 112f subjected to the liquid repellent treatment, the upper surface 112f does not get wet with the second composition droplet 110e. The second composition droplet 110e rolls into the lower and upper openings 112c and 112d.

各正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する第２組成物量は、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄの大きさ、形成しようとする発光層１１０ｂの厚さ、第２組成物中の発光層材料の濃度等により決定される。 The amount of the second composition discharged onto each hole injection / transport layer 110a is the size of the lower and upper openings 112c and 112d, the thickness of the light emitting layer 110b to be formed, and the light emitting layer material in the second composition. It is determined by the concentration etc.

次に、第２の組成物を所定の位置に吐出し終わった後、吐出後の第２組成物滴１１０ｅを乾燥処理することにより発光層１１０ｂ３が形成される。すなわち、乾燥により第２組成物に含まれる非極性溶媒が蒸発し、図１２に示すような青色（Ｂ）発光層１１０ｂ3が形成される。なお、図１２においては青に発光する発光層が１つのみ図示されているが、図１やその他の図より明らかなように本来は発光素子がマトリックス状に形成されたものであり、図示しない多数の発光層（青色に対応）が形成されている。 Next, after the second composition is completely discharged to a predetermined position, the light emitting layer 110b3 is formed by drying the discharged second composition droplet 110e. That is, the nonpolar solvent contained in the second composition is evaporated by drying, and a blue (B) light emitting layer 110b3 as shown in FIG. 12 is formed. In FIG. 12, only one light emitting layer that emits blue light is shown. However, as is clear from FIG. 1 and other drawings, the light emitting elements are originally formed in a matrix and are not shown. A number of light emitting layers (corresponding to blue) are formed.

続けて、図１３に示すように、前述した青色（Ｂ）発光層１１０ｂ3の場合と同様の工程を用い、赤色（Ｒ）発光層１１０ｂ1を形成し、最後に緑色（Ｇ）発光層１１０ｂ2を形成する。
なお、発光層１１０ｂの形成順序は、前述の順序に限られるものではなく、どのような順番で形成しても良い。例えば、発光層形成材料に応じて形成する順番を決める事も可能である。 Subsequently, as shown in FIG. 13, the red (R) light emitting layer 110b1 is formed using the same process as that for the blue (B) light emitting layer 110b3 described above, and finally the green (G) light emitting layer 110b2 is formed. To do.
Note that the order of forming the light emitting layers 110b is not limited to the order described above, and may be formed in any order. For example, the order of formation can be determined according to the light emitting layer forming material.

(5)陰極形成工程
陰極形成工程は、図１４に示すように、発光層１１０ｂ及び有機物バンク層１１２ｂの全面に陰極１２（対向電極）を形成する。
陰極１２は、Ａｌ等の単層膜としてもよいが、ＥＬ素子を効率よく発光させるために、電子注入層と導電層のような積層構造を採用してもよい。この場合、発光層に近い側にＣａ、Ｂａ等の仕事関数が小さい材料からなる導電層を形成した構成とすることが好ましい。またトップエミッションタイプの場合は、発光層１１０ｂからの光を陰極１２側から取り出すので、陰極１２は透明でなければならない。電子注入層としては、バソクプロイン（ＢＣＰ）とセシウムの共蒸着膜や、光が透過する程度に薄く形成したカルシウム（Ｃａ）やバリウム（Ｂａ）などの低仕事関数金属薄膜を用いることができる。また、発光材料によっては、陰極１２の下方にＬｉＦ等からなる薄層を形成してもよい。導電層としては、ＩＴＯやＩＺＯを用いるのが一般的であるが、ボトムエミッションの場合はアルミなどの金属材料を使用可能である。電子注入層および導電層の成膜方法は、抵抗加熱蒸着法、スパッタ法など、既知の成膜方法から適切な方法を選択すればよい。この陰極１２の厚さは、例えば１００〜１０００ｎｍの範囲が好ましく、特に２００〜５００ｎｍ程度がよい。また、陰極１２上に、酸化防止のためにＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄等の保護層を設けても良い。 (5) Cathode Formation Step In the cathode formation step, as shown in FIG. 14, the cathode 12 (counter electrode) is formed on the entire surface of the light emitting layer 110b and the organic bank layer 112b.
The cathode 12 may be a single layer film of Al or the like, but a laminated structure such as an electron injection layer and a conductive layer may be adopted in order to make the EL element emit light efficiently. In this case, it is preferable that a conductive layer made of a material having a small work function such as Ca and Ba is formed on the side close to the light emitting layer. In the case of the top emission type, the light from the light emitting layer 110b is taken out from the cathode 12 side, so the cathode 12 must be transparent. As the electron injection layer, a co-deposited film of bathocuproine (BCP) and cesium, or a low work function metal thin film such as calcium (Ca) or barium (Ba) formed thin enough to transmit light can be used. Further, depending on the light emitting material, a thin layer made of LiF or the like may be formed below the cathode 12. As the conductive layer, ITO or IZO is generally used, but in the case of bottom emission, a metal material such as aluminum can be used. As a method for forming the electron injection layer and the conductive layer, an appropriate method may be selected from known film formation methods such as a resistance heating vapor deposition method and a sputtering method. The thickness of the cathode 12 is, for example, preferably in the range of 100 to 1000 nm, and particularly preferably about 200 to 500 nm. Further, a protective layer such as SiO ₂ or Si ₃ N ₄ may be provided on the cathode 12 to prevent oxidation.

なお、この陰極１２の形成では、前記正孔注入／輸送層１１０ａや発光層１１０ｂの形成とは異なり、蒸着法やスパッタ法等で行うため、画素領域にのみ選択的に形成材料を配するのでなく、基板のほぼ全面に形成材料が設けられることになる。 The formation of the cathode 12 is different from the formation of the hole injecting / transporting layer 110a and the light emitting layer 110b by vapor deposition, sputtering, or the like. Therefore, the forming material is selectively disposed only in the pixel region. Instead, the forming material is provided on almost the entire surface of the substrate.

(6)封止工程
封止工程は、発光素子が形成された基板２と封止基板３ｂとを封止樹脂３ａにより封止する工程である。例えば、熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂からなる封止樹脂３ａを基板２の全面に塗布し、封止樹脂３ａ上に封止用基板３ｂを積層する。この工程により基板２上に封止部３を形成する。
封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。大気中で行うと、陰極１２にピンホール等の欠陥が生じていた場合にこの欠陥部分から水や酸素等が陰極１２に侵入して陰極１２が酸化されるおそれがあるので好ましくない。
更に、図２に例示した基板５の配線５ａに陰極１２を接続するとともに、駆動ＩＣ６に回路素子部１４の配線を接続することにより、本実施形態の有機ＥＬ装置１が得られる。 (6) Sealing Step The sealing step is a step of sealing the substrate 2 on which the light emitting element is formed and the sealing substrate 3b with the sealing resin 3a. For example, a sealing resin 3a made of a thermosetting resin or an ultraviolet curable resin is applied to the entire surface of the substrate 2, and the sealing substrate 3b is laminated on the sealing resin 3a. By this process, the sealing portion 3 is formed on the substrate 2.
The sealing step is preferably performed in an inert gas atmosphere such as nitrogen, argon, or helium. If it is carried out in the air, when a defect such as a pinhole has occurred in the cathode 12, water or oxygen may enter the cathode 12 from the defective portion and the cathode 12 may be oxidized, which is not preferable.
Further, the cathode 12 is connected to the wiring 5a of the substrate 5 illustrated in FIG. 2, and the wiring of the circuit element unit 14 is connected to the driving IC 6, whereby the organic EL device 1 of this embodiment is obtained.

本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法によれば、陽極上に腐食防止層が設けられているため、正孔注入層を形成する際に、そのドープ材によって陽極が腐食されることはない。このため、装置の長寿命化を図ることができる。 According to the manufacturing method of the organic EL device of this embodiment, since the corrosion prevention layer is provided on the anode, the anode is not corroded by the doping material when the hole injection layer is formed. For this reason, the lifetime of the apparatus can be extended.

［電子機器］
以下、上述の有機ＥＬ装置を備えた電子機器の具体例について説明する。
図１５は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１５において、符号７００は情報処理装置、符号７０１はキーボードなどの入力部、符号７０２は前記の有機ＥＬ表示装置を用いた表示部、符号７０３は情報処理装置本体を示している。 [Electronics]
Hereinafter, specific examples of the electronic device including the above-described organic EL device will be described.
FIG. 15 is a perspective view illustrating an example of a portable information processing apparatus such as a word processor or a personal computer. In FIG. 15, reference numeral 700 denotes an information processing apparatus, reference numeral 701 denotes an input unit such as a keyboard, reference numeral 702 denotes a display unit using the organic EL display device, and reference numeral 703 denotes an information processing apparatus body.

図１５に示す電子機器は、前記実施形態の有機ＥＬ装置を用いた表示部を備えたものであり、先の実施形態の有機ＥＬ装置の特徴を有するので、高輝度で信頼性の高い電子機器となる。
これらの電子機器を製造するには、上記実施形態と同様にして、図２に示すような駆動ＩＣ６（駆動回路）を備えた有機ＥＬ装置１を構成し、この有機ＥＬ装置１を、携帯電話、携帯型情報処理装置、腕時計型電子機器に組み込むことにより製造される。 The electronic device shown in FIG. 15 includes a display unit using the organic EL device of the above embodiment, and has the characteristics of the organic EL device of the previous embodiment. Therefore, the electronic device has high brightness and high reliability. It becomes.
In order to manufacture these electronic devices, an organic EL device 1 having a drive IC 6 (drive circuit) as shown in FIG. 2 is configured in the same manner as in the above embodiment, and this organic EL device 1 is connected to a mobile phone. It is manufactured by being incorporated into a portable information processing device and a wristwatch type electronic device.

なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
例えば、上記実施形態では、本発明の有機ＥＬ装置を表示装置とした例を示したが、本発明はそれ以外の用途、例えば、液晶表示装置の光源用の有機ＥＬ装置や、光書き込み型のレーザープリンタ及び光通信に用いる光源等にも適用可能である。 In addition, this invention is not limited to the above-mentioned embodiment, It can implement in various deformation | transformation in the range which does not deviate from the meaning of this invention.
For example, in the above-described embodiment, an example in which the organic EL device of the present invention is used as a display device has been described. The present invention is also applicable to a laser printer and a light source used for optical communication.

本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ装置の配線構造を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the wiring structure of the organic electroluminescent apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 同、有機ＥＬ装置を示す図であって、（ａ）は有機ＥＬ表示装置の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。It is a figure which shows an organic electroluminescent apparatus, Comprising: (a) is a top view of an organic electroluminescent display apparatus, (b) is sectional drawing which follows the AA line of (a). 同、有機ＥＬ装置の要部を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the principal part of an organic EL apparatus equally. 同、有機ＥＬ装置の製造方法を示す過程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of an organic EL device equally. 同、有機ＥＬ装置の製造方法を示す過程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of an organic EL device equally. 同、有機ＥＬ装置の製造方法を示す過程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of an organic EL device equally. 同、有機ＥＬ装置の製造方法を示す過程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of an organic EL device equally. 同、有機ＥＬ装置の製造方法を示す過程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of an organic EL device equally. 同、有機ＥＬ装置の製造方法を示す過程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of an organic EL device equally. 同、有機ＥＬ装置の製造方法を示す過程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of an organic EL device equally. 同、有機ＥＬ装置の製造方法を示す過程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of an organic EL device equally. 同、有機ＥＬ装置の製造方法を示す過程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of an organic EL device equally. 同、有機ＥＬ装置の製造方法を示す過程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of an organic EL device equally. 同、有機ＥＬ装置の製造方法を示す過程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of an organic EL device equally. 本発明の電子機器の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the electronic device of this invention.

Explanation of symbols

１・・・有機エレクトロルミネッセンス装置、２・・・基板、１２・・・陰極、１１０ａ・・・正孔注入／輸送層（正孔注入層）、１１０ｂ・・・発光層、１１０ｃ・・・第1組成物（正孔注入層形成材料）、１１１・・・画素電極（陽極）、１１５・・・腐食防止層、７００・・・電子機器

DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Organic electroluminescent apparatus, 2 ... Board | substrate, 12 ... Cathode, 110a ... Hole injection / transport layer (hole injection layer), 110b ... Light emitting layer, 110c ... 1st 1 Composition (hole injection layer forming material), 111 ... Pixel electrode (anode), 115 ... Corrosion prevention layer, 700 ... Electronic equipment

Claims

An organic electroluminescence device in which an anode, a hole injection layer, a light emitting layer, and a cathode are sequentially laminated on a substrate,
A corrosion prevention layer for preventing corrosion of the anode by the hole injection layer forming material constituting the hole injection layer is provided between the anode and the hole injection layer. Electroluminescence device.

2. The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the corrosion preventing layer includes a noble metal.

3. The organic electroluminescence device according to claim 2, wherein the corrosion prevention layer has a thickness of 10 nm to 100 nm.

2. The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the corrosion prevention layer includes any one of an oxide, a nitride, and an oxynitride.

The organic electroluminescence device according to claim 4, wherein the corrosion prevention layer has a thickness of 1 nm or more and 30 nm or less.

2. The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the corrosion prevention layer comprises a polymer having a hole transporting property.

The organic electroluminescence device according to claim 6, wherein the polymer has a crosslinked structure.

An electronic apparatus comprising the organic electroluminescence device according to claim 1.