JP2005097624A - 階層的規則構造を構築するブロックコポリマー - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
液晶構造、相分離構造、散逸構造に基づく特定の分子構造を組み合わせたブロックコポリマーを用いることにより、薄膜中に、それぞれの規則構造が高度に組合わさった階層構造を構築する。
【選択図】なし
Description
相分離構造中の各ドメインの恒等周期サイズは、ポリマー鎖の長さ、すなわち分子量を変えることにより、おおよそ10〜100nm間で任意に制御することができる。また、相分離構造パターンにおいても、ブロックコポリマーのブロック組成比により、球状(スフィアー)、棒状(シリンダー)、シート状(ラメラ)と任意に変化させることができる。しかしながら、従来のブロックコポリマーが構築する相分離構造を巨視的に見た場合、長距離的な構造周期、又方向に対する秩序性が乏しく、平方マイクロメートルオーダー範囲で高度に構造制御された相分離構造パターンは得られていない。また、従来のブロックコポリマーによる周期的な規則構造サイズは10nm以上、100nm以下の範囲であり、それ以上、すなわちサブマイクロメートル、もしくはマイクロメートルオーダーの繰り返しドメイン、また10nm以下の規則構造は得られない。
これに対し、近年、ポリ(スチレンーb−フェニレン)(G.Widawski,M.Rawiso and B.Francois,Nature,vol.369,p,387(1994))、あるいはポリ(スチレンーb−フェニルキノリン)(S.Jenekhe and X.L.Chen,Science,vol.283,p,372(1999))などの分子構造からなるブロックコポリマーが開発された。これらのポリマーを用いた溶液キャスト法によって作製された薄膜では、膜表面に3マイクロメートル程度の孔径を有する六方最密構造した多孔質膜が得られることがわかった。これは、このブロックコポリマーの膜形成時に起こる特異的な自己組織化現象、すなわち分子の自己集合と散逸構造によりその構造が形成されている。しかしながら、このような分子構造のブロックコポリマーでは、縮重合により得られるポリフェニレンやポリフェニルキノリン成分の合成上の問題点から、ポリマーの分子量を制御することができない。そのため、ポリマー鎖の長さに依存する100nm以下の相分離構造や、さらに微小領域の10nm以下の規則構造を構築をすることができないという問題点が指摘されており、これらの問題点を解決するためのブロックコポリマーの開発が必要とされている。
下記一般式
ここで、R3は、炭素数1〜18のアルキル基、アルキルエーテル基、フェニレン基、R4は、炭素数1〜18のアルキル基、もしくは炭素数1〜18のアルキルチエニル基、炭素数1〜18のアルキルフェニル基、アルコキシ基、チエニル基、フェニレン基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子を示す。R5、R6、R7は、ハロゲン原子、もしくはフェニル基、炭素数1〜18のアルキル基、アルキルフェニル基を示す。R6とR7は、同一であっても、又異なっていても差し支えない。rは2〜8の数を表す。s、t、uは0,1又は2の数を表す。また、Zは、アゾ基、もしくはエステル基を表す。)
で表されるブロックコポリマーが階層的規則構造を構築する性質を有することが分かった。
又、本発明のブロックコポリマー薄膜では、ナノオーダーの相分離構造が、基板に対し、垂直方向に規則的に配列している。したがって、従来には見られない新規な高機能・高付加価値高分子材料としてその構造を利用することができる。
下記一般式
で表されるブロックコポリマー。
(1)ポリヒドロキシエチルメタクリレートブロックにオリゴチオフェン誘導体を有したポリ(スチレンーb−ヒドロキシエチルメタクリレート)ブロックコポリマー。
(2)ポリヒドロキシエチルメタクリレートブロックにオリゴフェニレン誘導体を有したポリ(スチレンーb−ヒドロキシエチルメタクリレート)ブロックコポリマー。
(3)ポリヒドロキシエチルメタクリレートブロックにアゾ基、もしくはエステル基を含む芳香族系化合物を有したポリ(スチレンーb−ヒドロキシエチルメタクリレート)ブロックコポリマー。
スチレンモノマー、もしくはイソプレンモノマー、アクリル酸エステルモノマー、メタクリル酸エステルモノマーを原料として、アニオン重合、もしくはリビングラジカル重合を行い、目的の分子量を有するポリマーを得る。
イソプレンモノマーを原料としアニオン重合により得られたブロックコポリマーの場合は、さらにハイドロボレーション化反応を行い、側鎖基にヒドロキシル基を有するブロックコポリマーを得る。
アクリル酸エステルモノマー、メタクリル酸エステルモノマーを原料とした場合は、得られたブロックコポリマーのエステル結合の加水分解反応を行い、側鎖基にカルボキシル基を有するブロックコポリマーを得る。
最後に、前記一般式で表される化合物のカルボン酸誘導体と前記のブロックコポリマーを原料として、エステル化反応を行うことにより、目的のブロックコポリマーを得ることができる。
二硫化炭素を溶剤に用いたブロックコポリマー溶液をガラス、もしくはシリコンウェハー、エポキシ樹脂、ポリイミド膜などの基板上に塗布し、高湿度気流下において、溶媒を揮発させる。
このブロックコポリマー薄膜について、偏光顕微鏡観察、X線回折、電子顕微鏡観察を行い、構造解析を行った。前記、恒等周期4.7Å間隔で分子がパッキングしたスメクティック液晶構造、恒等周期30nmのミクロ相分離構造、孔径1.3μmの穴から成る六方細密構造が構築した階層的規則構造の薄膜断面構造の検討から、恒等周期30nmの相分離構造はシリンダー型であり、さらに基板に対し、垂直方向に規則正しく長距離秩序的に構築していることがわかった。
従来のブロックコポリマーの薄膜構造では、恒等周期30nm程度のシリンダー型ミクロ相分離構造のみの構築であった。また、シリンダー型相分離構造の周期性や方向性に長距離秩序性は見られなかった。これらの結果から、このような分子構造を有するブロックコポリマーは、従来知られている相分離構造のみならず、液晶構造、相分離構造、散逸構造に基づくそれぞれの規則構造からなる階層構造を構築できることが分かった。
この結果から見ると、分子レベルからマイクロメートルオーダーに至る階層的規則構造を利用した各種精密機械部品、各種電子・光学材料、光ディスクなど情報機器材料、生体適合性材料など、ナノテクノロジー分野での高機能・高付加価値高分子材料としてより一層有効に使用することができるものであることが分かる。
行う。
(1)高分子物の基本単位の構造の確認
得られるブロックコポリマーを構成する基本単位の構造については、赤外線分光分析及びNMR分析のスペクトル解析をすることにより行う。
(2)分子量の測定
得られるブロックコポリマーをテトラハイドロフランに溶解後、ポリスチレンで校正したゲルパーミエーションクロマトグラフィーで分析し、分子量を算出する。
(3)薄膜作製
得られるブロックコポリマーを二硫化炭素に溶解させ、基板上に塗布した後、高湿度気流下、室温において、溶媒を揮発させることにより行う。
(4)高分子薄膜構造の確認
得られるブロックコポリマーの薄膜状態での構造については、偏光顕微鏡観察、及びX線回折、走査型電子顕微鏡観察、透過型電子顕微鏡観察の結果を解析することにより行う。
目的のブロックコポリマーの一例として、オリゴチオフェンユニットをポリイソプレンブロックに有するポリ(スチレンーb−イソプレン)ブロックコポリマーの合成を以下のように行った。ブロックコポリマーの主鎖として、スチレンモノマーとイソプレンモノマーを用いたアニオン重合法により、スチレンの繰り返し数400、イソプレンの繰り返し数25からなるポリ(スチレンーb−イソプレン)ブロックコポリマーを合成した。次に、ポリイソプレンブロック側鎖のビニル基をハイドロボレーション化反応により、ヒドロキシル基に変換し、ポリイソプレンブロックにヒドロキシル基を有するポリ(スチレンーb−イソプレン)ブロックコポリマーを合成した。続いて、窒素気流下、二口フラスコにヒドロキシル基を有するポリ(スチレンーb−イソプレン)ブロックコポリマー0.3gを秤取り、テトラハイドロフラン10mlとピリジン1mlを加え、ポリマーを溶解させた後、オリゴチオフェン、すなわち末端にカルボキシル基を有するターシャルブチルフェニルターチオフェンのカルボン酸クロライドテトラハイドロフラン溶液2mlを滴下させ、室温にて24時間、攪拌した。
反応終了後、反応溶液を200mlのメタノールに投入し、ポリマーを再沈殿させ、得られたポリマーを更にメタノールとアセトンにより十分洗浄した。
次に、50℃で12時間、油回転真空ポンプにより減圧乾燥させた。その結果、蛍光黄色のブロックコポリマー0.353gを得た。
このポリマーの赤外分光分析及び1H−NMR、13C−NMRによるスペクトル測定を行い、ポリスチレン及びオリゴチオフェンを有したポリイソプレンを基本単位とするポリマーであることを確認した。このポリマーをテトラハイドロフランに溶解させ、ポリスチレンで校正したゲルパーミエーションクロマトグラフィーで分析し、数平均分子量と分子量分布を算出した結果、それぞれ55000、1.08であった。
[参考例2]
このブロックコポリマーの0.05wt%二硫化炭素溶液を調製し、ガラス基板上に塗布した。およそ70〜95%程度の高湿度気流下、室温において、溶媒を揮発させ、ガラス基板上に薄膜を得た。
この薄膜の偏光顕微鏡観察では、ポリマーの液晶性に基づく光学組織が見られ、又、X線解析の結果より、この液晶相が分子鎖間4.7Åのスメクティック相であることを確認した。
この薄膜の走査型電子顕微鏡(SEM)観察を行い、膜表面には孔径1.3μmの穴が六方細密に形成された構造を構築していることを確認した。
薄膜切片の透過型電子顕微鏡(TEM)観察を行い、薄膜断面には恒等周期30nmのシリンダー型相分離構造が基板に対し、垂直方向に配列していることを確認した。
数平均分子量50000、分子量分布1.1からなるポリ(スチレンーb−イソプレン)ブロックコポリマーの0.05wt%二硫化炭素溶液を調製し、ガラス基板上に塗布した。室温、高湿度気流下において、溶媒を揮発させ、ガラス基板上に薄膜を得た。
この薄膜の偏光顕微鏡観察では、ポリマーの液晶性に基づく光学組織は見られなかった。
この薄膜の走査型電子顕微鏡(SEM)観察を行ったが、膜表面には多孔性の構造は見られなかった。
薄膜切片の透過型電子顕微鏡(TEM)観察を行い、薄膜断面には恒等周期30nmの相分離構造が構築されていたが、方向性は無秩序であった。
Claims (6)
- 下記一般式
で表されるブロックコポリマー。 - 請求項1に記載されたブロックコポリマーと溶媒からなる組成物を、基板上に塗布し、溶媒を揮発させた後、基板から剥離させる階層的規則構造を有する薄膜の製造方法。
- 溶剤が二硫化炭素溶液であり、高湿度気流下において、溶媒を揮発させる請求項2に記載した薄膜の製造方法。
- 請求項2又は3に記載した方法により得られた階層的規則構造を有する薄膜を液晶膜に用いること。
- 請求項2又は3に記載した方法により得られた階層的規則構造を有する薄膜を相分離膜に用いること。
- 請求項2又は3に記載した方法により得られた階層的規則構造を有する薄膜を散逸膜に用いること。
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