JP2005091673A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ディスクリネーションによる表示不良の発生を防止して表示画像の品質を向上し、高い開口率を得る。
【解決手段】液晶表示装置は、第１基板１１と、記第１基板１１と対向している第２基板２１と、第１基板１１と第２基板２１との間に配置されている液晶層３１とを有し、第１基板１１の液晶層３１側の面には、マトリクス状に配列されている第１電極１２と、第１電極１２のそれぞれに設けられているスイッチング素子１４とが形成されており、第２基板２１の液晶層３１側の面には、第１電極１２のそれぞれと対応してマトリクス状に配列されている第２電極２３が形成されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、液晶表示装置に関し、特に、アクティブマトリクス型の液晶表示装置に関するものである。

液晶表示装置は、ＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ Ｒａｙ Ｔｕｂｅ）よりも、薄型、軽量、低消費電力といった利点を有し、パーソナルコンピューター、携帯電話、デジタルカメラなどの電子機器の表示装置として使用されている。液晶表示装置の駆動方式として、アクティブマトリクス方式が知られている。

図６および図７は従来の液晶表示装置の構成を示す図であり、透過型として用いるアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である。ここで、図６は、従来の液晶表示装置の断面図であり、図７は、図６に示した従来の液晶表示装置を示す平面図である。図７において、図７（ａ）は、図６に示している第１基板１１１側の平面図を示しており、図７（ｂ）は、図６に示している第２基板１２１側を示している。なお、図６は、図７のＸ１−Ｘ２線部分で切断した場合における断面図に相当する。

図６に示すように、従来の液晶表示装置は、第１基板１１１と第２基板１２１とを有する。第１基板１１１および第２基板１２１は、光を透過する透明なガラス基板を用いられており、互いが対向して配置されている。また、第１基板１１１と第２基板１２１との間には、液晶層１３１が配置されている。

そして、第１基板１１１には、第１遮光層１１８とスイッチング素子１１４とキャパシタ１１７と第１電極１１２とが液晶層１３１側の面に形成されている。第１遮光層１１８は、第１基板１１１の上に設けられており、スイッチング素子１１４とキャパシタ１１７への光を遮光している。そして、第１遮光層１１８を被覆するように第１層間絶縁膜１６１が形成されている。

そして、スイッチング素子１１４とキャパシタ１１７とが、第１層間絶縁膜１６１の上に形成されている。ここで、スイッチング素子１１４としては、たとえば、トップゲート構造のＴＦＴが形成されている。スイッチング素子１１４は、第１層間絶縁膜１６１の上に順次積層されている半導体層１５３およびゲート絶縁膜１５２と、半導体層１５３のチャネル形成領域（図示なし）に対応してゲート絶縁膜１５２の上に設けられているゲート電極１５１と、チャネル形成領域を挟むように半導体層１５３に形成されている一対のソース・ドレイン領域（図示なし）とを有する。そして、スイッチング素子１１４とキャパシタ１１７とを覆うようにして、第２層間絶縁膜１６２が形成されている。

また、ソース電極１５７とドレイン電極１５８とが、スイッチング素子１１４の一対のソース・ドレイン領域のそれぞれに接続するように形成されている。そして、ソース電極１５７とドレイン電極１５８とを被覆するように、第３層間絶縁膜１６３が形成されている。また、第３層間絶縁膜１６３の上には、第１平坦化膜１６４が設けられている。そして、第１平坦化膜１６４には、接続導電層１５９が、ドレイン電極１５８と接続するようにして形成されている。そして、さらに、接続導電層１５９を覆うようにして第１平坦化膜１６４の上に第２平坦化膜１６５が設けられている。

そして、第１電極１１２が、接続導電層１５９と接続するようにして第２平坦化膜１６５の上に形成されている。つまり、第１電極１１２は、接続導電層１５９を介してＴＦＴのドレイン電極１５８に接続している。また、第１電極１１２は、図７（ａ）に示すように、複数形成されており、それぞれが間隔１１３を隔てて列方向と行方向とにマトリクス状に配列して形成されている。第１電極１１２は、光を透過するようにＩＴＯの透明電極が用いられる。第１電極１１２に対応する領域は、１つの画素領域を構成する。なお、図示を省略しているが、第１基板１１１には、スイッチング素子１１４であるＴＦＴのゲート電極１５１と接続する走査線（図示なし）と、ソース電極１５７と接続する信号線（図示なし）とが設けられている。

一方、第２基板１２１には、第２遮光層１２２と第２電極１２３とが液晶層１３１側の面に形成されている。第２遮光層１２２は、第１基板１１１に形成されている第１電極１１２間の間隔１１３に対応して形成されている。第２遮光層１２２を第１電極１１２間の間隔に対応して形成することにより、第１電極１１２を有する画素領域のコントラストを向上させている。そして、第２遮光層１２２を覆うようにして層間絶縁膜１４１が形成されている。また、第２電極１２３は、マトリクス状に配列された複数の第１電極１１２の形成領域と対向する領域の全面にベタ状に形成されている。第２電極１２３は、光を透過するようにＩＴＯなどの透明電極が用いられている。

以上のような液晶表示装置は、第１電極１１２と第２電極１２３とに電位を印加して液晶層１３１を制御することにより、画面の表示が行われる。画面表示の際には、第１電極１１２が形成されている領域は、光が透過する透過領域となる。一方、スイッチング素子１１４、走査線、信号線、第１遮光層１１８、第２遮光層１２２が形成されている領域は、光が透過しない非透過領域となる。

このように、液晶表示装置は、画面を表示する領域に透過領域と非透過領域とを有する。画面を表示する領域中に占める透過領域の割合は、一般に開口率と呼ばれている。液晶表示装置において開口率は、光源からの光の利用効率に影響を与えるため、高い開口率とすることが要求されている。高い開口率を得るために、第２遮光層１２２を形成する領域を所定条件にて適正化することなどの種々な方法が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
特開２００１−３３０８３２号公報

しかしながら、液晶表示装置は、高い解像度の画像を得るために高精細化されて画素領域が狭くなってきており、隣接する第１電極１１２間の間隔１１３において液晶層１３１の配向方向が乱れるディスクリネーションの発生が顕著となってきている。ディスクリネーションによって光漏れが発生するため、コントラストの低下や表示ムラなどの表示不良となる。このため、従来においては、ディスクリネーションによる表示不良を防止するために、隣接する第１電極１１２間の間隔１１３よりも、第２遮光層１２２を形成する領域を広くする必要があった。

以上のように、従来においては、ディスクリネーションを抑制することが困難であるために、特に、第２遮光層１２２が広く形成されて非透過領域が広くなり、高い開口率を得ることが困難であった。

したがって、本発明の目的は、ディスクリネーションによる表示不良の発生を防止して表示画像の品質を向上することができ、高い開口率を得ることができる液晶表示装置を提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明の液晶表示装置は、第１基板と、前記第１基板と対向している第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置されている液晶層とを有する液晶表示装置であって、前記第１基板の液晶層側の面には、間隔を隔ててマトリクス状に配列されている第１電極と、前記第１電極のそれぞれに設けられているスイッチング素子とが形成されており、前記第２基板の液晶層側の面には、前記第１電極のそれぞれに対応し間隔を隔ててマトリクス状に配列されている第２電極が形成されている。

以上の本発明の液晶表示装置において、第２電極は、第１基板に形成されている第１電極のそれぞれと対応してマトリクス状に配列されて第２基板に形成されている。このため、第１基板と第２基板との間の電界の方向は、互いが対応している第１電極と第２電極との対向方向に沿うため、液晶層の配向の乱れを防止する。

本発明によれば、ディスクリネーションによる表示不良の発生を防止して表示画像の品質を向上することができ、また、高い開口率を得ることができる液晶表示装置を提供することができる。

以下、本発明の実施形態の一例について、図面を参照して説明する。

図１および図２は本実施形態の液晶表示装置の構成を示す図であり、透過型として用いるアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である。ここで、図１は、本実施形態の液晶表示装置の断面図であり、図２は、図１に示した本実施形態の液晶表示装置を示す平面図である。図２において、図２（ａ）は、図１に示している第１基板１１側の平面図を示しており、図２（ｂ）は、図１に示している第２基板２１側を示している。なお、図１は、図２のＹ１−Ｙ２線部分で切断した場合における断面図を示している。

図１に示すように、本実施形態の液晶表示装置は、第１基板１１と第２基板２１とを有する。第１基板１１および第２基板２１は、光を透過する透明なガラス基板を用いられており、互いが対向して配置されている。また、第１基板１１と第２基板２１との間には、液晶層３１が配置されている。

第１基板１１には、遮光層１８とスイッチング素子１４とキャパシタ１７と第１電極１２とが液晶層３１側の面に形成されている。

第１遮光層１８は、第１基板１１の上に設けられている。第１遮光層１８は、たとえば、タングステンを用いて形成され、スイッチング素子１４とキャパシタ１７への光を遮光するために、スイッチング素子１４とキャパシタ１７とが形成される領域に対応するように形成されている。そして、第１遮光層１８を被覆するように第１層間絶縁膜６１が形成されている。

そして、スイッチング素子１４とキャパシタ１７とが、第１層間絶縁膜６１の上に形成されている。本実施形態においては、スイッチング素子１４としてトップゲート構造のＴＦＴが形成されている。スイッチング素子１４は、第１層間絶縁膜６１の上に順次積層されている半導体層５３およびゲート絶縁膜５２と、半導体層５３のチャネル形成領域（図示なし）に対応してゲート絶縁膜５２の上に設けられているゲート電極５１と、チャネル形成領域を挟むように半導体層５３に形成されている一対のソース・ドレイン領域（図示なし）とを有する。そして、スイッチング素子１４とキャパシタ１７とを覆うようにして、第２層間絶縁膜６２が形成されている。

また、ソース電極５７とドレイン電極５８とが、スイッチング素子１４の一対のソース・ドレイン領域のそれぞれに接続するように形成されている。そして、ソース電極５７とドレイン電極５８とを被覆するように、第３層間絶縁膜６３が形成されている。また、第３層間絶縁膜６３の上には、第１平坦化膜６４が設けられている。そして、第１平坦化膜６４には、接続導電層５９が、ドレイン電極５８と接続するようにして形成されている。そして、さらに、接続導電層５９を覆うようにして第１平坦化膜６４の上に第２平坦化膜６５が設けられている。

そして、第１電極１２が、接続導電層５９と接続するようにして第２平坦化膜６５の上に形成されている。つまり、第１電極１２は、接続導電層５９を介してＴＦＴのドレイン電極５８に接続している。また、第１電極１２は、図２（ａ）に示すように、複数形成されており、それぞれが間隔１３を隔てて列方向と行方向とにマトリクス状に配列して形成されている。第１電極１２は、光を透過するようにＩＴＯの透明電極が用いられる。第１電極１２に対応する領域は、１つの画素領域を構成する。

なお、図示を省略しているが、第１基板１１には、スイッチング素子１４であるＴＦＴのゲート電極５１と接続する走査線（図示なし）と、ソース電極５７と接続する信号線（図示なし）とが設けられている。

一方、第２基板２１には、第２遮光層２２と第２電極２３とが液晶層３１側の面に形成されている。

第２遮光層２２は、第１基板１１に形成されている第１電極１２間の間隔１３に対応して第２遮光層２２を形成されている。そして、第２遮光層２２を覆うようにして層間絶縁膜４１が形成されている。

また、第２電極２３は、図２（ｂ）に示すように、層間絶縁膜４１の上に複数形成されており、第１基板１１の第１電極１２のそれぞれと対応して、それぞれが間隔２４を隔てて列方向と行方向とにマトリクス状に配列して形成されている。第２電極２３は、光を透過するようにＩＴＯなどの透明電極が用いられて形成されている。また、マトリクス状に配列されている第２電極２３のそれぞれには、コンタクト２５が形成されており、共通電圧を供給する配線部（図示なし）と接続している。なお、詳細は後述するが、本実施形態においては、第２電極２３として、第１電極１２が形成されている領域に対して４つの条件の形成領域に形成している。

つぎに、図１，図２に示した本実施形態の液晶表示装置の製造方法について説明する。本実施形態の液晶表示装置の製造方法は、マトリクス状に配列される第１電極１２と第１電極１２のそれぞれに設けられるスイッチング素子１４とを第１基板１１の液晶層３１側の面に形成する第１工程と、第１電極１２のそれぞれと対応してマトリクス状に配列される第２電極２３を第２基板２１の液晶層３１側の面に形成する第２工程とを有する。

第１工程に先駆けて、図１に示すように、第１遮光層１８を形成する。まず、第１基板１１に、たとえば、タングステン膜を堆積して設け、スイッチング素子１４とキャパシタ１７とが形成される領域に対応するように、タングステン膜をパターン加工して第１遮光層１４を形成する。その後、第１遮光層１８を被覆するように、たとえば、ＮＳＧ（Ｎｏｎ−ｄｏｐｅ Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）膜の第１層間絶縁膜６１を形成する。

つぎに、第１工程においては、図１に示すように、スイッチング素子１４としてトップゲート構造のＴＦＴを形成する。まず、第１層間絶縁膜６１の上に、たとえば、アモルファスシリコン膜を設け、そのアモルファスシリコン膜を熱処理して水素脱離を行ってポリシリコン膜とし、所定形状にパターン加工することによって、半導体層５３を形成する。そして、パターン加工された半導体層５３を覆うようにして、たとえば、シリコン酸化膜のゲート絶縁膜５２を形成する。その後、ゲート絶縁膜５２の上にポリシリコン膜を形成し、ドーピングしてポリシリコン膜を導電体とした後、半導体層５３のチャネル形成領域（図示なし）に対応するようにポリシリコン膜をパターン加工してゲート電極５１を形成する。そして、半導体層５３のチャネル形成領域を挟むようにして、ソース・ドレイン領域（図示なし）とを半導体層５３に形成して、スイッチング素子１４であるＴＦＴを形成する。また、ここでは、キャパシタ１７を同様にして形成する。

そして、スイッチング素子１４とキャパシタ１７とを覆うようにして全面に、ＰＳＧ（Ｐｈｏｓｐｈｏ Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）膜の第２層間絶縁膜６２を形成する。その後、第２層間絶縁膜６２にスイッチング素子１４のソース・ドレイン領域を露出させるコンタクトホールを設ける。そして、スパッタリング法によりアルミニウムをそのコンタクトホールに埋め込んで成膜したのちにパターン加工することによって、ソース電極５７と、ドレイン電極５８とを形成する。そして、ソース電極５７と、ドレイン電極５８とを被覆するように、ＰＳＧ膜の第３層間絶縁膜６３を形成する。そして、第１平坦化膜６４を第３層間絶縁膜６３の上に設け、第１平坦化膜６４および第３層間絶縁膜６３とに、ドレイン電極５８の表面が露出させるコンタクトホールを設ける。そして、そのコンタクトホールにスパッタリング法によってチタンを埋め込んで成膜して、パターン加工することによって接続導電層５９を形成する。そして、さらに、第１平坦化膜６４の上に第２平坦化膜６５を設ける。そして、接続導電層５９の表面を露出するようにして第２平坦化膜６５にコンタクトホールを設けた後、第２平坦化膜６５のコンタクトホールを被覆するようにスパッタリング法によってＩＴＯを成膜する。そして、ＩＴＯ膜をパターン加工することによって、図２（ａ）に示すように、マトリクス状に配列される第１電極１２を形成する。

つぎに、第２工程においては、図１に示すように、第１基板１１に形成されている第１電極１２間の間隔に対応して第２遮光層２２を形成する。本実施形態においては、クロム膜をスパッタリング法により堆積しパターン加工することにより第２遮光層２２を形成する。そして、第２遮光層２２を覆うようにシリコン酸化物の層間絶縁膜４１を形成する。そして、マトリクス状に配列される第２電極２３に接続するように、層間絶縁膜４１にコンタクト２５を形成する。そして、層間絶縁膜４１の上にスパッタリング法によってＩＴＯを成膜した後に、そのＩＴＯ膜をそれぞれが間隔２４を隔てて列方向と行方向とにマトリクス状に配列するようにパターン加工して第２電極２３を形成する。ここでは、第１電極のそれぞれと対応するようにパターン加工して第２電極２３を形成する。本実施形態では第２電極２３として、第１電極１２が形成されている領域に対して４つの条件の形成領域に形成している。

図３は、第１基板１１と第２基板２１とが対向している領域において、第１電極１２と第２電極２３との位置関係を示す図である。図３では２つの第１電極１２に対応して形成されている第２電極２３について図示している。

図３に示すように、本実施形態において第１電極１２は、それぞれが１．２μｍの間隔１３を隔ててマトリクス状に配列して形成されている。一方、第２電極２３は、第１電極１２の形成領域に対して、条件１・条件２・条件３・条件４の４つの条件の形成領域に形成されている。なお、参考のため、図６・図７に示した従来の第２電極についても、図示している。従来の第２電極は、ベタ状に全面に形成されており、間隔２４がない。

条件１において、第２電極２３は、第１電極１２と同様の形状であり、それぞれが１．２μｍの間隔２４を隔てて列方向と行方向とにマトリクス状に配列して形成されている。また、条件１の第２電極２３は、第１基板１１と第２基板２１とが対向している領域において、第１電極１２の端部の位置と同じ位置に形成されている端部を有している。

また、条件２においても条件１と同様に、第２電極２３は、第１電極１２と同様の形状であり、それぞれが１．２μｍの間隔２４を隔てて列方向と行方向とにマトリクス状に配列して形成されている。しかし、条件２では、第２電極２３の間隔２４は、第１基板１１と第２基板２１とが対向している領域において、第２電極２３に対応して形成されている第１電極１２の間隔１３に対して、第２基板２１の一方の端部側（Ｙ１側）に１．０μｍ分をシフトして形成されている。このように、条件２の第２電極２３は、第１基板と第２基板とが対向している領域において、第１電極１２の端部の位置と異なる位置に端部を有している。

そして、条件３においても条件１・条件２と同様に、第２電極２３は、第１電極１２と同様の形状であり、それぞれが１．２μｍの間隔２４を隔てて列方向と行方向とにマトリクス状に配列して形成されている。しかし、条件２と異なり条件３では、第２電極２３の間隔２４は、第１基板１１と第２基板２１とが対向している領域において、第２電極２３に対応して形成されている第１電極１２の間隔１３に対して、第２基板２１の他方の端部側（Ｙ２側）に１．０μｍ分をシフトして形成されている。このように、条件３の第２電極２３は、条件２と同様に、第１基板と第２基板とが対向している領域において、第１電極１２の端部の位置と異なる位置に端部を有している。

また、条件４において第２電極２３は、第１電極１２と同様に、それぞれが間隔２４を隔てて列方向と行方向とにマトリクス状に配列して形成されている。しかし、条件１と異り条件４では、第２電極２３の間隔２４は、第２電極２３に対応して形成されている第１電極１２の間隔１３に対して、第２基板２１の両方の端部側（Ｙ２側）にそれぞれ１．０μｍ分をシフトさせて形成されており、第１電極１２の間隔１３より広い間隔２４である３．８μｍの間隔を隔ててそれぞれが形成されている。つまり、条件４においては、両方の第２電極２３の端部は、第１基板１１と第２基板２１とが対向している領域において、第１電極の中心部側に位置している。

つぎに、第１基板１１と第２基板２１とに配向膜（図示なし）を設け配向処理を実施する。そして、第１基板１１と第２基板２１との間にスペーサ（図示なし）を設けた後、シール材を用いて両者の間が２．７μｍのギャップとなるように貼り合わせる。そして、第１基板１１と第２基板２１との間に液晶層３１となる液晶を注入して封止して、液晶パネルを形成する。液晶層３１は、Δｎ＝０．１６のツイステッドネマティック型であり、８°程度のプレチルト角を有している。

そして、第１基板１１の液晶層３１側と反対側の面に、偏光板（図示なし）を配設し、また、第２基板２１の液晶層３１側と反対側の面に、同様にして、偏光板（図示なし）を配設する。以上のようにして、本実施形態の液晶表示装置を製造する。

つぎに、本実施形態の液晶表示装置の動作について説明する。第１基板１１のスイッチング素子１４であるＴＦＴにおいては、ゲート電極５１が走査線と接続し、ソース電極が信号線１６と接続し、ドレイン電極５８が第１電極１２に接続している。液晶表示装置を動作させる際、まず、走査線からゲート電極５１に走査信号を供給してＴＦＴをオン状態とする。そして、信号線からの画像信号をソース電極５７からドレイン電極５８へ供給し、第１電極１２に電位を書き込む。また、第２基板２１の第２電極２３のそれぞれに共通するように電位を印加する。そして、ＴＦＴをオフ状態とし、第１電極１２に電位を保持させて、液晶層３１の電気光学特性を制御する。ここで、液晶層５の電気光学特性の制御は、画素単位でそれぞれ実施される。そして、第１基板１１の液晶層３１側と反対側からの入射光を各画素の液晶層３１に透過させる。液晶層５を透過した光が投影されて画像表示が行われる。

図４は、本実施形態の液晶表示装置を動作させた場合における液晶層３１中の電気力線のシミュレーション結果を示す図である。図４は、１．２μｍの間隔１３を隔てて配列している第１電極１２と、従来および条件１・条件２・条件３の第２電極２３とを用いた結果であって、第１電極１２の間隔１３および第２電極２３の間隔２４の付近を示している。図４に示すように、条件１・条件２・条件３では、第１電極１２の間隔１３および第２電極２３の間隔２４の側に電気力線が従来よりもシフトしている。つまり、本実施形態では従来よりも電界が一部の集中して、第１電極１２と第２電極２３との間にかかる電界の方向が、第１電極１２と第２電極２３との対向方向に沿っていることを示している。

図５は、本実施形態の液晶表示装置を動作させた場合における透過率のシミュレーション結果を示す図である。図５は、１．２μｍの間隔１３を隔てて配列している第１電極１２と、従来および条件１・条件２・条件３・条件４の第２電極２３とを用いた結果であって、第１電極１２の間隔１３および第２電極２３の間隔２４の付近を示している。図５に示すように、第１電極１２の間隔１３および第２電極２３の間隔２４の付近で透過率が低下しており、条件２・条件３・条件４では顕著にこの現象が発生している。この現象は、図４に示すように、従来よりも本実施形態の方が一部に電界集中しているため、第１電極１２と第２電極２３との間にかかる電界の方向が第１電極１２と第２電極２３との対向方向に沿っているために発生している。

このように、本実施形態では、第１電極１２のそれぞれと対応してマトリクス状に配列されている第２電極２３を形成することにより、電界が従来よりも一部に集中しているため、液晶層３１の配向の乱れであるディスクリネーションが透過領域側に現われることを抑制できる。

また、本実施形態の条件２または３のように、第２電極２３間の間隔２４を、第１基板１１と第２基板２１とが対向している領域において、第２電極２３に対応して形成されている第１電極１２の間隔１３に対して所定方向にシフトして形成することによって、上述のように、より効果的にディスクリネーションが表示領域に現われることを抑制して、第１電極１２の間隔１３および第２電極２３の間隔２４の付近で透過率を低下させることができる。このため、透過領域と非透過領域とのコントラストを明瞭とすることができる。

また、本実施形態の条件４のように、第２電極２３間の間隔２４を、第２電極２３に対応して形成されている第１電極２４の間隔よりも広く形成することにより、条件２および３と同様にして、より効果的にディスクリネーションが表示領域に現われることを抑制して、第１電極１２の間隔１３および第２電極２３の間隔２４の付近で透過率を低下させることができる。また、本実施形態の条件４のように、第１基板１１と第２基板２１とが対向している領域において、第１電極１２の端部の位置と異なる位置に形成されている端部を有するように第２電極２３を形成し、そして、それぞれの第１電極１２の中心部側に第２電極２３のそれぞれの端部を位置するように形成しているため、液晶画面全体にわたって、ディスクリネーションが表示領域に現われることを抑制して、第１電極１２の間隔１３および第２電極２３の間隔２４の付近で透過率を低下させることができる。

したがって、本実施形態は、ディスクリネーションに起因する光漏れを容易に防止して表示不良の発生を抑制し、表示画像の品質を向上することができる。また、光漏れを容易に防止できるため、たとえば、従来よりも第２遮光層２２を狭く形成することができ、高い開口率を得ることが容易になる。

なお、本発明の実施に際しては、上記した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形形態を採用することできる。

たとえば、上記実施形態においては透過型の液晶表示装置について示したが、反射型の液晶表示装置にも適用してもよい。この場合、たとえば、第１電極としてアルミニウムなどの金属材料を用いることができる。また、透過型と反射型とを併用する併用型に適用してもよい。

そして、本実施形態においては、スイッチング素子としてトップゲート構造のＴＦＴを用いたが、たとえば、ボトムゲート構造のＴＦＴを用いてもよい。また、スイッチング素子としてＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）を用いてもよい。

本発明にかかる実施形態の液晶表示装置を示す断面図である。 本発明にかかる実施形態の液晶表示装置を示す平面図である。 本発明にかかる実施形態において、第１電極と第２電極との位置関係を示す図である。 本発明にかかる実施形態の液晶表示装置を１Ｈ反転駆動により動作させた場合における液晶層中の電気力線のシミュレーション結果を示す図である。 本発明にかかる実施形態の液晶表示装置を１Ｈ反転駆動により動作させた場合における透過率のシミュレーション結果を示す図である。 従来の液晶表示装置を示す断面図である。 従来の液晶表示装置を示す平面図である。

符号の説明

１１…第１基板、１２…第１電極、１４…スイッチング素子、１５…走査線、１６…信号線、２１…第２基板、２２…第２遮光層、２３…第２電極、３１…液晶層、４１・４２…層間絶縁膜、５１…ゲート電極、５２…ゲート絶縁膜、５３…半導体層、５４…保護絶縁膜、５５…ソース領域、５６…ドレイン領域、５７…ソース電極、５８…ドレイン電極

Claims (4)

1. 第１基板と、前記第１基板と対向している第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置されている液晶層とを有する液晶表示装置であって、
   前記第１基板の液晶層側の面には、間隔を隔ててマトリクス状に配列されている第１電極と、前記第１電極のそれぞれに設けられているスイッチング素子とが形成されており、
   前記第２基板の液晶層側の面には、前記第１電極のそれぞれに対応し間隔を隔ててマトリクス状に配列されている第２電極が形成されている液晶表示装置。
2. 前記第２電極間の間隔は、前記第１基板と第２基板とが対向している領域において、前記第２電極に対応して形成されている前記第１電極の間隔に対して所定方向にシフトして形成されている
   請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記第２電極間の間隔は、前記第２電極に対応して形成されている前記第１電極の間隔よりも広く形成されている
   請求項１に記載の液晶表示装置。
4. 前記第２電極間の間隔は、前記第１電極と前記第２電極との間の電界の方向が前記第１電極と前記第２電極とのそれぞれの中心部側に向くように所定の広さで形成されている
   請求項３に記載の液晶表示装置。
   

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