JP2005079151A - Dicing tape, pickup device, and process for manufacturing semiconductor device - Google Patents

Dicing tape, pickup device, and process for manufacturing semiconductor device Download PDF

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勝彦 小口
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To strip a thin semiconductor chip from a dicing tape, while making possible ensuring of adhesive power at dicing. <P>SOLUTION: When a semiconductor chip 3 is stripped from a dicing tape 1 by providing slits 2 in the dicing tape 1, the slits 2 are opened by stretching the dicing tape 1 to form openings 4 in the dicing tape 1, thus lowering adhesive power of the dicing tape 1. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明はダイシングテープ、ピックアップ装置および半導体装置の製造方法に関し、特に、ダイシングテープから半導体チップを剥離する方法に適用して好適なものである。   The present invention relates to a dicing tape, a pickup device, and a method for manufacturing a semiconductor device, and is particularly suitable for application to a method for peeling a semiconductor chip from a dicing tape.

従来の半導体装置では、半導体ウェハをダイシングした後、半導体チップをダイシングテープから剥離するために、ダイシングテープに貼り付けられた半導体チップをニードルにて突き上げる方法が用いられている。
また、ニードルにて突き上げる方法とは別に、半導体チップが貼り付けられたダイシングテープを凹凸面または凹面上に配置し、凹凸面または凹面を介してダイシングテープを真空吸着することにより、半導体チップをダイシングテープから剥離する方法もある。 In a conventional semiconductor device, after a semiconductor wafer is diced, a method of pushing up the semiconductor chip attached to the dicing tape with a needle is used to peel the semiconductor chip from the dicing tape.
Separately from the method of pushing up with a needle, a dicing tape with a semiconductor chip attached is placed on an uneven surface or a concave surface, and the dicing tape is vacuum-sucked through the uneven surface or the concave surface to dice the semiconductor chip There is also a method of peeling from the tape.

一方、例えば、特許文献１には、粘着テープに孔を設けることにより、粘着テープとウェハとの張り合わせ時に粘着テープとウェハとの間に気泡が溜まることを防止する方法が開示されている。
特開平２−１１２２５８号公報 On the other hand, for example, Patent Document 1 discloses a method of preventing air bubbles from accumulating between an adhesive tape and a wafer when the adhesive tape is bonded to the wafer by providing a hole in the adhesive tape.
JP-A-2-112258

しかしながら、実装時の高さを低減するために、半導体ウェハを５０μｍ程度に薄型化すると、ニードルによる突き上げ時に半導体チップがダイシングテープとともに曲がり易くなる。このため、従来のダイシングテープでは、ダイシングテープから半導体チップを剥離することが困難になり、半導体チップのピックアップが困難になるという問題があった。   However, if the semiconductor wafer is thinned to about 50 μm in order to reduce the mounting height, the semiconductor chip is likely to bend together with the dicing tape when pushed up by the needle. For this reason, the conventional dicing tape has a problem that it is difficult to peel the semiconductor chip from the dicing tape, and it is difficult to pick up the semiconductor chip.

また、凹凸面または凹面を介してダイシングテープを真空吸着した場合も同様に、半導体チップがダイシングテープとともに曲がり易くなるため、ダイシングテープから半導体チップを剥離することが困難になるという問題があった。
また、特許文献１に示すように、粘着テープに孔を単に設けただけでは、半導体チップとダイシングテープとの間の粘着力を低下させることができず、ダイシングテープから半導体チップを剥離することが困難であるという問題があった。 Similarly, when the dicing tape is vacuum-sucked through the uneven surface or the concave surface, the semiconductor chip easily bends together with the dicing tape, which makes it difficult to remove the semiconductor chip from the dicing tape.
Moreover, as shown in Patent Document 1, simply providing a hole in the adhesive tape cannot reduce the adhesive force between the semiconductor chip and the dicing tape, and the semiconductor chip can be peeled from the dicing tape. There was a problem that it was difficult.

そこで、本発明の目的は、ダイシング時の粘着力を確保することを可能としつつ、薄型化された半導体チップをダイシングテープから剥離することが可能なダイシングテープ、ピックアップ装置および半導体装置の製造方法を提供することである。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a dicing tape, a pickup device, and a method for manufacturing a semiconductor device capable of securing a thin adhesive chip from a dicing tape while ensuring adhesive strength during dicing. Is to provide.

上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係るダイシングテープによれば、引き伸ばし可能な基材と、前記基材に形成された粘着層と、前記粘着層が形成された基材に設けられたスリットとを備えることを特徴とする。
これにより、ダイシング後にダイシングテープを引き伸ばすことで、ダイシング時にはスリットを閉じたままダイシングを行うことが可能となるとともに、ダイシング後にはスリットを開かせて、ダイシングテープとの接触面積を低下させることが可能となる。このため、ダイシング時には、ダイシングテープとの接触面積の低下を抑制して、ダイシングテープの粘着力を確保することが可能となり、ダイシング時のチップの脱落を防止することが可能となるとともに、ダイシング後には、ダイシングテープの粘着力を低下させることを可能として、ダイシングテープから半導体チップを容易に剥離することが可能となり、半導体チップのピックアップを容易化することができる。 In order to solve the above-described problems, according to the dicing tape according to one aspect of the present invention, the stretchable base material, the adhesive layer formed on the base material, and the base material on which the adhesive layer is formed are provided. And a slit provided.
As a result, by dicing the dicing tape after dicing, it is possible to perform dicing while the slit is closed during dicing, and after dicing, the slit can be opened to reduce the contact area with the dicing tape. It becomes. For this reason, at the time of dicing, it becomes possible to suppress the decrease in the contact area with the dicing tape and to secure the adhesive strength of the dicing tape, to prevent the chip from falling off during dicing, and after dicing Makes it possible to reduce the adhesive strength of the dicing tape, and to easily peel the semiconductor chip from the dicing tape, thereby facilitating the pickup of the semiconductor chip.

また、本発明の一態様に係るダイシングテープによれば、前記スリットは向きが異なるように配置されていることを特徴とする。
これにより、ダイシングテープの引き伸ばし方向に依存することなく、スリットを効率よく開かせることが可能となる。このため、ダイシングテープ上の任意の位置でダイシングテープとの接触面積を効率よく低下させることが可能となり、ダイシングテープ上の様々の位置に配置された半導体チップを容易に剥離すること可能となる。 The dicing tape according to one aspect of the present invention is characterized in that the slits are arranged in different directions.
As a result, the slit can be efficiently opened without depending on the stretching direction of the dicing tape. For this reason, it is possible to efficiently reduce the contact area with the dicing tape at an arbitrary position on the dicing tape, and it is possible to easily peel the semiconductor chips arranged at various positions on the dicing tape.

また、本発明の一態様に係るダイシングテープによれば、前記スリットは前記基材の引き伸ばし方向と直交するように配置されていることを特徴とする。
これにより、ダイシングテープを引き伸ばすことで、スリットを効率よく開かせることが可能となり、ダイシングテープの粘着力を容易に低下させることを可能として、ダイシングテープから半導体チップを容易に剥離すること可能となる。 Moreover, according to the dicing tape which concerns on 1 aspect of this invention, the said slit is arrange | positioned so as to be orthogonal to the extending direction of the said base material, It is characterized by the above-mentioned.
As a result, by stretching the dicing tape, the slit can be efficiently opened, the adhesive force of the dicing tape can be easily reduced, and the semiconductor chip can be easily peeled from the dicing tape. .

また、本発明の一態様に係るダイシングテープによれば、前記スリットは同心円状に配置されていることを特徴とする。
これにより、リングを用いてダイシングテープを突き上げることで、ダイシングテープを一様に引き伸ばすことが可能となるとともに、ダイシングテープの引き伸ばし方向と直交するようスリットを配置することができる。このため、ダイシング後にスリットを効率よく開かせることが可能となり、ダイシングテープの粘着力を容易に低下させることを可能として、ダイシングテープから半導体チップを容易に剥離すること可能となる。 The dicing tape according to one aspect of the present invention is characterized in that the slits are arranged concentrically.
Thus, by pushing up the dicing tape using the ring, the dicing tape can be stretched uniformly, and the slits can be arranged so as to be orthogonal to the stretching direction of the dicing tape. Therefore, the slit can be efficiently opened after dicing, the adhesive force of the dicing tape can be easily reduced, and the semiconductor chip can be easily peeled from the dicing tape.

また、本発明の一態様に係るピックアップ装置によれば、スリットが設けられたダイシングテープを引き伸ばす引き伸ばし手段と、前記ダイシングテープに貼り付けられたチップをピックアップするピックアップ手段とを備えることを特徴とする。
これにより、ダイシングテープを引き伸ばすことで、スリットを開かせることが可能となり、ダイシングテープとの接触面積を低下させることが可能となる。このため、ニードルなどで半導体チップを突き上げることなく、ダイシングテープの粘着力を低下させることが可能となり、半導体チップが薄型化された場合においても、ダイシングテープから半導体チップを容易に剥離することを可能として、半導体チップのピックアップを容易化することができる。 In addition, the pickup device according to one aspect of the present invention includes a stretching unit that stretches a dicing tape provided with a slit, and a pickup unit that picks up a chip attached to the dicing tape. .
Thereby, by extending the dicing tape, the slit can be opened, and the contact area with the dicing tape can be reduced. For this reason, it is possible to reduce the adhesive strength of the dicing tape without pushing up the semiconductor chip with a needle or the like. Even when the semiconductor chip is thinned, the semiconductor chip can be easily peeled off from the dicing tape. As a result, the pickup of the semiconductor chip can be facilitated.

また、本発明の一態様に係るピックアップ装置によれば、前記ダイシングテープに紫外線を照射する紫外線照射手段と、前記ダイシングテープを加熱する加熱手段とをさらに備えることを特徴とする。
これにより、ダイシングテープの粘着力の低下を補助することが可能となり、ダイシングテープにスリットを設けただけでは十分に粘着力の低下させることができない場合においても、ダイシングテープから半導体チップを剥離することが可能となる。 The pickup device according to an aspect of the present invention further includes ultraviolet irradiation means for irradiating the dicing tape with ultraviolet light, and heating means for heating the dicing tape.
This makes it possible to assist the reduction of the adhesive strength of the dicing tape, and even when the adhesive strength cannot be sufficiently reduced simply by providing a slit in the dicing tape, the semiconductor chip can be peeled from the dicing tape. Is possible.

また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、スリットが設けられたダイシングテープに半導体ウェハを貼り付ける工程と、前記ダイシングテープに貼り付けられた半導体ウェハをチップ状にダイシングする工程と、前記半導体ウェハをチップ状にダイシングした後に、前記ダイシングテープを引き伸ばす工程と、前記ダイシングテープ上に貼り付けられている半導体チップをピックアップする工程と、前記ピックアップされた半導体チップをマウントする工程とを備えることを特徴とする。   In addition, according to the method for manufacturing a semiconductor device of one embodiment of the present invention, a step of attaching a semiconductor wafer to a dicing tape provided with a slit, and dicing the semiconductor wafer attached to the dicing tape into chips. A step of stretching the dicing tape after dicing the semiconductor wafer into chips, a step of picking up a semiconductor chip affixed on the dicing tape, and a step of mounting the picked-up semiconductor chip It is characterized by providing.

これにより、ダイシング後にダイシングテープを引き伸ばすことで、ダイシング時にはスリットを閉じたままダイシングを行うことが可能となるとともに、ダイシング後にはスリットを開かせて、ダイシングテープとの接触面積を低下させることが可能となる。このため、ダイシング時には、ダイシングテープとの接触面積の低下を抑制して、ダイシングテープの粘着力を確保することが可能となり、ダイシング時のチップの脱落を防止することが可能となるとともに、ダイシング後には、ダイシングテープの粘着力を低下させることを可能として、ダイシングテープから半導体チップを容易に剥離することが可能となり、半導体チップのピックアップを容易化することができる。   As a result, by dicing the dicing tape after dicing, dicing can be performed with the slit closed during dicing, and after dicing, the slit can be opened to reduce the contact area with the dicing tape. It becomes. For this reason, at the time of dicing, it becomes possible to suppress the decrease in the contact area with the dicing tape and to secure the adhesive strength of the dicing tape, to prevent the chip from falling off during dicing, and after dicing Makes it possible to reduce the adhesive strength of the dicing tape, and to easily peel the semiconductor chip from the dicing tape, thereby facilitating the pickup of the semiconductor chip.

また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、前記ダイシングテープに設けられたスリットの長さまたは密度は、前記ダイシングテープを引き伸ばした際に、前記半導体チップをピックアップできる程度に粘着力が低下するように設定されていることを特徴とする。
これにより、ダイシングテープを引き伸ばすことで、ダイシングテープから半導体チップを剥離することが可能となり、半導体チップのピックアップを容易化することができる。 Further, according to the method for manufacturing a semiconductor device according to one aspect of the present invention, the length or density of the slit provided in the dicing tape is such that the semiconductor chip can be picked up when the dicing tape is stretched. It is set so that adhesive force may fall.
Thus, by stretching the dicing tape, the semiconductor chip can be peeled off from the dicing tape, and the semiconductor chip can be easily picked up.

以下、本発明の実施形態に係るダイシングテープおよび半導体装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。
図１（ａ）は、本発明の第１実施形態に係るダイシングテープの引き伸ばし前の構成を示す平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のダイシングテープの引き伸ばし後の状態を示す平面図である。 Hereinafter, a dicing tape and a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1A is a plan view showing a configuration before stretching of the dicing tape according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 1B shows a state after stretching of the dicing tape of FIG. It is a top view.

図１（ａ）において、半導体チップ３が貼り付けられたダイシングテープ１にはスリット２が設けられている。なお、ダイシングテープ１に設けられたスリット２の長さまたは密度は、ダイシングテープ１を引き伸ばした際に、半導体チップ３をピックアップできる程度に粘着力が低下するように設定することが好ましい。
そして、ダイシングテープ１から半導体チップ３を剥離する場合、図１（ｂ）に示すように、ダイシングテープ１を引き伸ばすことによりスリット２を開かせ、ダイシングテープ１に開口部４を形成する。 In FIG. 1A, a slit 2 is provided in a dicing tape 1 to which a semiconductor chip 3 is attached. Note that the length or density of the slits 2 provided in the dicing tape 1 is preferably set so that the adhesive strength is reduced to the extent that the semiconductor chip 3 can be picked up when the dicing tape 1 is stretched.
When the semiconductor chip 3 is peeled from the dicing tape 1, as shown in FIG. 1B, the dicing tape 1 is stretched to open the slit 2, thereby forming the opening 4 in the dicing tape 1.

これにより、ダイシングテープ１を引き伸ばすことで、半導体チップ３とダイシングテープ１との接触面積を低下させることが可能となる。このため、ニードルなどで半導体チップ３を突き上げることなく、ダイシングテープ１の粘着力を低下させることが可能となり、半導体チップ３が薄型化された場合においても、ダイシングテープ１から半導体チップ３を容易に剥離させることを可能として、半導体チップ１のピックアップを容易化することができる。   As a result, the contact area between the semiconductor chip 3 and the dicing tape 1 can be reduced by stretching the dicing tape 1. For this reason, it becomes possible to reduce the adhesive force of the dicing tape 1 without pushing up the semiconductor chip 3 with a needle or the like, and the semiconductor chip 3 can be easily removed from the dicing tape 1 even when the semiconductor chip 3 is thinned. The semiconductor chip 1 can be easily picked up by enabling separation.

また、ダイシングテープ１を引き伸ばす前は、スリット２を閉じた状態に維持することができる。このため、ダイシングテープ１にスリット２を設けた場合においても、半導体チップ３とダイシングテープ１との接触面積の低下を抑制することができ、ダイシングテープ１の粘着力を維持することを可能として、半導体チップ３のダイシングを安定して行うことが可能となる。   Further, the slit 2 can be kept closed before the dicing tape 1 is stretched. For this reason, even when the slit 2 is provided in the dicing tape 1, it is possible to suppress a reduction in the contact area between the semiconductor chip 3 and the dicing tape 1, and to maintain the adhesive strength of the dicing tape 1. Dicing of the semiconductor chip 3 can be performed stably.

なお、図１の例では、スリット２の向きを揃えて配置する方法について説明したが、スリット２の向きが異なるように配置してもよい。これにより、ダイシングテープ１の引き伸ばし方向に依存することなく、スリット２を効率よく開かせることが可能となる。このため、ダイシングテープ１上の任意の位置でダイシングテープ１との接触面積を効率よく低下させることが可能となり、ダイシングテープ１上の様々の位置に配置された半導体チップ３を容易に剥離すること可能となる。   In the example of FIG. 1, the method of arranging the slits 2 in the same direction has been described. However, the slits 2 may be arranged in different directions. Thereby, it becomes possible to open the slit 2 efficiently without depending on the extending direction of the dicing tape 1. For this reason, the contact area with the dicing tape 1 can be efficiently reduced at an arbitrary position on the dicing tape 1, and the semiconductor chips 3 arranged at various positions on the dicing tape 1 can be easily peeled off. It becomes possible.

また、スリット２はダイシングテープ１の引き伸ばし方向と直交するように配置することが好ましい。これにより、ダイシングテープ１を引き伸ばすことで、スリット２を効率よく開かせることが可能となり、ダイシングテープ１の粘着力を容易に低下させることを可能として、ダイシングテープ１から半導体チップ３を容易に剥離すること可能となる。
図２は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。 The slit 2 is preferably arranged so as to be orthogonal to the extending direction of the dicing tape 1. Accordingly, the slit 2 can be efficiently opened by stretching the dicing tape 1, and the adhesive force of the dicing tape 1 can be easily reduced, and the semiconductor chip 3 can be easily peeled from the dicing tape 1. It becomes possible to do.
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.

図２（ａ）において、ウェハサポート１６で保持されたウェハＷはダイシングテープ１１に貼り付けられている。ここで、ダイシングテープ１１にはスリット１２が設けられている。そして、ダイシングテープ１１の周囲を保持リング１５に貼り付けることにより、ダイシングテープ１１を平坦に保持することができる。なお、ウェハサポート１６で保持されたウェハＷは、例えば、５０μｍ程度に薄型化することができる。   In FIG. 2A, the wafer W held by the wafer support 16 is attached to the dicing tape 11. Here, the dicing tape 11 is provided with a slit 12. Then, the dicing tape 11 can be held flat by sticking the periphery of the dicing tape 11 to the holding ring 15. The wafer W held by the wafer support 16 can be thinned to about 50 μm, for example.

次に、図２（ｂ）に示すように、ウェハＷが貼り付けられたダイシングテープ１１をダイシングテーブル１７上に配置し、ダイシングテープ１１をダイシングテーブル１７に吸着させることにより、ダイシングテープ１１をダイシングテーブル１７上に固定する。そして、ウェハサポート１６に紫外線照射またはレーザ照射を行うことにより、ウェハサポート１６の粘着力を低下させ、ウェハサポート１６をウェハＷから剥離する。   Next, as shown in FIG. 2B, the dicing tape 11 to which the wafer W is attached is placed on the dicing table 17, and the dicing tape 11 is adsorbed to the dicing table 17, thereby dicing the dicing tape 11. Secure on the table 17. Then, the wafer support 16 is subjected to ultraviolet irradiation or laser irradiation to reduce the adhesive strength of the wafer support 16 and peel the wafer support 16 from the wafer W.

次に、図２（ｃ）に示すように、ブレード１８を用いてウェハＷをチップ状にダイシングし、半導体チップ１３を形成する。ここで、ウェハＷのダイシングを行う場合、ダイシングテープ１を引き伸ばさないようにして、スリット２が閉じた状態を維持することができる。これにより、ダイシングテープ１１にスリット１２を設けた場合においても、半導体チップ１３とダイシングテープ１１との接触面積の低下を抑制することができ、ダイシングテープ１１の粘着力を維持することを可能として、ダイシング時の半導体チップ１３の脱落を防止することが可能となる。   Next, as shown in FIG. 2C, the wafer W is diced into chips using a blade 18 to form the semiconductor chip 13. Here, when the wafer W is diced, the slit 2 can be kept closed without stretching the dicing tape 1. Thereby, even when the slit 12 is provided in the dicing tape 11, it is possible to suppress a decrease in the contact area between the semiconductor chip 13 and the dicing tape 11, and to maintain the adhesive force of the dicing tape 11. It is possible to prevent the semiconductor chip 13 from falling off during dicing.

次に、図２（ｄ）に示すように、ダイシングテープ１１に紫外線照射を行うことにより、ダイシングテープ１１の粘着力を低下させる。
次に、図２（ｅ）に示すように、引き伸ばしリング２０ａ、２０ｂを用いることによりダイシングテープ１１の周囲を上下から挟み込む。そして、例えば、上方の引き伸ばしリング２０ａを固定した状態で、下方の引き伸ばしリング２０ｂを上昇させることにより、ダイシングテープ１１を上方に突き上げ、ダイシングテープ１１を引き伸ばす。 Next, as shown in FIG. 2D, the dicing tape 11 is reduced in adhesive strength by irradiating the dicing tape 11 with ultraviolet rays.
Next, as shown in FIG. 2E, the periphery of the dicing tape 11 is sandwiched from above and below by using the stretching rings 20a and 20b. Then, for example, with the upper stretching ring 20a fixed, the lower stretching ring 20b is raised to push up the dicing tape 11 and stretch the dicing tape 11.

ここで、ダイシングテープ１１を引き伸ばすことで、ダイシングテープ１１に設けられたスリット１２を開かせることが可能となり、ダイシングテープ１１に開口部１４を形成することが可能となる。このため、半導体チップ１３とダイシングテープ１との接触面積を低下させることが可能となり、ダイシングテープ１１の粘着力を低下させることが可能となる。   Here, by stretching the dicing tape 11, the slit 12 provided in the dicing tape 11 can be opened, and the opening 14 can be formed in the dicing tape 11. For this reason, the contact area between the semiconductor chip 13 and the dicing tape 1 can be reduced, and the adhesive force of the dicing tape 11 can be reduced.

そして、ステージ２１をダイシングテープ１１の裏面に押し付け、ダイシングテープ１１を加熱することにより、ダイシングテープ１１の粘着力をさらに低下させることができる。
そして、ダイシングテープ１１を上方に突き上げた状態で、半導体チップ１３上にコレット１９を移動させる。そして、コレット１９を介して半導体チップ１３を吸着することにより、半導体チップ１３をピックアップすることができる。 And the adhesive force of the dicing tape 11 can be further reduced by pressing the stage 21 against the back surface of the dicing tape 11 and heating the dicing tape 11.
Then, the collet 19 is moved onto the semiconductor chip 13 with the dicing tape 11 pushed upward. The semiconductor chip 13 can be picked up by adsorbing the semiconductor chip 13 through the collet 19.

これにより、ニードルなどで半導体チップ１３を突き上げることなく、ダイシングテープ１１の粘着力を低下させることが可能となり、半導体チップ１３が薄型化された場合においても、ダイシングテープ１１から半導体チップ１３を容易に剥離させることを可能として、半導体チップ１１のピックアップを容易化することができる。
また、ダイシング後にダイシングテープ１１の紫外線照射または加熱を行うことにより、ダイシングテープ１１の粘着力の低下を補助することが可能となり、ダイシングテープ１１にスリット１２を設けただけでは十分に粘着力の低下させることができない場合においても、ダイシングテープ１１から半導体チップ１３を剥離することが可能となる。 As a result, the adhesive force of the dicing tape 11 can be reduced without pushing up the semiconductor chip 13 with a needle or the like, and the semiconductor chip 13 can be easily removed from the dicing tape 11 even when the semiconductor chip 13 is thinned. The semiconductor chip 11 can be easily picked up by enabling the separation.
Further, by performing ultraviolet irradiation or heating of the dicing tape 11 after dicing, it becomes possible to assist the reduction of the adhesive strength of the dicing tape 11, and the adhesive strength is sufficiently reduced only by providing the slit 12 in the dicing tape 11. Even in the case where it cannot be made, the semiconductor chip 13 can be peeled from the dicing tape 11.

図３は、本発明の第３実施形態に係るダイシングテープの引き伸ばし前の構成を示す平面図である。
図３において、半導体チップ３３が貼り付けられたダイシングテープ３１にはスリット３２が十字状に設けられている。そして、ダイシングテープ３１から半導体チップ３３を剥離する場合、ダイシングテープ３１を引き伸ばすことによりスリット３２を開かせることができる。 FIG. 3 is a plan view showing the configuration before stretching of the dicing tape according to the third embodiment of the present invention.
In FIG. 3, a slit 32 is provided in a cross shape in the dicing tape 31 to which the semiconductor chip 33 is attached. When the semiconductor chip 33 is peeled from the dicing tape 31, the slit 32 can be opened by stretching the dicing tape 31.

これにより、ダイシングテープ３１の引き伸ばし方向に依存することなく、スリット３２を効率よく開かせることが可能となる。このため、ダイシングテープ３１上の任意の位置で、半導体チップ３３とダイシングテープ３１との接触面積を効率よく低下させることが可能となり、ダイシングテープ３１上の様々の位置に配置された半導体チップ３３を容易に剥離すること可能となる。   Thereby, the slit 32 can be efficiently opened without depending on the extending direction of the dicing tape 31. For this reason, the contact area between the semiconductor chip 33 and the dicing tape 31 can be efficiently reduced at an arbitrary position on the dicing tape 31, and the semiconductor chips 33 arranged at various positions on the dicing tape 31 can be arranged. It can be easily peeled off.

図４は、本発明の第４実施形態に係るダイシングテープの引き伸ばし前の構成を示す平面図である。
図４において、半導体チップ４３が貼り付けられたダイシングテープ４１にはスリット４２が同心円状に設けられている。そして、ダイシングテープ４１から半導体チップ４３を剥離する場合、ダイシングテープ４１を引き伸ばすことによりスリット４２を開かせることができる。 FIG. 4 is a plan view showing a configuration before stretching of the dicing tape according to the fourth embodiment of the present invention.
In FIG. 4, slits 42 are concentrically provided on a dicing tape 41 to which a semiconductor chip 43 is attached. When the semiconductor chip 43 is peeled from the dicing tape 41, the slit 42 can be opened by stretching the dicing tape 41.

これにより、リングを用いてダイシングテープ４１を突き上げることで、ダイシングテープ４１を一様に引き伸ばすことが可能となるとともに、ダイシングテープ４１の引き伸ばし方向と直交するようスリットを４２配置することができる。このため、ダイシング後にスリット４２を効率よく開かせることが可能となり、ダイシングテープ４１の粘着力を容易に低下させることを可能として、ダイシングテープ４１から半導体チップ４３を容易に剥離すること可能となる。   Accordingly, by pushing up the dicing tape 41 using a ring, the dicing tape 41 can be stretched uniformly, and the slits 42 can be arranged so as to be orthogonal to the stretching direction of the dicing tape 41. For this reason, the slit 42 can be efficiently opened after dicing, the adhesive force of the dicing tape 41 can be easily reduced, and the semiconductor chip 43 can be easily peeled from the dicing tape 41.

なお、上述した実施形態では、半導体チップのピックアップ方法を例にとって説明したが、本発明は、必ずしも半導体チップのピックアップ方法に限定されることなく、例えば、弾性表面波（ＳＡＷ）素子などのセラミック素子、光変調器や光スイッチなどの光学素子、磁気センサやバイオセンサなどの各種センサ類などのピックアップ方法に適用してもよい。   In the above-described embodiment, the semiconductor chip pickup method has been described as an example. However, the present invention is not necessarily limited to the semiconductor chip pickup method, and for example, a ceramic element such as a surface acoustic wave (SAW) element. The present invention may also be applied to pickup methods such as optical elements such as optical modulators and optical switches, and various sensors such as magnetic sensors and biosensors.

第１実施形態に係るダイシングテープの構成を示す平面図。The top view which shows the structure of the dicing tape which concerns on 1st Embodiment. 第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 2nd Embodiment. 第３実施形態に係るダイシングテープの構成を示す平面図。The top view which shows the structure of the dicing tape which concerns on 3rd Embodiment. 第４実施形態に係るダイシングテープの構成を示す平面図。The top view which shows the structure of the dicing tape which concerns on 4th Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

１、１１、３１、４１ ダイシングテープ、２、１２、３２、４２ スリット、３、３３、４３ 半導体チップ、４ 開口部、１５ 保持リング、１６ ウェハサポート、１７ ダイシングテーブル、１８ ブレード、１９ コレット、２０ａ、２０ｂ 引き伸ばしリング、２１ ステージ、Ｗ ウェハ   1, 11, 31, 41 Dicing tape 2, 12, 32, 42 Slit 3, 33, 43 Semiconductor chip, 4 Opening, 15 Holding ring, 16 Wafer support, 17 Dicing table, 18 Blade, 19 Collet, 20a 20b Stretch ring, 21 stages, W wafer

Claims (8)

引き伸ばし可能な基材と、
前記基材に形成された粘着層と、
前記粘着層が形成された基材に設けられたスリットとを備えることを特徴とするダイシングテープ。 A stretchable substrate;
An adhesive layer formed on the substrate;
A dicing tape comprising a slit provided in a base material on which the adhesive layer is formed. 前記スリットは向きが異なるように配置されていることを特徴とする請求項１記載のダイシングテープ。   The dicing tape according to claim 1, wherein the slits are arranged in different directions. 前記スリットは前記基材の引き伸ばし方向と直交するように配置されていることを特徴とする請求項１記載のダイシングテープ。   The dicing tape according to claim 1, wherein the slits are arranged so as to be orthogonal to the extending direction of the base material. 前記スリットは同心円状に配置されていることを特徴とする請求項１記載のダイシングテープ。   The dicing tape according to claim 1, wherein the slits are arranged concentrically. スリットが設けられたダイシングテープを引き伸ばす引き伸ばし手段と、
前記ダイシングテープに貼り付けられたチップをピックアップするピックアップ手段とを備えることを特徴とするピックアップ装置。 Stretching means for stretching a dicing tape provided with a slit;
A pick-up apparatus comprising pick-up means for picking up a chip attached to the dicing tape. 前記ダイシングテープに紫外線を照射する紫外線照射手段と、
前記ダイシングテープを加熱する加熱手段とをさらに備えることを特徴とする請求項５記載のピックアップ装置。 Ultraviolet irradiation means for irradiating the dicing tape with ultraviolet rays;
The pickup apparatus according to claim 5, further comprising a heating unit that heats the dicing tape. スリットが設けられたダイシングテープに半導体ウェハを貼り付ける工程と、
前記ダイシングテープに貼り付けられた半導体ウェハをチップ状にダイシングする工程と、
前記半導体ウェハをチップ状にダイシングした後に、前記ダイシングテープを引き伸ばす工程と、
前記ダイシングテープ上に貼り付けられている半導体チップをピックアップする工程と、
前記ピックアップされた半導体チップをマウントする工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 Attaching a semiconductor wafer to a dicing tape provided with a slit;
Dicing the semiconductor wafer attached to the dicing tape into chips,
A step of stretching the dicing tape after dicing the semiconductor wafer into chips;
Picking up a semiconductor chip affixed on the dicing tape;
And a step of mounting the picked-up semiconductor chip. 前記ダイシングテープに設けられたスリットの長さまたは密度は、前記ダイシングテープを引き伸ばした際に、前記半導体チップをピックアップできる程度に粘着力が低下するように設定されていることを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。   The length or density of the slit provided in the dicing tape is set so that the adhesive strength is reduced to an extent that the semiconductor chip can be picked up when the dicing tape is stretched. 8. A method of manufacturing a semiconductor device according to 7.
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