JP2005072194A

JP2005072194A - 気化器用分散器、この気化器用分散器を用いたｍｏｃｖｄ用気化器、これら気化器用分散器若しくはｍｏｃｖｄ用気化器に用いられるロッド、及びキャリアガスの分散方法並びにキャリアガスの気化方法

Info

Publication number: JP2005072194A
Application number: JP2003298828A
Authority: JP
Inventors: Masaki Kusuhara; 昌樹楠原; Masayuki Tsuda; 昌之都田
Original assignee: Watanabe Shoko KK; M Watanabe and Co Ltd
Current assignee: Watanabe Shoko KK; M Watanabe and Co Ltd
Priority date: 2003-08-22
Filing date: 2003-08-22
Publication date: 2005-03-17
Also published as: WO2005020302A1

Abstract

【課題】特別な固定部品を用いることなくキャリアガスの圧力に拘わらずロッドの飛び出しを防止することができ、しかも、複数の薄膜形成材料を適量配分で合流部で合流させることができる気化器用分散器を提供する。
【解決手段】キャリアガスの搬送経路に沿って形成された穴にその内壁と協働してガス通路３５を形成するロッド３７が挿入され、ガス通路３５内に導入されたキャリアガスに複数の薄膜形成原料を分散させる分散部がガス通路の中途部に配置され、ロッド３７の少なくともキャリアガス搬送方向下流側の先端部分が先細りとされると共に穴の内壁がその先端形状に沿って形成され、その合流部によりガス通路３５の下流端部に分散部で複数の薄膜形成材料を分散させたキャリアガスが合流される。
【選択図】図１

Description

本発明は、キャリアガスを用いて複数の原料溶液等を気化するための気化器用分散器、この気化器用分散器を用いたＭＯＣＶＤ用気化器、これら気化器用分散器若しくはＭＯＣＶＤ用気化器に用いられるロッド、及びキャリアガスの分散方法並びにキャリアガスの気化方法に関する。

特開２０００−２１６１５０号公報

近年、電子デバイスの分野においては、回路の高密度化と共に電子デバイスの一層の小型化および高性能化が望まれており、例えば、トランジスタの組み合わせで情報の記憶動作を行うＳＲＡＭ（ＳｔａｔｉｃＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓｒｅａｄｗｒｉｔｅＭｅｍｏｒｙ）、ＥＥＰＲＯＭ（ＥｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙＥｒａｓａｂｌｅａｎｄＰｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅＲｅａｄＯｎｌｙＭｅｍｏｒｙ）、或いはトランジスタとキャパシタの組み合わせで情報の記憶動作を行うＤＲＡＭ（ＤｙｎａｍｉｃＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）などのように、電子デバイスの機能を単に回路構成のみで達成するばかりではなく、機能性薄膜等の材料自体の特性を利用してデバイスの機能を実現することが有利になりつつある。

そのため、電子部品に用いられる誘電体材料などの薄膜化が望まれている。このような材料を薄膜化する一つの方法として、ＣＶＤ法がある。

このＣＶＤ法は、ＰＶＤ法、ゾルゲル法、その他の成膜法に比べて成膜速度が大きく、多層薄膜の製造が容易であるなどの特徴を有している。また、ＭＯＣＶＤ法は、有機物を含む化合物を薄膜形成用の原料として用いるＣＶＤ法であり、安全性が高く、膜中のハロゲン化物の混入がないなどの利点を有する。

ＭＯＣＶＤ法に用いられる原料は、一般的に固体粉末あるいは液体であり、これらの原料を容器に入れ、一般的に減圧中で加熱して原料を気化器で気化させた後、キャリアガスによって薄膜成膜装置内に送り込んでいる。

図８は、このようなＭＯＣＶＤ法の気化システムのシステムブロック図（特許文献１参照）である。

図８において、１０は複数の原料溶液等を気化器１へと供給する供給部である。

供給部１０は、キャリアガス（例えば、Ｎ2又はＡｒ）が充填されたガスボンベ１１と、酸素が充填された酸素ボンベ１２と、冷却水が貯留された貯水タンク１３と、強誘電体薄膜用の原料（例えば、３種類の有機金属錯体としてＳｒ（ＤＰＭ）2、Ｂｉ（Ｃ6Ｈ5）3、Ｔａ（ＯＣ2Ｈ5）5）並びに溶剤としてＴＨＦ（テトラヒドロフラン）を貯留した複数のリザーブタンク１４〜１７と、ガスボンベ１１と気化器１とに接続されたガス供給管１８と、酸素ボンベ１２と気化器１とに接続された酸素供給管１９と、貯水タンク１３と気化器１とに接続された給水管２０並びに配水管２１と、リザーブタンク１４〜１７と気化器１とに接続された液体供給管２２〜２５と、リザーブタンク１４〜１７とガスボンベ１１とに接続された多岐管２６とを備えている。

ガス供給管１８の経路中にはバルブ１８ａとマスフローコントローラ１８ｂとが設けられ、酸素供給管１９の経路中にはバルブ１９ａとマスフローコントローラ１９ｂとバルブ１９ｃとが設けられ、給水管２０の経路中にはバルブ２０ａが設けられ、溶剤用の液体供給管２２の経路中にはバルブ２２ａとマスフローコントローラ２２ｂとが設けられ、錯体用の液体供給管２３〜２５の経路中にはバルブ２３ａ〜２５ａとマスフローコントローラ２３ａ〜２５ｂとが設けられ、多岐管２６の経路中にはバルブ２６ａ〜２６ｄとエアパージ２６ｅとバルブ２６ｆとが設けられている。尚、液体供給管２３〜２５は、液体供給管２２と接続されるように分岐されており、それぞれバルブ２３ｃ〜２５ｃが設けられている。

ガスボンベ１１に充填されたキャリアガスは、ガス供給管１８のバルブ１８ａを開くことにより、マスフローコントローラ１８ｂに流量制御されて気化器１へと供給される。また、ガスボンベ１１に充填されたキャリアガスは、多岐管２６のバルブ２６ｆ並びにバルブ２６ａ〜２６ｄを開くと共にエアパージ用のバルブ２６ｅの放出状態を閉とすることによりキャリアガスがリザーブタンク１４〜１７に送り込まれる。これにより、リザーブータンク１４〜１７内はキャリアガスにより加圧され、貯留された原料溶液はその溶液内に先端が臨んでいる液体供給管２２〜２５内を押し上げられてマスフローコントロ―ラ２２ｂ〜２５ｂにより流量制御された後、気化器１の接続管２〜５に輸送される。

また、同時に、酸素ボンベ１２からマスフロ―コントロ―ラ１９ｂで―定流量に制御された酸素（酸化剤）が気化器１へと輸送される。

さらに、給水管２０のバルブ２０ａを開くことにより貯水タンク１３内の冷却水が気化器１の内部を循環して気化器１を冷却する。

尚、接続管２７〜３０は、図示例では気化器１の軸線方向に沿って並設されているが、実際には貯水タンク１３からの給水管２０又は配水管２１と接続される接続管３１，３２とで放射状に交互に設けられている。

リザーブタンク１５〜１７内に貯留された原料溶液は、溶剤であるＴＨＦに常温で液体又は固体状の有機金属錯体（Ｓｒ（ＤＰＭ）2、Ｂｉ（Ｃ6Ｈ5）3、Ｔａ（ＯＣ2Ｈ5）5）を溶解しているため、そのまま放置しておくとＴＨＦ溶剤の蒸発によって有機金属錯体が析出し、最終的に固形状になる。従って、原液と接触した液体供給管２３〜２５の内部がこれによって閉塞されることを防止するため、成膜作業終了後の液体供給管２３〜２５内及び気化器１内をリザーブタンク１４内のＴＨＦで洗浄すればよい。この際の洗浄は、マスフロ―コントローラ１３ｂ〜２５ｂの出口側から気化器１までの区間とし、作業終了後にリザーブタンク１４内に貯留されたＴＨＦで洗い流すものである。

図７は、気化器１の要部の構成を示す断面図である。この図７において、気化器１は、ガス供給管１８が接続される分散器２と、分散器２の下流側に連続して接続された反応管３と、反応管３の周囲を覆うヒータ４とを備えている。

分散器２は、ガス供給管１８と同軸上に位置するガス通路５とを有する。このガス通路５の始端上流口５ａと終端噴射口５ｂとの間には、各接続管２７〜３０の先端が臨んでおり（図では対向配置された接続管２８，２９のみ図示）、これによりリザーブタンク１５〜１７内に貯留された原料溶液がこのガス通路５内に供給可能となっている。また、分散器２には、接続管３１，３２に連通して貯水タンク１３内の冷却水が循環するための冷却経路６が形成されている。さらに、分散器２には、ガス供給管１８の始端上流口５ａよりも上流側に一端が位置すると共に終端噴射口５ｂに他端が位置するロッド７と、このロッド７の他端を支持するピン８とを備えている。尚、ロッド７の一端はガス供給管１８の端部付近に設けられたピン９により保持されている。

このような構成においては、分散器２の内部に穴を貫通し、その穴の軸線と同軸上に位置するように、穴の内径（４．５０ｍｍ）のよりも小さな外径（４．４８ｍｍ）を有するロッド７を埋め込む。分散器２とロッド７との間に形成された空間によりガス通路５が形成される。ロッド７はビス９により位置決め状態で保持されている。

尚、ガス通路５の断面幅は０．０２ｍｍとなる。この際、ガス通路５の断面幅は、０．００５〜０．１０ｍｍが好ましい。これは、０．００５ｍｍ未満では加工が困難であり、０．１０ｍｍを超えるとキャリアガスを高速化するために高圧のキャリアガスを用いる必要が生じてしまうからである。

ガス通路５の上流からは、ガス供給管１８からキャリアガスが導入される。このキャリアガスには、ガス通路５の中途部に位置する各接続管２７〜３０の先端から原料溶液が滴下されるため、この原料溶液がガス通路５を通過するキャリアガスに分散される。

これにより、ガス通路５の下流の終端噴射口５ｂから反応管３に原料溶液を分散したキャリアガスが噴射され、反応管３内を流れる原料溶液を分散したキャリアガスをヒータ４で加熱し気化した後、図示を略する薄膜成膜装置へと送り込まれる。

ところで、上記の如く構成されたＭＯＣＶＤ用気化器にあっては、ロッド７が端なる円柱状のシャフトであるため、キャリアガスの圧力をかけすぎるとロッド７が飛び出すおそれがあるため、キャリアガスの最大圧力を原料溶液の分散制御とは別に制御する必要があった。

また、複数の原料溶液を、その滴下量に応じた配分で反応管３に至る前に分散することができないという問題も生じていた。

本発明は、上記問題を解決するため、特別な固定部品を用いることなくキャリアガスの圧力に拘わらずロッドの飛び出しを防止することができ、しかも、複数の薄膜形成材料を適量配分で気化部に至る前に分散させることができる気化器用分散器、この気化器用分散器を用いたＭＯＣＶＤ用気化器、これら気化器用分散器若しくはＭＯＣＶＤ用気化器に用いられるロッド、及びキャリアガスの分散方法並びにキャリアガスの気化方法を提供することを目的とする。

その目的を達成するため、請求項１に記載の気化器用分散器は、キャリアガスの搬送経路に沿って形成された穴に挿入されて該穴の内壁との協働によりガス通路を形成するロッドと、前記ガス通路の中途部に位置して前記ガス通路内に導入されたキャリアガスに複数の薄膜形成原料を分散させる分散部とを備え、前記ロッドの少なくともキャリアガス搬送方向下流側の先端部分を先細りとすると共に前記穴の内壁をその先端形状に沿わせ、前記ガス通路の下流端部に前記分散部で複数の薄膜形成材料を分散させたキャリアガスを合流させる合流部を設けたことを要旨とする。

請求項２に記載のＭＯＣＶＤ用気化器は、請求項１に記載の気化器用分散器に隣接して前記分散部で複数の薄膜形成材料を分散させたキャリアガスを気化する気化部を設けたことを要旨とする。

請求項３に記載のロッドは、請求項１に記載の気化器用分散器若しくは請求項２に記載のＭＯＣＶＤ用気化器に使用されるロッドであって、前記ロッドの外周には薄膜形成材料と１対１で対応した複数の溝が形成されていることを要旨とする。

請求項４に記載のロッドは、前記溝は直線状の溝であることを要旨とする。

請求項５に記載のロッドは、前記溝は螺旋状の溝であることを要旨とする。

請求項６に記載のロッドは、前記ロッドに冷却路を形成したことを要旨とする。

請求項７に記載の気化器用分散器は、一面を導入側とし且つ他面を噴射側とするブロック体に前記導入側から前記噴射側に向かって互いに接近する方向に傾斜した複数の貫通穴により複数のガス通路が形成されると共に、該複数のガス通路のそれぞれの中途部に前記ガス通路内へと薄膜形成原料を導入する分散部が設けられていることを要旨とする。

請求項８に記載のＭＯＣＶＤ用気化器は、請求項７に記載の気化器用分散器に隣接して前記分散部で複数の薄膜形成材料を分散させたキャリアガスを気化する気化部を設けたことを要旨とする。

請求項９に記載の気化起用分散器又はＭＯＣＶＤ用気化器は、前記ガス通路よりも内側に冷却路を形成したことを要旨とする。

請求項１０に記載のキャリアガスの分散方法は、ガス通路の中途部複数箇所から薄膜形成材料を導入してキャリアガスに前記薄膜形成材料を分散させると共に、前記ガス通路の下流端部に互いに接近する方向に案内される合流部にてキャリアガスを合流させることを要旨とする。

請求項１１に記載のキャリアガスの気化方法は、ガス通路の中途部複数箇所から薄膜形成材料を導入してキャリアガスに前記薄膜形成材料を分散させると共に、前記ガス通路の下流端部に互いに接近する方向に案内される合流部にてキャリアガスを合流させた後に気化することを要旨とする。

請求項１に記載の気化器用分散器は、キャリアガスの搬送経路に沿って形成された穴にその内壁と協働してガス通路を形成するロッドが挿入され、ガス通路内に導入されたキャリアガスに複数の薄膜形成原料を分散させる分散部がガス通路の中途部に配置され、ロッドの少なくともキャリアガス搬送方向下流側の先端部分が先細りとされると共に穴の内壁がその先端形状に沿って形成され、その合流部によりガス通路の下流端部に分散部で複数の薄膜形成材料を分散させたキャリアガスが合流されることにより、ロッドのキャリアガス搬送方向下流側の先細り部分がガス通路によって位置決めされるため、部特別な固定部品を用いることなくキャリアガスの圧力に拘わらずロッドの飛び出しを防止することができ、しかも、複数の薄膜形成材料を適量配分で合流部で合流させることができる。

次に、本発明のＭＯＣＶＤ用気化器を図面に基づいて説明する。尚、以下の各実施例において、原料供給システム等の見かけ上のシステム構成は図８に示したものと同一であるため、ここではシステム全体の詳細な説明は省略する。

（実施例１）
図１及び図２は、本発明のＭＯＣＶＤ用気化器の実施例１を示す。図１は本発明のＭＯＣＶＤ用気化器の要部の断面図、図２（Ａ）はロッドの拡大断面図、図２（Ｂ）は円錐形状のロッドの断面図、図２（Ｃ）は角錐形状のロッドの断面図である。

図１において、気化器１は、ガス供給管１８が接続される分散器２と、分散器２の下流側に連続して接続された反応管３と、反応管３の周囲を覆うヒータ４とを備えている。なお、反応管３とヒータ４とで気化部を構成している。

分散器２は、ガス供給管１８と同軸上に位置するガス通路３５を有する。このガス通路３５の始端上流口３５ａと終端噴射口３５ｂとの間には、各接続管２７〜３０の先端（分散部）が臨んでおり（図では対向配置された接続管２８，２９のみ図示）、これによりリザーブタンク１５〜１７内に貯留された原料溶液がこのガス通路３５内に供給可能となっている。また、分散器２には、接続管３１，３２に連通して貯水タンク１３内の冷却水が循環するための冷却経路３６が形成されている。さらに、分散器２には、始端上流口３５ａに一端が位置すると共に終端噴射口３５ｂに他端が位置するロッド３７を備えている。

ロッド３７は、図２（Ａ）に示すように、中途部から終端噴射口３５ｂ側に向かって互いに軸心方向に接近するように先細りとされた先端部３７ａと、ガス通路３５を形成するように軸線方向に沿う直線状（又は螺旋状）のガイド溝３７ｂと、貯水タンク１３内の冷却水（若しくは別タンクからの液体又は気体）が循環するための冷却経路３７ｃが形成されている。

先端部３７ａは、図２（Ｂ）に示すように、円錐（又は截頭円錐）形状とされており、この先端形状に沿うように分散器２の穴内壁を形成することによりガス通路３５が終端噴射口３５ｂで合流（合流部）することとなる。尚、先端部３７ａは、図２（Ｃ）に示すように角錐（又は截頭角錐）形状としても良い。この際、図２（Ｃ）では四角錐としているが、ガス通路３５の本数、即ち、リザーブータンク１４〜１７の数に相当する原料溶液（薄膜形成原料）の数に対応した面数の多角錐とすることができる。尚、この場合にはその各面にガイド溝３７ｂが形成されることは勿論である。また、終端噴射口３５ｂを合流部としているが、この合流部は終端噴射口３５ｂよりもキャリアガス搬送方向上流側に設けても良い。

このような構成においては、分散器２の内部に穴を貫通し、その穴に、穴の内径（例えば、４．５０ｍｍ）と略同一外径のロッド３７を挿入すると、ロッド３７の先端形状により穴に対してロッド３７が位置決めされると同時に分散器２の穴内壁とガイド溝３７ｂとの協働によりガス通路３５が形成される。

尚、ガイド溝３７ｂの幅並びに深さは、ガス通路３５の断面幅が０．００５〜０．１０ｍｍとなるように形成されているが、０．１０ｍｍ以上であってもキャリアガスを高速化するために高圧のキャリアガスを用いたとしても、ロッド３７が反応管３に向かってずれることはない。

ガス通路３５の上流からは、ガス供給管１８からキャリアガスが導入される。このキャリアガスには、ガス通路３５の中途部に位置する各接続管２７〜３０の先端から原料溶液が滴下されるため、この原料溶液がガス通路３５を通過するキャリアガスに分散される。

これにより、ガス通路３５の下流の終端噴射口３５ｂで合流した後の原料溶液を分散したキャリアガスが反応管３に噴射される。

さらに、その反応管３内を流れる原料溶液を分散したキャリアガスは、ヒータ４で加熱して気化した後、図示を略する薄膜成膜装置へと送り込まれる。

（実施例２）
図３及び図４は、本発明のＭＯＣＶＤ用気化器の実施例２を示す。図３は本発明のＭＯＣＶＤ用気化器の要部の断面図、図４（Ａ）はロッドの拡大断面図、図４（Ｂ）は円錐形状のロッドの断面図、図４（Ｃ）は角錐形状のロッドの断面図である。

図２において、気化器１は、ガス供給管１８が接続される分散器２と、分散器２の下流側に連続して接続された反応管３と、反応管３の周囲を覆うヒータ４とを備えている。

分散器２は、ガス供給管１８と同軸上に位置するガス通路３５を有する。このガス通路３５の始端上流口３５ａと終端噴射口３５ｂとの間には、各接続管２７〜３０の先端が臨んでおり（図では対向配置された接続管２８，２９のみ図示）、これによりリザーブタンク１５〜１７内に貯留された原料溶液がこのガス通路３５内に供給可能となっている。また、分散器２には、接続管３１，３２に連通して貯水タンク１３内の冷却水が循環するための冷却経路３６が形成されている。さらに、分散器２には、始端上流口３５ａに一端が位置すると共に終端噴射口３５ｂに他端が位置するロッド４７を備えている。

ロッド４７は、図４（Ａ）に示すように、終端噴射口３５ｂ側に向かって互いに軸心方向に接近するように先細りとされ、ガス通路３５を形成するように軸線方向に沿う直線状（又は螺旋状）のガイド溝４７ｂと、貯水タンク１３内の冷却水（若しくは別タンクからの液体又は気体）が循環するための冷却経路４７ｃが形成されている。また、ロッド４７は、図４（Ｂ）に示すように、円錐（又は截頭円錐）形状とされており、この先端形状に沿うように分散器２の穴内壁を形成することによりガス通路３５が終端噴射口３５ｂで合流することとなる。なお、ロッド４７は、図４（Ｃ）に示すように角錐（又は截頭角錐）形状としても良い。この際、図４（Ｃ）では四角錐としているが、ガス通路３５の本数、即ち、リザーブータンク１４〜１７の数に相当する原料溶液（薄膜形成原料）の数に対応した面数の多角錐とすることができる。尚、この場合にはその各面にガイド溝４７ｂが形成されることは勿論である。

このような構成においては、分散器２の内部に穴を貫通し、その穴に、穴の内径（例えば、４．５０ｍｍ）と略同一外径のロッド４７を挿入すると、ロッド４７の先端形状により穴に対してロッド４７が位置決めされると同時に分散器２の穴内壁とガイド溝４７ｂとの協働によりガス通路３５が形成される。

尚、ガイド溝４７ｂの幅並びに深さは、ガス通路３５の断面幅が０．００５〜０．１０ｍｍとなるように形成されているが、０．１０ｍｍ以上であってもキャリアガスを高速化するために高圧のキャリアガスを用いたとしても、ロッド４７が反応管３に向かってずれることはない。

（実施例３）
図５及び図６は、本発明のＭＯＣＶＤ用気化器の実施例３を示す。図５は本発明のＭＯＣＶＤ用気化器の要部の断面図、図５は要部の拡大断面図である。

図５において、気化器１は、ガス供給管１８が接続される分散器２と、分散器２の下流側に連続して接続された反応管３と、反応管３の周囲を覆うヒータ４とを備えている。

分散器２は、ガス供給管１８と同軸上に位置するガス通路３５を有する。このガス通路３５の始端上流口３５ａと終端噴射口３５ｂとの間には、各接続管２７〜３０の先端が臨んでおり（図では対向配置された接続管２８，２９のみ図示）、これによりリザーブタンク１５〜１７内に貯留された原料溶液がこのガス通路３５内に供給可能となっている。また、分散器２には、接続管３１，３２に連通して貯水タンク１３内の冷却水が循環するための冷却経路３６が形成されている。

ガス通路３５は、図６に示すように、終端噴射口３５ｂ側に向かって互いに軸心方向に接近するように傾斜した穴により形成されている。尚、各穴よりも内側には、貯水タンク１３内の冷却水（若しくは別タンクからの液体又は気体）が循環するための冷却経路を形成することも可能である（図示せず）。なお、ガス通路３５は、リザーブータンク１４〜１７の数に相当する原料溶液（薄膜形成原料）の数に対応した本数だけ形成されている。

このような構成においては、分散器２にガス通路３５となる穴を傾斜状態で貫通させるだけで良い。尚、ガス通路３５の断面幅は０．００５〜０．１０ｍｍとなるように形成されている。

本発明のＭＯＣＶＤ用気化器の実施例１を示す要部の断面図である。（Ａ）は本発明のＭＯＣＶＤ用気化器の実施例１を示すロッドの拡大断面図、（Ｂ）は本発明のＭＯＣＶＤ用気化器の実施例１を示す円錐形状のロッドの断面図、（Ｃ）は本発明のＭＯＣＶＤ用気化器の実施例１を示す角錐形状のロッドの断面図である。本発明のＭＯＣＶＤ用気化器の実施例２を示す要部の断面図である。（Ａ）は本発明のＭＯＣＶＤ用気化器の実施例２を示すロッドの拡大断面図、（Ｂ）は本発明のＭＯＣＶＤ用気化器の実施例２を示す円錐形状のロッドの断面図、（Ｃ）は本発明のＭＯＣＶＤ用気化器の実施例２を示す角錐形状のロッドの断面図である。本発明のＭＯＣＶＤ用気化器の実施例３を示す要部の断面図である。（Ａ）は本発明のＭＯＣＶＤ用気化器の実施例３を示す導入部の拡大断面図である。従来のＭＯＣＶＤ用気化器を示す要部の断面図である。ＭＯＣＶＤ法の気化システムのシステムブロック図である。

符号の説明

１…気化器
２…分散器
３…反応管
４…ヒータ
３５…ガス通路
３５ａ…始端上流口
３５ｂ…終端噴射口（合流部）
３６…冷却通路
３７、４７…ロッド

Claims

キャリアガスの搬送経路に沿って形成された穴に挿入されて該穴の内壁との協働によりガス通路を形成するロッドと、前記ガス通路の中途部に位置して前記ガス通路内に導入されたキャリアガスに複数の薄膜形成原料を分散させる分散部とを備え、
前記ロッドの少なくともキャリアガス搬送方向下流側の先端部分を先細りとすると共に前記穴の内壁をその先端形状に沿わせ、前記ガス通路の下流端部に前記分散部で複数の薄膜形成材料を分散させたキャリアガスを合流させる合流部を設けたことを特徴とする気化器用分散器。
請求項１に記載の気化器用分散器に隣接して前記分散部で複数の薄膜形成材料を分散させたキャリアガスを気化する気化部を設けたことを特徴とするＭＯＣＶＤ用気化器。
請求項１に記載の気化器用分散器若しくは請求項２に記載のＭＯＣＶＤ用気化器に使用されるロッドであって、
前記ロッドの外周には薄膜形成材料と１対１で対応した複数の溝が形成されていることを特徴とするロッド。
前記溝は直線状の溝であることを特徴とする請求項３に記載のロッド。
前記溝は螺旋状の溝であることを特徴とする請求項３に記載のロッド。
前記ロッドに冷却路を形成したことを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れか一つに記載のロッド。
一面を導入側とし且つ他面を噴射側とするブロック体に前記導入側から前記噴射側に向かって互いに接近する方向に傾斜した複数の貫通穴により複数のガス通路が形成されると共に、該複数のガス通路のそれぞれの中途部に前記ガス通路内へと薄膜形成原料を導入する分散部が設けられていることを特徴とする気化器用分散器。
請求項７に記載の気化器用分散器に隣接して前記分散部で複数の薄膜形成材料を分散させたキャリアガスを気化する気化部を設けたことを特徴とするＭＯＣＶＤ用気化器。
前記ガス通路よりも内側に冷却路を形成したことを特徴とする請求項７に記載の気化起用分散器又は請求項８に記載のＭＯＣＶＤ用気化器。
ガス通路の中途部複数箇所から薄膜形成材料を導入してキャリアガスに前記薄膜形成材料を分散させると共に、前記ガス通路の下流端部に互いに接近する方向に案内される合流部にてキャリアガスを合流させることを特徴とするキャリアガスの分散方法。
ガス通路の中途部複数箇所から薄膜形成材料を導入してキャリアガスに前記薄膜形成材料を分散させると共に、前記ガス通路の下流端部に互いに接近する方向に案内される合流部にてキャリアガスを合流させた後に気化することを特徴とするキャリアガスの気化方法。