JP2005054222A - 層構造コバルト酸化物系結晶体とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 真空チャンバ11内の基板ホルダー12の下面にLaSrAlO4などのA2BO4層構造酸化物結晶体からなる基板13を装着し、その基板13に対向してLa2−xSrxCoO4(但し、1.5<x≦2)の組成を有するターゲット14を装着する。ターゲット14上にはレーザ光源17より放射されたレーザビームが集光装置16、光導入窓15を介して照射される。これにより、基板13上に、La2−xSrxCoO4の組成の単結晶薄膜が形成される。
【選択図】 図1
Description
電気伝導については、その結晶構造により、113構造のものでは等方性となるが、214構造のものおよび327構造のものは異方性を示す。以上をまとめると表1に示すようになる。
ここで、Oの組成:4は、公称値であって実際の結晶では若干のずれが生じる可能性があるが若干のずれは許容されるものとする。
基板13に対向してLa2−xSrxCoO4の組成を有するターゲット14が装着される。ターゲット14は図示が省略された駆動源により回転可能である。真空チャンバ11には石英ガラスからなる光導入窓15が取り付けられている。ターゲット14上にはレーザ光源17より放射されたレーザビームが集光装置16、光導入窓15を介して照射される。真空チャンバ11内のガスは、真空排気系18により排気される。真空チャンバ11内には、不活性ガスボンベ19または酸素ガスボンベ20から不活性ガスまたは酸素ガスが供給される。あるいは、不活性ガスと酸素ガスの混合ガスが供給される。
この装置において、基板を600〜850℃程度に加熱し、ターゲットにレーザビームを照射することにより、ターゲットの組成の単結晶薄膜を得ることができる。成膜の際に、薄膜中の酸素原子の欠損をできるだけ少なくするために、酸化性雰囲気とすることが望ましい。
レーザアブレーション法に代え、スパッタ法または分子線エピタキシ(MBE)法等を用いてもよい。
2 CoO6またはMnO6からなる八面体クラスター
11 真空チャンバ
12 基板ホルダー
13 基板
14 ターゲット
15 光導入窓
16 集光装置
17 レーザ光源
18 真空排気系
19 不活性ガスボンベ
20 酸素ガスボンベ
Claims (6)
- La2−xSrxCoO4(但し、1.5<x≦2)で表わされる組成を有する層構造コバルト酸化物系結晶体。
- 薄膜に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の層構造コバルト酸化物系結晶体。
- A2BO4(A、Bは金属、但し、それぞれ単一種類の金属に限らない)で表わされる組成を有する層構造酸化物結晶体の表面上にLa2−xSrxCoO4(但し、1.5<x≦2)で表わされる組成を有する層構造コバルト酸化物系単結晶を気相成長法により成長させる層構造コバルト酸化物系結晶体の製造方法。
- A2BO4層構造酸化物結晶体の(100)面上に結晶成長を行うことを特徴とする請求項3に記載の層構造コバルト酸化物系結晶体の製造方法。
- 結晶成長がレーザアブレーション法、スパッタ法または分子線エピタキシ(MBE)法の中のいずれかにより行うことを特徴とする請求項3または4に記載の層構造コバルト酸化物系結晶体の製造方法。
- A2BO4が、LaSrAlO4であることを特徴とする請求項3から5のいずれかに記載の層構造コバルト酸化物系結晶体の製造方法。
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