JP2005045172A - 電源電圧制御回路及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】モニタ回路を有するLSIにおいて、動作する最小の電源電圧まで低減しながら、正確にマージン電圧を制御する。
【解決手段】モニタ回路22は、ターゲット回路3のクリティカルパス遅延特性を有している。電圧発生回路25は、ターゲット回路3に電源電圧VDD1を供給し、モニタ回路22に電圧V2を供給する。電圧V2におけるモニタ回路22のクリティカルパス遅延特性に基づいて、制御回路24は、電圧V2に対する指示信号を電圧発生回路25に供給する。電圧発生回路25は、指示信号に基づいて、電源電圧VDD1が電圧V2よりマージン電圧ΔV分高くなるように、電源電圧VDD1および電圧V2を制御する。
【選択図】図1
【解決手段】モニタ回路22は、ターゲット回路3のクリティカルパス遅延特性を有している。電圧発生回路25は、ターゲット回路3に電源電圧VDD1を供給し、モニタ回路22に電圧V2を供給する。電圧V2におけるモニタ回路22のクリティカルパス遅延特性に基づいて、制御回路24は、電圧V2に対する指示信号を電圧発生回路25に供給する。電圧発生回路25は、指示信号に基づいて、電源電圧VDD1が電圧V2よりマージン電圧ΔV分高くなるように、電源電圧VDD1および電圧V2を制御する。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体集積回路(LSI)の低消費電力化を図る技術に関する。
近年、LSIの低消費電力化の手法として、動作周波数に応じた電源電圧を供給することで低消費電力化を達成する手法が取られている。これは、LSIの消費電力が電源電圧の二乗に比例するためで、電源電圧を低減することがLSIの低消費電力化に最も効果的だからである。
一方、LSIの電源電圧の低減は、LSIにおいて所望の処理を行うシステムを構成するターゲット回路のクリティカルパスの遅延特性を考慮する必要がある。
図7は、LSI内部に存在するターゲット回路のクリティカルパスの電源電圧−遅延時間特性を示す図である。
図7で明らかなように、ターゲット回路のクリティカルパスは電源電圧が高いほど小さい遅延時間で動作し、電源電圧が低いほど大きい遅延時間で動作する。
すなわち、遅延時間の逆数は動作周波数と見ることができるので、ターゲット回路のクリティカルパスにおいては、周波数が高ければ高い程(遅延時間が小さければ小さい程)、ターゲット回路の動作に必要な最小電源電圧が高くなるという関係にある。
図7は、LSI内部に存在するターゲット回路のクリティカルパスの電源電圧−遅延時間特性を示す図である。
図7で明らかなように、ターゲット回路のクリティカルパスは電源電圧が高いほど小さい遅延時間で動作し、電源電圧が低いほど大きい遅延時間で動作する。
すなわち、遅延時間の逆数は動作周波数と見ることができるので、ターゲット回路のクリティカルパスにおいては、周波数が高ければ高い程(遅延時間が小さければ小さい程)、ターゲット回路の動作に必要な最小電源電圧が高くなるという関係にある。
そして、従来は、ある動作スペックに対しプロセス変動や温度変動に対する最悪条件を考慮して、最大動作周波数Fmaxと最小電源電圧Vmaxを決定していた。
すなわち、LSIの処理性能や動作環境にかかわらず常に一定の固定の電源電圧を供給していたために無駄な電力を消費していた。例えば、図7から明らかなように、LSIを最大動作周波数Fmaxより低い周波数で動作させる場合、その遅延特性から、より低い電圧で動作させることが可能であるにもかかわらず、最悪条件を考慮した高い定電圧を供給していた。
すなわち、LSIの処理性能や動作環境にかかわらず常に一定の固定の電源電圧を供給していたために無駄な電力を消費していた。例えば、図7から明らかなように、LSIを最大動作周波数Fmaxより低い周波数で動作させる場合、その遅延特性から、より低い電圧で動作させることが可能であるにもかかわらず、最悪条件を考慮した高い定電圧を供給していた。
また、LSIが動作する周波数の観点においても、LSIに供給される電源電圧は、各周波数において動作するLSIの製造ばらつきを含めた最悪条件により決定された電圧となっている。
従って、LSIの製造ばらつきの中の良品は、最悪条件にて決定された電源電圧よりも低い電圧で動作する場合が多い。
従って、LSIの製造ばらつきの中の良品は、最悪条件にて決定された電源電圧よりも低い電圧で動作する場合が多い。
図8は、LSIの生産ばらつきを表す標準正規分布図である。LSIの生産ばらつきは、図8に示す標準正規分布に基づくため、この±3σ(99.74%)の範囲内でLSIの製造品質が決まる。
−3σは最も製造品質の良いLSIとなり、+3σは最も製造品質の悪いLSIとなる。この場合、最悪条件とは、+3σに一致するようなプロセス変動や温度変動等を含む条件の場合も考慮されており、大半のLSIは最悪条件のLSIの電源電圧よりも低い電源電圧で動作する。
−3σは最も製造品質の良いLSIとなり、+3σは最も製造品質の悪いLSIとなる。この場合、最悪条件とは、+3σに一致するようなプロセス変動や温度変動等を含む条件の場合も考慮されており、大半のLSIは最悪条件のLSIの電源電圧よりも低い電源電圧で動作する。
以上のような観点から、LSIの動作周波数に応じた電源電圧を供給する手段として、LSI内部にターゲット回路のクリティカルパス遅延をモニタするモニタ回路を設け、このモニタ回路から得た遅延情報をもとに最小限の電源電圧を決定する手法を取った電源電圧制御回路がある。
このようなモニタ回路を有する電源電圧制御回路は、モニタの対象となるターゲット回路のクリティカルパスの遅延特性を再現することによって、モニタ回路から得た遅延情報をもとに電源電圧を制御している。
なお、ターゲット回路のクリティカルパスの遅延特性を再現できるのは、ターゲット回路とモニタ回路が同一のLSI上に集積されているからである。
また、上述したように、LSIの製造品質によって制御される電源電圧がそれぞれ異なる。
このようなモニタ回路を有する電源電圧制御回路は、モニタの対象となるターゲット回路のクリティカルパスの遅延特性を再現することによって、モニタ回路から得た遅延情報をもとに電源電圧を制御している。
なお、ターゲット回路のクリティカルパスの遅延特性を再現できるのは、ターゲット回路とモニタ回路が同一のLSI上に集積されているからである。
また、上述したように、LSIの製造品質によって制御される電源電圧がそれぞれ異なる。
図9は、従来の電源電圧制御回路を有するLSI上に実装された半導体装置のブロック図である。
図9に示す半導体装置は、パルス供給回路と、モニタ回路と、遅延検知回路と、制御回路と、電圧発生回路とを備える電源電圧制御回路を有し、上述の電源電圧制御を実現している。
図9に示す半導体装置は、パルス供給回路と、モニタ回路と、遅延検知回路と、制御回路と、電圧発生回路とを備える電源電圧制御回路を有し、上述の電源電圧制御を実現している。
図10は、図9に示す半導体装置のクリティカルパスにおける遅延特性を示す図である。
図10に示すように、モニタ回路の動作をモニタしながらマージン電圧ΔVを伴ってターゲット回路が動作する最小限の電圧を供給することにより、低消費電力化を実現している。
ここで、マージン電圧ΔVが大きい場合は更なる低電力化が可能であり、マージン電圧ΔVが小さくなった場合は半導体装置を誤動作させる可能性があるため、適切なマージン電圧ΔVが必要とされている。
図10に示すように、モニタ回路の動作をモニタしながらマージン電圧ΔVを伴ってターゲット回路が動作する最小限の電圧を供給することにより、低消費電力化を実現している。
ここで、マージン電圧ΔVが大きい場合は更なる低電力化が可能であり、マージン電圧ΔVが小さくなった場合は半導体装置を誤動作させる可能性があるため、適切なマージン電圧ΔVが必要とされている。
ところで、モニタ回路によりターゲット回路のクリティカルパスの遅延特性を再現することは可能であるが、実際には、ターゲット回路とモニタ回路に供給される電源電圧は、ターゲット回路のクリティカルパスが動作する電源電圧よりも高い電源電圧で動作しているため、異なる周波数に対して、ターゲット回路のクリティカルパスとモニタ回路の遅延特性の傾きが異なってくる。
図11は、ターゲット回路とモニタ回路の遅延特性において、異なる周波数におけるマージン電圧の違いを示す図である。
図11において、VL1は、低い周波数F1でターゲット回路のクリティカルパスが動作する電源電圧である。VL2は周波数F1でモニタ回路が制御する電源電圧である。ΔVL1は、電源電圧VL1と電源電圧VL2の差である。
また、図11において、VH1は、F1より高い周波数F2でターゲット回路のクリティカルパスが動作する電源電圧である。VH2は、周波数F2でモニタ回路が制御する電源電圧である。ΔVH1は、電源電圧VH1と電源電圧VH2の差である。
図11において、VL1は、低い周波数F1でターゲット回路のクリティカルパスが動作する電源電圧である。VL2は周波数F1でモニタ回路が制御する電源電圧である。ΔVL1は、電源電圧VL1と電源電圧VL2の差である。
また、図11において、VH1は、F1より高い周波数F2でターゲット回路のクリティカルパスが動作する電源電圧である。VH2は、周波数F2でモニタ回路が制御する電源電圧である。ΔVH1は、電源電圧VH1と電源電圧VH2の差である。
図11に示すとおり、ターゲット回路のクリティカルパスとモニタ回路の遅延特性の傾きが異なる場合、ΔVL1とΔVH1を比較して明らかなように、周波数によってマージン電圧ΔVが異なり、周波数F1とF2の差が大きいほどマージン電圧ΔVの違いがより顕著となる。
すなわち、マージン電圧ΔVが一定とならない、または、所望のマージン電圧ΔVを制御できない場合には、上述したようなマージン電圧ΔVの過不足により、更なる低電力化ができない、または誤動作を起こすといった不利益をもたらす可能性がある。
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、解決しようとする課題は、LSI上に実装された半導体装置において、電源電圧を動作する最小の電圧まで低減しながら、正確にマージン電圧ΔVを制御することにある。
上記課題を解決するため、本発明に係る第1の観点は、ターゲット回路のクリティカルパス遅延特性を把握するためのモニタ回路を有する電源電圧制御回路であって、前記ターゲット回路に供給する第1の電圧と、前記モニタ回路に供給する第2の電圧とを生成する電圧生成手段と前記モニタ回路の前記クリティカルパス遅延特性に基づいて、前記電圧生成手段を制御する電圧制御手段とを有し、前記電圧制御手段は、前記第1の電圧が前記第2の電圧より所定電圧分高くなるように前記電圧生成手段を制御する。
好適には、前記第1の電圧と前記第2の電圧の差分に基づいて、前記電圧生成手段を制御する第2の電圧制御手段をさらに有する。
また、本発明に係る第2の観点は、クロック周波数に従って動作するターゲット回路と、前記クロック周波数に応じて前記ターゲット回路の電源電圧を制御する電源電圧制御回路とを有する半導体装置であって、前記クロック周波数における、前記ターゲット回路のクリティカルパス遅延特性を把握するためのモニタ回路と、前記ターゲット回路に供給する第1の電圧と、前記モニタ回路に供給する第2の電圧とを生成する電圧生成手段と前記モニタ回路の前記クリティカルパス遅延特性に基づいて、前記電圧生成手段を制御する電圧制御手段とを有し、前記電圧制御手段は、前記第1の電圧が前記第2の電圧より所定電圧分高くなるように前記電圧生成手段を制御する。
本発明に係る第1の観点によれば、モニタ回路には、ターゲット回路のクリティカルパス遅延特性を有している。
電圧生成手段は、ターゲット回路に第1の電圧を供給し、モニタ回路に第2の電圧を供給する。
モニタ回路では、供給された第2の電圧とクリティカルパス遅延特性に基づいて、電圧制御手段に対し、第2の電圧をどうすべきかについての信号を供給する。
電圧制御手段は、モニタ回路からの信号に基づいて、第1の電圧が前記第2の電圧より所定電圧分高くなるように、電圧生成手段を制御する。
電圧生成手段は、ターゲット回路に第1の電圧を供給し、モニタ回路に第2の電圧を供給する。
モニタ回路では、供給された第2の電圧とクリティカルパス遅延特性に基づいて、電圧制御手段に対し、第2の電圧をどうすべきかについての信号を供給する。
電圧制御手段は、モニタ回路からの信号に基づいて、第1の電圧が前記第2の電圧より所定電圧分高くなるように、電圧生成手段を制御する。
本発明によれば、モニタ回路に供給する電源電圧をターゲット回路に供給する電圧よりもマージン電圧ΔVだけ降下させた電圧を供給することによって、所望のマージン電圧ΔVを制御することが可能となるという利点がある。
第1の実施の形態
以下、本発明に係る半導体装置の第1の実施の形態について説明する。
図1は、第1の実施の形態における本発明の半導体装置のブロック図である。
図1に示すとおり、半導体装置1は、電源電圧制御回路2と、ターゲット回路3と、PLL回路4を有し、電源電圧制御回路2はさらにパルス供給回路21と、モニタ回路22と、遅延検知回路23と、制御回路24と、電圧発生回路25とを備えて構成される。
以下、図1に示す半導体装置1の各構成要素について説明する。
以下、本発明に係る半導体装置の第1の実施の形態について説明する。
図1は、第1の実施の形態における本発明の半導体装置のブロック図である。
図1に示すとおり、半導体装置1は、電源電圧制御回路2と、ターゲット回路3と、PLL回路4を有し、電源電圧制御回路2はさらにパルス供給回路21と、モニタ回路22と、遅延検知回路23と、制御回路24と、電圧発生回路25とを備えて構成される。
以下、図1に示す半導体装置1の各構成要素について説明する。
ターゲット回路3は、クロック周波数および電源電圧VDD1の制御対象となるシステムを構成し、後述するように、クロック周波数においてシステムの動作を保証する最低の電源電圧を供給することが可能な電圧発生回路25から電源電圧VDD1の供給を受け、PLL回路4から供給されるシステムクロックSYSCLKに同期して動作し、所望の処理を行う。
PLL回路4は、PLLと分周器を用いて構成され、分周における複数の分周比により、様々な周波数のクロックを発生することが可能である。
PLL回路4は、システムクロックSYSCLKを発生してターゲット回路3と電源電圧制御回路2に供給する。
PLL回路4は、システムクロックSYSCLKを発生してターゲット回路3と電源電圧制御回路2に供給する。
パルス供給回路21は、ターゲット回路3に供給する必要最低限の電源電圧を決定するために、モニタ回路22にクロックCLKを供給する。なお、このクロックCLKは例えば1ショットパルスや周期的なクロックでも良い。
モニタ回路22、遅延検知回路23および制御回路24は、電源電圧制御回路2において、周波数−電圧変換部を構成し、パルス供給回路21により供給されたクロックCLKの周波数に対して、電圧発生回路25から供給される電圧V2が高いか低いかを判断し、電源電圧が高い場合には、電源電圧を下げるように電圧指示信号S24により指示し、供給されたクロックCLKの周波数に対して、電源電圧が低い場合には、電圧発生回路25に電源電圧を上げるように電圧指示信号S24により指示する。
このような周波数−電圧変換部の構成方法としては、例えばターゲット回路に含まれるクリティカルパスを抜き出し、多段の遅延素子列を構成する方法などにより、その遅延情報を取得する方法がとられている。
このような周波数−電圧変換部の構成方法としては、例えばターゲット回路に含まれるクリティカルパスを抜き出し、多段の遅延素子列を構成する方法などにより、その遅延情報を取得する方法がとられている。
このような周波数−電圧変換部において、まず、モニタ回路22は、ターゲット回路3のクリティカルパスと同じ伝送特性の伝送路を持つように構成される。
そして、遅延検知回路23には、パルス供給回路21によるクロックCLKが供給され、遅延検知回路23において、モニタ回路22を伝搬してくる信号の遅延時間を検出する。
遅延検知回路23は、モニタ回路22を伝搬してくる信号とクロックCLKの位相差、すなわちクロック1サイクルに対するモニタ回路22の遅延時間を検出することが可能である。
そして、遅延検知回路23には、パルス供給回路21によるクロックCLKが供給され、遅延検知回路23において、モニタ回路22を伝搬してくる信号の遅延時間を検出する。
遅延検知回路23は、モニタ回路22を伝搬してくる信号とクロックCLKの位相差、すなわちクロック1サイクルに対するモニタ回路22の遅延時間を検出することが可能である。
図2は、モニタ回路22の具体的な構成例を示す回路図である。
図2に示すモニタ回路22は、構成を調整可能(切替え可能)なゲート素子列221とセレクタ222により構成されている。
ゲート素子列221は、パルス供給回路21から供給されるクロックCLKの入力に対して直列に接続された複数のゲート素子221−1,221−2,…,221−nを有する。
セレクタ222には、各ゲート素子221−1,221−2,…,221−nの各出力端子が接続されており、モニタ回路22に対する制御信号SADJに基づいて、ゲート素子221−1,221−2,…,221−nの出力のいずれか、または、クロックCLKを選択して出力する。
図2に示すモニタ回路22は、構成を調整可能(切替え可能)なゲート素子列221とセレクタ222により構成されている。
ゲート素子列221は、パルス供給回路21から供給されるクロックCLKの入力に対して直列に接続された複数のゲート素子221−1,221−2,…,221−nを有する。
セレクタ222には、各ゲート素子221−1,221−2,…,221−nの各出力端子が接続されており、モニタ回路22に対する制御信号SADJに基づいて、ゲート素子221−1,221−2,…,221−nの出力のいずれか、または、クロックCLKを選択して出力する。
このように、モニタ回路22は、制御信号SADJに従って素子列の段数を切り換えることができ、モニタ回路22の特性をターゲット回路3のクリティカルパスの特性と同じ特性に調整することが可能である。
ここで、モニタ回路22を構成する遅延素子としてゲート素子を例にあげたが、これに限定するものではなく、ゲート素子列と配線素子列を組み合わせた構成、その他LSI内部の信号遅延の要因となる遅延素子を加えてもよい。
遅延検知回路23は、クロックCLKに基づき、モニタ回路22を伝搬してきた信号S22の遅延時間を検出し、検出信号(指示信号)S23を制御回路24に出力する。
遅延検知回路23は、例えばクロックCLKとモニタ回路22の遅延信号S22との位相を比較し、遅延信号S22がクロックCLKより1サイクル以上遅れている場合には、電圧V2を高くするように指示する検出信号S23を生成し、遅れが1サイクル以内である場合には、電圧V2を低くするように指示する検出信号S23を生成する。
遅延検知回路23は、例えばクロックCLKとモニタ回路22の遅延信号S22との位相を比較し、遅延信号S22がクロックCLKより1サイクル以上遅れている場合には、電圧V2を高くするように指示する検出信号S23を生成し、遅れが1サイクル以内である場合には、電圧V2を低くするように指示する検出信号S23を生成する。
制御回路24は、遅延検知回路23にて検出された遅延情報をもとに、電圧発生回路25に電圧値を指示する。
モニタ回路22を伝搬してくる信号の遅延時間がクロック1サイクルより十分短い場合は、さらに電圧V2を下げることが可能であり、制御回路24は、現状の電圧V2より低い電源電圧値を電圧発生回路25に指示する。
モニタ回路22を伝搬してくる信号の遅延時間がクロック1サイクルより長い場合は、さらに電圧V2を上げる必要があり、制御回路24は、現状の電圧V2より高い電源電圧値を電圧発生回路25に指示する。
モニタ回路22を伝搬してくる信号の遅延時間がクロック1サイクルより十分短い場合は、さらに電圧V2を下げることが可能であり、制御回路24は、現状の電圧V2より低い電源電圧値を電圧発生回路25に指示する。
モニタ回路22を伝搬してくる信号の遅延時間がクロック1サイクルより長い場合は、さらに電圧V2を上げる必要があり、制御回路24は、現状の電圧V2より高い電源電圧値を電圧発生回路25に指示する。
電圧発生回路25から供給される電圧V2によりモニタ回路22の遅延特性が変化し、モニタ回路22を伝搬してくる信号の遅延時間がクロック1サイクル分になるように、電圧V2が収束する。
従って、モニタ回路22に供給するクロックCLK、つまりパルス供給回路21から供給されるクロックCLKの周波数を変更することにより、モニタ回路22を伝搬してくる信号の遅延時間が、そのクロック1サイクル分となる電圧V2が電圧発生回路25から供給されるようになる。
従って、モニタ回路22に供給するクロックCLK、つまりパルス供給回路21から供給されるクロックCLKの周波数を変更することにより、モニタ回路22を伝搬してくる信号の遅延時間が、そのクロック1サイクル分となる電圧V2が電圧発生回路25から供給されるようになる。
電圧発生回路25は、制御回路24からの指示に従い、電圧V2をモニタ回路22に供給するとともに、電圧V2よりマージン電圧ΔV分高い電圧VDD1をターゲット回路3に供給する。
従って、電源電圧VDD1は、モニタ回路22、遅延検知回路23および制御回路24で構成される周波数−電圧変換部により直接制御される電圧V2よりも、マージン電圧ΔVだけ高くなるように制御されてターゲット回路3に供給される。
従って、電源電圧VDD1は、モニタ回路22、遅延検知回路23および制御回路24で構成される周波数−電圧変換部により直接制御される電圧V2よりも、マージン電圧ΔVだけ高くなるように制御されてターゲット回路3に供給される。
次に、本第1の実施の形態における半導体装置1の動作を説明する。
図3は、ターゲット回路の遅延特性とモニタ回路の遅延特性を示す図である。
図3において、ターゲット回路の遅延特性とは、ターゲット回路3に対する供給電圧VDD1とシステムクロックSYSCLKの周波数との関係である。
また、図3において、モニタ回路の遅延特性とは、モニタ回路22により再現されるターゲット回路3の遅延特性であり、モニタ回路22と遅延検知回路23と制御回路24とで構成される周波数−電圧変換部により制御される電圧V2とクロックCLKの周波数との関係である。
図3は、ターゲット回路の遅延特性とモニタ回路の遅延特性を示す図である。
図3において、ターゲット回路の遅延特性とは、ターゲット回路3に対する供給電圧VDD1とシステムクロックSYSCLKの周波数との関係である。
また、図3において、モニタ回路の遅延特性とは、モニタ回路22により再現されるターゲット回路3の遅延特性であり、モニタ回路22と遅延検知回路23と制御回路24とで構成される周波数−電圧変換部により制御される電圧V2とクロックCLKの周波数との関係である。
以下の説明において、クロック周波数がF1のときにターゲット回路3の動作を保証できる最低限の電源電圧をVL1、クロック周波数がF2のときにターゲット回路3の動作を保証できる最低限の電源電圧をVH1とする。このとき、F2>F1ならば、VH1>VL1となる。
まず、ターゲット回路3に供給するシステムクロックSYSCLKの周波数をF1からF2に上げる場合について説明する。
PLL回路4では、パルス供給回路21へ供給するクロックの周波数がF1からF2へ引き上げられる。
これにより、パルス供給回路21では、モニタ回路22へのクロックCLKの周波数がF1からF2に上げられる。
これにより、パルス供給回路21では、モニタ回路22へのクロックCLKの周波数がF1からF2に上げられる。
ここで、電圧発生回路25は、モニタ回路22に供給する電圧V2を、ターゲット回路3に対する電源電圧VDD1よりマージン電圧ΔVだけ低くなるように設定しているため、モニタ回路22には、電圧V2=VDD1−ΔVの電圧が供給されている。
モニタ回路22では、パルス供給回路21から供給されるクロックCLKの周波数がF1からF2に上げられて、モニタ回路22を構成する遅延素子列を伝搬し、その遅延信号S22が遅延検知回路23に供給される。
このとき、電圧V2はまた変化されていないため、その遅延時間は変わらないが、クロック1サイクルが短くなっている。
このとき、電圧V2はまた変化されていないため、その遅延時間は変わらないが、クロック1サイクルが短くなっている。
遅延検知回路23は、モニタ回路22の遅延信号S22と、パルス供給回路21から供給されているクロックCLK、すなわち基準信号を比較して、信号の遅延時間を検出する。
すなわち、遅延検知回路23は、モニタ回路22を伝搬してくる信号をクロックCLKの次のサイクルにてラッチすることにより、モニタ回路22を伝搬してくる信号とクロックCLKの位相差、すなわちクロック1サイクルに対するモニタ回路22の遅延時間を検出する。
その結果、電圧V2を高くするように指示する検出信号(指示信号)S23を生成し、その検出信号S23を制御回路24に出力する。
すなわち、遅延検知回路23は、モニタ回路22を伝搬してくる信号をクロックCLKの次のサイクルにてラッチすることにより、モニタ回路22を伝搬してくる信号とクロックCLKの位相差、すなわちクロック1サイクルに対するモニタ回路22の遅延時間を検出する。
その結果、電圧V2を高くするように指示する検出信号(指示信号)S23を生成し、その検出信号S23を制御回路24に出力する。
制御回路24は、検出信号S23を受けて、現状の電圧V2より高い電圧値を電圧発生回路25に指示する。
電圧発生回路25は、制御回路24からの指示に従い、より高い電圧V2をモニタ回路22にフィードバックして供給するとともに、ターゲット回路3に対しては、VDD1=V2+ΔVの関係を維持したまま、クロックCLKの周波数をF1からF2に上げる時点の電源電圧VDD1よりも高い電源電圧VDD1を供給する。
次に、ターゲット回路3に供給するシステムクロックSYSCLKの周波数をF2からF1に下げる場合について説明する。
PLL回路4では、パルス供給回路21へ供給するクロックの周波数がF2からF1へ引き下げられる。
これにより、パルス供給回路21では、モニタ回路22へのクロックCLKの周波数がF2からF1に下げられる。
これにより、パルス供給回路21では、モニタ回路22へのクロックCLKの周波数がF2からF1に下げられる。
ここで、電圧発生回路25は、モニタ回路22に供給する電圧V2を、ターゲット回路3に対する電源電圧VDD1よりマージン電圧ΔVだけ低くなるように設定しているため、モニタ回路22には、電圧V2=VDD1−ΔVの電圧が供給されている。
モニタ回路22では、パルス供給回路21から供給されるクロックCLKの周波数がF2からF1に下げられて、モニタ回路22を構成する遅延素子列を伝搬し、その遅延信号S22が遅延検知回路23に供給される。
このとき、電圧V2はまた変化されていないため、その遅延時間は変わらないが、クロック1サイクルが長くなっている。
このとき、電圧V2はまた変化されていないため、その遅延時間は変わらないが、クロック1サイクルが長くなっている。
遅延検知回路23は、モニタ回路22の遅延信号S22と、パルス供給回路21から供給されているクロックCLK、すなわち基準信号とを比較して、信号の遅延時間を検出する。
すなわち、遅延検知回路23は、モニタ回路22を伝搬してくる信号をクロックCLKの次のサイクルにてラッチすることにより、モニタ回路22を伝搬してくる信号とクロックCLKの位相差、すなわちクロック1サイクルに対するモニタ回路22の遅延時間を検出する。
その結果、電圧V2を低くするように指示する検出信号(指示信号)S23を生成し、その検出信号S23を制御回路24に出力する。
すなわち、遅延検知回路23は、モニタ回路22を伝搬してくる信号をクロックCLKの次のサイクルにてラッチすることにより、モニタ回路22を伝搬してくる信号とクロックCLKの位相差、すなわちクロック1サイクルに対するモニタ回路22の遅延時間を検出する。
その結果、電圧V2を低くするように指示する検出信号(指示信号)S23を生成し、その検出信号S23を制御回路24に出力する。
制御回路24は、検出信号S23を受けて、現状の電圧V2より低い電圧値を電圧発生回路25に指示する。
電圧発生回路25は、制御回路24からの指示に従い、より低い電圧V2をモニタ回路22にフィードバックして供給するとともに、ターゲット回路3に対しては、VDD1=V2+ΔVの関係を維持したまま、クロックCLKの周波数をF2からF1に下げる以前の電源電圧VDD1よりも低い電源電圧VDD1を供給する。
以上説明したように、本第1の実施の形態によれば、システムクロックSYSCLKがターゲット回路3に供給され、システムクロックSYSCLKと同一周波数のクロックCLKをモニタ回路22に供給するパルス供給回路21と、ターゲット回路3のクリティカルパスの遅延特性を持ち、パルス供給回路21により供給されたクロックCLKの遅延信号を生成するモニタ回路22と、モニタ回路22から伝搬してくる信号S22とパルス供給回路21から供給されるクロックCLKとの遅延時間を検出する遅延検知回路23と、遅延検知回路23から供給される遅延時間検出信号S23に基づいて電圧値を指示する制御回路24と、制御回路24からの指示に従い、電圧V2を上げ下げしてモニタ回路22に供給し、電圧V2に所定のマージン電圧ΔVだけ高い電源電圧をターゲット回路3に供給する電圧発生回路25とを設けたので、ターゲット回路3の遅延特性とモニタ回路22の遅延特性との差が常に所定のマージン電圧ΔVとなるように、ターゲット回路3に対する電源電圧VDD1が制御される。
本第1の実施の形態によれば、モニタ回路22と遅延検知回路23と制御回路24とで構成する周波数−電圧変換部で制御される電圧V2に対して、ターゲット回路3に供給する電源電圧VDD1を独立に制御できるため、ターゲット回路3に対するマージン電圧ΔVを制御できる。
従って、図3において、異なる周波数に対してマージン電圧を、ΔVL2=ΔVH2となるように制御することが可能である。
従って、図3において、異なる周波数に対してマージン電圧を、ΔVL2=ΔVH2となるように制御することが可能である。
本発明に係る半導体装置1は、本第1の実施の形態で説明した内容に拘泥されず、様々な変更が可能である。
例えば、制御するマージン電圧ΔVは、上述のように一定である必要はなく、所望のマージン電圧ΔVを周波数ごとに設定したり、使用条件に応じて設定してもよい。
これにより、半導体装置1の使用条件、使用環境に応じて、柔軟にマージン電圧ΔVを設定することが可能となる。
例えば、制御するマージン電圧ΔVは、上述のように一定である必要はなく、所望のマージン電圧ΔVを周波数ごとに設定したり、使用条件に応じて設定してもよい。
これにより、半導体装置1の使用条件、使用環境に応じて、柔軟にマージン電圧ΔVを設定することが可能となる。
また、上述の所望のマージン電圧ΔVを、図示しない半導体装置1内のレジスタに設定して、電圧発生回路25が逐次そのレジスタ内に設定されたマージン電圧ΔVのデータを取り込んで、電圧V2に対する電源電圧VDD1の制御を行うこともできる。
半導体装置1に設定した端子を通して、外部からマージン電圧ΔVを設定するように構成することもできる。
半導体装置1に設定した端子を通して、外部からマージン電圧ΔVを設定するように構成することもできる。
第2の実施の形態
以下、第2の実施の形態について説明する。
図4は、本発明に係る第2の実施形態における半導体装置1aのブロック図である。
図4に示すとおり、半導体装置1aは、第1の実施の形態における半導体装置1に対して、電源電圧検知回路26が追加されている点で異なる。
なお、電圧発生回路25aは、第1の実施の形態における電圧発生回路25と同一である。
以下、第2の実施の形態について説明する。
図4は、本発明に係る第2の実施形態における半導体装置1aのブロック図である。
図4に示すとおり、半導体装置1aは、第1の実施の形態における半導体装置1に対して、電源電圧検知回路26が追加されている点で異なる。
なお、電圧発生回路25aは、第1の実施の形態における電圧発生回路25と同一である。
以下、上述の第1の実施の形態における半導体装置1との違いを踏まえ、半導体装置1aの構成について説明する。
電源電圧検知回路26は、制御回路24より電圧V2に対する制御信号S24を入力する。
さらに、電源電圧検知回路26は、電圧発生回路25aより電圧V2とターゲット回路3に対する電源電圧VDD1が入力され、その差分値を求め、その差分値に応じて制御回路24からの制御信号S24を調整し、調整された電圧制御信号S26を電圧発生回路25aに対して供給する。
電源電圧検知回路26は、制御回路24より電圧V2に対する制御信号S24を入力する。
さらに、電源電圧検知回路26は、電圧発生回路25aより電圧V2とターゲット回路3に対する電源電圧VDD1が入力され、その差分値を求め、その差分値に応じて制御回路24からの制御信号S24を調整し、調整された電圧制御信号S26を電圧発生回路25aに対して供給する。
次に、半導体装置1aの動作について説明する。
制御回路24は、遅延検知回路23で検出されたモニタ回路22を伝搬してくる信号の遅延時間に応じて、指示電圧値を制御信号S24により電源電圧検知回路26に出力する。
制御回路24は、遅延検知回路23で検出されたモニタ回路22を伝搬してくる信号の遅延時間に応じて、指示電圧値を制御信号S24により電源電圧検知回路26に出力する。
電源電圧検知回路26は、電圧発生回路25aから、電源電圧VDD1と電圧V2が供給されているので、その差分を求めることができ、その差分と所望のマージン電圧ΔVとを比較することにより、制御回路24の制御信号S24を調整して精度を高めることができ、調整された電圧制御信号S26を電圧発生回路25へ供給する。
電圧発生回路25aは、調整された電圧制御信号S26に基づいて電圧V2を制御し、ターゲット回路3に対して電源電圧VDD1を供給する。
これにより、ターゲット回路3とモニタ回路22に正確な電源電圧が供給され、正確にマージン電圧ΔVを制御することが可能となる。
なお、第1の実施の形態同様に、マージン電圧ΔVが設定できることが言うまでもない。
なお、第1の実施の形態同様に、マージン電圧ΔVが設定できることが言うまでもない。
第3の実施の形態
以下、第3の実施の形態について説明する。
図5は、本発明に係る第3の実施の形態における半導体装置1bのブロック図である。 図5から明らかなように、本実施の形態における半導体装置1bは、第2の実施の形態における半導体装置1aと同一の構成を備えているが、電圧発生回路25bは、他の構成要素と同一のLSIチップ上に実装されていない。
以下、第3の実施の形態について説明する。
図5は、本発明に係る第3の実施の形態における半導体装置1bのブロック図である。 図5から明らかなように、本実施の形態における半導体装置1bは、第2の実施の形態における半導体装置1aと同一の構成を備えているが、電圧発生回路25bは、他の構成要素と同一のLSIチップ上に実装されていない。
このように、電圧発生回路は、他の構成要素と同一のLSIチップ上に集積されていない場合でも、第2の実施の形態について説明した動作と同一の動作により、同様の効果を奏することが可能である。
第4の実施の形態
以下、第4の実施の形態について説明する。
図6は、本発明に係る第4の実施の形態における半導体装置1cのブロック図である。 図6に示す半導体装置1cは、第2の実施の形態における半導体装置1aと比較して、2つの電圧発生回路である第1の電圧発生回路27と第2の電圧発生回路28とを備えて構成されている。
以下、第4の実施の形態について説明する。
図6は、本発明に係る第4の実施の形態における半導体装置1cのブロック図である。 図6に示す半導体装置1cは、第2の実施の形態における半導体装置1aと比較して、2つの電圧発生回路である第1の電圧発生回路27と第2の電圧発生回路28とを備えて構成されている。
第1の電圧発生回路27は、例えば他の構成要素と同一のLSIチップに集積されず外部に設定され、ターゲット回路3に対する電源電圧VDD1よりも高い電圧V0を第2の電圧発生回路28へ供給する。
もちろん、第1の電圧発生回路27は、同一のLSIチップに集積されていても機能する。
もちろん、第1の電圧発生回路27は、同一のLSIチップに集積されていても機能する。
半導体装置1cの第2の電圧発生回路28は、レギュレータ機能を備え第1の電圧発生回路27から供給される電圧V0をステップダウンして使用する。
なお、電源電圧制御回路2における第2の電圧発生回路28の機能は、第2の実施の形態における電圧発生回路25aと同一である。
すなわち、第2の電圧発生回路28は、電圧V2をモニタ回路22および電源電圧検知回路26へ供給し、電源電圧VDD1をターゲット回路3へ供給する。
したがって、第2の実施の形態における半導体装置1aと同様の効果を奏することができる。
なお、電源電圧制御回路2における第2の電圧発生回路28の機能は、第2の実施の形態における電圧発生回路25aと同一である。
すなわち、第2の電圧発生回路28は、電圧V2をモニタ回路22および電源電圧検知回路26へ供給し、電源電圧VDD1をターゲット回路3へ供給する。
したがって、第2の実施の形態における半導体装置1aと同様の効果を奏することができる。
1,1a,1b,1c…半導体装置、2,2a,2b,2c…電源電圧制御回路、21…パルス供給回路、22…モニタ回路、221…ゲート素子列、221−1〜221−n…ゲート素子、222…セレクタ、23…遅延検知回路、24…制御回路、25,25a,25b,25c…電圧発生回路、26…電源電圧検知回路、27…第1の電圧発生回路、28…第2の電圧発生回路、3…ターゲット回路、4…PLL回路。
Claims (8)
- ターゲット回路のクリティカルパス遅延特性を把握するためのモニタ回路を有する電源電圧制御回路であって、
前記ターゲット回路に供給する第1の電圧と、前記モニタ回路に供給する第2の電圧とを生成する電圧生成手段と
前記モニタ回路の前記クリティカルパス遅延特性に基づいて、前記電圧生成手段を制御する電圧制御手段と
を有し、
前記電圧制御手段は、前記第1の電圧が前記第2の電圧より所定電圧分高くなるように前記電圧生成手段を制御する
電源電圧制御回路。 - 前記第1の電圧と前記第2の電圧の差分に基づいて、前記電圧生成手段を制御する第2の電圧制御手段をさらに有する
請求項1記載の電源電圧制御回路。 - 前記所定電圧を可変とする
請求項1記載の電源電圧制御回路。 - 前記所定電圧を可変とする
請求項2記載の電源電圧制御回路。 - 前記所定電圧が設定され、外部からアクセス可能なレジスタをさらに有する
請求項3記載の電源電圧制御回路。 - 前記所定電圧が設定され、外部からアクセス可能なレジスタをさらに有する
請求項4記載の電源電圧制御回路。 - クロック周波数に従って動作するターゲット回路と、前記クロック周波数に応じて前記ターゲット回路の電源電圧を制御する電源電圧制御回路とを有する半導体装置であって、 前記クロック周波数における、前記ターゲット回路のクリティカルパス遅延特性を把握するためのモニタ回路と、
前記ターゲット回路に供給する第1の電圧と、前記モニタ回路に供給する第2の電圧とを生成する電圧生成手段と
前記モニタ回路の前記クリティカルパス遅延特性に基づいて、前記電圧生成手段を制御する電圧制御手段と
を有し、
前記電圧制御手段は、前記第1の電圧が前記第2の電圧より所定電圧分高くなるように前記電圧生成手段を制御する
半導体装置。 - 前記第1の電圧と前記第2の電圧の差分に基づいて、前記電圧生成手段を制御する第2の電圧制御手段をさらに有する
請求項7記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003279994A JP2005045172A (ja) | 2003-07-25 | 2003-07-25 | 電源電圧制御回路及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003279994A JP2005045172A (ja) | 2003-07-25 | 2003-07-25 | 電源電圧制御回路及び半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Family
ID=34265951
Family Applications (1)
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JP2003279994A Pending JP2005045172A (ja) | 2003-07-25 | 2003-07-25 | 電源電圧制御回路及び半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2005045172A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009084396A1 (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Nec Corporation | 遅延モニタ回路および遅延モニタ方法 |
US7562237B2 (en) | 2006-12-07 | 2009-07-14 | International Business Machines Corporation | Semiconductor integrated circuit device with internal power control system |
-
2003
- 2003-07-25 JP JP2003279994A patent/JP2005045172A/ja active Pending
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