JP2005044935A - プローブ試験方法、プローブ装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

プローブ試験方法、プローブ装置及び半導体装置の製造方法 Download PDF

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絵理 福田
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Abstract

【課題】バックラッシュを抑制してプローブ針のコンタクト精度を向上させたプローブ試験方法、プローブ装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るプローブ試験方法は、半導体ウエハW上の1個又は複数個のICチップ毎にプローブ針を接触させてプローブ試験を行う方法であって、プローブ試験を行うプロービング方向を一方向に統一する。このようにプロービング方向を一方向に統一するため、プローブ針の針跡24a〜24dが電極パッド22a〜22dの中心から左右に偏ることがなく、安定した針跡が残される。つまり、奇数行、偶数行のチップによって針跡がジグザグ(チドリ)に位置することを防止できる。これにより、プローブ針のコンタクト精度を向上させることができる。
【選択図】 図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プローブ試験方法、プローブ装置及び半導体装置の製造方法に係わり、特に、バックラッシュを抑制してプローブ針のコンタクト精度を向上させたプローブ試験方法、プローブ装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体プロセス工程で半導体ウエハ上に多数のICチップを形成した場合には、その半導体ウエハのまま個々のICチップについて電気的特性の検査を行い、不良品をスクリーニングするようにしている。そして、この検査には通常、プローブ装置が用いられている。このプローブ装置は半導体ウエハ上の個々のICチップが有する電極パッドにプローブカードのプローブ針を接触させ、プローブ針から所定の電圧を印加することにより各ICチップの導通試験などの電気的検査を行って個々のICチップが電気的特性を有するか否かをテスタを介して試験する装置である。
【0003】
図6は、従来のプローブ試験方法を示す模式図である。
被検査体である半導体ウエハ101上の1個又は複数個のICチップ毎に矢印103のようなプロービング方向で電気的検査を順に行う。具体的には、ICチップの電極パッド102a〜102dにプローブカードのプローブ針(図示せず)を接触させて電気的検査を行うものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように従来のプローブ試験方法では、矢印103のような左右に折り返すプロービング方向でプローブ試験を行うため、電極パッド102a〜102dには図6に示すようなプローブ針の針跡104a〜104dが残されていた。これらの針跡を観察すると、プロービング方向が右から左方向の場合の針跡104a,104cでは、電極パッド102a,102cにおいて中心から左側に寄った位置に残されており、プロービング方向が左から右方向の場合の針跡104b,104dでは、電極パッド102b,102dにおいて中心から右側に寄った位置に残されていた。つまり、奇数行、偶数行のチップによって針跡がジグザグ(チドリ)に位置する傾向(この傾向をバックラッシュという)が生じることがあった。このようなバックラッシュが生じると、プローブ針のコンタクト精度が低下する。これにより、プローブ試験の信頼性が低下するおそれがある。
【0005】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、バックラッシュを抑制してプローブ針のコンタクト精度を向上させたプローブ試験方法、プローブ装置及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明に係るプローブ試験方法は、半導体ウエハ上の1個又は複数個のICチップ毎にプローブ針を接触させてプローブ試験を行う方法であって、
プローブ試験を行うプロービング方向を一方向に統一する。
【0007】
上記プローブ試験方法によれば、プロービング方向を一方向に統一しているため、プローブ針の針跡が電極パッドの中心から左右に偏ることがなく、安定した針跡が残される。つまり、奇数行、偶数行のチップによって針跡がジグザグ(チドリ)に位置することを防止できる。これにより、プローブ針のコンタクト精度を向上させることができる。
【0008】
本発明に係るプローブ装置は、ウエハにプローブ針を接触させてプローブ試験を行うプローブカードと、
前記ウエハを保持するステージと、
前記ステージを移動させる駆動機構と、
前記駆動機構を制御する制御部と、を具備するプローブ装置であって、
前記制御部は、前記ウエハにプローブ試験を行う際のプロービング方向を一方向に統一するように前記駆動機構を制御するものである。
【0009】
上記プローブ装置によれば、プロービング方向を一方向に統一するように駆動機構を制御部で制御するため、プローブ針の針跡が電極パッドの中心から左右に偏ることがなく、安定した針跡が残される。つまり、奇数行、偶数行のチップによって針跡がジグザグ(チドリ)に位置することを防止できる。これにより、プローブ針のコンタクト精度を向上させることができる。
【0010】
また、本発明に係るプローブ装置において、前記駆動機構は、前記ステージに繋げられたXステージと、前記Xステージにボールネジを介して接続されたX軸と、前記X軸に接続された駆動モーターと、を有することが好ましい。このようにボールネジを介してXステージを移動させるものでバックラッシュが生じる場合でも、プローブ針のコンタクト精度を向上させることができる。
【0011】
また、本発明に係るプローブ装置においては、前記プローブカードに接続されたパフォーマンスボードと、前記パフォーマンスボードに接続されたテストヘッドと、をさらに具備することが好ましい。
【0012】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、分割前の複数のICチップを半導体ウエハ上に作製する工程と、
前記半導体ウエハ上の1個又は複数個のICチップ毎にプローブ針を接触させてプローブ試験を行う工程と、を具備し、
前記プローブ試験を行うプロービング方向を一方向に統一する。
【0013】
上記半導体装置の製造方法によれば、プロービング方向を一方向に統一しているため、プローブ針の針跡が電極パッドの中心から左右に偏ることがなく、安定した針跡が残される。これにより、プローブ針のコンタクト精度を向上させることができる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
図1は、本発明の実施の形態によるプローブ試験方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法を説明する模式図である。
分割前の複数のICチップを半導体ウエハW上に作製した後、被検査体である半導体ウエハW上の1個又は複数個のICチップ(このICチップはチップ毎に分割する前のもの)毎に矢印23のようなプロービング方向で電気的検査を順に行う。このプロービング方向は従来のそれとは異なり、プロービング方向を一方向、即ち右から左方向に統一している。つまり、ICチップの電極パッド22a〜22dにプローブカードのプローブ針(図示せず)を接触させて電気的検査を行うプローブ試験を右から左方向に進めていき、一つの行が終了したら、次の行においても右から左方向にプローブ試験を行う。
【0015】
上記プローブ試験方法によれば、プロービング方向を一方向に統一しているため、図1に示すようにプローブ針の針跡24a〜24dが電極パッドの中心から左右に偏ることがなく、安定した針跡が残される。つまり、奇数行、偶数行のチップによって針跡がジグザグ(チドリ)に位置することを防止できる。これにより、プローブ針のコンタクト精度を向上させることができる。その結果、プローブ試験の信頼性を向上できる。また、コンタクト精度を向上させることにより、ICチップの多ピン化や電極パッドの微細化にも対応することができる。
【0016】
尚、上記プローブ試験方法では、プロービング方向を右から左方向に統一しているが、プロービング方向を左から右方向に統一することも可能である。
【0017】
図2は、図1に示すプローブ試験方法を実施するプローブ装置の一例を概略的に示す構成図である。図3は、図2に示すプローブ装置内のステージ及びそれを駆動する駆動機構等の構造を示す構成図である。図4は、図3に示す駆動モーター及びX軸を示す構成図である。図5は、図3に示すX軸とXステージを繋ぐボールネジを示す構成図である。
【0018】
図2に示すプローブ装置は、図示せぬ昇降機構によって昇降可能に構成されたテストヘッド1と、このテストヘッド1の下方で図示せぬ装置本体内に順次配設されたパフォーマンスボード2と、このパフォーマンスボード2と接続するようにインサートリング3により支持された接続リング4と、この接続リング4の下方に配設されたプローブカード5を備えている。
【0019】
上記テストヘッド1の内部には被検査体としての半導体ウエハW上のICチップに電圧を印加する試料用電源やICチップからの出力を測定部に取り込むための入力部などからなるピンエレクトロニクス6が内蔵されている。このピンエレクトロニクス6はパフォーマンスボード2上に搭載された複数の電子部品回路7に対して電気的に接続されている。これらの電子部品回路7は、例えばマトリックス・リレー、ドライバ回路等からなる各種測定回路として構成され、各電子部品回路7の接続リング4との接続端子8はパフォーマンスボード2の本体である例えばエポキシ系樹脂製の基板9の下面に例えば基板9と同心円をなす4つの円周上に配列されている。
【0020】
また、上記接続リング4の上面には接続端子8に対応するポゴピン10が同心円をなすように形成された4つの円周上に配列され、その下面には各ポゴピン10に導通するポゴピン11が接続部材12に対応して設けられている。この接続部材12はプローブカード5の下面のテスタ接続端子に下方から接続されるように構成されている。これによりテストヘッド1は、パフォーマンスボード2、接続リング4及び接続部材12を介してプローブカード5と電気的に接続できるように構成されている。
【0021】
また、接続リング4の下面にはゴムなどのクッション材からなるスペーサ13が配置されており、このスペーサ13はプローブカード5の上面に対応する位置に形成されている。これにより、プローブカード5の上面の広い面積をスペーサ13で下方へ加圧できるようになっている。その加圧の際、ポゴピン11によって接続部材12に電気的に接続できるようになっており、この接続部材12はプローブカード5のテスタ接続端子に電気的に接続されている。
【0022】
プローブカード5は、半導体ウエハWにおける複数のICチップを1個ずつあるいは複数個ずつ同時に測定することが可能なものである。プローブカード5は、表面及び内部にプリント配線が設けられたプローブカード基板(プリント基板)を有している。このプローブカード基板の下面の外周には接続端子エリアが設けられており、この接続端子エリアにはテスタ接続端子が配置されている。プローブカード基板は、針立て面とテスタ接続端子面を同じ面(図2では下面)に配置する構造としている。従って、電気的接続のための接続部材12も下面からコンタクトを取るような構造となっている。
【0023】
プローブカード基板の下面側には中央部にプローブ針固定用のモールド樹脂からなる固定リングが配置されている。さらに、プローブカード基板の下面側には、複数のプローブ針14が固定リングの周囲に沿って固定されており、その固定された基端が前記プリント配線に接続されている。プリント配線はジャンパー配線(図示せず)を介してテスタ接続端子に接続されているか、または、プリント基板内のマルチワイヤー配線(登録商標)でテスタ接続端子に接続されている。
【0024】
また、プローブ針14のアーム部がプローブカード基板の中央部の下方に向かって伸張されている。各プローブ針14のアーム部はその先端がプローブカード基板とほぼ垂直になるように略L字型に折り曲げられている。このアーム部の先端は、ウエハWのICチップの電極パッドに接触する触針部を有している。各プローブ針14のアーム部の一部である中間節部は、前記固定リングの樹脂で固定保持され、各プローブ針14がしっかりと位置決め保持されている。
【0025】
プローブカード5に対して半導体ウエハWをアライメントするアライメント機構について説明する。プローブカード5の下方には略円形状のステージ27が設けられ、このステージ27の上面に配設されたウエハチャック28により半導体ウエハWを水平に保持するようになっている。このウエハチャック28の内部には加熱装置29及び冷却媒体の循環路30が温度調整機構として設けられ、検査時に必要に応じて加熱装置29により半導体ウエハWを例えば150℃まで加熱でき、また循環路30を流れる冷却媒体により半導体ウエハWを例えば−10℃まで冷却できるようになっている。
【0026】
また、上記ステージ27はウエハチャック28を水平方向、上下方向及びθ方向で駆動させる駆動機構(図示せず)を有し、半導体ウエハWのアライメント時に駆動機構(例えば駆動モーター)の駆動によりステージ27がボールネジ31,32上でX、Y方向へ移動すると共にウエハチャック28がθ方向で回転し、更に、上下方向へ昇降するようになっている。更に、ウエハチャック28にはターゲット板33が取り付けられており、その上方に配設された光学的撮像装置34,35及び静電容量センサ36によりターゲット板33及び所定のICチップを検出し、この検出信号に基づいてプローブカード5と半導体ウエハW上のICチップの位置を演算するようになっている。そして、この演算結果に基づいてステージ27の駆動機構が駆動制御されて半導体ウエハW上の検査すべきICチップをプローブカード5にアライメントするようにしてある。
【0027】
次に、上記プローブ装置内のステージ27及びそれを駆動する駆動機構等の構造についてさらに詳しく説明する。
図3に示すように、ウエハWはステージ27上に保持されている。ステージ27の上方にはプローブ針14を備えたプローブカード5が配置されている。ステージ27は駆動機構によってX軸方向、Y軸方向、Z軸方向に移動可能とされている。
【0028】
ステージ27はZ軸41に取り付けられており、このZ軸41は図示せぬ駆動モーターに接続されている。この駆動モーターによりZ軸方向にステージ27を移動させることができるようになっている。また、Z軸41にはXステージ42が取り付けられている。このXステージ42は、図5に示すようにボールネジ31によってX軸43に接続されている。X軸43は、図4に示すように駆動モーター44に接続されており、この駆動モーター44はX軸43を矢印45のように回転させるものである。つまり、駆動モーター44によってX軸43を回転させることにより、Xステージ42を矢印46のようにX方向に移動させることができ、それによりウエハWと共にステージ27をX方向に移動させることができるようになっている。
【0029】
また、ステージ27はY軸47とも繋げられており、このY軸47は図示せぬ駆動モーターに接続されている。この駆動モーターによりステージ27は矢印48のようにY軸方向に移動させることができるようになっている。また、ウエハWを図1に示すようなプロービング方向にプローブ試験を行えるように、ステージ27の動きを制御する制御部(図示せず)がプローブ装置に取り付けられている。また、プローブ装置には、複数の処理前のウエハを収納しておくカセット49が取り付けられている。
【0030】
次に、動作について説明する。例えば150℃の温度下で半導体ウエハWの電気的検査を行う場合には、加熱装置29を作動させ半導体ウエハWを加熱し、例えば150℃に温度設定し、その温度を維持する。次いで、ターゲット板33、光学的撮像装置34,35及び静電容量センサ36などから得られた検出データに基づいてステージ27が駆動して半導体ウエハWをプローブカード5に対してアライメントする。
【0031】
アライメント終了後、テストヘッド1を下降させると共にプローブカード5及びそれと電気的に接続された接続部材12を上昇させる。これにより、パフォーマンスボード2下面の接続端子8が接続リング4上面のポゴピン10と電気的に接続されると共に、接続部材12が接続リング4下面のポゴピン11と電気的に接続される。その結果、テストヘッド1のピンエレクトロニクス6とパフォーマンスボード2の電子部品回路7が電気的に接続され、更にこれらは接続リング4のポゴピン10,11及び接続部材12を介してプローブカード5のテスタ接続端子に電気的に接続され、ピンエレクトロニクス6とプローブ針14とが導通可能な状態になる。
【0032】
その後、ウエハチャック28を上昇させて半導体ウエハW上のICチップの各電極パッドにプローブ針14の針先を接触させ、更にウエハチャック28を所定量オーバードライブさせてプローブ針14と電極パッドとを導通可能な状態にする。ウエハチャック28を上昇させてオーバードライブさせた際、接続リング4下面のスペーサ13によってプローブカード基板の上面の広い面積が加圧される。
【0033】
この導通可能な状態でテストヘッド1から所定の電気信号を送信し、パフォーマンスボード2、接続リング4、接続部材12、プローブ針14及び電極パッドを介してICチップに電気信号を入力すると、この入力信号に基づいた出力信号がICチップから接続リング4及びパフォーマンスボード2の電子部品回路7を介してピンエレクトロニクス6に取り込まれ、ICチップの電気的検査が行われる。
【0034】
この後、図1に示すようなプロービング方向にウエハWを図3乃至図5に示す駆動機構を用いて移動させる。そして、上記のようなICチップの電気的検査を行う。これを繰り返すことにより、ウエハW上の全てのICチップについてプローブ試験を実施する。
【0035】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態によるプローブ試験方法を示す模式図。
【図2】図1のプローブ試験方法を実施するプローブ装置を示す構成図。
【図3】図2のプローブ装置内のステージ等の構造を示す構成図。
【図4】図3に示す駆動モーター及びX軸を示す構成図。
【図5】図3に示すX軸とXステージを繋ぐボールネジを示す構成図。
【図6】従来のプローブ試験方法を示す模式図。
【符号の説明】
1…テストヘッド、2…パフォーマンスボード、3…インサートリング、4…接続リング、5…プローブカード、6…ピンエレクトロニクス、7…電子部品回路、8…接続端子、9…エポキシ系樹脂製の基板、10,11…ポゴピン、12…接続部材、13…スペーサ、14…プローブ針、22a〜22d…電極パッド、23…矢印、24a〜24d…プローブ針の針跡、27…ステージ、28…ウエハチャック、29…加熱装置、30…冷却媒体の循環路、31,32…ボールネジ、33…ターゲット板、34,35…光学的撮像装置、36…静電容量センサ、41…Z軸、42…Xステージ、43…X軸、44…駆動モーター、45,46…矢印、47…Y軸、48…矢印、49…カセット、101…半導体ウエハ、102a〜102d…電極パッド、103…矢印、104a〜104d…プローブ針の針跡、W…半導体ウエハ

Claims (5)

  1. 半導体ウエハ上の1個又は複数個のICチップ毎にプローブ針を接触させてプローブ試験を行う方法であって、
    プローブ試験を行うプロービング方向を一方向に統一するプローブ試験方法。
  2. ウエハにプローブ針を接触させてプローブ試験を行うプローブカードと、
    前記ウエハを保持するステージと、
    前記ステージを移動させる駆動機構と、
    前記駆動機構を制御する制御部と、を具備するプローブ装置であって、
    前記制御部は、前記ウエハにプローブ試験を行う際のプロービング方向を一方向に統一するように前記駆動機構を制御するものであるプローブ装置。
  3. 前記駆動機構は、前記ステージに繋げられたXステージと、前記Xステージにボールネジを介して接続されたX軸と、前記X軸に接続された駆動モーターと、を有する請求項2に記載のプローブ装置。
  4. 前記プローブカードに接続されたパフォーマンスボードと、前記パフォーマンスボードに接続されたテストヘッドと、をさらに具備する請求項2又は3に記載のプローブ装置。
  5. 分割前の複数のICチップを半導体ウエハ上に作製する工程と、
    前記半導体ウエハ上の1個又は複数個のICチップ毎にプローブ針を接触させてプローブ試験を行う工程と、を具備し、
    前記プローブ試験を行うプロービング方向を一方向に統一する半導体装置の製造方法。
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CN116153384A (zh) * 2023-04-20 2023-05-23 长鑫存储技术有限公司 芯片测试装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011208968A (ja) * 2010-03-29 2011-10-20 Hioki Ee Corp 検査装置および検査方法
CN116153384A (zh) * 2023-04-20 2023-05-23 长鑫存储技术有限公司 芯片测试装置
CN116153384B (zh) * 2023-04-20 2023-09-12 长鑫存储技术有限公司 芯片测试装置

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