JP2005044899A - Forming method of interlayer connection structure, and multilayer wiring board - Google Patents

Forming method of interlayer connection structure, and multilayer wiring board Download PDF

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JP2005044899A JP2003201184A JP2003201184A JP2005044899A JP 2005044899 A JP2005044899 A JP 2005044899A JP 2003201184 A JP2003201184 A JP 2003201184A JP 2003201184 A JP2003201184 A JP 2003201184A JP 2005044899 A JP2005044899 A JP 2005044899A
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Eiji Yoshimura
栄二 吉村
Takao Ono
隆生 大野
Tatsuya Kiyota
達也 清田
Kentaro Azuma
健太郎 我妻
Kohei Ushikubo
公平 牛久保
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Daiwa Kogyo Co Ltd
Tamura Kaken Corp
Original Assignee
Daiwa Kogyo Co Ltd
Tamura Kaken Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for forming interlayer connection structure wherein resin of an upper surface of an interlayer connection projection can be surely removed and reliability of interlayer connection can be improved, and provide a multilayer wiring board having the interlayer connection structure which is formed by the method. <P>SOLUTION: The method for forming the interlayer connection structure wherein connection is performed between layers through the interlayer connection projection B is provided with a process wherein a resin layer 26 containing photopolymer is formed on a surface of a body L to be laminated on which the interlayer connection projection B is formed, a process wherein the resin layer 26 is exposed and developed and the resin 26a of the upper surface of the interlayer connection projection B is removed, a process wherein lamination coextensive metal foil 3 is integrally laminated to the body L from which the resin 26a is removed, a process wherein the metal foil 3 is removed partially and the interlayer connection projection B is exposed, and a process wherein the exposed interlayer connection projection B is electrically connected to the surrounding metal foil 3. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層配線基板などに配線層間の導電接続構造や層間の放熱構造を形成するための層間接続構造の形成方法、並びに当該方法で形成された層間接続構造を有する多層配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器等の小形化や高機能化に伴い、電子部品を実装するための配線基板に対しても、多層化、薄層化、ファインパターン化等の要求が高まっている。このため、多層配線基板を構成する絶縁層や配線層も、薄層化する傾向にある。また、高周波信号に対応して特性インピーダンスを制御する場合など、絶縁層や配線層の厚み制御を高精度で行う必要がある。
【０００３】
このような多層配線基板を製造する際、絶縁層上に金属層や配線パターンを形成する工程が必要となるが、これらの方法として、樹脂付き銅箔をラミネートする方法や、当該方法で形成した金属層をエッチングしてパターン形成する方法などが一般的であった。
【０００４】
一方、多層配線基板には、配線層間を導電接続するための構造が必要であり、絶縁層の上下に形成された配線層又は金属層が、層間接続突起を介して層間で接続された層間接続構造が幾つか提案されている。中でも、下層の配線層に予め層間接続用の金属柱を形成した後、絶縁層と上層の配線層を形成する方法が、層間接続の信頼性が良好なことなどから注目されている。
【０００５】
例えば、柱状金属体を構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属を、下層の配線層の非パターン部を含めた全面に被覆して保護金属層を形成し、その保護金属層の全面に前記柱状金属体を構成する金属のメッキ層を電解メッキにより形成した後、そのメッキ層の表面部分にマスク層を形成してメッキ層をエッチングして柱状金属体を形成した後、保護金属層のエッチング等を行った後、絶縁性樹脂を全面に塗布して平坦化し、更に上層の配線層を形成することで、配線層間を導電接続する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
しかし、絶縁性樹脂を塗布して絶縁層を形成する方法では、塗布、硬化、表面研磨といった一連の工程が煩雑になると共に、研磨後の絶縁層の厚み精度（平坦化度）を維持するのが困難になり易い。
【０００７】
一方、配線層間接続用の金属体突起（柱状金属体を含む）を形成した配線層上に、熱接着性の樹脂シートや樹脂付き銅箔をラミネートすることで、絶縁層を形成する方法も幾つか知られている。特に、樹脂付き銅箔をラミネートする場合、同時に銅箔が積層されるため、これをエッチングすることで上層の配線層を形成できるという利点がある。
【０００８】
しかし、このようにして形成される導電接続構造では、金属体突起と銅箔は圧接しているだけであり、また、両者の間に樹脂が介在し易く、面同士が均一に接触しにくいなど、配線層間の導電接続の信頼性は十分とは言えなかった。
【０００９】
そこで、下層の配線層に予め層間接続用の金属柱を形成した後、樹脂付き銅箔をラミネートし、金属柱の上方の銅箔をエッチングした後に介在する樹脂を除去し、次いで金属柱の上面を含む領域にメッキを行う層間接続構造の形成方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【００１０】
【特許文献１】
国際公開ＷＯ００／５２９７７号公報（図１〜図４）
【特許文献２】
特開２００３−１０１２３１号公報（第２頁、図１〜図４）
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献２の方法において、エッチングした開口部の樹脂を選択的に除去するには、サンドブラストなどの処理が必要なため、工程に時間がかかり、また、層間接続突起の小径化に対応しにくいと言う問題があった。更に、開口部の樹脂の厚みが各々の開口部ごとに異なる場合（不均一な場合）、これを確実に除去するのが、困難となる場合があった。
【００１２】
そこで、本発明の目的は、層間接続突起の上面の樹脂を確実に除去することができ、層間接続の信頼性を高めることができる層間接続構造の形成方法、並びに当該方法で形成された層間接続構造を有する多層配線基板を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、下記の如き本発明により達成できる。
即ち、本発明の層間接続構造の形成方法は、絶縁層の上下に形成された配線層又は金属層が、層間接続突起を介して層間で接続された層間接続構造の形成方法であって、（１ａ）前記層間接続突起が形成された被積層体の表面に感光性樹脂を含有する樹脂層を形成する工程、（１ｂ）その樹脂層を露光・現像して前記層間接続突起の上面の樹脂を除去する工程、（１ｃ）樹脂を除去した被積層体に金属箔を積層一体化する工程、（１ｄ）前記金属箔を部分的に除去して前記層間接続突起を露出させる工程、及び（１ｅ）露出した層間接続突起と周囲の金属箔とを電気的に接続する工程を含むことを特徴とする。
【００１４】
本発明によると、絶縁層となる樹脂層が感光性樹脂を含有するため、これを露光・現像することで、層間接続突起の上面の樹脂をより確実に除去することができる。また、当該樹脂を除去した後、金属箔の積層一体化、金属箔の部分的除去、露出した層間接続突起への電気的接続を行うため、層間接続の信頼性を高めることができる。
【００１５】
上記において、前記（１ｃ）工程は、プレス面と前記金属箔との間に凹状変形を許容するシート材を介在させて、加熱プレスにより前記層間接続突起に対応する位置の金属箔に凸部を形成するものであり、前記（１ｄ）工程は、この金属箔の凸部を物理的に除去して層間接続突起を露出させるものであることが好ましい。これによると、層間接続突起に対応する位置の金属箔に凸部を形成することで、凸部を物理的に除去して層間接続突起をより容易に露出させることができる。
【００１６】
あるいは、前記（１ａ）工程で、少なくとも層間接続突起の上面が前記金属箔と異なる金属で被覆された被積層体を使用すると共に、前記（１ｄ）工程は、前記金属箔を部分的にエッチングして被覆された層間接続突起の上面を露出させる工程を含むものであることが好ましい。これによると、層間接続突起の上面が異なる金属で被覆されているため、金属箔を選択的にエッチングすることができ、層間接続突起と金属箔とが同じ金属であっても、層間接続突起が浸食されない。また、エッチングにより確実に層間接続突起の上面を露出させることができる。
【００１７】
その際、前記（１ｄ）工程は、更に、層間接続突起に被覆された金属を選択的にエッチングしてその金属が除去された層間接続突起を露出させる工程を含むことが好ましい。これによって、異なる金属を介在させずに層間接続突起の上面と金属層を接合することができる。
【００１８】
また、前記樹脂層が光重合性機能と熱硬化性機能を有するものであることが好ましい。光重合性機能を有することで、樹脂層を露光・現像して光重合した部分を選択的に残存させることができる。更に、熱硬化性機能を有することで、光重合した部分が加熱プレスにより硬化して、絶縁層として十分な耐久性、耐熱性、強度等を有するものになる。
【００１９】
更に、前記（１ｅ）は、少なくとも露出した層間接続突起と周囲の金属箔とに金属のメッキを行うものであることが好ましい。これにより、層間接続突起の上面にメッキ接合された金属層を形成することができ、層間接続の信頼性をより高めることができる。
【００２０】
別発明の層間接続構造の形成方法は、絶縁層の上下に形成された配線層又は金属層が、層間接続突起を介して層間で接続された層間接続構造の形成方法であって、（２ａ）前記層間接続突起が形成された被積層体の表面に感光性樹脂を含有する樹脂層を形成する工程、（２ｂ）その樹脂層を露光・現像して前記層間接続突起の上面の樹脂を除去する工程、及び（２ｃ）少なくとも露出した層間接続突起を含む領域に金属のメッキを行う工程を含むことを特徴とする。
【００２１】
この発明によると、絶縁層となる樹脂層が感光性樹脂を含有するため、これを露光・現像することで、層間接続突起の上面の樹脂をより確実に除去することができる。また、当該樹脂を除去した後、層間接続突起を含む領域に金属のメッキを行うため、メッキ接合により層間接続の信頼性を高めることができる。
【００２２】
上記において、前記樹脂層が光重合性機能と熱硬化性機能を有するものであり、前記（２ｂ）工程と前記（２ｃ）工程との間に、前記樹脂層を加熱プレスにより熱硬化させつつ平坦化する工程を含むことが好ましい。樹脂層が光重合性機能を有することで、樹脂層を露光・現像して光重合した部分を選択的に残存させることができる。更に、熱硬化性機能を有することで、光重合した部分が加熱プレスにより硬化して、絶縁層として十分な耐久性、耐熱性、強度等を有するものになる。また、加熱プレスにより表面をより平坦化させることができ、後の工程をより好適に行うことができる。
【００２３】
一方、本発明の多層配線基板は、上記いずれかに記載の層間接続構造の形成方法により形成された層間接続構造を何れかの層間に備えることを特徴とする。本発明の多層配線基板によると、層間接続構造が何れかの層間に存在するため、層間接続突起の上面の樹脂を確実に除去することができ、導電接続の信頼性の高い層間接続構造を有する多層配線基板となる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。図１〜図４は、本発明の層間接続構造の形成方法の第１実施形態を示す工程図であり、図５〜図８は、本発明の層間接続構造の形成方法の第２実施形態を示す工程図である。また、図９〜図１０は、別発明の層間接続構造の形成方法を示す工程図である。
【００２５】
（第１実施形態）
本発明の層間接続構造の形成方法は、絶縁層の上下に形成された配線層又は金属層が、層間接続突起を介して層間で接続された層間接続構造を形成する方法である。本実施形態では、図１〜図３に示すように、コア基板の両面に形成された配線層２２と、樹脂層２６を介してその上層に形成された金属層２７とを、層間接続突起Ｂを介して層間で接続する層間接続構造を形成する例を示す。
【００２６】
先ず、図１（１）に示すように、基材２１の両面に配線層２２がパターン形成され、更にその配線層２２に層間接続突起Ｂが形成された被積層体Ｌを準備する。その際、配線層２２のパターン形成の方法はいずれでもよく、例えば、エッチングレジストを使用する方法や、パターンメッキ用レジストを使用する方法等で作製したもの用いることができる。配線層２２を構成する金属としては、通常、銅、ニッケル、錫等が使用されるが、銅が好ましい。基材２１としては、ガラス繊維とポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の各種反応硬化性樹脂とからなる基材を用いることができる。配線層２２の厚みは、例えば５〜５０μｍ程度である。また、配線層２２等に対して、樹脂層２６（絶縁層）との密着性を高めるべく、黒化処理や粗面化処理等を施してもよい。
【００２７】
配線層２２上に層間接続突起Ｂの形成する方法は、配線層２２と層間接続突起Ｂとが導電接続可能な方法であれば何れでもよく、例えば金属層のエッチングにより形成する方法、金属のメッキにより形成する方法、導電性ペーストにより形成する方法などが挙げられる。
【００２８】
金属層のエッチングにより形成する方法はＷＯ００／５２９７７号公報とＷＯ００／３０４２０号公報に、その形成方法の詳細が開示されている。金属のメッキにより形成する方法は特開平６−３１４８７８号公報などにその形成方法の詳細が開示されている。
【００２９】
本実施形態では、ＷＯ００／５２９７７号公報に記載の形成方法により、層間接続突起Ｂが配線層２２の上に形成された例について説明する。当該形成方法によると、層間接続突起Ｂは、下地導電層１０と保護金属層１１とメッキ層２４とで構成される。
【００３０】
具体的には、層間接続突起Ｂの形成方法は、柱状金属体を構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属を、下層の配線層２２の非パターン部を含めた略全面に被覆して保護金属層１１を形成する工程、その保護金属層１１の略全面に、柱状金属体を構成する金属のメッキ層２４を電解メッキにより形成する工程、そのメッキ層２４の前記柱状金属体を形成する表面部分に、マスク層を形成する工程、前記メッキ層２４のエッチングを行う工程、及び少なくとも前記保護金属層１１の浸食が可能なエッチングを行って、少なくとも前記非パターン部を被覆する保護金属層１１を除去する工程を含む。その際、予めパターン形成した下層の配線層２２の非パターン部を含めた全面に無電解メッキを行って下地導電層１０を形成した後、更に略全面に電解メッキを行って保護金属層１１を形成している。
【００３１】
本発明では、層間接続突起Ｂの上面の樹脂２６ａを、露光・現像により確実に除去することができるため、層間接続突起Ｂの上面の面積が不均一な場合（面積１ｍｍ２ 以上を含む場合）に特に有効となる。なぜなら、層間接続突起Ｂが導電接続でなく放熱を目的とする場合、面積１〜１００ｍｍ２ となるが、従来法では、その上面を樹脂を確実に除去するのは困難であったが、本発明ではこれが可能となったからである。
【００３２】
本発明の（１ａ）工程は、図１（２）に示すように、層間接続突起Ｂが形成された被積層体Ｌの表面に感光性樹脂を含有する樹脂層２６を形成するものである。樹脂層２６は、感光機能、好ましくは光重合機能を有しておればよく、より好ましくは、更に熱硬化機能を有するものである。このような樹脂層２６としては、光重合性樹脂と熱硬化性樹脂の混合物や光・熱硬化性樹脂などが好ましい。
【００３３】
感光性樹脂とは光により光分解、光架橋、又は光重合を起こすような、低分子量及び／又は高分子量の成分を含む樹脂組成物を指す（ポジ型でもネガ型でもよい）。光重合性樹脂は、可視光や紫外線などの光を照射することによって、重合するモノマー又は低分子量成分を含む組成物であり、自身が光重合性のモノマー等や、ラジカル重合性のモノマー等にラジカルを発生する光反応開始剤や反応を促進させる増感剤を添加したものが使用される。また、光硬化性樹脂は、可視光や紫外線などの光を照射することによって、架橋・硬化する樹脂であり、一般的には樹脂成分としてラジカル重合性の（メタ）アクリレート系樹脂を用い、これにラジカルを発生して光反応を進行させる光反応開始剤や反応を促進させる増感剤を添加したものが使用される。また、カチオン重合性の光硬化性樹脂も知られている。
【００３４】
熱硬化性樹脂は、加熱により架橋・硬化する樹脂であり、一般的にはエポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂などが知られている。これらは、必要に応じて、触媒、硬化剤、架橋剤などが併用される。
【００３５】
その他、樹脂層２６には、シリカ粒子、シリコーンゴム、硫酸バリウムなどのフィラーや、ガラス繊維、セラミック繊維、アラミド繊維等の補強繊維、酸化防止剤などを含有していてもよい。
【００３６】
本発明では、光重合性樹脂としてアクリル酸やそのオリゴマーを含有すると共に、熱硬化性樹脂として２官能以上のエポキシ化合物又はエポキシポリマーを含有するものが好ましい。また、エポキシアクリレート系の光・熱硬化性樹脂などを使用するのが好ましい。このような樹脂層２６であると、露光・現像により光重合したポリマーが、加熱によって硬化する架橋反応を好適に行うことができる。
【００３７】
本発明では、樹脂層２６と金属層との密着性を高めるために、上記の樹脂としてゴム変性した共重合体を使用したり、脱落・除去し易い粒子成分等を併用してもよい。
【００３８】
樹脂層２６を形成する方法としては、液状の樹脂組成物を塗布・乾燥させる方法や、一旦ドライフィルム化したものをラミネートする方法等が利用できる。樹脂組成物の塗布は、カーテンコータ、ブレードコータ、ロールコータ等の各種コーターを用いて行うことができる。ドライフィルムのラミネートは、加熱圧着ロール等を有するドライフィルムラミネータや、減圧機能を有する真空ラミネータなどが使用することができる。
【００３９】
樹脂層２６の厚みは、例えば層間接続突起Ｂの上面の高さの±３０μｍの範囲に設定することができる。本実施形態のように、加熱プレスにより層間接続突起Ｂに対応する位置の金属箔３に凸部を形成する場合（図３（７）参照）、乾燥後の厚みが、層間接続突起Ｂの上面よりおよそ金属箔３の厚み分だけ低くなるように形成するのが好ましい。
【００４０】
本発明の（１ｂ）工程は、図１（３）〜（４）に示すように、その樹脂層２６を露光・現像して前記層間接続突起Ｂの上面の樹脂２６ａを除去するものである。このとき、層間接続突起Ｂの上面の少なくとも一部が露出すればよいが、上面全体を露出させるのが好ましい。
【００４１】
露光は、図１（３）に示すように、フォトマスク用フィルム１５を介在させつつ、露光機を用いて通常、紫外線等により行われる。フォトマスク用フィルム１５は、樹脂層２６が光重合性（ポジ型）の場合、照射部１５ｂと遮蔽部１５ａを有するが、樹脂層２６がネガ型の場合には、これを反転させる。なお、フォトプロッター等による直接露光を行うことも可能である。
【００４２】
図１（３）では、フォトマスク用フィルム１５と樹脂層２６との間に隙間が存在するが、真空下でラミネートして空気の介在を防止して、光重合等を好適に進行させる場合には、両者の間に図のような隙間は存在しないことになる。また、酸素不存在下で露光を行うことによって、光重合等を好適に進行させることも可能である。
【００４３】
現像には、樹脂組成物の種類に応じた現像液等が使用され、例えば有機溶剤現像タイプに対してはトリクロロエタン等、アルカリ水溶液現像タイプに対しては、炭酸ナトリウム等が使用される。
【００４４】
本発明の（１ａ）〜（１ｂ）の工程は、図２（５）に示すように、被積層体Ｌの上面に行われた後、被積層体Ｌを上下反転して他方の面に行われるのが一般的である。但し、ドライフィルムをラミネートする場合や、両面を同時に塗工できるロールコータ等を使用する場合は、（１ａ）工程を上下両面に同時に行うことも可能である。
【００４５】
本発明の（１ｃ）工程は、図２（６）〜図３（７）に示すように、樹脂を除去した被積層体Ｌに金属箔３を積層一体化するものである。本実施形態では、プレス面１と前記金属箔３との間に凹状変形を許容するシート材２を介在させて、加熱プレスにより前記層間接続突起Ｂに対応する位置の金属箔３に凸部を形成する例を示す。
【００４６】
金属層２７となる金属箔３としては、銅、ニッケル、錫等、いずれの金属を用いてもよいが、導電性、エッチングのし易さ、コストなどの観点から、配線パターンに汎用されている銅が最も好ましい。また、金属箔３の樹脂層２６側表面には、樹脂等との接着性を高める目的で黒化処理などを施していてもよい。金属箔３の厚みは、例えば５〜５０μｍ程度である。
【００４７】
シート材２は、加熱プレス時に凹状変形を許容する材料であればよく、クッション紙、ゴムシート、エラストマーシート、不織布、織布、多孔質シート、発泡体シート、金属箔これらの複合体、などが挙げられる。特に、クッション紙、ゴムシート、エラストマーシート、発泡体シート、これらの複合体などの、弾性変形可能なものが好ましい。また、金属箔３が加熱プレス時に凹状変形するのを防止する観点から、金属箔３に凹状変形を許容する別の金属箔を介在させて使用することができる。かかる金属箔としては、銅箔、アルミ箔などの変形し易い金属が好ましい。更に、離型性を有するクッション紙、又は離型性を有するゴムシートを用いるのが好ましい。
【００４８】
シート材２の厚みは、層間接続突起Ｂが樹脂層２６高さの半分より厚いのが好ましく、層間接続突起Ｂの高さより厚いのが好ましい。シート材２の厚みや硬さを調整することによって、加熱プレスによって形成される積層体の凸部５の高さや形状を制御することができる。一般に、シート材２の厚みを小さく、また硬さを硬くすると、形成される積層体の凸部５の高さや体積は小さくなる。
【００４９】
加熱プレスの方法としては、加熱加圧装置（熱ラミネータ、加熱プレス）などを用いて行えばよく、その際、空気の混入を避けるために、雰囲気を真空（真空ラミネータ等）にしてもよい。加熱温度、圧力など条件等は、樹脂層２６の材質や厚みに応じて適宜設定すればよいが、圧力としては、被積層体Ｌに形成された層間接続突起Ｂの総数などに応じて、０．５〜３０ＭＰａの範囲で調整するのが好ましい。これによって、被積層体Ｌの表面形状に応じて樹脂層２６と金属箔３とが変形して、硬化した樹脂層２６と金属層２７が形成される。形成後に、積層体は脱型、冷却などが通常なされる。
【００５０】
本発明の（１ｄ）工程は、図３（８）に示すように、前記金属箔３を部分的に除去して前記層間接続突起Ｂを露出させるものである。本実施形態では、金属箔３の凸部を物理的に除去して層間接続突起Ｂを露出させる例を示す。その際、積層体の金属箔３の上面より層間接続突起Ｂの上面が高くなる分を、同時に除去して平坦化してもよい。
【００５１】
凸部の除去方法としては、研削や研磨による方法が好ましく、ダイヤモンド製等の硬質刃を回転板の半径方向に複数配置した硬質回転刃を有する研削装置を使用する方法や、サンダ、ベルトサンダ、グラインダ、平面研削盤、硬質砥粒成形品などを用いる方法などが挙げられる。研削装置を使用すると、当該硬質回転刃を回転させながら、固定支持された配線基板の上面に沿って移動させることによって、上面を平坦化することができる。また、研磨の方法としては、ベルトサンダ、バフ研磨等により軽く研磨する方法が挙げられる。本発明のように積層体に凸部が形成されていると、その部分のみを研削するのが容易になり、全体の平坦化がより確実に行える。
【００５２】
本発明の（１ｅ）工程は、図３（９）に示すように、露出した層間接続突起Ｂと周囲の金属箔２７とを電気的に接続するものである。本実施形態では、層間接続突起Ｂの上面を含む金属層２７の略全面に対し、メッキにより導電体層２８を形成する例を示す。これにより、層間接続突起Ｂの上面に接合した導電体層２８を介して、層間接続突起Ｂと金属層２７とが導電接続される。
【００５３】
メッキによる導電体層２８の形成は、無電解メッキ、電解メッキ、又は無電解メッキと電解メッキの組合せ、スパッタリングや蒸着と電解メッキの組合せなどにより行うことができる。但し、導電接続の信頼性を高める上で無電解メッキと電解メッキの組合せで形成するのが好ましい。導電体層２８の厚みは１〜３０μｍが好ましい。
【００５４】
無電解メッキには、通常、銅、ニッケル、錫等のメッキ液が使用されるが、これらの金属は、金属層２７を構成する金属と同一でも異なっていてもよく、銅が好ましい。無電解メッキのメッキ液は、各種金属に対応して周知であり、各種のものが市販されている。一般的には、液組成として、金属イオン源、アルカリ源、還元剤、キレート剤、安定剤などを含有する。なお、無電解メッキに先立って、パラジウム等のメッキ触媒を沈着させてもよい。電解メッキについても、周知の方法で行うことができる。
【００５５】
本発明では、更に、導電体層２８と金属層２７とのエッチングを行って金属パターンを形成することができる。導電体層２８と金属層２７とを構成する金属が同じ場合は、同時にエッチングすることができるが、異なる場合には順次エッチングを行えばよい。
【００５６】
一方、本発明の多層配線基板は、上記の層間接続構造を何れかの層間に備えることを特徴とする。図示した例では、第１層と第２層の接続および第３層と第４層の接続に、本発明の層間接続構造が採用されてた４層基板となっている。さらに両側の上層に同様な層間接続構造を形成することにより、更に多層化した多層配線基板を形成することができる。また、コア基板や両面金属箔積層板に対しても、本発明の層間接続構造を形成することができる。
【００５７】
〔本発明の別の実施形態〕
以下、本発明の別の実施形態について説明する。
【００５８】
（１）前記の実施形態では、プレス面とは別体のシート材を配置する例を示したが、予めプレス面にシート材を形成しておいてもよい。このとき、シート材をプレス面に直接形成してもよいが、接着剤や粘着剤を用いてシート材を接着してもよい。また、シート材の表面に離型層を設けてもよく、特に、離型性及び耐熱性に優れるシリコーンゴムシートを使用するのが好ましい。更に、離型シートを併用してもよく、離型シートとしては、フッ素樹脂フィルム、シリコーン樹脂フィルム、各種の離型紙、繊維補強フッ素樹脂フィルム、繊維補強シリコーン樹脂フィルムなどが挙げられる。
【００５９】
（２）前記の実施形態では、層間接続突起が形成された配線層に対して、本発明の層間接続構造を形成する方法の例を示したが、配線パターンを形成していない、又は形成する前の金属層に層間接続突起が形成されたものに対しても、前記の実施形態と同様にして本発明の層間接続構造を形成することができる。その場合でも、使用する被積層体が異なる以外、同じ工程で実施することができる。このようにして得られるものは、両面金属箔積層板として使用することも可能であり、上記の金属層と金属箔とを同時にエッチングしてパターン形成することも可能である。また、金属層をパターン形成せずにグランド層や電源層として利用することも可能である。
【００６０】
（３）前記の実施形態では、導電体層の形成をメッキにより行う例を示したが、導電性ペーストの塗布、スパッタ蒸着、真空蒸着などにより行うことも可能である。また、これらと電解メッキ等を組み合わせて導電体層を形成してもよい。
【００６１】
導電性ペーストを塗布する場合、スクリーン印刷、スクイーズ法などで塗布すればよく、導電性ペーストとしては、配線基板に使用されるものが何れも使用できる。
【００６２】
（４）前記の実施形態では、両面に配線層が形成されたコア基板を被積層体とし、両面に層間接続構造を形成すべく、両側のプレス面で加熱プレスを行う例を示したが、基板の片面側だけに層間接続構造を形成してもよい。その場合、加熱のためのプレス面を片側だけに設けてもよい。
（５）前記の実施形態では、（１ｃ）工程においてプレス面と前記金属箔との間に凹状変形を許容するシート材を介在させる例を示したが、プレス面側に予め王部を設けておくことで、加熱プレスにより層間接続突起に対応する位置の金属箔に凸部を形成してもい。
【００６３】
例えば図４（ａ）に示すように、層間接続突起Ｂに対向する位置のプレス面１に凹部１ａを形成するか、又は図４（ｂ）に示すように、当該凹部を形成するためのプレート７を配置する方法が挙げられる。
【００６４】
プレス面１の凹部１ａの開口形状と大きさは、層間接続突起Ｂの形状と大きさに応じて決定することができ、凹部１ａの開口面積は、層間接続突起Ｂの上面面積より大きいことが好ましい。また、凹部１ａの深さは、凹部１ａの容積が、層間接続突起Ｂの体積と略同じ又はそれ以上になるように設定することが好ましく、層間接続突起Ｂの体積と略同じになるように設定することがより好ましい。具体的には、例えば凹部１ａの深さが５μｍ以上、好ましくは１０μｍ以上である。
【００６５】
プレス面の凹部１ａの全体形状としては、円錐台、円柱、四角錘台、四角柱などが挙げられるが、円錐台または四角錘台のように、側壁がテーパー状であることが好ましい。プレス面１に凹部１ａを形成する方法としては、エッチングレジストを用いたハーフエッチング、鋳造、ＮＣ加工などが挙げられる。特に、層間接続突起Ｂを形成する際のパターンを利用して、ハーフエッチングを行うのが、精度及びコストの面から有利である。
【００６６】
プレート７を配置する場合、プレート７には凹部の形成位置に貫通孔７ａが設けられている。プレート７の材質は、金属、樹脂など何れでも良い。貫通孔７ａを形成する方法としては、エッチングレジストを用いたエッチングやハーフエッチング、鋳造、ＮＣ加工、パンチング、ドリリングなどが挙げられる。プレート７は被積層体Ｌに対して適切に位置合わせがなされる。
【００６７】
（６）前記の実施形態では、全ての層間接続突起の上面の樹脂を除去すべく、全ての層間接続突起が露光されないようなフォトマスクを使用する例を示したが、一部の層間接続突起の上面の樹脂を除去すべく、一部の層間接続突起のみが露光されないようなフォトマスクを使用してもよい。例えば、一定以上の面積（例えば０．１ｍｍ２ 以上）を有する層間接続突起だけが露光されないように、露光・現像を行ってもよい。これによって、問題となり易い大きな層間接続突起の上面の樹脂を除去しながら、位置合わせの精度（小径の場合に要求される）をラフにすることができ、より実用的な製造方法となる。
【００６８】
（第２実施形態）
第２実施形態では、図５（１）に示すように、本発明の（１ａ）工程において、少なくとも層間接続突起Ｂの上面が前記金属箔３と異なる金属２５で被覆された被積層体Ｌを使用する。この実施形態では、少なくとも層間接続突起Ｂの上面の一部が被覆されていればよく、層間接続突起Ｂの上面全体、層間接続突起Ｂの全面、又は層間接続突起Ｂ及び配線層２２の全体が被覆されていてもよい。好ましくは、層間接続突起Ｂの上面全体だけが金属２５で被覆されている場合である。
【００６９】
金属箔３と異なる金属２５としては、金属箔３のエッチング時に耐性を示す別の金属が使用できる。具体的には、金属箔３が銅である場合、金属２５としては、金、銀、亜鉛、パラジウム、ルテニウム、ニッケル、ロジウム、鉛−錫系はんだ合金、又はニッケル−金合金等が使用される。但し、本発明は、これらの金属の組合せに限らず、上記金属のエッチング時に耐性を示す別の金属との組合せが何れも使用可能である。
【００７０】
金属２５で層間接続突起Ｂの上面を被覆する方法としては、ドライフィルムフォトレジストや感光性樹脂等を用いて、層間接続突起Ｂの上面のみが開口したメッキレジストを形成した後、開口部にニッケル等のメッキを行う方法が好ましい。その後、メッキレジストは除去される。
【００７１】
また、第２実施形態では、図５（２）に示すように、樹脂層２６の乾燥後の厚みが、層間接続突起Ｂの上面と略同じ高さになるように、樹脂層２６を形成するのが好ましい。
【００７２】
（１ｂ）工程は、図５（３）〜図６（５）に示すように、第１実施形態と同様にして行うことができるが、樹脂層２６を露光・現像して層間接続突起Ｂの上面の樹脂２６ａを除去すると、被積層体Ｌの表面は略平坦になる。
【００７３】
（１ｃ）工程では、図６（６）〜図７（７）に示すように、樹脂２６ａを除去した被積層体Ｌに金属箔３を積層一体化するが、平坦なプレス面１を用いて加熱プレスにより積層一体化することができる。その結果、金属箔３の表面は略平坦になる。
【００７４】
（１ｄ）工程では、図７（８）に示すように、金属箔３を部分的にエッチングして被覆された層間接続突起Ｂの上面を露出させる。これによって、層間接続突起Ｂに被覆された金属２５が露出する。このとき、金属層２７のうち少なくとも層間接続突起Ｂの上面と重複する部分をエッチングして開口２７ａを形成すればよい。
【００７５】
エッチングの方法としては、ドライエッチングも可能であるが、ウエットエッチングが好ましく、なかでもドライフィルムレジストなどの感光性樹脂を用いる方法がより好ましい。エッチングでは、金属箔２７の材質に応じたエッチング液を用いて開口２７ａを形成する。金属箔２７が銅の場合、エッチング液としては、市販のアルカリエッチング液、塩化物エッチング液、過硫酸アンモニウム、過酸化水素／硫酸等が挙げられる。
【００７６】
エッチングの終了後、必要に応じてエッチングレジストが除去されるが、薬剤除去、剥離除去など、エッチングレジストの種類に応じて適宜選択すればよい。例えば、ドライフィルムレジストである場合、例えば有機溶剤現像タイプに対してはメチレンクロライド等、アルカリ水溶液現像タイプに対しては、水酸化ナトリウム等で剥離することができる。
【００７７】
第２実施形態の（１ｄ）工程では、図７（９）に示すように、更に、層間接続突起Ｂに被覆された金属２５を選択的にエッチングしてその金属２５が除去された層間接続突起Ｂを露出させてもよい。このとき、金属箔２７がエッチングレジストとなる。
【００７８】
エッチングの方法としては、金属箔２７のエッチングとは異なるエッチング液を用いたエッチング方法が挙げられるが、塩化物エッチング液を用いると金属系レジスト及び銅の両者が浸食されるため、その他のエッチング液を用いるのが好ましい。具体的には、層間接続突起Ｂと金属箔２７が銅であり、金属２５が前記の金属である場合、はんだ剥離用として市販されている、硝酸系、硫酸系、シアン系などの酸系のエッチング液等を用いるのが好ましい。
【００７９】
第２実施形態では、次いで図８（１０）に示すように、露出した層間接続突起Ｂの上面から少なくとも開口２７ａの内周面にかけて導電体層２８を形成する。本実施形態では、上面を含む金属箔２７の略全面へメッキにより導電体層２８を形成する例を示す。これにより、上面に接合した導電体層２８ａ、開口２７ａの内周面に接合した導電体層、その周囲の導電体層を介して、層間接続突起Ｂと金属箔２７とが導電接続される。
【００８０】
メッキによる導電体層２９の形成は、無電解メッキ、又は無電解メッキと電解メッキの組合せなどにより行うことができるが、導電接続の信頼性を高める上で無電解メッキと電解メッキの組合せで形成するのが好ましい。その際、導電体層２９の厚みは１〜５０μｍが好ましい。
【００８１】
第２実施形態では、図８（１１）〜図８（１２）に示すように、更に、導電体層２８と金属箔２７とのエッチングを行って金属パターンを形成することができる。導電体層２８と金属箔２７とを構成する金属が同じ場合は、同時にエッチングすることができるが、異なる場合には順次エッチングを行えばよい。
【００８２】
まず、図８（１１）に示すように、ドライフィルムレジストなどがラミネートされ、金属パターンの形状に応じて露光し、現像してエッチングレジスト３０が形成される。
【００８３】
次いで、図８（１２）に示すように、導電体層２８と金属箔２７の材質に応じたエッチング液を用いてエッチングが行われて金属パターン２７ｂが形成される。その後、エッチングレジスト３０が除去される。
【００８４】
（別発明の層間接続構造の形成方法）
別発明の層間接続構造の形成方法は、絶縁層の上下に形成された配線層又は金属層が、層間接続突起を介して層間で接続された層間接続構造の形成方法であって、（２ａ）〜（２ｃ）工程を含むものであり、前述した発明と異なる点は、金属箔を積層せずにメッキ形成する点である。以下、図９〜図１０を参照しながら、相違点を中心に説明する。
【００８５】
（２ａ）工程は、図９（１）〜（２）に示すように、層間接続突起Ｂが形成された被積層体Ｌの表面に感光性樹脂を含有する樹脂層２６を形成するものである。被積層体Ｌや樹脂層２６は前述と同様であり、層間接続突起Ｂの上面は異なる金属で被覆されていてもよい。また、樹脂層２６の乾燥後の厚みが、層間接続突起Ｂの上面と略同じ高さになるように、樹脂層２６を形成するのが好ましい。具体的には、層間接続突起Ｂの上面の±１０μｍが好ましく、±５μｍがより好ましい。これによって、平坦性をより高めることができる。
【００８６】
（２ｂ）工程は、図９（３）〜図１０（５）に示すように、樹脂層２６を露光・現像して前記層間接続突起Ｂの上面の樹脂２６ａを除去するものである。この工程も前述と同様であり、樹脂２６ａを除去すると、被積層体Ｌの表面は略平坦になる。
【００８７】
（２ｃ）工程は、図１０（６）に示すように、少なくとも露出した層間接続突起Ｂを含む領域に金属のメッキを行うものである。本実施形態では、全面にメッキを行う例を示したが、メッキレジストを用いて、パターンメッキにより回路パターンを形成してもよい。全面にメッキを行う場合、エッチングによりパターン形成することができる。（２ｃ）工程は、樹脂層２６が露光により十分な物理特性（強度、耐久性等）が得られる場合には、（２ｂ）工程に引き続いて行うことができる。
【００８８】
但し、この発明では、前記樹脂層２６が光重合性樹脂と熱硬化性樹脂を含有するものであり、前記（２ｂ）工程と前記（２ｃ）工程との間に、前記樹脂層２６を加熱プレスにより熱硬化させつつ平坦化する工程を含むことが好ましい。この加熱プレスによって、基板表面をより平坦化することができ、強度、耐久性等の物理特性を更に改善することができる。
【００８９】
加熱プレスの方法としては、加熱加圧装置（熱ラミネータ、加熱プレス）などを用いて行えばよく、その際、空気の混入を避けるために、雰囲気を真空（真空ラミネータ等）にしてもよい。また、樹脂層２６との離型性を高めるために、ペレス面を鏡面仕上げしたり、離型シートを使用するのが好ましい。加熱温度、圧力など条件等は、樹脂層２６の材質や厚みに応じて適宜設定すればよい。
【００９０】
更に、上記の加熱プレスの後に、バフ研磨、スパッタエッチング、プラズマエッチングなどを行ってもよい。これにより、加熱プレスの際に層間接続突起Ｂの上面に樹脂が付着した場合や、前記（２ｂ）工程で樹脂が一部残存した場合などに、当該樹脂を除去することができる。
【００９１】
その他の条件についても、前述の第１実施形態又は第２実施形態に記載した発明内容をいずれも適用することができる。また、樹脂層２６と金属のメッキの密着性を高めるために、粗化成分、フィラーなどを樹脂層２６に含有させるのが好ましい。
【００９２】
（他の好ましい実施形態）
本発明（別発明を含む）では、露光の際に使用するフォトマスクの位置合わせ精度が重要となり、特に層間接続突起が小径化した場合に、その重要度が増す。このため、位置合わせ精度を緩和する方法として次の方法が有効である。
【００９３】
即ち、樹脂層２６を層間接続突起Ｂの高さより厚く（例えば＋５〜＋５０μｍ）形成しておき、図１１（１）に示すように、層間接続突起Ｂの上面の樹脂だけでなく、その周囲の広い面積部分（例えば面積で１２０〜２００％）を露光・現像で除去する。これによって、層間接続突起Ｂの周囲に樹脂層２６の凹部が形成される。
【００９４】
その後、図１１（２）に示すように、加熱プレスを行って、層間接続突起Ｂの高さより厚く形成された樹脂層２６の厚みを低減しつつ平坦化することで、樹脂層２６の凹部を埋めることができる。このような工程によって、樹脂層２６の平坦性を維持しながら、フォトマスクの位置合わせ精度を緩和することができ、より実用的なプロセスとなる。
【００９５】
【実施例】
以下、本発明の構成と効果を具体的に示す実施例等について説明する。
【００９６】
調製例１（光重合性樹脂組成物Ａ−１の合成）
エピコート＃１００４（ジャパンエポキシレジン社製，エポキシ当量９６０ｇ／ｅｑ）９６０重量部、アクリル酸７２重量部、トリエチルアミン３．５重量部、ヒドロキノン０．７重量部をプロピレングリコールモノメチルエーテル５６０重量部に溶解させた後、１１０℃で８時間還流した溶液に無水テトラヒドロフタル酸無水物９１重量部を反応させて固形分量６０％の樹脂組成物（Ａ−１）を得た。
【００９７】
調製例２（エポキシ樹脂組成物Ａ−２の合成）
エピコート＃１００１（ジャパンエポキシレジン社製，エポキシ当量４８０ｇ／ｅｑ）２８８重量部をプロピレングリコールモノメチルエーテル１９２重量部に加熱溶解し、固形分量６０％のエポキシ樹脂組成物（Ａ−２）を得た。
【００９８】
調製例３（混合樹脂組成物の調製）
調製例１で得られた樹脂組成物（Ａ−１）１００重量部に、エポキシ樹脂組成物（Ａ−２）１００重量部、イルガキュアー９０７（チバスペシャリティケミカルズ社製重合開始剤）５重量部、ジシアンジアミド１重量部、カヤキュアＤＥＴＸ（日本化薬社製光重合開始剤）１重量部、ＰＢ−３６００（ダイセル化学工業）５重量部と若干の添加剤（モンサント社製モダフロー）を３本ロールミルで混合し、目的の組成物（Ｂ−１）を得た。
【００９９】
調製例４
攪拌機を有するフラスコにフェノールノボラック樹脂（フェノライトＫＡ−７０５２、大日本インキ化学工業社製、水酸基当量２１０）１２０重量部と、エピクロルヒドリン１８５重量部、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）１８８重量部、ｎ−ブタノール７４重量部を加えて、攪拌溶解後、２０％水酸化ナトリウム水溶液４４０重量部を８０℃で３時間かけて滴下後、１時間攪拌した。ＭＩＢＫ４００重量部を追加後に静置し、下層の食塩水を廃棄してから水２５０重量部、第一リン酸ソーダ２重量部を添加し中和後に脱水し、ろ過後に溶媒を留去してエポキシ樹脂１３０重量部（エポキシ当量２１０ｇ／ｅｑ）を得た。このエポキシ樹脂１０５重量部とアクリル酸３２．４重量部をカルビトールアセテート１００重量部に溶解し、還流下に反応させてノボラック型エポキシアクリレートを得、ヘキサヒドロ無水フタル酸４６．２重量部を加え、酸価が理論値になるまで還流下で反応させ、固形分６５％の反応性樹脂（Ａ−３）を得た。
【０１００】
ソルベッソ＃１５０（シェル化学社製溶剤）４．５重量部とカルビトールアセテート５．０重量部の混合物に反応性樹脂（Ａ−３）５７重量部、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート４．０重量部、イルガキュアー９０７（チバスペシャリティケミカルズ社製重合開始剤）５重量部、カヤキュアＤＥＴＸ（日本化薬社製光重合開始剤）１重量部を加えて攪拌した。これに水酸化マグネシウム１０重量部、タルク１重量部を加え、モダフロー（モンサント社製レベリング剤）１重量部、フタロシアニンブルー（顔料）０．５重量部を加えた後、ＴＥＰＩＣ−Ｓ（日産化学社製エポキシ樹脂）１０重量部およびジシアンジアミド（硬化促進剤）１重量部を加えて２０分攪拌後、３本ロールミルで混合し、目的の組成物（Ｂ−２）を得た。
【０１０１】
調製例５
エポキシ樹脂（エピクロン８６００、大日本インキ社製、エポキシ当量２６０ｇ／ｅｑ）２６０重量部と、分子末端にエポキシ基を有するブタジエンとアクリロニトリル共重合体（ＨＹＣＡＲＣＴＢＮ１３００×１３ Ｂ．Ｆ．グッドリッチケミカルズ社製）１６０重量部、アクリル酸６５重量部とを反応させて得られたゴム変性ビスフェノールＡ型エポキシビニルエステル樹脂４８５重量部とをテトラヒドロ無水フタル酸１７８重量部をブチルカルビトールアセテート２８４重量部で反応させ、固形分７０％の樹脂（Ａ−４）（酸価９９ｍｇ／ＫＯＨ）を得た。
【０１０２】
この樹脂（Ａ−４）５０重量部、２，２−ジメトキシ−２−ジフェニルアセトフェノン５重量部、ソルベッソ＃１５０（シェル化学社製溶剤）１５重量部、硫酸バリウム４０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エピクロンＮ−６７３、大日本インキ社製）１５重量部、ブチルセロソルブアセテート５重量部を３本ロールミルで混合し、目的の組成物（Ｂ−３）を得た。
【０１０３】
実施例１
調製例３で得られた樹脂組成物（Ｂ−１）を層間接合用の金属バンプ（高さ８０μｍ、直径３００μｍ）を有する基板に、バンプ高さより塗工面が２０μｍ低くなるようにカーテンコータで塗工し、乾燥機で８０℃３０分間乾燥後、ＵＶ露光機でバンプ直上を除く樹脂層を光照射した。未照射部分をアルカリ現像機で除去後、銅箔（厚み１８μｍ）を塗工基板に仮着し、鏡面板と銅箔との間にクッションシート（ポリエチレン樹脂表面にアクリル系樹脂を貼り合わせたフィルムシート、厚み５０μｍ）を介在させて、ホットプレス機で１７０℃、１時間圧着した。バンプ直上が凸状になった基板をベルトサンダで研磨し、バンプ直上の銅箔を除去した後、全面に無電解メッキと電解メッキで銅メッキ（厚み１５μｍ）を行った。
【０１０４】
実施例２
調製例３で得られた樹脂組成物（Ｂ−１）を実施例１と同じ基板に、バンプ高さと同じ厚みになるようにカーテンコータで塗工し、乾燥機で８０℃３０分間乾燥後、ＵＶ露光機でバンプ直上を除く樹脂層を光照射した。未照射部分をアルカリ現像機で除去後、ホットプレス機で１７０℃、１時間圧着して表面を平坦化した後、全面に無電解メッキと電解メッキで銅メッキ（厚み２５μｍ）を行った。
【０１０５】
実施例３
調製例３で得られた樹脂組成物（Ｂ−１）を、予め上面をニッケルめっき（厚み５μｍ）で被覆した層間接合用の金属バンプ（高さ８０μｍ、直径３００μｍ）を有する基板に、バンプ高さと同じ厚みになるようにカーテンコータで塗工し、乾燥機で８０℃３０分間乾燥後、ＵＶ露光機でバンプ直上を除く樹脂層を光照射した。未照射部分をアルカリ現像機で除去後、銅箔（厚み１８μｍ）を塗工基板に仮着し、ホットプレス機で１７０℃、１時間圧着した。次いで銅箔の表面をエッチングレジストでマスクし、バンプ直上の銅箔をアルカリエッチングで除去した後、硝酸性はんだ剥離用のエッチング液でニッケルを除去してから、全面に無電解メッキと電解メッキで銅メッキ（厚み１５μｍ）を行った。
【０１０６】
実施例４
調製例３で得られた樹脂組成物（Ｂ−１）を、実施例３と同じ基板に、バンプ高さと同じ厚みになるようにカーテンコータで塗工し、乾燥機で８０℃３０分間乾燥後、ＵＶ露光機でバンプ直上を除く樹脂層を光照射した。未照射部分をアルカリ現像機で除去後、ホットプレス機で１７０℃、１時間圧着して表面を平坦化した後、硝酸性はんだ剥離用のエッチング液でニッケルを除去してから、全面に無電解メッキと電解メッキで銅メッキ（厚み２５μｍ）を行った。
【０１０７】
比較例１
実施例１において、樹脂組成物（Ｂ−１）を露光・現像しなかったこと以外は、実施例１と同様にして銅メッキした基板を作製した。
【０１０８】
評価試験
以上の実施例と比較例で得られた基板を用いて、断面を電子顕微鏡で観察し、バンプ上の絶縁樹脂の有無から層間接合状態を評価した。また、基板の平坦性を厚み計により評価した。その結果を表１に示す。
【０１０９】
【表１】

Figure 2005044899
表１の結果が示すように、樹脂組成物を露光・現像しなかった比較例１では、パンプ上に絶縁樹脂が残存する場合があり、層間接続性が十分とは言えなかった。これに対して、本発明の実施例１〜４では、露光・現像によりバンプ上の絶縁樹脂が完全に除去され、層間接続の信頼性が増すことがわかった。
【０１１０】
実施例５
実施例１〜４において、樹脂組成物（Ｂ−１）を樹脂組成物（Ｂ−２）に代えること以外は、実施例１〜４と同様にして、基板を作製した。その結果、実施例１〜４と同様に露光・現像によりバンプ上の絶縁樹脂が完全に除去されていた。
【０１１１】
実施例６
実施例１〜４において、樹脂組成物（Ｂ−１）を樹脂組成物（Ｂ−３）に代えること以外は、実施例１〜４と同様にして、基板を作製した。その結果、実施例１〜４と同様に露光・現像によりバンプ上の絶縁樹脂が完全に除去されていた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の層間接続構造の形成方法の第１実施形態の一例を示す工程図
【図２】本発明の層間接続構造の形成方法の第１実施形態の一例を示す工程図
【図３】本発明の層間接続構造の形成方法の第１実施形態の一例を示す工程図
【図４】本発明の層間接続構造の形成方法の第１実施形態の他の例を示す工程図
【図５】本発明の層間接続構造の形成方法の第２実施形態の一例を示す工程図
【図６】本発明の層間接続構造の形成方法の第２実施形態の一例を示す工程図
【図７】本発明の層間接続構造の形成方法の第２実施形態の一例を示す工程図
【図８】本発明の層間接続構造の形成方法の第２実施形態の一例を示す工程図
【図９】別発明の層間接続構造の形成方法の一例を示す工程図
【図１０】別発明の層間接続構造の形成方法の一例を示す工程図
【図１１】別発明の層間接続構造の形成方法の他の例を示す工程図
【符号の説明】
１ プレス面
１ａ プレス面の凹部
２ シート材
３ 金属箔
１０ 下地導電層
１１ 保護金属層
１５ フォトマスク
２１ 基材
２２ 配線層
２４ メッキ層
２５ 被覆した金属層
２６ 樹脂層（絶縁層）
２７ 金属層（金属箔）
２８ 導電体層
Ｂ 層間接続突起
Ｌ 被積層体[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for forming an interlayer connection structure for forming a conductive connection structure between wiring layers and a heat dissipation structure between layers on a multilayer wiring board and the like, and a multilayer wiring substrate having an interlayer connection structure formed by the method.
[0002]
[Prior art]
In recent years, with the miniaturization and high functionality of electronic devices and the like, demands for multilayering, thinning, fine patterning, and the like are increasing for wiring boards for mounting electronic components. For this reason, the insulating layers and wiring layers constituting the multilayer wiring board also tend to be thinned. In addition, it is necessary to control the thickness of the insulating layer and the wiring layer with high accuracy, such as when controlling the characteristic impedance corresponding to the high-frequency signal.
[0003]
When manufacturing such a multilayer wiring board, a process of forming a metal layer or a wiring pattern on the insulating layer is required. As these methods, a method of laminating a resin-coated copper foil or the method is used. A method of forming a pattern by etching a metal layer has been common.
[0004]
On the other hand, a multilayer wiring board requires a structure for conductive connection between wiring layers, and an interlayer connection in which wiring layers or metal layers formed above and below an insulating layer are connected between the layers through interlayer connection protrusions. Several structures have been proposed. Among them, a method of forming an insulating layer and an upper wiring layer after forming a metal column for interlayer connection in advance in a lower wiring layer has attracted attention because of the reliability of interlayer connection.
[0005]
For example, a protective metal layer is formed on the entire surface of the protective metal layer by covering the entire surface including the non-patterned portion of the lower wiring layer with another metal that exhibits resistance when etching the metal constituting the columnar metal body. After forming the metal plating layer constituting the columnar metal body by electrolytic plating, forming a mask layer on the surface portion of the plating layer and etching the plating layer to form the columnar metal body, A method is known in which an insulating resin is applied over the entire surface and flattened after etching or the like, and an upper wiring layer is formed to electrically connect the wiring layers (see, for example, Patent Document 1). .
[0006]
However, in the method of forming an insulating layer by applying an insulating resin, a series of steps such as coating, curing, and surface polishing becomes complicated, and the thickness accuracy (flatness) of the insulating layer after polishing is maintained. Tends to be difficult.
[0007]
On the other hand, there are several methods for forming an insulating layer by laminating a heat-adhesive resin sheet or a resin-coated copper foil on a wiring layer on which metal body protrusions (including columnar metal bodies) for wiring interlayer connection are formed. Is known. In particular, when laminating a copper foil with resin, since the copper foil is laminated at the same time, there is an advantage that an upper wiring layer can be formed by etching.
[0008]
However, in the conductive connection structure formed in this way, the metal protrusions and the copper foil are only in pressure contact, and the resin is likely to intervene between them, and the surfaces are difficult to contact uniformly. The reliability of the conductive connection between the wiring layers was not sufficient.
[0009]
Therefore, after forming a metal column for interlayer connection in advance in the lower wiring layer, laminating a copper foil with resin, etching the copper foil above the metal column, removing the intervening resin, and then the upper surface of the metal column There has been proposed a method for forming an interlayer connection structure in which plating is performed on a region including the metal oxide (see, for example, Patent Document 2).
[0010]
[Patent Document 1]
International Publication WO00 / 52977 (FIGS. 1 to 4)
[Patent Document 2]
JP 2003-101231 A (second page, FIGS. 1 to 4)
[0011]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the method of Patent Document 2, in order to selectively remove the resin in the etched openings, a process such as sandblasting is required, so that the process takes time, and the diameter of the interlayer connection protrusion is reduced. There was a problem that it was difficult. Furthermore, when the resin thickness of the opening is different for each opening (non-uniform), it may be difficult to remove the resin reliably.
[0012]
Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for forming an interlayer connection structure that can reliably remove the resin on the upper surface of the interlayer connection protrusions and increase the reliability of the interlayer connection, and the interlayer connection formed by the method. An object of the present invention is to provide a multilayer wiring board having a structure.
[0013]
[Means for Solving the Problems]
The above object can be achieved by the present invention as described below.
That is, the method for forming an interlayer connection structure of the present invention is a method for forming an interlayer connection structure in which wiring layers or metal layers formed above and below an insulating layer are connected to each other through interlayer connection protrusions. 1a) a step of forming a resin layer containing a photosensitive resin on the surface of the laminate on which the interlayer connection protrusions are formed; (1b) exposing / developing the resin layer to apply a resin on the upper surface of the interlayer connection protrusions; A step of removing, (1c) a step of laminating and integrating a metal foil on the laminate from which the resin has been removed, (1d) a step of partially removing the metal foil to expose the interlayer connection protrusions, and (1e) The method includes a step of electrically connecting the exposed interlayer connection protrusion and the surrounding metal foil.
[0014]
According to the present invention, since the resin layer serving as the insulating layer contains the photosensitive resin, the resin on the upper surface of the interlayer connection protrusion can be more reliably removed by exposing and developing the resin layer. In addition, after removing the resin, the lamination of the metal foil, the partial removal of the metal foil, and the electrical connection to the exposed interlayer connection protrusion are performed, so that the reliability of the interlayer connection can be improved.
[0015]
In the above, in the step (1c), a sheet material that allows concave deformation is interposed between the press surface and the metal foil, and a convex portion is formed on the metal foil at a position corresponding to the interlayer connection protrusion by heat pressing. Preferably, the step (1d) is to physically remove the protrusions of the metal foil to expose the interlayer connection protrusions. According to this, by forming the convex portion on the metal foil at a position corresponding to the interlayer connection protrusion, the convex portion can be physically removed and the interlayer connection protrusion can be more easily exposed.
[0016]
Alternatively, in the step (1a), at least the upper surface of the interlayer connection protrusion is used as a laminated body covered with a metal different from the metal foil, and in the step (1d), the metal foil is partially etched. Preferably, the method includes a step of exposing the upper surface of the interlayer connection protrusion coated. According to this, since the upper surface of the interlayer connection protrusion is covered with a different metal, the metal foil can be selectively etched. Even if the interlayer connection protrusion and the metal foil are the same metal, the interlayer connection protrusion is not Not eroded. Further, the upper surface of the interlayer connection protrusion can be reliably exposed by etching.
[0017]
At this time, the step (1d) preferably further includes a step of selectively etching the metal covered with the interlayer connection protrusion to expose the interlayer connection protrusion from which the metal has been removed. Thus, the upper surface of the interlayer connection protrusion and the metal layer can be joined without interposing different metals.
[0018]
The resin layer preferably has a photopolymerizable function and a thermosetting function. By having a photopolymerizable function, it is possible to selectively leave a photopolymerized portion by exposing and developing the resin layer. Furthermore, by having a thermosetting function, the photopolymerized portion is cured by a heat press, and has sufficient durability, heat resistance, strength, etc. as an insulating layer.
[0019]
Further, the step (1e) preferably performs metal plating on at least the exposed interlayer connection protrusion and the surrounding metal foil. Thereby, a metal layer plated and bonded to the upper surface of the interlayer connection protrusion can be formed, and the reliability of the interlayer connection can be further improved.
[0020]
Another method for forming an interlayer connection structure according to the present invention is a method for forming an interlayer connection structure in which wiring layers or metal layers formed above and below an insulating layer are connected to each other through interlayer connection protrusions. (2a) A step of forming a resin layer containing a photosensitive resin on the surface of the laminated body on which the interlayer connection protrusion is formed; (2b) exposing and developing the resin layer to remove the resin on the upper surface of the interlayer connection protrusion; And (2c) including a step of performing metal plating on a region including at least the exposed interlayer connection protrusion.
[0021]
According to the present invention, since the resin layer serving as the insulating layer contains the photosensitive resin, the resin on the upper surface of the interlayer connection protrusion can be more reliably removed by exposing and developing the resin layer. Moreover, since the metal is plated on the region including the interlayer connection protrusion after the resin is removed, the reliability of the interlayer connection can be improved by plating bonding.
[0022]
In the above, the resin layer has a photopolymerizable function and a thermosetting function, and the resin layer is flattened while being thermally cured by a hot press between the step (2b) and the step (2c). It is preferable to include the process of converting. Since the resin layer has a photopolymerizable function, the photopolymerized portion can be selectively left by exposing and developing the resin layer. Furthermore, by having a thermosetting function, the photopolymerized portion is cured by a heat press, and has sufficient durability, heat resistance, strength, etc. as an insulating layer. Further, the surface can be further flattened by a hot press, and the subsequent steps can be performed more suitably.
[0023]
On the other hand, the multilayer wiring board of the present invention is characterized in that an interlayer connection structure formed by any one of the above-described methods for forming an interlayer connection structure is provided between any layers. According to the multilayer wiring board of the present invention, since the interlayer connection structure exists between any of the layers, the resin on the upper surface of the interlayer connection protrusion can be surely removed, and the interlayer connection structure has high reliability of conductive connection. It becomes a multilayer wiring board.
[0024]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 to 4 are process diagrams showing a first embodiment of a method for forming an interlayer connection structure according to the present invention. FIGS. 5 to 8 illustrate a second embodiment of a method for forming an interlayer connection structure according to the present invention. It is process drawing shown. 9 to 10 are process diagrams showing a method for forming an interlayer connection structure according to another invention.
[0025]
(First embodiment)
The method for forming an interlayer connection structure of the present invention is a method for forming an interlayer connection structure in which wiring layers or metal layers formed above and below an insulating layer are connected to each other through interlayer connection protrusions. In this embodiment, as shown in FIG. 1 to FIG. 3, the wiring layer 22 formed on both surfaces of the core substrate and the metal layer 27 formed on the upper layer through the resin layer 26 are connected to the interlayer connection protrusion B. The example which forms the interlayer connection structure connected between layers via this is shown.
[0026]
First, as shown in FIG. 1A, a laminated body L in which a wiring layer 22 is patterned on both surfaces of a base material 21 and an interlayer connection protrusion B is formed on the wiring layer 22 is prepared. At that time, any method may be used for forming the pattern of the wiring layer 22. For example, a method using an etching resist or a method using a pattern plating resist may be used. As the metal constituting the wiring layer 22, copper, nickel, tin or the like is usually used, but copper is preferable. As the base material 21, a base material made of glass fiber and various reaction curable resins such as polyimide resin and epoxy resin can be used. The thickness of the wiring layer 22 is, for example, about 5 to 50 μm. Further, a blackening process, a roughening process, or the like may be applied to the wiring layer 22 or the like in order to improve the adhesion with the resin layer 26 (insulating layer).
[0027]
The method of forming the interlayer connection protrusion B on the wiring layer 22 may be any method as long as the wiring layer 22 and the interlayer connection protrusion B can be conductively connected. For example, a method of forming by etching a metal layer, or metal plating And a method of forming with a conductive paste.
[0028]
Details of the method of forming the metal layer by etching are disclosed in WO 00/52977 and WO 00/30420. Details of the method of forming by metal plating are disclosed in JP-A-6-314878.
[0029]
In the present embodiment, an example in which the interlayer connection protrusion B is formed on the wiring layer 22 by the forming method described in WO00 / 52977 will be described. According to the forming method, the interlayer connection protrusion B is composed of the base conductive layer 10, the protective metal layer 11, and the plating layer 24.
[0030]
Specifically, the method for forming the interlayer connection protrusion B is to cover another substantially metal surface including the non-patterned portion of the lower wiring layer 22 with another metal exhibiting resistance when the metal constituting the columnar metal body is etched. A step of forming the protective metal layer 11, a step of forming a metal plating layer 24 constituting the columnar metal body over substantially the entire surface of the protective metal layer 11 by electrolytic plating, and forming the columnar metal body of the plating layer 24. A protective metal layer 11 covering at least the non-patterned portion by performing a step of forming a mask layer on the surface portion, a step of etching the plating layer 24, and an etching capable of eroding at least the protective metal layer 11. The process of removing. At that time, after electroless plating is performed on the entire surface including the non-patterned portion of the lower wiring layer 22 that has been patterned in advance to form the base conductive layer 10, the protective metal layer 11 is further formed by performing electrolytic plating on substantially the entire surface. Forming.
[0031]
In the present invention, since the resin 26a on the upper surface of the interlayer connection protrusion B can be reliably removed by exposure and development, the area of the upper surface of the interlayer connection protrusion B is not uniform (area 1 mm). 2 This is particularly effective when the above is included. Because, when the interlayer connection protrusion B is not a conductive connection but for heat dissipation, the area is 1 to 100 mm. 2 However, in the conventional method, it is difficult to reliably remove the resin from the upper surface, but this is possible in the present invention.
[0032]
In the step (1a) of the present invention, as shown in FIG. 1 (2), a resin layer 26 containing a photosensitive resin is formed on the surface of the laminated body L on which the interlayer connection protrusions B are formed. The resin layer 26 has only to have a photosensitive function, preferably a photopolymerization function, and more preferably has a further thermosetting function. Such a resin layer 26 is preferably a mixture of a photopolymerizable resin and a thermosetting resin, a light / thermosetting resin, or the like.
[0033]
The photosensitive resin refers to a resin composition containing a low molecular weight and / or high molecular weight component that undergoes photodecomposition, photocrosslinking, or photopolymerization by light (may be positive or negative). The photopolymerizable resin is a composition containing a monomer or a low molecular weight component that is polymerized by irradiating light such as visible light or ultraviolet light, and is itself a photopolymerizable monomer or a radically polymerizable monomer. What added the photoinitiator which generate | occur | produces a radical, and the sensitizer which accelerates | stimulates reaction is used. The photocurable resin is a resin that crosslinks and cures when irradiated with light such as visible light or ultraviolet light. Generally, a radically polymerizable (meth) acrylate resin is used as a resin component. A photoreaction initiator that generates a radical and advances a photoreaction and a sensitizer that promotes the reaction are used. Cationic polymerizable photocurable resins are also known.
[0034]
The thermosetting resin is a resin that is crosslinked and cured by heating. Generally, an epoxy resin, a phenol resin, a silicone resin, a thermosetting polyimide resin, and the like are known. These are used in combination with a catalyst, a curing agent, a cross-linking agent and the like, if necessary.
[0035]
In addition, the resin layer 26 may contain fillers such as silica particles, silicone rubber, and barium sulfate, reinforcing fibers such as glass fibers, ceramic fibers, and aramid fibers, antioxidants, and the like.
[0036]
In this invention, while containing acrylic acid and its oligomer as a photopolymerizable resin, what contains the bifunctional or more functional epoxy compound or epoxy polymer as a thermosetting resin is preferable. Moreover, it is preferable to use an epoxy acrylate-based photo / thermosetting resin. With such a resin layer 26, it is possible to suitably perform a crosslinking reaction in which a polymer photopolymerized by exposure and development is cured by heating.
[0037]
In the present invention, in order to improve the adhesion between the resin layer 26 and the metal layer, a rubber-modified copolymer may be used as the above-mentioned resin, or a particle component that is easily removed or removed may be used in combination.
[0038]
As a method of forming the resin layer 26, a method of applying and drying a liquid resin composition, a method of laminating a once-dried film, or the like can be used. Application of the resin composition can be performed using various coaters such as a curtain coater, a blade coater, and a roll coater. For laminating the dry film, a dry film laminator having a thermocompression roll or the like, a vacuum laminator having a pressure reducing function, or the like can be used.
[0039]
The thickness of the resin layer 26 can be set, for example, within a range of ± 30 μm of the height of the upper surface of the interlayer connection protrusion B. When a convex portion is formed on the metal foil 3 at a position corresponding to the interlayer connection protrusion B by heating press as in this embodiment (see FIG. 3 (7)), the thickness after drying is the upper surface of the interlayer connection protrusion B. It is preferable to form the metal foil 3 so as to be lower by the thickness of the metal foil 3.
[0040]
In step (1b) of the present invention, as shown in FIGS. 1 (3) to (4), the resin layer 26 is exposed and developed to remove the resin 26a on the upper surface of the interlayer connection protrusion B. At this time, at least a part of the upper surface of the interlayer connection protrusion B may be exposed, but it is preferable to expose the entire upper surface.
[0041]
As shown in FIG. 1 (3), the exposure is usually performed by ultraviolet rays or the like using an exposure machine with a photomask film 15 interposed. When the resin layer 26 is photopolymerizable (positive type), the photomask film 15 has an irradiation portion 15b and a shielding portion 15a, but when the resin layer 26 is a negative type, it is inverted. Note that direct exposure using a photoplotter or the like is also possible.
[0042]
In FIG. 1 (3), there is a gap between the photomask film 15 and the resin layer 26, but when laminating under vacuum to prevent the air from interfering and suitably proceeding photopolymerization and the like. There is no gap as shown in the figure between the two. Moreover, it is also possible to suitably proceed photopolymerization and the like by performing exposure in the absence of oxygen.
[0043]
For the development, a developer or the like corresponding to the type of the resin composition is used. For example, trichloroethane is used for the organic solvent development type, and sodium carbonate is used for the alkaline aqueous solution development type.
[0044]
Steps (1a) to (1b) of the present invention are performed on the upper surface of the stacked body L as shown in FIG. It is common. However, when laminating a dry film or using a roll coater or the like that can be coated on both sides at the same time, the step (1a) can be performed simultaneously on both the upper and lower sides.
[0045]
In the step (1c) of the present invention, as shown in FIGS. 2 (6) to 3 (7), the metal foil 3 is laminated and integrated on the laminated body L from which the resin is removed. In the present embodiment, a sheet material 2 that allows concave deformation is interposed between the press surface 1 and the metal foil 3, and a convex portion is formed on the metal foil 3 at a position corresponding to the interlayer connection protrusion B by heating press. An example of forming is shown.
[0046]
As the metal foil 3 to be the metal layer 27, any metal such as copper, nickel, tin or the like may be used, but it is widely used for wiring patterns from the viewpoint of conductivity, ease of etching, cost, and the like. Copper is most preferred. Further, the surface of the metal foil 3 on the resin layer 26 side may be subjected to a blackening treatment or the like for the purpose of improving the adhesiveness with a resin or the like. The thickness of the metal foil 3 is, for example, about 5 to 50 μm.
[0047]
The sheet material 2 only needs to be a material that allows concave deformation at the time of heating press, and includes cushion paper, rubber sheet, elastomer sheet, non-woven fabric, woven fabric, porous sheet, foam sheet, composite of metal foil, and the like. Can be mentioned. In particular, those that can be elastically deformed, such as cushion paper, rubber sheets, elastomer sheets, foam sheets, and composites thereof, are preferable. Further, from the viewpoint of preventing the metal foil 3 from being deformed into a concave shape during hot pressing, the metal foil 3 can be used by interposing another metal foil that allows the concave deformation. Such a metal foil is preferably a metal that is easily deformed, such as a copper foil or an aluminum foil. Furthermore, it is preferable to use a cushion paper having releasability or a rubber sheet having releasability.
[0048]
The thickness of the sheet material 2 is preferably such that the interlayer connection protrusion B is thicker than half of the height of the resin layer 26, and is preferably thicker than the height of the interlayer connection protrusion B. By adjusting the thickness and hardness of the sheet material 2, it is possible to control the height and shape of the convex portion 5 of the laminate formed by a hot press. Generally, when the thickness of the sheet material 2 is reduced and the hardness is increased, the height and volume of the convex portion 5 of the formed laminate are reduced.
[0049]
As a heating press method, a heating / pressurizing apparatus (thermal laminator, heating press) or the like may be used. In this case, the atmosphere may be set to a vacuum (vacuum laminator or the like) in order to avoid air contamination. Conditions such as the heating temperature and pressure may be appropriately set according to the material and thickness of the resin layer 26, but the pressure is 0 depending on the total number of interlayer connection protrusions B formed on the stacked body L. It is preferable to adjust in the range of 5-30 MPa. Thereby, the resin layer 26 and the metal foil 3 are deformed according to the surface shape of the stacked body L, and the cured resin layer 26 and the metal layer 27 are formed. After formation, the laminate is usually demolded, cooled, and the like.
[0050]
In the step (1d) of the present invention, as shown in FIG. 3 (8), the metal foil 3 is partially removed to expose the interlayer connection protrusion B. In the present embodiment, an example in which the protrusions of the metal foil 3 are physically removed to expose the interlayer connection protrusions B is shown. At that time, the portion where the upper surface of the interlayer connection protrusion B is higher than the upper surface of the metal foil 3 of the laminated body may be simultaneously removed and planarized.
[0051]
As a method for removing the convex portion, a method by grinding or polishing is preferable, a method using a grinding device having a hard rotating blade in which a plurality of hard blades made of diamond or the like are arranged in the radial direction of the rotating plate, a sander, a belt sander, Examples thereof include a method using a grinder, a surface grinder, a hard abrasive molded product, and the like. When the grinding device is used, the upper surface can be flattened by moving the hard rotary blade along the upper surface of the fixedly supported wiring board while rotating the hard rotary blade. Moreover, as a grinding | polishing method, the method of lightly grind | polishing by a belt sander, buff grinding | polishing, etc. is mentioned. When the convex portion is formed on the laminate as in the present invention, it becomes easy to grind only that portion, and the entire flattening can be performed more reliably.
[0052]
In step (1e) of the present invention, as shown in FIG. 3 (9), the exposed interlayer connection protrusion B and the surrounding metal foil 27 are electrically connected. In the present embodiment, an example in which the conductor layer 28 is formed by plating on substantially the entire surface of the metal layer 27 including the upper surface of the interlayer connection protrusion B is shown. As a result, the interlayer connection protrusion B and the metal layer 27 are conductively connected via the conductor layer 28 bonded to the upper surface of the interlayer connection protrusion B.
[0053]
Formation of the conductor layer 28 by plating can be performed by electroless plating, electrolytic plating, a combination of electroless plating and electrolytic plating, a combination of sputtering, vapor deposition, and electrolytic plating, or the like. However, in order to increase the reliability of the conductive connection, it is preferable to form by a combination of electroless plating and electrolytic plating. The thickness of the conductor layer 28 is preferably 1 to 30 μm.
[0054]
For the electroless plating, a plating solution such as copper, nickel, or tin is usually used. These metals may be the same as or different from the metal constituting the metal layer 27, and copper is preferable. Electroless plating solutions are well known for various metals, and various types are commercially available. In general, the liquid composition contains a metal ion source, an alkali source, a reducing agent, a chelating agent, a stabilizer, and the like. A plating catalyst such as palladium may be deposited prior to electroless plating. Electrolytic plating can also be performed by a known method.
[0055]
In the present invention, the conductor layer 28 and the metal layer 27 can be further etched to form a metal pattern. If the metals constituting the conductor layer 28 and the metal layer 27 are the same, etching can be performed at the same time, but if they are different, the etching may be performed sequentially.
[0056]
On the other hand, the multilayer wiring board of the present invention is characterized by comprising the above-mentioned interlayer connection structure between any one of the layers. In the illustrated example, a four-layer substrate in which the interlayer connection structure of the present invention is employed for the connection between the first layer and the second layer and the connection between the third layer and the fourth layer. Further, by forming a similar interlayer connection structure on the upper layer on both sides, a multilayer wiring board having a further multilayered structure can be formed. Moreover, the interlayer connection structure of the present invention can also be formed for the core substrate and the double-sided metal foil laminate.
[0057]
[Another Embodiment of the Present Invention]
Hereinafter, another embodiment of the present invention will be described.
[0058]
(1) In the above-described embodiment, an example in which a sheet material separate from the press surface is arranged has been described. However, a sheet material may be formed on the press surface in advance. At this time, the sheet material may be directly formed on the press surface, but the sheet material may be bonded using an adhesive or a pressure-sensitive adhesive. In addition, a release layer may be provided on the surface of the sheet material, and it is particularly preferable to use a silicone rubber sheet having excellent release properties and heat resistance. Furthermore, a release sheet may be used in combination, and examples of the release sheet include a fluororesin film, a silicone resin film, various release papers, a fiber reinforced fluororesin film, and a fiber reinforced silicone resin film.
[0059]
(2) In the above-described embodiment, the example of the method for forming the interlayer connection structure of the present invention on the wiring layer on which the interlayer connection protrusion is formed has been described. However, the wiring pattern is not formed or formed. The interlayer connection structure of the present invention can also be formed in the same manner as in the above-described embodiment even when the previous metal layer has an interlayer connection protrusion formed thereon. Even in that case, it can be carried out in the same process except that the laminated body to be used is different. What is obtained in this way can also be used as a double-sided metal foil laminate, and the above metal layer and metal foil can be simultaneously etched to form a pattern. In addition, the metal layer can be used as a ground layer or a power supply layer without pattern formation.
[0060]
(3) In the above-described embodiment, the example in which the conductor layer is formed by plating has been described. However, the conductive layer may be formed by applying a conductive paste, sputter deposition, vacuum deposition, or the like. Moreover, you may form a conductor layer combining these, electrolytic plating, etc.
[0061]
In the case of applying the conductive paste, it may be applied by screen printing, squeeze method or the like, and any conductive paste used for the wiring board can be used.
[0062]
(4) In the above-described embodiment, an example in which a core substrate having wiring layers formed on both sides is a laminated body and heat pressing is performed on the press surfaces on both sides in order to form an interlayer connection structure on both sides, An interlayer connection structure may be formed only on one side of the substrate. In that case, you may provide the press surface for a heating only in one side.
(5) In the above embodiment, the example in which the sheet material allowing the concave deformation is interposed between the press surface and the metal foil in the step (1c) is shown. By placing the protrusion, the protrusion may be formed on the metal foil at a position corresponding to the interlayer connection protrusion by heating press.
[0063]
For example, as shown in FIG. 4 (a), a recess 1a is formed on the press surface 1 at a position facing the interlayer connection protrusion B, or a plate for forming the recess as shown in FIG. 4 (b). 7 can be used.
[0064]
The opening shape and size of the recess 1a of the press surface 1 can be determined according to the shape and size of the interlayer connection protrusion B, and the opening area of the recess 1a is larger than the upper surface area of the interlayer connection protrusion B. preferable. Further, the depth of the recess 1a is preferably set so that the volume of the recess 1a is substantially the same as or larger than the volume of the interlayer connection protrusion B, and is substantially the same as the volume of the interlayer connection protrusion B. It is more preferable to set. Specifically, for example, the depth of the recess 1a is 5 μm or more, preferably 10 μm or more.
[0065]
Examples of the overall shape of the concave portion 1a on the press surface include a truncated cone, a cylinder, a square frustum, a quadrangular column, and the like, but it is preferable that the side wall is tapered like a truncated cone or a square frustum. Examples of the method for forming the recess 1a on the press surface 1 include half etching using an etching resist, casting, NC processing, and the like. In particular, it is advantageous in terms of accuracy and cost to perform half-etching using a pattern for forming the interlayer connection protrusion B.
[0066]
When the plate 7 is arranged, the plate 7 is provided with a through hole 7a at a position where the concave portion is formed. The material of the plate 7 may be metal or resin. Examples of the method for forming the through hole 7a include etching using an etching resist, half etching, casting, NC processing, punching, drilling, and the like. The plate 7 is appropriately aligned with the stacked body L.
[0067]
(6) In the above-described embodiment, an example in which a photomask that does not expose all interlayer connection protrusions is used to remove the resin on the upper surface of all interlayer connection protrusions. In order to remove the resin on the upper surface, a photomask that does not expose only some of the interlayer connection protrusions may be used. For example, a certain area (for example, 0.1 mm) 2 The exposure and development may be performed so that only the interlayer connection protrusions having the above are not exposed. This makes it possible to roughen the alignment accuracy (required in the case of a small diameter) while removing the resin on the upper surface of the large interlayer connection protrusion, which is likely to be a problem, and is a more practical manufacturing method.
[0068]
(Second Embodiment)
In the second embodiment, as shown in FIG. 5A, in the step (1a) of the present invention, at least the upper surface of the interlayer connection protrusion B is covered with the metal 25 different from the metal foil 3 to be laminated L. use. In this embodiment, it is sufficient that at least a part of the upper surface of the interlayer connection protrusion B is covered, and the entire upper surface of the interlayer connection protrusion B, the entire surface of the interlayer connection protrusion B, or the entire interlayer connection protrusion B and the wiring layer 22 are covered. It may be coated. Preferably, only the entire upper surface of the interlayer connection protrusion B is covered with the metal 25.
[0069]
As the metal 25 different from the metal foil 3, another metal exhibiting resistance when the metal foil 3 is etched can be used. Specifically, when the metal foil 3 is copper, as the metal 25, gold, silver, zinc, palladium, ruthenium, nickel, rhodium, a lead-tin solder alloy, a nickel-gold alloy, or the like is used. . However, the present invention is not limited to the combination of these metals, and any combination with another metal exhibiting resistance when the metal is etched can be used.
[0070]
As a method of covering the upper surface of the interlayer connection protrusion B with the metal 25, a plating resist having an opening only on the upper surface of the interlayer connection protrusion B is formed using dry film photoresist or a photosensitive resin, and then nickel is formed in the opening. A method of plating such as is preferable. Thereafter, the plating resist is removed.
[0071]
In the second embodiment, as shown in FIG. 5B, the resin layer 26 is formed so that the thickness of the resin layer 26 after drying is substantially the same as the upper surface of the interlayer connection protrusion B. Is preferred.
[0072]
As shown in FIGS. 5 (3) to 6 (5), the step (1b) can be performed in the same manner as in the first embodiment. However, the resin layer 26 is exposed and developed to form the interlayer connection protrusion B. When the resin 26a on the upper surface is removed, the surface of the stacked body L becomes substantially flat.
[0073]
In the step (1c), as shown in FIGS. 6 (6) to 7 (7), the metal foil 3 is laminated and integrated on the laminated body L from which the resin 26a has been removed, but the flat press surface 1 is used. It can be laminated and integrated by a hot press. As a result, the surface of the metal foil 3 becomes substantially flat.
[0074]
In the step (1d), as shown in FIG. 7 (8), the upper surface of the interlayer connection protrusion B covered by partially etching the metal foil 3 is exposed. As a result, the metal 25 covered with the interlayer connection protrusion B is exposed. At this time, the opening 27a may be formed by etching at least a portion of the metal layer 27 overlapping the upper surface of the interlayer connection protrusion B.
[0075]
As an etching method, dry etching is possible, but wet etching is preferable, and among them, a method using a photosensitive resin such as a dry film resist is more preferable. In the etching, the opening 27a is formed using an etching solution corresponding to the material of the metal foil 27. When the metal foil 27 is copper, examples of the etchant include commercially available alkaline etchants, chloride etchants, ammonium persulfate, hydrogen peroxide / sulfuric acid, and the like.
[0076]
After completion of the etching, the etching resist is removed as necessary, but may be appropriately selected according to the type of the etching resist, such as removal of chemicals and removal of peeling. For example, in the case of a dry film resist, it can be peeled off with, for example, methylene chloride for an organic solvent development type, and sodium hydroxide for an alkaline aqueous solution development type.
[0077]
In the step (1d) of the second embodiment, as shown in FIG. 7 (9), the metal connection 25 is further removed by selectively etching the metal 25 covered by the interlayer connection protrusion B. B may be exposed. At this time, the metal foil 27 becomes an etching resist.
[0078]
As an etching method, an etching method using an etching solution different from the etching of the metal foil 27 can be used. However, when a chloride etching solution is used, both the metal-based resist and copper are eroded. Is preferably used. Specifically, when the interlayer connection protrusion B and the metal foil 27 are copper and the metal 25 is the above-mentioned metal, acid-based nitric acid-based, sulfuric acid-based, cyan-based acid-based materials that are commercially available for solder peeling. It is preferable to use an etching solution or the like.
[0079]
In the second embodiment, as shown in FIG. 8 (10), the conductor layer 28 is then formed from the exposed upper surface of the interlayer connection protrusion B to at least the inner peripheral surface of the opening 27 a. In the present embodiment, an example is shown in which the conductor layer 28 is formed on the substantially entire surface of the metal foil 27 including the upper surface by plating. Thereby, the interlayer connection protrusion B and the metal foil 27 are conductively connected through the conductor layer 28a bonded to the upper surface, the conductor layer bonded to the inner peripheral surface of the opening 27a, and the surrounding conductor layer.
[0080]
The formation of the conductor layer 29 by plating can be performed by electroless plating or a combination of electroless plating and electrolytic plating. However, in order to improve the reliability of conductive connection, the conductive layer 29 is formed by a combination of electroless plating and electrolytic plating. It is preferable to do this. At that time, the thickness of the conductor layer 29 is preferably 1 to 50 μm.
[0081]
In the second embodiment, as shown in FIGS. 8 (11) to 8 (12), the conductor layer 28 and the metal foil 27 can be further etched to form a metal pattern. When the metals constituting the conductor layer 28 and the metal foil 27 are the same, etching can be performed at the same time, but when they are different, the etching may be performed sequentially.
[0082]
First, as shown in FIG. 8 (11), a dry film resist or the like is laminated, exposed according to the shape of the metal pattern, and developed to form an etching resist 30.
[0083]
Next, as shown in FIG. 8 (12), etching is performed using an etching solution according to the material of the conductor layer 28 and the metal foil 27 to form a metal pattern 27 b. Thereafter, the etching resist 30 is removed.
[0084]
(Method for Forming Interlayer Connection Structure of Another Invention)
The method for forming an interlayer connection structure according to another invention is a method for forming an interlayer connection structure in which wiring layers or metal layers formed above and below an insulating layer are connected to each other through interlayer connection protrusions. The step (2c) is included, and the point different from the above-described invention is that the metal foil is plated without being laminated. Hereinafter, the difference will be mainly described with reference to FIGS. 9 to 10.
[0085]
In the step (2a), as shown in FIGS. 9 (1) and (2), a resin layer 26 containing a photosensitive resin is formed on the surface of the stacked body L on which the interlayer connection protrusions B are formed. . The stacked body L and the resin layer 26 are the same as described above, and the upper surface of the interlayer connection protrusion B may be covered with a different metal. In addition, it is preferable to form the resin layer 26 so that the thickness of the resin layer 26 after drying is substantially the same height as the upper surface of the interlayer connection protrusion B. Specifically, ± 10 μm on the upper surface of the interlayer connection protrusion B is preferable, and ± 5 μm is more preferable. Thereby, the flatness can be further improved.
[0086]
In the step (2b), as shown in FIGS. 9 (3) to 10 (5), the resin layer 26 is exposed and developed to remove the resin 26a on the upper surface of the interlayer connection protrusion B. This process is also the same as described above, and when the resin 26a is removed, the surface of the stacked body L becomes substantially flat.
[0087]
In the step (2c), as shown in FIG. 10 (6), metal plating is performed on the region including at least the exposed interlayer connection protrusion B. In the present embodiment, an example in which plating is performed on the entire surface is shown, but a circuit pattern may be formed by pattern plating using a plating resist. When plating is performed on the entire surface, a pattern can be formed by etching. The step (2c) can be performed subsequent to the step (2b) when the resin layer 26 can obtain sufficient physical properties (strength, durability, etc.) by exposure.
[0088]
However, in this invention, the resin layer 26 contains a photopolymerizable resin and a thermosetting resin, and the resin layer 26 is heated and pressed between the step (2b) and the step (2c). It is preferable to include a step of flattening while thermosetting. By this heating press, the substrate surface can be further flattened, and physical properties such as strength and durability can be further improved.
[0089]
As a heating press method, a heating / pressurizing apparatus (thermal laminator, heating press) or the like may be used. In this case, the atmosphere may be set to a vacuum (vacuum laminator or the like) in order to avoid air contamination. Further, in order to improve the releasability with the resin layer 26, it is preferable to mirror-finish the perez surface or use a release sheet. Conditions such as heating temperature and pressure may be appropriately set according to the material and thickness of the resin layer 26.
[0090]
Further, buffing, sputter etching, plasma etching, or the like may be performed after the heating press. Thereby, the resin can be removed when the resin adheres to the upper surface of the interlayer connection protrusion B during the hot pressing or when the resin partially remains in the step (2b).
[0091]
As for other conditions, any of the contents of the invention described in the first embodiment or the second embodiment can be applied. Further, in order to improve the adhesion between the resin layer 26 and the metal plating, it is preferable that the resin layer 26 contains a roughening component, a filler or the like.
[0092]
(Other preferred embodiments)
In the present invention (including another invention), the alignment accuracy of the photomask used for exposure is important, and the importance increases particularly when the diameter of the interlayer connection projection is reduced. For this reason, the following method is effective as a method of relaxing the alignment accuracy.
[0093]
That is, the resin layer 26 is formed thicker (for example, +5 to +50 μm) than the height of the interlayer connection protrusion B, and as shown in FIG. A wide area portion (for example, 120 to 200% in area) is removed by exposure and development. Thereby, a concave portion of the resin layer 26 is formed around the interlayer connection protrusion B.
[0094]
After that, as shown in FIG. 11 (2), the concave portion of the resin layer 26 is formed by flattening while reducing the thickness of the resin layer 26 formed thicker than the height of the interlayer connection protrusion B by performing a heat press. Can be filled. By such a process, the alignment accuracy of the photomask can be relaxed while maintaining the flatness of the resin layer 26, which is a more practical process.
[0095]
【Example】
Examples and the like specifically showing the configuration and effects of the present invention will be described below.
[0096]
Preparation Example 1 (Synthesis of Photopolymerizable Resin Composition A-1)
Epicoat # 1004 (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., epoxy equivalent 960 g / eq) 960 parts by weight, acrylic acid 72 parts by weight, triethylamine 3.5 parts by weight, hydroquinone 0.7 parts by weight are dissolved in propylene glycol monomethyl ether 560 parts by weight. Then, 91 parts by weight of tetrahydrophthalic anhydride was reacted with the solution refluxed at 110 ° C. for 8 hours to obtain a resin composition (A-1) having a solid content of 60%.
[0097]
Preparation Example 2 (Synthesis of Epoxy Resin Composition A-2)
288 parts by weight of Epicoat # 1001 (manufactured by Japan Epoxy Resin, epoxy equivalent 480 g / eq) was dissolved in 192 parts by weight of propylene glycol monomethyl ether to obtain an epoxy resin composition (A-2) having a solid content of 60%.
[0098]
Preparation Example 3 (Preparation of mixed resin composition)
100 parts by weight of the resin composition (A-1) obtained in Preparation Example 1, 100 parts by weight of the epoxy resin composition (A-2), 5 parts by weight of Irgacure 907 (polymerization initiator manufactured by Ciba Specialty Chemicals), 1 part by weight of dicyandiamide, 1 part by weight of Kayacure DETX (Nippon Kayaku Co., Ltd. photopolymerization initiator), 5 parts by weight of PB-3600 (Daicel Chemical Industries) and some additives (Monsanto Modaflow) are mixed in a three-roll mill. The target composition (B-1) was obtained.
[0099]
Preparation Example 4
In a flask having a stirrer, 120 parts by weight of phenol novolak resin (Phenolite KA-7052, Dainippon Ink & Chemicals, hydroxyl equivalent 210), 185 parts by weight of epichlorohydrin, 188 parts by weight of methyl isobutyl ketone (MIBK), n-butanol After adding 74 parts by weight and stirring and dissolving, 440 parts by weight of a 20% aqueous sodium hydroxide solution was added dropwise at 80 ° C. over 3 hours, followed by stirring for 1 hour. After adding 400 parts by weight of MIBK, it is allowed to stand. After discarding the lower layer saline solution, 250 parts by weight of water and 2 parts by weight of sodium phosphate are added, neutralized and dehydrated. 130 parts by weight of resin (epoxy equivalent 210 g / eq) was obtained. 105 parts by weight of this epoxy resin and 32.4 parts by weight of acrylic acid were dissolved in 100 parts by weight of carbitol acetate and reacted under reflux to obtain a novolak-type epoxy acrylate, to which 46.2 parts by weight of hexahydrophthalic anhydride was added, The reaction was carried out under reflux until the acid value reached the theoretical value to obtain a reactive resin (A-3) having a solid content of 65%.
[0100]
In a mixture of 4.5 parts by weight of Solvesso # 150 (Shell Chemical Co., Ltd. solvent) and 5.0 parts by weight of carbitol acetate, 57 parts by weight of reactive resin (A-3), 4.0 parts by weight of dipentaerythritol hexaacrylate, 5 parts by weight of Irgacure 907 (polymerization initiator manufactured by Ciba Specialty Chemicals) and 1 part by weight of Kayacure DETX (photopolymerization initiator manufactured by Nippon Kayaku) were added and stirred. After adding 10 parts by weight of magnesium hydroxide and 1 part by weight of talc, 1 part by weight of Modaflow (leveling agent manufactured by Monsanto) and 0.5 part by weight of phthalocyanine blue (pigment) were added, and then TEPIC-S (Nissan Chemical Co., Ltd.) 10 parts by weight of epoxy resin) and 1 part by weight of dicyandiamide (curing accelerator) were added and stirred for 20 minutes, followed by mixing with a three roll mill to obtain the desired composition (B-2).
[0101]
Preparation Example 5
260 parts by weight of an epoxy resin (Epicron 8600, manufactured by Dainippon Ink, Inc., epoxy equivalent 260 g / eq), butadiene and acrylonitrile copolymer having an epoxy group at the molecular terminal (HYCARCTBN 1300 × 13 BF Goodrich Chemicals) 160 parts by weight, 485 parts by weight of a rubber-modified bisphenol A type epoxy vinyl ester resin obtained by reacting 65 parts by weight of acrylic acid, and 178 parts by weight of tetrahydrophthalic anhydride are reacted with 284 parts by weight of butyl carbitol acetate. Resin (A-4) (acid value 99 mg / KOH) having a solid content of 70% was obtained.
[0102]
50 parts by weight of this resin (A-4), 5 parts by weight of 2,2-dimethoxy-2-diphenylacetophenone, 15 parts by weight of Solvesso # 150 (solvent manufactured by Shell Chemical Co., Ltd.), 40 parts by weight of barium sulfate, cresol novolac type epoxy resin 15 parts by weight (Epiclon N-673, manufactured by Dainippon Ink and Co., Ltd.) and 5 parts by weight of butyl cellosolve acetate were mixed in a three-roll mill to obtain the desired composition (B-3).
[0103]
Example 1
The resin composition (B-1) obtained in Preparation Example 3 is applied to a substrate having metal bumps for interlayer bonding (height 80 μm, diameter 300 μm) with a curtain coater so that the coated surface is 20 μm lower than the bump height. After drying at 80 ° C. for 30 minutes with a dryer, the resin layer except for the portion directly above the bump was irradiated with light with a UV exposure machine. After removing the unirradiated portion with an alkali developing machine, a copper foil (thickness: 18 μm) is temporarily attached to the coated substrate, and a cushion sheet (film in which an acrylic resin is bonded to the polyethylene resin surface between the mirror surface plate and the copper foil) The sheet was pressed with a hot press machine at 170 ° C. for 1 hour with a thickness of 50 μm. The substrate having a convex shape directly above the bump was polished with a belt sander, the copper foil just above the bump was removed, and then the entire surface was subjected to copper plating (thickness 15 μm) by electroless plating and electrolytic plating.
[0104]
Example 2
The resin composition (B-1) obtained in Preparation Example 3 was applied to the same substrate as in Example 1 with a curtain coater so as to have the same thickness as the bump height, and dried with a dryer at 80 ° C. for 30 minutes. The resin layer except the bumps was irradiated with a UV exposure machine. After removing the unirradiated portion with an alkali developing machine, the surface was flattened by pressing with a hot press machine at 170 ° C. for 1 hour, and then the entire surface was subjected to copper plating (thickness 25 μm) by electroless plating and electrolytic plating.
[0105]
Example 3
Bump height is increased on a substrate having a metal bump (80 μm in height, 300 μm in diameter) for interlayer bonding in which the resin composition (B-1) obtained in Preparation Example 3 is previously coated with nickel plating (thickness: 5 μm) on the upper surface. The film was coated with a curtain coater so as to have the same thickness as that, and after drying at 80 ° C. for 30 minutes with a dryer, the resin layer except the bumps was irradiated with a UV exposure machine. After removing the unirradiated portion with an alkali developing machine, a copper foil (thickness: 18 μm) was temporarily attached to the coated substrate, and pressure-bonded with a hot press machine at 170 ° C. for 1 hour. Next, the surface of the copper foil is masked with an etching resist, the copper foil immediately above the bump is removed by alkaline etching, nickel is removed with an etching solution for removing the nitrate solder, and then the entire surface is subjected to electroless plating and electrolytic plating. Copper plating (thickness 15 μm) was performed.
[0106]
Example 4
The resin composition (B-1) obtained in Preparation Example 3 was coated on the same substrate as in Example 3 with a curtain coater so as to have the same thickness as the bump height, and then dried at 80 ° C. for 30 minutes with a dryer. The resin layer except for the portion directly above the bump was irradiated with light using a UV exposure machine. After removing the unirradiated part with an alkaline developer, press the surface with a hot press machine at 170 ° C for 1 hour to flatten the surface, and then remove nickel with an etching solution for removing the nitric acid solder. Copper plating (thickness 25 μm) was performed by plating and electrolytic plating.
[0107]
Comparative Example 1
In Example 1, a copper-plated substrate was produced in the same manner as in Example 1 except that the resin composition (B-1) was not exposed and developed.
[0108]
Evaluation test
Using the substrates obtained in the above Examples and Comparative Examples, the cross section was observed with an electron microscope, and the interlayer bonding state was evaluated from the presence or absence of the insulating resin on the bumps. Further, the flatness of the substrate was evaluated with a thickness meter. The results are shown in Table 1.
[0109]
[Table 1]
Figure 2005044899
As shown in the results of Table 1, in Comparative Example 1 in which the resin composition was not exposed and developed, the insulating resin sometimes remained on the pump, and the interlayer connectivity was not sufficient. On the other hand, in Examples 1-4 of this invention, it turned out that the insulation resin on a bump is removed completely by exposure and image development, and the reliability of interlayer connection increases.
[0110]
Example 5
In Examples 1 to 4, substrates were produced in the same manner as in Examples 1 to 4 except that the resin composition (B-1) was replaced with the resin composition (B-2). As a result, the insulating resin on the bumps was completely removed by exposure and development as in Examples 1 to 4.
[0111]
Example 6
In Examples 1 to 4, substrates were produced in the same manner as in Examples 1 to 4 except that the resin composition (B-1) was replaced with the resin composition (B-3). As a result, the insulating resin on the bumps was completely removed by exposure and development as in Examples 1 to 4.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a process chart showing an example of a first embodiment of a method for forming an interlayer connection structure according to the present invention.
FIG. 2 is a process chart showing an example of a first embodiment of a method for forming an interlayer connection structure according to the present invention.
FIG. 3 is a process chart showing an example of a first embodiment of a method for forming an interlayer connection structure according to the present invention.
FIG. 4 is a process chart showing another example of the first embodiment of the method for forming an interlayer connection structure of the present invention.
FIG. 5 is a process chart showing an example of a second embodiment of a method for forming an interlayer connection structure according to the present invention.
FIG. 6 is a process diagram showing an example of a second embodiment of a method for forming an interlayer connection structure according to the present invention.
FIG. 7 is a process chart showing an example of a second embodiment of a method for forming an interlayer connection structure according to the present invention.
FIG. 8 is a process chart showing an example of a second embodiment of a method for forming an interlayer connection structure according to the present invention.
FIG. 9 is a process diagram showing an example of a method for forming an interlayer connection structure according to another invention.
FIG. 10 is a process diagram showing an example of a method for forming an interlayer connection structure according to another invention.
FIG. 11 is a process diagram showing another example of a method for forming an interlayer connection structure according to another invention;
[Explanation of symbols]
1 Press surface
1a Concave part of press surface
2 Sheet material
3 Metal foil
10 Ground conductive layer
11 Protective metal layer
15 Photomask
21 Base material
22 Wiring layer
24 plating layer
25 Coated metal layer
26 Resin layer (insulating layer)
27 Metal layer (metal foil)
28 Conductor layer
B Interlayer connection protrusion
L Laminate

Claims (9)

絶縁層の上下に形成された配線層又は金属層が、層間接続突起を介して層間で接続された層間接続構造の形成方法であって、
（１ａ）前記層間接続突起が形成された被積層体の表面に感光性樹脂を含有する樹脂層を形成する工程、
（１ｂ）その樹脂層を露光・現像して前記層間接続突起の上面の樹脂を除去する工程、
（１ｃ）樹脂を除去した被積層体に金属箔を積層一体化する工程、
（１ｄ）前記金属箔を部分的に除去して前記層間接続突起を露出させる工程、及び
（１ｅ）露出した層間接続突起と周囲の金属箔とを電気的に接続する工程
を含む層間接続構造の形成方法。A method of forming an interlayer connection structure in which wiring layers or metal layers formed above and below an insulating layer are connected between layers via interlayer connection protrusions,
(1a) forming a resin layer containing a photosensitive resin on the surface of the layered body on which the interlayer connection protrusions are formed;
(1b) exposing and developing the resin layer to remove the resin on the upper surface of the interlayer connection protrusion;
(1c) A step of laminating and integrating a metal foil on the laminate from which the resin has been removed,
(1d) An interlayer connection structure including a step of partially removing the metal foil to expose the interlayer connection protrusion, and (1e) electrically connecting the exposed interlayer connection protrusion to a surrounding metal foil. Forming method. 前記（１ｃ）工程は、プレス面と前記金属箔との間に凹状変形を許容するシート材を介在させて、加熱プレスにより前記層間接続突起に対応する位置の金属箔に凸部を形成するものであり、
前記（１ｄ）工程は、この金属箔の凸部を物理的に除去して層間接続突起を露出させるものである請求項１記載の層間接続構造の形成方法。In the step (1c), a sheet material that allows concave deformation is interposed between the press surface and the metal foil, and a convex portion is formed on the metal foil at a position corresponding to the interlayer connection protrusion by heating press. And
The method for forming an interlayer connection structure according to claim 1, wherein in the step (1d), the protrusions of the metal foil are physically removed to expose the interlayer connection protrusions. 前記（１ａ）工程で、少なくとも層間接続突起の上面が前記金属箔と異なる金属で被覆された被積層体を使用すると共に、
前記（１ｄ）工程は、前記金属箔を部分的にエッチングして被覆された層間接続突起の上面を露出させる工程を含むものである請求項１記載の層間接続構造の形成方法。In the step (1a), at least an upper surface of the interlayer connection protrusion is used with a laminated body covered with a metal different from the metal foil,
2. The method for forming an interlayer connection structure according to claim 1, wherein the step (1d) includes a step of exposing an upper surface of an interlayer connection protrusion covered by partially etching the metal foil. 前記（１ｄ）工程は、更に、層間接続突起に被覆された金属を選択的にエッチングしてその金属が除去された層間接続突起を露出させる工程を含む請求項３記載の層間接続構造の形成方法。4. The method for forming an interlayer connection structure according to claim 3, wherein the step (1d) further includes a step of selectively etching the metal covered with the interlayer connection protrusion to expose the interlayer connection protrusion from which the metal has been removed. . 前記樹脂層が光重合性機能と熱硬化性機能を有するものである請求項１〜４いずれかに記載の層間接続構造の形成方法。The method for forming an interlayer connection structure according to claim 1, wherein the resin layer has a photopolymerizable function and a thermosetting function. 前記（１ｅ）は、少なくとも露出した層間接続突起と周囲の金属箔とに金属のメッキを行うものである請求項１〜５いずれかに記載の層間接続構造の形成方法。6. The method for forming an interlayer connection structure according to claim 1, wherein (1e) is to perform metal plating on at least the exposed interlayer connection protrusion and the surrounding metal foil. 絶縁層の上下に形成された配線層又は金属層が、層間接続突起を介して層間で接続された層間接続構造の形成方法であって、
（２ａ）前記層間接続突起が形成された被積層体の表面に感光性樹脂を含有する樹脂層を形成する工程、
（２ｂ）その樹脂層を露光・現像して前記層間接続突起の上面の樹脂を除去する工程、及び
（２ｃ）少なくとも露出した層間接続突起を含む領域に金属のメッキを行う工程を含む層間接続構造の形成方法。A method of forming an interlayer connection structure in which wiring layers or metal layers formed above and below an insulating layer are connected between layers via interlayer connection protrusions,
(2a) forming a resin layer containing a photosensitive resin on the surface of the laminated body on which the interlayer connection protrusions are formed;
(2b) An interlayer connection structure including a step of exposing and developing the resin layer to remove the resin on the upper surface of the interlayer connection protrusion, and (2c) a step of performing metal plating on a region including at least the exposed interlayer connection protrusion. Forming method. 前記樹脂層が光重合性機能と熱硬化性機能を有するものであり、前記（２ｂ）工程と前記（２ｃ）工程との間に、前記樹脂層を加熱プレスにより熱硬化させつつ平坦化する工程を含む請求項７記載の層間接続構造の形成方法。The resin layer has a photopolymerizable function and a thermosetting function, and the resin layer is planarized while being thermally cured by a hot press between the step (2b) and the step (2c). A method for forming an interlayer connection structure according to claim 7. 請求項１〜８いずれかに記載の層間接続構造の形成方法により形成された層間接続構造を何れかの層間に備える多層配線基板。A multilayer wiring board comprising an interlayer connection structure formed by the method for forming an interlayer connection structure according to claim 1 between any of the layers.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008235555A (en) * 2007-03-20 2008-10-02 Shinko Electric Ind Co Ltd Manufacturing method of electronic device, substrate, and semiconductor device
JP2013140940A (en) * 2011-12-30 2013-07-18 Kyokutoku Kagi Kofun Yugenkoshi Package carrier and manufacturing method thereof
CN114174456A (en) * 2019-07-26 2022-03-11 德莎欧洲股份公司 Method for sheathing an elongated object, in particular a wire

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008235555A (en) * 2007-03-20 2008-10-02 Shinko Electric Ind Co Ltd Manufacturing method of electronic device, substrate, and semiconductor device
JP2013140940A (en) * 2011-12-30 2013-07-18 Kyokutoku Kagi Kofun Yugenkoshi Package carrier and manufacturing method thereof
US9330941B2 (en) 2011-12-30 2016-05-03 Subtron Technology Co., Ltd. Package carrier and manufacturing method thereof
CN114174456A (en) * 2019-07-26 2022-03-11 德莎欧洲股份公司 Method for sheathing an elongated object, in particular a wire
CN114174456B (en) * 2019-07-26 2023-08-15 德莎欧洲股份公司 Method for wrapping elongated objects, in particular wires

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