JP2005039141A - 光学モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】
高周波駆動しても浮遊容量の発生しない光学モジュールを提供すること。
【解決手段】
本発明にかかる光学モジュールは、基板と、基板の上面の一端部から中央部にかけて形成されたレンズ及び/又は光導波体を配置するための搭載溝と、基板の上面の中央部から他端部にかけて形成された表面導体層と、表面導体層に配置された素子と、基板の下面に形成された裏面導体層とを有するものである。さらに、表面導体層と裏面導体層を電気的に導通させる導体層接続部を備えるものである。
【選択図】 図1
高周波駆動しても浮遊容量の発生しない光学モジュールを提供すること。
【解決手段】
本発明にかかる光学モジュールは、基板と、基板の上面の一端部から中央部にかけて形成されたレンズ及び/又は光導波体を配置するための搭載溝と、基板の上面の中央部から他端部にかけて形成された表面導体層と、表面導体層に配置された素子と、基板の下面に形成された裏面導体層とを有するものである。さらに、表面導体層と裏面導体層を電気的に導通させる導体層接続部を備えるものである。
【選択図】 図1
Description
本発明は、レンズ及び/又は光導波体を配置するための搭載溝を有する光学モジュールに関する。
近年、ブロードバンド通信の高速化、大容量化に伴い、従来のメタリックケーブル等に代わり光ファイバーを用いた通信が普及し始めている。光ファイバーを用いた通信では、伝送損失の低減などのため、光学素子と光学レンズ及び光ファイバーを正確な位置で固定し接続できる光学モジュールが使われている。
従来の光学モジュールとして、例えば、図7に示すものが知られている。ここで、図7(a)は上面図、図7(b)は断面図、図7(c)は下面図、図7(d)は図7(b)のB矢視図を示している。
図7において、71は基板、72は光学レンズを配置するためのレンズ溝、73は上面GND(グラウンド)部、74は発光素子であるLD(レーザーダイオード)や受光素子であるPD(フォトダイオード)等の光学素子、75は裏面GND部を示している。
この光学モジュールでは、例えば、光学素子74をLDとして、10GHz等の高周波で駆動させた場合、表面GND部73と裏面GND部75の間の基板72内部が、浮遊容量をもつコンデンサとして働き、電気信号にノイズがのるなど、高周波駆動の妨げとなっていた。
尚、従来の光学モジュールとして特許文献1が知られている。
このように、従来の光学モジュールでは、高周波駆動した場合、基板内部に浮遊容量が発生するという問題点があった。
本発明は、このような問題点を解決するためになされたもので、高周波駆動しても浮遊容量の発生しない光学モジュールを提供することを目的とする。
本発明にかかる光学モジュールは、基板と、前記基板の上面の一端部から中央部にかけて形成されたレンズ及び/又は光導波体(例えば、光ファイバ)を配置するための搭載溝と、前記基板の上面の中央部から他端部にかけて形成された表面導体層と、前記表面導体層の上に配置された素子(例えば、LDやPD)と、前記基板の下面に形成された裏面導体層とを有する光学モジュールであって、前記表面導体層と前記裏面導体層を電気的に導通させる導体層接続部を備えるものである。これにより、基板内部に浮遊容量が発生することを防ぐことができる。
上述の光学モジュールにおける前記導体層接続部は、導線であってもよい。これにより、既存の光学モジュールに容易に前記導体接続部を形成することができる。
上述の光学モジュールにおける前記導体層接続部は、前記表面導体層及び前記裏面導体層と同じ材料であってもよい。これにより、前記表面導体層及び前記裏面導体層と同じ製造工程で前期導体層接続部を形成することができる。もちろん、前記導体層接続部は、前記表面導体層及び前記裏面導体層と異なった材料であってもよい。
上述の光学モジュールにおける前記導体層接続部は、薄膜金属であってもよい。これにより、貫通穴などの表面にも、容易に前記導体層接続部を形成することができる。
上述の光学モジュールにおける前記導体層接続部は、前記基板の他端面の全体もしくは、一部に形成されていてもよい。これにより、浮遊容量の発生を、さらに効率よく防止することができる。
上述の光学モジュールにおける前記導体層接続部は、貫通穴の内側面に形成されていてもよい。
上述の光学モジュールにおける前記基板は、電気抵抗率が10Ωcm以下であってもよい。
本発明によれば、高周波駆動しても浮遊容量の発生しない光学モジュールを提供することができる。
本発明の実施の形態1.
まず、図1を用いて、本発明の実施の形態1にかかる光学モジュールの構成について説明する。ここで、図1(a)は上面図、図1(b)は断面図、図1(c)は下面図、図1(d)は図1(b)のB矢視図を示している。図1に示されるように、この光学モジュールは、基板11、基板11の上面の一端部から中央部にかけて形成されたレンズ溝12、基板11の上面に他端部から中央部にかけて形成された表面GND部13、基板11の上面の中心部に位置し表面GND部13の上に配置された光学素子14、基板11の下面の全体に形成された裏面GND部15及び基板11のB矢視される他端面の一端部に形成されたGND接続部16により構成されている。また、表面GND部13や裏面GND部15の上にさらに他の素子などが配置されていてもよい。
まず、図1を用いて、本発明の実施の形態1にかかる光学モジュールの構成について説明する。ここで、図1(a)は上面図、図1(b)は断面図、図1(c)は下面図、図1(d)は図1(b)のB矢視図を示している。図1に示されるように、この光学モジュールは、基板11、基板11の上面の一端部から中央部にかけて形成されたレンズ溝12、基板11の上面に他端部から中央部にかけて形成された表面GND部13、基板11の上面の中心部に位置し表面GND部13の上に配置された光学素子14、基板11の下面の全体に形成された裏面GND部15及び基板11のB矢視される他端面の一端部に形成されたGND接続部16により構成されている。また、表面GND部13や裏面GND部15の上にさらに他の素子などが配置されていてもよい。
基板11の材料は、基板11の表面に図に示す構成を形成できるものであればよく、SiやGaS等の半導体でもよいし、セラミック等でもよい。また、基板11の電気抵抗率は、10Ωcm以下であることが好ましいが、10Ωcmより大きくてもよい。
レンズ溝12は、図に示すように台形状の溝であり、光学レンズを固定して配置するものである。また、レンズ溝12は、光ファイバーを配置してもよいし、光学レンズと共に光ファイバーを配置してもよい。レンズ溝12は、凹型でもよいし、V字状の溝でもよい。レンズ溝12に配置される光学レンズは、例えば、非球面相面レンズやコリメーターレンズなどのガラス成形レンズでもよい。尚、レンズ溝12の傾斜Θは、光学レンズを正確な位置に配置するため、54.7°であることが好ましい。
表面GND部13は、表面GND部13の上に配置された光学素子14等と接続されており、光学素子14等にグラウンド電位や電源を供給する。また、表面GND部13は、GND接続部16とも接続されている。例えば、グラウンド電位にするためには、さらに大地とも接続されている。表面GND部13は、ヒートシンクとして用いられてもよい。表面GND部13は、例えば、Ti/Pt/AuやNi/Auなどの多層構造を有するように、スパッタ等により蒸着されてもよい。
光学素子14は、例えば、1GHzから10GHzなどの高周波で動作可能なLD又はPDである。光学素子14は、表面GND部13と接続され、さらに、電極が接続されていてもよい。例えば、光学素子14がLDであれば、電極を通して電気信号がLDに入力され、LDにより当該電気信号が光に変換され、レンズ溝12に配置された光学レンズを通して当該光が出力される。また、光学素子14がPDであれば、レンズ溝12に配置された光学レンズを通して光がPDに入力され、PDにより当該光が電気信号に変換され、電極を通して当該電気信号が出力される。
裏面GND部15は、表面GND部13と同様に、グラウンド電位や電源を供給するものであり、GND接続部16とも接続されている。裏面GND部15の材料は、表面GND部13と同じ材料でもよいし、違う材料としてもよい。例えば、表面GND部13をTi/Pt/Auとし、裏面GND部15をCr/Auとしてもよい。また、裏面GND部15は、表面GND部13と対向して形成されていればよく、基板11の下面全体に限らず、表面GND部13と同じ大きさや、表面GND部13より小さい形状でもよい。
GND接続部16は、表面GND部13及び裏面GND部15と接続され、表面GND部13と裏面GND部15を同じ電位とし浮遊容量を防ぐものである。GND接続部16の材料は、表面GND部13及び裏面GND部15と同様でもよいし、表面GND部13もしくは裏面GND部15と同様でもよく、無電解メッキ、あるいはリード線やワイヤー等の導線でもよい。表面GND部13と同様の場合は、例えば、スパッタにより表面GND部13及び裏面GND部15と同時に形成される。また、導線の場合は、例えば、表面GND部13及び裏面GND部15と、はんだ等により接続される。GND接続部16は、表面GND部13及び裏面GND部15と接続されていればよく、図示した位置に限らず、基板11の他端面の中央部でもよいし、さらに他の側面でもよい。基板11の上面あるいは下面と垂直ではなく、斜めに形成されてもよい。また、GND接続部16は、1箇所ではなく複数の箇所に形成されていてもよい。
このような構成により、浮遊容量の発生を防ぐことができ、高周波による駆動が可能となる。
本発明の実施の形態2.
次に、図2を用いて、本発明の実施の形態2にかかる光学モジュールの構成について説明する。ここで、図2(a)は上面図、図2(b)は断面図、図2(c)は下面図、図2(d)は図2(b)のB矢視図を示している。図2において、図1と同様の符号を付された要素は、図1と同様の要素である。図2に示されるように、この光学モジュールは、図1の光学モジュールに加えて、基板11の他端面の上角部21a及び下角部21bを面取りしたものである。
次に、図2を用いて、本発明の実施の形態2にかかる光学モジュールの構成について説明する。ここで、図2(a)は上面図、図2(b)は断面図、図2(c)は下面図、図2(d)は図2(b)のB矢視図を示している。図2において、図1と同様の符号を付された要素は、図1と同様の要素である。図2に示されるように、この光学モジュールは、図1の光学モジュールに加えて、基板11の他端面の上角部21a及び下角部21bを面取りしたものである。
上角部21a及び下角部21bは、角を面取り加工されていればよく、基板11の上面及び下面に対し斜めの平面状でもよいし、角を基板11の外側方向あるいは内側方向に円弧状としてもよい。また、基板11の他端面ではなく、例えば図2(d)の右側面や左側面の上角部及び下角部を面取りし、GND接続部を形成してもよい。
GND接続部16は、図1と比べて、基板11の他端の側面全体に形成されていることを特徴とする。GND接続部16の面積が広いため、表面GND部13と裏面GND部15がより導通し易くなり、浮遊容量の発生をさらに抑えることができる。
本発明の実施の形態3.
続いて、図3を用いて、本発明の実施の形態3にかかる光学モジュールの製造方法について説明する。
続いて、図3を用いて、本発明の実施の形態3にかかる光学モジュールの製造方法について説明する。
まず、図3(a)に示すように、Si等からなる基板301の表面に熱酸化等によりSiO2膜302を形成し、さらに、基板301の上面に、レンズ溝となる開口部304及び貫通穴の上凹部となる開口部305の領域を形成するように、レジスト303を塗布する。ここで、SiO2膜302の厚さは、1μmから2μmの範囲であることが好ましいが、これ以外の厚さでもよい。
次に、図3(b)に示すように、レンズ溝306及び貫通穴の上凹部307aをエッチングにより形成する。このとき、ICP(誘導結合プラズマ)エッチングなどのドライエッチングにより、図3(a)の開口部304及び開口部305のSiO2膜302を除去し、KOH(水酸化カリウム)エッチングなどのウェットエッチングにより、レンズ溝306及び貫通穴の上凹部307aの形状に、基板301を溶解し削り取ってもよい。
そして、図3(c)に示すように、レンズ溝306及び貫通穴の上凹部307aに熱酸化等を用いてSiO2膜302を形成する。このSiO2膜302により、ウェットエッチング等による基板301の溶解を防ぐことができる。
続いて、図3(d)に示すように、基板301の下面に、貫通穴の下凹部となる開口部309の領域を形成するように、レジスト308を塗布する。
さらに、図3(e)に示すように、貫通穴の下凹部307bをエッチングにより形成する。このとき、ICPエッチングなどのドライエッチングにより、図3(d)の開口部309のSiO2膜302を除去し、KOHエッチングなどのウェットエッチングにより、貫通穴の下凹部307bの形状に、基板301を溶解し削り取ってもよい。
尚、図3(a)と図3(d)及び図3(b)と図3(e)を同時に行い、貫通穴の上凹部307aと下凹部307bを同時に形成してもよい。同時に形成することにより、製造工程を短縮することができる。
そして、図3(f)に示すように、貫通穴の上凹部307aの下面と貫通穴の下凹部307bの上面を、HF(フッ酸)等により除去して貫通させ、貫通穴310を形成する。このとき、SiO2膜302も同時に除去する。図に示す310aは貫通穴310の上部、310bは貫通穴310の下部を示している。
最後に、図3(g)に示すように、基板301の上面及び下面をスパッタにより、表面GND部311及び裏面GND部312を形成する。ここで、同時に、貫通穴310の表面全体にGND接続部が形成され、表面GND部311及び裏面GND部312が導通する。ウェットエッチングを用いることにより、貫通穴310の上部310a及び下部310bが基板301の上面及び下面に対し斜めに形成されているため、スパッタにより貫通穴310の表面に容易に成膜することができる。また、表面GND部311及び裏面GND部312は、例えば、Ti/Pt/Auでもよい。
このような製造方法により、浮遊容量が発生せず、高周波による駆動が可能な光学モジュールを製造することができる。
図4を用いて、本発明の実施の形態3にかかる光学モジュールの構成について説明する。図4は、光学モジュールの上面図であり、図3と同様の符号を付された要素は、図3と同様の要素である。図4において、401は光学素子、402は光学レンズを示している。この光学モジュールは、図3の製造方法により製造されたものの一例である。また、貫通穴310は、図示した位置に限らず、表面GND部311及び下面GND部と接していれば、他の位置でもよい。
本発明の実施の形態4.
図5を用いて、本発明の実施の形態4にかかる光学モジュールの構成について説明する。図5は、光学モジュールの上面図であり、図3又は図4と同様の符号を付された要素は、図3又は図4と同様の要素である。図5(a)は、図4と同様に図3の製造方法により製造された光学モジュールの一例である。この光学モジュールは、貫通穴310が、基板301の幅方向全体に形成されていることを特徴としている。図5(b)は、図5(a)の貫通穴310の両端を切断したものである。この光学モジュールは、図2で示した光学モジュールと同様の構成であることがわかる。
図5を用いて、本発明の実施の形態4にかかる光学モジュールの構成について説明する。図5は、光学モジュールの上面図であり、図3又は図4と同様の符号を付された要素は、図3又は図4と同様の要素である。図5(a)は、図4と同様に図3の製造方法により製造された光学モジュールの一例である。この光学モジュールは、貫通穴310が、基板301の幅方向全体に形成されていることを特徴としている。図5(b)は、図5(a)の貫通穴310の両端を切断したものである。この光学モジュールは、図2で示した光学モジュールと同様の構成であることがわかる。
従って、図3の製造方法により、図4のような貫通穴を有する光学モジュールを製造することができるし、さらに切断することにより、図2のような面取りされた角を有する光学モジュールを製造することもできる。
本発明の実施の形態5.
図6を用いて、本発明の実施の形態5にかかる光学モジュールの製造方法について説明する。
図6を用いて、本発明の実施の形態5にかかる光学モジュールの製造方法について説明する。
まず、図6(a)に示すように、Si等からなる基板601の上面に、貫通穴となる開口部603の領域を形成するように、メタルマスク602を形成する。メタルマスク602は、例えば、Al、Cr、Niを含んでいる。このメタルマスク602により、ドライエッチングにより基板301が溶解するのを防ぐことができる。また、メタルマスク602ではなく、レジストを用いてもよい。レジストを用いる場合は、貫通穴を形成するためのドライエッチングに耐えうる厚さが必要である。
次に、図6(b)に示すように、反応性イオンエッチング(RIE)などのドライエッチングにより、貫通穴604を形成する。図3の製造方法では、基板301の上面と下面の両方から、ウェットエッチングにより、貫通穴310を形成したが、図6の製造方法では、基板601の上面のみから、ドライエッチングにより、貫通穴604を形成する。また、ドライエッチングを用いることにより、基板601の上面及び下面と垂直方向に、貫通穴604を形成することができる。
続いて、図6(c)に示すように、メタルマスク602を除去した後、熱酸化等により基板601の表面にSiO2膜605を形成する。そして、図6(d)に示すように、基板601の上面及び下面に、レジスト606を塗布する。このレジスト606は、リンを含んでいてもよい。このとき、貫通穴604の表面及び開口部には、触媒核を付着させるためレジスト606を塗布しない。
その後、図6(e)に示すように、基板601の上面、下面及び貫通穴604の面に、触媒核607を付着させる。この触媒核607は、無電解メッキの触媒となるものであり、例えば、パラジウムなどである。
さらに、図6(f)に示すように、レジスト606を除去し、貫通穴604の表面及び開口部に触媒核607が残るようにする。続いて、図6(g)に示すように、触媒核607に対し無電解メッキにより成膜し、貫通穴604の表面及び開口部にメッキ膜608を形成する。このメッキ膜608は、例えば、Ni、Au、Cuを含んでいる。
そして、図6(h)に示すように、KOHエッチングなどのウェットエッチングにより、レンズ溝609を形成する。このとき、例えば、図3(a)及び図3(b)と同様に、基板601の表面にレジストを塗布した後、ウェットエッチングを行ってもよい。また、レンズ溝609は、図3のレンズ溝306と同様の形状としてもよい。尚、図6(a)の前に、あらかじめレンズ溝609を形成しておいてもよい。
最後に、図6(i)に示すように、基板601の上面及び下面をスパッタにより、表面GND部610及び裏面GND部611を形成する。表面GND部610及び裏面GND部611は、例えば、Ti/Pt/Auでもよい。このとき、例えば、図3(f)及び図3(g)と同様に、HF等によりSiO2膜605を除去した後、スパッタを行ってもよい。ここで、表面GND部610及び裏面GND部611は、メッキ膜608と接するように形成されることにより、導通可能となる。
このような製造方法により、図3と同様に、浮遊容量が発生せず、高周波による駆動が可能な、図2や図4、図5等の光学モジュールを製造することができる。
尚、上述の例では、基板にレンズが搭載された構成で説明されているが、レンズ及びレンズ搭載用基板は、必ずしも、LDもしくはPD、及びLD、PDを搭載した基板と一体となっていなくてもよい。また、上述の例では、表面GND部が形成された構成について述べたが、表面GND部と同時にLD、PDを駆動するための配線や抵抗が同時に形成されていてもよい。
11 基板
12 レンズ溝
13 表面GND部
14 光学素子
15 裏面GND部
16 GND接続部
12 レンズ溝
13 表面GND部
14 光学素子
15 裏面GND部
16 GND接続部
Claims (7)
- 基板と、
前記基板の上面の一端部から中央部にかけて形成されたレンズ及び/又は光導波体を配置するための搭載溝と、
前記基板の上面の中央部から他端部にかけて形成された表面導体層と、
前記表面導体層の上に配置された素子と、
前記基板の下面に形成された裏面導体層とを有する光学モジュールであって、
前記表面導体層と前記裏面導体層を電気的に導通させる導体層接続部を備えた光学モジュール。 - 前記導体層接続部は、導線であることを特徴とする請求項1記載の光学モジュール。
- 前記導体層接続部は、前記表面導体層及び前記裏面導体層と同じ材料であることを特徴とする請求項1記載の光学モジュール。
- 前記導体層接続部は、薄膜金属であることを特徴とする請求項1記載の光学モジュール。
- 前記導体層接続部は、前記基板の他端面の全体もしくは、一部に形成されていることを特徴とする請求項3又は4記載の光学モジュール。
- 前記導体層接続部は、貫通穴の内側面に形成されていることを特徴とする請求項1記載の光学モジュール。
- 前記基板は、電気抵抗率が10Ωcm以下であることを特徴とする請求項1乃至6記載の光学モジュール。
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