JP2005033118A - System and method for purging - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体、フラットパネルディスプレイ用のパネル、光ディスク等、高清浄な環境下にてそのプロセスが行われる物品の製造工程において、当該物品収容のために用いられる製品収容容器に関する。より詳細には、前述の物品、主として300mm径の半導体用ウエハの処理工程においてこれを被収容物として用いられる、いわゆるFOUP(front-opening unified pod)における、その内部の清浄化方法に関するものである。 The present invention relates to a product container used for housing an article in a manufacturing process of an article such as a semiconductor, a panel for a flat panel display, an optical disk or the like, which is processed in a highly clean environment. More specifically, the present invention relates to a method for cleaning the interior of a so-called FOUP (front-opening unified pod), which is used as an object to be contained in the processing step of the above-described article, mainly a 300 mm semiconductor wafer. .
これまで、半導体デバイスの製造工程では、ウエハに対して各種処理を施すための工場全体をクリーンルーム化するで、求められるプロセス中の高清浄化に対応していた。しかし、ウエハの大径化に伴って、この様な対処では構成上環境を得ることがコスト等において問題となり、ここ数年、各処理装置各々に対して高清浄度に保ったミニエンバイロンメント(微小環境)空間を確保する手段がとられている。 Up to now, in the manufacturing process of semiconductor devices, the entire factory for performing various processes on wafers has been converted into a clean room, which corresponds to the high cleanliness required in the process. However, as the diameter of the wafer increases, it is a problem in terms of cost to obtain a configuration environment in such a countermeasure, and in the past few years, a mini-environment (highly clean for each processing apparatus) ( Microenvironment) means to secure the space.
具体的には工場全体の清浄度を高めるのではなく、製造工程内における各処理装置内およびその間の移動中における保管用容器(以下、ポッドと呼ぶ)内のみを高清浄度に保つこととしている。このポッドを、上述のごとくFOUPと総称している。この様に、わずかな空間のみを高清浄化することで、工場全体をクリーンルーム化した場合と同じ効果を得て設備投資や維持費を削減して効率的な生産工程を実現している。 Specifically, it does not increase the cleanliness of the whole factory, but keeps only the inside of each processing apparatus in the manufacturing process and the storage container (hereinafter referred to as a pod) during the movement at a high cleanliness. . As mentioned above, this pod is collectively called FOUP. In this way, by purifying only a small space with high cleanliness, the same effect as when the entire factory is converted to a clean room is obtained, and the capital investment and maintenance costs are reduced to realize an efficient production process.
以下、実際に用いられる、いわゆるミニエンバイロメント方式に対応した半導体処理装置等について簡単に説明する。図8は半導体ウエハ処理装置50の全体を示している。半導体ウエハ処理装置50は、主にロードポート部51、搬送室52、および処理室59から構成されている。それぞれの接合部分は、ロードポート側の仕切り55aおよびカバー58aと、処理室側の仕切り55bおよびカバー58bとにより区画されている。半導体ウエハ処理装置50における搬送室52では塵を排出して高清浄度を保つ為、その上部に設けられたファン(不図示)により搬送室52の上方から下方に向かって空気流を発生させている。これで塵は常に下側に向かって排出されることになる。
Hereinafter, a semiconductor processing apparatus and the like corresponding to a so-called mini-environment method that is actually used will be briefly described. FIG. 8 shows the entire semiconductor
ロードポート部51上には、シリコンウエハ等(以下、単にウエハと呼ぶ)の保管用容器たるポッド2が台53上に据え付けられる。先にも述べたように、搬送室52の内部はウエハ1を処理する為に高清浄度に保たれており、更にその内部にはロボットアーム54が設けられている。このロボットアーム54によって、ウエハはポッド2内部と処理室59の内部との間を移送される。処理室59には、通常ウエハ表面等に薄膜形成、薄膜加工等の処理を施すための各種機構が内包されているが、これら構成は本発明と直接の関係を有さないためにここでの説明は省略する。
On the
ポッド2は、被処理物たるウエハ1を内部に収めるための空間を有し、いずれか一面に開口部を有する箱状の本体部2aと、該開口部を密閉するための蓋4とを備えている。本体部2aの内部にはウエハ1を一方向に重ねる為の複数の段を有する棚が配置されており、ここに載置されるウエハ1各々はその間隔を一定としてポッド2内部に収容される。なお、ここで示した例においては、ウエハ1を重ねる方向は、鉛直方向となっている。搬送室52のロードポート部51側には、開口部10が設けられている。開口部10は、ポッド2が開口部10に近接するようにロードポート部51上で配置された際に、ポッド2の開口部と対向する位置に配置されている。また、搬送室52には内側における開口部10付近には、後述するオープナ3が設けられている。
The
図9Aおよび9Bは、従来の装置におけるオープナ3部分を拡大した側断面図および搬送室52側からオープナ3見た正面図をそれぞれ示している。図10は、オープナ3を用いてポッド2から蓋4を取り外した状態についてその側断面概略を示している。オ−プナ3は、ドア6とドアアーム42とを備えている。ドア6には固定部材46が取り付けられており、ドア6は、当該固定部材46を介してドアアーム42の一端に対して回動可能に連結されている。ドアアーム42の他端は、エアー駆動式のシリンダ31の一部であるロッド37の先端部に対して、枢軸40を介して、当該枢軸40に対して回転可能に支持されている。
9A and 9B show an enlarged side cross-sectional view of an
ドアアーム42の該一端と該他端との間には、貫通穴が設けられている。当該穴と、オープナ3を昇降させる可動部56の支持部材60に固定される固定部材39の穴とを不図示のピンが貫通することにより、支点41が構成されている。従って、シリンダ31の駆動によるロッド37の伸縮に応じて、ドアアーム42は支点41を中心に回動可能となる。ドアアーム42の支点41は、昇降が可能な可動部56に設けられる支持部材60に固定されている。ドア6は保持ポート11aおよび11bを有していて、ポッド2の蓋4を真空吸着で保持できる。
A through hole is provided between the one end and the other end of the
これら構成によってウエハ1の処理を行う際には、まず搬送室開口部10に近接するように台53上に配置して、ドア6により蓋4を保持する。そしてシリンダ31のロッドを縮めるとドアアーム42が支点41を中心に搬送室開口部10から離れるように移動する。この動作によりドア6は蓋4とともに回動して蓋4をポッド2から取り外す。その状態が図10に示されている。その後、可動部56を下降させて蓋4を所定の待避位置まで搬送する。
When processing the
通常、ウエハ等を収容した状態でのポッド2の内部は、高清浄に管理された乾燥窒素等によって満たされており、汚染物質、酸化性のガス等のポッド内部への侵入を防止している。しかしながら、このポッドは処理室を経た後のウエハも収容することから、処理室等にて汚染物質等がウエハに付着し、これがポッド内部に持ち込まれる場合が考えられる。この様な汚染物質等が次の処理室にまで持ち込まれた場合、この処理室を経ることにより本来為されるべき所望のウエハ処理が行われない場合も生じえる。このため、ウエハをポッドから搬送室に移す際に、これら汚染物質等を除去する必要がある。
Normally, the inside of the
従来のFOUPにおいては、当該要求に対応するために、パージ用のガスをポッド内部に導入するための給気孔および排出するための排気孔が、その底部に設けられている。これら給気および排気孔は、当該ポッドを載置する支持台に設けられたパージガス用の給気孔および排気孔と、それぞれ接続される。実際の操作としては、これら給気孔を介して、支持台側から、高清浄に管理された高圧ガスをポッド内部に導入する。同時に、ポッド内部に存在していたガスおよび汚染物質等を、これら排気孔を介してポッド外部に排出する。当該操作によって、ポッド内部に持ち込まれた汚染物質等の除去を行っていた。 In the conventional FOUP, in order to meet the demand, an air supply hole for introducing purge gas into the pod and an exhaust hole for discharging are provided at the bottom. These air supply and exhaust holes are respectively connected to an air supply hole and an exhaust hole for purge gas provided on a support base on which the pod is placed. As an actual operation, high-pressure gas controlled to be highly clean is introduced into the pod from the support base side through these air supply holes. At the same time, gas, contaminants, and the like that existed inside the pod are discharged to the outside of the pod through these exhaust holes. By this operation, the contaminants brought into the pod were removed.
しかし、単にポッド底部から高圧ガスを導入するだけでは、ガス流は通過が容易なウエハ外周近傍を主として通過すると考えられる。従って、微小間隔を保って保持される個々のウエハの上下面に対して充分な流速を有したガスを通過させることは困難と思われる。しかし、汚染物質等は、ウエハ上面或いは下面に主に付着しており、従来の方式では汚染物質等の充分な除去は困難と思われる。 However, it is considered that the gas flow mainly passes through the vicinity of the outer periphery of the wafer, which is easy to pass by simply introducing high-pressure gas from the bottom of the pod. Therefore, it seems difficult to pass a gas having a sufficient flow rate with respect to the upper and lower surfaces of individual wafers held at minute intervals. However, contaminants and the like are mainly attached to the upper surface or the lower surface of the wafer, and it is considered difficult to sufficiently remove the contaminants and the like by the conventional method.
ウエハに付着した汚染物質を確実に除去するための方法として、[特許文献1]に開示される方法が提案されている。当該方法においては、搬送室とは別個に、オープナを収容する空間が設けられている。当該空間は、ポッドの開口部の正面上方に位置する部分に、ガス供給口を有している。このガス供給口からポッド内部に向けて清浄ガスを供給し、ポッド内部を循環してポッド下部から当該空間に流出した当該清浄ガスを、当該空間下部から排気している。以上の構成を用いて、ポッド内部に清浄ガスを循環させることによって、従来の方法と比較して、より確実な汚染物質等の除去を行えるようにしている。 As a method for reliably removing contaminants attached to the wafer, a method disclosed in [Patent Document 1] has been proposed. In this method, a space for accommodating the opener is provided separately from the transfer chamber. The space has a gas supply port in a portion located in front of the opening of the pod. Clean gas is supplied from the gas supply port toward the inside of the pod, and the clean gas that circulates inside the pod and flows out from the lower part of the pod to the space is exhausted from the lower part of the space. By using the above configuration and circulating a clean gas inside the pod, it is possible to remove contaminants and the like more reliably than in the conventional method.
また、[特許文献2]には、ポッド内部に保持されたウエハ個々の間に対して、清浄ガスを導入する方法が開示されている。当該方法においては、ポッド内部に、ウエハ個々を収容する溝部各々に対して各々連通するガス導入用流路およびガス排出用流路が設けられている。このガス導入用流路を介して清浄ガスを個々のウエハの表面に対して吹き付け、汚染物質等を含むこととなった当該清浄ガスをガス排出用流路を介して排気することにより、より確実な汚染物質の除去を行えるようにしている。 [Patent Document 2] discloses a method of introducing clean gas between wafers held inside a pod. In this method, a gas introduction flow path and a gas discharge flow path are provided inside the pod to communicate with each of the groove portions for accommodating individual wafers. By spraying a clean gas on the surface of each wafer through the gas introduction flow path and exhausting the clean gas containing contaminants etc. through the gas discharge flow path, it is more reliable. It is possible to remove various pollutants.
[特許文献1]に開示される方法は、ポッド内部の湿度および酸化性ガスの低減、および有機汚染の防止に関してはある程度の効果が期待できる。しかしながら、微小空間を保って保持されたウエハ個々の間に存在するガス等を、効果的に置換することはやはり困難と思われる。従って、ウエハ上下面に付着した汚染物質を除去する効果を得ることも、同様に困難と思われる。 The method disclosed in [Patent Document 1] can be expected to have a certain effect with respect to the reduction of humidity and oxidizing gas inside the pod and prevention of organic contamination. However, it is still difficult to effectively replace the gas or the like existing between the wafers held in a minute space. Therefore, it seems to be similarly difficult to obtain the effect of removing contaminants attached to the upper and lower surfaces of the wafer.
[特許文献2]に開示される方法によれば、ウエハ上下面に付着した汚染物質の除去も可能と思われる。しかし、実際の構成上ガス導入用流路の内径を大きく保つことは困難とおもわれる。このため、当該流路の上流側と下流側とでは、ウエハ表面に導入されるガスの圧力、或いは所定圧力で導入される時間に差が生じ、ウエハの保持位置に応じて汚染物質の除去効果が異なることが考えられる。 According to the method disclosed in [Patent Document 2], it is considered possible to remove contaminants attached to the upper and lower surfaces of the wafer. However, it is difficult to keep the inner diameter of the gas introduction flow path large due to the actual configuration. For this reason, there is a difference in the pressure of the gas introduced to the wafer surface or the time of introduction at a predetermined pressure between the upstream side and the downstream side of the flow path, and the contaminant removal effect depends on the holding position of the wafer. May be different.
また、支持台、ポッド形状、更にはポッド内部パージ用の清浄ガスの供給孔および排出孔の配置等は、半導体製造業界においてほぼ規格化されている。従って、この規格と異なった構成を必要とする[特許文献2]に開示されるポッドは、現在汎用されている支持台等と共用できないという問題を有している。 In addition, the arrangement of the support base, the shape of the pod, and the supply and discharge holes of the clean gas for purging the pod are almost standardized in the semiconductor manufacturing industry. Therefore, the pod disclosed in [Patent Document 2] which requires a configuration different from this standard has a problem that it cannot be shared with a currently used support base or the like.
本発明は、上記状況に鑑みて為されたものであり、ウエハ上に付着した汚染物質等を効果的に除去することが可能なFOUPのパージ方法およびパージ装置の提供を目的とするものである。 The present invention has been made in view of the above situation, and an object of the present invention is to provide a FOUP purge method and a purge apparatus capable of effectively removing contaminants and the like adhering to a wafer. .
上記課題を解決するために、本発明に係るパージ装置は、開口、および被収容物が各々載置される所定の方向に並ぶ複数の棚からなる本体と、本体から分離可能であって開口を塞ぐ蓋と、を備えるポッドに収容された被収容物に対し、所定のガスを吹き付けてパージ操作を行うパージ装置であって、被収容物の端部から所定距離隔置されていて、被収容物における所定の方向に対して垂直に延在する面の略全領域に対して略均一に所定のガスを吹き付けるガス供給ノズルと、ガス供給ノズルを支持してガス供給ノズルを前記所定の方向に駆動可能な支持部材を有することを特徴としている。 In order to solve the above-described problems, a purge apparatus according to the present invention includes an opening and a main body composed of a plurality of shelves arranged in a predetermined direction on which the objects to be placed are respectively placed, and the opening is separable from the main body. A purging device that performs a purging operation by blowing a predetermined gas on an object accommodated in a pod that includes a lid that closes, and is separated from an end of the object to be accommodated by a predetermined distance. A gas supply nozzle that blows a predetermined gas substantially uniformly on substantially the entire area of the surface extending perpendicularly to the predetermined direction of the object, and supports the gas supply nozzle to move the gas supply nozzle in the predetermined direction. It is characterized by having a drivable support member.
なお、上述のパージ装置においては、支持部材はポッドの本体部から前記蓋の装脱を行う部材であることが好ましい。また、所定のガスが前記ガス供給ノズルから吹き出されるタイミングは、支持部材が所定方向に移動する際に、被収容物が延在する平面を通過するタイミングと同期することが好ましい。更に、ガス供給ノズルは、被収容物が延在する平面と平行な面と平面に対して所定角度下方を向いて延在する面とに囲まれた領域に対して所定のガスを吹き出すことが好ましい。 In the purge apparatus described above, the support member is preferably a member that attaches / detaches the lid from the main body of the pod. Moreover, it is preferable that the timing at which the predetermined gas is blown out from the gas supply nozzle is synchronized with the timing when the support member passes through the plane in which the object is extended when the support member moves in the predetermined direction. Furthermore, the gas supply nozzle blows out a predetermined gas to a region surrounded by a plane parallel to the plane in which the object is extended and a plane extending downward at a predetermined angle with respect to the plane. preferable.
なお、上記パージ装置において、被収容物は半導体製造に用いられるウエハ、或いは高清浄な環境下でその処理が行われる各種物品に対応する。また、ポッドは、半導体ウエハを収容するものの例としてFOUPがあるが、各種物品を収容するものであれば特にFOUPに限られない。また、蓋が本体から分離された状態は、ポッドがロードポート上に載置されて、ポッド内に収容されたウエハがロードポートを介してウエハ処理装置に移載される状態に対応する。また、ここで述べたパージ操作は、物品上に付着等して存在する、塵、有機物、不純物元素、酸化性ガス等の汚染物質を除去する操作を意味している。また、マッピングとは、棚の格段に収容されるウエハの有無を検出し、これを棚の位置情報と対応付ける操作を意味する。 In the purge apparatus, the object to be accommodated corresponds to a wafer used for manufacturing a semiconductor or various articles to be processed in a highly clean environment. In addition, FOUP is an example of a pod that accommodates a semiconductor wafer. However, the pod is not limited to FOUP as long as it accommodates various articles. The state in which the lid is separated from the main body corresponds to a state in which the pod is placed on the load port and the wafer accommodated in the pod is transferred to the wafer processing apparatus via the load port. In addition, the purge operation described here means an operation for removing contaminants such as dust, organic matter, impurity elements, and oxidizing gas existing on the article. Mapping means an operation of detecting the presence / absence of a wafer accommodated in a shelf and associating it with shelf position information.
また、上記課題を解決するために、本発明にかかるパージ方法は、開口、および被収容物が各々載置される所定の方向に並ぶ複数の棚からなる本体と、本体から分離可能であって開口を塞ぐ蓋と、を備えるポッドに収容された被収容物に対し、所定のガスを吹き付けてパージ操作を行うパージ方法であって、蓋を本体から分離する工程と、開口の前面を被収容物の端部から所定距離隔置した状態を保持して所定の方向に沿ってガス供給ノズルを移動させる工程と、ガス供給ノズルより被収容物における所定の方向とは垂直な方向に延在する面の略全領域に対して所定のガスを略均一に吹き付けることによって被収容物のパージを行う工程を含むことを特徴としている。 In order to solve the above-described problem, the purging method according to the present invention is separable from the main body, which is composed of a plurality of shelves arranged in a predetermined direction on which the opening and the objects to be stored are respectively placed. A purging method for performing a purging operation by blowing a predetermined gas on an object accommodated in a pod having a lid that closes the opening, and a step of separating the lid from the main body, and a front surface of the opening being accommodated The step of moving the gas supply nozzle along a predetermined direction while maintaining a state spaced from the end of the object by a predetermined distance, and the gas supply nozzle extends in a direction perpendicular to the predetermined direction of the object to be accommodated. The method includes a step of purging the object to be contained by blowing a predetermined gas substantially uniformly over substantially the entire area of the surface.
なお、上述のパージ方法においては、ガス供給ノズルはポッドの本体から蓋を装脱するための用いられるドアに固定されていることが好ましい。また、パージを行う工程は、ガス供給ノズルが所定方向に移動する際に、被収容物が延在する平面を通過するタイミングと同期して為されることが好ましい。更に、パージを行う工程において、ガス供給ノズルは被収容物が延在する平面と平行な面と該平面に対して所定角度下方を向いて延在する面との間に対して所定のガスを吹き出すことが好ましい。 In the purge method described above, the gas supply nozzle is preferably fixed to a door used to remove the lid from the pod body. Moreover, it is preferable that the process of purging is performed in synchronism with the timing at which the object to be accommodated passes through the extending plane when the gas supply nozzle moves in a predetermined direction. Further, in the purging step, the gas supply nozzle supplies a predetermined gas between a plane parallel to the plane in which the object is extended and a plane extending downward at a predetermined angle with respect to the plane. It is preferable to blow out.
なお、上記パージ方法において、被収容物は半導体製造に用いられるウエハ、或いは高清浄な環境下でその処理が行われる各種物品に対応する。また、ポッドは、半導体ウエハを収容するものの例としてFOUPがあるが、各種物品を収容するものであれば特にFOUPに限られない。また、蓋が本体から分離された状態は、ポッドがロードポート上に載置されて、ポッド内に収容されたウエハがロードポートを介してウエハ処理装置に移載される状態に対応する。また、ここで述べたパージ操作は、物品上に付着等して存在する、塵、有機物、不純物元素、酸化性ガス等の汚染物質を除去する操作を意味している。また、マッピングとは、棚の格段に収容されるウエハの有無を検出し、これを棚の位置情報と対応付ける操作を意味する。 In the purge method described above, the object to be accommodated corresponds to a wafer used for semiconductor manufacturing or various articles to be processed in a highly clean environment. In addition, FOUP is an example of a pod that accommodates a semiconductor wafer. However, the pod is not limited to FOUP as long as it accommodates various articles. The state in which the lid is separated from the main body corresponds to a state in which the pod is placed on the load port and the wafer accommodated in the pod is transferred to the wafer processing apparatus via the load port. In addition, the purge operation described here means an operation for removing contaminants such as dust, organic matter, impurity elements, and oxidizing gas existing on the article. Mapping means an operation of detecting the presence / absence of a wafer accommodated in a shelf and associating it with shelf position information.
本発明によれば、ガス供給ノズルが、ウエハとは所定距離を隔てて、ウエハ表面の全域に向けて高清浄のガスを吹き付けることが可能となる。また、ガス供給ノズルはウエハが重ねられる方向に移動可能であり、一枚一枚のウエハに対して個別にガスの吹き付けを行うことが可能である。従って、ウエハ表面に付着している塵、不純物といった汚染物質等を効果的且つ確実に除去することが可能である。また、ポッド内部のパージ操作を、ガス供給ノズルを用いて、ウエハ処理中に随時行うことも可能でありより高清浄な環境にてウエハを保持することが可能となる。また、本発明は、既存のFOUPシステムにおけるロードポートのドアに対して、ガス供給ノズルおよびガス配管を付加するのみで実施可能であり、規格化されたシステムに対して安価且つ簡便に取り付けることが可能である。 According to the present invention, it is possible for the gas supply nozzle to spray highly clean gas toward the entire area of the wafer surface at a predetermined distance from the wafer. Further, the gas supply nozzle is movable in the direction in which the wafers are stacked, and gas can be sprayed individually on each wafer. Therefore, it is possible to effectively and reliably remove contaminants such as dust and impurities adhering to the wafer surface. Further, the purge operation inside the pod can be performed at any time during the wafer processing by using the gas supply nozzle, and the wafer can be held in a more clean environment. In addition, the present invention can be implemented simply by adding a gas supply nozzle and a gas pipe to a load port door in an existing FOUP system, and can be easily and inexpensively attached to a standardized system. Is possible.
本発明の一実施の形態に関して、図面を参照して以下に説明する。図1A〜1Cは、本発明に係るパージ装置の概略構成に関するものであり、ポッド、ボッド内部に収容されたウエハおよび本発明に係るパージ装置を側面より見た状態の概略を示す図である。図1Aはパージ操作の開始時を、図1Bはパージ操作の途中を、また図1Cはパージ装置における主要部の拡大図をそれぞれ示している。また、図2Aは、図1に示した各構成およびこれに付随する構成を、その上方より見た状態の要部概略を示す図であり、図2Bはパージ装置の主要部を水平面にて切断しこれを上方より見た状態を示す図である。なお、ポッドには、ウエハを支持する棚、蓋とポッドとの間に配置されるシール部材等、各種構成が本来含まれ、また、ドアにも種々の構成が付随している。しかし、これら構成は本発明と直接の関係を有さないため、ここでの詳細な図示および説明は省略する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1A to 1C relate to a schematic configuration of a purge apparatus according to the present invention, and are diagrams showing an outline of a state in which a pod, a wafer housed in a bod, and a purge apparatus according to the present invention are viewed from the side. FIG. 1A shows the start of the purge operation, FIG. 1B shows the middle of the purge operation, and FIG. 1C shows an enlarged view of the main part of the purge apparatus. 2A is a diagram showing an outline of the main part of the configuration shown in FIG. 1 and the configuration associated therewith as viewed from above, and FIG. 2B is a cross-sectional view of the main part of the purge device taken along a horizontal plane. It is a figure which shows the state which looked at this from upper direction. The pod originally includes various configurations such as a shelf for supporting the wafer, a seal member disposed between the lid and the pod, and the door is also associated with various configurations. However, since these configurations do not have a direct relationship with the present invention, detailed illustration and description thereof are omitted here.
図中、オープナにおけるドア6の上部に対し、図中矢印で示す方向に清浄ガスを放出可能なノズル21が取り付けられている。ガス供給ノズル21には、不図示のガス供給ラインがそれぞれ接続されており、外部からの操作に応じて清浄ガスを当該ノズルに供給することが可能となっている。図2Bに示されるように、ガス供給ノズル21は、ウエハ1の表面と平行な方向に延在する略管状の部材22からなり、当該管状部材22はウエハ1の表面を平行に形成された線状に形成された開口22aを有している。なお、清浄ガスは管状部材22の略中央部分であって、開口22aと対向しない部分から当該寛恕言う部材内部に導入されている。ガス供給ノズル21をウエハ1が重ねられる方向に順次移動させ、ウエハ1各々の間に対して清浄ガスを供給する。その結果、ウエハの表裏面およびポッド2内部の清浄ガスによる汚染物質等の除去操作、いわゆるパージ操作が為されることとなる。ドア6は、ウエハ1の重ねられた方向と平行に駆動される。従って、ドア6の駆動時にガス供給のズル21から清浄ガスを放出することによって、ポッド2内部のウエハ1に対するパージ操作を順次行うことが可能となる。
In the figure, a
本実施例においては、ガス供給ノズル21における管状部材22の中心は、ポッド本体2の開口端面から所定の間隔Lだけ離されている。開口22aは、開口22aから放出された清浄ガスが水平方向においては図2Bにおいて示すように、また鉛直方向においては図1A〜1Cに示すように拡散するような形状を有している。管状部材22とポッド本体2の開口部と間に間隔Lを設けることによって、水平方向において清浄ガスがウエハ1の表面全域に対して吹きかけられ、汚染物質等を除去する構成となっている。また、通常ガス供給ノズルから放出されるガスの流速はノズル開口近傍最も早く、開口部から離れるにつれて急速に低下する。従って、ウエハ端部にあまり近い位置からガスを供給した場合、ウエハ表面におけるガス流の上流と下流とで大きな流速差が生じて汚染物質等の除去効率に大きな差が生じる恐れ、あるいは極端に早いガス流がウエハ端部にぶつかることによって生じる乱流によって汚染物質等の除去効率の低下が生じる可能性がある、すなわち、間隔Lを設けることにより、これら可能性を低減すると共に、ウエハ表面上を略均等な流速で流れるガス流を容易に形成することが可能となり、ウエハの表裏面前領域に対して均等且つ効率的な汚染物質の除去操作を行うことが可能となる。また、鉛直方向において、水平方向より下方に角度β向かった領域に対して清浄ガスが放出される構成とすることにより、ウエハの表裏に対してある程度の角度を持って新たな清浄ガスが接触することとなり、汚染物質等をより効率的に除去することが可能となる。なお、これら間隔Lおよび角度βは、ポッド2に保持されるウエハの大きさ、各々の間隔、ポッド2の形状等に応じて、ウエハ1上の汚染物質をより効率的に除去し且つポッド2内部よりこれらを排出可能となるように、適宜調整されることが好ましい。また、同様の理由から、開口22aの幅、長さ、開口角あるいは数を当該実施例より増減させる、あるいは開口22aの向きを変更可能な構成とすることとしても良い。
In the present embodiment, the center of the
本発明においては、ウエハ一枚毎に対して、また、その表裏面の全領域に対して汚染物質等の除去操作を行うことが可能であり、従来と比較してより清浄度の高い状態にて、ウエハをポッド内部に保持することが可能となる。また、本発明においては、汚染物質等の除去操作に要するガス流量、パージ時間等を、ウエハ各々に対して個々に制御することが可能である。従って、常に一定の条件にて当該除去操作を行うことも可能であり、ポッド内における全てのウエハの管理状態を容易に一定に保つことができる。 In the present invention, it is possible to remove contaminants and the like for each wafer and for the entire area of the front and back surfaces, and the state of cleanliness is higher than in the prior art. Thus, the wafer can be held inside the pod. Further, in the present invention, it is possible to individually control the gas flow rate, purge time, etc. required for the operation of removing contaminants and the like for each wafer. Therefore, it is possible to always perform the removal operation under a constant condition, and the management state of all the wafers in the pod can be easily kept constant.
なお、ガス供給ノズル21よりポッド2内部に供給されたガス等は、従来よりポッド2に設けられている排気孔を用いて排出することとしても良い。また、当該パージ操作は蓋4が開放された状態で行われることから、搬送室に設けられた不図示の排気系を用いてこれを行うこととしても良い。また、一旦ウエハから除去された汚染物質等については、これらが他のウエハ或いはポッド内部への再付着、或いは搬送室への流入することを防止することが好ましいと考えられる。この場合、[特許文献1]に示されるように、汚染物質等の除去作業に用いた清浄ガスを効率的に排気するために、ポッド開口と連通する排気専用の小室を搬送室内に設けることとしても良い。
The gas supplied from the
上述したように、一旦ウエハ上より除去された汚染物質等は、速やかにポッド外部に運ばれることが好ましい。このため、より効果的に汚染物質の除去を行う上では、[特許文献2]に示されたように、ウエハ各々に対応した排気用のポートを付加することも考えられる。しかしながら、この様な構成の付加は規格に対応したポッドの大幅な規格変更を要する。従って、現在用いられているFOUPに関するシステムに対して本発明を用いる場合は、この様な排気用ポートは設けないほうが好ましいと考えられる。 As described above, it is preferable that the contaminants once removed from the wafer are quickly carried out of the pod. For this reason, in order to more effectively remove contaminants, it is conceivable to add an exhaust port corresponding to each wafer as shown in [Patent Document 2]. However, the addition of such a configuration requires a significant standard change of the pod corresponding to the standard. Therefore, when the present invention is used for a system related to FOUP that is currently used, it is preferable that such an exhaust port is not provided.
また、汚染物質等は、たとえば塵の形態にてウエハに付着する場合も考えられる。この様な塵は、帯電し、静電気的な引力によってウエハに付着している場合が多いと考えられる。この様な塵に対しては、単なる高清浄ガスをウエハに吹き付けるのではなく、イオン化したガスを吹きかけることにより、より効率よく除去可能である。従って、ガス供給ノズル或いはその近傍に、ガス等をイオン化するいわゆるイオナイザーを付加し、必要に応じてイオン化されたガスを供給することが可能となる構成とすることがより好ましい。 Further, it is conceivable that the contaminants adhere to the wafer in the form of dust, for example. It is considered that such dust is often charged and attached to the wafer by electrostatic attraction. Such dust can be removed more efficiently by spraying ionized gas rather than spraying a simple clean gas on the wafer. Therefore, it is more preferable that a so-called ionizer for ionizing gas or the like is added to the gas supply nozzle or in the vicinity thereof so that the ionized gas can be supplied as necessary.
次に、本発明に係るパージ装置を、現在用いられているFOUPに関するシステムに対して適用した場合について、以下に図面を参照して説明する。なお、本発明を適用した半導体ウエハ処理装置およびポッドは、その概略構成が従来技術において述べた構成と略同一であるため、同一の構成に関しての説明は省略する。なお、前述した、ガス供給ノズル21は、前述したドア6とは独立した部材によって、支持及び駆動することとしても良い。しかしながら、本適用例においては、本発明に係るガス供給ノズル等をドア6の上部に配置することにより、本発明の実施をより容易なものとしている。
Next, the case where the purge apparatus according to the present invention is applied to a system related to FOUP currently used will be described below with reference to the drawings. Note that the semiconductor wafer processing apparatus and the pod to which the present invention is applied have substantially the same configuration as that described in the prior art, and thus description of the same configuration is omitted. The
ウエハ処理装置50の概略構成に関しては、従来技術として図8に示すように、搬送室52にはロードポート部51側にポッド2の蓋4より若干大きい搬送室開口部10が備えられている。搬送室52の内部であって搬送室開口部10の側には、ポッド2の蓋4を開閉する為のオープナ3が設けられている。ここで図3Aおよび3Bを参照して、本発明を適用したオープナ3について説明する。 図3Aは図1におけるロードポート部51、ポッド2、オープナ3および蓋4部分を縮小し装置全体を表した図であり、図3Bは図3Aに示す構成を搬送室52内部側から見た図である。
As for the schematic configuration of the
オ−プナ3は、ドア6とフレーム5とを備えている。ドア6は、搬送室開口部10を塞げる大きさの板状体であって、その面には真空吸気孔である保持部11aおよび11bが備えられている。ドア6が搬送室開口部10を塞いだ際にポッド2側に位置する面は蓋4と密着できるような平面となっている。ドア6には穴を有する固定部材46が取り付けられている。この穴にドアアーム42の上端に設けられた枢軸45が回動可能に貫通することで固定されている。ドアアーム42の下端には穴が形成されている。枢軸40は、当該穴と、ドア開閉用駆動装置であるエアー駆動式のドア開閉用シリンダ31の一部であるロッド37の先端にある穴とに貫通している。これにより、ドアアーム42はシリンダ31と結合され、シリンダ31によって回転可能に支持されることとなる。
The
フレーム5は搬送室開口部10に沿い、かつドア6を囲むように配置された枠部材からなる構造体である。フレーム5は、その下側の枠部材において長く延びるフレームアーム12aおよびフレームアーム12bの上端に取り付けられている。フレームアーム12aおよびフレームアーム12bの下端には不図示の穴が形成されている。当該穴と、フレーム駆動装置であるエアー駆動式のフレーム駆動用シリンダ35の一部であるロッド38の先端にある穴とに枢軸44が貫通している。これにより、これらフレームアームとシリンダ35とが結合され、フレームアームはシリンダ35によって回転可能に支持されることとなる。
The
フレームアーム12aおよび12bは荷重を均等に支える為に、フレーム5の中心軸に沿って対称かつ平行に鉛直方向に向かって延在している。フレームアーム12aおよび12bのそれぞれの上端と下端の間には、フレームアーム12aおよび12bのそれぞれに垂直なロッド47が取り付けられている。支持部材60には支持部材60から垂直に延びた形状の支点支持部たる固定部材39が配置されている。固定部材39は支持部材60に平行な貫通穴を有している。固定部材39の貫通穴にはベアリング(不図示)が配置されていて、ベアリングの外輪が貫通穴の内壁に、ベアリングの内輪がロッド47を枢支している。これにより、ロッド47は固定部材39の貫通穴に内包された状態で支点41を構成している。
The
この支点41は、アームフレーム12aおよび12bの支点と、ドアアームの支点とを共通的に兼ねた同軸上の支点として構成される。すなわち、ドアアーム42の上端と下端との間には別の貫通穴が設けられている。この貫通穴にロッド47が貫通して支点41を構成している。シリンダ31の駆動によるロッド37の伸縮により、ドアアーム42は支点41を中心に回動可能である。ドアアーム42の支点41は昇降が可能な可動部56に設けられる支持部材60に固定されている。ドア6は保持ポート11aおよび11bを有していて、ポッド2の蓋4を真空吸着により保持可能である。ドアアーム42は、搬送室開口部10にドア6を押し付けている際(以下、待機状態とよぶ)にはほぼ鉛直方向になるように配置され、ドアアーム42を回転させることによりドア6が搬送室52の壁面から離れる方向に移動する。
The
フレーム駆動用シリンダ35の駆動によるロッド38の伸縮に応じて、フレームアーム12aおよび12bは、支点41を中心に回動可能である。すわなち、フレームアーム12aおよび12bも、昇降が可能な可動部56に設けられる支持部材60に固定されている。フレーム5は、ドア6が待機状態にある際には、搬送室52の壁面から斜めに離れるように配置されている。すなわち、この状態ではフレームアーム12aおよび12bとはドアアーム42に対してある角度を持つように斜めになった状態で支持されていて、フレーム5の上部は搬送室52の壁面から一定の距離だけ離れている。一方、この待機状態からフレーム5が、搬送室52の壁面に当接する方向にフレームアーム12aおよび12bとを回転させると、フレーム5は搬送室52の壁面にほぼ当接する。
The
フレーム5の上部に配置されている枠部材には、支持棒13aおよび13bが、搬送室52の壁面側に向かって突出するように固定されている。支持棒13aと支持棒13bのそれぞれの先端には、第1の透過式センサたる透過式センサ9aおよび9bとが互いに対向するように取り付けられている。
半導体ウエハ処理装置50には、オープナ3を昇降させるための可動部56が設けられている。図4Aは、オープナ3の可動部56を、ロードポート部51側から見た図であり、図4Bは図4Aの矢視Xを示した図である。可動部56は、鉛直方向に昇降を行う為のエアー駆動式のロッドレスシリンダ33と支持部材60とを備え、ポッド2より空気流の下流となるようにポッド2の下面より下方に配置されている。支持部材60には、固定部材39とエアー駆動式のシリンダ31とシリンダ35とが取り付けられている。可動部56はロードポート部51側に設けられており、仕切り55に設けられた長穴57を介して、ドアアーム42およびフレームアーム12aおよび12bにより搬送室52側のオープナ3を支えている。
The semiconductor
長穴57は、可動部56の移動方向、すなわち本実施例の場合には鉛直方向を長手方向として設けられている。また、長穴57により搬送室52内の清浄度が低下しないように、ロードポート部51と搬送室52とはカバー58により仕切られている。更に、オープナ3が下降したときのオーバランを防止するためのリミッタ59が、仕切り55の下方に設けられている。仕切り55には、ロッドレスシリンダ33とガイド61aとガイド61bとが長穴57に沿って設けられている。可動部56は、ロッドレスシリンダ33によりガイド61aとガイド61bに沿って昇降を行う。可動部56の横にはロッドレスシリンダ33に沿ってセンサードグ7が備えられている。
The
センサードグ7は、ロッドレスシリンダ33に沿った方向に延びる板状体であって、その長手方向には一定間隔で配置した指標手段を有している。本実施例では、指標手段として、一定間隔で配置された切り欠きである凹凸部12を有している。その凹凸の数はポッド内のウエハ配置用棚の段数と対応し、更にその凹凸は可動部がある任意の棚に差し掛かった際に、必ず一の切り欠きが対応するように配置されている。センサードグ7側の可動部56には、横の仕切り55上に、第2の透過式センサたる透過式センサ8が固定されている。
The sensor dog 7 is a plate-like body extending in a direction along the
透過式センサ8のセンサ部は、センサードグ7に設けられた一定の間隔の切り欠きを備えた凹凸12を挟むように配置されていて、可動部56の移動に応じてこのセンサードグ7の凹凸部12を検出可能となっている。可動部56の支持部材60には、第3の透過式センサ62が備え付けられている一方、長穴57の下側付近の仕切り55には、リミッタ64が設けられている。当該機構においては、突出部がリミッタ64を遮光すると、可動部56に停止信号が発出されオープナ3の全体の動作が停止する。
The sensor part of the
次に、これらの構成に基づいて、ウエハ1上の汚染物質の除去操作およびマッピング操作がどのように行われるかについて図3A、図3B乃至図7を用いて説明する。なお、図3Aは待機状態、図5は蓋4を開閉してフレーム5が稼動した状態、図6はウエハ1における汚染物質の除去操作およびのマッピング操作が完了した状態、図7はウエハ1に対して行われた操作の完了後にフレーム5が待機状態に戻った状態をそれぞれ示した図である。また、図4Aおよび4Bは、フレーム5の駆動位置を検知するために設けられたセンサドグおよび関連する構成についての正面図および側面図をそれぞれ示している
Next, how the contaminant removal operation and the mapping operation on the
前の処理工程を終えたポッド2内の棚には、前処理の処理規格を満たしたウエハ1が収納されている一方、規格を満たさなかったウエハ1は前処理の段階で工程から排除されている。ポッド2内の棚の格段にはウエハ1が存在する段と、存在しない段とが混在している。この状態のポッド2が、図3Aに示すように搬送室52上の台53上に載置され、搬送室開口部10に近接するように移動する。この状態ではオープナ3は待機状態にある。すなわち、ドア開閉用シリンダ31のロッド37が最も伸びた状態であって、ドアアーム42は支点41を中心にドア6を搬送室開口部10に押し付けて塞いでいる状態にある。
The shelves in the
本実施例では、この状態ではアーム42は鉛直方向に立った状態に有る。一方、フレーム駆動用シリンダ35のロッド38は最も縮んだ状態にあって、フレームアーム12aおよび12bは支点41を中心にフレーム5を搬送室52の壁面から引き離すように作用した状態に有る。すなわち、本実施例ではドアアーム42に対してフレームアーム12aおよび12bはある角度をもって斜めになった状態である。
In this embodiment, in this state, the
図5は、ポッド2が搬送室開口部10に近接してドア6が蓋4を保持した状態を示している。ポッド2が搬送室開口部10に近接すると、ポッド2の蓋4はドア6に密着し、真空吸引により保持部11aおよび11bを介してポッド2の蓋4を保持する。ドア6が蓋4を保持すると、ドア開閉用シリンダ31が働いてロッド37を縮める。続いて、ドアアーム42の端部に設けられた枢軸40が、支持ベース60側に引き寄せられ、ドアアーム42は支点41によって梃の原理に従って搬送室開口部10からドア6を引き離すように回動し、ポッド2から蓋4を開放する。
FIG. 5 shows a state where the
蓋4が開放された後、フレーム5の上端が開口部10の位置に入る、フレームアーム12aおよび12bが回動可能となる位置まで可動部56がわずかに下降する。下降終了後、フレームアーム12は、実際にその回動動作を開始する。すなわち、フレーム駆動用シリンダ35のロッド38が伸びてフレーム5が搬送室開口部10の周囲にほぼ当接するまでフレームアーム12aおよび12bが回動する。すると、フレーム5の上側に取り付けられている透過式センサ9aおよび9bが、搬送室開口部10から外に出てポッド2内に挿入される。この時点で、ガス供給ノズル21は図1Aに示した配置に位置される。また、第1の透過式センサ9aおよび9bは、これらを結ぶ直線上にウエハ1が存在するように配置され検出空間を構成する。
After the
この状態で可動部56が鉛直方向に移動すると同時に、個々のウエハ1に対する高清浄ガスの吹き付けによる汚染物質の除去操作、およびウエハ1のマッピング操作が、順次実行される。すなわち、オープナ3はロッドレスシリンダ33により、図6に示した位置まで下降する。透過式センサ9aと9bは、可動部56およびオープナ3と共にウエハ1の面に対して垂直方向に下降する。ウエハ1が棚の段に存在するときには透過式センサ9aから発せられた光を遮り、一方、ウエハが棚の段から欠落しているときには、透過式センサ9aの光は遮られない。透過式センサ9bがウエハ1により遮られたときに非透過信号を発し、透過式センサ9bがウエハ1により遮られないときに透過信号を発するように、各々のセンサを設定しておく。
In this state, the
これにより、非透過信号が検知されているときにはウエハ1が存在すると判断でき、透過信号が検知されているときはウエハ1が欠落していると判断できる。この透過信号に反応して、ガス供給ノズル21より清浄ガスが所定時間、所定圧力にて、ウエハ1に対して吹き付けられるようにすることで、個々のウエハに対する汚染物質等の除去操作を効果的に行うことができる。なお、この場合、ガスの使用効率を考慮して非透過信号に応じて高清浄ガスの吹き付けを停止しても良いが、ウエハ間の間隔が異なることによって操作対象となるウエハ上のガス流速が変化することを考慮して、ガスの吹き付け条件を変更することとしても良い。
Accordingly, it can be determined that the
透過式センサ8のセンサ部は、センサードグ7に設けられた一定の間隔の切り欠きを備えた凹凸12を挟むように配置されている。従って、可動部56が下降する際に、透過式センサ8も共に下降してセンサードグ7の凹凸12を検出する。このとき、透過式センサ8が凹部を通過するときには透過式センサ8は遮光されずに透過信号を発し、凸部を通過したときには透過式センサ8が遮光されて非透過信号を発するようになっている。よって、透過式センサ9aと9bがポッド2内の棚の各段を通過する時点と透過式センサ8が凹部を通過する時点とが対応するように、センサードグ7の凹凸12を予め設定しておけば、透過透過式センサ8が検出する透過・非透過の信号は、透過式センサ9が実際に通過する棚の段の信号を示すことになる。
The sensor part of the
これと透過式センサ9aがウエハ1により遮光する結果検出される透過・非透過の信号の検出結果と比較して、透過式センサ8が棚の段に対応する信号を検知したときに透過式センサ9aが遮光されればウエハ1はその棚段に存在したと判断でき、一方、その時透過式センサ9aが遮光されなければその棚段にはウエハ1が欠落していたと判断できる。これら判断に基づいて、高清浄ガスの吹き付けタイミング或いは吹き付け条件等を変更することにより、より効果的に汚染物質等の除去操作を行うことが可能となる。すべてのウエハ1に対してこれを繰り返し、オープナ3のマッピング終了位置に支持棒が至ることにより、汚染物質等の除去操作およびマッピング操作が完了する。
Compared with the detection result of the transmission / non-transmission signal detected as a result of the light shielding of the
その後、フレーム開閉シリンダ35のロッド38を再度縮めるとフレームアーム12aおよび12bが回動し、フレーム5が搬送室開口部10から離れるように移動する。ロッド38が最も縮まったところで、フレーム5の移動が完了する。そして可動部56が最下点まで移動をし、蓋4の開放とともに、ウエハ1に対する汚染物質等の除去およびマッピングを行う一連の動作を完了する。この状態が図7に示す状態である。
Thereafter, when the
上記のごとく説明したとおり、本実施例においては、ガス供給ノズル21を、ウエハの重ねられら方向と平行に動くドア6に固定している。従って、各ウエハに対して、常に同一の条件にて清浄ガスを供給することが可能となる。また、センサードグ7と透過式センサ8とを利用することにより、ポッド2内の棚の段に対応した同期信号を容易に発生させることができるため、ドライブモータを駆動装置に使用せずとも、ウエハ1のマッピング操作と同時に、より効果的な汚染物質等の除去操作を行うことが可能となる。
As described above, in this embodiment, the
なお、本実施例では、ドアアーム42の支点とマッピングフレーム5の支点とを支点41により共通しているが、両者を別の支点としても同様の効果を奏する。すなわち、ドアアーム42上に設ける第1の支点とマッピングフレーム上に設けられる第2の支点として異なる支点を備えても同様の効果を奏する。可動部56と、支点41,ドア開閉用シリンダ31およびマッピングフレーム駆動用シリンダ35と一体化しているが、本発明の効果を得る上で必ずしも一体化する必要はない。これらの機構がポッド2に対して空気流の下流に配置される限り、同様の効果を奏する。
In the present embodiment, the fulcrum of the
なお、本実施例においては、FOUPの規格に準じた構成に対して大きな変更を加えることなく本発明を適用することを目的として、ガス供給ノズルは、ドアの上部に固定されることとしているが、本発明はこれに限定されない。具体的には、ガス供給ノズルをドアは異なるフレームを構成し当該フレーム上に固定することとしても良い。また、ガス供給ノズルに駆動機構を付加し、ガス供給ノズルをウエハ面と平行な軸に対して回動可能としても良い。また、汚染物質等の付着状況は直前に行われる処理に応じて変動することも考えられる。この場合、付着状況およびガスの使用状態に鑑み、ガス供給ノズルにおける開口の幅、長さ、開口角あるいは数を増減させても良い。この場合、数の増加とは水平方向における開口の数の増加および鉛直方向における開口の数の増加双方をさす。 In this embodiment, the gas supply nozzle is fixed to the upper portion of the door for the purpose of applying the present invention without making a major change to the configuration conforming to the FOUP standard. However, the present invention is not limited to this. Specifically, the gas supply nozzle may be configured such that the door forms a different frame and is fixed on the frame. Further, a drive mechanism may be added to the gas supply nozzle so that the gas supply nozzle can be rotated with respect to an axis parallel to the wafer surface. It is also conceivable that the state of adhesion of contaminants varies depending on the treatment performed immediately before. In this case, the width, length, opening angle, or number of openings in the gas supply nozzle may be increased or decreased in view of the adhesion state and the gas usage state. In this case, the increase in number refers to both an increase in the number of openings in the horizontal direction and an increase in the number of openings in the vertical direction.
また、本実施例においては、汚染物質等の除去操作は、マッピング操作にあわせて一回のみ行うこととしているが、本発明はこれに限定されない。当該除去操作は、搬送室内のロボットアームがポッド内のウエハにアクセスしている時以外には、常時行うことが可能である。従って、ウエハが処理装置内にて各種処理を施されている間に、ポッド内に保持されたウエハに対して、当該除去操作を繰り返して行うこととしても良い。 In this embodiment, the contaminant removal operation is performed only once in accordance with the mapping operation, but the present invention is not limited to this. The removal operation can be always performed except when the robot arm in the transfer chamber is accessing the wafer in the pod. Therefore, the removal operation may be repeatedly performed on the wafer held in the pod while the wafer is subjected to various processes in the processing apparatus.
また、本実施例においては、FOUPを対象として述べているが、本発明の適用例は当該システムに限定されない。内部に複数の被保持物を収容する容器と、当該容器より被保持物を搬送して被保持物を処理する装置に搬送する搬送室とを有する系であれば、本発明に係る汚染物質等の除去装置(パージ装置)を適用することは可能である。 In the present embodiment, the FOUP is described as an object, but the application example of the present invention is not limited to the system. As long as the system has a container for storing a plurality of objects to be held therein and a transfer chamber for transferring the objects to be held from the container to a device for processing the objects to be held, the contaminants and the like according to the present invention It is possible to apply a removal device (purge device).
1:ウエハ
2:ポッド
3:オープナ
4:蓋
5:フレーム
6:ドア
7:センサードグ
9:透過式センサ
10:搬送室開口部
21:ガス供給ノズル
50:半導体処理装置
51:ロードポート
52:搬送室
1: Wafer 2: Pod 3: Opener 4: Cover 5: Frame 6: Door 7: Sensor Dog 9: Transmission Sensor 10: Transfer Chamber Opening 21: Gas Supply Nozzle 50: Semiconductor Processing Device 51: Load Port 52: Transfer Chamber
Claims (10)
前記被収容物の端部から所定距離隔置されていて、前記被収容物における前記所定の方向に対して垂直に延在する面の略全領域に対して略均一に前記所定のガスを吹き付けるガス供給ノズルと、
前記ガス供給ノズルを支持し、前記ガス供給ノズルを前記所定の方向に駆動可能な支持部材を有することを特徴とするパージ装置。 The to-be-accommodated housed in a pod comprising an opening and a main body composed of a plurality of shelves arranged in a predetermined direction on which the to-be-contained objects are respectively placed, and a lid that is separable from the main body and closes the opening A purging device that performs a purging operation by blowing a predetermined gas on an object,
The predetermined gas is sprayed substantially uniformly on substantially the entire area of the surface of the object that is spaced a predetermined distance from the end of the object and extends perpendicularly to the predetermined direction. A gas supply nozzle;
A purge apparatus comprising: a support member that supports the gas supply nozzle and is capable of driving the gas supply nozzle in the predetermined direction.
前記蓋を前記本体から分離する工程と、
前記開口の前面を、前記被収容物の端部から所定距離隔置した状態を保持して、前記所定の方向に沿ってガス供給ノズルを移動させる工程と、
前記ガス供給ノズルより、前記被収容物における前記所定の方向とは垂直な方向に延在する面の略全領域に対して、前記所定のガスを略均一に吹き付けることによって前記被収容物のパージを行う工程を含むことを特徴とするパージ方法。 The to-be-accommodated housed in a pod comprising an opening and a main body composed of a plurality of shelves arranged in a predetermined direction on which the to-be-contained objects are respectively placed, and a lid that is separable from the main body and closes the opening A purging method for performing a purging operation by blowing a predetermined gas on an object,
Separating the lid from the body;
Holding the state where the front surface of the opening is spaced a predetermined distance from the end of the object, and moving the gas supply nozzle along the predetermined direction;
Purging the containment object by spraying the prescribed gas substantially uniformly onto substantially the entire area of the surface of the containment object extending in a direction perpendicular to the prescribed direction from the gas supply nozzle. A purging method comprising the step of:
The object to be accommodated is a wafer used for semiconductor manufacturing, and the lid is separated from the main body when the pod is placed on a load port and the wafer accommodated in the pod is loaded to the load. The purge method according to claim 6, wherein the purge method is in a state of being transferred to a wafer processing apparatus via a port.
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