JP2005033073A - 環状型ゲート電極を備えたトランジスタ - Google Patents
環状型ゲート電極を備えたトランジスタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005033073A JP2005033073A JP2003272211A JP2003272211A JP2005033073A JP 2005033073 A JP2005033073 A JP 2005033073A JP 2003272211 A JP2003272211 A JP 2003272211A JP 2003272211 A JP2003272211 A JP 2003272211A JP 2005033073 A JP2005033073 A JP 2005033073A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate electrode
- transistor
- electrode
- annular
- annular gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
【解決手段】 環状型ゲート電極を備えたトランジスタであって、環状型ゲート電極の一部を、ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方の上に、ソース電極及びドレイン電極との間に絶縁層を介在させながら延在させて成る2次ゲート電極の接続パッドを備えることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
M. Marso、K. Schimpf、A. FOX、A. van der Hart、H. Hardtdegen、M. Hollfelder、P. Kordos、及び、H. Luthによる著書、「Novel HEMT layout: the RoundHEMT」、Electronics Letters 31, (7)、pp. 589-591、1995年 P. Javorka、A. Alam、N. Nastase、M. Marso、H. Hardtdegen、M. Heuken、H. Luth、及び、P. Kordosによる著書、「AlGaN/GaN Round-HEMTs on (III) silicon substrates」、Electronics Letters 37, (22)、pp. 1364-1366、2001年
以下、添付の図面を参照しつつ、実施の形態1に係る環状型ゲート電極を備えるソース接地のトランジスタ100の構成について説明する。図1は、トランジスタ100の構成を示す図である。なお、本図では、ドレイン電極101、ゲート電極102及びソース電極103の形状の理解の容易のため、絶縁層110の記載を省略している。上記絶縁層110は、後に図2を用いて説明する。
再び図2を参照しつつ、上述した実施の形態1に係るトランジスタ100の製造方法を説明する。
まず、サファイア基板(図示せず)上にアンドープAlN(厚さ50nm)、アンドープGaN(厚さ1μm)、アンドープAl0.2Ga0.8N(厚さ25nm)の半導体層を順に分子線エピタキシャル成長方法により成長させて半導体層120を形成する。
図4は、トランジスタ100の変形例として、上記2次ゲート電極104の接続端子として、接続端子104aよりも幅の広い接続端子104a’を用いる場合のA−A’線付近の拡大図を上側に示し、下側に接続端子104a’を備えるトランジスタ100の変形例をA−A’線で切断した場合の断面図を示す図である。接続端子104a’の幅を広げることで、当該接続端子104a’を接続パッド102aに接続する際の作業が容易になる。
通常、パワートランジスタは、複数のトランジスタを並列に接続して動作することにより高出力化を図る。図5(a)及び図5(b)は、上記実施の形態1に係るトランジスタ100と同じ環状型ゲート電極を備えるトランジスタであって、III−N化合物半導体で構成されるHFETを複数個並列に形成したパワートランジスタ200及び350を示す図である。
Claims (9)
- 環状型ゲート電極を備えたトランジスタであって、
上記環状型ゲート電極の一部を、ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方の上に、絶縁層を介しながら延在させた2次ゲート電極用接続パッドを備えることを特徴とする環状型ゲート電極を備えたトランジスタ。 - 上記トランジスタの環状型ゲート電極は、半導体基板上にショットキー接続されており、
上記接続パッドは、環状型ゲート電極の環状部分の一部であって、上記半導体基板にショットキー接続されていない個所のゲート電極を延在させたものであることを特徴とする請求項1に記載の環状型ゲート電極を備えたトランジスタ。 - 上記環状型ゲート電極は、均一なゲート長を有するものであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の環状型ゲート電極を備えたトランジスタ。
- ソース接地のトランジスタであって、ソース電極が上記環状型ゲート電極の内側に位置することを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れかに記載の環状型ゲート電極を備えたトランジスタ。
- 上記接続パッドがソース電極の上に設けられていることを特徴とする請求項1乃至請求項4の何れかに記載の環状型ゲート電極を備えたトランジスタ。
- ソース電極の上に上記接続パッドを備えたIII−N化合物半導体で構成されるトランジスタであることを特徴とする請求項4に記載の環状型ゲート電極を備えたトランジスタ。
- AlGaN/GaN、AlGaN/InGaN/GaN、又は、AlN/AlGaNで構成されるHFETである請求項6に記載の環状型ゲート電極を備えたトランジスタ。
- 上記環状型ゲート電極の形状がレーストラック形状であることを特徴とする請求項1乃至請求項7の何れかに記載の環状型ゲート電極を備えたトランジスタ。
- 上記接続パッドを環状型ゲート電極の円弧部分に設けたことを特徴とする請求項1乃至請求項8の何れかに記載の環状型ゲート電極を備えたトランジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003272211A JP4155888B2 (ja) | 2003-07-09 | 2003-07-09 | 環状型ゲート電極を備えたトランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003272211A JP4155888B2 (ja) | 2003-07-09 | 2003-07-09 | 環状型ゲート電極を備えたトランジスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005033073A true JP2005033073A (ja) | 2005-02-03 |
JP4155888B2 JP4155888B2 (ja) | 2008-09-24 |
Family
ID=34209833
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003272211A Expired - Fee Related JP4155888B2 (ja) | 2003-07-09 | 2003-07-09 | 環状型ゲート電極を備えたトランジスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4155888B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006269939A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Nichia Chem Ind Ltd | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
JP2010027898A (ja) * | 2008-07-22 | 2010-02-04 | Sharp Corp | 半導体装置 |
JP2010530620A (ja) * | 2007-06-18 | 2010-09-09 | ミクロガン ゲーエムベーハー | 環状に閉じたコンタクトを備える半導体部品 |
US8183596B2 (en) | 2009-09-30 | 2012-05-22 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | High electron mobility transistor, epitaxial wafer, and method of fabricating high electron mobility transistor |
EP2933840A1 (en) | 2014-04-14 | 2015-10-21 | Jtekt Corporation | Semiconductor device |
EP2933841A1 (en) | 2014-04-14 | 2015-10-21 | Jtekt Corporation | Semiconductor device |
TWI559405B (zh) * | 2015-02-20 | 2016-11-21 | 微協通用半導體有限責任公司 | 具有大焊墊且接觸電阻降低之GaN系肖特基二極體 |
JP2017037966A (ja) * | 2015-08-10 | 2017-02-16 | ローム株式会社 | 窒化物半導体デバイス |
-
2003
- 2003-07-09 JP JP2003272211A patent/JP4155888B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006269939A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Nichia Chem Ind Ltd | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
JP2010530620A (ja) * | 2007-06-18 | 2010-09-09 | ミクロガン ゲーエムベーハー | 環状に閉じたコンタクトを備える半導体部品 |
JP2010027898A (ja) * | 2008-07-22 | 2010-02-04 | Sharp Corp | 半導体装置 |
US8183596B2 (en) | 2009-09-30 | 2012-05-22 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | High electron mobility transistor, epitaxial wafer, and method of fabricating high electron mobility transistor |
EP2933840A1 (en) | 2014-04-14 | 2015-10-21 | Jtekt Corporation | Semiconductor device |
EP2933841A1 (en) | 2014-04-14 | 2015-10-21 | Jtekt Corporation | Semiconductor device |
US9601572B2 (en) | 2014-04-14 | 2017-03-21 | Jtekt Corporation | Semiconductor device for reducing gate wiring length |
US9601573B2 (en) | 2014-04-14 | 2017-03-21 | Jtekt Corporation | Semiconductor device for reducing propagation time of gate input signals |
TWI559405B (zh) * | 2015-02-20 | 2016-11-21 | 微協通用半導體有限責任公司 | 具有大焊墊且接觸電阻降低之GaN系肖特基二極體 |
JP2017037966A (ja) * | 2015-08-10 | 2017-02-16 | ローム株式会社 | 窒化物半導体デバイス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4155888B2 (ja) | 2008-09-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6228167B2 (ja) | ソース接続フィールドプレートを備えるワイドバンドギャップhemt | |
US7566918B2 (en) | Nitride based transistors for millimeter wave operation | |
US7388236B2 (en) | High efficiency and/or high power density wide bandgap transistors | |
US7696535B2 (en) | Gallium nitride high electron mobility transistor having inner field-plate for high power applications | |
US7126426B2 (en) | Cascode amplifier structures including wide bandgap field effect transistor with field plates | |
JP5427168B2 (ja) | ゲートとドレイン間に減少した電界を有するiii−族窒化物半導体デバイス | |
US8405125B2 (en) | Semiconductor device and method for producing the same | |
JP2009111217A (ja) | 半導体装置 | |
KR20080030050A (ko) | Ⅲ족 질화물 인헨스먼트 모드 소자 | |
JP2010278280A (ja) | 高周波半導体装置 | |
US8106503B2 (en) | High frequency semiconductor device | |
US20080088020A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method of the same | |
JP7240480B2 (ja) | エンハンスメント・モード及びデプレッション・モード・トランジスタの両者を有するモノリシック・マイクロ波集積回路 | |
JP2013183062A (ja) | 半導体装置 | |
JP2013183061A (ja) | 半導体装置 | |
US20220189953A1 (en) | Nitride semiconductor device | |
US7355215B2 (en) | Field effect transistors (FETs) having multi-watt output power at millimeter-wave frequencies | |
JP2013182992A (ja) | 半導体装置 | |
US11749726B2 (en) | Field effect transistor with source-connected field plate | |
US20220376098A1 (en) | Field effect transistor with selective modified access regions | |
US20220376105A1 (en) | Field effect transistor with selective channel layer doping | |
JP2008098455A (ja) | 半導体装置 | |
JP4155888B2 (ja) | 環状型ゲート電極を備えたトランジスタ | |
JP2008182158A (ja) | 半導体装置 | |
US11869964B2 (en) | Field effect transistors with modified access regions |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050810 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071225 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080219 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080701 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080708 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110718 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4155888 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110718 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120718 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120718 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130718 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |