JP2005032964A - 配線回路基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】金属箔11の有効領域に接続用のバンプ21を形成すると共に、該有効領域を囲む周辺領域に保護シート50を保持するためのホールドバンプ22を形成する。
そして、バンプ21が形成された有効領域を絶縁シート40で覆い、この絶縁シート40及び周辺領域を覆うように保護フィルム50を被せる。そして、保護フィルム50の上からクッション材60を介して圧力を加えると、ホールドバンプ22が保護フィルム50の周辺部に貫通し、この保護フィルム50が金属箔11に保持・固定される。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば高密度の半導体集積回路チップをプリント配線板に搭載するために、両者の間に介在させるインターポーザ基板等の配線回路基板の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
高密度化された半導体集積回路チップを、その表面の外部端子を使用してプリント配線板に直接搭載することは困難である。このため、微細で密集した外部端子の間隔を扱い易い程度に広げて再配置するインターポーザ基板と呼ばれる配線回路基板が用いられている。
【0003】
図4(A)〜(E)は、そのような配線回路基板の製造方法の従来例を工程順に示す断面図である。以下、図4(A)〜(E)を参照して配線回路基板の製造方法の従来例を説明する。
(A)先ず、図4(A)に示す3層構造の金属基板1を用意する。この金属基板1は、例えば厚さ1〜20μm程度の銅箔1a上に、厚さ0.1〜2μm程度のニッケル膜1bを介して、厚さ160μm以下の銅箔1cを積層したものである。ニッケル膜1bは、銅箔1cをエッチングしてプリント配線板等へ接続するためのバンプを形成するときに、エッチングストップ層としての役割を果たすものである。また、銅箔1aは、半導体集積回路チップの外部端子に接続するための配線層となるものである。
【0004】
(B)次に、金属基板1の銅箔1cの表面に、フォトリソグラフィ技術によってバンプ2を形成するための所定パターンを有するレジスト膜3を形成する。このレジスタ膜3をエッチングマスクとして、例えば塩酸系エッチング液を用いて銅箔1cの約80%をエッチングする。さらに残りの銅箔1cをアルカリ系エッチング液を用いて、ストッパーとなるニッケル膜1bの表面が露出するまでエッチングする。更に、バンプ2として残された銅箔1cをエッチングマスクとして、ニッケルエッチングする専用液を用いてニッケル膜1bをエッチングする。これにより、図4(B)に示すように、銅箔1aの上に、ニッケル膜1bと銅箔1cによるバンプ2が形成された金属基板1Aが得られる。なお、レジスト膜3は不要となるので除去する。
【0005】
(C)次に、図4(C)に示すように、金属基板1Aのバンプ2が形成された表面に、例えば厚さ25μm程度のポリイミドによる絶縁シート4と、例えば厚さ35μm程度のポリプロピレンによる保護フィルム5を順次重ね、厚さ110μm程度のポリプロピレンによるクッション材6を介して、70°C程度の温度で5MPa/cm2程度の圧力をかけてプレスする。
(D)その後、クッション材6を剥がすと、図4(D)に示すように、金属基板1Aの銅箔1aの表面とバンプ2を包むような形状の、絶縁シート4と保護フィルム5による絶縁層が形成される。
【0006】
(E)次に、バンプ2の上に形成された絶縁層を除去するために、凸状になった表面を研磨材で研磨する。これにより、図4(E)に示すように、バンプ2の表面が露出し、このバンプ2以外の表面が絶縁シート4と保護フィルム5による絶縁層で覆われた金属基板1Bが形成される。
尚、その後は、図示はしないが、上記保護フィルム5を除去し、次いで、その金属基板1Bのバンプ2を形成した側の面に銅箔を加熱圧着して、該銅箔にバンプ2が接続され、該銅箔と上記銅箔1aとの間に上記絶縁シート4による層間絶縁膜が介在する状態にし、しかる後、その加熱圧着した銅箔及び上記銅箔1aを同時又は異時に選択的にエッチングすることにより配線膜を形成する。
(特許文献1) 特開2001−326459号公報
(特許文献2) 特開2002−043506号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来のインターポーザ基板等の配線回路基板の製造方法では、次のような課題があった。
銅箔1aの表面に、ポリイミドによる絶縁シート4とポリプロピレンによる保護フィルム5を、70°C程度の温度条件で5MPa/cm2程度の圧力でプレスしただけでは、銅箔1aと絶縁シート4による絶縁層との間に密着力が発生しない。このため、バンプ2の表面を覆う絶縁層を研磨して除去する際に、保護フィルム5の端部が捲れ、絶縁層が銅箔1aやバンプ2から剥がれてしまうという問題が生じた。
【0008】
そこで、従来、捲れを防止するために、接着テープを用いて保護フィルム5の周囲を銅箔1aに固定していたが、接着テープによる固定や取り外しに手間がかかると共に、銅箔1aが薄いので接着テープを剥がすときに、この銅箔1aが破れたり皺になったりして、不良になることが多かった。
【0009】
一方、絶縁シート4を成すポリイミドは、300°C程度に加熱して密着すると接着力が発生するので、加熱圧着処理を行えば、上記の問題を解決することができるといえる。しかし、保護フィルム5やクッション材6として使用しているポリプロピレンは耐熱性が低いのでこの温度に耐えることができない。このため、加熱圧着処理を行う場合には、保護フィルム5とクッション材6として、耐熱性の高い例えばポリイミドとかテフロン(商標名)を使用しなければならず、これ等の耐熱性の高い樹脂は一般に高価であり、特にポリイミド等の消耗品は極めて高価であるので、実用化ができなかった。
【0010】
本発明は、このような問題を解決するために為されたもので、保護フィルムやクッション材として、例えばポリイミド或いはテフロンの如き耐熱性の高い高価な材質のものを用いることなく、研磨時に保護フィルムが剥がれないようにすることができる新規な配線回路基板の製造方法を提供することを目的とするものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
請求項1の配線回路基板の製造方法は、配線層となる金属箔の有効領域の表面に接続用のバンプを形成し、該金属箔のバンプが形成された面を絶縁シートで覆い、該絶縁シートの上に保護フィルムを被せ、該保護フィルムの表面にクッション材を介して圧力を加えて該絶縁シートを該金属箔に圧着し、該バンプの上に圧着された該絶縁シートと保護フィルムを研磨して該バンプの表面を露出させる工程を有する配線回路基板の製造方法において、前記金属箔の有効領域のバンプと共に、該有効領域を囲む周辺領域の表面に前記保護フィルムを保持するためのホールドバンプをも形成することとし、前記金属箔の有効領域を覆う絶縁シートについては上記周辺領域を覆わず、上記保護フィルムについては該周辺領域をも覆うようにすることとし、前記保護フィルムの表面に上記クッション材を介して上記圧力を加えて上記圧着をする際に、上記保護フィルムが、その圧力により上記ホールドバンプにより周辺部を貫通されるようにすることを特徴とする。
【0012】
請求項2の配線回路基板の製造方法は、請求項1に記載の配線回路基板の製造方法において、前記ホールドバンプは、その根元部分における直径が0.1mm〜0.5mmであり、該ホールバンプを複数個(例えば2〜14個)0.3〜2mmの配置ピッチで配置して一つのホールドバンプ群を構成し、該ホールドバンプ群を複数個前記金属箔の周辺領域に沿って12mm以下、例えば10mmの一定間隔で設けたことを特徴とする。
【0013】
請求項3の配線回路基板の製造方法は、請求項1又は2記載の配線回路基板の製造方法において、前記保護フィルム及び前記クッション材としてポリプロピレン・フィルムを用いることを特徴とする。
【0014】
【発明の実施の形態】
本発明は、基本的に、金属箔の有効領域のバンプに加えて、該有効領域を囲む周辺領域の表面に前記保護フィルムを保持するためのホールドバンプを形成することとし、上記金属箔の有効領域を覆う絶縁シートについては上記周辺領域を覆わず、上記保護フィルムについては該周辺領域を覆うように形成することとし、上記保護フィルムの表面に上記クッション材を介して上記圧力を加えて上記圧着をする際に、上記記保護フィルムが、その圧力により上記ホールドバンプにより周辺部を貫通されるようにし、以てそのホールドバンプにより位置が保持されるようにするものであるが、ホールドバンプの根元部分における直径を0.1mm〜0.5mm(例えば0.4mm)にし、該ホールバンプを複数個(例えば2〜14個)0.3〜2mmの配置ピッチで配置して一つのホールドバンプ群を構成し、該ホールドバンプ群を複数個前記金属箔の周辺領域に沿って12mm以下、例えば10mmの一定間隔で設けることが最良である。
【0015】
また、保護フィルム、クッション材として、ポリプロピレンの如き耐熱性の低い安価な材料を用いると良い。というのは、剥がれを防止するために加熱圧着処理が必要ではなくなるので、耐熱性のある高価な材料を用いることが必要ではないからである。
【0016】
【実施例】
以下、本発明を図示実施例に従って詳細に説明する。図1(A)〜(D)及び図2(E)、(F)は、本発明配線回路基板の製造方法の第1の実施例を工程順(A)〜(F)に示す断面図である。また、図3は、図1(B)の金属基板10におけるバンプ形成面の概略を示す平面図である。
【0017】
(A)図1(A)に示す3層構造の金属基板10を用意する。この金属基板10は、例えば厚さ1〜20μm程度の銅箔11上に、厚さ0.1〜2μm程度のニッケル膜12を介して、厚さ160μm程度の銅箔13を積層したものである。
銅箔11は、半導体集積回路チップの外部端子に接続するための配線層となるものであり、銅箔13は、複数のバンプ20(プリント配線板等へ接続するためバンプ21及び保護フィルム保持用のホールドバンプ22)となるものである。また、ニッケル膜12は、銅箔13をエッチングしてバンプ20を形成するときに、エッチングストップ層としての役割を果たすものである。
【0018】
(B)金属基板10の銅箔13の表面に、フォトリソグラフィ技術によって複数のバンプ21、22を形成するための所定パターンを有するレジスト膜30を形成する。バンプ21は、図2に示すように、金属基板10の有効領域内に形成され、例えばプリント配線板等へ接続するための所定の位置に配置される接続用のバンプを成す。
【0019】
バンプ22はこの有効領域を取り囲む外側の周辺領域に設けられたホールドバンプであり、例えば直径[バンプ22の基部(根元部分)における直径]が0.1〜0.5mm程度、例えば0.4mmである。該ホールドバンプ22が所定数例えば2〜10個程度0.3〜2mmの配置ピッチで密集配置して一つのホールドバンプ群23が構成されている。
そして、複数のホールドバンプ群23が周辺領域内に12mm以下、例えば10mm間隔で配置されている。
【0020】
これらの接続用のバンプ21及び保持用のホールドバンプ22に対応したレジスト膜30をエッチングマスクとして、例えば塩酸系エッチング液を用いて銅箔13をエッチングする。最後にアルカリ系エッチング液を用いてエッチングする。これによりバンプ20となる箇所以外の銅箔13が除去され、エッチングストップ層であるニッケル膜12の表面が露出する。更に、バンプ21、22として残された銅箔13をエッチングマスクとして、ニッケル専用のエッチング液を用いてニッケル膜12をエッチングする。これにより、図1(B)に示すように、銅箔11の上に、ニッケル膜12と銅箔13によるバンプ21、22が形成された金属基板10Aが得られる。なお、レジスト膜30は、エッチング後不要となるので、その時点で除去する。
【0021】
(C)図1(C)に示すように、金属基板10Aのバンプ20が形成された表面に、この金属基板10Aの有効領域のみを覆う寸法の、例えばポリイミドによる絶縁シート40を被せる。また、絶縁シート40の上に、この絶縁シート40の全面及び金属基板10Aのホールドバンプ22が形成された周辺領域の両方を覆うように、例えば厚さ35μm程度のポリプロピレンによる保護フィルム50を重ねる。
更に、保護フィルム50の全面を覆うように、例えば厚さ110μm程度のポリプロピレンによるクッション材60を被せ、70°C程度の温度で5MPa/cm2程度の圧力をかけ、クッション材60を介して絶縁シート40と保護フィルム50をプレスする。
【0022】
(D)その後、クッション材60を剥がすと、図1(D)に示すように、金属基板10Aの有効領域では、銅箔11の表面と接続用のバンプ21を包むような形状の、絶縁シート40と保護フィルム50による絶縁層が形成される。一方、金属基板10Aの周辺領域では、ホールドバンプ22が保護フィルム50を貫通し、このホールドバンプ22によって、保護フィルム50の周辺部が保持・固定される。
【0023】
(E)バンプ21の上に形成された保護フィルム50と絶縁シート40による絶縁層を除去するために、凸状になった表面を研磨材で研磨する。この時、保護フィルム50の周辺部は、ホールドバンプ22で保持・固定されているため、捲れて剥がれるおそれはない。これにより、図2(E)に示すように、有効領域のバンプ21の表面が露出し、バンプ21以外の有効領域が絶縁シート40と保護フィルム50による絶縁層で覆われた金属基板10Bが形成される。
【0024】
(F)次に、上記保護フィルム50を除去し、その後、図2(F)に示すように、金属板10Aのバンプ形成側の面に銅箔70を臨ませる。
その後は、図示はしないが、その銅箔70をその金属板10Aのバンプ形成側の面に熱圧着をし、その銅箔70を各バンプ21に接続させ、銅箔70・11間がその絶縁シート40による層間絶縁膜により層間絶縁された状態にする。
しかる後、上記銅箔70及び11を同時又は異時に選択的にエッチングすることにより配線膜を形成することとなる。
【0025】
このように、本実施例の配線回路基板の製造方法は、金属基板10の周辺領域に、保護フィルム50を保持するためのホールドバンプ22を設け、このホールドバンプ22に保護フィルム50の周辺部を圧着して貫通させるようにしているので、保護フィルム50の周辺部が金属基板10に固定され、研磨処理時に剥がれることがなくなる。これにより、接着テープを用いて保護フィルム50を金属基板10に銅箔11に固定する必要がなくなり、作業性が向上すると共に接着テープを剥がすときの破損等を回避することができる。
【0026】
実験の結果、特に、ホールドバンプ22の径(基部:根元部分における径)を0.1〜0.5mm、例えば0.4mmにし、そのホールドバンプ22を複数、例えば2〜10個程度0.3〜2mmの配置ピッチで密集配置して一つのホールドバンプ群23をつくり、複数のホールドバンプ群23を12mm以下、例えば10mmのピッチで配置すると、保護フィルム50の周辺部を金属基板10に極めて強固に位置を保持することができ、研磨処理時に剥がれが生じる虞を極めて有効に防止することができることが判明した。
【0027】
また、加熱圧着処理を必要としないので、従来通りのポリプロピレン等の安価な保護フィルム50やクッション材60を使用することができる。従って、コストアップを抑制して歩留まりを向上させることができるという利点がある。
【0028】
尚、本発明は、上記実施例に限定されず、種々の変形が可能である。この変形例としては、例えば、次のようなものがある。
(1)絶縁シート40、保護フィルム50及びクッション材60の材質は、例示したものに限定されない。それぞれの機能に応じた性質を有するものであれば、他の材料を使用することができる。
(2) 金属基板10を構成する銅箔11,13やニッケル膜12の厚さ、及び絶縁シート40、保護フィルム50及びクッション材60の厚さは、例示したものに限定されない。
【0029】
(3)3層構造の金属基板10を使用してバンプ(接続用のバンプ21及びホールドバンプ22)を形成する方法について説明したが、バンプ21、22の形成方法は、これに限定されない。例えば、単層の銅箔等の金属箔(即ち、エッチングストップ層のない金属箔)を用意し、ハーフエッチングによってバンプを形成することもできる。
(4)金属基板10の周辺領域に設けるホールドバンプ22の寸法や配置間隔等は、例示したものに限定されない。例えば、研磨する方向が一定していて、保護フィルム50の剥がれる箇所が決まっているのなら、その箇所にのみホールドバンプ22を設けるようにしても良い。
【0030】
【発明の効果】
請求項1の配線回路基板の製造方法によれば、金属箔の有効領域を囲む周辺領域の表面に保護フィルムを保持するためのホールドバンプを形成し、この金属箔の有効領域を覆う絶縁シート及び該ホールドバンプが形成された金属箔の周辺領域を保護フィルムで覆い、この保護フィルムの表面にクッション材を介して圧力を加え、該ホールドバンプを保護フィルムの周辺部に貫通させてこの保護フィルムを保持させるようにしているので、保護フィルムの周辺部がホールドバンプで保持・固定され、接続用のバンプ表面を露出させるために保護フィルム及び絶縁シートを研磨するときに剥がれが生ずるおそれがなくなり、作業能率と歩留まりの向上が可能になる。
【0031】
請求項2の配線回路基板の製造方法によれば、ホールドバンプの根元部分における直径を0.1mm〜0.5mm(例えば0.4mm)にし、該ホールバンプを複数個(例えば2〜14個)0.3〜2mmの配置ピッチで配置して一つのホールドバンプ群を構成し、該ホールドバンプ群を複数個前記金属箔の周辺領域に沿って12mm以下、例えば10mmの一定間隔で設けたので、どのような方向から研磨しても保護フィルム及び絶縁シートが剥がれるおそれがない。
【0032】
請求項3の配線回路基板の製造方法によれば、加熱圧着処理により保護フィルム及び絶縁シートのその金属箔との密着力を得ることが必要ではないので、保護フィルム及びクッション材として、耐熱性の弱い安価なポリプロピレン・フィルムを用いても剥がれが生じない。従って、材料や消耗品のコストアップを抑えることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(A)〜(D)は本発明配線回路基板の製造方法の第1の実施例の工程(A)〜(D)を順に示す断面図である。
【図2】(E)、(F)は本発明配線回路基板の製造方法の第1の実施例の工程(E)、(F)を順に示す断面図である。
【図3】図1(B)に示した段階における金属基板のバンプ形成面の概略を示す平面図である。
【図4】(A)〜(E)は配線回路基板の製造方法の従来例を工程順に示す断面図である。
【符号の説明】
11・・・金属箔、21・・・バンプ、22・・・ホールドバンプ、
40・・・絶縁シート、50・・・保護フィルム、60・・・クッション材。
Claims (3)
- 配線層となる金属箔の有効領域の表面に接続用のバンプを形成し、該金属箔のバンプが形成された面を絶縁シートで覆い、該絶縁シートの上に保護フィルムを被せ、該保護フィルムの表面にクッション材を介して圧力を加えて該絶縁シートを該金属箔に圧着し、該バンプの上に圧着された該絶縁シートと保護フィルムを研磨して該バンプの表面を露出させる工程を有する配線回路基板の製造方法において、
上記金属箔の有効領域のバンプと共に、該有効領域を囲む周辺領域の表面に前記保護フィルムを保持するためのホールドバンプをも形成することとし、
上記金属箔の有効領域を覆う絶縁シートについては上記周辺領域を覆わず、上記保護フィルムについては該周辺領域をも覆うようにすることとし、
前記保護フィルムの表面に上記クッション材を介して上記圧力を加えて上記圧着をする際に、上記記保護フィルムが、その圧力により上記ホールドバンプにより周辺部を貫通されるようにすることを特徴とする配線回路基板の製造方法。 - 前記ホールドバンプは、その根元部分における直径が0.1mm〜0.5mmであり、
該ホールバンプを複数個0.3〜2mmの配置ピッチで配置して一つのホールドバンプ群を構成し、
上記ホールドバンプ群を前記金属箔の周辺領域に沿って12mm以下の一定間隔で設けたことを特徴とする請求項1記載の配線回路基板の製造方法。 - 前記保護フィルム及び前記クッション材として、ポリプロピレン・フィルムを用いることを特徴とする請求項1又は2記載の配線回路基板の製造方法。
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010521587A (ja) * | 2007-03-13 | 2010-06-24 | テッセラ,インコーポレイテッド | 微細ピッチのマイクロ接点及びその成形方法 |
US8531039B2 (en) | 2003-12-30 | 2013-09-10 | Tessera, Inc. | Micro pin grid array with pin motion isolation |
US8580607B2 (en) | 2010-07-27 | 2013-11-12 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages with nanoparticle joining |
US8604348B2 (en) | 2003-10-06 | 2013-12-10 | Tessera, Inc. | Method of making a connection component with posts and pads |
US8723318B2 (en) | 2010-07-08 | 2014-05-13 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages with dual or multiple-etched flip-chip connectors |
US8853558B2 (en) | 2010-12-10 | 2014-10-07 | Tessera, Inc. | Interconnect structure |
US8884448B2 (en) | 2007-09-28 | 2014-11-11 | Tessera, Inc. | Flip chip interconnection with double post |
US9633971B2 (en) | 2015-07-10 | 2017-04-25 | Invensas Corporation | Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles |
US10535626B2 (en) | 2015-07-10 | 2020-01-14 | Invensas Corporation | Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles |
US11478566B2 (en) | 2010-04-07 | 2022-10-25 | Baxter International Inc. | Hemostatic sponge |
US11973056B2 (en) | 2016-10-27 | 2024-04-30 | Adeia Semiconductor Technologies Llc | Methods for low temperature bonding using nanoparticles |
-
2003
- 2003-07-11 JP JP2003195931A patent/JP4056001B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8604348B2 (en) | 2003-10-06 | 2013-12-10 | Tessera, Inc. | Method of making a connection component with posts and pads |
US8641913B2 (en) | 2003-10-06 | 2014-02-04 | Tessera, Inc. | Fine pitch microcontacts and method for forming thereof |
US8531039B2 (en) | 2003-12-30 | 2013-09-10 | Tessera, Inc. | Micro pin grid array with pin motion isolation |
JP2010521587A (ja) * | 2007-03-13 | 2010-06-24 | テッセラ,インコーポレイテッド | 微細ピッチのマイクロ接点及びその成形方法 |
US8884448B2 (en) | 2007-09-28 | 2014-11-11 | Tessera, Inc. | Flip chip interconnection with double post |
US11478566B2 (en) | 2010-04-07 | 2022-10-25 | Baxter International Inc. | Hemostatic sponge |
US8723318B2 (en) | 2010-07-08 | 2014-05-13 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages with dual or multiple-etched flip-chip connectors |
US8580607B2 (en) | 2010-07-27 | 2013-11-12 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages with nanoparticle joining |
US9030001B2 (en) | 2010-07-27 | 2015-05-12 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages with nanoparticle joining |
US9397063B2 (en) | 2010-07-27 | 2016-07-19 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages with nanoparticle joining |
US9496236B2 (en) | 2010-12-10 | 2016-11-15 | Tessera, Inc. | Interconnect structure |
US8853558B2 (en) | 2010-12-10 | 2014-10-07 | Tessera, Inc. | Interconnect structure |
US9633971B2 (en) | 2015-07-10 | 2017-04-25 | Invensas Corporation | Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles |
US9818713B2 (en) | 2015-07-10 | 2017-11-14 | Invensas Corporation | Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles |
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