JP2005031591A - フォトマスク検証方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ＯＰＣ補正ルールのプログラムミス（バグ）を容易に検出してプログラムを修正することができる精密で信頼度の高いフォトマスク検証方法を提供する。
【解決手段】ＯＰＣ補正を施す際に必要となるＯＰＣ補正用ルールをファイル化した補正用ルールファイルを作成する（ステップＳ１４、Ｓ１６）。ＯＰＣ補正用ルールとして、第１アルゴリズムを用いて第１補正用ルールを作成し、第１アルゴリズムとは異なる第２アルゴリズムを用いて第２補正用ルールを作成する。テストデータに第１補正用ルールによるＯＰＣ補正を施して第１補正テストデータを作成し、テストデータに第２補正用ルールによるＯＰＣ補正を施して第２補正テストデータを作成する（ステップＳ２２、Ｓ２４）。第１補正テストデータ及び第２補正テストデータを比較することにより、補正用ルールに対するフォトマスク検証を行う（ステップＳ２６）ものとする。
【選択図】 図１

Description

本発明は、フォトマスク検証方法、特に光近接効果に対応するために光近接効果補正をフォトマスクデータに施して、光近接効果補正の検証を行うフォトマスク検証方法に関する。

半導体デバイスの微細加工技術の進展は目覚しく、中でも半導体ウエハに半導体素子を同時に形成する際の技術であるフォトリソグラフィ技術はキーテクノロジである。フォトリソグラフィ技術では、光露光技術を用いている。

光露光技術は、電子ビーム露光により形成されたフォトマスクを用いる一括縮小露光により、既に、量産技術として使用されている。例えば、ＫｒＦ（波長：２４８ｎｍ）リソグラフィでは１３０ｎｍ、ＡｒＦ（波長：１９３ｎｍ）リソグラフィでは１００ｎｍの最小寸法を実現し、現在開発中のＦ₂ （波長：１５７ｎｍ）リソグラフィでは７０ｎｍの最小寸法を目標にしている。

いずれも、超解像技術と言われる位相シフトフォトマスクを用い、使用波長の半分程度の解像度が得られている。しかし、光の波長に起因する解像限界付近では、光の回折や干渉などに基づく光近接効果により、光学像が歪んでしまい設計したフォトマスクパターンを形成できないという問題がある。

先端リソグラフィＣＡＤ技術では、フォトマスクパターンの半導体ウエハ転写時の変形をあらかじめ補正しておく光近接効果補正（Optical Proximity Correction：以下ＯＰＣ補正）を施すことにより、設計通りのパターン解像度を可能にする技術がある。フォトマスクデータにＯＰＣ補正を施した補正フォトマスクデータを用いて作製されたフォトマスクはＯＰＣ補正フォトマスクと言われており、０．３５μｍ世代以降のリソグラフィＣＡＤ技術で、用いられる様になった。

このように、光近接効果により半導体ウエハへの転写時に生じる変形を予め見込んで、フォトマスクデータを補正して得られるフォトマスクパターン（パターン形状）を当初の設計パターンに近づけることができる。ＯＰＣ補正は、起こりうる近接ひずみに対して集積回路（超ＬＳＩ）のレイヤ毎にフォトマスクデータに補正を施すことにより補正フォトマスクデータを作成し、この補正フォトマスクデータにより、フォトマスクパターンを作成することで行われる。

ＯＰＣ補正のテスト用に特別に作られたテスト用フォトマスクパターンの露光結果から得られた経験的なデータをもとに、近接ひずみの補正を数学的な記述により表したＯＰＣ補正ソフトウェアが作成されている。この記述は、「Ｒｕｌｅ−Ｂａｓｅ ＯＰＣ補正」として表され、フォトマスクデータ（フォトマスクパターン／レイアウトパターン）に簡単な変更を加えるルールの形で表すことができる。また、より詳細で複雑なプロセスのモデルに対応した「Ｍｏｄｅｌ−Ｂａｓｅ ＯＰＣ補正」で表すこともできる。

一度それらの記述が作られると、ＯＰＣ補正ソフトウェアが近接ひずみに自動的に対応するため、レイアウトパターンの形状の変更、ラインのエッジの移動、特殊パターンの追加等を自動的に行う。つまり、光近接効果による影響を受けるレイアウトパターンに対応する層（レイヤ）のフォトマスク（クリティカルなフォトマスク）は、ＯＰＣ補正ソフトウェアによる補正を施すことにより、補正済みの補正フォトマスクに変換することができる。補正フォトマスクが近接ひずみを打ち消すので、設計データに近いパターンを半導体ウエハ上に形成することができる。

図３は従来のＯＰＣ補正によるフォトマスク検証をしてフォトマスクを作製するまでの過程を示すフローチャートである。従来からよく用いられているＲｕｌｅ−Ｂａｓｅ ＯＰＣ補正を例にして説明する。

先ず、半導体ウエハプロセス部門で、ＯＰＣ補正必要層（光近接効果の影響を受けるフォトマスクの層）のデザインルールの抽出を行う（ステップＳ５０）。次に、ＴＥＧ（テスト素子グループ）のフォトマスクを用いてステッパ露光により得られた半導体ウエハ上の転写結果から、フォトマスクデータ（レイアウトパターン）に簡単な変更を加える形式のルールで表したＯＰＣ補正の最適補正値を画定する（ステップＳ５２）。ＯＰＣ補正を施す際に必要となるＯＰＣ補正用ルールをファイル化した補正用ルールファイルを作成する（ステップＳ５４）。なお、ＯＰＣ補正用ルールの作成は適宜のアルゴリズムを用いて行われる。

実デバイスの設計時のフォトマスクデータである原フォトマスクデータにＯＰＣ補正を施して補正フォトマスクデータを作成する（ステップＳ５６）。この際のＯＰＣ補正は補正用ルールファイルを用いて行われる。次に、原フォトマスクデータと補正フォトマスクデータとを比較する（ステップＳ５８）。ここでは先ず、図形演算により、補正フォトマスクデータから原フォトマスクデータを減算する。減算の結果、補正により変更された部分のデータが残ることになる。次に、補正されたサイズの最大値を用いて、変更された部分のデータに縮小処理（アンダーサイズ処理：減算）及び拡大処理（オーバーサイズ処理：加算）を行う。縮小処理及び拡大処理により、補正部分のデータに対応する残図形は原理的には解消することになる。

原フォトマスクデータ及び補正フォトマスクデータの比較結果としての残図形があるか否かを判定する（ステップＳ６０）。残図形がある場合（ステップＳ６０：ＹＥＳ）にはステップＳ５４へ戻り再度ＯＰＣ補正に必要な補正用ルールファイルを作成する。つまり、補正用ルールファイルを作成し直し、残図形が無くなるまでこのフローを繰り返す。残図形が無い場合（ステップＳ６０：ＮＯ）には、補正用ルールファイルは適正であり、また作成された補正フォトマスクデータも適正であることが検証されたので、補正フォトマスクデータに基づいてフォトマスク（フォトマスクパターン）を作製する（ステップＳ６２）。なお、光近接効果に対するＯＰＣ補正の適正を検証する方法として、例えば特許文献１が知られている。
特開平１１−１７４６５９号公報

しかし、ＯＰＣ補正を施すために作成した補正用ルールファイル（補正用にプログラムしたアルゴリズム）にプログラム的なバグがある場合には、ＯＰＣ補正に伴って、発生してはならない小さなパターンが発生したり、設計時の原フォトマスクデータ（パターンデータ）とは異なるパターンデータになってしまったり、フォトマスク作成プロセスの製造限界を超えた補正フォトマスクデータによるフォトマスク（マスクパターン）を生成してしまう虞があるという問題がある。

また、例えば、特許文献１に開示されているフォトマスク検証方法によれば、原フォトマスクパターンを最大バイアス（最大補正値）だけオーバーサイズ処理及びアンダーサイズ処理をしたフォトマスクパターンを生成し、これと、ＯＰＣ補正を施したフォトマスクパターンとの比較による検証をすることとなる。しかしこの検証方法では、オーバーサイズ以下及びアンダーサイズ以下の光近接効果補正パラメータに無い、発生してはならない小さなＯＰＣ補正パターン（バグ）を見逃すこととなる。つまり、ＯＰＣ補正ルール（ＯＰＣ補正ルールファイル）にプログラムミス（バグ）がある場合に生じる小さなフォトマスクパターンを見逃すことになる。

本発明は、斯かる問題に鑑みてなされたものであり、ＯＰＣ補正ルール（ＯＰＣ補正ルールファイル）のプログラムミス（バグ）を容易に検出してプログラムを修正することができる予備検証としてのフォトマスク検証方法、また、発生してはならない小さなＯＰＣ補正パターンを見逃すことのない精密で信頼度の高いフォトマスク検証方法を提供することを目的とする。

本発明に係るフォトマスク検証方法は、フォトマスクデータに補正用ルールを適用して光近接効果補正を施した補正フォトマスクデータを前記フォトマスクデータと比較することにより光近接効果補正の検証を行うフォトマスク検証方法において、光近接効果補正を施すために第１アルゴリズムにより作成した第１補正用ルールを適用して前記フォトマスクデータに光近接効果補正を施して第１補正フォトマスクデータを作成する過程と、光近接効果補正を施すために前記第１アルゴリズムとは異なる第２アルゴリズムにより作成した第２補正用ルールを適用して前記フォトマスクデータに光近接効果補正を施して第２補正フォトマスクデータを作成する過程と、第１補正フォトマスクデータ及び第２補正フォトマスクデータを比較する過程とを備えることを特徴とする。

本発明に係るフォトマスク検証方法では、前記比較の結果に基づいて、前記第１補正用ルール又は第２補正用ルールを修正することを特徴とする。

本発明に係るフォトマスク検証方法では、前記第１補正用ルールは予め適正を検証されており、前記比較の結果に基づいて第２補正用ルールを修正することを特徴とする。

本発明に係るフォトマスク検証方法は、フォトマスクデータに光近接効果補正を施して求めた補正フォトマスクデータを評価することにより前記光近接効果補正の検証を行うフォトマスク検証方法において、前記フォトマスクデータを第１サイズで分割して第１サイズフォトマスクデータを作成する過程と、前記フォトマスクデータを第２サイズで分割して第２サイズフォトマスクデータを作成する過程と、前記第１サイズフォトマスクデータに前記光近接効果補正を施して第１サイズ補正フォトマスクデータを作成する過程と、前記第２サイズフォトマスクデータに前記光近接効果補正を施して第２サイズ補正フォトマスクデータを作成する過程と、前記第１サイズ補正フォトマスクデータ及び第２サイズ補正フォトマスクデータを比較して前記光近接効果補正の適正を検証する過程とを備えることを特徴とする。

本発明に係るフォトマスク検証方法では、前記フォトマスクデータは実デバイスの原フォトマスクデータであり、原フォトマスクデータと原フォトマスクデータに前記光近接効果補正を施して得られる実デバイス補正フォトマスクデータとを比較する過程を更に備えることを特徴とする。

本発明に係るフォトマスク検証方法では、前記原フォトマスクデータと実デバイス補正フォトマスクデータとを比較する過程は、前記実デバイス補正フォトマスクデータから前記原フォトマスクデータを減算する過程と、前記光近接効果補正の際の最大補正値を用いて前記減算の結果に対して縮小処理又は拡大処理を施す過程とを含むことを特徴とする。

本発明にあっては、２種類のアルゴリズムにより作成した２種類の補正用ルール（補正用ルールファイル）を作成し、この２種類の補正用ルールに基づいてフォトマスクデータにＯＰＣ補正を施して２つの補正フォトマスクデータを作成し、この二つの補正フォトマスクデータを比較するので、極めて簡単かつ精密に補正用ルール（アルゴリズム）の適正を予備検証できるフォトマスク検証方法を提供できる。検証の結果、いずれか一方の補正用ルールにバグがあれば、補正用ルールを適宜修正して再度検証することが簡単にできる。また一方の補正用ルールを予め検証しておけば、他方の補正用ルールの検証を極めて容易に実行できる。

本発明にあっては、フォトマスクデータを第１サイズで分割して第１サイズフォトマスクデータを作成し、更にフォトマスクデータを第２サイズで分割して第２サイズフォトマスクデータを作成し、これらに光近接効果補正を施すことにより、異なるサイズの補正フォトマスクデータを作成し、この異なるサイズの補正フォトマスクデータを相互に比較することにより極めて容易かつ精密に補正用ルール（補正用ルールファイル）の適正を検証できるフォトマスク検証方法を提供できる。また、この比較に際し、光近接効果補正の最大補正値を用いて縮小処理又は拡大処理を施すことにより容易にフォトマスクデータに対するＯＰＣ補正の適正を検証できる。

本発明によれば、予備検証によりＯＰＣ補正を施したフォトマスク（補正フォトマスクデータ）の検証で用いるアルゴリズムのバグを正確に検出するフォトマスク検証方法を実現できる。つまり、ＯＰＣ補正用ルール（ＯＰＣ補正用ルールファイル）を作成するためのアルゴリズムに内在するプログラム的なバグにより発生した意図しない小さなＯＰＣ補正パターンは、元のパターンデータとは異なるパターンデータになることや、フォトマスクプロセスの製造限界を超えた補正フォトマスクパターンを生成してしまうことなどの虞があるが、異なるアルゴリズムを有するツール（ＯＰＣ補正用ルールファイル）を用いることにより、プログラム的なバグを極めて容易に解消することができる。

本発明によれば、異なるサイズのフォトマスクデータを２種類作成し、それぞれに同一の補正ルールに基づくＯＰＣ補正を施して、２種類の補正フォトマスクデータを作成する。作成した２種類の補正フォトマスクデータを相互に比較するので、極めて容易かつ精密に補正フォトマスクデータの検証ができるフォトマスク検証方法を実現できる。

本発明によれば、容易かつ精密に実デバイスのフォトマスク（フォトマスクデータ）のＯＰＣ補正に対する検証ができるフォトマスク検証方法を実現できるから、結果として、ＯＰＣ補正を施したフォトマスクの製造プロセスの量産性、歩留まりの向上を図ることができる。また、半導体ウエハ上に所望のパターンを容易かつ精密に実現できることから、半導体デバイスの量産性、歩留まりを飛躍的に上げることができる。

以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて説明する。

図１、図２は本発明に係るフォトマスク検証方法により検証した補正フォトマスクデータを用いてフォトマスクを作製するまでの過程を示すフローチャートである。近接ひずみの補正値を数学的な記述により表す事のできる「Ｒｕｌｅ−Ｂａｓｅ ＯＰＣ補正」に有効であり、それを例にして説明する。

先ず、半導体ウエハプロセス部門で、ＯＰＣ補正必要層（光近接効果の影響を受けることからＯＰＣ補正が必要なフォトマスクの層）のデザインルールの抽出を行う（ステップＳ１０）。次に、ＴＥＧ（テスト素子グループ）のフォトマスクを用いてステッパ露光により得られた半導体ウエハ上の転写結果から、フォトマスクデータ（レイアウトパターン）に簡単な変更を加える形式のルールで表したＯＰＣ補正の最適補正値を画定する（ステップＳ１２）。

ＯＰＣ補正を施す際に必要となるＯＰＣ補正用ルールをファイル化した補正用ルールファイルを作成する（ステップＳ１４、Ｓ１６）。なお、ＯＰＣ補正用ルール（補正用ルールファイル）の作成は適宜のアルゴリズム（処理プログラム）を用いて行うことができるが、ＯＰＣ補正用ルールとして、第１アルゴリズムを用いて第１補正用ルールを作成し、第１アルゴリズムとは異なる第２アルゴリズムを用いて第２補正用ルールを作成する。併せて、第１補正用ルールをファイル化した第１補正用ルールファイルを作成し（ステップＳ１４）、第２補正用ルールをファイル化した第２補正用ルールファイルを作成する（ステップＳ１６）。

第１補正用ルール（第１補正用ルールファイル）は第１予備検証用ツール（ステップＳ１４、Ｓ１８、Ｓ２０、Ｓ２２を実行する手段）において用いられ、第２補正用ルール（第２補正用ルールファイル）は第２予備検証用ツール（ステップＳ１６、Ｓ２４を実行する手段）において用いられる。それぞれから得られたＯＰＣ補正後のフォトマスクデータである補正フォトマスクデータは異なるツール（第１検証用ツール、第２検証用ツール）で作成されたデータであるが、ＯＰＣ補正が適正である場合には、ＯＰＣ補正後のデータとしては全く同一のデータが作成されることになる。

フォトマスク検証方法でもある予備検証（フォトマスク予備検証）として、第１補正用ルール（第１補正用ルールファイル）及び第２補正用ルール（第２補正用ルールファイル）の検証を行う（ステップＳ１０〜Ｓ２８）。ＯＰＣ補正の際に用いる補正用ルール（第１補正用ルール及び第２補正用ルール）の検証であるから予備検証という。

第１予備検証用ツールでの処理フローは次の通りである。先ず、第１補正用ルール（第１補正用ルールファイル）に基づいてテストデータ（例えばＴＥＧフォトマスクに対してＯＰＣ補正を施す前の予備検証用フォトマスクデータ）を作成する（ステップＳ１８）。テストデータは、ＯＰＣ補正必要層に対応させて第１補正用ルールファイルに記述された内容に適合したテストデータとなっている。なお、このテストデータは、第１予備検証用ツールに予め設けてあるテストデータ自動発生プログラムを用いて適宜発生することができる。

次に、第１予備検証用ツールで発生したテストデータに対して、更にＯＰＣ補正予想値（予備検証でのＯＰＣ補正によりテストデータに対して付加される変更値として予想（期待）される補正値）を生成する（ステップＳ２０）。つまり、テストデータに対して第１補正用ルール（第１補正用ルールファイル）を適用してＯＰＣ補正予想値を求める。ＯＰＣ補正予想値は第１補正用ルールを適用した自動発生プログラムを組むことにより自動的に発生させることができる。ＯＰＣ補正予想値はＯＰＣ補正値であるが、予備検証の過程でのＯＰＣ補正値であることを明確にするためにＯＰＣ補正予想値と表現する。

テストデータにＯＰＣ補正予想値に基づくＯＰＣ補正を施して第１補正テストデータを作成する（ステップＳ２２）。つまり、第１補正テストデータはテストデータにＯＰＣ補正予想値が付加された形式で表される。なお、第１補正テストデータは図形データとして表現することができる。また、テストデータにＯＰＣ補正予想値に基づくＯＰＣ補正を施して第１補正テストデータを作成することは、テストデータに第１補正用ルールを適用してＯＰＣ補正を施し、第１補正テストデータを作成することと同義である。

第２予備検証用ツールでの処理フローは次の通りである。先ず、テストデータに第２補正用ルール（第２補正用ルールファイル）を適用してＯＰＣ補正を施し、第２補正テストデータを作成する（ステップＳ２４）。なお、第２補正テストデータは図形データとして表現することができる。

第１補正テストデータ及び第２補正テストデータを比較することにより、補正用ルールに対する予備検証（フォトマスク検証）を行う（ステップＳ２６）。第１補正テストデータ及び第２補正テストデータのいずれも図形データとして表現されることから、予備検証は具体的には図形演算で行うことができる。図形演算は、図形のサイズ、形状を比較することにより行われる。第１補正テストデータ及び第２補正テストデータは互いに異なるアルゴリズムにより形成されたものであるが、画定された最適補正値（ステップＳ１２）を共通の基準として作成されたものであるから、第１補正用ルール及び第２補正用ルールにバグが無い場合には、第１補正テストデータ及び第２補正テストデータは同一になるべきものである。

第１補正テストデータ及び第２補正テストデータを比較した結果として図形に相違があるか否かを判定する（ステップＳ２８）。相違がある場合（ステップＳ２８：ＹＥＳ）は、第１予備検証用ツールで用いた第１補正用ルール（第１補正用ルールファイル）又は第２予備検証用ツールで用いた第２補正用ルール（第２補正用ルールファイル）の何れか、又は双方にバグがあることになる。つまり、再度ＯＰＣ補正用ルール（補正用ルールファイル）を作成し直すことが必要になるのでステップＳ１４、Ｓ１６へ戻り、図形の相違が無くなるまでこのフロー（Ｓ１４〜Ｓ２８）を繰り返す。

なお、一方の補正用ルールに実績のあるもの（予め検証をして適正を確認したもの）を用い他方の補正用ルールに新規に作成したもの（改良版）とすることにより、新規に作成した補正用ルールについて適正を容易に検証することができる。つまり、実績のある補正用ルールを用いて改良版の補正用ルールを検証できるので、高速で効率良くフォトマスクデータの検証ができるフォトマスク検証方法となる。例えば、第１補正用ルールが検証済の場合には、第１補正用ルールを適用して作成した第１補正テストデータを保存しておくことにより、ステップＳ１４、Ｓ１８、Ｓ２０、Ｓ２２を省略することができるので、新規に作成した第２補正用ルールの検証を極めて容易に実行することができる。

残図形が無い場合（ステップＳ２８：ＮＯ）には、第１、第２補正用ルール（補正用ルールファイル）は適正である（つまり、補正用ルールファイルは間違いなく作成されている）ことが検証できたので、予備検証の後の段階として、実デバイスのフォトマスクデータに対するＯＰＣ補正に適用する。

次に、実デバイス（ＬＳＩ）の設計時のフォトマスクデータである原フォトマスクデータにＯＰＣ補正を施して補正フォトマスクデータを作成し、フォトマスクを作製する場合のフローにつき説明する（ステップＳ３０〜Ｓ４６）。予備検証に対して実デバイス検証（本検証）ともいえるが、いずれもフォトマスク検証方法として把握できるものである。

ＯＰＣ補正必要層の原フォトマスクデータを準備しておく。また、ＯＰＣ補正用ルールとしては予備検証で適正にＯＰＣ補正を施すことができると確認された第１補正用ルール（第１補正用ルールファイル）又は第２補正用ルール（第２補正用ルールファイル）のいずれかを適用する。以下では、第２補正用ルール（例えば改良版）を適用した例を説明する。

先ず、原フォトマスクデータを分割して分割フォトマスクデータを作成する（ステップＳ３０）。この際、第１サイズで分割した第１サイズフォトマスクデータ（第１サイズのテンプレート）と第２サイズで分割した第２サイズフォトマスクデータ（第２サイズのテンプレート）の２種類のフォトマスクデータを作成する。

第１サイズフォトマスクデータ及び第２サイズフォトマスクデータそれぞれに対して、ＯＰＣ補正を施す。原フォトマスクデータを第１サイズで分割して作成した第１サイズフォトマスクデータに対して順次、第２補正用ルールを適用してＯＰＣ補正を施し、第１サイズ補正フォトマスクデータを作成する（ステップＳ３２）。第１サイズ補正フォトマスクデータは分割による比較（ステップＳ３６参照）対象の一方となる。

同様に、原フォトマスクデータを第２サイズで分割して作成した第２サイズフォトマスクデータに対して順次、第２補正用ルールを適用してＯＰＣ補正を施し、第２サイズ補正フォトマスクデータを作成する（ステップＳ３４）。第２サイズ補正フォトマスクデータは分割による比較（ステップＳ３６参照）対象の他方となる。なお、第１サイズ補正フォトマスクデータを検証用データとすれば、第２サイズ補正フォトマスクデータはフォトマスク作製用データとなる。

作成した第１サイズ補正フォトマスクデータ及び第２サイズ補正フォトマスクデータを比較する（ステップＳ３６）。異なるサイズ（テンプレートサイズ）で別々に発生させたＯＰＣ補正後のフォトマスクデータ（第１サイズ補正フォトマスクデータ及び第２サイズ補正フォトマスクデータ）は、同一の補正用ルールファイル（第２補正用ルール）により処理を行うため、同じ図形（サイズ、形状）を示すこととなる。

つまり、予備検証の場合と同様に、種々の設計がなされている原フォトマスクデータのＯＰＣ補正に対しても、第１サイズ補正フォトマスクデータ及び第２サイズ補正フォトマスクデータを比較した結果として図形に相違があるか否かを判定する（ステップＳ３８）。これにより、ＯＰＣ補正が正しく行われたか否かを検証することができる。

相違がある場合（ステップＳ３８：ＹＥＳ）は、原フォトマスクデータの該当部分（相違部分）を抽出し（ステップＳ４０）、テストデータとして扱うためにステップＳ１８へ戻り、異なる２つの予備検証ツール（第１予備検証用ツール及び第２予備検証用ツール）で再度ＯＰＣ補正を施し（ステップＳ１８、Ｓ２０、Ｓ２２、Ｓ２４）、続けて比較検証（予備検証）を行い（ステップＳ２６）、適宜補正用ルールファイル（第１補正用ルール、第２補正用ルール）を作成し直す（ステップＳ２８：ＹＥＳの場合のステップＳ１４、Ｓ１６へ戻る）。その後、再び、原フォトマスクデータに分割によるＯＰＣ補正（ステップＳ３０、Ｓ３２、Ｓ３４）及び比較（ステップＳ３６）を施して、図形の相違が無くなる（ステップＳ３８：ＮＯ）まで繰り返す。

図形の相違が無い（又は相違が解消した）場合（ステップＳ３８：ＮＯ）は、原フォトマスクデータと補正フォトマスクデータとを比較する（ステップＳ４２）。なお、補正フォトマスクデータとしては上述したとおり第２サイズ補正フォトマスクデータを用いるが、分割を解消したものを原フォトマスクに対応させた補正フォトマスクデータとして適用することも可能である。ここでは先ず、図形演算により、補正フォトマスクデータから原フォトマスクデータを減算する。減算の結果、補正により変更された部分の変更データが残ることになる。次に、補正されたサイズの最大値（最大補正値）を用いて、変更された部分の変更データに縮小処理（アンダーサイズ処理：減算）及び拡大処理（オーバーサイズ処理：加算）を施す。縮小処理及び拡大処理により、補正部分のデータに対応する残図形は原理的には解消することになる。なお、縮小処理及び拡大処理をリサイズ処理と称し、リサイズ処理を含む検証フローをリサイズ検証と称する。

リサイズ処理の結果として残図形があるか否かを判定する（ステップＳ４４）。残図形がある（リサイズ処理によっても変更データが無くならない）場合（ステップＳ４４：ＹＥＳ）は、その変更データに対応する原フォトマスクデータの該当部分を抽出し（ステップＳ４０）、テストデータとして、ステップＳ１８へ戻り、異なる２つの予備検証ツール（第１予備検証用ツール及び第２予備検証用ツール）で再度ＯＰＣ補正を施し（ステップＳ１８、Ｓ２０、Ｓ２２、Ｓ２４）、続けて比較検証（予備検証）を行い（ステップＳ２６）、適宜補正用ルールファイル（第１補正用ルール、第２補正用ルール）を作成し直す（ステップＳ２８：ＹＥＳの場合はステップＳ１４、Ｓ１６へ戻る）。その後、再び、原フォトマスクデータに分割によるＯＰＣ補正（ステップＳ３０、Ｓ３２、Ｓ３４）及び比較（ステップＳ３６）を施して、図形の相違が無くなる（ステップＳ３８：ＮＯ）まで繰り返す。

図形の相違が無くなった（ステップＳ３８：ＮＯ）後、再度ステップＳ４２へ戻り、ステップＳ４４で残図形がなければ、補正フォトマスクデータ（第２サイズ補正フォトマスクデータ、又は分割を解消して原フォトマスクデータに対応させたもの。なお、第２サイズ補正フォトマスクデータを集合すれば分割を解消したことになるから、特別な操作は不要である。）に基づいてフォトマスク（フォトマスクパターン）を作製する（ステップＳ４６）。

以上のとおり、予備検証として、異なるアルゴリズムで作成した２種類のＯＰＣ補正用ルール（補正用ルールファイル）を用いて補正マスクデータを作成し、相互に比較することにより容易にＯＰＣ補正用ルールの適正を検証することができる。つまり、ＯＰＣ補正用ルールとして、異なるアルゴリズムを用いて第１補正用ルール及び第２補正用ルールを作成した。予備検証において相違がない場合に、第１補正用ルールを適用した第１予備検証用ツールで作成した第１補正テストデータ（図形データ）を保存しておくことで、ＯＰＣ補正用ルール（補正に用いるアルゴリズム）の検証用に使用することができる。例えば、改良された新しい補正用ルールとして第２補正用ルールを検証する場合に、第２補正テストデータを作成し、次に予め作成され保存してある第１補正テストデータとを比較（予備検証）することにより、第２補正用ルール（第２予備検証用ツール）の検証を容易に行うことができる。

また、予備検証の結果、適正が検証されたＯＰＣ補正用ルールを用いて、実デバイスのフォトマスクデータである原フォトマスクデータにＯＰＣ補正を施して実デバイス補正フォトマスクデータを作成し、原フォトマスクデータと実デバイス補正フォトマスクデータとを比較する。実デバイス補正フォトマスクデータの作成の際に、原フォトマスクデータを異なるサイズに分割して、それぞれに対して補正フォトマスクデータを作成するので、異なるサイズに対応した２種類の補正フォトマスクデータを相互に比較することにより容易にＯＰＣ補正用ルールを再度検証できる。また、原フォトマスクデータと実デバイス補正フォトマスクデータとを比較する際に最大補正値を用いたリサイズ処理を施すので容易に適正なＯＰＣ補正を施されたフォトマスクデータか否かを確実に検証することができる。

以上、詳細に説明したように、予備検証によるＯＰＣ補正用ルールの検証から、実デバイスの原フォトマスクデータとこれにＯＰＣ補正を施した実デバイス補正フォトマスクデータとの比較、比較結果に基づく実デバイスのフォトマスクの作製までの一連の処理フローにより、適正なＯＰＣ補正を施したフォトマスクを作製することができる。

本発明に係るフォトマスク検証方法により検証した補正フォトマスクデータを用いてフォトマスクを作製するまでの過程を示すフローチャートである。 本発明に係るフォトマスク検証方法により検証した補正フォトマスクデータを用いてフォトマスクを作製するまでの過程を示すフローチャートである。 従来のＯＰＣ補正によるフォトマスク検証をしてフォトマスクを作製するまでの過程を示すフローチャートである。

Claims (6)

1. フォトマスクデータに補正用ルールを適用して光近接効果補正を施した補正フォトマスクデータを前記フォトマスクデータと比較することにより光近接効果補正の検証を行うフォトマスク検証方法において、
   光近接効果補正を施すために第１アルゴリズムにより作成した第１補正用ルールを適用して前記フォトマスクデータに光近接効果補正を施して第１補正フォトマスクデータを作成する過程と、
   光近接効果補正を施すために前記第１アルゴリズムとは異なる第２アルゴリズムにより作成した第２補正用ルールを適用して前記フォトマスクデータに光近接効果補正を施して第２補正フォトマスクデータを作成する過程と、
   第１補正フォトマスクデータ及び第２補正フォトマスクデータを比較する過程と
   を備えることを特徴とするフォトマスク検証方法。
2. 前記比較の結果に基づいて、前記第１補正用ルール又は第２補正用ルールを修正することを特徴とする請求項１記載のフォトマスク検証方法。
3. 前記第１補正用ルールは予め適正を検証されており、前記比較の結果に基づいて第２補正用ルールを修正することを特徴とする請求項２記載のフォトマスク検証方法。
4. フォトマスクデータに光近接効果補正を施して求めた補正フォトマスクデータを評価することにより前記光近接効果補正の検証を行うフォトマスク検証方法において、
   前記フォトマスクデータを第１サイズで分割して第１サイズフォトマスクデータを作成する過程と、
   前記フォトマスクデータを第２サイズで分割して第２サイズフォトマスクデータを作成する過程と、
   前記第１サイズフォトマスクデータに前記光近接効果補正を施して第１サイズ補正フォトマスクデータを作成する過程と、
   前記第２サイズフォトマスクデータに前記光近接効果補正を施して第２サイズ補正フォトマスクデータを作成する過程と、
   前記第１サイズ補正フォトマスクデータ及び第２サイズ補正フォトマスクデータを比較して前記光近接効果補正の適正を検証する過程と
   を備えることを特徴とするフォトマスク検証方法。
5. 前記フォトマスクデータは実デバイスの原フォトマスクデータであり、原フォトマスクデータと原フォトマスクデータに前記光近接効果補正を施して得られる実デバイス補正フォトマスクデータとを比較する過程を更に備えることを特徴とする請求項４記載のフォトマスク検証方法。
6. 前記原フォトマスクデータと実デバイス補正フォトマスクデータとを比較する過程は、前記実デバイス補正フォトマスクデータから前記原フォトマスクデータを減算する過程と、前記光近接効果補正の際の最大補正値を用いて前記減算の結果に対して縮小処理又は拡大処理を施す過程とを含むことを特徴とする請求項５記載のフォトマスク検証方法。
   

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