JP2005019747A - インダクタンス素子とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】各列に複数本ずつ2列に設けた側面導体1a〜1qと、上面導体38〜40と、下面導体41〜46とにより、ヘリカルコイルを構成する。片側または両側のコイル巻心方向に隣接する複数本の側面導体1a〜1qの下端または/および上端をパターニングにより形成された導体36、37により接続する。あるいは側面導体1a〜1qのうち片側の側面導体の一部の上端(下端)を、反対側の隣接する複数本の側面導体の上端(下端)に上面導体(下面導体)を介して並列接続する。
【選択図】 図11
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、各列に複数本ずつ2列に並列させた側面導体と、側面導体の上端間を橋架接続するようにパターニングにより形成された上面導体と、側面導体の下端間を橋架接続するように形成された下面導体とにより、ヘリカルコイルを構成したインダクタンス素子とその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
電子回路を構成する場合、インダクタンス素子には種々のインダクタンス値を有するものが要求される。このような種々のインダクタンス値を有するインダクタンス素子の要求に応える場合、種々の方法がある。以下これについて説明する。ヘリカル構造のコイルにおけるインダクタンス値Lは下記の(1)式で示されるように、ヘリカルコイルの内径面積S、巻数n、磁路長l、比透磁率μr(μ0は真空の透磁率)を変化させることにより調整できる。
【0003】
L=μ0μr(S/l)n2……(1)
(1)式から分かるように、コイルの内径面積Sを変えることにより、インダクタンス値Lを調整することができる。すなわちこの内径面積Sを小さくすると小さいL値が得られる。しかしこの内径面積Sを小さくすると、(2)式から明らかなように、Q値を劣化させてしまい、Q値を維持したままでのL値の調整ができない。
【0004】
Q=ωL/R=ωμ0μr(S/R)n2……(2)
一方、内径面積Sではなく、巻数nを単に変えることによりインダクタンス値Lを調整する場合、各インダクタンス値での導体数を変えなければならないので、構成部材の共通化ができず、コスト高になるという問題点がある。
【0005】
また、単に磁路長lを変えてインダクタンス値Lを調整する場合も、巻数nを変える場合と同様に、積層構造で実現する場合の導体の厚みや絶縁層の厚みを変えなくてはならないので、構成部材の共通化ができいないため、コスト高になるという問題点がある。比透磁率μrを変える場合も絶縁層の材料を変えることになり、構成部材の共通化ができないため、同様にコスト高になる。
【0006】
基本構造の共通化を図り、製造設備の共通化とそれに伴う経済化の要求に応えるため、特許文献1においては、プリント基板の上下面上の各平行導体をスルーホールで接続したヘリカルコイルからなるインダクタンス素子において、一方の面に設けた平行導体を短絡する導体パターンを設けて巻数を減らしたものが開示されている。
【0007】
【特許文献1】
特開昭55−091804号公報。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
前記特許文献1に記載の構造においては、短絡する導体と短絡された一部の巻線部とで閉回路(迂回路)が構成され、この閉回路では、インダクタンス素子に流れる通常の電流に対して逆向きの電流が流れ、これによってQ値を劣化させてしまうという不具合を生じている。
【0009】
本発明は、上記問題点に鑑み、コイルの一部の構成を共通に用いることができることにより製造設備や工程の共用が図れて経済化が達成されると共に、Q値の高いインダクタンス素子とその製造方法を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
(1)本発明のインダクタンス素子は、各列に複数本ずつ2列に設けた側面導体と、該側面導体の上端間を橋架接続するようにパターニングにより形成された上面導体と、前記側面導体の下端間を橋架接続するように形成された下面導体とにより、ヘリカルコイルを構成し、底面および端面の少なくともいずれかに端子電極を設けたインダクタンス素子であって、
第一に、2列に並列した側面導体のうち、片側または両側のコイル巻心方向に隣接する複数本の側面導体の下端または/および上端をパターニングにより形成された導体により接続するか、
第二に、2列に並列した側面導体のうち、片側の側面導体の下端を、反対側の隣接する複数本の側面導体の下端に前記下面導体を介して並列接続するか、
第三に、2列に並列した側面導体のうち、片側の一部の側面導体の上端を、反対側の隣接する複数本の側面導体の上端に前記上面導体を介して並列接続するか、
上記第一ないし第三の少なくともいずれか1つの接続構造を有することにより、側面導体を個々の上面導体および下面導体に接続する場合の巻数より少ない巻数のコイルを構成したことを特徴とする。
【0011】
(2)また、本発明のインダクタンス素子は、本発明前記(1)に記載のインダクタンス素子において、
前記上面導体のうち、並列接続される上面導体のパターン間は導体により埋め、並列接続される下面導体のパターン間は、対応する側面導体にそれぞれ対応する個々のパターンにより接続したことを特徴とする。
【0012】
(3)また、本発明のインダクタンス素子は、前記(1)または(2)に記載のインダクタンス素子において、
前記インダクタンス素子の巻心方向の両端面と両端部の下面とに端子電極を形成し、前記側面導体のうち、インダクタンス素子の端面に近い側面導体の下端を、下面導体と同時に前記巻心方向に形成される導体により、前記端子電極の端面部と前記側面導体とを接続したことを特徴とする。
【0013】
(4)本発明のインダクタンス素子の製造方法は、各列に複数本ずつ2列に設けた側面導体と、該側面導体の上端間を橋架接続するようにパターニングにより形成された上面導体と、前記側面導体の下端間を橋架接続するように形成された下面導体とにより、ヘリカルコイルを構成し、底面および端面の少なくともいずれかに端子電極を設けたインダクタンス素子の製造方法であって、
第一に、2列に並列した側面導体のうち、片側または両側のコイル巻心方向に隣接する複数本の側面導体の下端または/および上端をパターニングにより形成された導体により接続するか、
第二に、2列に並列した側面導体のうち、片側の側面導体の下端を、反対側の隣接する複数本の側面導体の下端に前記下面導体を介して並列接続するか、
第三に、2列に並列した側面導体のうち、片側の一部の側面導体の上端を、反対側の隣接する複数本の側面導体の上端に前記上面導体を介して並列接続するか、
上記第一ないし第三の少なくともいずれか1つの接続構造を採用し、その接続パターンを選択することにより、側面導体を個々の上面導体および下面導体に接続する場合の巻数より少ない任意の巻数のコイルを得ることを特徴とする。
【0014】
【発明の実施の形態】
図1は本発明のインダクタンス素子の一実施の形態を示す斜視図、図2は本発明のインダクタンス素子を得るための前提となるコイルの構成を示す斜視図、図3はその電極の配置を示す平面図である。図2、図3において、1a〜1qは2列に複数本ずつ並列して設けられた側面導体である。2a〜2hは側面導体1a〜1qのうち、異なる列の対向するものの上端間を橋架接続するように、フォトリソ工法などによってパターニングされた上面導体である。3a〜3gは前記側面導体1a〜1qのうち、異なる列の対向するものに隣接するものの下端間を橋架接続するように上面導体2a〜2hと同様の工法で形成された下面導体である。これら側面導体1a〜1q、上面導体2a〜2h、下面導体3a〜3gにより、ヘリカルコイルを構成する。
【0015】
4a、4bはこのインダクタンス素子のコイルの巻心方向の両端面の下部と端部の底面に連続して形成された端子電極である。5a、5bはインダクタンス素子の側面、端面をそれぞれ覆う絶縁層、5cは上面導体2a〜2hの上面を覆う絶縁層、5dは下面導体3a〜3gの下面を覆う絶縁層であり、これらは樹脂または樹脂に強度増大あるいは磁気特性などの電気的特性向上のための粉末を混合した複合材料からなる。
【0016】
6a、6bはそれぞれインダクタンス素子の端面側の一方の側面導体1aの下端と端子電極4a間、および側面導体1qの下端と端子電極4bとを接続する導体であり、これらの接続導体は下面導体3a〜3gと同時に形成される。
【0017】
図4ないし図6は前記インダクタンス素子の製造方法の一例を示す図であり、本出願人の出願による特願2003−25142号に記載された方法である。この方法では、まず、樹脂材料あるいは樹脂に機能材料粉末を混合した複合材料を溶剤およびバインダに分散させてペ−スト状とし、図4(A)の斜視図に示すように、前記側面導体1a〜1qを得るための金属箔1A上に前記ペ−ストをドクタ−ブレ−ド法等により塗布し、乾燥して絶縁層7Aを形成する。
【0018】
この場合、金属箔1Aとしては銅箔が好適であるが、ニッケル、銀、金、アルミニウムもしくはこれらの合金等を用いることができる。また、金属箔1Aの好ましい厚みは、5〜75μmであり、また絶縁層7Aの好ましい厚みは5〜100μmである。
【0019】
前記絶縁層7Aに使用する樹脂材料(ベースレジン)として、熱硬化性樹脂の場合には、エポキシ樹脂、フェノ−ル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビニルエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンエ−テル(オキサイド)樹脂、ビスマレイミドトリアジン(シアネ−トエステル)樹脂、フマレ−ト樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリビニルベンジルエ−テル化合物樹脂等があげられる。
【0020】
熱可塑性樹脂としては、ポリブタジエン樹脂、芳香族ポリエステル樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリフェニレンエ−テル(オキサイド)樹脂、ポリエチレンテレフタレ−ト樹脂、ポリブチレンテレフタレ−ト樹脂、ポリエチレンサルファイド樹脂、ポリエ−テルエ−テルケトン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、グラフト樹脂等があげられる。
【0021】
これらの中でも、特に、フェノ−ル樹脂、エポキシ樹脂、低誘電率エポキシ樹脂、ポリブタジエン樹脂、ビスマレイミドトリアジン(シアネ−トエステル)樹脂、ビニルベンジル樹脂等がベ−スレジンとして好ましい。これらの樹脂は単独で使用しても良いし、2種類以上混合して使用してもよい。2種類以上混合して用いる場合の混合比は任意である。
【0022】
樹脂に粉末を混合する場合、誘電率をあまり高くせず、高いQを持たせるためには、樹脂材料に混合する誘電体粉末としては、シリカ、アルミナ、ジルコニア、チタン酸カリウムウイスカ、チタン酸カルシウムウイスカ、チタン酸バリウムウイスカ、酸化亜鉛ウイスカ、ガラスチョップ、ガラスビ−ズ、カ−ボン繊維、酸化マグネシウム(タルク)等を用いることが好ましい。これらの樹脂は単独で使用しても良いし、2種類以上混合して使用してもよい。2種類以上混合して用いる場合の混合比は任意である。
【0023】
また、樹脂材料に混合する機能材料粉末に磁性体を用いる場合は、フェライトとしては、Mn−Mg−Zn系、Ni−Zn系、Mn−Zn系等を用いることができ、なかでもMn−Mg−Zn系、Ni−Zn系等が好ましい。また、前記機能材料粉末として磁性体として強磁性金属を用いることができる。この場合、カ−ボニル鉄、鉄−シリコン系合金、鉄−アルミニウム−珪素系合金(商標名:センダスト)、鉄−ニッケル系合金(商標名:パ−マロイ)、アモルファス系(鉄系、コバルト系)等を用いることが好ましい。
【0024】
図4(A)に示したように、絶縁層7Aを設けた金属箔1Aを、図4(B)の斜視図に示すように、例えば10cm四方の広さに切断する。
【0025】
次に図4(C)の部分斜視図に示すように、前記のようにして作製した金属箔1Aと絶縁層7Aからなるシートを熱圧着または必要な場合には接着層を介して積層し一体化して積層母材8を得る。この実施の形態においては、インダクタンス素子の1個分の厚みとなるセット9間に、絶縁層7Aの厚みより大きな厚みの絶縁層10を介在させて積層し一体化している。なお、この厚みの大きな絶縁層10の厚みは150〜350μmとすることが好ましい。
【0026】
次に図4(C)に2点鎖線11で示すように、積層方向に等間隔に切断し、図4(D)の全体斜視図に示すように、厚みtが1個のインダクタンス素子の側面導体1a〜1qのサイズ(長さ)に相当する大きさ(後で研磨する場合には製品の側面導体1a〜1qの厚みは図示のtより小さくなる)のシート状の素材12を得た。また、該素材12の積層方向を縦方向としたときの縦幅L内に複数個(前記サイズのインダクタンス素子の場合例えば数十個)のインダクタンス素子のターン数に相当する導体層数を有し、かつ横幅Wも複数個(前記サイズのインダクタンス素子の場合例えば数十個)のインダクタンス素子に相当するサイズとする。図4(E)は図4(D)の部分拡大斜視図である。
【0027】
次に図5(A)の全体斜視図および図5(B)の部分拡大図に示すように、前記コイルの側面導体1a〜1qの対向辺形成用の第一の有底溝13を、積層方向に対して直角をなす方向にダイシングにより等間隔に研削する。
【0028】
次に図5(C)の部分拡大斜視図に示すように、前記溝13に絶縁材料14を埋め込む。この絶縁材料14には前記樹脂材料または樹脂に機能材料粉末を混合した複合材料を溶剤やバインダに分散させたものを用い、この絶縁材料14の埋め込みは、溝13の形成面に印刷等により塗布し、乾燥することにより行う。そしてこのようにして溝13に絶縁材料14を埋め込んだものの表面(製品では底面となる面側)を研磨して金属箔1Aが絶縁材料14により覆われた部分を除去すると同時に、表面を整面(平滑化)する。
【0029】
次に図6(A)の斜視図に示すように、前記溝13に平行に、素子の側面形成用の第二の有底溝15を、溝13(絶縁材料14)の間に研削により形成する。
【0030】
次に図6(B)の部分拡大斜視図に示すように、前記有底溝15に、前記側面の絶縁層5aを形成するための絶縁材料16を充填し、溝15の開口側の面を研磨により整面する。
【0031】
次に図6(B)のHで示す厚み分、すなわち有底溝13、15の底部となる部分を研磨により削除し整面する。
【0032】
次に図6(C)に示すように、整面化された上面、底面に、隣接する側面導体1a〜1q間を接続するための上面導体2a〜2hとなる導体17および下面導体3a〜3gとなる導体(図示せず)、接続導体6a、6bとなる導体20(図7参照)をフォトリソ工法を用いて形成する。
【0033】
図7は前記接続導体6a、6bに接続される端子電極4a、4bの形成工程を示す。前記上面導体2a〜2h、下面導体3a〜3g上にそれぞれ絶縁層5c、5dを形成した後、レーザ等により、個々のチップ間に相当する個所に、前記接続導体6a、6bとなる導体20の形成部分より深い溝21を設ける。その後、フォトリソ工法およびその後のメッキにより端子電極4a、4bを形成する。その後、切断線22に沿って切断すると共に、前記溝15に充填した絶縁材料16の中央部を長手方向に切断して個々のチップを得る。
【0034】
図8ないし図10は前記上面導体2a〜2hおよび下面導体3a〜3gの形成前に至るまでの素材の製造方法の他の例を示す図であり、本出願人の出願による特願2002−262372号に記載された方法である。図8において、24はコア基板であり、該コア基板24は樹脂基板あるいは樹脂に機能材料粉末を混合した複合材料でなる基板によりなる。
【0035】
本実施の形態においては、以下の工程により、前記コア基板24の表裏面にフォトリソ工法を用いて帯状導体を形成する。まず図8(A)に示すコア基板24に対し、図8(B)に示すように、無電解メッキにより前記コア基板24の全面に銅の下地膜25を形成する。次に図8(C)、(D)に示すように、表裏面および周囲にレジスト26を塗布し、露光およびレジスト除去により、帯状導体形成のための複数の溝状のレジスト除去部分27を形成する。これらのレジスト除去部分27は実際には数十組以上形成され、これらのレジスト除去部分27の長さも数十以上のチップ分の長さに形成されるが、説明の便宜上少ない組数および長さに描いてある。
【0036】
次に図9(A)に示すように電解メッキにより前記レジスト除去部分27の部分に銅による本メッキ層からなる帯状導体29を形成する。その後図9(B)に示すようにレジスト26および銅の下地膜25を除去する。
【0037】
次に帯状導体29を形成したコア基板24の両面に、図9(C)に示すように樹脂または樹脂に機能材料粉末を混合した複合材料でなる絶縁層30を、印刷、スピンコートまたはシートの圧着あるいは接着により設ける。
【0038】
次に図10(A)に示すように、前記コア基板24の両面に帯状導体29および絶縁層30を形成した複数枚の板状素材31を、接着性を有する絶縁層32を介して積層して一体化し、このようにして得た積層コア基板33をチップの高さに大略相当する幅ごとに切断線34に沿って切断し、これにより図10(B)に示すように、側面導体1a〜1qとなる帯状導体29が板面に対して垂直に、縦横に複数のチップ分形成された素材35としたものである。以下、図6(C)および図7で示した工程でチップを得ることができる。
【0039】
本発明においては、前記図6(C)で示した上面導体2a〜2qや下面導体3a〜3gのパターンを変えることにより、個々の側面導体1a〜1qにそれぞれ1本ずつ上面導体2a〜2hや下面導体3a〜3gを接続する場合に比較して巻数を減少させてインダクタンス値を減少させたQがほぼ一定のインダクタンス素子を得るものである。
【0040】
図11は本発明によるインダクタンス素子の一実施の形態を示す導体配置図であり、(A)は上面導体、(B)は下面導体の配置を示す。図11のものにおいては、端子電極4a側の側面導体1bを接続導体6cにより端子電極4aに接続するとともに、コイルの巻心方向に隣接する側面導体1b、1d間も接続導体36により接続する。端子電極4b側の側面導体1pを接続導体6dにより端子電極4bに接続するとともに、コイルの巻心方向に隣接する側面導体1m、1p間も接続導体37により接続する。これらの接続導体6c、6d、36、37は下面導体41〜46と同時に形成されるものである。
【0041】
図11において、下面導体41〜46は、例えば1つの側面導体1aに対向する側面導体1bから2番目(1つ跳び)に隣接する側面導体1fに接続するという態様で、相手側の対向する側面導体の2番目に隣接する側面導体の下面に接続している。
【0042】
このような下面導体41〜46の接続構造を採用し、上面導体としては、図示の態様ではなく、仮に側面導体の上端は対向するものどうし、すなわち1aと1b、1cと1d…というふうに接続すれば、側面導体1a〜1qの同じ側に隣接するものどうしを2本ずつ並列接続した2つの並列接続コイルが得られることになり、3.75ターンのものが得られることになる。
【0043】
しかし図11に示した実際の例では、上面導体38は片側の2本の側面導体1b、1dの上端と、対向する3本の側面導体1a、1c、1eとに共通に並列接続されるように、側面導体間をそれぞれ接続する個々の上面導体間を導体で埋めた拡がりを持った板状パターンとしている。上面導体39、40も同様に拡がりを持った板状パターンとしており、上面導体39は側面導体1f、1h、1jと側面導体1g、1j、1kが共通に並列接続されるようにパターン間が導体で埋められた拡がりのある板状パターンにより接続されている。この例では2.75の巻数が得られる。このような構造では前記従来技術において説明した迂回路における逆流電流の発生がないため、Q値の低下を防止できる上、抵抗Rの減少により損失が低減され、前記(2)式から、Q値の向上が達成できる。
【0044】
図11の例において、上面導体38〜40は個々の側面導体1a〜1qの上端を1本ずつの上面導体で接続するのではなく、個々の上面導体パターン間を導体で埋める拡がりのあるパターンにより形成しているので、さらに抵抗が小さくなり、前記(2)式から損失の少ないQ値の高いインダクタンス素子を得ることができる。
【0045】
一方、下面導体については、端子電極4a、4bの下面部との対向面積を狭くすることにより、端子電極4a、4bと下面導体41〜46との浮遊容量による容量結合を低減させ、Q値を高くすることができるので、下面導体41〜46はそれぞれ1本の側面導体に対応して1本の下面導体で接続するようにしている。
【0046】
また、端子電極4a、4bと端部の側面導体1b、1pとの接続導体6c、6dは、コイル巻心方向に形成することにより、最短距離で接続する構造とし、これにより、6c’で示すように、端子電極4aの中央部で端子電極4aに接続導体を接続する場合に比較して、接続導体6c、6dと端子電極4a、4bとの容量結合を低減してQ値の低下を防止している。また、接続導体6c’で接続することとすれば、この接続導体6c’の部分は端子電極4aとの磁束の鎖交によりインダクタンス値の増大に寄与せず、単に抵抗Rを増大させる部分となるが、接続導体6cのようにこの部分の長さを短くすることによって抵抗Rを低くすることがで、その結果Q値を高くすることもできるため、2重のQ値向上効果が得られる。
【0047】
このように、上面導体や下面導体のパターンを変えることで任意の巻数を得るようにすることにより、上面導体や下面導体の形成前までの工程や設備は共通に使用することができ、設備、工程、材料の兼用化が可能となる、経済化が達成できる。
【0048】
図12は本発明の他の実施の形態であり、上面導体48は、個々のパターン間を導体により埋めた拡がりのある板状パターンとして、片側の1本の側面導体1bの上端を、他側の4本の側面導体1a、1c、1e、1gの上端に共通に並列接続している。また、上面導体49は、片側の隣接する側面導体1d、1f、1hと、他側の隣接する側面導体1i、1k、1mとを共通に接続している。また、上面導体50は、片側の隣接する4本の側面導体1j、1l、1o、1qを、他側の1本の側面導体1pに、前記拡がりのある板状パターンで共通に並列接続している。
【0049】
一方、側面導体の下端は、対向するものどうし、すなわち1cと1d、1eと1f……を、下面導体51〜56によりそれぞれ接続している。また、端子電極4a、4b側の側面導体1a、1qとこれらにそれぞれ隣接する側面導体1c、1oとを下面導体と同時に形成される接続導体36A、37Aにより接続している。この場合も2.75の巻数が得られる。
【0050】
図13は本発明の他の実施の形態であり、両端の上面導体57、61は、対向する対向する各1本の側面導体1aと1b、1pと1qの上端どうしを接続し、他の上面導体58(59)(60)は、それぞれ2本ずつの側面導体1c、1eと1d、1f(1g、1iと1h、1j)(1k、1mと1l、1o)を共通に並列接続する構造としている。
【0051】
一方、下面導体は、前記上面導体の配置に合わせて、両端部の下面導体62(67)は、片側の側面導体1b(1p)を他側の2本の側面導体1c、1e(1l、1o)に共通に並列接続し、他の下面導体63〜66は、対向するものの2番目に隣接する下面導体の下端どうしを接続する構造としている。この構成では巻数は4.75となる。この構成によれば、前記実施の形態と同様の効果があげられる。ただし2本の側面導体を並列接続するための拡がりのある下面導体62、63が端子電極4a、4bに対向するので、その部分の容量結合がやや大きくなる傾向がある。
【0052】
図14は本発明の他の実施の形態であり、図12における下面導体の構成を変え、下面導体73、74は個々の側面導体を接続するパターン間を導体で埋め、拡がりのある板状パターンとしたものである。すなわち下面導体73(74)は、側面導体1c、1e、1gと1d、1f、1h(1i、1k、1mと1j、1l、1o)とをそれぞれ1枚のパターンで共通に並列接続される構成を有する。この場合も巻数は2.75である。
【0053】
図15は本発明の他の実施の形態であり、両端の上面導体75(79)は片側の1本の側面導体1b(1p)の上端を他側の3本の側面導体1c、1e、1g(1j、1l、1o)に個別の導体パターンで接続し、他の上面導体76〜78はそれぞれ個別の側面導体1dと1i、1fと1k、1hと1mの上端間を接続し、下面導体81〜86はそれぞれ対向する側面導体の下端間を接続したものである。このインダクタンス素子の巻数は2.75である。この構成のものは、上面導体が、並列接続される上面導体75、79、および上面導体76〜78が個別の側面導体間に接続されるので、インダクタンス値は向上するが、抵抗が増大するので、結果的にはQ値が他の実施の形態のものよりは低下する傾向がある。
【0054】
図11ないし図15の各実施の形態におけるインダクタンスL値とQ値を、1GHzにおいて測定した結果を次に示す。なお、サンプルのサイズは縦=1.0mm、横=0.5mm、高さ=0.5mmであり、各部の材料として下記のものを用いた。
【0055】
素子の製造方法には図4〜図7で示した方法を用いた。また、側面導体1a〜1qに銅箔を用い、側面導体間の絶縁層7Aや絶縁層10として、ポリビニルエーテル化合物樹脂(VB)にシリカ粉末を20vol%混合してなり、誘電率εrが2.9のものを用いた。コア部分となる絶縁材料14や、側面の絶縁層5aとなる絶縁材料16には、ポリビニルエーテル化合物樹脂(VB)にシリカ粉末を60vol%混合してなり、誘電率εrが3.4のものを用いた。上下の絶縁層5c、5dには、エポキシ樹脂にシリカ粉末を30vol%混合してなり、誘電率εrが3.6のものを用いた。
【0056】
図11の場合 L=1.90nH、 Q=62.0
図12の場合 L=2.01nH、 Q=59.0
図13の場合 L=2.70nH、 Q=60.0
図14の場合 L=1.88nH、 Q=56.1
図15の場合 L=2.14nH、 Q=55.2
上記の結果から分かるように、図11、図12の場合の方が図14、図15の場合より高いQ値が得られる。図14の場合は、下面導体も拡がりのある板状に形成することによってインダクタンス値が低下する上、下面導体と端子電極4a、4bとの容量結合により、Q値が低下するものと考えられる。また、図15のように上面導体、下面導体の双方とも側面導体ごとにパターンを形成する場合には、抵抗が増大するので、図12の場合よりQ値が低くなるものと考えられる。
【0057】
【発明の効果】
本発明によれば、種々の特性のインダクタンス素子を得る場合、側面導体を含む部分を共通に使用し、下面導体と上面導体のパターンを変えることでインダクタンス値が変わったインダクタンス素子を得ることができるので、種々の特性のインダクタンス値を得る場合、製造設備や製造工程あるいは材料の共通化が図れ、経済化が達成できる。また、コイルの途中を短絡させる構成ではなく、上面導体、下面導体などのパターンを変えることで巻数を変化させ、これによりインダクタンス値を変えるようにしたので、迂回路における逆電流の発生の問題を生じることなく、高いQ値のインダクタンス値のインダクタンス素子を得ることができる。
【0058】
また、上面導体として、個別パターン間を導体で埋めた板状パターンを採用して抵抗を低くし、下面導体については側面導体ごとに個別パターンを形成して端子電極との容量結合を小さくすれば、より高いQ値を得ることができる。
【0059】
また、端部の側面導体の下面と端子電極とを、コイル巻心方向に形成した接続導体によって最短距離で接続することにより、端子電極と接続導体との容量結合を小さくし、かつこの部分の抵抗を低くすることができるので、さらにQ値の高いインダクタンス素子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるインダクタンス素子の一実施の形態の外観を示す斜視図である。
【図2】本発明を実施する場合のコイルおよび端子の前提構成を示す透視斜視図である。
【図3】(A)、(B)はそれぞれ図2のインダクタンス素子の上面導体、下面導体の配置を示す図である。
【図4】本発明のインダクタンス素子を得る場合の製造方法の一例の工程の一部を示す図である。
【図5】図4の工程の続きの工程を示す図である。
【図6】図5の工程の続きの工程を示す図である。
【図7】図6の工程の続きの工程を示す図である。
【図8】本発明のインダクタンス素子を得る場合の製造方法の他の例の工程の一部を示す図である。
【図9】図8の工程の続きの工程を示す図である。
【図10】図9の工程の続きの工程を示す図である。
【図11】(A)、(B)はそれぞれ本発明によるインダクタンス素子の一実施の形態における上面導体、下面導体の配置を示す図である。
【図12】(A)、(B)はそれぞれ本発明によるインダクタンス素子の他の実施の形態における上面導体、下面導体の配置を示す図である。
【図13】(A)、(B)はそれぞれ本発明によるインダクタンス素子の他の実施の形態における上面導体、下面導体の配置を示す図である。
【図14】(A)、(B)はそれぞれ本発明によるインダクタンス素子の他の実施の形態における上面導体、下面導体の配置を示す図である。
【図15】(A)、(B)はそれぞれ本発明によるインダクタンス素子の他の実施の形態における上面導体、下面導体の配置を示す図である。
【符号の説明】
1a〜1q:側面導体、1A:金属箔、2a〜2h:上面導体、3a〜3g:下面導体、4a、4b:端子電極、5a〜5d:絶縁層、6a〜6d:接続導体、7A:絶縁層、8:積層母材、9:セット、10:絶縁層、11:切断線、12:素材、13、15:有底溝、14、16:絶縁材料、17:導体、20:導体、21:溝、22:切断線、24:コア基板、25:下地膜、26:レジスト、27:レジスト除去部分、29:帯状導体、30:絶縁層、31:板状素材、32:絶縁層、33:積層コア基板、34:切断線、35:素材、36、36A、37、37A:接続導体、38〜40:上面導体、41〜46:下面導体、48〜50:上面導体、51〜56:下面導体、57〜61:上面導体、62〜67:下面導体、70〜72:上面導体、73、74:下面導体、75〜79:上面導体、81〜86:下面導体
Claims (4)
- 各列に複数本ずつ2列に設けた側面導体と、該側面導体の上端間を橋架接続するようにパターニングにより形成された上面導体と、前記側面導体の下端間を橋架接続するように形成された下面導体とにより、ヘリカルコイルを構成し、底面および端面の少なくともいずれかに端子電極を設けたインダクタンス素子であって、
第一に、2列に並列した側面導体のうち、片側または両側のコイル巻心方向に隣接する複数本の側面導体の下端または/および上端をパターニングにより形成された導体により接続するか、
第二に、2列に並列した側面導体のうち、片側の側面導体の下端を、反対側の隣接する複数本の側面導体の下端に前記下面導体を介して並列接続するか、
第三に、2列に並列した側面導体のうち、片側の一部の側面導体の上端を、反対側の隣接する複数本の側面導体の上端に前記上面導体を介して並列接続するか、
上記第一ないし第三の少なくともいずれか1つの接続構造を有することにより、側面導体を個々の上面導体および下面導体に接続する場合の巻数より少ない巻数のコイルを構成したことを特徴とするインダクタンス素子。 - 請求項1に記載のインダクタンス素子において、
前記上面導体のうち、並列接続される上面導体のパターン間は導体により埋め、並列接続される下面導体のパターン間は、対応する側面導体にそれぞれ対応する個々のパターンにより接続したことを特徴とするインダクタンス素子。 - 請求項1または2に記載のインダクタンス素子において、
前記インダクタンス素子の巻心方向の両端面と両端部の下面とに端子電極を形成し、前記側面導体のうち、インダクタンス素子の端面に近い側面導体の下端を、下面導体と同時に前記巻心方向に形成される導体により、前記端子電極の端面部と前記側面導体とを接続したことを特徴とするインダクタンス素子。 - 各列に複数本ずつ2列に設けた側面導体と、該側面導体の上端間を橋架接続するようにパターニングにより形成された上面導体と、前記側面導体の下端間を橋架接続するように形成された下面導体とにより、ヘリカルコイルを構成し、底面および端面の少なくともいずれかに端子電極を設けたインダクタンス素子の製造方法であって、
第一に、2列に並列した側面導体のうち、片側または両側のコイル巻心方向に隣接する複数本の側面導体の下端または/および上端をパターニングにより形成された導体により接続するか、
第二に、2列に並列した側面導体のうち、片側の側面導体の下端を、反対側の隣接する複数本の側面導体の下端に前記下面導体を介して並列接続するか、
第三に、2列に並列した側面導体のうち、片側の一部の側面導体の上端を、反対側の隣接する複数本の側面導体の上端に前記上面導体を介して並列接続するか、
上記第一ないし第三の少なくともいずれか1つの接続構造を採用し、その接続パターンを選択することにより、側面導体を個々の上面導体および下面導体に接続する場合の巻数より少ない任意の巻数のコイルを得ることを特徴とするインダクタンス素子の製造方法。
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