JP2005019607A

JP2005019607A - Adhesive sheet for dicing, and method of manufacturing semiconductor device

Info

Publication number: JP2005019607A
Application number: JP2003181165A
Authority: JP
Inventors: Tomokazu Takahashi; 智一高橋; Masashi Yamamoto; 昌司山本; Takeshi Matsumura; 健松村
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2003-06-25
Filing date: 2003-06-25
Publication date: 2005-01-20
Anticipated expiration: 2023-06-25
Also published as: JP4531355B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an adhesive sheet for dicing which allows a pick-up process after a dicing process to be done efficiently even if an object to be cut is a thin semiconductor wafer. <P>SOLUTION: The adhesive sheet for dicing is such that a adhesive layer is formed on a base film. The adhesive layer has a thickness of 1-50 μm, and an adhesive power thereof with respect to a silicon mirror wafer of the adhesive sheet for dicing can be made 2.3 N/25 mm tape width or less when peeled at 15° at 23±3°C (peeling point moving speed is 2.5 mm/s). <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ダイシング用粘着シートおよび当該ダイシング用粘着シートを用いた半導体素子の製造方法に関する。本発明のダイシング用粘着シートは、半導体ウエハなどを素子小片化を切断分離（ダイシング）する際に、当該半導体ウエハなどの被切断体を固定するために用いる半導体ウエハダイシング用粘着シートとして特に有用である。例えば、本発明のダイシング用粘着シートは、シリコン半導体ダイシング用粘着シート、化合物半導体ダイシング用粘着シート、半導体パッケージダイシング用粘着シート、ガラスダイシング用粘着シート、セラミックスダイシング用粘着シートなどとして使用できる。
【０００２】
【従来の技術】
従来よりシリコン、ガリウム、砒素などを材料とする半導体ウエハは、大径の状態で製造された後、素子小片に切断分離（ダイシング）され、更にマウント工程に移される。この際、半導体ウエハは粘着シートに貼付され保持された状態でダイシング工程、洗浄工程、エキスパンド工程、ピックアップ工程、マウント工程の各工程が施される。前記粘着シートとしては、プラスチックフィルムからなる基材上にアクリル系粘着剤等の粘着剤層が塗布、形成されたものが用いられている（たとえば、特許文献１参照。）。
【０００３】
前記ピックアップ工程は、ダイシング用粘着シートがある程度張った状態で行われる。すなわち、図２に示すように、ピックアップする半導体チップ２の下部のダイシング用粘着シート１を点状または線状で持ち上げまたはこすりつけ、当該半導体チップ２とダイシング用粘着シート１の剥離を助長した状態で、上部から吸着コレット３等の真空吸着により半導体チップ２をピックアップする方式が主流となっている。
【０００４】
しかしながら、近年、ＩＣカードなどの普及に伴って、半導体素子の薄型化が進んでおり、上記手法で半導体チップをピックアップする際に半導体チップが変形し（又は、しなり）やすくなっている。そのため、ダイシング用粘着シートと半導体チップの剥離角度が小さくなっており、ピックアップが困難になる問題があった。
【０００５】
薄型半導体チップのピックアップメカニズムは、概ね以下の通りであると推察されている。すなわち、薄型半導体チップをピックアップする際には図２に示すように、ダイシング用粘着シート１を突き上げピン４で持ち上げ剥離を助長した際、半導体ウエハ２（半導体チップ２）が薄く剛性が低いためａ部の如く変形しダイシング用粘着シートと半導体ウエハの剥離角度が従来の剛性のある厚い半導体ウエハの場合よりも小さくなり、このことにより剥離力が高くなり、ピックアップの障害になると推察される。
【０００６】
【特許文献１】
特公平４−７０９３７号公報
【０００７】
【発明が解決しようとしている課題】
本発明は上記のような従来技術の問題を解決しようとするものであり、被切断体が薄型半導体ウエハであっても、ダイシング工程後のピックアップ工程を高率よく行うことができるダイシング用粘着シートを提供することを目的とする。
【０００８】
また本発明は当該ダイシング用粘着シートを用いた半導体素子の製造方法を提供すること、さらには当該製造方法により得られた半導体素子を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、以下に示すダイシング用粘着シートにより、上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１０】
すなわち本発明は、基材フィルム上に粘着剤層が設けられたダイシング用粘着シートにおいて、
前記粘着剤層の厚みが１〜５０μｍであり、かつ
前記粘着剤層は、ダイシング用粘着シートのシリコンミラーウエハに対する粘着力が、２３±３℃で１５°引き剥がし（剥離点移動速度２．５ｍｍ／ｓｅｃ）を行なったときに、２．３Ｎ／２５ｍｍテープ幅以下または２．３Ｎ／２５ｍｍテープ幅以下にすることができるものであることを特徴とするダイシング用粘着シート、に関する。
【００１１】
従来のダイシング用粘着シートは、対シリコンミラーウエハの１５°引き剥がし粘着力（剥離点移動速度２．５ｍｍ／ｓｅｃ、２３±３℃引き剥がし）が、２．５Ｎ／２５ｍｍテープ幅を超えていた。これに対し、本発明のダイシング用粘着シートは、前記対シリコンミラーウエハの粘着力を２．３Ｎ／２５ｍｍテープ幅以下にすることができる。このように本発明のダイシング用粘着シートは、剥離角度１５°という小さな剥離角度であっても低粘着力で剥離できる。そのため、被切断体が、ピックアップ時に変形しやすく、また剥離角度が小さくなりやすい、薄型半導体ウエハであっても、良好なピックアップが可能である。
【００１２】
なお、前記粘着力を対シリコンミラーウエハについての粘着力により規定しているのは、シリコンミラーウエハは表面状態（粗さ）が安定しており、ダイシング、ピックアップの対象物と同質材料であることによる。また、通常ピックアップは室温（２３℃）において行なわれるため、２３℃における粘着力を基準としている。ダイシング用粘着シートの対シリコンミラーウエハの前記粘着力は、２．３Ｎ／２５ｍｍテープ幅以下、好ましくは２Ｎ／２５ｍｍテープ幅以下である。前記粘着力が２．３Ｎ／２５ｍｍテープ幅よりも高くなると、ピックアップ時に、ピックアップ不良を生じやすくなる。
【００１３】
また前記ダイシング用粘着シートの粘着剤層の厚みは１〜５０μｍである。粘着剤層の厚みは従来のダイシング用粘着シートと同様であればよい。粘着剤層の厚みが厚いと被切断体の振動幅が大きくなり、切断チップの欠け（チッピング）の発生を招きやすくなることから、粘着剤層の厚みは２０μｍ以下であることが好ましい。一方、粘着剤層の厚みが薄くなるとダイシング時に半導体素子を保持するための十分な粘着力が得られにくいため、３μｍ以上であることが好ましい。かかる観点から粘着剤層の厚みは特に３〜２０μｍが好ましい。
【００１４】
また前記ダイシング用粘着シートは、ダイシング用粘着シートをシリコンミラーウエハに貼り付けた後、２３±３℃で１５°引き剥がし（剥離点移動速度２．５ｍｍ／ｓｅｃ）を、粘着力が２．３Ｎ／２５ｍｍテープ幅以下の状態で行ったときに、ダイシング用粘着シートの貼付け前に対する、ダイシング用粘着シートの引き剥がし後の、シリコンミラーウエハ表面の有機汚染増加量△Ｃが５％以下であることが好ましい。
【００１５】
本発明のダイシング用粘着シートは、前記の通り、シリコンミラーウエハから低剥離角、低粘着力での剥離が可能であるが、さらに剥離後のシリコンミラーウエハ表面には粘着剤が残存せず、汚染されないものであるのが好ましい。粘着剤の残存は、有機汚染増加量△Ｃとして表すことができる。ΔＣは小さいほど好ましく、５％以下、さらには３％以下であるのが好ましい。
【００１６】
前記ダイシング用粘着シートにおいて、粘着剤層が、貼付け時よりも粘着力を低下させて、２．３Ｎ／２５ｍｍテープ幅以下にすることができるものを用いることができる。当該粘着剤層は、放射線硬化型粘着剤により形成されており、当該粘着剤層の放射線硬化後の粘着力が２．３Ｎ／２５ｍｍテープ幅以下であるものを好適に用いることができる。
【００１７】
本発明のダイシング用粘着シートは、前記の通り、ピックアップ時の引き剥がし粘着力が低く制御され、または制御可能に設定されている。しかし、粘着力が低いと、前工程であるダイシングを行なう際、切断分離されたチップを保持することができず、ダイシング中にチップがダイシング用粘着シートから剥離する（チップ飛びが発生する）可能性が高い。そのため、放射線照射により硬化して粘着力を低下することが可能な放射線硬化型粘着剤により粘着剤層を形成し、ダイシング時にはある程度の粘着力を維持しながら、ダイシング工程の後には放射線照射によって、前記粘着力を２．３Ｎ／２５ｍｍテープ幅以下に制御したものを用いるのが好ましい。また、同様の観点から、加熱により粘着力を低下することが可能な加熱発泡剥離型粘着剤により粘着剤層を形成することも好適である。このような場合には、ダイシング後に、加熱などの公知の操作を加え粘着力を低減してから、ピックアップすることができる。なお、粘着力を低下させることができる粘着剤層は、シリコンミラーウエハに対する粘着力を特定した粘着剤層に特に有用である。
【００１８】
粘着力を低下させる前の粘着剤層の粘着力（たとえば、放射線照射前の粘着力）は、シリコンミラーウエハに対する、２３±３℃での１８０°引き剥がし（剥離点移動速度１５０ｍｍ／ｓｅｃ）が、５〜１５Ｎ／２５ｍｍテープ幅、さらには８〜１２Ｎ／２５ｍｍテープ幅であるのが好ましい。
【００１９】
前記放射線硬化型粘着剤は、炭素−炭素の二重結合を一分子中に平均６個以上含む放射線硬化性成分を４０重量％以上含有するものが好適である。
【００２０】
前記ダイシング用粘着シート粘着剤層は、アクリル系ポリマーを含み、当該アクリル系ポリマーのガラス転移温度が−６０℃以上であることが好ましい。
【００２１】
前記ダイシング用粘着シートにおいて、粘着剤層がアクリル系ポリマーを含み、当該アクリル系ポリマーの重量平均分子量が５０万以上であることが好適である。
【００２２】
また本発明は、前記ダイシング用粘着シートを、半導体部品へ貼り付けた後にダイシングを行う工程、およびダイシングされた半導体素子のピックアップ工程を有することを特徴とする半導体素子の製造方法、に関する。
【００２３】
上記ダイシング用粘着シートを用いることにより、ダイシングされた半導体素子のピックアップ工程を効率よく行うことができる。なお、前記導体素子の製造方法において、ダイシング用粘着シートの半導体ウエハへの貼り付け温度は何ら限定されないが、通常、２０〜８０℃程度であることが好ましい。
【００２４】
当該半導体素子の製造方法は、半導体素子の厚さが１００μｍ未満である場合に好適である。さらには、半導体素子の厚さは、５０μｍ未満である場合にも好適である。
【００２５】
また本発明は、前記製造方法で得られた半導体素子、に関する。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のダイシング用粘着シート１を、図１を参照しつつ詳細に説明する。図１に示すように、本発明のダイシング用粘着シートは、基材フィルム１１上に、粘着剤層１２が設けられている。また必要に応じて粘着剤層１２上にはセパレータ１３を有することが可能である。図１は基材フィルムの片面に粘着剤層を有するが、基材フィルムの両面に粘着剤層を形成することも可能である。ダイシング用粘着シートは、シート状、ロ−ル状など、用途に応じて適宜な形状をとり得る。例えばウエハダイシング用途では、あらかじめ必要な形状に切断加工されたものが好適に用いられる。
【００２７】
基材フィルム１１は、特に制限されるものではないが、プラスチックフィルムを特に好適に用いることができる。その代表的な材料として、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロピレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−へキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリイミド、ポリエーテルケトン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、セルロース系樹脂およびこれらの架橋体等のポリマーがあげられる。なお、基材フィルムを構成する前記例示した材料は、必要に応じて官能基、機能性モノマーや改質性モノマーをグラフトして用いてもよい。
【００２８】
基材フィルムの製膜方法は、従来より公知の製膜方法により行なうことができる。例えば、カレンダー製膜、キャスティング製膜、インフレーション押出し、Ｔダイ押出し等を好適に用いることができる。
【００２９】
こうして得られる基材フィルムの厚みは、通常１０〜３００μｍ、好ましくは３０〜２００μｍ程度である。なお、基材フィルムは、単層フィルム又は多層フィルムのいずれであってもよく、前記２種以上の樹脂をドライブレンドしたブレンド基材であってもよい。多層フィルムは、前記樹脂などを用いて、共押出し法、ドライラミネート法等の慣用のフィルム積層法により製造できる。また、基材フィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施してもよい。このようにして製造された基材フィルム表面には、必要に応じてマット処理、コロナ放電処理、プライマー処理、架橋処理等の慣用の物理的または化学的処理を施すことができる。
【００３０】
粘着剤層１１は前述の通り、厚みは１〜５０μｍである。またその粘着力は、半導体材料にダイシング用粘着シートを直接貼り付ける場合には、対シリコンミラーウエハの１５°引き剥がし（剥離点移動速度２．５ｍｍ／ｓｅｃ）の粘着力が、２．３Ｎ／２５ｍｍテープ幅以下に制御可能なものである。すなわち、粘着剤層は、初めから前記粘着力であってもよく、粘着力を低下させることにより前記粘着力になるものであってもよい。
【００３１】
このような粘着剤層の形成には、公知乃至慣用の粘着剤を使用できる。粘着剤は何ら限定されるものではないが、例えばゴム系、アクリル系、シリコーン系．ポリビニルエーテル系等の各種の粘着剤が用いられる。なかでも、半導体ウエハへの汚染性などの点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。
【００３２】
前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステルの重合体または必要に応じ粘着性、凝集力、耐熱性などの改質を目的として（メタ）アクリル酸アルキルエステルに共重合性モノマーを共重合した共重合体が用いられる。なお、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／またはメタアクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。（メタ）アクリル酸アルキルエステルのアルキルとしては、例えば、メチルエステル、エチルエステル、ブチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、オクチルエステル、イソノニルエステルなどがあげられる。中でも、引き剥がし粘着力の点から、アクリル系ポリマーのガラス転移温度（以下、Ｔｇと称す）が−６０℃以上、さらには−２０〜２０℃であるのが好ましい。かかるアクリル系ポリマーには、ホモポリマーでのＴｇが−６０℃以上であるモノマーが主モノマーとして好適である。粘着剤層を半導体部品に直接貼り合せる場合には、主モノマーのＴｇは−６０℃以上、さらには−２０〜２０℃であるのが好ましい。かかる主モノマーは６０重量％以上、さらには８０重量％以上含有してしているものが好ましい。
【００３３】
共重合性モノマーとしては、（メタ）アクリル酸のヒドロキシアルキルエステル（例えば、ヒドロキシエチルエステル、ヒドロキシブチルエステル、ヒドロキシヘキシルエステル等）、（メタ）アクリル酸グリシジルエステル、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、無水マレイン酸、（メタ）アクリルアミド、（メタ）アクリル酸Ｎ−ヒドロキシメチルアミド、（メタ）アクリル酸アルキルアミノアルキルエステル（例えば、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ｔ−ブチルアミノエチルメタクリレート等）、Ｎ−ビニルピロリドン、アクリロイルモルフォリン、酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等があげられる。これら共重合性モノマーは、１種又は２種以上使用できる。更に、前記アクリル系ポリマーは、架橋させるため、多官能性モノマーなども、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。
【００３４】
前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等のいずれの方式で行なうこともできる。粘着剤層は半導体ウエハ等の汚染防止等の点から、低分子量物の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの重量平均分子量は、５０万以上、好ましくは５０万〜３００万程度、さらに好ましくは８０万〜３００万程度である。
【００３５】
前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル酸ポリマー等の数平均分子量を高めるため、架橋剤を適宜に加えることもできる。架橋剤としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、無水化合物、ポリアミン、カルボキシル基含有ポリマーなどがあげられる。架橋剤を使用する場合、その使用量は貼り付け時の粘着力が下がり過ぎないことを考慮し、上記ベースポリマー１００重量部に対して、０．０１〜５重量部配合するのが好ましい。また粘着剤層を形成する粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤、充填剤、着色剤等の慣用の添加剤を含有させることが出来る。
【００３６】
粘着剤層は、ダイシング時のチップの剥離を防止し、且つピックアップ時にはチップからの剥離性を向上させるため、半導体部品（半導体ウエハ等）の被着体への貼付け時にはチップの剥離を防止でき、ピックアップ時には貼付け時よりも粘着力を低下させて、２．３Ｎ／２５ｍｍテープ幅以下にすることができるものが好ましい。かかる粘着剤としては、紫外線、電子線などにより硬化する放射線硬化型粘着剤が好適に用いられる。なお、粘着剤層に放射線硬化型粘着剤を用いた場合には、ダイシング工程の後に粘着剤層に放射線が照射される、前記基材フィルムは十分な放射線透過性を有するものが好ましい。
【００３７】
放射線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、且つ粘着性を示すものを特に制限なく使用できる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば、前述のアクリル系ポリマー等のベースポリマーに、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分（これらを放射線硬化性成分という）を配合することにより調製される。
【００３８】
放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分としては、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−へキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸と多価アルコールとのエステル化物；エステルアクリレートオリゴマー；２−プロペニル−３−ブテニルシアヌレート、トリス（２−メタクリロキシエチル）イソシアヌレート等のイソシアヌレート又はイソシアヌレート化合物等があげられる。前述の放射線硬化性成分の粘度は、特に制限されるものではない。放射線硬化性成分は、１種を単独で、または２種以上を混合して用いることができる。これら放射線硬化性成分のなかでも、炭素−炭素の二重結合を一分子中に平均６個以上含むものが好適である。
【００３９】
放射線硬化性成分の配合量は、特に制限されるものではないが、ピックアップ時、すなわち放射線照射後の引き剥がし粘着力を低下させることを考慮すると、粘着剤中に４０重量％以上、好ましくは４０〜７５重量％、特に５０〜７０重量％配合することが好ましい。
【００４０】
また、放射線硬化型粘着剤としては、ベースポリマーとして、炭素−炭素の二重結合をポリマーの側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いることもできる。このようなベースポリマーとしては、前述のようなアクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。この場合においては、放射線硬化性モノマーやオリゴマー成分を特に加えなくてもよく、その使用は任意である。
【００４１】
前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、ベンゾインメチルエーチル、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインアルキルエーテル類；ベンジル、ベンゾイン、ベンゾフェノン、α−ヒドロキシシクロへキシルフェニルケトン類の芳香族ケトン類；べンジルジメチルケタール等の芳香族ケタ−ル類；ポリビニルベンゾフェノン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン等のチオキサントン類等があげられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリルポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．１〜１０重量部、好ましくは０．５〜１０重量部程度である。
【００４２】
本発明のダイシング用粘着シートは、例えば、基材フィルム１１の表面に、粘着剤溶液を直接塗布し、乾燥させて（必要に応じて加熱架橋させて）粘着剤層１２を形成し、必要に応じてこの粘着剤層１２の表面にセパレータ１３を貼り合わせることにより製造できる。また、別途、セパレータ１３に粘着剤層１２を形成した後、それらを基材フィルム１１に貼り合せる方法、等を採用することができる。これら粘着層は１層、また２層以上積層されても良い。
【００４３】
セパレータ１３は、粘着剤層１２を保護する目的のため、ラベル加工のため、また粘着剤を平滑にする目的のために、必要に応じて設けられる。セパレータの構成材料としては、紙、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルムなどがあげられる。セパレータの表面には粘着剤層からの剥離性を高めるため、必要に応じてシリコーン処理、長鎖アルキル処理、フッ素処理等の剥離処理が施されていても良い。また、必要に応じて、粘着シートが環境紫外線によって反応してしまわないように、紫外線防止処理が施されていてもよい。セパレータの厚みは、通常１０〜２００μｍ、好ましくは２５〜１００μｍ程度である。
【００４４】
本発明のダイシング用粘着シートは、被切断物である半導体部品へ貼り付けた後に、常法に従ってダイシングに供される。半導体部品としてはシリコン半導体、化合物半導体、半導体パッケージ、ガラス、セラミックス等があげられる。
【００４５】
ダイシング工程は、ブレードを高速回転させ、被切断体を所定のサイズに切断する。ダイシングは、前記粘着シートまで切込みを行なうフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。
【００４６】
ダイシング後には、ピックアップ工程に供される。ピックアップ工程には、エキスパンド工程を設けることができる。なお、放射線照射や加熱などにより粘着力を低下させる粘着シートを用いた場合には、ダイシング後に適宜の操作を加え粘着力を低下させピックアップ工程に供する。例えば、粘着剤層に放射線硬化型粘着剤を用いた場合には、粘着剤の種類に応じて放射線照射によりダイシング後に粘着剤層を硬化させ、粘着性を低下させる。ダイシング後の放射線照射により、粘着剤層の粘着性が硬化により低下して剥離を容易化させることができる。放射線照射の手段は特に限定されないが、例えば、紫外線照射等により行なわれる。
【００４７】
【実施例】
以下、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
【００４８】
実施例１
（基材フィルム）
基材フィルムとして、厚み７０μｍ直鎖状低密度ポリエチレンを使用した。このフィルムの片面にはコロナ処理を施した。
【００４９】
（粘着剤の調製）
アクリル酸メチル（ホモポリマーでのＴｇ＝８℃）９５重量部およびアクリル酸（ホモポリマーでのＴｇ＝１０６℃）５重量部を酢酸エチル中で常法により共重合させて重量平均分子量８０万のアクリル系共重合体を含有する溶液を得た。当該溶液に、ペンタエリスリトールトリアクリレートとジイソシアネートを反応させて得られた放射線硬化性オリゴマ−（炭素−炭素二重結合の１分子当たりの平均含有量６個，２５℃での粘度１０Ｐａ・ｓｅｃ）を１３０重量部、光重合開始剤（商品名「イルガキュア６５１」，チバ・スペシャルティー・ケミカルズ製）３重量部、およびポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン社製）２重量部を加えて、紫外線硬化型粘着剤溶液を得た。
【００５０】
（ダイシング用粘着シートの作製）
上記で調整した粘着剤溶液を、基材フィルムのコロナ処理面に塗布し、８０℃で１０分間加熱架橋して、厚さ５μｍの紫外線硬化型粘着剤層を形成した。ついで、該粘着剤層面にセパレータを貼り合せて紫外線硬化型ダイシング用粘着シートを作製した。
【００５１】
実施例２
（粘着剤の調製）
アクリル酸メチル（ホモポリマーでのＴｇ＝８℃）６０重量部、アクリル酸２−エチルヘキシル（ホモポリマーでのＴｇ＝−８５℃）３５重量部およびアクリル酸（ホモポリマーでのＴｇ＝１０６℃）５重量部を酢酸エチル中で常法により共重合させて重量平均分子量７０万のアクリル系共重合体を含有する溶液を得た。当該溶液に、ペンタエリスリトールトリアクリレートとジイソシアネートを反応させ得た放射線硬化性オリゴマー（炭素−炭素二重結合の１分子当たりの平均含有量６個，２５℃での粘度１０Ｐａ・ｓｅｃ）１３０重量部、光重合開始剤（商品名「イルガキュア６５１」、チバ・スペシャルティー・ケミカルズ製）３重量部及びポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン社製）３重量部を加えて、紫外線硬化型粘着剤溶液を得た。
【００５２】
（ダイシング用粘着シートの作製）
上記で調整した粘着剤溶液を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、紫外線硬化型ダイシング用粘着シートを作製した。
【００５３】
比較例１
（粘着剤の調製）
アクリル酸２−エチルヘキシル（ホモポリマーでのＴｇ＝−８５℃）９５重量部およびアクリル酸（ホモポリマーでのＴｇ＝１０６℃）５重量部を酢酸エチル中で常法により共重合させて重量平均分子量７０万のアクリル系共重合体を含有する溶液を得た。当該溶液に、ペンタエリスリトールトリアクリレートとジイソシアネートを反応させ得た放射線硬化性オリゴマー（２５℃での粘度１０Ｐａ・ｓｅｃ）１３０重量部、光重合開始剤（商品名「イルガキュア６５１」、チバ・スペシャルティー・ケミカルズ製）３重量部、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン製）５重量部を加えて、紫外線硬化型粘着剤溶液を得た。
【００５４】
（ダイシング用粘着シートの作製）
上記で調整した粘着剤溶液を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、紫外線硬化型ダイシング用粘着シートを作製した。
【００５５】
上記実施例および比較例で得られたダイシング用粘着シートについて下記評価を行った。結果を表１に示す。
【００５６】
（引き剥がし粘着力）
実施例１〜２及び比較例１で得られたダイシング用粘着シートを、２５ｍｍ幅で短冊状に切断し、２３±３℃（室温）でシリコンミラーウエハ面（信越半導体株式会社製；ＣＺＮ＜１００＞２．５−３．５（４インチ））に貼付けを行なった。室温雰囲気下で３０分間静置した後、シート裏面から紫外線を照射（５００ｍＪ／ｃｍ^２）し、２３±３℃の恒温室で、１５°引き剥がし粘着力を測定した（剥離点移動速度２．５ｍｍ／ｓｅｃ）。
【００５７】
（ピックアップ評価）
実施例及び比較例で得られたダイシング用粘着シートに、裏面研削された厚さ１００μｍの６インチウエハを２３±３℃でマウントした後、以下の条件でダイシングした。ダイシング後、シート裏面から紫外線を照射（５００ｍＪ／ｃｍ^２）し、次いで任意の半導体チップ５０個を以下の条件でピックアップ（剥離）した。ピックアップが成功したチップ数をカウントした。結果を表１に示す。
【００５８】
＜ダイシング条件＞
ダイサー：ＤＩＳＣＯ社製、ＤＦＤ−６５１
ブレード：ＤＩＳＣＯ社製、２７ＨＥＣＣ
ブレード回転数：４００００ｒｐｍ
ダイシング速度：１２０ｍｍ／ｓｅｃ
ダイシング深さ：２５μｍ
カットモード：ダウンカット
ダイシングサイズ：５．０×５．０ｍｍ
【００５９】
＜ピックアップ条件＞
ダイボンダー：ＮＥＣＭａｃｈｉｎｅｒｙ−１００
ピン数：４本
ピンの間隔：３．５×３．５ｍｍ
ピン先端曲率：０．２５０ｍｍ
ピン突き上げ量：０．５０ｍｍ
吸着保持時間：０．２秒
エキスパンド量：３ｍｍ
【００６０】
（有機汚染増加量：△Ｃ）
実施例１〜２及び比較例１で得られたダイシング用粘着シートを、２５ｍｍ幅で短冊状に切断し、２３±３℃（室温）でシリコンミラーウエハ面（信越半導体株式会社製；ＣＺＮ＜１００＞２．５−３．５（４インチ））に貼付けを行なった。室温雰囲気下で１時間静置した後、前記引き剥がし粘着力測定試験に準じてダイシング用粘着シートを剥離した後のシリコンミラーウエハ面を、ＥＳＣＡ装置（アルバック・ファイ社製のＱｕａｎｔｕｍ２０００）により表面炭素元素比率Ｃ１（％）を測定した。一方、ダイシング用粘着シートを貼り付ける前のシリコンミラーウエハ面の表面炭素元素比率Ｃ２（％）をＥＳＣＡ装置により測定しておいた。これらから、ΔＣ＝Ｃ１（％）−Ｃ２（％）、を求めた。
【００６１】
【表１】

表１から、実施例のダイシング用粘着シートではピックアップ性が良好であることが認められる。また、実施例１、２ではシリコンウエハへの汚染が少ないことが分かる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ダイシング用粘着シートの断面図である。
【図２】薄型チップのピックアップのメカニズムの説明図である。
【符号の説明】
１ダイシング用粘着シート
１１基材フィルム
１２粘着剤層
１３セパレーター
２半導体ウエハ
３吸着コレット
４突き上ザピン[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a dicing adhesive sheet and a method for manufacturing a semiconductor element using the dicing adhesive sheet. The pressure-sensitive adhesive sheet for dicing according to the present invention is particularly useful as a pressure-sensitive adhesive sheet for semiconductor wafer dicing used for fixing a workpiece such as a semiconductor wafer when the semiconductor wafer or the like is cut and separated (diced). is there. For example, the adhesive sheet for dicing of the present invention can be used as an adhesive sheet for silicon semiconductor dicing, an adhesive sheet for compound semiconductor dicing, an adhesive sheet for semiconductor package dicing, an adhesive sheet for glass dicing, an adhesive sheet for ceramic dicing, and the like.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, a semiconductor wafer made of silicon, gallium, arsenic, or the like is manufactured in a large diameter state, then cut and separated (diced) into element pieces, and further transferred to a mounting process. At this time, the semiconductor wafer is subjected to a dicing process, a cleaning process, an expanding process, a pick-up process, and a mounting process in a state where the semiconductor wafer is stuck and held on the adhesive sheet. As the pressure-sensitive adhesive sheet, a sheet in which a pressure-sensitive adhesive layer such as an acrylic pressure-sensitive adhesive is applied and formed on a base material made of a plastic film is used (see, for example, Patent Document 1).
[0003]
The pickup process is performed in a state where the dicing adhesive sheet is stretched to some extent. That is, as shown in FIG. 2, the dicing adhesive sheet 1 below the semiconductor chip 2 to be picked up is lifted or rubbed in a dotted or linear shape, and the separation of the semiconductor chip 2 and the dicing adhesive sheet 1 is promoted. A method of picking up the semiconductor chip 2 from the upper part by vacuum suction of the suction collet 3 or the like has become the mainstream.
[0004]
However, in recent years, with the spread of IC cards and the like, the semiconductor element has been made thinner, and the semiconductor chip is likely to be deformed (or bent) when the semiconductor chip is picked up by the above method. Therefore, there is a problem that the peeling angle between the dicing adhesive sheet and the semiconductor chip is small, and picking up becomes difficult.
[0005]
It is presumed that the pickup mechanism of the thin semiconductor chip is generally as follows. That is, when picking up a thin semiconductor chip, as shown in FIG. 2, when the dicing adhesive sheet 1 is lifted by a push-up pin 4 to facilitate peeling, the semiconductor wafer 2 (semiconductor chip 2) is thin and has low rigidity. It is assumed that the peeling angle between the dicing adhesive sheet and the semiconductor wafer becomes smaller than that of a conventional thick semiconductor wafer with rigidity, which increases the peeling force and hinders the pickup.
[0006]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Publication No. 4-70937
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
The present invention is intended to solve the above-described problems of the prior art, and even if the object to be cut is a thin semiconductor wafer, the pressure-sensitive adhesive sheet for dicing can perform the pick-up process after the dicing process with high efficiency. The purpose is to provide.
[0008]
Moreover, this invention aims at providing the manufacturing method of the semiconductor element using the said adhesive sheet for dicing, and also providing the semiconductor element obtained by the said manufacturing method.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have found that the above object can be achieved by the dicing adhesive sheet shown below, and have completed the present invention.
[0010]
That is, the present invention is a pressure-sensitive adhesive sheet for dicing provided with a pressure-sensitive adhesive layer on a base film,
The pressure-sensitive adhesive layer has a thickness of 1 to 50 μm, and
The pressure-sensitive adhesive layer has an adhesive strength of the dicing pressure-sensitive adhesive sheet to a silicon mirror wafer of 2.3 N / 25 mm when peeled by 15 ° at 23 ± 3 ° C. (peeling point moving speed 2.5 mm / sec). The present invention relates to a dicing pressure-sensitive adhesive sheet characterized by being capable of having a tape width of 2.3 N / 25 mm or less.
[0011]
The conventional dicing pressure-sensitive adhesive sheet has a 15 ° peel-off adhesive force to the silicon mirror wafer (peeling point moving speed 2.5 mm / sec, 23 ± 3 ° C. peel) exceeding 2.5 N / 25 mm tape width. . On the other hand, the adhesive sheet for dicing of the present invention can reduce the adhesive force of the silicon mirror wafer to 2.3 N / 25 mm tape width or less. Thus, the adhesive sheet for dicing of the present invention can be peeled with a low adhesive force even at a peeling angle as small as 15 °. Therefore, even when the object to be cut is a thin semiconductor wafer that is easily deformed at the time of pick-up and the peeling angle is likely to be small, good pick-up is possible.
[0012]
The adhesive force is defined by the adhesive force with respect to the silicon mirror wafer because the silicon mirror wafer has a stable surface condition (roughness) and is of the same material as the object of dicing and pickup. by. Further, since the normal pickup is performed at room temperature (23 ° C.), the adhesive strength at 23 ° C. is used as a reference. The adhesive force of the dicing adhesive sheet to the silicon mirror wafer is 2.3 N / 25 mm tape width or less, preferably 2 N / 25 mm tape width or less. If the adhesive strength is higher than the 2.3 N / 25 mm tape width, pick-up failure is likely to occur during pick-up.
[0013]
Moreover, the thickness of the adhesive layer of the said adhesive sheet for dicing is 1-50 micrometers. The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer may be the same as that of a conventional pressure-sensitive adhesive sheet for dicing. When the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is large, the vibration width of the object to be cut increases, and chipping (chipping) of the cutting tip tends to occur. Therefore, the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably 20 μm or less. On the other hand, when the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is reduced, it is difficult to obtain a sufficient adhesive force for holding the semiconductor element during dicing, so that the thickness is preferably 3 μm or more. From this viewpoint, the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is particularly preferably 3 to 20 μm.
[0014]
The dicing pressure-sensitive adhesive sheet was peeled off at 23 ± 3 ° C. by 15 ° (peeling point moving speed 2.5 mm / sec) after the dicing pressure-sensitive adhesive sheet was attached to the silicon mirror wafer, and the adhesive strength was 2.3 N. When the thickness of the tape is 25 mm or less, the organic contamination increase ΔC on the surface of the silicon mirror wafer after the peeling of the dicing adhesive sheet is 5% or less after the dicing adhesive sheet is peeled off. Is preferred.
[0015]
As described above, the dicing pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention can be peeled off from the silicon mirror wafer with a low peel angle and a low pressure-sensitive adhesive force, but the pressure-sensitive adhesive does not remain on the silicon mirror wafer surface after peeling, It is preferable that it is not contaminated. The residual adhesive can be expressed as an increase in organic contamination ΔC. ΔC is preferably as small as possible, and is preferably 5% or less, more preferably 3% or less.
[0016]
In the pressure-sensitive adhesive sheet for dicing, the pressure-sensitive adhesive layer can have a pressure-sensitive adhesive strength lower than that at the time of pasting to be 2.3 N / 25 mm tape width or less. The pressure-sensitive adhesive layer is formed of a radiation-curable pressure-sensitive adhesive, and the pressure-sensitive adhesive force after radiation-curing of the pressure-sensitive adhesive layer can be suitably used that is 2.3 N / 25 mm tape width or less.
[0017]
As described above, the pressure-sensitive adhesive sheet for dicing of the present invention is controlled so as to have a low peel-off adhesive force during pick-up or to be controllable. However, if the adhesive force is low, the chip that has been cut and separated cannot be held when dicing, which is the previous process, and the chip can be peeled off from the dicing adhesive sheet during dicing (chip jumping occurs). High nature. Therefore, by forming a pressure-sensitive adhesive layer with a radiation-curable pressure-sensitive adhesive that can be cured by radiation irradiation to reduce the adhesive force, while maintaining a certain degree of adhesive force during dicing, by radiation irradiation after the dicing process, It is preferable to use one whose adhesive strength is controlled to 2.3 N / 25 mm or less. From the same viewpoint, it is also preferable to form the pressure-sensitive adhesive layer with a heat-foaming release type pressure-sensitive adhesive that can reduce the pressure-sensitive adhesive force by heating. In such a case, after the dicing, a known operation such as heating is applied to reduce the adhesive force, and then picking up can be performed. In addition, the adhesive layer which can reduce adhesive force is especially useful for the adhesive layer which specified the adhesive force with respect to a silicon mirror wafer.
[0018]
The adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer before reducing the adhesive strength (for example, adhesive strength before radiation irradiation) is 180 ° peeling at 23 ± 3 ° C. (peeling point moving speed 150 mm / sec) with respect to the silicon mirror wafer. 5 to 15 N / 25 mm tape width, more preferably 8 to 12 N / 25 mm tape width.
[0019]
The radiation curable pressure-sensitive adhesive preferably contains 40% by weight or more of a radiation curable component containing an average of 6 or more carbon-carbon double bonds in one molecule.
[0020]
The pressure-sensitive adhesive sheet for dicing contains an acrylic polymer, and the acrylic polymer preferably has a glass transition temperature of −60 ° C. or higher.
[0021]
In the pressure-sensitive adhesive sheet for dicing, it is preferable that the pressure-sensitive adhesive layer contains an acrylic polymer, and the weight average molecular weight of the acrylic polymer is 500,000 or more.
[0022]
The present invention also relates to a method for manufacturing a semiconductor element, comprising a step of dicing after the adhesive sheet for dicing is attached to a semiconductor component, and a step of picking up the diced semiconductor element.
[0023]
By using the above-mentioned dicing pressure-sensitive adhesive sheet, it is possible to efficiently perform the pick-up process of the diced semiconductor element. In addition, in the manufacturing method of the said conductor element, although the sticking temperature to the semiconductor wafer of the adhesive sheet for dicing is not limited at all, Usually, it is preferable that it is about 20-80 degreeC.
[0024]
The manufacturing method of the semiconductor element is suitable when the thickness of the semiconductor element is less than 100 μm. Furthermore, the thickness of the semiconductor element is also suitable when it is less than 50 μm.
[0025]
Moreover, this invention relates to the semiconductor element obtained with the said manufacturing method.
[0026]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the dicing adhesive sheet 1 of the present invention will be described in detail with reference to FIG. As shown in FIG. 1, the pressure-sensitive adhesive sheet for dicing of the present invention is provided with a pressure-sensitive adhesive layer 12 on a base film 11. Moreover, it is possible to have a separator 13 on the pressure-sensitive adhesive layer 12 as necessary. Although FIG. 1 has an adhesive layer on one side of the base film, the adhesive layer can be formed on both sides of the base film. The dicing pressure-sensitive adhesive sheet can take an appropriate shape depending on the application, such as a sheet shape or a roll shape. For example, for wafer dicing, a material that has been cut into a required shape in advance is preferably used.
[0027]
The base film 11 is not particularly limited, but a plastic film can be particularly preferably used. Representative materials include, for example, low density polyethylene, linear polyethylene, medium density polyethylene, high density polyethylene, ultra low density polyethylene, random copolymer polypropylene, block copolymer polypropylene, homopolypropylene, polybutene, polymethylpentene, etc. Polyolefin, ethylene-vinyl acetate copolymer, ionomer resin, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid ester (random, alternating) copolymer, ethylene-butene copolymer, ethylene -Hexene copolymer, polyurethane, polyester such as polyethylene terephthalate, polyimide, polyetherketone, polystyrene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, fluororesin, silicone resin, cellulosic resin and these Polymer of the bridge body, and the like. In addition, you may use the said illustrated material which comprises a base film by grafting a functional group, a functional monomer, and a modifier monomer as needed.
[0028]
The base film can be formed by a conventionally known film forming method. For example, calendar film formation, casting film formation, inflation extrusion, T-die extrusion and the like can be suitably used.
[0029]
The thickness of the base film thus obtained is usually about 10 to 300 μm, preferably about 30 to 200 μm. The base film may be either a single layer film or a multilayer film, and may be a blend base material obtained by dry blending the two or more kinds of resins. A multilayer film can be produced by a conventional film laminating method such as a co-extrusion method or a dry laminating method using the resin or the like. Moreover, a base film may be used without extending | stretching and you may give a uniaxial or biaxial stretching process as needed. The base film surface thus produced can be subjected to conventional physical or chemical treatment such as mat treatment, corona discharge treatment, primer treatment, and crosslinking treatment as necessary.
[0030]
As described above, the pressure-sensitive adhesive layer 11 has a thickness of 1 to 50 μm. Further, when the adhesive sheet for dicing is directly attached to the semiconductor material, the adhesive force of the silicon mirror wafer is peeled off by 15 ° (peeling point moving speed 2.5 mm / sec) is 2.3 N / sec. It can be controlled to a width of 25 mm or less. That is, the pressure-sensitive adhesive layer may have the above-mentioned adhesive force from the beginning, or may be the above-mentioned adhesive force by reducing the adhesive force.
[0031]
For the formation of such a pressure-sensitive adhesive layer, a known or common pressure-sensitive adhesive can be used. The pressure-sensitive adhesive is not limited in any way, but for example, rubber-based, acrylic-based, silicone-based. Various pressure-sensitive adhesives such as polyvinyl ether are used. Among these, an acrylic pressure-sensitive adhesive having an acrylic polymer as a base polymer is preferable from the viewpoint of contamination to a semiconductor wafer.
[0032]
Examples of the acrylic polymer include a copolymer of (meth) acrylic acid alkyl ester or a copolymerizable monomer with (meth) acrylic acid alkyl ester for the purpose of modifying adhesiveness, cohesive force, heat resistance, etc., if necessary. A copolymer obtained by copolymerizing is used. In addition, (meth) acrylic acid ester means acrylic acid ester and / or methacrylic acid ester, and (meth) of the present invention has the same meaning. Examples of alkyl of (meth) acrylic acid alkyl ester include methyl ester, ethyl ester, butyl ester, 2-ethylhexyl ester, octyl ester, isononyl ester and the like. Especially, from the point of peeling adhesive force, it is preferable that the glass transition temperature (henceforth Tg) of an acryl-type polymer is -60 degreeC or more, Furthermore, -20-20 degreeC. For such an acrylic polymer, a monomer having a homopolymer Tg of −60 ° C. or more is suitable as the main monomer. When the adhesive layer is directly bonded to the semiconductor component, the Tg of the main monomer is preferably −60 ° C. or higher, more preferably −20 to 20 ° C. The main monomer is preferably contained in an amount of 60% by weight or more, more preferably 80% by weight or more.
[0033]
Examples of the copolymerizable monomer include hydroxyalkyl esters of (meth) acrylic acid (for example, hydroxyethyl ester, hydroxybutyl ester, hydroxyhexyl ester, etc.), (meth) acrylic acid glycidyl ester, (meth) acrylic acid, itaconic acid, Maleic anhydride, (meth) acrylamide, (meth) acrylic acid N-hydroxymethylamide, (meth) acrylic acid alkylaminoalkyl ester (for example, dimethylaminoethyl methacrylate, t-butylaminoethyl methacrylate, etc.), N-vinylpyrrolidone Acryloylmorpholine, vinyl acetate, styrene, acrylonitrile and the like. These copolymerizable monomers can be used alone or in combination of two or more. Furthermore, since the acrylic polymer is crosslinked, a polyfunctional monomer or the like can be included as a monomer component for copolymerization as necessary.
[0034]
The acrylic polymer can be obtained by subjecting a single monomer or a mixture of two or more monomers to polymerization. The polymerization can be carried out by any method such as solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, suspension polymerization and the like. The pressure-sensitive adhesive layer preferably has a low content of low molecular weight substances from the viewpoint of preventing contamination of semiconductor wafers and the like. From this point, the weight average molecular weight of the acrylic polymer is 500,000 or more, preferably about 500,000 to 3,000,000, and more preferably about 800,000 to 3,000,000.
[0035]
In order to increase the number average molecular weight of the acrylic polymer as a base polymer, a crosslinking agent can be appropriately added to the pressure-sensitive adhesive. Examples of the crosslinking agent include polyisocyanate compounds, epoxy compounds, aziridine compounds, melamine resins, urea resins, anhydrous compounds, polyamines, and carboxyl group-containing polymers. In the case of using a crosslinking agent, the amount used is preferably 0.01 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the base polymer, considering that the adhesive strength at the time of application is not excessively lowered. In addition to the above-described components, the pressure-sensitive adhesive forming the pressure-sensitive adhesive layer may contain conventional additives such as various conventionally known tackifiers, anti-aging agents, fillers, and coloring agents. I can do it.
[0036]
The adhesive layer prevents the chip from peeling during dicing, and improves the peelability from the chip during pick-up, so that the chip can be prevented from peeling when the semiconductor component (semiconductor wafer, etc.) is attached to an adherend, It is preferable that the adhesive force can be reduced to a 2.3 N / 25 mm tape width or less when picking up than when sticking. As such an adhesive, a radiation curable adhesive that is cured by ultraviolet rays, electron beams or the like is preferably used. In addition, when a radiation curable pressure sensitive adhesive is used for the pressure sensitive adhesive layer, it is preferable that the base film having sufficient radiation transparency is irradiated with radiation after the dicing step.
[0037]
As the radiation curable pressure-sensitive adhesive, those having a radiation curable functional group such as a carbon-carbon double bond and exhibiting adhesiveness can be used without particular limitation. The radiation curable pressure-sensitive adhesive is prepared, for example, by blending a base polymer such as the above-mentioned acrylic polymer with a radiation curable monomer component or oligomer component (these are called radiation curable components).
[0038]
Examples of the radiation curable monomer component and oligomer component include trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) ) Esterified product of (meth) acrylic acid and polyhydric alcohol such as acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate; ester acrylate oligomer; 2-propenyl-3-butenyl cyanurate And isocyanurates such as tris (2-methacryloxyethyl) isocyanurate or isocyanurate compounds. The viscosity of the aforementioned radiation curable component is not particularly limited. A radiation curable component can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types. Among these radiation curable components, those containing an average of 6 or more carbon-carbon double bonds in one molecule are preferable.
[0039]
The blending amount of the radiation curable component is not particularly limited. However, in consideration of reducing the peeling adhesive strength at the time of pickup, that is, after irradiation with radiation, it is 40% by weight or more, preferably 40%. It is preferable to add to 75% by weight, particularly 50 to 70% by weight.
[0040]
Moreover, as a radiation curing type adhesive, what has a carbon-carbon double bond in the side chain of a polymer, or a principal chain, or the principal chain terminal can also be used as a base polymer. As such a base polymer, those having the above-mentioned acrylic polymer as a basic skeleton are preferable. In this case, it is not necessary to add a radiation curable monomer or oligomer component, and its use is optional.
[0041]
The radiation curable pressure-sensitive adhesive contains a photopolymerization initiator when cured by ultraviolet rays or the like. Examples of the photopolymerization initiator include benzoin alkyl ethers such as benzoin methyl ether, benzoin propyl ether, benzoin isopropyl ether, and benzoin isobutyl ether; aromatics such as benzyl, benzoin, benzophenone, and α-hydroxycyclohexyl phenyl ketones. Ketones; aromatic ketals such as benzyldimethyl ketal; thioxanthones such as polyvinylbenzophenone, chlorothioxanthone, dodecylthioxanthone, dimethylthioxanthone, and diethylthioxanthone. The compounding quantity of a photoinitiator is 0.1-10 weight part with respect to 100 weight part of base polymers, such as an acrylic polymer which comprises an adhesive, Preferably it is about 0.5-10 weight part.
[0042]
The pressure-sensitive adhesive sheet for dicing of the present invention, for example, directly applies a pressure-sensitive adhesive solution to the surface of the base film 11 and dries (by heat-crosslinking as necessary) to form a pressure-sensitive adhesive layer 12. Accordingly, it can be manufactured by bonding the separator 13 to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer 12. Moreover, after forming the adhesive layer 12 in the separator 13 separately, the method of bonding them to the base film 11 etc. are employable. These adhesive layers may be laminated by one layer or two or more layers.
[0043]
The separator 13 is provided as necessary for the purpose of protecting the pressure-sensitive adhesive layer 12, for label processing, and for the purpose of smoothing the pressure-sensitive adhesive. Examples of the constituent material of the separator include paper, synthetic resin films such as polyethylene, polypropylene, and polyethylene terephthalate. In order to improve the peelability from the pressure-sensitive adhesive layer, the separator surface may be subjected to a peeling treatment such as a silicone treatment, a long-chain alkyl treatment, or a fluorine treatment as necessary. Moreover, the ultraviolet-ray prevention process may be performed as needed so that an adhesive sheet may not react with environmental ultraviolet rays. The thickness of a separator is 10-200 micrometers normally, Preferably it is about 25-100 micrometers.
[0044]
The pressure-sensitive adhesive sheet for dicing of the present invention is subjected to dicing according to a conventional method after being attached to a semiconductor component which is a workpiece. Examples of semiconductor components include silicon semiconductors, compound semiconductors, semiconductor packages, glass, and ceramics.
[0045]
In the dicing process, the blade is rotated at a high speed to cut the object to be cut into a predetermined size. Dicing can employ a cutting method called full cut that cuts up to the adhesive sheet.
[0046]
After dicing, it is used for a pickup process. The pickup process can be provided with an expanding process. In addition, when the adhesive sheet which reduces adhesive force by radiation irradiation, a heating, etc. is used, appropriate operation is added after dicing and adhesive force is reduced and it uses for a pick-up process. For example, when a radiation curable pressure-sensitive adhesive is used for the pressure-sensitive adhesive layer, the pressure-sensitive adhesive layer is cured after dicing by radiation irradiation according to the type of the pressure-sensitive adhesive, thereby reducing the adhesiveness. By irradiation with radiation after dicing, the tackiness of the pressure-sensitive adhesive layer is reduced by curing, and peeling can be facilitated. The means for radiation irradiation is not particularly limited. For example, the irradiation is performed by ultraviolet irradiation.
[0047]
【Example】
EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated in detail based on an Example, this invention is not limited by these Examples.
[0048]
Example 1
(Base film)
As the base film, a 70 μm-thick linear low density polyethylene was used. One side of this film was corona treated.
[0049]
(Preparation of adhesive)
95 parts by weight of methyl acrylate (Tg in homopolymer = 8 ° C.) and 5 parts by weight of acrylic acid (Tg in homopolymer = 106 ° C.) were copolymerized in a conventional manner in ethyl acetate to give a weight average molecular weight of 800,000. A solution containing an acrylic copolymer was obtained. Radiation curable oligomer obtained by reacting pentaerythritol triacrylate and diisocyanate to the solution (average content of 6 carbon-carbon double bonds per molecule, viscosity 10 Pa · sec at 25 ° C.) 130 parts by weight, 3 parts by weight of a photopolymerization initiator (trade name “Irgacure 651”, manufactured by Ciba Specialty Chemicals) and 2 parts by weight of a polyisocyanate compound (trade name “Coronate L”, manufactured by Nippon Polyurethane) Thus, an ultraviolet curable adhesive solution was obtained.
[0050]
(Preparation of adhesive sheet for dicing)
The pressure-sensitive adhesive solution prepared above was applied to the corona-treated surface of the base film, and was heat-crosslinked at 80 ° C. for 10 minutes to form a 5 μm-thick UV curable pressure-sensitive adhesive layer. Next, a separator was bonded to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer to prepare a UV-curable dicing pressure-sensitive adhesive sheet.
[0051]
Example 2
(Preparation of adhesive)
Methyl acrylate (Tg in homopolymer = 8 ° C.) 60 parts by weight, 2-ethylhexyl acrylate (Tg in homopolymer = −85 ° C.) 35 parts by weight and acrylic acid (Tg in homopolymer = 106 ° C.) 5 Part by weight was copolymerized in ethyl acetate by a conventional method to obtain a solution containing an acrylic copolymer having a weight average molecular weight of 700,000. 130 parts by weight of a radiation curable oligomer obtained by reacting pentaerythritol triacrylate and diisocyanate in the solution (average content of 6 carbon-carbon double bonds per molecule, viscosity 10 Pa · sec at 25 ° C.), UV curing type by adding 3 parts by weight of a photopolymerization initiator (trade name “Irgacure 651”, manufactured by Ciba Specialty Chemicals) and 3 parts by weight of a polyisocyanate compound (trade name “Coronate L”, manufactured by Nippon Polyurethane) An adhesive solution was obtained.
[0052]
(Preparation of adhesive sheet for dicing)
An ultraviolet curable dicing pressure-sensitive adhesive sheet was produced in the same manner as in Example 1 except that the pressure-sensitive adhesive solution prepared above was used.
[0053]
Comparative Example 1
(Preparation of adhesive)
Weight average molecular weight was obtained by copolymerizing 95 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate (Tg in homopolymer = −85 ° C.) and 5 parts by weight of acrylic acid (Tg = 106 ° C. in homopolymer) in ethyl acetate by a conventional method. A solution containing 700,000 acrylic copolymers was obtained. 130 parts by weight of a radiation curable oligomer (viscosity at 25 ° C. of 10 Pa · sec) obtained by reacting pentaerythritol triacrylate with diisocyanate in the solution, a photopolymerization initiator (trade name “Irgacure 651”, Ciba Specialty 3 parts by weight of Chemicals) and 5 parts by weight of a polyisocyanate compound (trade name “Coronate L”, manufactured by Nippon Polyurethane) were added to obtain an ultraviolet curable adhesive solution.
[0054]
(Preparation of adhesive sheet for dicing)
An ultraviolet curable dicing pressure-sensitive adhesive sheet was produced in the same manner as in Example 1 except that the pressure-sensitive adhesive solution prepared above was used.
[0055]
The following evaluation was performed about the adhesive sheet for dicing obtained in the said Example and comparative example. The results are shown in Table 1.
[0056]
(Peeling adhesive strength)
The adhesive sheets for dicing obtained in Examples 1 and 2 and Comparative Example 1 were cut into strips with a width of 25 mm, and a silicon mirror wafer surface (manufactured by Shin-Etsu Semiconductor Co., Ltd .; CZN <100 at 23 ± 3 ° C. (room temperature)). > 2.5-3.5 (4 inches)). After standing at room temperature for 30 minutes, ultraviolet rays were irradiated from the back of the sheet (500 mJ / cm ² Then, in a thermostatic chamber of 23 ± 3 ° C., the 15 ° peel adhesive strength was measured (peeling point moving speed 2.5 mm / sec).
[0057]
(Pickup evaluation)
A 6-inch wafer having a thickness of 100 μm ground on the back surface was mounted at 23 ± 3 ° C. on the adhesive sheet for dicing obtained in Examples and Comparative Examples, and then diced under the following conditions. After dicing, irradiate ultraviolet rays from the back of the sheet (500 mJ / cm ² Then, 50 arbitrary semiconductor chips were picked up (peeled) under the following conditions. The number of chips that were successfully picked up was counted. The results are shown in Table 1.
[0058]
<Dicing conditions>
Dicer: DISCO, DFD-651
Blade: DISCO, 27HECC
Blade rotation speed: 40000 rpm
Dicing speed: 120mm / sec
Dicing depth: 25μm
Cut mode: Down cut
Dicing size: 5.0 × 5.0mm
[0059]
<Pickup conditions>
Die bonder: NEC Machinery-100
Number of pins: 4
Pin spacing: 3.5 x 3.5mm
Pin tip curvature: 0.250mm
Pin push-up amount: 0.50mm
Adsorption holding time: 0.2 seconds
Expanding amount: 3mm
[0060]
(Increased amount of organic pollution: △ C)
The adhesive sheets for dicing obtained in Examples 1 and 2 and Comparative Example 1 were cut into strips with a width of 25 mm, and a silicon mirror wafer surface (manufactured by Shin-Etsu Semiconductor Co., Ltd .; CZN <100 at 23 ± 3 ° C. (room temperature)). > 2.5-3.5 (4 inches)). After standing at room temperature for 1 hour, the silicon mirror wafer surface after peeling the adhesive sheet for dicing according to the above-mentioned peel adhesion measurement test was surface carbonized by ESCA apparatus (Quantum 2000 manufactured by ULVAC-PHI). The element ratio C1 (%) was measured. On the other hand, the surface carbon element ratio C2 (%) of the silicon mirror wafer surface before the adhesive sheet for dicing was attached was measured with an ESCA apparatus. From these, ΔC = C1 (%) − C2 (%) was obtained.
[0061]
[Table 1]

From Table 1, it is recognized that the pick-up property is good in the pressure-sensitive adhesive sheet for dicing of the example. It can also be seen that in Examples 1 and 2, there is little contamination of the silicon wafer.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view of a dicing adhesive sheet.
FIG. 2 is an explanatory diagram of a thin chip pickup mechanism;
[Explanation of symbols]
1 Dicing adhesive sheet
11 Base film
12 Adhesive layer
13 Separator
2 Semiconductor wafer
3 Adsorption collet
4 Pushing the pin

Claims

In the pressure-sensitive adhesive sheet for dicing provided with a pressure-sensitive adhesive layer on the base film,
The pressure-sensitive adhesive layer has a thickness of 1 to 50 μm, and the pressure-sensitive adhesive layer peels off by 15 ° at 23 ± 3 ° C. for the adhesive force of the dicing pressure-sensitive adhesive sheet (peeling point moving speed 2.5 mm). / Sec), the pressure-sensitive adhesive sheet for dicing can be reduced to 2.3 N / 25 mm tape width or less or 2.3 N / 25 mm tape width or less.

After adhering the dicing adhesive sheet to the silicon mirror wafer, peel it off at 23 ± 3 ° C. for 15 ° (peeling point moving speed 2.5 mm / sec), with the adhesive strength being 2.3 N / 25 mm tape width or less. When I went
2. The dicing pressure-sensitive adhesive sheet according to claim 1, wherein an increase in organic contamination ΔC on the surface of the silicon mirror wafer after peeling of the dicing pressure-sensitive adhesive sheet before the dicing pressure-sensitive adhesive sheet is attached is 5% or less. .

3. The pressure-sensitive adhesive sheet for dicing according to claim 1 or 2, wherein the pressure-sensitive adhesive layer has a pressure-sensitive adhesive force lower than that at the time of pasting to a width of 2.3 N / 25 mm or less.

The pressure-sensitive adhesive layer is formed of a radiation-curable pressure-sensitive adhesive, and the pressure-sensitive adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer after radiation curing is 2.3 N / 25 mm tape width or less. Adhesive sheet.

5. The pressure-sensitive adhesive sheet for dicing according to claim 4, wherein the radiation-curable pressure-sensitive adhesive contains 40% by weight or more of a radiation-curable component having an average of 6 or more carbon-carbon double bonds in one molecule.

6. The pressure-sensitive adhesive sheet for dicing according to claim 1, wherein the pressure-sensitive adhesive layer contains an acrylic polymer, and the glass transition temperature of the acrylic polymer is −60 ° C. or higher.

The pressure-sensitive adhesive layer contains an acrylic polymer, and the weight average molecular weight of the acrylic polymer is 500,000 or more, The pressure-sensitive adhesive sheet for dicing according to any one of claims 1 to 6.

A method for manufacturing a semiconductor element, comprising: a step of dicing the adhesive sheet for dicing according to claim 1 after being attached to a semiconductor component; and a step of picking up the diced semiconductor element. .

9. The method of manufacturing a semiconductor element according to claim 8, wherein the thickness of the semiconductor element is less than 100 [mu] m.

A semiconductor device obtained by the manufacturing method according to claim 8.