JP2001170786A - Method and device for machining substrate of non- metallic material - Google Patents

Method and device for machining substrate of non- metallic material

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JP2001170786A
JP2001170786A JP35200999A JP35200999A JP2001170786A JP 2001170786 A JP2001170786 A JP 2001170786A JP 35200999 A JP35200999 A JP 35200999A JP 35200999 A JP35200999 A JP 35200999A JP 2001170786 A JP2001170786 A JP 2001170786A
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metallic material
laser beam
substrate
porous plate
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Katsuyuki Imoto
克之 井本
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and a device for machining a substrate of a nonmetallic material in which the substrate of non-metallic material is firmly sucked by a vacuum when the substrate of non-metallic material is cut with a laser beam. SOLUTION: In a method for machining a substrate of non-metallic material, i.e., when a substrate 8 of non-metallic material is cut into tips of substrate with a laser beam 2-3, the substrate 8 is placed on a porous plate 17, and the substrate 8 is sucked with a vacuum on the porous plate 17 by evacuating from the lower side of the porous plate 8 and is cut with the laser beam 2-3.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、非金属材料基板を
レーザビームで割断加工してチップとするための非金属
材料基板の加工方法及びその装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for processing a non-metallic material substrate for cutting a non-metallic material substrate with a laser beam into chips.

【0002】[0002]

【従来の技術】ガラス基板、セラミックス基板、絶縁膜
付き半導体(Si、GaAs、InPなど)基板、サフ
ァイヤ基板、LiNbO3 やLiTaO5 などの結晶基
板などの非金属基板を微少サイズのチップ状に精密分断
加工する技術の要求が高まってきている。
2. Description of the Related Art A non-metallic substrate such as a glass substrate, a ceramic substrate, a semiconductor with an insulating film (Si, GaAs, InP, etc.) substrate, a sapphire substrate, a crystal substrate such as LiNbO 3 or LiTaO 5 is precisely formed into a small chip. There is an increasing demand for a technique for cutting.

【0003】特に、分断時にパーティクルが発生せず、
ドライプロセスで数mm角サイズにチッピングを生ぜず
に分断加工する技術が強く望まれている。
In particular, no particles are generated at the time of division,
There is a strong demand for a technique of performing a cutting process without causing chipping to a size of several mm square in a dry process.

【0004】上記要求に対して、CO2 レーザビームを
用いて非接触、ドライプロセスで割断する技術が注目さ
れている。
[0004] In response to the above demand, a technique of cutting by a non-contact, dry process using a CO 2 laser beam has been receiving attention.

【0005】図9は、従来のCO2 レーザービームを用
いた非金属材料基板の加工装置の概略図を示したもので
ある。
FIG. 9 is a schematic view of a conventional processing apparatus for a non-metallic material substrate using a CO 2 laser beam.

【0006】CO2 レーザ発振器1から出射されたCO
2 レーザビーム(平行ビーム)2−1はフード6内を伝
搬し、全反射ミラー3によって直角に曲げられて矢印2
−2のごとく伝搬し、集光レンズ4に入射され、ここで
ビーム2−3は矢印のごとく集光され、そのビーム2−
3が円錐形ガスノズル管7内を通って非金属材料基板8
上に照射される。またアシストガス5−1及び5−2も
上記ガスノズル管7を通って上記金属材料基板8上に吹
き付けられる。
The CO emitted from the CO 2 laser oscillator 1
2 The laser beam (parallel beam) 2-1 propagates through the hood 6 and is bent at a right angle by the
-2, and is incident on the condenser lens 4, where the beam 2-3 is condensed as indicated by the arrow, and the beam 2-3 is condensed.
3 passes through the conical gas nozzle tube 7 and passes through the non-metallic material substrate 8
Irradiated on top. The assist gases 5-1 and 5-2 are also blown onto the metal material substrate 8 through the gas nozzle tube 7.

【0007】非金属材料基板8は、XYZθ移動装置
(あるいはXYθ移動装置)12上のワークテーブル9
上に真空吸着されている。
[0007] The non-metallic material substrate 8 is placed on a work table 9 on an XYZθ moving device (or XYθ moving device) 12.
Absorbed on top.

【0008】10は真空吸引穴であり、11は上記真空
吸引穴10を通して基板8の裏面をワークテーブル9上
に真空吸着するための真空排気装置である。
[0010] Reference numeral 10 denotes a vacuum suction hole, and 11 denotes a vacuum exhaust device for vacuum-sucking the back surface of the substrate 8 onto the work table 9 through the vacuum suction hole 10.

【0009】CO2 レーザービーム2−3は、X(ある
いはY)方向に移動中の非金属材料基板8の一方の端か
ら他方の端に向かって照射される。それによって基板8
には熱応力によってき裂が発生され、そのき裂を進展さ
せることによって割断により、基板8は分断される。
The CO 2 laser beam 2-3 is irradiated from one end of the non-metallic material substrate 8 moving in the X (or Y) direction to the other end. Thereby, the substrate 8
The substrate 8 is cracked by thermal stress, and the substrate 8 is divided by the cracking caused by the propagation of the crack.

【0010】図10は非金属材料基板8を格子状に分断
し、チップ13−1、13−2、…を得る方法の模式図
を示したものである。
FIG. 10 is a schematic view showing a method of dividing the non-metallic material substrate 8 into a lattice to obtain chips 13-1, 13-2,.

【0011】非金属材料基板8を、先ず、矢印14−2
のY方向に移動させつつ、き裂15−1、15−2、1
5−3、…、15−7を次々に発生させる。次に、基板
8を90°回転させた後、基板8を矢印14−1方向に
移動させつつ、き裂を16−1、16−2、16−3、
16−4…のごとく発生させてチップ13−1、13−
2…を得る方法である。
First, the non-metallic material substrate 8 is moved by the arrow 14-2.
Cracks 15-1, 15-2, 1
5-3,..., 15-7 are successively generated. Next, after rotating the substrate 8 by 90 °, while moving the substrate 8 in the direction of arrow 14-1, cracks 16-1, 16-2, 16-3,
16-4, and the chips 13-1, 13-
This is a method for obtaining 2.

【0012】各々のチップ13−1、13−2、13−
3、…の裏面には真空吸引穴10−1、10−2、10
−3、…10−64が設けられている。
Each of the chips 13-1, 13-2, 13-
3, the vacuum suction holes 10-1, 10-2, 10
-3,... 10-64 are provided.

【0013】なお、CO2 レーザの代わりに、YAGレ
ーザの第2高調波光、第3光調波光を用いた場合も同様
の方法で割断加工が行われる。
[0013] When the second harmonic light and the third harmonic light of the YAG laser are used in place of the CO 2 laser, the cutting is performed in the same manner.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】ところが従来のレーザ
を用いた割断加工方法及びその装置にはまだ次のような
問題がある。
However, the conventional method and apparatus for cutting using a laser still have the following problems.

【0015】(1)チップサイズが数mm角か、それよ
り小さくなってくると、それぞれ分断するチップ面の裏
面に設けた真空吸引穴10も直径が数mmか、それより
小さくしないといけない。なぜならば、それぞれの分断
したチップが割断加工時に吹き飛ばされないように、し
っかりと真空吸着しておかなければならないからであ
る。しかし、直径が1mmかそれよりも小さくなると、
真空吸引力が大幅に低下し、真空吸引が難しい。またワ
ークテーブル上に上記真空吸引穴10を1mm間隔で多
数設けることが機械寸法精度(ワークテーブルの平坦
性)の面からも難しい。
(1) When the chip size becomes several mm square or smaller, the vacuum suction holes 10 provided on the back surface of the chip surface to be divided must also have a diameter of several mm or smaller. This is because each of the divided chips must be firmly vacuum-adsorbed so as not to be blown off during the cutting process. However, when the diameter is 1 mm or smaller,
The vacuum suction force is greatly reduced, making vacuum suction difficult. It is also difficult to provide a large number of the vacuum suction holes 10 on the work table at 1 mm intervals in terms of machine dimensional accuracy (flatness of the work table).

【0016】(2)上記真空吸着力の弱さのために、割
断加工中にき裂部分に隙間が発生してしまい、直交して
格子状にき裂を発生させる際に、き裂を発生しにくくし
たり、格子状の交叉部に不連続ばき裂が発生したりして
四角形(あるいは長方形)のチップを寸法精度良く分割
することが難しい。また最悪の場合には割断加工中にチ
ップが飛び散ってしまうなどの問題点があった。
(2) Due to the above-mentioned weak vacuum suction force, a gap is generated in the crack portion during the cleaving process, and the crack is generated when the cracks are generated in a lattice at right angles. It is difficult to divide a quadrangular (or rectangular) chip with high dimensional accuracy due to the difficulty in performing the cutting or the occurrence of discontinuous cracks in the grid-like intersection. In the worst case, there is a problem that chips are scattered during the cutting process.

【0017】(3)割断終了時に分断したそれぞれのチ
ップを整列良く取り出して搬送することが難しい。
(3) It is difficult to take out and transport each chip separated at the end of the cutting in a well-aligned manner.

【0018】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、レーザビームで非金属材料基板を割断する際に、そ
の非金属材料基板をしっかり真空吸着できる非金属材料
基板の加工方法及びその装置を提供することにある。
Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and to provide a method and an apparatus for processing a non-metallic material substrate capable of firmly adsorbing the non-metallic material substrate when the non-metallic material substrate is cut by a laser beam. Is to provide.

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1の発明は、非金属材料基板をレーザビーム
で割断してチップ状の基板とする非金属材料基板の加工
方法において、少なくとも500℃の温度に耐える多孔
質プレート板上に非金属材料基板を置き、その多孔質プ
レート板の下から真空排気して多孔質プレート板上に非
金属材料基板を真空吸着させながらレーザビームで割断
するようにした非金属材料基板の加工方法である。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a method for processing a non-metallic material substrate by cutting a non-metallic material substrate with a laser beam to form a chip-shaped substrate. A non-metallic material substrate is placed on a porous plate plate that can withstand a temperature of at least 500 ° C., and a vacuum beam is evacuated from under the porous plate plate, and the non-metallic material substrate is vacuum-adsorbed on the porous plate plate by a laser beam. This is a method for processing a nonmetallic material substrate that is to be cut.

【0020】請求項2の発明は、非金属材料基板をレー
ザビームで割断してチップ状の基板とした後、その各チ
ップを分離して取り出す非金属材料基板の加工方法にお
いて、多孔質プレート板上に非金属材料基板を置き、そ
の多孔質プレート板の下から真空排気して多孔質プレー
ト板上に非金属材料基板を真空吸着させながらレーザビ
ームで割断した後、その割断した非金属材料基板シート
にUV接着シートを貼り付け、真空吸着をブレークした
後その非金属材料基板をUV接着シートごと多孔質プレ
ート板から分離し、その後UV接着シートにUV光を照
射してその接着力を弱めて各チップ状の基板をそれぞれ
分離して取り出すようにした非金属材料基板の加工方法
である。
A second aspect of the present invention is a method of processing a non-metallic material substrate by cutting a non-metallic material substrate with a laser beam to form a chip-shaped substrate, and separating and extracting each chip. Place the non-metallic material substrate on the top, evacuate the vacuum from below the porous plate plate, cut the non-metallic material substrate on the porous plate plate with the laser beam, and then cut the non-metallic material substrate with the laser beam. After bonding the UV adhesive sheet to the sheet and breaking the vacuum suction, the non-metallic material substrate is separated from the porous plate with the UV adhesive sheet, and then the UV adhesive sheet is irradiated with UV light to weaken the adhesive strength. This is a method of processing a nonmetallic material substrate in which each chip-shaped substrate is separated and taken out.

【0021】請求項3の発明は、非金属材料基板をレー
ザビームで割断してチップ状の基板とする非金属材料基
板の加工方法において、移動装置上に設置された多孔質
プレート板上に非金属材料基板を置き、その多孔質プレ
ート板の下から真空排気して多孔質プレート板上に非金
属材料基板を真空吸着させる工程1;上記非金属材料基
板上にレーザビームを照射しつつ上記移動装置を作動さ
せて非金属材料基板をX軸方向に所望速度で移動させて
非金属材料基板の一方端から他方端まで割断き裂を発生
させる工程と、Y軸方向に所望ピッチずらせて再びX軸
方向に割断き裂を発生する工程とを、複数回繰り返す工
程2;上記非金属材料基板を上記移動装置で90°回転
させ、再びレーザビームを非金属材料基板上に照射しつ
つ、移動装置を作動させて非金属材料基板をY軸方向に
所望速度で移動させてその一方端から他方端まで割断き
裂を発生させる工程と、X軸方向に所望ピッチずらせて
再びX軸方向に割断き裂を発生する工程とを、複数回繰
り返す工程3;上記X及びY軸方向に格子状の割断き裂
の発生した非金属材料基板表面上にUV接着シートを貼
り付ける工程4;真空排気装置の真空ブレークを行って
UV接着シート付き非金属材料基板を多孔質プレート板
上から分離して搬送機構に移し搬送する工程5;UV接
着シートにUV光を照射してその接着シートの接着力を
弱め、割断き裂されたチップ状の基板を分離して取り出
す工程6;以上の6つの工程からなる非金属材料基板の
加工方法である。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a method of processing a non-metallic material substrate by cutting a non-metallic material substrate with a laser beam to form a chip-like substrate. Step 1 of placing a metal material substrate, and evacuating from below the porous plate plate to vacuum-adsorb the non-metal material substrate on the porous plate plate; the above-described movement while irradiating the non-metal material substrate with a laser beam Operating the device to move the non-metallic material substrate at a desired speed in the X-axis direction to generate a split crack from one end to the other end of the non-metallic material substrate; Repeating the step of generating a crack in the axial direction a plurality of times; step 2; rotating the non-metallic material substrate by 90 ° with the moving device, and irradiating the laser beam onto the non-metallic material substrate again while moving the non-metallic material substrate; Make Causing the non-metallic material substrate to move at a desired speed in the Y-axis direction to generate a split crack from one end to the other end thereof; and shifting the desired pitch in the X-axis direction to cut the split crack again in the X-axis direction. Repeating the step of generating a plurality of times; step 3; attaching a UV adhesive sheet on the surface of the non-metallic material substrate on which the lattice-shaped split cracks have occurred in the X and Y axis directions; 4; To separate the non-metallic material substrate with the UV adhesive sheet from the porous plate plate and transfer it to the transport mechanism to transport the UV adhesive sheet with UV light to weaken the adhesive force of the adhesive sheet and cut it Step 6 of separating and taking out the cracked chip-shaped substrate; a method of processing a nonmetallic material substrate comprising the above six steps.

【0022】請求項4の発明は、工程1と工程2間に、
レーザビームの照射軌跡上の非金属材料基板のX軸方向
の一方端か他方端、または一方端から他方端まで、ある
いは格子状に割断する部分の交叉部近傍に予めけがき線
を刻印しておく工程Aを付加し、また工程2と工程3と
の間にレーザビームの照射軌跡上の非金属材料基板のY
軸方向の一方端か他方端、または一方端から他方端ま
で、あるいは格子状に割断する部分の交叉部近傍に予め
けがき線を刻印しておく工程Bを付加した請求項3記載
の非金属材料基板の加工方法である。
[0022] The invention of claim 4 is characterized in that between step 1 and step 2,
Mark a scribe line in advance on one end or the other end of the non-metallic material substrate on the irradiation locus of the laser beam in the X-axis direction, or from one end to the other end, or in the vicinity of the intersection of the parts to be cut in a lattice shape. Step A is added, and between the steps 2 and 3, the non-metallic material substrate Y
4. The non-metallic material according to claim 3, further comprising a step B of engraving a scribe line in advance at one end or the other end in the axial direction, from one end to the other end, or in the vicinity of an intersection of a portion to be cut in a grid shape. This is a method for processing a material substrate.

【0023】請求項5の発明は、工程1と工程2間に、
レーザビームの照射軌跡上の非金属材料基板のX軸方向
及びY軸方向の一方端か他方端、または一方端から他方
端まで、あるいは格子状に割断する部分の交叉部近傍に
予めけがき線を刻印しておく工程Cを付加した請求項3
記載の非金属材料基板の加工方法である。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method comprising the steps of:
A scribing line is placed in advance at one end or the other end of the non-metallic material substrate on the irradiation locus of the laser beam in the X-axis direction and the Y-axis direction, or from one end to the other end, or in the vicinity of the intersection of the portions to be cut in a grid. 3. A step C for engraving is added.
It is a processing method of the nonmetallic material substrate described in the above.

【0024】請求項6の発明は、工程Aと工程2を連動
して行うようにする工程Dと、工程Bと工程3を連続し
て行うようにする工程Eにした請求項4記載の非金属材
料基板の加工方法である。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a non-volatile memory device according to the fourth aspect, wherein a step D for performing the step A and the step 2 in conjunction with each other and a step E for performing the step B and the step 3 continuously. This is a method for processing a metal material substrate.

【0025】請求項7の発明は、レーザビームとして、
CO2 レーザビーム、COレーザビーム、YAGレーザ
ビーム、YAGレーザビームの高調波レーザビーム、エ
キシマレーザビームを用いた請求項1〜6いずれかに記
載の非金属材料基板の加工方法である。
According to a seventh aspect of the present invention, as the laser beam,
7. The method for processing a nonmetallic material substrate according to claim 1, wherein a CO 2 laser beam, a CO laser beam, a YAG laser beam, a harmonic laser beam of the YAG laser beam, and an excimer laser beam are used.

【0026】請求項8の発明は、レーザビームに沿って
アシストガスを流すようにした請求項1〜7いずれかに
記載の非金属材料基板の加工方法である。
An eighth aspect of the present invention is the method for processing a nonmetallic material substrate according to any one of the first to seventh aspects, wherein the assist gas is caused to flow along the laser beam.

【0027】請求項9の発明は、レーザビームは非金属
材料基板上に幅W、長さLの細長い線状ビームで照射さ
れるようにした請求項1〜8いずれかに記載の非金属材
料基板の加工方法である。
According to a ninth aspect of the present invention, the non-metallic material according to any one of claims 1 to 8, wherein the laser beam is irradiated on the non-metallic material substrate with an elongated linear beam having a width W and a length L. This is a method for processing a substrate.

【0028】請求項10の発明は、非金属材料基板上に
照射されているレーザビームの直ぐ後方側を冷却しなが
ら非金属材料基板を加工する請求項1〜9いずれかに記
載の非金属材料基板の加工方法である。
According to a tenth aspect of the present invention, the non-metallic material substrate is processed while cooling the immediately rear side of the laser beam irradiated on the non-metallic material substrate. This is a method for processing a substrate.

【0029】請求項11の発明は、非金属材料基板をレ
ーザビームで割断してチップ状の基板とする非金属材料
基板の加工装置において、レーザビームは照射される移
動装置上に、チップ状に割断する非金属材料基板を設置
する多孔質プレート板を設け、その多孔質プレート板の
下面に真空排気口を形成し、その真空排気口に真空排気
装置を接続した非金属材料基板の加工装置である。
According to an eleventh aspect of the present invention, in a non-metallic material processing apparatus for cutting a non-metallic material substrate with a laser beam to form a chip-like substrate, the laser beam is irradiated on a moving device in a chip-like manner. A non-metallic material substrate processing apparatus in which a porous plate plate on which a non-metallic material substrate to be cut is installed is provided, a vacuum exhaust port is formed on the lower surface of the porous plate plate, and a vacuum exhaust device is connected to the vacuum exhaust port. is there.

【0030】請求項12の発明は、非金属材料基板をレ
ーザビームで割断してチップ状の基板とする非金属材料
基板の加工装置において、移動装置上に設置された多孔
質プレート板上に非金属材料基板を置き、その多孔質プ
レート板の下から真空排気して多孔質プレート板上に非
金属材料基板を真空吸着させる第1の手段と、非金属材
料基板上にレーザビームを照射しつつ、移動装置を作動
させて非金属材料基板をX軸方向に所望速度で移動させ
て非金属材料基板の一方端から他方端まで割断き裂を発
生させる工程と、Y軸方向に所望ピッチずらせて再びX
軸方向に割断き裂を発生させる工程とを複数回繰り返す
第2の手段と、上記非金属材料基板を上記移動装置で9
0°回転させ、再びレーザビームを非金属材料基板上に
照射しつつ、移動装置を作動させて非金属材料基板をY
軸方向に所望速度で移動させてその一方端から他方端ま
で割断き裂を発生させる工程と、X軸方向に所望ピッチ
ずらせて再びX軸方向に割断き裂を発生する工程とを、
複数回繰り返す第3の手段と、上記X及びY軸方向に格
子状の割断き裂の発生した非金属材料基板表面上にUV
接着シートを貼り付ける第4の手段と、真空排気装置の
真空ブレークを行ってUV接着シート付き非金属材料基
板を多孔質プレート板上から分離して搬送機構に移し搬
送する第5の手段と、UV接着シートにUV光を照射し
てその接着シートの接着力を弱め、割断き裂されたチッ
プ状の基板を分離して取り出す第6の手段と、を備えた
非金属材料基板の加工装置である。
According to a twelfth aspect of the present invention, in a non-metallic material processing apparatus for cutting a non-metallic material substrate with a laser beam to form a chip-shaped substrate, the non-metallic material substrate is placed on a porous plate plate installed on a moving device. A first means for placing a metal material substrate, evacuating the porous plate plate from underneath and vacuum-sucking the non-metallic material substrate onto the porous plate plate, and irradiating the non-metallic material substrate with a laser beam Operating the moving device to move the non-metallic material substrate at a desired speed in the X-axis direction to generate a split crack from one end to the other end of the non-metallic material substrate, and shifting the desired pitch in the Y-axis direction. X again
A second means for repeating the step of generating a split crack in the axial direction a plurality of times;
While rotating the non-metallic substrate by 0 ° and irradiating the laser beam again on the non-metallic substrate, the moving device is operated to move the non-metallic substrate
The step of moving at a desired speed in the axial direction to generate a split crack from one end to the other end thereof, and the step of shifting the desired pitch in the X-axis direction and generating a split crack in the X-axis direction again,
A third means which is repeated a plurality of times, and a UV light is applied on the surface of the non-metallic material substrate having a lattice-shaped split crack in the X and Y axis directions.
Fourth means for attaching an adhesive sheet, fifth means for performing a vacuum break of a vacuum exhaust device to separate the non-metallic material substrate with a UV adhesive sheet from the porous plate plate, and to transfer and transfer the substrate to a transfer mechanism; A sixth means for irradiating the UV adhesive sheet with UV light to weaken the adhesive force of the adhesive sheet, and separating and taking out the chip-shaped substrate which has been split and torn; is there.

【0031】請求項13の発明は、第1の手段と第2の
手段間に、レーザビームの照射軌跡上の非金属材料基板
のX軸方向の一方端か他方端、または一方端から他方端
まで、あるいは格子状に割断する部分の交叉部近傍に予
めけがき線を刻印しておく手段(手段A)を付加し、ま
た第2の手段と第3の手段との間にレーザビームの照射
軌跡上の非金属材料基板のY軸方向の一方端か他方端、
または一方端から他方端まで、あるいは格子状に割断す
る部分の交叉部近傍に予めけがき線を刻印しておく手段
(手段B)を付加した請求項12記載の非金属材料基板
の加工装置である。
According to a thirteenth aspect, between the first means and the second means, one end or the other end in the X-axis direction of the non-metallic material substrate on the irradiation locus of the laser beam or from one end to the other end. A means (means A) for marking a scribe line in advance in the vicinity of or at the intersection of the parts to be cut into a lattice, and irradiating a laser beam between the second means and the third means One end or the other end in the Y-axis direction of the non-metallic material substrate on the trajectory,
13. The apparatus for processing a non-metallic material substrate according to claim 12, further comprising a means (means B) for engraving a scribe line in advance from one end to the other end or in the vicinity of the intersection of the parts to be cut in a grid shape. is there.

【0032】請求項14の発明は、第1の手段と第2の
手段間に、レーザビームの照射軌跡上の非金属材料基板
のX軸方向及びY軸方向の一方端か他方端、または一方
端から他方端まで、あるいは格子状に割断する部分の交
叉部近傍に予めけがき線を刻印しておく手段(手段C)
を付加した請求項13記載の非金属材料基板の加工装置
である。
According to a fourteenth aspect of the present invention, one end or the other end or one end of the non-metallic material substrate in the X-axis direction and the Y-axis direction on the irradiation locus of the laser beam is provided between the first means and the second means. Means for marking a scribe line in advance from the end to the other end or in the vicinity of the intersection of the parts to be cut in a grid (means C)
14. The apparatus for processing a nonmetallic material substrate according to claim 13, further comprising:

【0033】請求項15の発明は、手段Aと第2の手段
を連動して行うようにする手段と、手段Bと第3の手段
を連続して行うようにする手段を備えた請求項14記載
の非金属材料基板の加工装置である。
According to a fifteenth aspect of the present invention, there is provided a means for performing the means A and the second means in conjunction with each other, and a means for performing the means B and the third means continuously. An apparatus for processing a non-metallic material substrate as described above.

【0034】請求項16の発明は、レーザビームとし
て、CO2 レーザビーム、COレーザビーム、YAGレ
ーザビーム、YAGレーザビームの高調波レーザビー
ム、エキシマレーザビームを用いた請求項11〜15い
ずれかに記載の非金属材料基板の加工装置である。
According to a sixteenth aspect of the present invention, the laser beam is a CO 2 laser beam, a CO laser beam, a YAG laser beam, a harmonic laser beam of the YAG laser beam, or an excimer laser beam. An apparatus for processing a non-metallic material substrate as described above.

【0035】請求項17の発明は、多孔質プレート板と
して、セラミックスか金属製の多孔質プレート板を用い
た請求項11〜16いずれかに記載の非金属材料基板の
加工装置である。
The invention according to claim 17 is the apparatus for processing a nonmetallic material substrate according to any one of claims 11 to 16, wherein a porous plate made of ceramics or metal is used as the porous plate.

【0036】請求項18の発明は、レーザビームに沿っ
てアシストガスを流すようにした請求項11〜17いず
れかに記載の非金属材料基板の加工装置である。
The invention of claim 18 is the apparatus for processing a nonmetallic material substrate according to any one of claims 11 to 17, wherein the assist gas is caused to flow along the laser beam.

【0037】請求項19の発明は、レーザビームは非金
属材料基板上に幅W、長さLの細長い線状ビームで照射
されるようにした請求項11〜18いずれかに記載の非
金属材料基板の加工装置である。
According to a nineteenth aspect of the present invention, the non-metallic material according to any one of claims 11 to 18, wherein the laser beam is irradiated on the non-metallic material substrate with an elongated linear beam having a width W and a length L. This is a substrate processing device.

【0038】請求項20の発明は、非金属材料基板上に
照射されているレーザビームの直ぐ後方側を冷却しなが
ら非金属材料基板を加工する請求項11〜19いずれか
に記載の非金属材料基板の加工装置である。
According to a twentieth aspect of the present invention, the non-metallic material substrate is processed while cooling the rear side immediately after the laser beam irradiated on the non-metallic material substrate. This is a substrate processing device.

【0039】[0039]

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適一実施の形態
を添付図面に基づいて詳述する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A preferred embodiment of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.

【0040】先ず、図5により非金属材料基板の割断装
置の構成を説明する。
First, the configuration of the device for cleaving a nonmetallic material substrate will be described with reference to FIG.

【0041】この図5において、図9で説明した符号と
同一のものは同一の機能を有するものである。
In FIG. 5, the same components as those described with reference to FIG. 9 have the same functions.

【0042】すなわち、CO2 レーザ発振器1から出射
されたCO2 レーザビーム(平行ビーム)2−1はフー
ド6内を伝搬し、全反射ミラー3によって直角に曲げら
れて矢印のごとく伝搬し、集光レンズ4に入射され、こ
こでビーム2−2は矢印のごとく集光され、そのビーム
2−3が円錐形ガスノズル管7内を通って非金属材料基
板8上に照射される。またアシストガス5−1及び5−
2も上記ガスノズル管7を通って上記金属材料基板8上
に吹き付けられる。
That is, the CO 2 laser beam (parallel beam) 2-1 emitted from the CO 2 laser oscillator 1 propagates in the hood 6, is bent at a right angle by the total reflection mirror 3, and propagates as indicated by the arrow. The beam 2-2 is incident on the optical lens 4, where the beam 2-2 is converged as indicated by an arrow, and the beam 2-3 passes through the conical gas nozzle tube 7 and is irradiated onto the non-metallic material substrate 8. Assist gases 5-1 and 5-
2 is also sprayed onto the metal material substrate 8 through the gas nozzle tube 7.

【0043】非金属材料基板8は、XYZθ移動装置
(あるいはXYθ移動装置)12上のワークテーブル1
9上に真空吸着されている。
The non-metallic material substrate 8 is mounted on the work table 1 on the XYZθ moving device (or the XYθ moving device) 12.
9 is vacuum-adsorbed.

【0044】本発明においては、このワークテーブル1
9を改良した点にある。
In the present invention, the work table 1
9 is an improvement.

【0045】すなわち、ワークテーブル19には、少な
くとも500℃の温度に耐える多孔質プレート板17が
取り付けられ、その多孔質プレート板17の上に非金属
材料基板8が置かれ、また多孔質プレート板17の下面
のワークテーブル19には真空排気口18が設けられ、
その真空排気口18に真空排気装置11が接続され、そ
の真空排気口18を、真空排気装置11で真空排気する
ことにより、非金属材料基板8の下面は多孔質プレート
板17、真空排気口18を介して真空引きされて多孔質
プレート板17上に吸引されるように構成されている。
That is, the work table 19 is provided with a porous plate plate 17 capable of withstanding a temperature of at least 500 ° C., the non-metallic material substrate 8 is placed on the porous plate plate 17, and the porous plate plate A work table 19 on the lower surface of 17 is provided with a vacuum exhaust port 18,
A vacuum exhaust device 11 is connected to the vacuum exhaust port 18, and the vacuum exhaust device 18 is evacuated by the vacuum exhaust device 11, so that the lower surface of the nonmetallic material substrate 8 has a porous plate 17 and a vacuum exhaust port 18. , And is suctioned onto the porous plate 17.

【0046】CO2 レーザビーム2−3を用いた割断加
工では、非金属材料基板8の裏面の瞬間的な温度上昇は
500℃以下であるので、多孔質プレート板17の材質
は、金属製、セラミックス製でも問題なく使用できる。
In the cutting process using the CO 2 laser beam 2-3, since the instantaneous temperature rise on the back surface of the nonmetallic material substrate 8 is 500 ° C. or less, the material of the porous plate 17 is made of metal, Ceramics can be used without any problems.

【0047】この多孔質プレート板17は、数μm〜1
00μm程度の沢山の気孔穴を有する構造からなり、割
断き裂によって1mm角程度のチップに分断する場合で
も十分に真空吸着して非金属材料基板8を多孔質プレー
ト板17上に固持することができる。
The porous plate 17 has a thickness of several μm to 1 μm.
It has a structure having a large number of pores of about 00 μm. Even when the chip is divided into chips of about 1 mm square by a split crack, it is possible to sufficiently hold the non-metallic material substrate 8 on the porous plate 17 by vacuum suction. it can.

【0048】また多孔質プレート板17の表面は、従来
の真空吸引穴10を多数設けたワークテーブル9の表面
に比してはるかに平滑な表面であるので、非金属材料基
板8の裏面が平滑でなくても十分に真空吸着することが
できる。
Since the surface of the porous plate 17 is much smoother than the surface of the work table 9 provided with a large number of conventional vacuum suction holes 10, the back surface of the nonmetallic material substrate 8 is smooth. Even if it is not, vacuum suction can be sufficiently performed.

【0049】さて、図1は本発明の非金属材料基板の割
断加工方法の第1の実施の形態を示したもので、この割
断加工方法は、6つの工程からなる。
FIG. 1 shows a first embodiment of the method for cleaving a non-metallic material substrate according to the present invention, and this cleaving method comprises six steps.

【0050】非金属材料基板としては、ガラス、セラミ
ックス、絶縁膜付き半導体(Si、GaAs、InP、
等)、結晶(サファイア、LiNbO3 、LiTa
5 、等)を用いることができる。この非金属材料基板
を、0.数mm角程度の小チップから数mm角、あるい
は数10mm角の大チップにまで割断により分割する方
法である。
Non-metallic material substrates include glass, ceramics, and semiconductors with insulating films (Si, GaAs, InP,
Etc.), crystals (sapphire, LiNbO 3 , LiTa)
O 5 , etc.) can be used. This non-metallic material substrate is This is a method in which a small chip of about several mm square is divided by cutting into a large chip of several mm square or several tens mm square.

【0051】工程1;先ず工程1(S1)において、X
YZθ方向に電気駆動に移動できる移動装置上に設置さ
れた多孔質プレート板上に非金属材料基板を置く。この
多孔質プレート板は、金属製、セラミックス製等のもの
が使える。多孔質プレート板は、数μmから100μm
程度の多数の気孔穴を有するプレート板であり、この多
孔質プレート板の下から真空排気する機構を設けておけ
ば、非金属材料基板は多孔質プレート板上に真空排気さ
れ、割断加工時にもアシストス吹き付けで吹き飛ぶこと
がない。また割断した微少サイズチップ(0.数mm
角)も十分真空吸着された状態で多孔質プレート板上に
吸着固定される。
Step 1: First, in step 1 (S1), X
A non-metallic material substrate is placed on a porous plate installed on a moving device that can be electrically driven in the YZθ directions. This porous plate can be made of metal, ceramic, or the like. Porous plate plates from a few μm to 100 μm
It is a plate plate having a large number of pores, and if a mechanism for evacuating from below this porous plate plate is provided, the non-metallic material substrate is evacuated to the porous plate plate, and even at the time of cutting processing. It does not blow off when spraying assists. In addition, micro-sized chips (0.1 mm
Corner) is also adsorbed and fixed on the porous plate in a state where it is sufficiently adsorbed in vacuum.

【0052】工程2;次に工程2(S2)において、真
空吸着されている非金属材料基板上にアシストガスを吹
き付けながら、かつ移動装置を移動させ移動装置上の非
金属材料基板をX方向に所望速度で移動させつつ、CO
2 レーザビームを非金属材料基板上の一方端から他方端
まで照射する。これにより、非金属材料基板の一方端か
らき裂を発生させ、他方端にまでそれを進展させる。同
様の操作を非金属材料基板をY方向に所望ピッチずらせ
て再びX方向に割断き裂を発生させる。さらに上記操作
を複数回繰り返すことにより、非金属材料基板のY方向
に所望のピッチで割断き裂を基板の一方端から他方端ま
で形成する。
Step 2: Next, in Step 2 (S2), the assisting gas is blown onto the non-metallic material substrate that has been vacuum-adsorbed, and the moving device is moved to move the non-metallic material substrate on the moving device in the X direction. While moving at the desired speed,
2 Irradiate the laser beam from one end to the other end on the non-metallic material substrate. Thereby, a crack is generated from one end of the non-metallic material substrate and propagates to the other end. The same operation is performed to shift the non-metallic material substrate in the Y direction by a desired pitch to generate a split crack in the X direction again. Further, by repeating the above operation a plurality of times, split cracks are formed at a desired pitch in the Y direction of the non-metallic material substrate from one end to the other end of the substrate.

【0053】工程3;次に工程3(S3)において、上
記基板を移動装置で90°回転させ、再びアシストガス
を吹き付けながらCO2 レーザビームを非金属材料基板
上に照射しつつ移動装置を作動させて非金属材料基板を
Y方向に所望速度で移動させて、一方端から他方端まで
割断き裂を発生させる。そして再びX方向に所望ピッチ
ずらせてY方向に割断き裂を発生させる工程を複数回繰
り返す。
Step 3: Next, in step 3 (S3), the substrate is rotated by 90 ° by a moving device, and the moving device is operated while irradiating the CO 2 laser beam onto the non-metallic material substrate while blowing the assist gas again. Then, the nonmetallic material substrate is moved at a desired speed in the Y direction to generate a split crack from one end to the other end. Then, the process of shifting the desired pitch in the X direction again to generate a split crack in the Y direction is repeated a plurality of times.

【0054】以上のような操作により、非金属材料基板
上にXY格子状に割断き裂を発生させる。
By the operation as described above, split cracks are generated on the nonmetallic material substrate in an XY lattice shape.

【0055】上記工程2及び3においては、レーザ発振
器は波長が10.6μmのCO2 レーザを用いるが、こ
れ以外に非金属材料基板に吸収されやすい波長の光源と
して、COレーザ、YAGレーザ、YAGレーザの高調
波レーザ、エキシマレーザ等を用いることができる。
In the above steps 2 and 3, a CO 2 laser having a wavelength of 10.6 μm is used as a laser oscillator. In addition, a CO laser, a YAG laser, a YAG laser A harmonic laser of a laser, an excimer laser, or the like can be used.

【0056】次に工程3で分断した微少サイズの多数の
チップを配列を乱さずに一体的に取り出して搬送し、最
後にそれぞれのチップを分離して取り出す工程について
説明する。
Next, a description will be given of a process of taking out and transporting a large number of micro-sized chips separated in the step 3 without disturbing the arrangement and finally separating and taking out each chip.

【0057】工程4;先ず工程4(S4)において、工
程3で割断き裂の発生した非金属材料基板を真空吸着し
た状態で、その基板表面にUV接着シートを貼り付け
る。このUV接着シートは、例えばリンテック(株)製
のダイシングテープを用いる。このテープはポリオレフ
ィン材のシートの貼り付け面に接着層が形成されてお
り、上記基板表面上に貼り付けることができる。
Step 4: First, in step 4 (S4), the non-metallic material substrate in which the crack was generated in step 3 is vacuum-adsorbed, and a UV adhesive sheet is attached to the substrate surface. The UV adhesive sheet uses, for example, a dicing tape manufactured by Lintec Corporation. This tape has an adhesive layer formed on the surface to which a sheet of polyolefin material is attached, and can be attached on the substrate surface.

【0058】工程5;次に工程5(S5)において、真
空排気装置の真空をブレークしてUV接着シート付き非
金属材料基板を多孔質プレート基板上から分離して搬送
機構に移し搬送する。各々のチップはUV接着シートに
貼り付けられているので、搬送中にはがれ落ちてバラバ
ラになることがない。
Step 5: Next, in step 5 (S5), the vacuum of the evacuation device is broken to separate the non-metallic material substrate with the UV adhesive sheet from the porous plate substrate, transfer it to the transport mechanism and transport it. Since each chip is attached to the UV adhesive sheet, it does not peel off during transportation and fall apart.

【0059】工程6;最後の工程6(S6)において、
UV接着シートの反対面(非金属材料基板が貼り付けら
れていない面)側からUV光を照射する。このUV光照
射により、上記UV接着シートの粘着力が大幅に低下
(例えば300mN/25mm□の粘着力がUV光照射
によって50mN/25mm□の粘着力に低下)し、割
断き裂されたそれぞれのチップが分離され、容易に上記
UV接着シート上から取り出すことができる。そしてそ
れぞれのチップの電気的あるいは光学的チップ毎に評価
し、デバイスや装置に実装することができる。
Step 6: In the final step 6 (S6),
UV light is irradiated from the opposite side (the surface to which the non-metallic material substrate is not attached) of the UV adhesive sheet. By this UV light irradiation, the adhesive force of the UV adhesive sheet is significantly reduced (for example, the adhesive force of 300 mN / 25 mm □ is reduced to 50 mN / 25 mm □ by UV light irradiation), and each of the split and torn pieces is cut. The chips are separated and can be easily taken out from the UV adhesive sheet. Then, evaluation can be performed for each electrical or optical chip of each chip, and the chip can be mounted on a device or an apparatus.

【0060】以上のように、レーザ割断加工中にチップ
が吹き飛んだり、き裂部分に不要な隙間が発生すること
もなく、また非常に微少チップサイズのものでも十分に
真空吸着して位置保持をすることができ、さらに、割断
したチップを取り出す際にバラバラに分離してチップの
基板上での位置など判らなくなることなどがなく、割断
き裂を発生させた状態のまま加工装置から取り出して搬
送することができ、そして最後にそれぞれのチップをそ
のままの状態で試験、検査してそれぞれのチップを取り
出すこともできるし、またそれぞれのチップを取り出し
てから試験、検査することもできる。
As described above, the chip is not blown off during laser cutting and unnecessary gaps are not generated in the crack portion, and even a very small chip size can be sufficiently vacuum-adsorbed to hold the position. In addition, when removing the chip, the chip is not separated and becomes unclear, such as the position of the chip on the substrate. Finally, each chip can be tested and inspected as it is, and each chip can be taken out, or each chip can be taken out and then tested and inspected.

【0061】図2は、本発明の非金属材料基板の割断加
工方法の第2の実施の形態を示したものである。
FIG. 2 shows a second embodiment of the method for cleaving a non-metallic material substrate according to the present invention.

【0062】第2の実施の形態では、図1に示した第1
の実施の形態の工程1と工程2の間に工程Aを設け、ま
た工程2と工程3の間に工程Bを設けたものである。
In the second embodiment, the first embodiment shown in FIG.
In this embodiment, a step A is provided between steps 1 and 2, and a step B is provided between steps 2 and 3.

【0063】上記工程Aは、CO2 レーザビームの照射
軌跡上の非金属材料基板のX方向の一方端か他方端、ま
たは一方端から他方端まで、あるいは格子状に割断する
部分の交叉部近傍に予めけがき線を刻印しておく工程で
ある。
The above step A is performed at one end or the other end in the X direction of the non-metallic material substrate on the irradiation locus of the CO 2 laser beam, from one end to the other end, or in the vicinity of the intersection of the portions to be cut in a lattice shape. This is a step of marking a scribe line in advance.

【0064】また工程Bは、CO2 レーザビームの照射
軌跡上の非金属材料基板のY方向の一方端か他方端、ま
たは一方端から他方端まで、あるいは格子状に割断する
部分の交叉部近傍に予めけがき線を刻印しておく工程で
ある。
In the step B, one end or the other end in the Y direction of the non-metallic material substrate on the irradiation locus of the CO 2 laser beam, or from one end to the other end, or the vicinity of the intersection of the portions to be cut in a lattice shape. This is a step of marking a scribe line in advance.

【0065】上記けがき線の刻印方法としては、従来の
種々の方法、例えば、レーザ(YAGレーザ、エキシマ
レーザなど)照射によってけがき線を形成する方法、ダ
イヤモンドや超硬カッターを用いてけがき線を形成する
方法、超音波振動機を用いてけがき線を形成する方法、
先端が尖った金属製のヤスリ、ハリなどでけがき線を形
成する方法などを用いることができる。
As the marking method of the scribe line, there are various conventional methods, for example, a method of forming a scribe line by irradiating a laser (YAG laser, excimer laser, etc.), a scribe line using diamond or a carbide cutter. A method of forming a scribe line using an ultrasonic vibrator,
A method of forming a scribe line with a metal file or sharpness having a sharp tip can be used.

【0066】このように予めレーザビームの軌跡線にけ
がき線を入れておけば、き裂の促進、き裂の直進性、交
叉部の直角性などを改善することができる。
If the scribing line is inserted in advance in the trajectory line of the laser beam as described above, it is possible to improve the promotion of the crack, the straightness of the crack, the squareness of the intersection, and the like.

【0067】図3は本発明の非金属材料基板の割断方法
の第3の実施の形態を示したものである。
FIG. 3 shows a third embodiment of the method for cutting a nonmetallic material substrate according to the present invention.

【0068】第3の実施の形態においては、図1に示し
た第1の実施の形態の工程1と工程2との間に工程Cを
設けたものである。
In the third embodiment, a step C is provided between steps 1 and 2 of the first embodiment shown in FIG.

【0069】この工程Cは、CO2 レーザビームの照射
軌跡上の非金属材料基板のX方向及びY方向の一方端か
他方端、または一方端から他方端まで、あるいは格子状
に割断する部分の交叉部近傍に予めけがき線を刻印して
おく工程である。
In this step C, one end or the other end, or one end to the other end of the non-metallic material substrate on the irradiation locus of the CO 2 laser beam in the X direction and the Y direction, or the portion to be cut in a lattice shape is used. This is a step of marking a scribe line in the vicinity of the intersection in advance.

【0070】図4は本発明の非金属材料基板の割断方法
の第4の実施の形態を示したものである。
FIG. 4 shows a fourth embodiment of the method for cutting a nonmetallic material substrate according to the present invention.

【0071】第4の実施の形態は、図2に示した第2の
実施の形態の工程Aと工程2とを連動して行う工程とし
たこと(工程D)と、工程Bと工程3を連動して行う工
程としたこと(工程E)にある。
In the fourth embodiment, the step A and the step 2 of the second embodiment shown in FIG. 2 are performed in conjunction (step D), and the step B and the step 3 are performed. That is, the process is performed in conjunction with the process (process E).

【0072】図6は、本発明の非金属材料基板の加工方
法の具体例を示したものである。
FIG. 6 shows a specific example of the method for processing a non-metallic material substrate according to the present invention.

【0073】この加工方法は、図4で説明した第4の実
施の形態の工程Dの具体例を示したものである。
This processing method shows a specific example of the step D of the fourth embodiment described with reference to FIG.

【0074】すなわち、CO2 レーザビームの照射軌跡
上にけがき線を刻印しながらそのけがき線上にCO2
ーザビームを照射してき裂を発生させつつ割断する方法
である。
[0074] That is, a CO 2 laser beam method of fracturing while generating a crack been irradiated with CO 2 laser beam on its scribe line while engraved marking line on the irradiation locus of.

【0075】けがき線20は、この例では先端21が回
転式ダイヤモンドカッターで構成されたけがき線刻印部
品22をCO2 レーザビームの前に設け、けがき線20
を刻印しながら、その後で上記けがき線20上にCO2
レーザビーム2−3を照射してき裂を発生させ、そのき
裂を進展させて割断させるようにした方法である。
In this example, the scribe line 20 is provided with a scribe line marking part 22 whose tip 21 is formed of a rotary diamond cutter in front of the CO 2 laser beam.
, And then place CO 2 on the scribe line 20.
This is a method in which a crack is generated by irradiating a laser beam 2-3, and the crack is propagated and cut.

【0076】図7は非金属材料基板8上へ予めけがき線
を刻印した実施の形態を示したものである。
FIG. 7 shows an embodiment in which a scribe line is imprinted on the non-metallic material substrate 8 in advance.

【0077】非金属材料基板8の一端側23−1(ある
いは23−3)に20−5、20−6…(あるいは20
−1、20−2…)のごとくけがき線を刻印しておく
か、または他方端側23−2(あるいは23−4)に2
0−9、20−10…(あるいは20−11、20−1
1、…のごとくけがき線を刻印しておくか、あるいは一
方端23−1(あるいは23−3)から他方端23−2
(あるいは23−4)は連続的なけがき線を20−7、
20−8…(あるいは20−3、20−4、…)のごと
く予め刻印しておくか、さらには格子状の交叉部近傍に
20−9、20−10、20−11、20−12、…の
ごとくけがき線を刻印しておいてもよい。
20-5, 20-6,... (Or 20-5) on one end 23-1 (or 23-3) of the non-metallic material substrate 8.
-1, 20-2,...), Or two marks on the other end side 23-2 (or 23-4).
0-9, 20-10 ... (or 20-11, 20-1)
Mark the scribe line as in 1, ..., or from one end 23-1 (or 23-3) to the other end 23-2.
(Or 23-4) creates a continuous scribe line at 20-7,
20-8... (Or 20-3, 20-4,...), Or 20-9, 20-10, 20-11, 20-12, You may engrave a scribe line like ...

【0078】図8は、本発明の非金属材料基板を図5の
装置で、割断・き裂を発生させた上記基板を多孔質プレ
ート板17から取り出してUV接着シート24付き非金
属材料基板8を搬送させ、上記UV接着シート24の裏
面側からUV光源25からUV光25aを照射すること
によって接着層の粘着力を弱め、各々のチップ13−
1、13−2、…13−NをUV接着シート24から分
離して取り出すようにしたものである。
FIG. 8 shows the non-metallic material substrate of the present invention with the UV adhesive sheet 24 taken out of the porous plate plate 17 by using the apparatus shown in FIG. And the UV light source 25 irradiates UV light 25a from the back side of the UV adhesive sheet 24 to weaken the adhesive force of the adhesive layer.
, 13-N are separated from the UV adhesive sheet 24 and taken out.

【0079】なお本発明に用いる非金属材料基板8の表
面、裏面あるいは基板の中に、IC、LSI等の電気回
路、抵抗、インダクタンス、コンデンサ等の素子、電気
配線パターン、あるいは光回路や光配線パターンが形成
されてもよい。またレーザ照射面は、上記非金属材料基
板の表面側、あるいは裏面側のどちら側でもよい。また
非金属材料基板の形状は、四角形、円形、楕円形などの
あらゆる形状のものであってもよい。レーザビーム2−
3の非金属材料基板8上への照射形状は、好ましくは幅
が1mm以下で、長さが10mm以上の線状ビームや楕
円ビームなどがよいが、ほぼ円形状ビームであってもよ
い。また非金属材料基板8上へのレーザビーム照射部の
後方側を局部的に急冷するようにしてもよい。その急冷
方法としては、冷媒ガスを吹き付ける方法が好ましい。
The non-metallic material substrate 8 used in the present invention has electric circuits such as ICs and LSIs, elements such as resistors, inductances and capacitors, electric wiring patterns, optical circuits and optical wirings on the front surface, the back surface or the substrate. A pattern may be formed. The laser irradiation surface may be on either the front side or the back side of the non-metallic material substrate. Further, the shape of the non-metallic material substrate may be any shape such as a square, a circle, an ellipse and the like. Laser beam 2-
The irradiation shape on the non-metallic material substrate 3 is preferably a linear beam or an elliptical beam having a width of 1 mm or less and a length of 10 mm or more, but may be a substantially circular beam. Further, the rear side of the laser beam irradiation unit on the non-metallic material substrate 8 may be locally cooled rapidly. As a quenching method, a method of blowing a refrigerant gas is preferable.

【0080】[0080]

【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な効果を奏する。
In summary, according to the present invention, the following effects can be obtained.

【0081】(1) 基板裏面全体が一様に、かつ非常に強
く真空吸着されているので、微少なサイズのチップに割
断加工時に、割断したチップがアシストガスで引き飛ん
だり、チップとチップとの間に隙間が生じても割断加工
寸法精度が低下することがない。
(1) Since the entire back surface of the substrate is uniformly and very strongly vacuum-sucked, when the chip is cut into small-sized chips, the cut chip may be blown off by an assist gas, or the chips may be separated from each other. Even if there is a gap between them, the cutting dimensional accuracy does not decrease.

【0082】(2) 割断終了時に、割断した基板形状をそ
のまま保った状態、すなわち、それぞれのチップがバラ
バラにならないようにUV接着シートを基板表面に貼り
付けて別の場所に搬送することができる。そして搬送し
てきた割断された基板上のそれぞれのチップの電気的あ
るいは光学的特性をチップを分離しない状態で評価する
こともできるし、またUV光源を上記UV接着シートに
照射してそれぞれのチップを分離し、上記のように電気
的あるいは光学的特性を評価することができる。
(2) At the end of cleaving, the state of the cleaved substrate is kept as it is, that is, a UV adhesive sheet can be attached to the surface of the substrate so as to prevent chips from falling apart and conveyed to another location. . Then, the electrical or optical characteristics of each chip on the cut substrate that has been transported can be evaluated without separating the chips, or a UV light source is irradiated on the UV adhesive sheet to apply each chip. It can be separated and evaluated for electrical or optical properties as described above.

【0083】(3) 多孔質プレート板は非常な平滑な表面
をしているので、割断したチップがmmサイズの微少な
ものでも割断加工中にチップが吹き飛ばされることはな
く多孔質プレート板上に真空吸着させることができる。
(3) Since the porous plate plate has a very smooth surface, even if the cut chip is a minute one having a size of mm, the chip is not blown off during the cutting process and is placed on the porous plate plate. Vacuum adsorption is possible.

【0084】(4) 割断した基板ごと加工装置から取り出
して搬送することができるので、トータルスループット
時間を短くすることができる。すなわち、割断した後
に、それぞれのチップを加工装置から1個ずつ取り出す
のに比し、大幅な時間短縮を図ることができる。
(4) The whole substrate can be taken out of the processing apparatus and transported, so that the total throughput time can be shortened. That is, it is possible to greatly reduce the time as compared with removing each chip one by one from the processing device after the cutting.

【0085】(5) また割断した基板ごと加工装置から取
り出し、その基板上で、それぞれのチップ表面パターン
の検査、電気的あるいは光学的特性の評価ができ、良品
のみを分離することができるので、上記工程でも大幅な
時間短縮を図ることができ、結果的に低コストでチップ
を生産することができるようになる。
(5) Also, the cut substrate is taken out of the processing apparatus, and the chip surface pattern can be inspected, the electrical or optical characteristics can be evaluated on the substrate, and only non-defective products can be separated. Even in the above-described steps, the time can be significantly reduced, and as a result, chips can be produced at low cost.

【0086】(6) 多孔質プレート板を使用しているの
で、任意サイズのチップを割断加工する際にも一つの多
孔質プレート板を汎用的に使うことができ、製造装置コ
スト、試算コストを安くすることができる。
(6) Since a porous plate plate is used, a single porous plate plate can be generally used even when cutting chips of an arbitrary size, and manufacturing equipment costs and trial calculation costs are reduced. Can be cheaper.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の加工方法の第1の実施の形態を示す図
である。
FIG. 1 is a view showing a first embodiment of a processing method according to the present invention.

【図2】本発明の加工方法の第2の実施の形態を示す図
である。
FIG. 2 is a view showing a second embodiment of the processing method of the present invention.

【図3】本発明の加工方法の第3の実施の形態を示す図
である。
FIG. 3 is a view showing a third embodiment of the processing method of the present invention.

【図4】本発明の加工方法の第4の実施の形態を示す図
である。
FIG. 4 is a view showing a fourth embodiment of the processing method of the present invention.

【図5】本発明の加工装置の実施の形態を示す図であ
る。
FIG. 5 is a diagram showing an embodiment of the processing apparatus of the present invention.

【図6】本発明の第4の実施の形態の工程Dの具体例を
示す概略斜視図である。
FIG. 6 is a schematic perspective view illustrating a specific example of a process D according to a fourth embodiment of the present invention.

【図7】本発明の加工方法による非金属材料基板へ、予
めけがき線を刻印する例を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing an example of marking a scribe line in advance on a non-metallic material substrate by the processing method of the present invention.

【図8】本発明の割断加工した非金属材料基板の保持方
法及び搬送手段並びにチップの分離方法を示す図であ
る。
FIG. 8 is a diagram showing a method for holding a non-metallic material substrate which has been subjected to a cleaving process, a conveying means, and a method for separating chips according to the present invention.

【図9】従来の加工装置を示す図であるFIG. 9 is a view showing a conventional processing apparatus.

【図10】従来の加工方法を示す図である。FIG. 10 is a view showing a conventional processing method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2−3 レーザビーム 8 非金属材料基板 11 真空排気装置 17 多孔質プレート板 18 真空排気口 19 移動装置 2-3 Laser beam 8 Non-metallic material substrate 11 Vacuum exhaust device 17 Porous plate plate 18 Vacuum exhaust port 19 Moving device

Claims (20)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 非金属材料基板をレーザビームで割断し
てチップ状の基板とする非金属材料基板の加工方法にお
いて、少なくとも500℃の温度に耐える多孔質プレー
ト板上に非金属材料基板を置き、その多孔質プレート板
の下から真空排気して多孔質プレート板上に非金属材料
基板を真空吸着させながらレーザビームで割断すること
を特徴とする非金属材料基板の加工方法。
In a method of processing a nonmetallic material substrate into a chip-like substrate by cutting the nonmetallic material substrate with a laser beam, the nonmetallic material substrate is placed on a porous plate plate that can withstand a temperature of at least 500 ° C. A method of processing a non-metallic material substrate, comprising evacuating from below the porous plate plate and cutting the non-metallic material substrate with a laser beam while vacuum-absorbing the non-metallic material substrate on the porous plate plate.
【請求項2】 非金属材料基板をレーザビームで割断し
てチップ状の基板とした後、その各チップを分離して取
り出す非金属材料基板の加工方法において、多孔質プレ
ート板上に非金属材料基板を置き、その多孔質プレート
板の下から真空排気して多孔質プレート板上に非金属材
料基板を真空吸着させながらレーザビームで割断した
後、その割断した非金属材料基板シートにUV接着シー
トを貼り付け、真空吸着をブレークした後その非金属材
料基板をUV接着シートごと多孔質プレート板から分離
し、その後UV接着シートにUV光を照射してその接着
力を弱めて各チップ状の基板をそれぞれ分離して取り出
すことを特徴とする非金属材料基板の加工方法。
2. A method of processing a non-metallic material substrate by cutting a non-metallic material substrate with a laser beam into a chip-shaped substrate, and separating and taking out each chip. Place the substrate, evacuate the bottom of the porous plate and evacuate the non-metallic material substrate on the porous plate plate with the laser beam, and then apply the UV adhesive sheet to the cut non-metallic material substrate sheet. After breaking the vacuum suction, the non-metallic material substrate is separated from the porous plate plate together with the UV adhesive sheet, and then the UV adhesive sheet is irradiated with UV light to weaken the adhesive strength and each chip-shaped substrate A nonmetallic material substrate, wherein the substrate is separated and taken out.
【請求項3】 非金属材料基板をレーザビームで割断し
てチップ状の基板とする非金属材料基板の加工方法にお
いて、 移動装置上に設置された多孔質プレート板上に非金属材
料基板を置き、その多孔質プレート板の下から真空排気
して多孔質プレート板上に非金属材料基板を真空吸着さ
せる工程1;上記非金属材料基板上にレーザビームを照
射しつつ上記移動装置を作動させて非金属材料基板をX
軸方向に所望速度で移動させて非金属材料基板の一方端
から他方端まで割断き裂を発生させる工程と、Y軸方向
に所望ピッチずらせて再びX軸方向に割断き裂を発生す
る工程とを、複数回繰り返す工程2;上記非金属材料基
板を上記移動装置で90°回転させ、再びレーザビーム
を非金属材料基板上に照射しつつ、移動装置を作動させ
て非金属材料基板をY軸方向に所望速度で移動させてそ
の一方端から他方端まで割断き裂を発生させる工程と、
X軸方向に所望ピッチずらせて再びX軸方向に割断き裂
を発生する工程とを、複数回繰り返す工程3;上記X及
びY軸方向に格子状の割断き裂の発生した非金属材料基
板表面上にUV接着シートを貼り付ける工程4;真空排
気装置の真空ブレークを行ってUV接着シート付き非金
属材料基板を多孔質プレート板上から分離して搬送機構
に移し搬送する工程5;UV接着シートにUV光を照射
してその接着シートの接着力を弱め、割断き裂されたチ
ップ状の基板を分離して取り出す工程5;以上の6つの
工程からなることを特徴とする非金属材料基板の加工方
法。
3. A method of processing a non-metallic material substrate by cutting a non-metallic material substrate with a laser beam to form a chip-shaped substrate, wherein the non-metallic material substrate is placed on a porous plate plate installed on a moving device. Evacuating from below the porous plate plate and vacuum-sucking the non-metallic material substrate onto the porous plate plate; step 1: operating the moving device while irradiating the non-metallic material substrate with a laser beam. Non-metallic substrate X
A step of moving at a desired speed in the axial direction to generate a split crack from one end to the other end of the non-metallic material substrate; and a step of shifting the desired pitch in the Y-axis direction and generating a split crack again in the X-axis direction. Step 2 is repeated a plurality of times; rotating the non-metallic material substrate by 90 ° by the moving device, irradiating the laser beam onto the non-metallic material substrate again, and operating the moving device to move the non-metallic material substrate in the Y-axis direction. Moving at a desired speed in the direction to generate a split crack from one end to the other end,
Repeating the step of shifting the desired pitch in the X-axis direction and generating a crack again in the X-axis direction a plurality of times; Step 3; the surface of the non-metallic material substrate in which the lattice-shaped split cracks have occurred in the X- and Y-axis directions Step 4 of attaching a UV adhesive sheet thereon; Step 5 of performing a vacuum break of a vacuum exhaust device to separate a non-metallic material substrate with a UV adhesive sheet from a porous plate plate and transferring it to a transport mechanism for transport 5; Irradiating the substrate with UV light to weaken the adhesive strength of the adhesive sheet, and separating and taking out the cleaved chip-shaped substrate; 5; a non-metallic material substrate comprising: Processing method.
【請求項4】 工程1と工程2間に、レーザビームの照
射軌跡上の非金属材料基板のX軸方向の一方端か他方
端、または一方端から他方端まで、あるいは格子状に割
断する部分の交叉部近傍に予めけがき線を刻印しておく
工程Aを付加し、また第2の工程と第3の工程との間に
レーザビームの照射軌跡上の非金属材料基板のY軸方向
の一方端か他方端、または一方端から他方端まで、ある
いは格子状に割断する部分の交叉部近傍に予めけがき線
を刻印しておく工程Bを付加した請求項3記載の非金属
材料基板の加工方法。
4. Between the step 1 and the step 2, a part of the non-metallic material substrate on the irradiation locus of the laser beam, which is cut at one end or the other end in the X-axis direction, or from one end to the other end, or in a lattice shape. A step A of marking a scribe line in the vicinity of the crossing portion of the non-metallic material substrate in the Y-axis direction on the irradiation locus of the laser beam between the second step and the third step. 4. The non-metallic substrate according to claim 3, further comprising a step B of engraving a scribe line in advance at one end or the other end, or from one end to the other end, or in the vicinity of an intersection of a portion to be cut in a lattice shape. Processing method.
【請求項5】 工程1と工程2間に、レーザビームの照
射軌跡上の非金属材料基板のX軸方向及びY軸方向の一
方端か他方端、または一方端から他方端まで、あるいは
格子状に割断する部分の交叉部近傍に予めけがき線を刻
印しておく工程Cを付加した請求項3記載の非金属材料
基板の加工方法。
5. A method according to claim 1, wherein the non-metallic material substrate on the irradiation locus of the laser beam in the X-axis direction and the Y-axis direction has one end or the other end, or one end to the other end, or a lattice shape. 4. The method for processing a nonmetallic material substrate according to claim 3, further comprising a step C of engraving a scribe line in the vicinity of the intersection of the part to be cut.
【請求項6】 工程Aと工程2を連動して行うようにす
る工程Dと、工程Bと工程3を連続して行うようにする
工程Eにした請求項4記載の非金属材料基板の加工方
法。
6. The processing of a non-metallic material substrate according to claim 4, wherein a step D in which step A and step 2 are performed in conjunction with each other and a step E in which step B and step 3 are performed in succession. Method.
【請求項7】 レーザビームとして、CO2 レーザビー
ム、COレーザビーム、YAGレーザビーム、YAGレ
ーザビームの高調波レーザビーム、エキシマレーザビー
ムを用いた請求項1〜6いずれかに記載の非金属材料基
板の加工方法。
7. The non-metallic material according to claim 1, wherein a CO 2 laser beam, a CO laser beam, a YAG laser beam, a harmonic laser beam of the YAG laser beam, or an excimer laser beam is used as the laser beam. Substrate processing method.
【請求項8】 レーザビームに沿ってアシストガスを流
すようにした請求項1〜7いずれかに記載の非金属材料
基板の加工方法。
8. The method for processing a nonmetallic material substrate according to claim 1, wherein an assist gas is caused to flow along the laser beam.
【請求項9】 レーザビームは非金属材料基板上に幅
W、長さLの細長い線状ビームで照射されるようにした
請求項1〜8いずれかに記載の非金属材料基板の加工方
法。
9. The method for processing a nonmetallic material substrate according to claim 1, wherein the laser beam is irradiated on the nonmetallic material substrate with an elongated linear beam having a width W and a length L.
【請求項10】 非金属材料基板上に照射されているレ
ーザビームの直ぐ後方側を冷却しながら非金属材料基板
を加工する請求項1〜9いずれかに記載の非金属材料基
板の加工方法。
10. The method for processing a non-metallic material substrate according to claim 1, wherein the non-metallic material substrate is processed while cooling immediately behind a laser beam irradiated on the non-metallic material substrate.
【請求項11】 非金属材料基板をレーザビームで割断
してチップ状の基板とする非金属材料基板の加工装置に
おいて、レーザビームは照射される移動装置上に、チッ
プ状に割断する非金属材料基板を設置する多孔質プレー
ト板を設け、その多孔質プレート板の下面に真空排気口
を形成し、その真空排気口に真空排気装置を接続したこ
とを特徴とする非金属材料基板の加工装置。
11. A non-metallic material processing apparatus for cutting a non-metallic material substrate by a laser beam into a chip-shaped substrate, wherein the non-metallic material is cut into chips in a moving device irradiated with the laser beam. An apparatus for processing a non-metallic material substrate, comprising: a porous plate on which a substrate is placed; a vacuum exhaust port formed on a lower surface of the porous plate; and a vacuum exhaust device connected to the vacuum exhaust port.
【請求項12】 非金属材料基板をレーザビームで割断
してチップ状の基板とする非金属材料基板の加工装置に
おいて、 移動装置上に設置された多孔質プレート板上に非金属材
料基板を置き、その多孔質プレート板の下から真空排気
して多孔質プレート板上に非金属材料基板を真空吸着さ
せる第1の手段と、 非金属材料基板上にレーザビームを照射しつつ、移動装
置を作動させて非金属材料基板をX軸方向に所望速度で
移動させて非金属材料基板の一方端から他方端まで割断
き裂を発生させる工程と、Y軸方向に所望ピッチずらせ
て再びX軸方向に割断き裂を発生させる工程とを複数回
繰り返す第2の手段と、 上記非金属材料基板を上記移動装置で90°回転させ、
再びレーザビームを非金属材料基板上に照射しつつ、移
動装置を作動させて非金属材料基板をY軸方向に所望速
度で移動させてその一方端から他方端まで割断き裂を発
生させる工程と、X軸方向に所望ピッチずらせて再びX
軸方向に割断き裂を発生する工程とを、複数回繰り返す
第3の手段と、 上記X及びY軸方向に格子状の割断き裂の発生した非金
属材料基板表面上にUV接着シートを貼り付ける第4の
手段と、 真空排気装置の真空ブレークを行ってUV接着シート付
き非金属材料基板を多孔質プレート板上から分離して搬
送機構に移し搬送する第5の手段と、 UV接着シートにUV光を照射してその接着シートの接
着力を弱め、割断き裂されたチップ状の基板を分離して
取り出す第6の手段とを備えたことを特徴とする非金属
材料基板の加工装置。
12. A non-metallic material substrate processing apparatus for cutting a non-metallic material substrate with a laser beam to form a chip-shaped substrate, wherein the non-metallic material substrate is placed on a porous plate placed on a moving device. First means for evacuating the non-metallic material substrate to vacuum on the porous plate plate by evacuating from the bottom of the porous plate plate, and operating the moving device while irradiating the non-metallic material substrate with a laser beam Causing the non-metallic material substrate to move at a desired speed in the X-axis direction to generate a split crack from one end to the other end of the non-metallic material substrate; and shifting the desired pitch in the Y-axis direction and again in the X-axis direction. A second means for repeating the step of generating a split crack a plurality of times; rotating the non-metallic material substrate by 90 ° with the moving device;
Irradiating the laser beam on the non-metallic material substrate again, operating the moving device to move the non-metallic material substrate at a desired speed in the Y-axis direction to generate a split crack from one end to the other end thereof; With the desired pitch shifted in the X-axis direction
A third means for repeating the step of generating a split crack in the axial direction a plurality of times, and applying a UV adhesive sheet on the surface of the non-metallic material substrate having the grid-shaped split crack in the X and Y axes. A fourth means for attaching, a fifth means for performing a vacuum break of a vacuum exhaust device to separate the non-metallic material substrate with the UV adhesive sheet from the porous plate plate, and transferring and transferring the same to the transport mechanism. Sixth means for irradiating UV light to weaken the adhesive force of the adhesive sheet and separating and taking out the cleaved chip-shaped substrate.
【請求項13】 第1の手段と第2の手段間に、レーザ
ビームの照射軌跡上の非金属材料基板のX軸方向の一方
端か他方端、または一方端から他方端まで、あるいは格
子状に割断する部分の交叉部近傍に予めけがき線を刻印
しておく手段(手段A)を付加し、また第2の手段と第
3の手段との間にレーザビームの照射軌跡上の非金属材
料基板のY軸方向の一方端か他方端、または一方端から
他方端まで、あるいは格子状に割断する部分の交叉部近
傍に予めけがき線を刻印しておく手段(手段B)を付加
した請求項12記載の非金属材料基板の加工装置。
13. A non-metallic material substrate on a laser beam irradiation trajectory in the X-axis direction, between one end and the other end, or from one end to the other end, or in a lattice shape between the first means and the second means. A means (means A) for marking a scribe line in advance near the intersection of the part to be cut, and a non-metallic part on the laser beam irradiation locus between the second means and the third means. A means (means B) for marking a scribe line in advance at one end or the other end in the Y-axis direction of the material substrate, from one end to the other end, or near the intersection of the portion to be cut in a grid shape is added. The apparatus for processing a nonmetallic material substrate according to claim 12.
【請求項14】 第1の手段と第2の手段間に、レーザ
ビームの照射軌跡上の非金属材料基板のX軸方向及びY
軸方向の一方端か他方端、または一方端から他方端ま
で、あるいは格子状に割断する部分の交叉部近傍に予め
けがき線を刻印しておく手段(手段C)を付加した請求
項13記載の非金属材料基板の加工装置。
14. An X-axis direction and a Y-axis direction of a non-metallic material substrate on a laser beam irradiation locus between a first means and a second means.
14. A means (means C) for engraving a scribe line in advance at one end or the other end in the axial direction, from one end to the other end, or in the vicinity of an intersection of a part to be cut in a lattice shape. Non-metallic material substrate processing equipment.
【請求項15】 手段Aと第2の手段を連動して行うよ
うにする手段と、手段Bと第3の手段を連続して行うよ
うにする手段を備えた請求項14記載の非金属材料基板
の加工装置。
15. The non-metallic material according to claim 14, further comprising means for performing the means A and the second means in conjunction with each other, and means for performing the means B and the third means continuously. Substrate processing equipment.
【請求項16】 レーザビームとして、CO2 レーザビ
ーム、COレーザビーム、YAGレーザビーム、YAG
レーザビームの高調波レーザビーム、エキシマレーザビ
ームを用いた請求項11〜15いずれかに記載の非金属
材料基板の加工装置。
16. The laser beam may be a CO 2 laser beam, a CO laser beam, a YAG laser beam, a YAG laser beam.
The non-metallic material substrate processing apparatus according to any one of claims 11 to 15, wherein a harmonic laser beam or an excimer laser beam of a laser beam is used.
【請求項17】 多孔質プレート板として、セラミック
スか金属製の多孔質プレート板を用いた請求項11〜1
6いずれかに記載の非金属材料基板の加工装置。
17. A porous plate plate made of ceramics or metal is used as the porous plate plate.
6. The processing apparatus for a non-metallic material substrate according to any one of 6.
【請求項18】 レーザビームに沿ってアシストガスを
流すようにした請求項11〜17いずれかに記載の非金
属材料基板の加工装置。
18. The non-metallic material substrate processing apparatus according to claim 11, wherein an assist gas is caused to flow along the laser beam.
【請求項19】 レーザビームは非金属材料基板上に幅
W、長さLの細長い線状ビームで照射されるようにした
請求項11〜18いずれかに記載の非金属材料基板の加
工装置。
19. The apparatus for processing a nonmetallic material substrate according to claim 11, wherein the laser beam is irradiated onto the nonmetallic material substrate with an elongated linear beam having a width W and a length L.
【請求項20】 非金属材料基板上に照射されているレ
ーザビームの直ぐ後方側を冷却しながら非金属材料基板
を加工する請求項11〜19いずれかに記載の非金属材
料基板の加工装置。
20. The non-metallic material processing apparatus according to claim 11, wherein the non-metallic material substrate is processed while cooling immediately behind the laser beam irradiated on the non-metallic material substrate.
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