JP2001176820A - Method for machining substrate and machining device thereof - Google Patents
Method for machining substrate and machining device thereofInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミックス、ガ
ラスあるいは半導体等の非金属材料からなる基板の加工
方法及びその加工装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for processing a substrate made of a nonmetallic material such as ceramics, glass or semiconductor.
【0002】[0002]
【従来の技術】セラミックス、ガラスあるいは半導体等
の非金属材料基板を、数mmから数十mmサイズの方形
チップに高寸法精度で切断する技術が重要視されてい
る。2. Description of the Related Art A technique of cutting a non-metallic material substrate such as ceramics, glass or semiconductor into square chips of several mm to several tens of mm with high dimensional accuracy has been regarded as important.
【0003】この種の切断方法としては、ダイシング加
工法やスクライバーによるキズ付け後に応力を加えて割
る方法が用いられてきた。As this kind of cutting method, a dicing method or a method of applying a stress and then applying a crack after scribing with a scriber has been used.
【0004】また近年では、基板表面にCO2 レーザビ
ームを照射して、熱応力によるき裂を発生させ、そのき
裂をCO2 レーザビームの照射軌跡に沿って進展させる
ことにより、基板を割断する方法も検討されている。In recent years, a substrate surface is irradiated with a CO 2 laser beam to generate a crack due to thermal stress, and the crack is propagated along a CO 2 laser beam irradiation locus, thereby cutting the substrate. A way to do this is also being considered.
【0005】さらに、ガラス基板の一方あるいは両方の
面に、連続したけがき線を形成し、そのけがき線上にレ
ーザビームを照射して割断する方法(特開平3−258
476号公報)や、脆性材料製の板体の外周部に部分的
に切断溝を形成し、この溝を始点とする割断目標ライン
に沿って割断用加熱体を移動させながら部分的に切断溝
を始点とする板体の割断を進展させる割断工法におい
て、板体表面に予め微細な加工溝をダイヤモンド工具あ
るいは噴射加工等によって形成しておく方法(特開平5
−21673号公報)が開示されている。Furthermore, a method of forming a continuous scribe line on one or both surfaces of a glass substrate and irradiating the scribe line with a laser beam to cut the glass substrate (Japanese Patent Laid-Open No. 3-258)
No. 476), or a cutting groove is partially formed on the outer periphery of a plate made of a brittle material, and the cutting groove is partially moved while moving the cutting heating body along a cutting target line starting from this groove. In the cleaving method in which the cleaving of the plate body is advanced from the starting point, a method in which fine processing grooves are formed in advance on the surface of the plate body by a diamond tool, injection processing or the like (Japanese Patent Laid-Open No.
No. 21673).
【0006】そこで、本発明者はCO2 レーザビームを
用いた基板の分断について図7に示す装置を用いて検討
した。Therefore, the present inventor studied the division of the substrate using a CO 2 laser beam using an apparatus shown in FIG.
【0007】図7は、基板の分断装置の概念図を示した
ものである。FIG. 7 is a conceptual diagram of a substrate cutting device.
【0008】この分断装置は、CO2 レーザ装置1から
水平に進むCO2 レーザビーム2を全反射ミラー3で鉛
直方向に落射させ、集光レンズ4でCO2 レーザビーム
2を就航させて基板6へ照射させる。この基板6は、X
Yθステージ100上の真空吸着ステージ80上に置か
れ、真空吸引穴7を通して真空排気装置9で真空排気す
ることによって真空吸着ステージ80上に真空吸着され
る。[0008] The cutting apparatus, CO 2 laser apparatus 1 is incident vertically with the total reflection mirror 3 and CO 2 laser beam 2 proceeds horizontally from, the substrate 6 by flying a CO 2 laser beam 2 by the condenser lens 4 To be irradiated. This substrate 6 has X
It is placed on the vacuum suction stage 80 on the Yθ stage 100, and is evacuated by the vacuum exhaust device 9 through the vacuum suction holes 7 to be vacuum-adsorbed on the vacuum suction stage 80.
【0009】XYθステージ100をモータ駆動部(図
示せず)で、X、Y、θ方向に移動させることによっ
て、基板6をチップ状に分断する。基板6をチップ状に
分断する際に、CO2 レーザビームの照射方向に沿って
矢印5−1及び5−2方向にアシストガス(N2 、A
r、O2 、空気等)を吹き付けながら行うことにより、
基板6の分析面への熱変形歪みの発生を抑えるようにな
っている。The substrate 6 is divided into chips by moving the XYθ stage 100 in the X, Y, and θ directions by a motor drive unit (not shown). When the substrate 6 is cut into chips, assist gas (N 2 , A 2) is applied in the directions of arrows 5-1 and 5-2 along the irradiation direction of the CO 2 laser beam.
r, O 2 , air, etc.)
The generation of thermal deformation distortion on the analysis surface of the substrate 6 is suppressed.
【0010】[0010]
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の基板
の分断方法には次のような問題があった。However, the conventional substrate cutting method has the following problems.
【0011】すなわち、図7に示す装置を用いた方法
で、基板を格子状に分断して1mm角から十数mm角の
チップを得ようとすると、分断時に基板の位置がずれて
しまい高寸法精度で基板を分断することができなかっ
た。That is, when the substrate is cut into a lattice shape to obtain chips of 1 mm square to tens of mm square by the method using the apparatus shown in FIG. The substrate could not be cut with precision.
【0012】ここで高寸法精度で基板を分断できない原
因を図8を参照して説明する。Here, the reason why the substrate cannot be cut with high dimensional accuracy will be described with reference to FIG.
【0013】図8は、図7に示した装置に用いられる基
板の固定部の平面図である。FIG. 8 is a plan view of a fixing portion of a substrate used in the apparatus shown in FIG.
【0014】基板6を真空吸着ステージ80上に真空吸
着しておき、CO2 レーザビームの照射により、基板6
を切断線11−1、11−2、11−3、11−4、1
1−5で分断し、次に格子状に切断しようとして切断線
11−6を形成すると、切断線11−5、11−4、1
1−3、11−2、11−1との各交差部12−1、1
2−2、12−3、12−4、12−5に不均一なずれ
が生じたまま切断することが分かった。The substrate 6 is vacuum-adsorbed on a vacuum adsorption stage 80, and the substrate 6 is irradiated with a CO 2 laser beam.
To the cutting lines 11-1, 11-2, 11-3, 11-4, 1
When the cutting line 11-6 is formed by cutting at 1-5 and then cutting in a grid shape, the cutting lines 11-5, 11-4, 1
Each of intersections 12-1, 1-1, 1-3, 11-2, 11-1
It was found that cutting was performed with uneven displacement occurring in 2-2, 12-3, 12-4, and 12-5.
【0015】つまり、基板6に切断線11−1〜11−
5を形成した段階で、基板6を複数個の真空吸着穴7に
よって真空吸着ステージ80上に真空吸着しているにも
かかわらず、基板6が切断線11−1〜11−5を形成
することにより6個に分断され、それぞれ分断された基
板片との間に数十μmから300μmの隙間が生じたの
である。That is, the cutting lines 11-1 to 11-
5, the substrate 6 forms the cutting lines 11-1 to 11-5 despite the fact that the substrate 6 is vacuum-sucked on the vacuum suction stage 80 by the plurality of vacuum suction holes 7. As a result, a gap of several tens of μm to 300 μm was formed between each of the divided substrate pieces.
【0016】この隙間の程度は、真空吸着力やアシスト
ガス5−1、5−2のガス圧等に依存して変化した。こ
のような隙間が生じた状態で切断線11−6を形成する
と、それぞれの切断線の交差部12−1〜12−5に不
均一なずれ(直交した切断線とはならず、非直交した切
断線となること)が生じ、方形(あるいは長方形)のチ
ップを得ることができないという問題があった。The degree of the gap varies depending on the vacuum suction force, the gas pressure of the assist gases 5-1 and 5-2, and the like. When the cutting lines 11-6 are formed in a state where such gaps are formed, the intersections 12-1 to 12-5 of the respective cutting lines are non-uniformly shifted (not orthogonal cutting lines but non-orthogonal cutting lines). Cutting line), and a square (or rectangular) chip cannot be obtained.
【0017】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、加工中や加工後の基板の位置ずれやチッピングがな
い高寸法精度で分断できる基板の加工方法及びその加工
装置を提供することにある。An object of the present invention is to solve the above problems and to provide a substrate processing method and a processing apparatus capable of cutting a substrate with high dimensional accuracy without displacement or chipping of the substrate during or after processing. is there.
【0018】[0018]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1の発明は、基板表面にレーザビームを照射
して基板にき裂を発生させ、そのき裂を進展させて基板
を割断する方法において、レーザビームの照射軌跡線上
に予め溝を形成し、該溝に冷却媒体を吹き付けつつレー
ザビームを照射して基板を割断するようにした基板の加
工方法である。In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, a crack is generated in a substrate by irradiating the surface of the substrate with a laser beam, and the crack is caused to propagate to the substrate. In the cutting method, a groove is formed in advance on a laser beam irradiation trajectory line, and the substrate is cut by irradiating a laser beam while spraying a cooling medium on the groove.
【0019】請求項2の発明は、冷却媒体として、水を
用いた請求項1記載の基板の加工方法である。A second aspect of the present invention is the substrate processing method according to the first aspect, wherein water is used as a cooling medium.
【0020】請求項3の発明は、冷却媒体として、レー
ザビームを吸収する塗料を含んだ液体を吹き付けるよう
にした請求項1記載の基板の加工方法。According to a third aspect of the present invention, there is provided the method of processing a substrate according to the first aspect, wherein a liquid containing a coating material for absorbing a laser beam is sprayed as a cooling medium.
【0021】請求項4の発明は、冷却媒体として、急冷
ガスを用いた請求項1記載の基板の加工方法である。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the method of processing a substrate according to the first aspect, wherein a quenching gas is used as a cooling medium.
【0022】請求項5の発明は、急冷ガス中にレーザビ
ームを吸収する薬品を含んでいる請求項4記載の基板の
加工方法である。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the substrate processing method according to the fourth aspect, wherein the quenched gas contains a chemical which absorbs a laser beam.
【0023】請求項6の発明は、冷却媒体として、液体
と気体の混合体を用い、その混合体にレーザビームを吸
収する薬品を含んでいる請求項1記載の基板の加工方法
である。The invention according to claim 6 is the substrate processing method according to claim 1, wherein a mixture of a liquid and a gas is used as a cooling medium, and the mixture contains a chemical absorbing a laser beam.
【0024】請求項7の発明は、溝は、先端が先鋭な針
状あるいはローラ状の金属突起物を基板表面に押し付け
るか、回転させながら押し付けてけがき線を形成するこ
とで形成される請求項1記載の基板の加工方法である。According to a seventh aspect of the present invention, the groove is formed by pressing a needle-shaped or roller-shaped metal projection having a sharp tip against the substrate surface, or by pressing the metal projection while rotating it to form a scribe line. 1 is a method for processing a substrate according to 1.
【0025】請求項8の発明は、溝は、基板に化学的エ
ッチングを施して形成される請求項1記載の基板の加工
方法である。The invention according to claim 8 is the substrate processing method according to claim 1, wherein the groove is formed by subjecting the substrate to chemical etching.
【0026】請求項9の発明は、レーザビームとして、
そのビーム横幅が溝幅の2倍以内、そのビーム縦幅が溝
幅の10倍以上に拡がったレーザビームを用いた請求項
1記載の基板の加工方法である。According to a ninth aspect of the present invention, as the laser beam,
2. The substrate processing method according to claim 1, wherein a laser beam having a beam width wider than twice the groove width and a beam vertical width wider than 10 times the groove width is used.
【0027】請求項10の発明は、基板を格子状に割断
し、少なくとも4個のチップに分割する請求項1記載の
基板の加工方法である。According to a tenth aspect of the present invention, there is provided the substrate processing method according to the first aspect, wherein the substrate is cut into a lattice and divided into at least four chips.
【0028】請求項11の発明は、基板のX方向あるい
はY方向に割断き裂を発生させて分断させ、その割断し
た基板のY方向あるいはX方向への分断はへき開によっ
て分断するようにした請求項10記載の基板の加工方法
である。According to the eleventh aspect of the present invention, the substrate is split by generating a split crack in the X direction or the Y direction, and the split substrate in the Y direction or the X direction is split by cleavage. Item 11. A substrate processing method according to Item 10.
【0029】請求項12の発明は、溝は、基板の一方端
か他方端の近傍、一方端から他方端まで、あるいは格子
状に割断する交差部の近傍付近のいずれかに設けた請求
項1記載の基板の加工方法である。According to a twelfth aspect of the present invention, the groove is provided in the vicinity of one end or the other end of the substrate, from one end to the other end, or in the vicinity of an intersection which is cut in a grid. It is a processing method of the substrate described.
【0030】請求項13の発明は、基板表面にレーザビ
ームを照射して基板にき裂を発生させ、そのき裂を進展
させて基板を割断する装置において、基板に溝を形成す
る溝形成手段と、該溝にレーザビームを照射するレーザ
ビーム照射手段と、レーザビームが照射される溝に予め
冷却媒体を吹き付ける冷却媒体吹き付け手段と、基板を
移動する移動手段とを備えた基板の加工装置である。According to a thirteenth aspect of the present invention, there is provided an apparatus for generating a crack in a substrate by irradiating the surface of the substrate with a laser beam and causing the crack to propagate to cleave the substrate. And a laser beam irradiation means for irradiating the groove with a laser beam, a cooling medium spraying means for spraying a cooling medium in advance on the groove to be irradiated with the laser beam, and a moving means for moving the substrate. is there.
【0031】請求項14の発明は、冷却媒体吹き付け手
段は、溝に、冷却媒体として水か水蒸気を吹き付ける請
求項13記載の基板の加工装置である。According to a fourteenth aspect of the present invention, there is provided the substrate processing apparatus according to the thirteenth aspect, wherein the cooling medium blowing means blows water or steam as a cooling medium into the groove.
【0032】請求項15の発明は、冷却媒体吹き付け手
段は、冷却媒体中にレーザビームを吸収する塗料を含ん
だ冷却媒体を溝に吹き付ける請求項13記載の基板の加
工装置である。According to a fifteenth aspect of the present invention, there is provided the substrate processing apparatus according to the thirteenth aspect, wherein the cooling medium spraying means sprays a cooling medium containing a coating material for absorbing a laser beam into the groove.
【0033】請求項16の発明は、冷却媒体吹き付け手
段は、溝に、冷却媒体として急冷ガスを吹き付ける請求
項13記載の基板の加工装置である。The invention according to claim 16 is the substrate processing apparatus according to claim 13, wherein the cooling medium blowing means blows a quenching gas as a cooling medium into the groove.
【0034】請求項17の発明は、冷却媒体吹き付け手
段は、急冷ガス中にレーザビームを吸収する薬品を含ん
だ冷却媒体を吹き付ける請求項16記載の基板の加工装
置である。The invention according to claim 17 is the apparatus for processing a substrate according to claim 16, wherein the cooling medium spraying means sprays a cooling medium containing a chemical absorbing a laser beam into the quenched gas.
【0035】請求項18の発明は、冷却媒体吹き付け手
段は、溝に、冷却媒体として液体と気体の混合体を用
い、その混合体にレーザビームを吸収する薬品を含ませ
た請求項13記載の基板の加工装置である。In a preferred embodiment of the present invention, the cooling medium spraying means uses a mixture of liquid and gas as the cooling medium in the groove, and the mixture contains a chemical which absorbs a laser beam. This is a substrate processing device.
【0036】請求項19の発明は、溝形成手段は、先端
が先鋭な針状あるいはローラ状の金属突起物からなり、
その金属突起物を基板表面に押し付けるか、回転させな
がら押し付けてけがき線を形成する請求項13記載の基
板の加工装置である。According to a nineteenth aspect of the present invention, the groove forming means comprises a needle-shaped or roller-shaped metal projection having a sharp tip.
14. The substrate processing apparatus according to claim 13, wherein the metal projection is pressed against the substrate surface or pressed while rotating to form a scribe line.
【0037】請求項20の発明は、溝形成手段は、基板
を化学的エッチングで溝を形成する請求項13記載の基
板の加工装置である。According to a twentieth aspect of the present invention, there is provided the substrate processing apparatus according to the thirteenth aspect, wherein the groove forming means forms a groove in the substrate by chemical etching.
【0038】請求項21の発明は、レーザビーム照射手
段は、レーザビームの横幅が溝幅の2倍以内で、そのレ
ーザビームの縦幅が溝幅の10倍以上に拡がったレーザ
ビームを基板に照射する請求項13記載の基板の加工装
置である。According to a twenty-first aspect of the present invention, in the laser beam irradiation means, the laser beam whose horizontal width is within twice the groove width and the vertical width of the laser beam is expanded to ten times or more the groove width is applied to the substrate. The substrate processing apparatus according to claim 13, wherein the irradiation is performed.
【0039】請求項22の発明は、移動手段は、基板を
格子状に割断できるように少なくとも基板をX、Y、θ
方向に移動できる機構を有する請求項13記載の基板の
加工装置である。According to a twenty-second aspect of the present invention, the moving means includes at least X, Y, and θ for dividing the substrate into a lattice.
The substrate processing apparatus according to claim 13, further comprising a mechanism capable of moving in a direction.
【0040】請求項23の発明は、溝形成手段は、基板
の一方端か他方端の近傍、一方端から他方端まで、ある
いは格子状に割断する交差部の近傍付近のいずれかに形
成できる請求項13記載の基板の加工装置である。According to a twenty-third aspect of the present invention, the groove forming means can be formed in the vicinity of one end or the other end of the substrate, from one end to the other end, or in the vicinity of an intersection which is cut in a grid. Item 14. A substrate processing apparatus according to item 13.
【0041】[0041]
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適一実施の形態
を添付図面に基づいて詳述する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A preferred embodiment of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.
【0042】図1に本発明の基板の加工装置の一実施の
形態を示し、同図において、図7と同じ符号のものは同
じ機能を有するものである。FIG. 1 shows an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention. In FIG. 1, components having the same reference numerals as those in FIG. 7 have the same functions.
【0043】符号1は、本実施の形態ではCO2 レーザ
発振器であるが、それ以外にCOレーザ発振器、YAG
レーザ発振器、YAGレーザの高調波(第2、第3高調
波)発振器、エキシマレーザ発振器などを用いることが
できる。Reference numeral 1 denotes a CO 2 laser oscillator in the present embodiment.
A laser oscillator, a harmonic (second or third harmonic) oscillator of a YAG laser, an excimer laser oscillator, or the like can be used.
【0044】CO2 レーザ発振器1からのレーザビーム
2−1は全反射ミラー3で直角に曲げられ、そのレーザ
ビーム2−2が集光レンズ4に導かれる。集光レンズ4
を通ったレーザビームは円柱ロッド(ZnSeの円柱ロ
ッド)20に導かれ、線状ビーム(長さL、幅Wb)2
−3に変換される。この線状ビーム2−3の長さLは基
板6の割断線上に合わせられ、かつ予め形成された溝内
に合わせられる。そして、その長さLは、溝幅Wmの1
0倍以上に拡げられる。また線状ビーム2−3の幅Wb
は、上記溝幅Wmの2倍以内に絞り込まれる。The laser beam 2-1 from the CO 2 laser oscillator 1 is bent at a right angle by the total reflection mirror 3, and the laser beam 2-2 is guided to the condenser lens 4. Condensing lens 4
The laser beam passed through is guided to a cylindrical rod (cylindrical rod of ZnSe) 20 and a linear beam (length L, width Wb) 2
Converted to -3. The length L of the linear beam 2-3 is set on the cutting line of the substrate 6 and is set in a groove formed in advance. And the length L is 1 of the groove width Wm.
It can be expanded more than 0 times. Also, the width Wb of the linear beam 2-3
Is narrowed down to less than twice the groove width Wm.
【0045】基板6はワークテーブル80上に設けられ
た多孔質プレート13上に置かれ、多孔質プレート13
の下部の真空排気口14、真空排気装置9を通して多孔
質プレート13上に真空吸着されるようになっている。The substrate 6 is placed on a porous plate 13 provided on a work table 80, and the porous plate 13
Is vacuum-adsorbed onto the porous plate 13 through a vacuum exhaust port 14 and a vacuum exhaust device 9 below the vacuum pump.
【0046】すなわち、上記多孔質プレート13は10
μmから100μm程度の気孔が無数に設けられたセラ
ミックスあるいは金属製の真空吸着用のプレートであ
り、基板6を高い真空吸着度で真空吸引することができ
る。That is, the porous plate 13 has 10
It is a ceramic or metal vacuum suction plate provided with a myriad of pores of about μm to about 100 μm, and can suction the substrate 6 with a high degree of vacuum suction.
【0047】ワークテーブル80は、XYZθ方向に移
動することができる移動装置100上に設けられてお
り、この図では矢印15−2(あるいは15−1)方向
に移動させられる。The work table 80 is provided on a moving device 100 which can move in the XYZθ directions, and is moved in the direction of the arrow 15-2 (or 15-1) in this figure.
【0048】16は、基板6上に予め溝を形成するため
の先端が先鋭な金属突起物であり、例えば超硬からなる
針状やローラ型回転チゼル、薄刃ダイヤモンド砥石等を
用いる。17は、上記金属突起物16に所望の圧力を加
えるための加工機構部である。Reference numeral 16 denotes a metal projection having a sharp tip for forming a groove on the substrate 6 in advance. For example, a needle-shaped or roller-type rotating chisel made of carbide, a thin blade diamond grindstone, or the like is used. Reference numeral 17 denotes a processing mechanism for applying a desired pressure to the metal projection 16.
【0049】18は、上記金属突起物16によって形成
された溝内に冷却媒体(液体か気体あるいは液体と気体
の混合体)を吹き付けるノズルであり、19は、上記ノ
ズル18内に送り込む冷却媒体の送入方向を示す矢印で
ある。Numeral 18 denotes a nozzle for spraying a cooling medium (liquid or gas or a mixture of liquid and gas) into a groove formed by the metal projections 16, and 19 denotes a cooling medium to be fed into the nozzle 18. It is an arrow which shows a sending direction.
【0050】この図1を用いて溝形成、溝内の冷却媒体
吹き付け、溝内へのレーザビーム照射の具体例を図2〜
図4を用いて説明する。Referring to FIG. 1, specific examples of forming a groove, spraying a cooling medium in the groove, and irradiating a laser beam into the groove will be described with reference to FIGS.
This will be described with reference to FIG.
【0051】図2は、基板6上に溝21を形成しつつ、
その形成された溝21内に液体22を吹き付け、そして
その後からレーザビーム2−3を照射して溝21に沿っ
て基板6を割断する方法の具体例を示したものである。FIG. 2 shows a state in which a groove 21 is formed on the substrate 6.
A specific example of a method of spraying a liquid 22 into the formed groove 21 and thereafter irradiating a laser beam 2-3 to cut the substrate 6 along the groove 21 is shown.
【0052】基板6はワークテーブル80上に真空吸着
によって固定され、矢印15−2方向へ所望の速度で移
動される。The substrate 6 is fixed on the work table 80 by vacuum suction and is moved at a desired speed in the direction of arrow 15-2.
【0053】その基板6上に図1に示した金属突起物1
6によって溝(幅Wm)21を形成し、直ぐその後から
ノズル18によって冷却媒体として液体22を溝21内
に吹き付ける。液体22としては、水、水蒸気、インク
(黒、青、緑色等の着色したインク)、油性塗料液
(黒、青、緑色等の着色した塗料液)等のレーザエネル
ギーを吸収する液体を用いる。The metal projection 1 shown in FIG.
6, a groove (width Wm) 21 is formed. Immediately thereafter, a liquid 22 is sprayed into the groove 21 as a cooling medium by the nozzle 18. As the liquid 22, a liquid that absorbs laser energy such as water, water vapor, ink (colored ink such as black, blue, and green), and oil-based coating liquid (colored coating liquid such as black, blue, and green) is used.
【0054】そして上記液体22の吹き付けたすぐ後に
レーザビーム2−3を照射する。このレーザビーム2−
3は、長さL、幅Wbを有する線状ビームが好ましい。
それ以外に楕円ビームであってもよい。Immediately after spraying the liquid 22, the laser beam 2-3 is applied. This laser beam 2-
3 is preferably a linear beam having a length L and a width Wb.
Alternatively, an elliptical beam may be used.
【0055】この液体22を吹き付けるメリットは3つ
ある。1つは、冷却によって溝21内のき裂を加速させ
る作用がある。2つ目は、レーザビーム2−3を溝21
内の液体22に吸収させることによって割断き裂をより
進展させる作用がある。3つ目は溝21内に発生したパ
ーティクルを吹き流して除去する作用がある。また基板
6として、レーザビーム2−3の吸収しにくいような基
板6を割断する場合に有効である。さらにレーザビーム
2−3が基板6に吸収されにくいレーザビーム2−3を
用いた場合にも有効である。There are three advantages of spraying the liquid 22. One is an effect of accelerating a crack in the groove 21 by cooling. Second, the laser beam 2-3 is applied to the groove 21.
The absorption of the liquid 22 in the liquid has an effect of further promoting the split crack. The third function is to blow and remove particles generated in the groove 21. It is also effective when the substrate 6 that is difficult to absorb the laser beam 2-3 is cut. Further, the present invention is also effective when a laser beam 2-3 whose laser beam 2-3 is hardly absorbed by the substrate 6 is used.
【0056】図3は、図2の冷却媒体として液体22を
吹き付ける代わりに気体23を吹き付ける例を示したも
のである。FIG. 3 shows an example in which a gas 23 is blown instead of the liquid 22 as the cooling medium in FIG.
【0057】ここで気体23としては、0℃以下の冷媒
ガス、塗装剤を含んだガス等を用いる。冷媒ガスを吹き
付けて急冷した直後にレーザビーム2ー3を照射する
と、より大きな温度差をもたせることができるので、割
断き裂が発生し安くなり、割断速度をはやめることがで
きる。Here, as the gas 23, a refrigerant gas having a temperature of 0 ° C. or less, a gas containing a coating agent, or the like is used. When the laser beam 2-3 is irradiated immediately after the cooling by blowing the refrigerant gas, a larger temperature difference can be provided, so that a crack is generated and the cost is reduced, and the cutting speed can be reduced.
【0058】図4は、図2の冷却媒体として液体22を
吹き付ける代わりに混合体24を吹き付ける例を示した
ものである。FIG. 4 shows an example of spraying the mixture 24 instead of spraying the liquid 22 as the cooling medium in FIG.
【0059】混合体24としては、例えば、インクや塗
料の上記を露点が−20℃以下のHeやN2 ガスで搬送
させたものを用いる。このようにすれば、レーザビーム
2−3の吸収効果の促進による割断のしやすさと、冷却
効果による割断速度の向上が期待できる。As the mixture 24, for example, a mixture of the above-mentioned ink and paint which is transported by He or N 2 gas having a dew point of −20 ° C. or less is used. In this way, it is expected that the laser beam 2-3 can be easily cut by promoting the absorption effect, and the cooling effect can be improved in the cutting speed.
【0060】図5は本発明の基板の加工装置の他の実施
の形態を示したものである。FIG. 5 shows another embodiment of the substrate processing apparatus of the present invention.
【0061】本実施の形態では、基板6に予め化学的エ
ッチング法(ドライ又はウエットエッチング法)によっ
て溝を形成したものを割断加工する装置に適している。The present embodiment is suitable for an apparatus for cleaving a substrate 6 in which a groove is formed in advance by a chemical etching method (dry or wet etching method).
【0062】すなわち、この装置には、図1に示した金
属突起物16の溝形成手段が設けられていない。That is, this apparatus is not provided with the groove forming means for the metal projection 16 shown in FIG.
【0063】この図5の装置を用いた基板の割断の特徴
は、パーティクル発生がないことである。また溝が予め
フォトマスクを用いて化学的エッチング法により、寸法
精度よく形成されているので、高寸法精度のチップを割
断により得ることができる。A feature of the substrate cutting using the apparatus shown in FIG. 5 is that there is no generation of particles. Since the grooves are formed with high dimensional accuracy by a chemical etching method using a photomask in advance, a chip with high dimensional accuracy can be obtained by cutting.
【0064】なお、上記溝は基板6の端部にまで形成し
ておくことが望ましい。It is desirable that the groove is formed up to the end of the substrate 6.
【0065】図6は、上記化学的エッチング法によって
形成した溝25−1〜25−18が格子状に形成されて
いる。そしてこれらの溝25−1〜25−18に冷却媒
体として例えば液体22を吹き付けながら、直ぐその後
でレーザビーム2−3を照射して割断き裂を発生、進行
させて基板6を割断するようにしたものである。FIG. 6 shows grooves 25-1 to 25-18 formed by the above-described chemical etching method in a lattice pattern. Then, while spraying, for example, a liquid 22 as a cooling medium onto these grooves 25-1 to 25-18, a laser beam 2-3 is irradiated immediately thereafter to generate a cleavage crack and cause the substrate 6 to break. It was done.
【0066】本発明に用いる基板6には、ガラス(石英
系、多成分系)、磁性体(セラミックス、YIG等)、
半導体(Si、GaAs、InP等)、結晶(サファイ
ヤ、LiNbO3 、LiTaO5 等)を用いることがで
きる。なお、上記基板の中、表面、あるいは表面に電子
回路、電子部品、光回路、光部品、などが形成されてい
てもよい。The substrate 6 used in the present invention includes glass (quartz, multi-component), magnetic material (ceramics, YIG, etc.),
A semiconductor (Si, GaAs, InP, or the like) or a crystal (sapphire, LiNbO 3 , LiTaO 5, or the like) can be used. Note that an electronic circuit, an electronic component, an optical circuit, an optical component, or the like may be formed in, on, or on the surface of the substrate.
【0067】図6に置いて、レーザビーム2−3の照射
による割断は、例えば、溝25−1〜25−9のX方向
のみとし、Y方向の溝25−10〜25−19に対して
は機械的応力を加えたへき開によって割るようにしても
よい。In FIG. 6, for example, the cutting by the irradiation of the laser beam 2-3 is performed only in the X direction of the grooves 25-1 to 25-9, and is performed for the grooves 25-10 to 25-19 in the Y direction. May be divided by cleavage under mechanical stress.
【0068】上記基板6の一例としては、半導体レーザ
の形成された基板がある。上記半導体レーザの入出力端
面は所望の高反射率を実現させる必要があることから、
従来へき開によって形成されていた両端面が入出力端面
として用いられる。そこで図6の場合にもY方向の溝2
5−10〜25−18はへき開によって割るようにし、
入出力端面として用いる。An example of the substrate 6 is a substrate on which a semiconductor laser is formed. Since the input and output end faces of the semiconductor laser need to realize a desired high reflectance,
Both end faces conventionally formed by cleavage are used as input / output end faces. Therefore, in the case of FIG.
5-10 to 25-18 should be split by cleavage,
Used as input / output end face.
【0069】図2、図3、図4、図6に置いて、溝は基
板の一方端から他方端まで形成する以外に、基板の一方
端か他方端の近傍に設けるようにしてもよい。あるいは
格子状に割断する交差部の近傍付近に設けてもよい。ま
たレーザビーム2−3の照射方向に沿ってアシストガス
を吹き付けるようにしてもよい。In FIGS. 2, 3, 4 and 6, the groove may be formed near one end or the other end of the substrate, instead of being formed from one end to the other end of the substrate. Alternatively, it may be provided in the vicinity of the intersection part cut in a lattice shape. Further, an assist gas may be blown along the irradiation direction of the laser beam 2-3.
【0070】溝の幅Wmは、10数μm〜100μmの
範囲が好ましく、また溝の深さも上記値と同程度の値が
好ましい。The width Wm of the groove is preferably in the range of several tens μm to 100 μm, and the depth of the groove is also preferably a value similar to the above value.
【0071】ノズル18のノズルの内径はできる限り小
さいことが望ましく、例えば液体を噴射させる場合に
は、インクジェット方式のように極細のインクが噴射で
きるようにすれば、溝内に正確に噴射することができ
る。It is desirable that the inside diameter of the nozzle 18 is as small as possible. For example, in the case of ejecting a liquid, it is possible to eject the ink in the groove accurately by making it possible to eject an extremely fine ink like an ink jet system. Can be.
【0072】[0072]
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な効果を奏する。In summary, according to the present invention, the following effects can be obtained.
【0073】(1) 基板を微少なサイズに高寸法精度で割
断することができる。(1) The substrate can be cut into minute sizes with high dimensional accuracy.
【0074】(2) 割断したチップは、チッピングが発生
せず、またチップのコーナを直角に割断することができ
る。(2) The chip thus cut does not cause chipping, and the chip corner can be cut at a right angle.
【0075】(3) 割断速度を速くすることができる。(3) The cutting speed can be increased.
【0076】(4) 割断しにくい基板も割断することがで
きる。(4) A substrate that is difficult to cut can also be cut.
【0077】(5) 冷却しながらレーザビームを照射する
ことにより、基板への熱歪の残留応力を抑えることがで
きる。(5) By irradiating a laser beam while cooling, residual stress due to thermal strain on the substrate can be suppressed.
【0078】(6) レーザビームは、ほぼ溝内に照射され
るので、基板は溝に沿って忠実に割断される。また溝内
に冷却媒体(液体、気体、あるいは混合体)が吹き付け
られるので、より高速で割断することができる。さらに
冷却媒体の吹き付けによって割断面のクリーニングもで
きる。(6) Since the laser beam is applied to almost the inside of the groove, the substrate is cut along the groove faithfully. Further, since the cooling medium (liquid, gas, or mixture) is blown into the grooves, the cutting can be performed at higher speed. Furthermore, the cleaning of the fractured surface can be performed by spraying a cooling medium.
【図1】本発明の一実施の形態を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention.
【図2】本発明において、基板を割断する具体例を示す
図である。FIG. 2 is a diagram showing a specific example of cutting a substrate in the present invention.
【図3】本発明において、基板を割断する具体例を示す
図である。FIG. 3 is a diagram showing a specific example of cutting a substrate in the present invention.
【図4】本発明において、基板を割断する具体例を示す
図である。FIG. 4 is a diagram showing a specific example of cutting a substrate in the present invention.
【図5】本発明の他の実施の形態を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing another embodiment of the present invention.
【図6】本発明において、基板を割断する具体例を示す
図である。FIG. 6 is a diagram showing a specific example of cutting a substrate in the present invention.
【図7】従来の基板の加工装置を示す図である。FIG. 7 is a view showing a conventional substrate processing apparatus.
【図8】従来の基板を割断する具体例を示す図である。FIG. 8 is a view showing a specific example of cutting a conventional substrate.
2−3 レーザビーム 6 基板 16 金属突起物 18 ノズル 21,25 溝 2-3 Laser beam 6 Substrate 16 Metal projection 18 Nozzle 21, 25 Groove
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) // B23K 101:40 H01L 21/78 B S ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) // B23K 101: 40 H01L 21/78 BS
Claims (23)
にき裂を発生させ、そのき裂を進展させて基板を割断す
る方法において、レーザビームの照射軌跡線上に予め溝
を形成し、該溝に冷却媒体を吹き付けつつレーザビーム
を照射して基板を割断することを特徴とする基板の加工
方法。In a method of irradiating a laser beam to a substrate surface to generate a crack in the substrate and growing the crack to cleave the substrate, a groove is formed in advance on a laser beam irradiation trajectory line. A method for processing a substrate, wherein the substrate is cut by irradiating a laser beam while blowing a cooling medium into the groove.
載の基板の加工方法。2. The substrate processing method according to claim 1, wherein water is used as the cooling medium.
る塗料を含んだ液体を吹き付けるようにした請求項1記
載の基板の加工方法。3. The substrate processing method according to claim 1, wherein a liquid containing a coating material that absorbs a laser beam is sprayed as a cooling medium.
項1記載の基板の加工方法。4. The method according to claim 1, wherein a quenching gas is used as the cooling medium.
品を含んでいる請求項4記載の基板の加工方法。5. The method for processing a substrate according to claim 4, wherein the quenching gas contains a chemical which absorbs a laser beam.
用い、その混合体にレーザビームを吸収する薬品を含ん
でいる請求項1記載の基板の加工方法。6. The substrate processing method according to claim 1, wherein a mixture of a liquid and a gas is used as the cooling medium, and the mixture contains a chemical which absorbs a laser beam.
状の金属突起物を基板表面に押し付けるか、回転させな
がら押し付けてけがき線を形成することで形成される請
求項1記載の基板の加工方法。7. The substrate according to claim 1, wherein the groove is formed by pressing a needle-shaped or roller-shaped metal projection having a sharp tip against the surface of the substrate, or by pressing the metal projection while rotating the substrate. Processing method.
形成される請求項1記載の基板の加工方法。8. The method according to claim 1, wherein the groove is formed by performing chemical etching on the substrate.
溝幅の2倍以内、そのビーム縦幅が溝幅の10倍以上に
拡がったレーザビームを用いた請求項1記載の基板の加
工方法。9. The substrate processing method according to claim 1, wherein the laser beam has a beam width wider than twice the groove width and a beam length wider than 10 times the groove width.
個のチップに分割する請求項1記載の基板の加工方法。10. The substrate is cleaved in a grid, and at least 4
2. The method according to claim 1, wherein the substrate is divided into chips.
裂を発生させて分断させ、その割断した基板のY方向あ
るいはX方向への分断はへき開によって分断するように
した請求項10記載の基板の加工方法。11. The substrate according to claim 10, wherein the substrate is divided by generating a cleavage crack in the X direction or the Y direction, and the division of the divided substrate in the Y direction or the X direction is performed by cleavage. Processing method.
一方端から他方端まで、あるいは格子状に割断する交差
部の近傍付近のいずれかに設けた請求項1記載の基板の
加工方法。12. A groove is provided near one end or the other end of the substrate.
2. The substrate processing method according to claim 1, wherein the substrate is provided from one end to the other end, or in the vicinity of an intersection part cut in a grid.
板にき裂を発生させ、そのき裂を進展させて基板を割断
する装置において、基板に溝を形成する溝形成手段と、
該溝にレーザビームを照射するレーザビーム照射手段
と、レーザビームが照射される溝に予め冷却媒体を吹き
付ける冷却媒体吹き付け手段と、基板を移動する移動手
段とを備えたことを特徴とする基板の加工装置。13. An apparatus for irradiating a laser beam onto a substrate surface to generate a crack in the substrate, and to propagate the crack to cleave the substrate, wherein a groove forming means for forming a groove in the substrate;
Laser beam irradiation means for irradiating the groove with a laser beam, cooling medium spraying means for spraying a cooling medium in advance on the groove to be irradiated with the laser beam, and moving means for moving the substrate; Processing equipment.
媒体として水か水蒸気を吹き付ける請求項13記載の基
板の加工装置。14. The substrate processing apparatus according to claim 13, wherein the cooling medium blowing means blows water or steam as a cooling medium into the groove.
にレーザビームを吸収する塗料を含んだ冷却媒体を溝に
吹き付ける請求項13記載の基板の加工装置。15. The substrate processing apparatus according to claim 13, wherein the cooling medium spraying means sprays a cooling medium containing a coating material for absorbing a laser beam into the cooling medium.
媒体として急冷ガスを吹き付ける請求項13記載の基板
の加工装置。16. The substrate processing apparatus according to claim 13, wherein the cooling medium blowing means blows a quenching gas as a cooling medium into the groove.
にレーザビームを吸収する薬品を含んだ冷却媒体を吹き
付ける請求項16記載の基板の加工装置。17. The substrate processing apparatus according to claim 16, wherein the cooling medium spraying means sprays a cooling medium containing a chemical absorbing the laser beam into the quenched gas.
媒体として液体と気体の混合体を用い、その混合体にレ
ーザビームを吸収する薬品を含ませた請求項13記載の
基板の加工装置。18. The substrate processing apparatus according to claim 13, wherein the cooling medium spraying means uses a mixture of a liquid and a gas as a cooling medium in the groove, and the mixture contains a chemical absorbing a laser beam.
いはローラ状の金属突起物からなり、その金属突起物を
基板表面に押し付けるか、回転させながら押し付けてけ
がき線を形成する請求項13記載の基板の加工装置。19. The groove forming means comprises a needle-shaped or roller-shaped metal projection having a sharp tip, and presses the metal projection against the substrate surface or presses the metal projection while rotating to form a scribe line. A substrate processing apparatus according to the above.
グで溝を形成する請求項13記載の基板の加工装置。20. The substrate processing apparatus according to claim 13, wherein the groove forming means forms a groove in the substrate by chemical etching.
ムの横幅が溝幅の2倍以内で、そのレーザビームの縦幅
が溝幅の10倍以上に拡がったレーザビームを基板に照
射する請求項13記載の基板の加工装置。21. A laser beam irradiating means for irradiating a substrate with a laser beam having a laser beam having a lateral width of not more than twice the groove width and a vertical width of the laser beam expanding to be at least ten times the groove width. A substrate processing apparatus according to the above.
るように少なくとも基板をX、Y、θ方向に移動できる
機構を有する請求項13記載の基板の加工装置。22. The substrate processing apparatus according to claim 13, wherein the moving means has a mechanism capable of moving at least the substrate in the X, Y, and θ directions so that the substrate can be cut into a lattice shape.
の近傍、一方端から他方端まで、あるいは格子状に割断
する交差部の近傍付近のいずれかに形成できる請求項1
3記載の基板の加工装置。23. The groove forming means can be formed in the vicinity of one end or the other end of the substrate, from one end to the other end, or in the vicinity of an intersection which is cut in a grid pattern.
4. The substrate processing apparatus according to 3.
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