JP2005019391A - 蒸着材料、該蒸着材料を用いたプラズマディスプレイパネルの製造方法及びプラズマ表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 保護膜表面への不純物ガスの付着を防止してＰＤＰの動作及び製造上の不都合を解消する。
【解決手段】 開示されるＰＤＰの蒸着材料は、透明材料から成る前面基板１及び背面基板２が対向するように配置され、両基板１、２間にプラズマを発生させる放電ガス空間３が形成される構成において、前面基板１の内面に成膜される保護膜８を成膜するための蒸着材料は、グレインの平均粒径が３．０μｍ以下、望ましくは２．８μｍ以下の多結晶のＭｇＯから成る焼結体ペレットを用いる。
【選択図】 図１

Description

この発明は、蒸着材料、該蒸着材料を用いたプラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel:以下、ＰＤＰとも称する）の製造方法及びプラズマ表示装置の製造方法に係り、詳しくは、ＰＤＰの動作中に発生する放電から前面基板の内面を保護するＰＤＰ用保護膜（以下、単に保護膜とも称する）を電子ビーム蒸着法又はイオンプレーティング法により成膜するための蒸着材料、ＰＤＰの製造方法及びプラズマ表示装置の製造方法に関する。

一般に、ＰＤＰを含むプラズマ表示装置は、従来から広く用いられているＣＲＴ(Cathode Ray Tube)、あるいは液晶表示装置等のディスプレイ装置と比較して、ちらつきが少なく表示コントラスト比が大きいこと、薄型で大画面が可能であること、応答速度が速いこと等の多くの利点を有しているために、近年コンピュータのような情報処理機器のディスプレイ装置として利用されてる。

このプラズマ表示装置は、動作方式により、電極が透明誘電体層で被覆されて間接的に交流放電の状態で動作させるＡＣ型のものと、電極が放電空間に露出されて直流放電の状態で動作させるＤＣ型のものとに略大別されるが、特に前者は比較的簡単な構造で上述したような大画面化が容易に実現できるので広く用いられている。そのようなＡＣ型プラズマ表示装置の主要部を構成するＰＤＰは、ガラス等の透明材料から成る前面基板及び背面基板が対向するように配置されて、両基板間にプラズマを発生させる放電ガス空間が形成される基本的な構成を有している。

また、ＡＣ型プラズマ表示装置の中でも、ＰＤＰにおいて、放電セルを形成する上述したような一対の基板の内の一方の基板である前面基板の内面に、水平方向に沿って平行に走査電極と維持電極（共通電極）とから成る一対の行電極である表示電極を配置すると共に、他方の基板である背面基板の内面に、上記行電極と直交するように垂直方向に沿ってデータ電極（アドレス電極）から成る列電極を配置した３電極面放電型の構成のものは、前面基板において行われる面放電時に発生する高エネルギのイオンによる影響を抑えることができるので、長寿命化が図れるため最も広く採用されている。

上述の３電極面放電型のＡＣ型プラズマ表示装置は、背面基板のデータ電極と前面基板の走査電極との間で表示（発光）すべき放電セル（以下、単にセルとも称する）を選択する書き込み放電を行い、続いて前面基板の走査電極と維持電極との間で選択したセルの面放電による維持放電（表示放電）を行うように構成されている。また、そのようなＰＤＰにおいて、背面基板の内面に赤色、緑色及び青色の各蛍光体層を配置するとともに、前面基板の内面の上記各蛍光体層にそれぞれ対向する位置に赤色、緑色及び青色の各カラーフィルタ層を配置するように構成して多色発光を可能にしたカラープラズマディスプレイ装置が提供されている。

ここで、上述したようなＰＤＰにおいては、動作中に発生する放電から前面基板に形成されている表示電極及びこれを覆っている透明誘電体層を保護するために、前面基板の内面に保護膜が形成される。すなわち、この保護膜は、上述したような放電時のイオン衝撃によるスパッタリングから透明誘電体層等を保護する目的で設けられるが、保護膜は放電空間に直接さらされているため、その材質及び膜厚等が放電特性に大きな影響を与える。また、この保護膜は、高い二次電子放出係数（γ係数）を有していることが望ましく、これは放電電圧を下げる効果をもたらす。このような耐スパッタリング性及びγ係数を有している誘電体としては、従来からＭｇＯ（酸化マグネシウム）が一般に知られており、保護膜を成膜するために広く用いられている。このＭｇＯから成る保護膜の成膜は、蒸着材料を用いて優れた膜質の形成が容易なＥＢ（Electron Beam:電子ビーム）蒸着法により一般に行われている。

上述したようなＭｇＯから成る保護膜をスパッタ法により成膜する際に用いる蒸着材料であるＭｇＯターゲットの製造方法が開示されている（例えば特許文献１参照）。また、ＭｇＯから成る保護膜を真空プロセスにより成膜する際に、ＭｇあるいはＭｇＯ及びＭｇ（ＯＨ）₂（水酸化マグネシウム）を含有する材料を蒸着材料として用いる保護膜の成膜方法及び成膜材料が開示されている（例えば特許文献２参照）。また、ＭｇＯから成る保護膜をＥＢ蒸着法により成膜する際に用いる蒸着材料として多結晶ＭｇＯ蒸着材が開示されている（例えば特許文献３参照）。同多結晶ＭｇＯ蒸着材は、ＭｇＯ純度が９９．０％以上かつ相対密度が９０％以上の多結晶ＭｇＯの焼結体ペレットから成り、この焼結体ペレットの平均結晶粒径は３〜１００μｍのものを用いている。
特開平１０−１３０８２８号公報 特開２００２−６９６１７号公報 特許第３３３１５８４号公報

ところで、特許文献１〜３に開示されている従来の蒸着材料及びその製造方法では、以下に説明するような問題がある。
まず、特許文献１には、スパッタ法に用いる蒸着材料としてグレイン（粒子）の平均粒径が０．１〜２μｍのＭｇＯ粉末が記載されているが、ＥＢ蒸着法に用いる蒸着材料については考慮されていない。次に、特許文献２には、蒸着法に用いる蒸着材料としてグレインの平均粒径が約５ｍｍのペレット状のＭｇＯ焼結体が記載されているが、ここで示されている蒸着材料のグレインの平均粒径は、後述するように大き過ぎる。また、特許文献３には、ＥＢ蒸着法に用いる蒸着材料としてグレインの平均粒径が３〜１００μｍの焼結体ペレットが記載されているが、ここで示されている蒸着材料のグレインの平均粒径は、後述するように比較的小さいが不適当である。このように特許文献１〜３には、グレインの平均粒径が種々の蒸着材料が記載されている。

ここで、この発明者は検討の結果、ＰＤＰにおける前面基板の内面に優れた膜質の保護膜を成膜するためにＥＢ蒸着法によりＭｇＯ膜を成膜する場合、蒸着材料のグレインの平均粒径が重要であり、この平均粒径が不適当であると、ＭｇＯ膜に気孔が多く発生し、密度が低くなり、結晶性が不十分になる等の欠点が生じて、ＭｇＯ膜の表面に水分等の不純物ガスが多数付着して、ＰＤＰの動作及び製造に不都合を生じさせることを見い出した。具体的には、上述したようにＥＢ蒸着法によるＭｇＯ膜の成膜時に、蒸着材料のグレインの平均粒径が不適当であることによりＭｇＯ膜の表面に水分等の不純物ガスが多数付着すると、ＰＤＰ内で放電する際の障害となり、ＰＤＰのプライミング電圧が高くなるのでコントラスト比が低下し、また高精細パネルでの書き込み時に放電遅れ時間が大きくなるので書き込み電圧が高くなるとともにちらつきが生じ、また高い駆動電圧が必要になるので回路構成が複雑になってコストアップが避けられなくなる。

このような観点から各特許文献をみた場合、特許文献１では、ＥＢ蒸着法に用いる蒸着材料については考慮されていないので、上述したようなＰＤＰの動作及び製造上の不都合を解消することができない。また、特許文献２では、ＥＢ蒸着法に用いる蒸着材料が記載されているものの、そのグレインの平均粒径は大き過ぎるので、上記不都合を解消することができない。また、特許文献３では、ＥＢ蒸着法に用いる蒸着材料としてグレインの平均粒径が３〜１００μｍの焼結体ペレットが記載されているが、この値は大きすぎて適当でないので、特許文献２と同様に上記不都合を解消することができない。したがって、上述したようなコントラスト比の低下、書き込み電圧の増加及びちらつきの発生、回路構成の複雑化に伴うコストアップ等の不都合を解消することが望まれている。

この発明は、上述の事情に鑑みてなされたもので、保護膜表面への不純物ガスの付着を防止してＰＤＰの動作及び製造上の不都合を解消することができるようにした蒸着材料、該蒸着材料を用いたＰＤＰの製造方法及びプラズマ表示装置の製造方法を提供することを目的としている。

上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、プラズマディスプレイパネル用保護膜を電子ビーム蒸着法又はイオンプレーティング法により成膜するための蒸着材料に係り、前記蒸着材料は、多結晶の酸化物又はフッ化物の焼結体ペレットから成り、該ペレットの平均結晶粒径が３μｍ以下であることを特徴としている。

また、請求項２記載の発明は、請求項１記載の蒸着材料に係り、上記平均結晶粒径が２．８μｍ以下であることを特徴としている。

また、請求項３記載の発明は、プラズマディスプレイパネル用保護膜を電子ビーム蒸着法又はイオンプレーティング法により成膜するための蒸着材料に係り、前記蒸着材料は、（１１１）結晶配向強度が単結晶比で９０％以下である多結晶の酸化物又はフッ化物の焼結体ペレットから成ることを特徴としている。

また、請求項４記載の発明は、請求項３記載の蒸着材料に係り、上記単結晶比が８５％以下であることを特徴としている。

また、請求項５記載の発明は、プラズマディスプレイパネル用保護膜を電子ビーム蒸着法又はイオンプレーティング法により成膜するための蒸着材料に係り、前記蒸着材料は、熱伝導率が略２５℃において０．１５cal/cm・S・℃以下であることを特徴としている。

また、請求項６記載の発明は、請求項５記載の蒸着材料に係り、上記熱伝導率が０．１３cal/cm・S・℃以下である酸化物材料、又はフッ化物材料を用いることを特徴としている。

また、請求項７記載の発明は、請求項１乃至６のいずれか１に記載の蒸着材料に係り、上記酸化物材料又は上記フッ化物材料は、密度が単結晶比で５０〜９０％であることを特徴としている。

また、請求項８記載の発明は、請求項１乃至６のいずれか１に記載の蒸着材料に係り、上記酸化物材料又は上記フッ化物材料は、気孔率が５〜５０％であることを特徴としている。

また、請求項９記載の発明は、請求項１乃至８のいずれか１に記載の蒸着材料に係り、上記酸化物材料は、少なくともＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ｅｕ₂Ｏ₃又はＧｄ₂Ｏ₃、あるいはこれらの複合されたものから成ることを特徴としている。

また、請求項１０記載の発明は、請求項１乃至８のいずれか１に記載の蒸着材料に係り、上記フッ化物材料は、少なくともＭｇＦ₂、ＣａＦ₂、ＳｒＦ₂、ＢａＦ₂、ＡｌＦ₃、ＳｉＦ₄、ＥｕＦ₃又はＧｄＦ₃、あるいはこれらの複合されたものから成ることを特徴としている。

また、請求項１１記載の発明は、プラズマディスプレイパネルの製造方法に係り、請求項１乃至１０のいずれか１に記載の蒸着材料を、電子ビーム蒸着法あるいはイオンプレーティング法により形成することを特徴としている。

また、請求項１２記載の発明は、プラズマディスプレイパネルを製造する第１の工程と、上記プラズマディスプレイパネルを駆動する回路とともに上記プラズマディスプレイパネルを一つのモジュールとして製造する第２の工程と、画像信号のフォマット変換を行い、上記モジュールに送信するインタフェースを上記モジュールに電気的に接続する第３の工程とを備えるプラズマ表示装置の製造方法に係り、上記第１の工程は、請求項１１記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法を実施することを特徴としている。

この発明の蒸着材料によれば、保護膜を成膜するための蒸着材料は、グレインの平均粒径が３．０μｍ以下、望ましくは２．８μｍ以下の多結晶のＭｇＯから成る焼結体ペレットを用いる。または、保護膜を成膜するための蒸着材料は、グレインの（１１１）結晶配向強度が単結晶比で９０％以下、望ましくは８５％以下の多結晶のＭｇＯから成る焼結体ペレットを用いる。または、保護膜を成膜するための蒸着材料は、グレインの熱伝導率が０．１５cal/cm・S・℃以下、望ましくは０．１３cal/cm・S・℃以下の多結晶のＭｇＯから成る焼結体ペレットを用いる。したがって、保護膜表面への不純物ガスの付着を防止してＰＤＰの動作及び製造上の不都合を解消することができる。
また、この発明の上記蒸着材料を用いたＰＤＰの製造方法によれば、上記蒸着材料を用いてＭｇＯから成る保護膜を成膜するので、保護膜表面に水分等の不純物ガスの付着が低減されるので、動作が安定なＰＤＰを製造することができる。
また、この発明のプラズマ表示装置の製造方法によれば、上記ＰＤＰを用いてプラズマ表示装置をモジュール化するので、プラズマ表示装置が故障したような場合に、ＰＤＰモジュール毎交換することができ、補修の簡素化及び短時間化を図ることができる。

透明材料から成る前面基板及び背面基板が対向するように配置され、両基板間にプラズマを発生させる放電ガス空間が形成される構成において、前面基板の内面に形成される保護膜を形成するための蒸着材料は、グレインの平均粒径が３．０μｍ以下、望ましくは２．８μｍ以下の多結晶のＭｇＯから成る焼結体ペレットを用いる。

図１は、この発明の実施例１である蒸着材料を用いて製造されたＰＤＰの概略構成を示す断面図、図２は同ＰＤＰの駆動特性を評価するための駆動波形を示す図、図３は同ＰＤＰに適用された蒸着材料のグレイン平均粒径（横軸）とプライミング電圧（縦軸）との関係を示す図、図４は同ＰＤＰに適用された蒸着材料のグレイン平均粒径（横軸）と書き込み電圧（縦軸）との関係を示す図、図５は同ＰＤＰに適用された蒸着材料のグレイン平均粒径（横軸）とコントラスト比（縦軸）との関係を示す図である。
この例の蒸着材料を用いて製造されたＰＤＰは、図１に示すように、前面基板１と、背面基板２とが対向するように配置されて、両基板１、２間に放電ガス空間３が形成される基本的な構成を有している。
ここで、前面基板１は、ガラス等の透明材料から成る第１の絶縁基板４と、第１の絶縁基板４の内面に一方向（例えば水平方向）に沿って平行に形成されたＩＴＯ(Indium Tin Oxide)等の透明電極５Ａ、６Ａ及びこれら透明電極５Ａ、６Ａの一部にそれぞれ抵抗を小さくするために形成されたＡｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）、Ａｇ（銀）等から成るバス電極（トレース電極）５Ｂ、６Ｂから成る走査電極５及び維持電極（共通電極）６と、走査電極５及び維持電極６を被覆するＰｂＯ（酸化鉛）のような低融点ガラス等から成る透明誘電体層７と、透明誘電体層７を放電から保護するＭｇＯから成る保護膜８とを備えている。

一方、背面基板２は、ガラス等の透明材料から成る第２の絶縁基板１１と、第２の絶縁基板１１の内面に他方向（例えば垂直方向）に沿って形成されたＡｌ、Ｃｕ、Ａｇ等から成るデータ電極（アドレス電極）１２と、データ電極１２を覆う白色誘電体層１３と、Ｈｅ（ヘリウム）、Ｎｅ（ネオン）、Ｘｅ（キセノン）等の放電用ガスが単独であるいは混合して充填される上述放電ガス空間３を確保するとともに、個々の放電セルを区切るために垂直方向に沿って形成された低融点ガラス等から成る隔壁（リブ）１４と、隔壁１４の底面及び壁面を覆う位置に形成された放電用ガスの放電により発生する紫外線を可視光に変換する赤色蛍光体層、緑色蛍光体層及び青色蛍光体層に塗り分けられた蛍光体層１５とを備えている。なお、図１においては便宜上、走査電極５及び維持電極６とデータ電極１２とは同一方向に配置されているように示したが、実際には上述したように、走査電極５及び維持電極６とデータ電極１３とは互いに直交する方向に延在して配置されている。

この例では、保護膜８を成膜するために用いる蒸着材料としては、グレインの平均結晶粒径（以下、単に平均粒径と称する）に依存したＭｇＯを用いるようにした点に特徴を有している。
ここで、グレインの平均粒径を１．０μｍ、２．８μｍ、５．０μｍ及び１０μｍに選んだ４種類の多結晶ＭｇＯの焼結体ペレットを蒸着材料として用意した。そして、予め透明誘電体層７まで形成された４種類の基板４が順次に配置された真空チャンバー内で、それぞれの蒸着材料を２００℃に保ってＥＢ蒸着法により、順次に各基板４の内面にそれぞれ膜厚が略１μｍの保護膜８を成膜して前面基板１を完成させることにより、４種類のＰＤＰを製造した。次に、各ＰＤＰについて、ＭｇＯから成る蒸着材料の各平均粒径に対応したプライミング電圧、書き込み電圧及びコントラスト比を測定して、〈表１〉に示したようなデータを得た。

図３〜図５は、〈表１〉に基づいたプライミング電圧、書き込み電圧及びコントラスト比の各特性図を示す。ここで、グレインの平均粒径の測定は、走査型電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope:ＳＥＭ）を用いて、加速電圧２０KV、倍率２０００倍の条件でＭｇＯペレットを撮影し、視野内の粒径分布を求めて、この粒径分布に基づいて測定した。また、上述のプライミング電圧、書き込み電圧及びコントラスト比の測定は、図２に示したような駆動波形をＰＤＰに印加して行った。同図において、符号Ｐ１〜Ｐ５は、それぞれ維持パルス、維持消去パルス、プライミングパルス、プライミング消去パルス及び走査パルスを示している。

上述のプライミング電圧とは、プライミング効果があらわれて、ＰＤＰ全面にわたって正常に対向放電、面放電に移行する最小のプライミング完了電圧を示している。ここで、プライミングとは、壁電荷を蓄積するための予備放電のことを意味し、放電を安定して低電圧で開始するための駆動方法として採用されている。また、上述の書き込み電圧とは、ＰＤＰ全面にわたって書き込みが終了する最小の電圧を示している。また、上述のコントラスト比は、ＰＤＰ全面に書き込みを行って白表示したときの輝度（＝全白輝度）と、ＰＤＰ全面に書き込みを行わずに黒表示（プライミング点灯のみ）したときの輝度（＝全黒輝度）との比で示される。

〈表１〉及び図３から明らかなように、プライミング電圧に関して、従来において一般に用いられていた平均粒径が１０μｍの蒸着材料を用いて保護膜を形成したＰＤＰでは相対値として１であったのに対して、平均粒径が５．０μｍの蒸着材料を用いて保護膜を形成したＰＤＰでは０．９６となり、平均粒径が２．８μｍの蒸着材料を用いて保護膜を成膜したＰＤＰでは０．９０となり、平均粒径が１．０μｍの蒸着材料を用いて保護膜を成膜したＰＤＰでは０．８２となり、平均粒径が小さくなるほどプライミング電圧が改善される傾向にあるのが理解される。そして、特に平均粒径を２．８μｍ及び１．０μｍに選んだ例では、平均粒径を１０μｍに選んだ場合のプライミング電圧に比較してそれぞれ１０％、１８％改善することができ、著しい効果を得ることができた。一方、グレイン平均粒径の下限値は、常識的な範囲で製造可能な範囲で考えると、０．５μｍになる。

同様にして、〈表１〉及び図４から明らかなように、書き込み電圧に関して、従来において一般に用いられていた平均粒径が１０μｍの蒸着材料を用いて保護膜を形成したＰＤＰでは相対値として１であったのに対して、平均粒径が５．０μｍの蒸着材料を用いて保護膜を成膜したＰＤＰでは０．９８となり、平均粒径が２．８μｍの蒸着材料を用いて保護膜を成膜したＰＤＰでは０．９２となり、平均粒径が１．０μｍの蒸着材料を用いて保護膜を成膜したＰＤＰでは０．８９となり、平均粒径が小さくなるほど書き込み電圧が改善される傾向にあるのが理解される。そして、特に平均粒径を２．８μｍ及び１．０μｍに選んだ例では、平均粒径を１０μｍに選んだ場合の書き込み電圧に比較してそれぞれ８％、１１％改善することができ、著しい効果を得ることができた。一方、グレイン平均粒径の下限値は、常識的な範囲で製造可能な範囲で考えると、０．５μｍになる。

同様にして、〈表１〉及び図５から明らかなように、コントラスト比に関して、従来において一般に用いられていた平均粒径が１０μｍの蒸着材料を用いて保護膜を成膜したＰＤＰでは相対値として１．００であったのに対して、平均粒径が５．０μｍの蒸着材料を用いて保護膜を成膜したＰＤＰでは１．０２となり、平均粒径が２．８μｍの蒸着材料を用いて保護膜を成膜したＰＤＰでは１．１０となり、平均粒径が１．０μｍの蒸着材料を用いて保護膜を成膜したＰＤＰでは１．１９となり、平均粒径が小さくなるほどコントラスト比が改善される傾向にあるのが理解される。そして、特に平均粒径を２．８μｍ及び１．０μｍに選んだ例では、平均粒径を１０μｍに選んだ場合のコントラスト比に比較してそれぞれ１０％、１９％改善することができ、著しい効果を得ることができた。一方、グレイン平均粒径の下限値は、常識的な範囲で製造可能な範囲で考えると、０．５μｍになる。

上述したように、グレインの平均粒径が小さくなるのに依存してプライミング電圧、書き込み電圧及びコントラスト比が改善されるのは、以下の理由による。
一定のＥＢパワー（電圧×電流）をＭｇＯペレット（ソース）に印加する際に、グレインの平均粒径が小さいときは、グレイン間の結合エネルギーは小さいために、グレインがより大きなエネルギーを持って昇華することになる。ここで、平均自由工程が一定である雰囲気を考えると、より大きなエネルギーを持って基板に衝突する。このエネルギーは基板上において、安定したサイトに移動するためのエネルギー、結晶成長のためのエネルギー及び他のグレインとの結合エネルギー等として消費される。それゆえ、グレインの平均粒径が小さいほど、基板上でのエネルギーが大きくなるので結晶成長が促進されるようになり、気孔が少なく緻密で、結晶性が十分で、より絶縁性の高いＭｇＯから成る保護膜を成膜することができる。
この結果、ＭｇＯ膜の表面に水分等の不純物ガスの付着が低減されるので、ＰＤＰの動作及び製造に不都合が生じなくなる。すなわち、ＰＤＰ内で放電する際の障害が排除され、前述したように、ＰＤＰのプライミング電圧が低くなるのでコントラスト比が高くなり、また高精細パネルでの書き込み時に放電遅れ時間が小さくなるので書き込み電圧が低くなるとともにちらつきが抑えられ、また高い駆動電圧が不要になるので回路構成が比較的簡単になる。

このように、この例のＰＤＰの蒸着材料によれば、透明材料から成る前面基板１及び背面基板２が対向するように配置され、両基板１、２間にプラズマを発生させる放電ガス空間３が形成される構成において、前面基板１の内面に成膜される保護膜８を成膜するための蒸着材料は、グレインの平均粒径が３．０μｍ以下、望ましくは２．８μｍ以下の多結晶のＭｇＯから成る焼結体ペレットを用いるので、基板上でのエネルギーが大きくなるのでＭｇＯの結晶成長が促進されるようになる。
したがって、保護膜表面への不純物ガスの付着を防止してＰＤＰの動作及び製造上の不都合を解消することができる。

図６は、この発明の実施例２であるＰＤＰに適用された蒸着材料の（１１１）結晶配向強度（横軸）とプライミング電圧（縦軸）との関係を示す図、図７は同ＰＤＰの蒸着材料の（１１１）結晶配向強度（横軸）と書き込み電圧（縦軸）との関係を示す図、図８は同ＰＤＰの蒸着材料の（１１１）結晶配向強度（横軸）とコントラスト比（縦軸）との関係を示す図である。この例の蒸着材料の構成が、上述した実施例１の構成と大きく異なるところは、グレインの（１１１）結晶配向強度に依存したＭｇＯを用いて保護膜を成膜するようにした点である。
この例では、実施例１で図１に示したように透明材料から成る前面基板１及び背面基板２が対向するように配置され、前記両基板１、２間にプラズマを発生させる放電ガス空間３が形成される構成において、保護膜８を成膜するための蒸着材料としては、グレインの（１１１）結晶配向強度に依存したＭｇＯを用いるようにした点に特徴を有している。
ここで、グレインの（１１１）結晶配向強度を単結晶比で０．９８、０．９０、０．８８、０．８６及び０．８０に選んだ５種類の多結晶ＭｇＯの焼結体ペレットを蒸着材料として用意した。そして、予め透明誘電体層７まで形成された５種類の基板４が順次に配置された真空チャンバー内で、それぞれの蒸着材料を２００℃に保ってＥＢ蒸着法により、順次に各基板４の内面にそれぞれ膜厚が略１μｍの保護膜８を成膜して前面基板１を完成させることにより、５種類のＰＤＰを製造した。そして、各ＰＤＰについて、ＭｇＯの各単結晶比に対応したプライミング電圧、書き込み電圧及びコントラスト比を測定して、〈表２〉に示したようなデータを得た。

図６〜図９は、〈表２〉に基づいたプライミング電圧、書き込み電圧及びコントラスト比の各特性図を示す。ここで、グレインの（１１１）結晶配向強度の単結晶比の測定は、Ｘ線回析装置（X-Ray Diffractometer:ＸＲＤ）を用いて、ＭｇＯペレットの表面に対してＸ線を種々の角度で入射させて測定した。その結果から例えば２θ＝３７°付近の（１１１）結晶配向のピーク強度を、単結晶の場合の測定値との比で算出した。また、上述のプライミング電圧、書き込み電圧及びコントラスト比の測定は、図２に示したような駆動波形をＰＤＰに印加して行った。

〈表２〉及び図６から明らかなように、プライミング電圧に関して、従来において一般に用いられていた単結晶比０．９８の蒸着材料を用いて保護膜を成膜したＰＤＰでは相対値として１であったのに対して、単結晶比が０．９０の蒸着材料を用いて保護膜を成膜したＰＤＰでは０．８７となり、単結晶比が０．８８の蒸着材料を用いて保護膜を成膜したＰＤＰでは０．８０となり、単結晶比が０．８６の蒸着材料を用いて保護膜を成膜したＰＤＰでは０．７７となり、単結晶比が０．８０の蒸着材料を用いて保護膜を成膜したＰＤＰでは０．７２となり単結晶比が小さくなるほどプライミング電圧が改善される傾向にあるのが理解される。そして、特に単結晶比を０．８０〜０．９０に選んだ例では、単結晶比を０．９８に選んだ場合のプライミング電圧に比較してそれぞれ１３〜２８％改善することができ、著しい効果を得ることができた。一方、（１１１）結晶配向強度の単結晶比の下限値は、常識的な範囲で製造可能な範囲で考えると、４０％になる。

同様にして、〈表２〉及び図７から明らかなように、書き込み電圧に関して、従来において一般に用いられていた単結晶比０．９８の蒸着材料を用いて保護膜を成膜したＰＤＰでは相対値として１であったのに対して、単結晶比が０．９０の蒸着材料を用いて保護膜を成膜したＰＤＰでは０．９２となり、単結晶比が０．８８の蒸着材料を用いて保護膜を成膜したＰＤＰでは０．８６となり、単結晶比が０．８６の蒸着材料を用いて保護膜を成膜したＰＤＰでは０．８４となり、単結晶比が０．８０の蒸着材料を用いて保護膜を成膜したＰＤＰでは０．８１となり単結晶比が小さくなるほど書き込み電圧が改善される傾向にあるのが理解される。そして、特に単結晶比を０．８０〜０．９０に選んだ例では、単結晶比を０．９８に選んだ場合の書き込み電圧に比較してそれぞれ８〜１９％改善することができ、著しい効果を得ることができた。一方、（１１１）結晶配向強度の単結晶比の下限値は、常識的な範囲で製造可能な範囲で考えると、４０％になる。

同様にして、〈表２〉及び図８から明らかなように、コントラスト比に関して、従来において一般に用いられていた単結晶比０．９８の蒸着材料を用いて保護膜を成膜したＰＤＰでは相対値として１．００であったのに対して、単結晶比が０．９０の蒸着材料を用いて保護膜を成膜したＰＤＰでは１．１０となり、単結晶比が０．８８の蒸着材料を用いて保護膜を成膜したＰＤＰでは１．１２となり、単結晶比が０．８６の蒸着材料を用いて保護膜を成膜したＰＤＰでは１．１８となり、単結晶比が０．８０の蒸着材料を用いて保護膜を成膜したＰＤＰでは１．２８となり単結晶比が小さくなるほどコントラスト比が改善される傾向にあるのが理解される。そして、特に単結晶比を０．８０〜０．９０に選んだ例では、単結晶比を０．９８に選んだ場合のコントラスト比に比較してそれぞれ１０〜２８％改善することができ、著しい効果を得ることができた。一方、（１１１）結晶配向強度の単結晶比の下限値は、常識的な範囲で製造可能な範囲で考えると、４０％になる。

上述したように、グレインの（１１１）結晶配向強度の単結晶比が小さくなるのに依存してプライミング電圧、書き込み電圧及びコントラスト比が改善されるのは、以下の理由による。一定のＥＢパワー（電圧×電流）をＭｇＯペレット（ソース）に印加する際に、グレインの（１１１）結晶配向強度の単結晶比が小さいときは、グレイン間の結合エネルギーは小さいために、前述した実施例１の場合と略同様な理由により、グレインの（１１１）結晶配向強度の単結晶比が小さいほど、基板上でのエネルギーが大きくなるので結晶成長が促進されるようになり、気孔が少なく緻密で、結晶性が十分で、より絶縁性の高いＭｇＯから成る保護膜を成膜することができる。
この結果、ＭｇＯ膜の表面に水分等の不純物ガスの付着が低減されるので、ＰＤＰの動作及び製造に不都合が生じなくなる。すなわち、ＰＤＰ内で放電する際の障害が排除され、前述したように、ＰＤＰのプライミング電圧が低くなるのでコントラスト比が高くなり、また高精細パネルでの書き込み時に放電遅れ時間が小さくなるので書き込み電圧が低くなるとともにちらつきが抑えられ、また高い駆動電圧が不要になるので回路構成が比較的簡単になる。

このように、この例のＰＤＰの蒸着材料によれば、透明材料から成る前面基板１及び背面基板２が対向するように配置され、両基板１、２間にプラズマを発生させる放電ガス空間３が形成される構成において、前面基板１の内面に成膜される保護膜８を成膜するための蒸着材料は、グレインの（１１１）結晶配向強度が単結晶比で９０％以下、望ましくは８５％以下の多結晶のＭｇＯから成る焼結体ペレットを用いるので、基板上でのエネルギーが大きくなるのでＭｇＯの結晶成長が促進されるようになる。
したがって、この例によっても実施例１と略同様な効果を得ることができる。

図９は、この発明の実施例３であるＰＤＰに適用されたの蒸着材料の熱伝導率（横軸）とプライミング電圧（縦軸）との関係を示す図、図１０は同ＰＤＰの蒸着材料の熱伝導率（横軸）と書き込み電圧（縦軸）との関係を示す図、図１１は同ＰＤＰの蒸着材料の熱伝導率（横軸）とコントラスト比（縦軸）との関係を示す図である。この例の蒸着材料の構成が、上述した実施例１の構成と大きく異なるところは、グレインの熱伝導率に依存したＭｇＯを用いて保護膜を成膜するようにした点である。
この例では、実施例１で図１に示したように透明材料から成る前面基板１及び背面基板２が対向するように配置され、前記両基板１、２間にプラズマを発生させる放電ガス空間３が形成される構成において、保護膜８を成膜するための蒸着材料としては、グレインの熱伝導率に依存したＭｇＯを用いるようにした点に特徴を有している。
ここで、グレインの熱伝導率を略２５℃において０．１８、０．１５及び０．１２al/cm・S・℃に選んだ３種類の多結晶ＭｇＯ焼結体ペレットを蒸着材料として用意した。そして、予め透明誘電体層７まで形成された３種類の基板４が順次に配置された真空チャンバー内で、それぞれの蒸着材料を２００℃に保ってＥＢ蒸着法により、順次に各基板４の内面にそれぞれ膜厚が略１μｍの保護膜８を成膜して前面基板１を完成させることにより、３種類のＰＤＰを製造した。そして、各ＰＤＰについて、ＭｇＯの熱伝導率に対応したプライミング電圧、書き込み電圧及びコントラスト比を測定して、〈表３〉に示したようなデータを得た。

図９〜図１１は、〈表３〉に基づいたプライミング電圧、書き込み電圧及びコントラスト比の各特性図を示す。ここで、グレインの熱伝導率の測定は、レーザフラッシュ法により行った。ＭｇＯペレットはφ５．５ｍｍ×１ｍｍ厚に加工して、略２５℃の環境下でその表面にレーザ光を照射して測定した。また、上述のプライミング電圧、書き込み電圧及びコントラスト比の測定は、図２に示したような駆動波形をＰＤＰに印加して行った。

〈表３〉及び図９から明らかなように、プライミング電圧に関して、従来において一般に用いられていた熱伝導率が０．１８cal/cm・S・℃の蒸着材料を用いて保護膜を成膜したＰＤＰでは相対値として１であったのに対して、熱伝導率が０．１５cal/cm・S・℃の蒸着材料を用いて保護膜を成膜したＰＤＰでは０．９０となり、熱伝導率が０．１２cal/cm・S・℃の蒸着材料を用いて保護膜を成膜したＰＤＰでは０．８２となり、熱伝導率が小さくなるほどプライミング電圧が改善される傾向にあるのが理解される。そして、特に熱伝導率を０．１５及び０．１２cal/cm・S・℃に選んだ例では、熱伝導率を０．１８cal/cm・S・℃に選んだ場合のプライミング電圧に比較してそれぞれ１０％、１８％改善することができ、著しい効果を得ることができた。一方、熱伝導率の下限値は、常識的な範囲で製造可能な範囲で考えると、０．０４cal/cm・S・℃になる。

同様にして、〈表３〉及び図１０から明らかなように、書き込み電圧に関して、従来において一般に用いられていた熱伝導率が０．１８cal/cm・S・℃の蒸着材料を用いて保護膜を成膜したＰＤＰでは相対値として１であったのに対して、熱伝導率が０．１５cal/cm・S・℃の蒸着材料を用いて保護膜を成膜したＰＤＰでは０．９２となり、熱伝導率が０．１２cal/cm・S・℃の蒸着材料を用いて保護膜を成膜したＰＤＰでは０．８９となり、熱伝導率が小さくなるほど書き込み電圧が改善される傾向にあるのが理解される。そして、特に熱伝導率を０．１５及び０．１２cal/cm・S・℃に選んだ例では、熱伝導率を０．１８cal/cm・S・℃に選んだ場合の書き込み電圧に比較してそれぞれ８％、１１％改善することができ、著しい効果を得ることができた。一方、熱伝導率の下限値は、常識的な範囲で製造可能な範囲で考えると、０．０４cal/cm・S・℃になる。

同様にして、〈表３〉及び図１１から明らかなように、コントラスト比に関して、従来において一般に用いられていた熱伝導率０．１８cal/cm・S・℃の蒸着材料を用いて保護膜を成膜したＰＤＰでは相対値として１．００であったのに対して、熱伝導率０．１５cal/cm・S・℃の蒸着材料を用いて保護膜を成膜したＰＤＰでは１．１０となり、熱伝導率０．１２cal/cm・S・℃の蒸着材料を用いて保護膜を成膜したＰＤＰでは１．１９となり、熱伝導率が小さくなるほどコントラスト比が改善される傾向にあるのが理解される。そして、特に熱伝導率を０．１５及び０．１２cal/cm・S・℃に選んだ例では、熱伝導率を０．１８cal/cm・S・℃に選んだ場合のコントラスト比に比較してそれぞれ１０％、１９％改善することができ、著しい効果を得ることができた。一方、熱伝導率の下限値は、常識的な範囲で製造可能な範囲で考えると、０．０４cal/cm・S・℃になる。

上述したように、グレインの熱伝導率が小さくなるのに依存してプライミング電圧、書き込み電圧及びコントラスト比が改善されるのは、以下の理由による。一定のＥＢパワー（電圧×電流）をＭｇＯペレット（ソース）に印加する際に、グレインの熱伝導率が小さいときは、グレイン間の結合エネルギーは小さいために、前述した実施例１の場合と略同様な理由により、グレインの熱伝導率が小さいほど、基板上でのエネルギーが大きくなるので結晶成長が促進されるようになり、気孔が少なく緻密で、結晶性が十分で、より絶縁性の高いＭｇＯから成る保護膜を成膜することができる。
この結果、ＭｇＯ膜の表面に水分等の不純物ガスの付着が低減されるので、ＰＤＰの動作及び製造に不都合が生じなくなる。すなわち、ＰＤＰ内で放電する際の障害が排除され、前述したように、ＰＤＰのプライミング電圧が低くなるのでコントラスト比が高くなり、また高精細パネルでの書き込み時に放電遅れ時間が小さくなるので書き込み電圧が低くなるとともにちらつきが抑えられ、また高い駆動電圧が不要になるので回路構成が比較的簡単になる。

このように、この例のＰＤＰの蒸着材料によれば、透明材料から成る前面基板１及び背面基板２が対向するように配置され、両基板１、２間にプラズマを発生させる放電ガス空間３が形成される構成において、前面基板１の内面に成膜される保護膜８を成膜するための蒸着材料は、グレインの熱伝導率が０．１５cal/cm・S・℃以下、望ましくは０．１３cal/cm・S・℃以下の多結晶のＭｇＯから成る焼結体ペレットを用いるので、基板上でのエネルギーが大きくなるのでＭｇＯの結晶成長が促進されるようになる。
したがって、この例によっても実施例１と略同様な効果を得ることができる。

図１２は、この発明の実施例４であるＰＤＰの製造方法により製造されたＰＤＰの概略構成を示す斜視図、図１３は同ＰＤＰの製造方法を工程順に示す工程図である。この例のＰＤＰの製造方法は、実施例１〜３の蒸着材料を用いて保護膜を成膜する点に特徴を有している。
この例のＰＤＰ７０は、図１２に示すように、前面基板７１と、背面基板７２とが対向するように配置されて、両基板７１、７２間に放電ガス空間７３が形成される基本的な構成を有している。

ここで、前面基板７１は、図１２に示すように、ガラス等の透明材料から成る第１の絶縁基板７４と、第１の絶縁基板７４の内面に水平方向Ｈに沿って平行に形成されたＩＴＯ等の透明電極７５Ａ、７６Ａ及びこれら透明電極７５Ａ、７６Ａの一部にそれぞれ抵抗を小さくするために形成されたＡｌ、Ｃｕ、Ａｇ等から成るバス電極（トレース電極）７５Ｂ、７６Ｂから成る走査電極７５及び維持電極（共通電極）７６と、走査電極７５及び維持電極７６を被覆するＰｂＯのような低融点ガラス等から成る透明誘電体層７７と、透明誘電体層７７を放電から保護するＭｇＯから成る保護膜７８とを備えている。

ここで、保護膜７８は、実施例１〜３の蒸着材料を用いて成膜される。このような保護膜７８は、実施例１〜３で説明したように、グレインの平均粒径が０．５〜３．０μｍである多結晶のＭｇＯから成る焼結体ペレット、グレインの（１１１）結晶配向強度が単結晶比で６５〜９０％である多結晶のＭｇＯから成る焼結体ペレット、あるいはグレインの熱伝導率が０．０９〜０．１５cal/cm・S・℃である多結晶のＭｇＯから成る焼結体ペレット用いて成膜されるので、表面に水分等の不純物ガスの付着が低減される。したがって、前述したようにＰＤＰの動作及び製造上の不都合を解消できる保護膜７８が成膜される。

一方、背面基板７２は、図１２に示すように、ガラス等の透明材料から成る第２の絶縁基板８１と、第２の絶縁基板８１の内面に水平方向Ｈと直交する垂直方向Ｖに沿って形成されたＡｌ、Ｃｕ、Ａｇ等から成るデータ電極（アドレス電極）８３と、データ電極８３を覆う白色誘電体層８４と、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｘｅ等の放電用ガスが単独であるいは混合して充填される上述放電ガス空間７３を確保するとともに、個々の放電セルを区切るために垂直方向Ｖに沿って形成された低融点ガラス等から成る隔壁（リブ）８５と、隔壁８５の底面及び壁面を覆う位置に形成された放電用ガスの放電により発生する紫外線を可視光に変換する赤色蛍光体層、緑色蛍光体層及び青色蛍光体層に塗り分けられた蛍光体層８６とを備えている。

この例のＰＤＰの製造方法は、図１３に示したような製造工程によって製造される。
まず、工程ａにおいて第１の絶縁基板７４としての前面ガラス基板を用意し、次に工程ｂにおいて基板７４の内面にスパッタ法等によりＩＴＯ等を成膜した後フォトリソグラフィ法により所望の形状にパターニングして各透明電極７５Ａ、７６Ａを形成し、次に工程ｃにおいて各透明電極７５Ａ、７６Ａ上にスパッタ法等によりＡｌ等を成膜した後フォトリソグラフィ法により所望の形状にパターニングして、各バス電極７５Ｂ、７６Ｂを形成して走査電極７５及び維持電極７６を完成させる。次に工程ｄにおいて走査電極７５及び維持電極７６を覆うようにスクリーン印刷法等によりＰｂＯ等の透明誘電体層７７を形成し、次に工程ｅにおいてブラックマスク（図１２には図示していない）を形成し、次に工程ｆにおいて実施例１〜３の蒸着材料を用いてＥＢ蒸着法によりＭｇＯから成る保護膜７８を成膜して前面基板７１を完成させる。

一方、工程ｇにおいて第２の絶縁基板８１としての背面ガラス基板を用意し、次に工程ｈにおいて基板８１の内面にスパッタ法等によりＡｌ等を成膜した後フォトリソグラフィ法により所望の形状にパターニングしてデータ電極８３を形成し、次に工程ｉにおいてデータ電極８３を覆うようにスクリーン印刷法等により白色誘電体層８４を形成する。次に工程ｊにおいてデータ電極８３上にスクリーン印刷法等により隔壁８５を形成し、次に工程ｋにおいて白色誘電体層８４及び隔壁８５を覆うように蛍光体層８６を形成し、次に工程ｌにおいてスクリーン印刷法等によりシールフリット（図１２には図示していない）を形成して背面基板面７２を完成させる。

次に工程ｍにおいて、前面基板７１及び背面基板７２を用いて、１００μｍ程度のギャップを隔てて対向した状態で固定して組み立てる。次に工程ｎにおいて、両基板７１、７２の周辺部をシールフリット（封着材）により機密封止する。次に工程ｏにおいて、両基板７１、７２間の空間を排気してガス封入を行う。背面基板７２を構成している第２の絶縁基板８１には適当な個所に通気孔が形成されており、この絶縁基板８１の外側表面には、図１２では省略しているが、通気孔に位置合わせした状態で、通気管が密封状態の下で取り付けられている。背面基板７２に取り付けられている端部とは反対側の通気管の端部は、当初の状態においては開口されており、この端部を介して通気管が排気・ガス充填装置に接続される。

まず、排気・ガス充填装置によって、放電ガス空間が真空に排気された後、放電ガス空間に放電ガスが充填される。放電ガスの充填が終了した後、通気管は過熱によりチップオンされ、開口端部が閉塞される。このようにして、放電ガス空間には放電ガスが充填され、ＰＤＰ７０が完成する。

このように、この例のＰＤＰの製造方法によれば、前面基板７１の内面に実施例１〜３の蒸着材料を用いてＭｇＯから成る保護膜７８を成膜するので、保護膜７８の表面に水分等の不純物ガスの付着が低減されるので、動作が安定なＰＤＰを製造することができる。

図１４は、この発明の実施例５であるプラズマ表示装置の製造方法により製造されたプラズマ表示装置の構成を示すブロック図である。この例のプラズマ表示装置の製造方法は、実施例５により製造されたＰＤＰを用いて構成した点に特徴を有している。
この例のプラズマ表示装置６０は、図１４に示すように、モジュール構造を有するものとして設計されており、具体的には、アナログインタフェース（以下、ＩＦ）２０とＰＤＰモジュール３０とにより構成されている。

アナログＩＦ２０は、図１４に示すように、クロマ・デコータを備えるＹ／Ｃ分離回路２１と、Ａ／Ｄ変換回路２２と、ＰＬＬ回路を備える同期信号制御回路２３と、画像フォーマット変換回路２４と、逆γ（ガンマ）変換回路２５と、システム・コントロール回路２６と、ＰＬＥ制御回路２７とから構成されている。

概略的には、アナログＩＦ２０は、受信したアナログ映像信号をディジタル映像信号に変換した後、そのディジタル映像信号をＰＤＰモジュール３０に供給する。例えばテレビチューナーから発信されたアナログ映像信号はＹ／Ｃ分離回路２１においてＲＧＢの各色の輝度信号に分解された後、Ａ／Ｄ変換回路２２においてディジタル信号に変換される。その後、ＰＤＰモジュール３０の画素構成と映像信号の画素構成が異なる場合には、画像フォーマット変換回路２４において必要な画像フォーマットの変換が行われる。ＰＤＰの入力信号に対する表示輝度の特性は線形的に比例するが、通常の映像信号はＣＲＴの特性に合わせて、予め補正（γ変換）されている。このため、Ａ／Ｄ変換回路２２において映像信号のＡ／Ｄ変換を行った後、逆γ変換回路２５において、映像信号に対して逆γ変換を施し、線形特性に復元されたディジタル映像信号を生成する。このディジタル映像信号はＲＧＢ映像信号としてＰＤＰモジュール３０に出力される。

アナログ映像信号には、Ａ／Ｄ変換用のサンプリングクロック及びデータクロック信号が含まれていないため、同期信号制御回路２３に内蔵されているＰＬＬ回路が、アナログ映像信号と同時に供給される水平同期信号を基準として、サンプリングクロック及びデータクロック信号を生成し、ＰＤＰモジュール３０に出力する。アナログＩＦ２０のＰＬＥ制御回路２７は輝度制御を行う。具体的には、平均輝度レベルが所定値以下である場合には表示輝度を上昇させ、平均輝度レベルが所定値を越える場合には表示輝度を低下させる。

システム・コントロール回路２６は、各種制御信号をＰＤＰモジュール３０に対して出力する。ＰＤＰモジュール３０は、さらに、ディジタル信号処理・制御回路３１と、パネル部３２と、ＤＣ／ＤＣコンバータを内蔵するモジュール内電源回路３３と、から構成されている。ディジタル信号処理・制御回路３１は、入力ＩＦ信号処理回路３４と、フレームメモリ３５と、メモリ制御回路３６と、ドライバ制御回路３７とから構成されている。

例えば、入力ＩＦ信号処理回路３４に入力された映像信号の平均輝度レベルは入力ＩＦ信号処理回路３４内の入力信号平均輝度レベル演算回路（図示せず）により計算され、例えば、５ビットデータとして出力される。また、ＰＬＥ制御回路２７は、平均輝度レベルに応じてＰＬＥ制御データを設定し、入力ＩＦ信号処理回路３４内の輝度レベル制御回路（図示せず）に入力する。

ディジタル信号処理・制御回路３１は、入力ＩＦ信号処理回路３４において、これらの各種信号を処理した後、制御回路をパネル部３２に送信する。同時に、メモリ制御回路３６及びドライバ制御回路３７はメモリ制御信号及びドライバ制御信号をパネル部３２に送信する。

パネル部３２は、第４実施例により製造されたＰＤＰ７０と、走査電極を駆動する走査ドライバ３８と、データ電極を駆動するデータドライバ３９と、ＰＤＰ７０及び走査ドライバ３８にパルス電圧を供給する高圧パルス回路４０と、高圧パルス回路４０からの余剰電力を回収する電力回収回路４１とから構成されている。

ＰＤＰ７０は、例えば１３６５個×７６８個に配列された画素を有するものとして構成されている。ＰＤＰ７０においては、走査ドライバ３８が走査電極を制御し、データドライバ３９がデータ電極を制御することにより、これらの画素のうちの所定の画素の点灯又は非点灯が制御され、所望の表示が行われる。
なお、ロジック用電源がディジタル信号処理・制御回路３１及びパネル部３２にロジック用電力を供給している。さらに、モジュール内電源回路３３は、表示用電源から直流電力を供給され、この直流電力の電圧を所定の電圧に変換した後、パネル部３２に供給している。

以下、この例のプラズマ表示装置６０の製造方法を概略的に説明する。
まず、第４実施例により製造したＰＤＰ７０と、走査ドライバ３８と、データドライバ３９と、高圧パルス回路４０と、電力回収回路４１とを一基板上に配置し、パネル部３２を形成する。さらに、パネル部３２とは別個にディジタル信号処理・制御回路３１を形成する。

このようにして形成されたパネル部３２及びディジタル信号処理・制御回路３１とモジュール内電源回路３３とを一つのモジュールとして組み立て、ＰＤＰモジュール３０を形成する。さらに、ＰＤＰモジュール３０とは別個にアナログＩＦ２０を形成する。
このように、ＰＤＰモジュール３０をアナログＩＦ２０とをそれぞれ別個に形成した後、双方を電気的に接続することにより、図１４に示したプラズマ表示装置６０が完成する。

このように、プラズマ表示装置６０をモジュール化することにより、プラズマ表示装置を構成する他の構成部品とは別個に独立にプラズマ表示装置６０を製造することが可能となり、例えば、プラズマ表示装置６０が故障した場合には、ＰＤＰモジュール３０毎交換することにより、補修の簡素化及び短時間化を図ることができる。

このように、この例のプラズマ表示装置の製造方法によれば、プラズマ表示装置６０をモジュール化することにより、故障したような場合に、ＰＤＰモジュール３０毎交換することができ、補修の簡素化及び短時間化を図ることができる。

以上、この発明の実施例を図面により詳述してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があってもこの発明に含まれる。例えば、実施例ではグレインの平均粒径、（１１１）結晶配向強度及び熱伝導率に依存させる例で説明したが、これに限らずに結晶密度あるいは気孔率に依存させることもできる。この場合、実施例で示したようにグレインの平均粒径が０．５〜３．０μｍの蒸着材料の場合は、粒径がきわめて小さいので結晶成長がしにくくなっている。このことは、結晶同士が反応しにくいのでグレイン間に隙間ができていることを示し、結晶密度が略９０％以上にはなりにくいことを意味している。一方、結晶密度の下限は結晶製造技術により決まるが、現在の技術からは略５０％が限界になっている。したがって、グレインの結晶密度を５０〜９０％に選ぶことにより、実施例で示したのと略同様な効果を得ることができるようになる。また、気孔率はグレイン間の隙間の体積分率を示しているので、結晶密度とは略逆相関の関係にある。この観点から考慮すると、気孔率を５〜５０％に選ぶことにより、実施例で示したのを略同様な効果を得ることができるようになる。

また、実施例ではＭｇＯを蒸着材料として用いて保護膜を成膜する手段としてＥＢ蒸着法を用いる例で説明したが、これに限らずイオンプレーティング法のような他の手段を用いることもできる。また、実施例では蒸着材料としてはＭｇＯを用いる例で説明したが、これに限らずＣａＯ（酸化カルシウム）、ＳｒＯ（酸化ストロンチウム）、ＢａＯ（酸化バリウム）、Ａｌ₂Ｏ₃（酸化アルミニウム）、ＳｉＯ₂（酸化ケイ素）、Ｅｕ₂Ｏ₃（酸化ユウロピウム）、Ｇｄ₂Ｏ₃（酸化ガドリニウム）等の他の酸化物材料、あるいはそれらを複合させたものを用いることもできる。また、これらの酸化物材料に限らずに、ＭｇＦ₂（フッ化マグネシウム）、ＣａＦ₂（フッ化カルシウム）、ＳｒＦ₂（フッ化ストロンチウム）、ＢａＦ₂（フッ化バリウム）、ＡｌＦ₃（フッ化アルミニウム）、ＳｉＦ₄（フッ化ケイ素）、ＥｕＦ₃（フッ化ユウロピウム）、ＧｄＦ₃（フッ化ガドリニウム）等のフッ化物材料、あるいはそれらを複合させたものを用いることもできる。

この発明の実施例１である蒸着材料を用いて製造されＰＤＰの概略構成を示す断面図である。 同ＰＤＰの駆動特性を評価するための駆動波形を示す図である。 同ＰＤＰに適用された蒸着材料のグレイン粒径（横軸）とプライミング電圧（縦軸）との関係を示す図である。 同ＰＤＰに適用された蒸着材料のグレイン粒径（横軸）と書き込み電圧（縦軸）との関係を示す図である。 同ＰＤＰに適用された蒸着材料のグレイン粒径（横軸）とコントラスト比（縦軸）との関係を示す図である。 この発明の実施例２であるＰＤＰに適用された蒸着材料の（１１１）結晶配向強度（横軸）とプライミング電圧（縦軸）との関係を示す図である。 同ＰＤＰの蒸着材料の（１１１）結晶配向強度（横軸）と書き込み電圧（縦軸）との関係を示す図である。 同ＰＤＰの蒸着材料の（１１１）結晶配向強度（横軸）とコントラスト比（縦軸）との関係を示す図である。 この発明の実施例３であるＰＤＰに適用された蒸着材料の熱伝導率（横軸）とプライミング電圧（縦軸）との関係を示す図である。 同ＰＤＰの蒸着材料の熱伝導率（横軸）と書き込み電圧（縦軸）との関係を示す図である。 同ＰＤＰの蒸着材料の熱伝導率（横軸）とコントラスト比（縦軸）との関係を示す図である。 この発明の実施例４であるＰＤＰの製造方法により製造されたＰＤＰの概略構成を示す斜視図である。 同ＰＤＰの製造方法を工程順に示すブロック図である。 この発明の実施例５であるプラズマ表示装置の製造方法により製造されたプラズマ表示装置の構成を示すブロック図である。

符号の説明

１、７１ 前面基板
２、７２ 背面基板
３、７３ 放電ガス空間
４、７４ 第１の絶縁基板
５、７５ 走査電極
６、７６ 維持電極（走査電極）
７、７７ 透明誘電体層
８、７８ 保護膜
１１、８１ 第２の絶縁基板
１２、８３ データ電極（アドレス電極）
１３、８４ 白色誘電体層
１４、８５ 隔壁（リブ）
１５、８６ 蛍光体層
２０ アナログインタフェース（ＩＦ）
３０ プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）モジュール
３１ ディジタル信号処理・制御回路
３２ パネル部
６０ プラズマ表示装置
７０ プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）

Claims (12)

1. プラズマディスプレイパネル用保護膜を電子ビーム蒸着法又はイオンプレーティング法により成膜するための蒸着材料であって、
   前記蒸着材料は、多結晶の酸化物又はフッ化物の焼結体ペレットから成り、該ペレットの平均結晶粒径が３μｍ以下であることを特徴とする蒸着材料。
2. 前記平均結晶粒径が２．８μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の蒸着材料。
3. プラズマディスプレイパネル用保護膜を電子ビーム蒸着法又はイオンプレーティング法により成膜するための蒸着材料であって、
   前記蒸着材料は、（１１１）結晶配向強度が単結晶比で９０％以下である多結晶の酸化物又はフッ化物の焼結体ペレットから成ることを特徴とする蒸着材料。
4. 前記単結晶比が８５％以下であることを特徴とする請求項３記載の蒸着材料。
5. プラズマディスプレイパネル用保護膜を電子ビーム蒸着法又はイオンプレーティング法により成膜するための蒸着材料であって、
   前記蒸着材料は、熱伝導率が略２５℃において０．１５cal/cm・S・℃以下であることを特徴とする蒸着材料。
6. 前記熱伝導率が０．１３cal/cm・S・℃以下である多結晶の酸化物材料、又はフッ化物材料を用いることを特徴とする請求項５記載の蒸着材料。
7. 前記酸化物材料又は前記フッ化物材料は、密度が単結晶比で５０〜９０％であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１に記載の蒸着材料。
8. 前記酸化物材料又は前記フッ化物材料は、気孔率が５〜５０％であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１に記載の蒸着材料。
9. 前記酸化物材料は、少なくともＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ｅｕ₂Ｏ₃又はＧｄ₂Ｏ₃、あるいはこれらの複合されたものから成ることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１に記載の蒸着材料。
10. 前記フッ化物材料は、少なくともＭｇＦ₂、ＣａＦ₂、ＳｒＦ₂、ＢａＦ₂、ＡｌＦ₃、ＳｉＦ₄、ＥｕＦ₃又はＧｄＦ₃、あるいはこれらの複合されたものから成ることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１に記載の蒸着材料。
11. 請求項１乃至１０のいずれか１に記載の蒸着材料を、電子ビーム蒸着法あるいはイオンプレーティング法により形成することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
12. プラズマディスプレイパネルを製造する第１の工程と、
    前記プラズマディスプレイパネルを駆動する回路とともに前記プラズマディスプレイパネルを一つのモジュールとして製造する第２の工程と、
    画像信号のフォマット変換を行い、前記モジュールに送信するインタフェースを前記モジュールに電気的に接続する第３の工程と、
    を備えるプラズマ表示装置の製造方法であって、
    前記第１の工程は、請求項１１記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法を実施することを特徴とするプラズマ表示装置の製造方法。

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