JP2005017343A

JP2005017343A - 音響光学素子

Info

Publication number: JP2005017343A
Application number: JP2003177967A
Authority: JP
Inventors: Kimihiko Shibuya; 公彦渋谷; Sumi Nishiyama; 寿美西山; Yoshiaki Ishimura; 吉章石村; Hiroyuki Takeuchi; 宏之竹内
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2003-06-23
Filing date: 2003-06-23
Publication date: 2005-01-20
Also published as: US7054055B2; EP1500966A3; EP1500966A2; US20040257636A1

Abstract

【課題】音響光学媒体の表面を漏洩伝播する不要超音波の影響を抑制し、消光比の高い音響光学素子を提供することを目的とする。
【解決手段】音響光学媒体１１とこの音響光学媒体１１に接合したトランスデューサ１２とを備え、音響光学媒体１１の表面に漏洩伝播する不要な超音波を抑制する手段としてトランスデューサ１２に溝１６を形成したという構成であり、これにより、トランスデューサ１２の振動によって誘起され音響光学媒体１１の表面に漏洩される超音波を抑制し、かつ一部漏洩された超音波がトランスデューサ１２に帰還することを抑制して、不要超音波の影響が小さく、消光比の高い音響光学素子となる。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザを用いて画像および文字を出力する光学装置等に用いられる音響光学素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の音響光学素子は、図１１に示すように、音響光学媒体１１１に圧電特性を有するトランスデューサ１１２を設けた構成であり、このトランスデューサ１１２に電気信号を印加するための電極１１３，１１４を設けた構成である。そして、トランスデューサ１１２と対向する面１１５は、音響光学媒体１１１内を伝播し対向する面１１５で反射された超音波とトランスデューサ１１２で新たに生成された超音波の干渉を抑制する目的で、θ１、θ２の二次元に傾斜されている。
【０００３】
以上のように構成された音響光学素子について、図１２を用いてその動作を説明する。高周波電源１２５からの電気信号は、リード線１２３，１２４を介して電極１１３，１１４に印加され、トランスデューサ１１２を励振する。励振された振動は音響光学媒体１１１に超音波束１１６として放射され、音響光学媒体１１１の内部を超音波束１１６の波長の周期で疎密状態となすことにより、音響光学媒体１１１に回折格子の状態を形成する。ここで、光入射面１１７に適当な方向から入射光１１８を入射すると、回折光１１９を得ることができる。一方、高周波電源１２５からの電気信号を切断すると、トランスデューサ１１２からの超音波束１１６が消失して回折光１１９が消光し透過光１２０となる。このようにして回折光１１９または透過光１２０を取り出すようにすれば入射光１１８の変調が可能になる。
【０００４】
なお、上記のような音響光学素子に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【０００５】
【特許文献１】
特開平６−３４７８４０号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような従来の音響光学素子においては、高周波電源１２５からの電気信号を切断しトランスデューサ１１２からの超音波束１１６が消失した場合にも、回折光が僅かに現れる。これは、音響光学媒体１１１の表面を伝播する表面漏洩モードの超音波が、再びトランスデューサ１１２に帰還し、トランスデューサ１１２を励振し、この励振により音響光学媒体１１１に送出される不要超音波により、入射光が回折されるためである。
【０００７】
そして、電気信号を印加した場合の回折光１１９の強度をＰ１とし、上記の電気信号を切断した場合の不要超音波による回折光の強度をＰ２とした時、Ｐ２のＰ１に対する比の対数の１０倍値１０ｌｏｇ（Ｐ２／Ｐ１）は、消光比と呼ばれ、回折光をＯＮ／ＯＦＦ制御あるいは回折光の強度を階調させる音響光学素子として、その性能を表す重要なパラメータである。
【０００８】
特に、近年の精細な描画をする光学装置に用いられる音響光学素子においては、上記の不要超音波による消光比の低下が、画質の低下を生じさせるという課題を有している。
【０００９】
そこで本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたもので、不要超音波の影響を小さくし、制御用の電気信号に従い入射光を確実に回折し、回折光の強度が精度良く制御ができる消光比の高い音響光学素子を提供することを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有するものである。
【００１１】
本発明の請求項１に記載の発明は、音響光学媒体とこの音響光学媒体に接合したトランスデューサとを備え、前記音響光学媒体または前記トランスデューサに、前記音響光学媒体の表面に漏洩伝播する不要な超音波を抑制する手段を設けたという構成であり、これにより、不要超音波の影響が小さく、制御用の電気信号に従い入射光を確実に回折でき、回折光の強度が精度良く制御ができる消光比の高い音響光学素子となる。
【００１２】
本発明の請求項２に記載の発明は、特に、不要な超音波を抑制する手段としてトランスデューサに溝を形成したという構成であり、これにより、トランスデューサの振動によって誘起され音響光学媒体の表面に漏洩される超音波を抑制し、かつ一部漏洩された超音波がトランスデューサに帰還することを抑制して、不要超音波の影響が小さく、消光比の高い音響光学素子となる。
【００１３】
本発明の請求項３に記載の発明は、特に、不要な超音波を抑制する手段として音響光学媒体の少なくとも一つの面に溝を形成したという構成であり、これにより、トランスデューサの振動によって誘起され音響光学媒体の表面に漏洩される超音波の伝播を抑制して、不要超音波の影響が小さく、消光比の高い音響光学素子となる。
【００１４】
本発明の請求項４に記載の発明は、特に、不要な超音波を抑制する手段として、トランスデューサまたは音響光学媒体の前記トランスデューサが接合された面と対向する面に弾性を有する樹脂を形成したという構成であり、これにより、トランスデューサの振動によって誘起され音響光学媒体の表面に漏洩される超音波を抑制し、かつ一部漏洩された超音波がトランスデューサに帰還することを抑制して、不要超音波の影響が小さく、消光比の高い音響光学素子となる。
【００１５】
本発明の請求項５に記載の発明は、特に、弾性を有する樹脂としてシリコーン樹脂またはシリコーン系化合物を含有する樹脂を用いるものであり、これにより、音響光学媒体中に放出される超音波への影響がなく、音響光学媒体の表面に漏洩される超音波を抑制して、不要超音波の影響が小さく、消光比の高い音響光学素子となる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
以下、実施の形態１を用いて、本発明の特に請求項１および請求項２に記載の発明について説明する。
【００１７】
図１は本発明の実施の形態１における音響光学素子の斜視図である。
【００１８】
図１に示すように、本実施の形態１における音響光学素子は、音響光学媒体１１に、トランスデューサ１２を接合して設けるとともに、このトランスデューサ１２には溝１６を設けている。音響光学媒体１１は、光の透過波長特性の広さと音響光学性能指数の高さから二酸化テルルを用いている。そして、この音響光学媒体１１中に縦波振動を誘起するために、音響光学媒体１１の００１面にニオブ酸リチウムの３６°Ｙ板からなるトランスデューサ１２を接合して設け、トランスデューサ１２には制御用の電気信号を印加するため電極１３および１４を形成している。また、溝１６は、トランスデューサ１２の振動によって誘起され音響光学媒体１１の表面に漏洩伝播する不要な超音波を抑制し、かつ一部漏洩された不要な超音波がトランスデューサ１２に帰還することを抑制する手段として設けたものである。
【００１９】
以下、図２および図３を用い、本実施の形態１における音響光学素子について、その製造方法とともに詳細に説明する。
【００２０】
図２は、本実施の形態１における音響光学素子の断面図であり、音響光学媒体１１とトランスデューサ１２との接合状態を示す。
【００２１】
図２に示すように、音響光学媒体１１とトランスデューサ１２との接合部は、音響光学媒体１１に約１，０００Åのニッケル／クロムの合金層２７および約５，０００Åのスズ層２９を蒸着して設け、また、トランスデューサ１２に約１，０００Åのニッケル／クロムの合金層２８および約５，０００Åのスズ層２９を蒸着して設け、これらそれぞれのスズ層２９双方を当接し、加熱加圧して金属接合した構成としている。このように金属接合することにより、音響光学媒体１１とトランスデューサ１２との音響インピーダンスを整合させることができ、トランスデューサ１２で励振された超音波を効率的に音響光学媒体１１に送出、伝播させることができる。
【００２２】
また、トランスデューサ１２は、制御用の電気信号を効率よく超音波誘起し伝達するように制御信号の周波数で共振する厚みに調整している。たとえば、２００ＭＨｚの搬送波を有する制御信号を用いる場合、トランスデューサ１２の厚みを概ね１８μｍとしている。この厚みは、トランスデューサ１２が音響光学媒体１１に接合された状態で研磨加工を施し、電気的な周波数応答を確認しながら研磨し調整する。そして、周波数を調整されたトランスデューサ１２の上面に、制御用の電気信号を印加するため電極１３および１４を蒸着により形成する。
【００２３】
なお、図１および図２に示す本実施の形態１における音響光学素子を得るには、通常、音響光学素子が多数個得られるように、製造工程においてはブロック状で処理される。そのブロックの斜視図を図３に示す。
【００２４】
上記のようにして、音響光学媒体１１にトランスデューサ１２を接合して設け、電極１３および１４を形成したブロックを得る。次に、図３に示すように、ダイシングマシンを用いて、トランスデューサ１２に幅１０μｍの溝１６を音響光学媒体１１との接合面まで至る深さに形成する。
【００２５】
次に、個片の音響光学素子とするために、上記のブロックを図３に示す破線部３０で切断する。切断は、作業効率を考慮し、多数個を一度に切断可能なワイヤーソーを用いて行う。切断後、音響光学媒体１１のトランスデューサ１２と対向する面１５を、θ１、θ２の二次元の傾斜を有するように研磨加工を施す。音響光学媒体１１のトランスデューサ１２と対向する面１５を二次元に傾斜させることにより、音響光学媒体１１内を伝播し対向する面１５で反射された超音波とトランスデューサ１２で新たに生成された超音波との干渉を抑制することができる。以上のようにして、図１に示す本実施の形態１における音響光学素子の完成品を得る。
【００２６】
続いて、上記で作製した本実施の形態１の音響光学素子について、その特性を評価した。特性は、トランスデューサ１２に電気信号を印加した場合の回折光の強度Ｐ１と、電気信号を切断した場合の不要超音波による回折光の強度Ｐ２とを測定し、消光比すなわち１０ｌｏｇ（Ｐ２／Ｐ１）を求め評価した。
【００２７】
特性評価は、図４に示す装置により行った。図４の装置は、フレーム２１に、音響光学素子２０、インピーダンス整合素子であるコイル２３とトリマコンデンサ２４を有するインピーダンス整合部２２、および高周波電源２５を搭載した構成であり、高周波電源２５は、インピーダンス整合部２２およびリード線３３，３４および３５を介して、音響光学素子２０のトランスデューサ１２の電極に電気的に接続した構成としている。そして、高周波電源２５から電気信号を印加した場合は、トランスデューサ１２により励振された振動が音響光学媒体１１に超音波束として放射され、音響光学媒体１１の内部を超音波束の波長の周期で疎密状態となすことにより、音響光学媒体１１に回折格子の状態を形成する。ここで、音響光学素子２０の光入射面に適当な方向から入射光３１を入射すると、回折光３２を得ることができる。一方、高周波電源２５からの電気信号を切断すると、トランスデューサ１２からの超音波束が消失して回折光３２がほとんど消光し透過光となる。
【００２８】
そして、上記の装置により、波長４８８ｎｍ、出力５ｍＷのレーザを入射光源とし、高周波電源２５をＯＮにしてトランスデューサ１２に電気信号を印加した場合の回折光の強度Ｐ１と、高周波電源２５をＯＦＦにして電気信号を切断した場合の不要超音波による回折光の強度Ｐ２とを測定し、消光比すなわち１０ｌｏｇ（Ｐ２／Ｐ１）を求めることにより評価した。また、比較のために、トランスデューサ１２に溝１６を設けない従来の音響光学素子についても評価した。
【００２９】
評価結果は以下のようであった。本実施の形態１の音響光学素子は、トランスデューサ１２に電気信号を印加した場合の回折光の強度Ｐ１が４．５ｍＷで、電気信号を切断した場合の不要超音波による回折光の強度Ｐ２が４．０μＷであり、消光比１０ｌｏｇ（Ｐ２／Ｐ１）は−３０．５ｄＢであった。一方、溝１６を設けない従来の音響光学素子は、トランスデューサ１２に電気信号を印加した場合の回折光の強度Ｐ１が４．５ｍＷで、電気信号を切断した場合の不要超音波による回折光の強度Ｐ２が１１．０μＷであり、消光比１０ｌｏｇ（Ｐ２／Ｐ１）は−２６．１ｄＢであった。
【００３０】
また、電気信号を切断した場合の不要超音波による回折光の強度Ｐ２を評価した結果を、図５および図６に示す。図５は本実施の形態１の音響光学素子を評価したデータであり、図６は溝を設けない従来の音響光学素子を評価したデータである。
【００３１】
図６に示すように、従来の音響光学素子では、高周波電源からの電気信号を切断しトランスデューサからの超音波束が消失した場合にも、回折光が現れる（図中の点線で囲んだ部分）。これは、音響光学媒体の表面を伝播する表面漏洩モードの超音波が、再びトランスデューサに帰還し、トランスデューサを励振し、この励振により音響光学媒体に送出された不要超音波により入射光が回折されるためであると考えられる。
【００３２】
一方、図５に示すように、本実施の形態１の音響光学素子では、高周波電源からの電気信号を切断した場合には、図６の点線で囲んだ部分に相当する回折光の応答波形が見られない。これにより、本実施の形態１の音響光学素子は、不要超音波の影響を大幅に抑制できていることが確認できた。
【００３３】
上記のように、本実施の形態１では、音響光学素子のトランスデューサに溝を形成して設けることにより、不要超音波の影響が小さく、制御用の電気信号に従い入射光を確実に回折でき、回折光の強度が精度良く制御ができる消光比の高い音響光学素子が得られた。
【００３４】
（実施の形態２）
以下、実施の形態２を用いて、本発明の特に請求項１および請求項３に記載の発明について説明する。
【００３５】
図７は本発明の実施の形態２における音響光学素子の斜視図である。
【００３６】
図７に示すように、本実施の形態２が上記実施の形態１と異なる点は、不要な超音波を抑制するために設けた溝２６の形成位置であり、本実施の形態２における音響光学素子は、音響光学媒体１１に、トランスデューサ１２を接合して設けるとともに、音響光学媒体１１のトランスデューサ１２が接合された面と回折させる入射光を入射する面１７の双方に接する面１８に、溝２６を設けている。
【００３７】
本実施の形態２における音響光学素子は、以下の方法により作製する。まず、上記実施の形態１と同様の方法により、音響光学媒体１１にトランスデューサ１２を接合し、電極１３および１４を形成したブロックを得る。次に、このブロックを切断し個片とする。この個片の切断面すなわちトランスデューサ１２が接合された面と入射光を入射する面１７の双方に接する面１８に、ダイシングマシンを用いて、幅１０μｍ深さ５μｍの溝２６を複数形成する。次に、音響光学媒体１１のトランスデューサ１２と対向する面１５を、二次元の傾斜を有するように研磨加工を施し、図７に示す本実施の形態２における音響光学素子の完成品を得る。
【００３８】
続いて、上記で作製した本実施の形態２の音響光学素子について、その特性を評価した。特性評価は、上記実施の形態１と同様にして行った。
【００３９】
評価結果は以下のようであった。本実施の形態２の音響光学素子は、トランスデューサ１２に電気信号を印加した場合の回折光の強度Ｐ１が４．５ｍＷで、電気信号を切断した場合の不要超音波による回折光の強度Ｐ２が５．５μＷであり、消光比１０ｌｏｇ（Ｐ２／Ｐ１）は−２９．１ｄＢであった。
【００４０】
また、電気信号を切断した場合の不要超音波による回折光の強度Ｐ２を評価した結果は、図５に示した上記実施の形態１の音響光学素子を評価したデータと同様に、高周波電源からの電気信号を切断した場合には、図６の点線で囲んだ部分に相当する回折光の応答波形がほとんど見られず、本実施の形態２の音響光学素子も、不要超音波の影響を大幅に抑制できていることが確認できた。
【００４１】
（実施の形態３）
以下、実施の形態３を用いて、本発明の特に請求項１および請求項３に記載の発明について説明する。
【００４２】
図８は本発明の実施の形態３における音響光学素子の斜視図である。
【００４３】
図８に示すように、本実施の形態３が上記実施の形態１および２と異なる点は、不要な超音波を抑制するために設けた溝３６の形成位置であり、本実施の形態３における音響光学素子は、音響光学媒体１１に、トランスデューサ１２を接合して設けるとともに、音響光学媒体１１のトランスデューサ１２が接合された面と対向する面１５に、溝３６を設けている。
【００４４】
本実施の形態３における音響光学素子は、以下の方法により作製する。まず、上記実施の形態１と同様の方法により、音響光学媒体１１にトランスデューサ１２を接合し、電極１３および１４を形成したブロックを得る。次に、このブロックを切断し個片とする。この個片の音響光学媒体１１のトランスデューサ１２と対向する面１５を、二次元の傾斜を有するように研磨加工を施す。次に、この対向する面１５に、ダイシングマシンを用いて、幅１０μｍ深さ５μｍの溝３６を複数形成し、図８に示す本実施の形態３における音響光学素子の完成品を得る。
【００４５】
続いて、上記で作製した本実施の形態３の音響光学素子について、その特性を評価した。特性評価は、上記実施の形態１と同様にして行った。
【００４６】
評価結果は以下のようであった。本実施の形態３の音響光学素子は、トランスデューサ１２に電気信号を印加した場合の回折光の強度Ｐ１が４．５ｍＷで、電気信号を切断した場合の不要超音波による回折光の強度Ｐ２が７．８μＷであり、消光比１０ｌｏｇ（Ｐ２／Ｐ１）は−２７．６ｄＢであった。
【００４７】
また、電気信号を切断した場合の不要超音波による回折光の強度Ｐ２を評価した結果は、図５に示した上記実施の形態１の音響光学素子を評価したデータと同様に、高周波電源からの電気信号を切断した場合には、図６の点線で囲んだ部分に相当する回折光の応答波形がほとんど見られず、本実施の形態３の音響光学素子も、不要超音波の影響を大幅に抑制できていることが確認できた。
【００４８】
（実施の形態４）
以下、実施の形態４を用いて、本発明の特に請求項１および請求項３に記載の発明について説明する。
【００４９】
図９は本発明の実施の形態４における音響光学素子の斜視図である。
【００５０】
図９に示すように、本実施の形態４が上記実施の形態１，２および３と異なる点は、不要な超音波を抑制するために設けた溝４６の形成位置であり、本実施の形態４における音響光学素子は、音響光学媒体１１に、トランスデューサ１２を接合して設けるとともに、音響光学媒体１１の入射光を入射する面１７に、溝４６を設けている。
【００５１】
本実施の形態３における音響光学素子は、以下の方法により作製する。まず、上記実施の形態１と同様の方法により、音響光学媒体１１にトランスデューサ１２を接合し、電極１３および１４を形成したブロックを得る。次に、このブロックの音響光学媒体１１の入射光を入射する面１７に、ダイシングマシンを用いて、幅１０μｍ深さ５μｍの溝４６を複数形成する。次に、このブロックを切断し個片とする。この個片の音響光学媒体１１のトランスデューサ１２と対向する面１５を、二次元の傾斜を有するように研磨加工を施し、図９に示す本実施の形態４における音響光学素子の完成品を得る。
【００５２】
続いて、上記で作製した本実施の形態４の音響光学素子について、その特性を評価した。特性評価は、上記実施の形態１と同様にして行った。
【００５３】
評価結果は以下のようであった。本実施の形態４の音響光学素子は、トランスデューサ１２に電気信号を印加した場合の回折光の強度Ｐ１が４．５ｍＷで、電気信号を切断した場合の不要超音波による回折光の強度Ｐ２が７．５μＷであり、消光比１０ｌｏｇ（Ｐ２／Ｐ１）は−２７．８ｄＢであった。
【００５４】
また、電気信号を切断した場合の不要超音波による回折光の強度Ｐ２を評価した結果は、図５に示した上記実施の形態１の音響光学素子を評価したデータと同様に、高周波電源からの電気信号を切断した場合には、図６の点線で囲んだ部分に相当する回折光の応答波形がほとんど見られず、本実施の形態４の音響光学素子も、不要超音波の影響を大幅に抑制できていることが確認できた。
【００５５】
（実施の形態５）
以下、実施の形態５を用いて、本発明の特に請求項１、請求項４および請求項５に記載の発明について説明する。
【００５６】
図１０は本発明の実施の形態５における音響光学素子の斜視図である。
【００５７】
図１０に示すように、本実施の形態５における音響光学素子は、音響光学媒体１１に、トランスデューサ１２を接合して設けるとともに、トランスデューサ１２および音響光学媒体１１のトランスデューサ１２が接合された面と対向する面１５に弾性を有する樹脂５１を塗布して設けている。この弾性を有する樹脂５１は、音響光学媒体１１の表面に漏洩伝播する不要な超音波を抑制する手段として設けたものである。
【００５８】
本実施の形態５における音響光学素子は、以下の方法により作製する。まず、上記実施の形態１と同様の方法により、音響光学媒体１１にトランスデューサ１２を接合し、電極１３および１４を形成したブロックを得る。次に、このブロックを切断し個片とする。この個片の音響光学媒体１１のトランスデューサ１２と対向する面１５を、二次元の傾斜を有するように研磨加工を施す。次に、トランスデューサ１２の電極１３および１４にリード線５３および５４を接続した後、トランスデューサ１２および音響光学媒体１１のトランスデューサ１２が接合された面と対向する面１５に、シリコーン変性の常温硬化エポキシ樹脂を塗布硬化し、弾性を有する樹脂５１を形成して、図１０に示す本実施の形態５における音響光学素子の完成品を得る。
【００５９】
続いて、上記で作製した本実施の形態５の音響光学素子について、その特性を評価した。特性評価は、上記実施の形態１と同様にして行った。
【００６０】
評価結果は以下のようであった。本実施の形態５の音響光学素子は、トランスデューサ１２に電気信号を印加した場合の回折光の強度Ｐ１が４．５ｍＷで、電気信号を切断した場合の不要超音波による回折光の強度Ｐ２が６．９μＷであり、消光比１０ｌｏｇ（Ｐ２／Ｐ１）は−２８．１ｄＢであった。
【００６１】
また、電気信号を切断した場合の不要超音波による回折光の強度Ｐ２を評価した結果は、図５に示した上記実施の形態１の音響光学素子を評価したデータと同様に、高周波電源からの電気信号を切断した場合には、図６の点線で囲んだ部分に相当する回折光の応答波形がほとんど見られず、本実施の形態５の音響光学素子も、不要超音波の影響を大幅に抑制できていることが確認できた。
【００６２】
なお、上記実施の形態５においては、弾性を有する樹脂５１はトランスデューサ１２および対向する面１５の双方に設けたが、これは、不要な超音波の抑制効果を最大にするためであり、トランスデューサ１２または対向する面１５のいずれか一方に弾性を有する樹脂５１を設けた場合でも、不要な超音波を抑制することができる。
【００６３】
【発明の効果】
以上のように本発明は、音響光学媒体とこの音響光学媒体に接合したトランスデューサとを備え、前記音響光学媒体または前記トランスデューサに、前記音響光学媒体の表面に漏洩伝播する不要な超音波を抑制する手段を設けた音響光学素子であり、不要超音波の影響が小さく、制御用の電気信号に従い入射光を確実に回折でき、回折光の強度が精度良く制御ができる消光比の高い音響光学素子となるという効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１における音響光学素子の斜視図
【図２】同音響光学素子の断面図
【図３】同音響光学素子の製造工程におけるブロックの斜視図
【図４】本発明の実施の形態１における特性評価装置の斜視図
【図５】本発明の実施の形態１における音響光学素子の特性を示す図
【図６】従来の音響光学素子の特性を示す図
【図７】本発明の実施の形態２における音響光学素子の斜視図
【図８】本発明の実施の形態３における音響光学素子の斜視図
【図９】本発明の実施の形態４における音響光学素子の斜視図
【図１０】本発明の実施の形態５における音響光学素子の斜視図
【図１１】従来の音響光学素子の斜視図
【図１２】音響光学素子の機能動作の説明図
【符号の説明】
１１音響光学媒体
１２トランスデューサ
１３，１４電極
１５トランスデューサと対向する面
１６，２６，３６，４６溝
１７入射光の入射面
１８トランスデューサと入射面の双方に接する面
２０音響光学素子
２１フレーム
２２インピーダンス整合部
２３コイル
２４トリマコンデンサ
２５高周波電源
２７，２８ニッケル／クロムの合金層
２９スズ層
３１入射光
３２回折光
３３，３４，３５，５３，５４リード線
５１樹脂

Claims

音響光学媒体とこの音響光学媒体に接合したトランスデューサとを備え、前記音響光学媒体または前記トランスデューサに、前記音響光学媒体の表面に漏洩伝播する不要な超音波を抑制する手段を設けた音響光学素子。
不要な超音波を抑制する手段としてトランスデューサに溝を形成した請求項１に記載の音響光学素子。
不要な超音波を抑制する手段として音響光学媒体の少なくとも一つの面に溝を形成した請求項１に記載の音響光学素子。
不要な超音波を抑制する手段として、トランスデューサまたは音響光学媒体の前記トランスデューサが接合された面と対向する面に弾性を有する樹脂を形成した請求項１に記載の音響光学素子。
弾性を有する樹脂はシリコーン樹脂またはシリコーン系化合物を含有する樹脂である請求項４に記載の音響光学素子。