JP2005015682A

JP2005015682A - Ｂ型チタニルフタロシアニン結晶の製造方法と感光性顔料及び電子写真感光体

Info

Publication number: JP2005015682A
Application number: JP2003184448A
Authority: JP
Inventors: Kazumasa Watanabe; 一雅渡邉; Shingo Fujimoto; 信吾藤本; Kenichi Kitahara; 賢一北原
Original assignee: Konica Minolta Business Technologies Inc
Current assignee: Konica Minolta Business Technologies Inc
Priority date: 2003-06-27
Filing date: 2003-06-27
Publication date: 2005-01-20

Abstract

【課題】安定して純度が高いＢ型となるチタニルフタロシアニン結晶の製造方法とそれを適用した感光性顔料及び電子写真感光体を提供することにある。
【解決手段】分枝ケトン系溶媒の存在下、アモルファスチタニルフタロシアニンを処理することを特徴とするＢ型チタニルフタロシアニン結晶の製造方法。
【選択図】なし

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、Ｂ型チタニルフタロシアニン結晶の製造方法とそれにより造られた感光性顔料及び該感光性顔料を用いた電子写真感光体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年電子機器の発達に伴い、高機能化に加え、高速化・省エネルギー化への要求が強く、光源を半導体レーザーやＬＥＤにしたプリンターの需要は高まり、複写機もデジタル化されてきている。そのため、電子写真感光体に利用される感光性顔料（最近はほとんど有機顔料）としては、光源にマッチングした感光波長を有し、耐久性が高く、電位特性が使用時の温湿度環境に影響されず、かつ、高感度をなものが求められている。
【０００３】
そこで近赤外領域に高感度を有する感光性顔料としてフタロシアニン類が注目されている。中でもチタニルフタロシアニンはいろいろな結晶型があり、それらは性能も異なるため多くの研究がなされており、高感度を有する結晶型として高い方からＹ型、Ｂ型、Ａ型とよばれる３種があることが報告されている（非特許文献１）。
【０００４】
このうちＹ型結晶は最も高い感度を有するものであるが、高湿度では感度の変動があり、また準安定結晶であるがゆえに、他の結晶型に比して製造時の分散溶媒に制限があった。また、均一な塗布膜を得ようとして分散を強めると性能を損なうなど、扱い難いという問題があった。
【０００５】
その点Ｂ型（Ｘ線回折スペクトル；ブラッグ角２θ ７．６、２２．６、２４．５、２５．４、２８．７度（°）にピークを有する。図１参照）は、感度こそＹ型には劣るが感度の湿度変動もなく安定結晶であるがゆえに分散溶媒に左右されにくく、分散シェアを強められるなどの利点があり、今でも強い需要がある。この点では、Ａ型（図２参照）も同様に安定結晶で分散時に結晶型が変わる心配は少ないが感度でＢ型より相当に劣る特性しか有していない。
【０００６】
Ｂ型（別名α型）チタニルフタロシアニンは既に昭和６１年に発表され（特開昭６１−２３９２４８号公報）、平成７年にはその改良された合成方法が報告されている（特許文献１）。しかしながら、報告された合成方法はフタロニトリルと四塩化チタンからジクロルフタロシアニンを得、これをアンモニア水あるいはピリジンで加水分解して目的物を得る方法である。この方法は、原料コストは安価ではあるが高温度で酸が発生するため高温に耐えるガラスライニング釜といった高価な生産装置が必要となる他、微量の塩素化されたチタニルフタロシアニンの副生（元素分析値で塩素が０．２〜０．６％）が防げないといった欠点があり、これが電子写真素材としての性能をばらつかせる結果を招いていた。
【０００７】
Ｂ型チタニルフタロシアニン結晶が、塩素化された不純物を含み得ない合成方法としてジイミノイソインドリンとアルコキシチタンを用いる方法（非特許文献２）或いはフタロニトリルと尿素とアルコキシチタンから得る方法が提案されている（非特許文献３）。これらの合成方法は高純度なチタニルフタロシアニンを与える優れた合成法であるが、光感度が落ちるがより安定なＡ型チタニルフタロシアニン（Ｘ線回折スペクトル；ブラッグ角２θ ９．３、１０．６、１３．２、１５．１、２０．８、２６．３度にピークを有する。図２参照）が混じりやすく、安定して高感度なＢ型を得ることが出来なかった。
【０００８】
【特許文献１】
特開平７−９２６９９号公報
【０００９】
【非特許文献１】
コニカテクニカルレポートＶｏｌ１３，１０８（１９９０）
【００１０】
【非特許文献２】
Ｈａｒｄｃｏｐｙ’８９論文集１０３、木下ら（１９８９）
【００１１】
【非特許文献３】
Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊａｐａｎ．，６８，１００１−１０
０５（１９９５）
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、安定して純度が高いＢ型となるチタニルフタロシアニン結晶の製造方法とそれを適用した感光性顔料及び電子写真感光体を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
発明者らは鋭意検討した結果、アモルファス化したチタニルフタロシアニンをメチルイソプロピルケトン、メチルイソブチルケトンなどの分枝した構造を有するケトン系の溶媒で処理することで、安定してＢ型結晶が得られることがわかった。
【００１４】
即ち、本発明の目的は、下記構成を採ることにより達成される。
〔１〕分枝ケトン系溶媒の存在下、アモルファスチタニルフタロシアニンを処理することを特徴とするＢ型チタニルフタロシアニン結晶の製造方法。
【００１５】
〔２〕前記アモルファスチタニルフタロシアニンがアシッドペースト処理を経て得られることを特徴とする〔１〕記載のＢ型チタニルフタロシアニン結晶の製造方法。
【００１６】
〔３〕前記アモルファスチタニルフタロシアニンがアシッドペースト処理後、さらに凍結処理を経てから乾燥されることを特徴とする〔１〕記載のＢ型チタニルフタロシアニン結晶の製造方法。
【００１７】
〔４〕前記アモルファスチタニルフタロシアニンがアルコキシチタンを原料として合成されることを特徴とする〔１〕〜〔３〕のいずれか１項記載のＢ型チタニルフタロシアニン結晶の製造方法。
【００１８】
〔５〕〔１〕〜〔４〕のいずれか１項記載のＢ型チタニルフタロシアニン結晶の製造方法で製造されたことを特徴とする感光性顔料。
【００１９】
〔６〕〔５〕記載の感光性顔料を含むことを特徴とする電子写真感光体。
本発明における「分枝ケトン系溶媒の存在下、アモルファスチタニルフタロシアニンを処理する」とは、アモルファスチタニルフタロシアニンを上記溶媒を用いて、溶解及び／又は分散して、再析出させ結晶型等を変えることをいう。
【００２０】
方法としては、単に上記フタロシアニンを溶媒に懸濁撹拌してもよく、あるいは更にサンドグラインダーやボールミルにより機械的なシェアをかけてもよい。
【００２１】
上記フタロシアニンと上記溶媒の処理時の比率は、特に限定はなく、通常は１／１〜１／４０（質量／容積）が用いられているが、特に単に撹拌するだけの場合は、１／１０〜１／２０（質量／容積）が好ましい。
【００２２】
処理の温度は室温からその溶媒の沸点まで幅広く選択することができる。また、処理をした後のＢ型結晶の取り出しには、特に限定はなく濾過、溶媒の蒸発乾固など様々な手段を用いることが出来る。通常はスラリーで得られるため濾過取り出しのため貧溶媒を加えて凝集させてもよい。なお、貧溶媒とは用いた溶媒と混和はするが、溶質の溶解力は低い溶媒のことであり、本発明においてはメタノール、エタノール、ヘキサン、ヘプタン、ケースによっては水等を挙げることが出来る。
【００２３】
本発明におけるアモルファスとは厳密な意味ではなく、結晶化度が低いという意味である。例えば顔料等を硫酸に溶かして水に注ぐいわゆるアシッドペースト処理（ＡＰ処理）で得られるアモルファス（無定形）チタニルフタロシアニンは厳密には結晶化度の低いＢ型である。このほかチタニルフタロシアニンをアモルファス化するには機械的に強いシェアをかける方法もあるが、これらにより得られたチタニルフタロシアニンは、いずれも本発明におけるアモルファスチタニルフタロシアニンといえる。
【００２４】
化合物純度の面からは、本発明の「処理」の前に、ＡＰ処理を経るのが酸に溶ける不純物を除くなどの効果があり好ましい。アシッドペースト処理では水を多量（通常固形分の５〜１２倍）に含むペースト状で濾取される。これを直ぐに熱乾燥させると析出物が堅く塊りとなって、次の結晶変換工程（本発明の「処理」）でも壊れにくく、微細な粒の塊りが無定形のまま残りやすい。いったん含水ペーストを凍結してから解凍し濾取したものは、乾燥後柔らかい壊れやすいアモルファス体を得ることができる。
【００２５】
本発明はアモルファス体からの結晶変換に分枝ケトンを用いるものであるが、直鎖のメチルエチルケトンや環状のシクロヘキサノンなどでは、同じケトン類であっても純粋なＢ型結晶は得にくくＡ型が混じりやすい。またテトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒を作用させてもＡ型が混じってくる。Ａ型は最安定結晶ではあるが感度はＢ型より劣る。
【００２６】
これらの溶媒は四塩化チタンから得られる含クロルチタニルフタロシアニンの無定形体（アモロファス体）に作用させると、いずれも安定したＢ型を与えてきた物である。しかし、同様に処理しても高純度なクロルフリーチタニルフタロシアニンはＡ型になりやすく、Ｂ型にはなりにくい原料であると言わねばならない。発明者が現在まで検討したＢ型を与える溶媒は酢酸、オクタン、メチルセルソルブなどの不活性と言ってもよい溶媒ばかりで積極的に結晶型を変換というものではなく、生成したＢ型結晶の感度もやや低いものであった。その中で本発明の分枝ケトン系溶媒で処理すれば十分発達したＢ型結晶になり感度も高いものが得られる。
【００２７】
本発明に用いられる分枝ケトン系溶媒とは、分子内に２級または３級の炭素原子１つ以上を有するケトン化合物であり、沸点が１８０℃以下のものが好ましい。例えば、メチルイソプロピルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、ジイソプロピルケトン、４−メトキシ−４−メチル−２−ペンタンなどを挙げることが出来る。
【００２８】
なお、本発明の製造方法に使用するアシッドペースト処理前の粗チタニルフタロシアニンを造るには、ジイミノイソインドリンとアルコキシチタンあるいはフタロニトリルと尿素とアルコキシチタンを反応させるクロルフリー合成を使うことが好ましい。このクロルフリーの合成法では化合物純度の高いものが得られる。後記する実施例でも述べるが暗所での電位低下が少ないといった利点があり、また合成反応で酸が生成しないので安価なステンレス釜を使用できて製造上有利である。
【００２９】
本発明で得たＢ型チタニルフタロシアニン結晶（即ち感光性顔料）は分散塗布されて電子写真感光体に用いられる。
【００３０】
感光体等の製造に用いる溶媒に関してはケトン系、エステル系、ハロゲン化溶媒、芳香属溶媒、アルコール類など任意なものを使うことができるが、前述したようにクロルフリーチタニルフタロシアニンはＡ型になりやすく、無定形の段階ではこれらの溶媒で処理するとＡ型になる場合が多い。しかし、一旦、本発明の処理でＢ型ができた後は安定化し、使用時にＡ型に変化することは無い。
【００３１】
【発明の実施の形態】
本発明のＢ型チタニルフタロシアニン結晶を用いた感光体のほかの構成要素については特に制限はなく、今まで知られてきたものを使うことができる。
【００３２】
感光性顔料に関しても本発明の顔料に他の顔料を混合併用しても構わない。他の顔料としては例えば多環キノン化合物、縮合多環化合物、銅フタロシアニン、チタニルフタロシアニン各結晶型、ガリウムフタロシアニン、無金属フタロシアニンなどを併用できる。電荷発生層（ＣＧＬ）に使われるバインダーについてはポリカーボネート樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、塩化ビニル、酢酸ビニル、ポリスチレン、ポリアミド、ポリビニルホルマール、ポリビニルブチラールなど良く知られた物を使うことができる。顔料とバインダーの質量比率は１０／１〜１／５が好ましい。電荷発生層の厚さは０．２〜５．０μｍが好ましく、特に好ましくは０．５〜３．０μｍである。
【００３３】
また、感光体の層構成に関して言えば、特に限定はないが、例えばいわゆる機能分離型の負帯電感光体として機能すればよい。通常の機能分離型積層感光体、すなわち下引層（ＵＣＬ）、電荷発生層、電荷輸送層（ＣＴＬ層）の順に層を設けた感光体で良く、必要に応じてさらにその上に保護層を塗設した構成をとることができる。
【００３４】
これら下引層、電荷輸送層にはいずれも公知の技術を用いることができる。
下引層に含有されるバインダー樹脂としてはポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアミド樹脂など任意のものを選ぶことができる。またジルコニア、チタン、シランなどの金属の水酸化物を縮合させて得られる、いわゆるセラミック下引層を採用してもよい。
【００３５】
電荷輸送層に含まれる電荷輸送物質としてはトリフェニルアミン誘導体、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、ベンジジン化合物、ブタジエン化合物などをあげることができる。
【００３６】
代表的な電荷輸送物質を以下に挙げる。
【００３７】
【化１】

【００３８】
【化２】

【００３９】
【化３】

【００４０】
【化４】

【００４１】
【化５】

【００４２】
【化６】

【００４３】
電荷輸送層に含有されるバインダー樹脂としてはポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアミド樹脂など任意のものを選ぶことができる。
【００４４】
電荷輸送層中の電荷輸送物質とバインダー樹脂との割合は質量比で３／１〜１／３が好ましい。
【００４５】
また電荷輸送層の膜厚は５〜５０μｍとくに好ましくは１０〜４０μｍである。
【００４６】
本発明に保護層を加えるときの保護層の膜厚は０．１〜１０μｍ、好ましくは０．２〜７μｍ、より好ましくは０．５〜５μｍである。
【００４７】
保護層としては通常のポリカーボネート、ポリエステルなどのよく知られた有機ポリマーを使用することができ、またいわゆるシロキサン結合を含む無機のポリマー層（シリコンハードコート層）としても良い。さらに必要に応じて微粒子を含めてもよい。
【００４８】
【実施例】
以下、実施例を記し本発明をさらに説明するが、無論本発明の実施態様はこれに限定されるわけではない。なお、文中「部」とは「質量部」を表す。
【００４９】
〔アモルファスチタニルフタロシアニンの合成〕
下記の方法にて凍結処理した中間体アモルファスチタニルフタロシアニンの合成を行った。
【００５０】
１，３−ジイミノイソインドリン（２０３ｇ）をオルトジクロルベンゼン１．４Ｌ（リットル）に分散し、チタニウムテトラ−ｎ−ブトキシド１４３ｇを加え、１４０〜１４５℃で４時間反応させた。
【００５１】
一夜放冷後、濾過し結晶をオルトジクロルベンゼン１．４Ｌを用いてよく洗った。さらにメタノール１．４Ｌで洗浄してから、０．５モル／Ｌ濃度の塩酸１．４Ｌでさらに洗浄し、次にメタノール１．４Ｌで洗浄する。洗浄後、乾燥して粗チタニルフタロシアニン１８０ｇを得た。
【００５２】
この粗チタニルフタロシアニン１８０ｇを、硫酸２．０Ｌ中にて５℃以下で１時間撹拌して溶かし、ガラスフィルターで不溶物を除いた後、水２０Ｌに室温で注いだ。折出した結晶を濾過し、濾液の電気伝導度が２５μＳ^−１になるまでよく水洗した。これによりアモルファス（正確には結晶化度の低いＢ型）チタニルフタロシアニンペーストを得た。
【００５３】
得られたアモルファスチタニルフタロシアニンペースト（通常５〜１０倍の水を含む）をストッカーで冷却し凍結させる（−１０℃）。ついで室温に戻して解凍すると水が分離してくる。これを濾過し、乾燥してアモルファスチタニルフタロシアニン乾燥粉末を得た。
【００５４】
この粉末のＸ線回折図を図３に示す。
〔チタニルフタロシアニン結晶の作製〕
合成実施例１（Ｂ型チタニルフタロシアニンの合成）
前述のＡＰ凍結処理を経て得られたアモルファスチタニルフタロシアニン（結晶化度の低いＢ型）の乾燥粉末５０ｇを、メチルイソプロピルケトン８００ｍｌに分散し３５℃にて７時間加熱還流する。これによりスラリー状であるが色相が変化したのが認められる。
【００５５】
ついで一夜放置後メタノールを加え、折出した結晶を濾過して、メタノールで洗浄してＢ型チタニルフタロシアニンを得た。
【００５６】
このもののＸ線回折図を図１に示す。
合成実施例２（Ｂ型チタニルフタロシアニン結晶の合成）
合成実施例１における反応溶媒をメチルイソブチルケトンに換えたほかは実施例１と同様にしてＢ型チタニルフタロシアニンを得た。
【００５７】
Ｘ線回折図は実施例１と同様であった。
合成実施例３（Ｂ型チタニルフタロシアニン結晶の合成）
合成実施例１におけるアモルファスチタニルフタロシアニンの乾燥粉末を凍結処理を経ずに、直接乾燥させたものに換えたほかは、実施例１と同様にしてＢ型チタニルフタロシアニンを得た。
【００５８】
Ｘ線回折図は実施例１と同様であった。
比較合成例１
前述のＡＰ凍結処理を経て得られたアモルファスチタニルフタロシアニンの乾燥粉末１０ｇを、メチルエチルケトン２００ｍｌに分散し、３０℃にて７時間加熱還流する。これによりスラリー状であるが色相が変化するのが認められる。
【００５９】
ついで一夜放置後メタノールを加え、折出した結晶を濾過して、メタノールで洗浄し青色の顔料を得た。
【００６０】
このもののＸ線回折図は、図１と図２の特徴が混ざり合ったＡＢ型チタニルフタロシアニン結晶であった。
【００６１】
比較合成例２
合成実施例１における溶媒をｎ−オクタンに換えた以外は合成実施例１と同様にしてＢ型チタニルフタロシアニンを得た。
【００６２】
Ｘ線回折図は実施例１と同様であった。
比較合成例３
合成実施例１における溶媒を酢酸に換えた以外は合成実施例１と同様にしてＢ型チタニルフタロシアニンを得た。
【００６３】
Ｘ線回折図は実施例１と同様であった。
比較合成例４（含クロルＢ型チタニルフタロシアニンの合成、その１）
特開平７−９２６９９号公報の記載に従って合成を行った。
【００６４】
フタロニトリル４０．０ｇをクロルナフタレン４００ｍｌに溶解し、１４０℃にて四塩化チタン１８．０ｇをクロルナフタリン１００ｍｌに溶かしたものを１４０〜１６０℃で滴下した。同温度で３０分間撹拌後、２４０〜２５０℃まで昇温させこの温度で更に３時間撹拌した。
【００６５】
一夜放冷後、濾過しクロルナフタレン１００ｍｌでかけ洗いし、続いてオルトジクロルベンゼン２００ｍｌで洗浄する。さらに結晶を取り出しオルトジクロルベンゼン５００ｍｌにて懸濁洗浄を２回行って、最後にメタノール５００ｍｌを用いて懸濁洗浄した。
【００６６】
ついで得られた結晶（ジクロルチタニウムフタロシアニン）をピリジン３００ｍｌとアンモニア水３００ｍｌの混合液に加え３時間還流した。放冷後、濾過しメタノールで洗ってＢ型チタニルフタロシアニンを得た。
【００６７】
Ｘ線回折図は実施例１と同様であった。
比較合成例５（含クロルＢ型チタニルフタロシアニンの合成、その２）
比較合成例４での反応時間を３時間から４時間に変更したほかは、比較合成例４と同様にして顔料を作製した。
【００６８】
Ｘ線回折図は比較合成例４と同様であった。
比較合成例６（含クロルＢ型チタニルフタロシアニンの合成、その３）
比較合成例４での反応温度を２４０〜２５０℃から２３５〜２４５℃に変更したほかは、比較合成例４と同様にして顔料を作製した。
【００６９】
Ｘ線回折図は比較合成例４と同様であった。
〔感光性顔料（チタニルフタロシアニン結晶）の分散〕
合成実施例１〜３、比較合成例１〜６で得た感光性顔料各２部とブチラール樹脂（ＢＸ−１積水化学社製）１部とメチルエチルケトン１００部を採り、ガラスビーズを加えてサンドグラインダーで５時間分散した。
【００７０】
〔電子写真感光体の作製〕
円筒形アルミニウム基体上にポリアミド樹脂（ＣＭ−８０００東レ社製）のメタノール溶液を塗布し、膜厚０．８μｍに下引層とした。
【００７１】
上記下引き済み基体を、上記感光性顔料を分散した電荷発生層塗布液に浸漬して膜厚０．８μｍの電荷発生層を塗設した。ついで電荷輸送物質として例示化合物Ｓ−１を０．６５部、ポリカーボネート樹脂（ユーピロンＺ−２００三菱ガス化学社製）１部をジクロロエタン７．５部に溶解した液を膜厚２４μｍになるように塗設した。１００℃にて７０分間乾燥して電子写真感光体を作製した。これらを、各々実施例感光体１〜３及び比較例感光体１〜６とする。
【００７２】
〔特性評価〕
１．暗減衰率（Ｄ：％）
各電子写真感光体をデジタル複写機（Ｋｏｎｉｃａ７０５０の改造機）に装着し、表面電位が約１０００Ｖになるまで帯電させた時の電位（Ｖａ）、続いて暗所に１０秒間放置したときの表面電位（Ｖｉ）を測定し、下記式に従って暗減衰率（Ｄ：％）を求めた。
【００７３】
暗減衰率（Ｄ：％）＝（Ｖａ−Ｖｉ）／Ｖａ×１００
２．電位特性（Ｖ）
各電子写真感光体をデジタル複写機（Ｋｏｎｉｃａ７０５０の改造機）に装着し、標準条件にて作動させて、その時の未露光部電位（Ｖ_ｈ）、露光部電位（Ｖ_ｌ）、残留電位（Ｖ_ｒ）を求めた。
【００７４】
３．黒斑点状画像欠陥
黒斑点状画像欠陥が一番激しいと予想される高温高湿環境（３３℃、８０％ＲＨ）において、各感光体をデジタル複写機（Ｋｏｎｉｃａ７０５０の改造機）に装着し、グリット帯電電圧を−１０００Ｖ、現像バイアスを−８００Ｖに設定して、黒ポチ画像の有無を確認した。
【００７５】
◎：直径０．１ｍｍ以上の黒斑点の数が１個／１００ｃｍ^２以下
○：直径０．１ｍｍ以上の黒斑点の数が２〜３個／１００ｃｍ^２
△：直径０．１ｍｍ以上の黒斑点の数が４〜６個／１００ｃｍ^２
×：直径０．１ｍｍ以上の黒斑点の数が７〜９個／１００ｃｍ^２
××：直径０．１ｍｍ以上の黒斑点の数が１０個／１００ｃｍ^２以上
以上の結果は表１に示す。
【００７６】
【表１】

【００７７】
本発明の感光性顔料を使用した感光体は十分な電子写真性能を有し、特にアッシドペースト後に凍結処理した実施例感光体１及び２は、画像欠陥がなく特性がよいことがわかる。
【００７８】
これに対し、溶媒にｎ−オクタンや酢酸を使った比較例感光体２及び３は、Ｂ型のチタニルフタロシアニン結晶を与えるものの暗減衰が大きく、Ｖ_ｌもやや高いので感度が低い。さらに画像欠陥も多い。
【００７９】
分枝ケトンの代わりに直鎖ケトンを用いた比較例感光体１は結晶形がＡＢ混合型であることから予想される様に、Ｖ_ｌが高く感度的に問題がある。
【００８０】
四塩化チタンを使って合成した感光性顔料を用いた比較例感光体４は、本発明の感光体に準じる性能を示す。しかし、反応時間をわずかに延ばした比較例感光体５では暗減衰特性が悪く、反応温度を５℃下げた比較例感光体６では感度が低い等、製造時の少しの条件の差が特性に大きく影響を与えることがわかる。これは、工業規模で量産するには向いていないことを示している。
【００８１】
【発明の効果】
本発明により、安定して純度が高いＢ型となるチタニルフタロシアニン結晶の製造方法とそれを適用した感光性顔料及び電子写真感光体を提供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】Ｂ型チタニルフタロシアニン結晶のＸ線回折図。
【図２】Ａ型チタニルフタロシアニン結晶のＸ線回折図。
【図３】アモルファスチタニルフタロシアニン乾燥粉末のＸ線回折図。

Claims

分枝ケトン系溶媒の存在下、アモルファスチタニルフタロシアニンを処理することを特徴とするＢ型チタニルフタロシアニン結晶の製造方法。
前記アモルファスチタニルフタロシアニンがアシッドペースト処理を経て得られることを特徴とする請求項１記載のＢ型チタニルフタロシアニン結晶の製造方法。
前記アモルファスチタニルフタロシアニンがアシッドペースト処理後、さらに凍結処理を経てから乾燥されることを特徴とする請求項１記載のＢ型チタニルフタロシアニン結晶の製造方法。
前記アモルファスチタニルフタロシアニンがアルコキシチタンを原料として合成されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載のＢ型チタニルフタロシアニン結晶の製造方法。
請求項１〜４のいずれか１項記載のＢ型チタニルフタロシアニン結晶の製造方法で製造されたことを特徴とする感光性顔料。
請求項５記載の感光性顔料を含むことを特徴とする電子写真感光体。