JP2005012059A

JP2005012059A - 半導体ウエーハ及びその製造方法

Info

Publication number: JP2005012059A
Application number: JP2003176194A
Authority: JP
Inventors: Yasuhiro Kimura; 泰広木村
Original assignee: Renesas Technology Corp
Current assignee: Renesas Technology Corp
Priority date: 2003-06-20
Filing date: 2003-06-20
Publication date: 2005-01-13

Abstract

【課題】レーザー印字によるパーティクル発生が少なく、且つ製造工程を簡便にする。
【解決手段】貼り合わせウエーハの製造時に、支持基板１にテーパ面７を予め形成し、このテーパ面７以外の主面１ａ領域に限定して絶縁膜３及びＳＯＩ層５を形成する。このテーパ面７が外部に表出するため、これをレーザー印字領域としてレーザー印字を行うことで、発塵を解消できる。また、従来のように、マスク形成、酸化膜エッチング、マスク除去及びウエーハ洗浄など複雑な工程を必要とせずに、支持基板１に容易にレーザー印字領域（テーパ面７）を形成することができる。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体装置の基板として使用されるＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎＯｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）ウエーハ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＳＯＩウエーハを、不良解析や工程の最適化等の製造工程管理の目的等で識別するために、そのウエーハの表面等の一部にマーキングを行うことが行われている。このマーキングは、一般にウエーハの表面の一部にレーザービームを照射し、支持基板であるシリコンを局所的にアブレーションさせて凹凸形成により印字（レーザー印字）されるものである。
【０００３】
かかる技術は例えば特許文献１において紹介されている。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００１−２５７１３９号公報
【特許文献２】
特開２００２−３５６０８０号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、貼り合せ型ＳＯＩウエーハを対象としてマーキングを行う場合、レーザー印字領域を形成していない状態で、貼り合せ型ＳＯＩウエーハにそのままレーザー印字を行うと、レーザーがＳＯＩ層及びシリコン酸化膜を透過して支持基板（シリコン）を溶融することになる。
【０００６】
しかしながら、シリコンは、その溶融部分で体積膨張するため、特にシリコン酸化膜が破損し、多量のパーティクルを発生させる（発塵）という問題がある。
【０００７】
かかる問題を考慮し、特許文献１では、ＳＯＩウエーハのような半導体基板を用意し、一部の領域以外をマスキングして、マスクから露出した一部の領域における酸化膜等をエッチングで除去し、支持基板の半導体表面を表出させた後、この表出された領域をレーザー印字領域として、レーザーによりマーキングを行っていた。
【０００８】
これにより、レーザー印字領域のみＳＯＩ構造とならないようにでき、発塵の問題を解消することが可能であった。
【０００９】
しかし、この方法は、マスク形成、酸化膜エッチング、マスク除去及びウエーハ洗浄など複雑な工程を必要としていた。
【００１０】
また、例えば上記の特許文献１の場合は、ベベル加工の部分にマーキングしていたが、通常、ベベル加工で形成される領域は０．５〜１．０ｍｍ程度の幅しかなく、目視可能なサイズの印字を形成する困難である。この場合に、仮に印字領域を大きくするように傾斜面を大きく取ったベベル加工を行うと、ウエーハの外周全体にＳＯＩ構造の内部分が形成されるため、デバイス製造可能な有効表面の面積が低減してしまうという不利がある。
【００１１】
さらに、例えば上記の特許文献２の場合は、形状の異なる２枚のウエーハを貼り合わせているので、貼り合わせに使用した後、剥離したウエーハを再度加工して支持基板に転用・再利用することができない。即ち、例えば折りフラウエーハを支持基板に転用しても、印字領域を確保することはできない。
【００１２】
そこで、この発明の課題は、レーザー印字によるパーティクル発生が少なく、工程が簡便で、ウエーハの転用も可能であり、且つデバイス製造可能な有効表面の面積を可及的に低減させずに済む、半導体ウエーハ及びその製造方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決すべく、この発明は、円板状の支持基板の主面の外周付近の一部にテーパ面を形成し、予め平滑な絶縁膜が表面に形成された貼り合わせウエーハを、前記支持基板の前記テーパ面以外の前記主面に前記絶縁膜が密着するようにして貼り合わせるとともに、前記テーパ面と前記絶縁膜との間に間隙を形成して、前記貼り合わせウエーハをその裏面側から除去して、前記支持基板の前記テーパ面以外の前記主面の領域にのみ、前記絶縁膜及びＳＯＩ層を残留形成するものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】
｛実施の形態１｝
図１はこの発明の実施の形態１に係る半導体ウエーハを示す側面図、図２は同じくその平面図である。
【００１５】
この半導体ウエーハは、貼り合わせＳＯＩ方式が適用されたＳＯＩウエーハであって、少なくとも一方にシリコン酸化膜（絶縁膜）が形成された２枚のシリコンウェハを、そのシリコン酸化膜を挟んで互いに貼り合わせ、その後、一方のシリコンウェハを薄膜化することにより、半導体素子が形成されるシリコン層（以下「素子形成層」と称する）が形成されたものである。
【００１６】
具体的に、この貼り合わせＳＯＩ方式のＳＯＩウエーハは、図１及び図２の如く、シリコンウエーハとしての支持基板１と、この支持基板１の主面（図中の上面）１ａに形成されたシリコン酸化膜（絶縁膜）３と、このシリコン酸化膜３の上面に形成されたＳＯＩ層（シリコン層）５とを備え、支持基板１の主面１ａの外周部付近の一部にテーパ面７が形成された構造とされ、特に、テーパ面７上でシリコン酸化膜３及びＳＯＩ層５が非形成とされることで、当該テーパ面７がレーザー印字領域として表出される。
【００１７】
このＳＯＩウエーハでは、レーザー印字領域であるテーパ面７が表出していることから、マーキングのためのレーザー印字の際に、レーザーがシリコン酸化膜３を透過して支持基板１を溶融することがなくなり、シリコン酸化膜３の破損による発塵を防止できるようになっている。
【００１８】
そして、レーザー印字領域をテーパ面７とすることにより、貼り合わせＳＯＩ方式でＳＯＩウエーハを製造する際に、図１の如く、貼り合わせウエーハ９とシリコン酸化膜３との貼り合わせ領域を、テーパ面７以外の領域として容易に規定できる。
【００１９】
このＳＯＩウエーハの製造方法を説明する。
【００２０】
まず、図３の如く、支持基板１のウエーハエッジ部（外周縁壁）１０を鏡面化加工する（ウエーハエッジ研磨工程）。このウエーハエッジ部の鏡面化加工においては、側面に研磨布が貼付された円柱状のエッジ研磨機１１が使用され、このエッジ研磨機１１の外周面に、支持基板１のウエーハエッジ部１０を押し付けた状態とする。そして、支持基板１とエッジ研磨機１１の双方を、その接触面同士が互いに逆方向に摺動するように、それぞれの中心軸を回転軸１３，１５として回転させることにより、支持基板１の全周に亘ってウエーハエッジ部１０をほぼ均質に研磨し、これを鏡面化する。
【００２１】
次に、図４の如く、支持基板１の回転を停止した後、ウエーハエッジ部１０よりも内側の主面１ａの一部が斜め方向にエッジ研磨機１１の外周面（研磨布）に接触するように、支持基板１とエッジ研磨機１１の外周面とのなす角度（摺接角度）θを鋭角にする。これにより、支持基板１の主面１ａ上のレーザー印字領域（テーパ面７）としたい部分を、エッジ研磨機１１の外周面（研磨布）に当接させた状態となる。
【００２２】
かかる状態で、支持基板１を非回転とし、エッジ研磨機１１のみを回転することにより、支持基板１の主面１ａのうちウエーハエッジ部１０の付近の一部に、支持基板１とエッジ研磨機１１の外周面とのなす角度（摺接角度）θに応じた傾斜角度のテーパ面７が、支持基板１の主面１ａ上の外周付近の一部にのみ形成される。
【００２３】
尚、このテーパ面７を支持基板１の円周方向に広げたい場合は、その広げたい支持基板１の角度範囲だけ、回転軸１３を中心として支持基板１を回動させながら、エッジ研磨機１１との摺接位置を徐々に変化させてテーパ面７の形成を行う。
【００２４】
また、支持基板１の半径方向にテーパ面７を広げたり、逆に支持基板１の半径方向にテーパ面７を狭めたい場合は、エッジ研磨機１１の外周面（研磨布）と支持基板１とのなす角度（摺接角度）θを調整することにより変更調整可能する。
【００２５】
さらに、支持基板１の主面１ａにテーパ面７を形成する工程と、支持基板１のウエーハエッジを鏡面化加工する工程とは、いずれが先に実行されても良い。
【００２６】
その後、図５の如く、ＳＯＩウェハの素子形成層となる貼り合わせウエーハ９を準備する。この貼り合わせウエーハ９は、支持基板１と同等の材料が使用されたシリコンウエーハであるが、支持基板１のようにテーパ面７が形成された構造とはなっていないものである。また、貼り合わせウエーハ９の主面１７には、絶縁層としてのシリコン酸化膜３が予め形成されている。このシリコン酸化膜３は、貼り合わせウエーハ９の主面からほぼ均一の厚さに形成されており、よってシリコン酸化膜３の下面は平滑な状態となっている。
【００２７】
次に、支持基板１と貼り合わせウエーハ９とを、シリコン酸化膜３を挟んで、即ち、シリコン酸化膜３が支持基板１のテーパ面７以外の主面１ａに密着するようにして互いに貼り合わせることにより、図６の如く、支持基板１、シリコン酸化膜３、及び貼り合わせウエーハ９がこの順に積層された積層ウェハ１９を形成する。
【００２８】
この際、支持基板１の主面１ａのうち、テーパ面７以外の領域においては、シリコン酸化膜３が貼り合わせられた状態となるのに対して、支持基板１のテーパ面７とシリコン酸化膜３との間には間隙（ギャップ）が形成され、これによりテーパ面７とシリコン酸化膜３とが非接触の状態とされる。
【００２９】
次に、所定の拡散炉を用いて熱処理（１０００℃程度のアニール）を行う。これにより、支持基板１の主面１ａのうち、テーパ面７以外の領域において、シリコン酸化膜３との貼り合わせ強度が高められる。一方、支持基板１のテーパ面７とシリコン酸化膜３とは非接触であるため、このテーパ面７が表面に露出された状態が保たれる。
【００３０】
しかる後、貼り合わせウエーハ９を図６中の図示上方へ剥離することにより、シリコン酸化膜３上のＳＯＩ層（シリコン層）５を形成し、図１に示したＳＯＩウエーハが完成する。
【００３１】
このように完成したＳＯＩウエーハ（図１）は、上述のように、支持基板１の主面１ａの端部付近の一部にテーパ面７が形成された構造となっている。したがって、このテーパ面７をレーザー印字領域として、図７のように、レーザー印字装置２１からレーザービームを照射し、テーパ面７を局所的にアブレーションさせて凹凸形成によりレーザー印字してマーキングを行うことができる。
【００３２】
ここで、仮に図８のようにＳＯＩ層５の上からレーザー印字装置２１でレーザービームを照射することを考えると、この場合は、レーザービームがＳＯＩ層５及びシリコン酸化膜３を透過して支持基板１を溶融することになるが、シリコンはその溶融部分で体積膨張するため、特にシリコン酸化膜３の破損により、図９の如く、多量のパーティクル２３が発生する（発塵）という問題がある。
【００３３】
しかしながら、この実施の形態では、支持基板１に予め形成しておいたテーパ面７をレーザー印字領域としてレーザー印字を行っているので、発塵を解消することができる。
【００３４】
また、支持基板１にテーパ面７を形成する工程は、上述のように、支持基板１のウエーハエッジ部１０の鏡面化加工を行う際に使用するエッジ研磨機１１をそのまま使用して、そのウエーハエッジ部１０の鏡面化加工の前工程または後工程に、エッジ研磨機１１と支持基板１とのなす角度（摺接角度）θ（図４）を変更することで実現することができるため、従来のように、マスク形成、酸化膜エッチング、マスク除去及びウエーハ洗浄など複雑な工程を必要とせずに、容易にレーザー印字領域（テーパ面７）を形成することができる。
【００３５】
即ち、この実施の形態においては、複雑な工程を介することなく、レーザー印字時のパーティクルの発生が少ないＳＯＩウエーハを実現することができる。
【００３６】
また、例えば上記の特許文献１の場合は、ベベル加工の部分にマーキングしていたが、通常、ベベル加工で形成される領域は０．５〜１．０ｍｍ程度の幅しかなく、目視可能なサイズの印字を形成する困難である。この場合に、仮に印字領域を大きくするように傾斜面を大きく取ったベベル加工を行うと、ウエーハの外周全体にＳＯＩ構造の内部分が形成されるため、デバイス製造可能な有効表面の面積が低減してしまうという不利がある。
【００３７】
これに対して、この実施の形態によると、支持基板１の主面の一部にテーパ面７を形成し、そのテーパ面の調整により任意のサイズの印字領域を形成できるので、印字領域のサイズをマーキングの大きさ等によって任意に設定できるだけでなく、そのテーパ面７を支持基板１の主面の一部に限定して形成できるため、特許文献１に比べて、デバイス製造可能な有効表面の面積を可及的に低減させないで済む。
【００３８】
さらに、印字面であるテーパ面の傾斜角度は、特許文献１のようにベベル部分に印字する場合に比べて、支持基板１の主面に近い角度に設定できるので、所定の読み取り装置でマーキングを自動的に読み取る場合に、従来通りのほぼ真上方向から読み取る読み取り装置を使用しても、読み取り精度が低減することはない。
【００３９】
さらに、例えば上記の特許文献２の場合は、形状の異なる２枚のウエーハを貼り合わせているので、貼り合わせに使用した後、剥離したウエーハを再度加工して支持基板に転用・再利用することができない。即ち、例えば折りフラウエーハを支持基板に転用しても、印字領域を確保することはできない。
【００４０】
これに対して、この実施の形態によると、２枚のウエーハは基本的に同一の形状であり、貼り合わせに使用した後に剥離したウエーハを再度加工することで、支持基板に容易に転用することが可能である。したがって、特許文献２に比べると、実質的に１枚のシリコンウエーハで貼り合わせＳＯＩウエーハを１枚製造できる計算になり、コスト及び資源の有効活用を図ることができる。
【００４１】
｛実施の形態２｝
＜構成＞
図１０はこの発明の実施の形態２に係るＳＯＩウエーハの製造方法において支持基板１の一部にテーパ面７を形成する工程を示す図である。なお、図１０では実施の形態１と同様の機能を有する要素については同一符号を付している。
【００４２】
この実施の形態では、図１０の如く、支持基板１の一部にテーパ面７を形成する際に、エッジ研磨機１１の外周面の研磨布に対し、支持基板１をエッジ研磨機１１の回転軸１５の方向Ｐ１及びこの方向Ｐ１に直交する方向Ｐ２等に平行移動しながら加工を行う。
【００４３】
実施の形態１のように、エッジ研磨機１１に対して支持基板１を静止させる場合、円柱状のエッジ研磨機１１の研磨布の形状が、支持基板１のテーパ面７に反映して曲面に形成される。この場合、マークのサイズが比較的大きい場合は問題ないが、マークのサイズを微細に設定する必要がある場合や、レーザー印字の印字位置が比較的広範に亘る場合などには、レーザービームの焦点を合わすことが困難となる場合があり、微細な印字等が困難となる可能性がある。
【００４４】
そこで、この実施の形態においては、図１０のように、支持基板１を適宜平行移動しながらテーパ面７を形成することにより、平面状に平滑なテーパ面７としてのレーザー印字領域を形成することが可能となる。
【００４５】
その他の構成及び製造方法は実施の形態１と同様のため、説明を省略する。
【００４６】
この実施の形態によっても、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
【００４７】
さらに、この実施の形態では、上述のように、平面状に平滑なテーパ面（レーザー印字領域）７を形成することができ、レーザービームの焦点を容易に合わすことで、微細な印字や比較的広範なレーザー印字を容易に行うことができる利点がある。
【００４８】
｛実施の形態３｝
図１１及び図１２はこの発明の実施の形態３に係るＳＯＩウエーハの製造過程において支持基板１にテーパ面７を形成する工程、図１３はテーパ面７が形成された支持基板１を示す図である。なお、図１１では実施の形態１と同様の機能を有する要素については同一符号を付している。
【００４９】
この実施の形態のＳＯＩウエーハの支持基板１は、その主面（第１主面）１ａが、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ−ＭｅｃｈａｎｉｃａｌＰｏｌｉｓｈｉｎｇ）によって鏡面研磨加工されることを前提としている。
【００５０】
ＣＭＰの工程は通常、図１１に示したような研磨プレート２５と呼ばれる定盤を用意し、この研磨プレート２５の下面（接着面）２６にウエーハ（支持基板１）の裏面（第２主面）１ｂを接着する。
【００５１】
そして、図１２の如く、表面が研磨布で覆われたポリッシャ２７にウエーハ（支持基板１）の主面１ａを近づけ、ウエーハ（支持基板１）の主面１ａとポリッシャ２７との間にコロイダルシリカを含むアルカリ溶液２９を介した状態で、ウエーハ（支持基板１）とポリッシャ２７とを相互に逆向きに回転させて摺動させ、支持基板１の主面１ａを研磨する。
【００５２】
この際、この実施の形態では、研磨プレート２５の下面の端部付近の一部に凸部３１を予め形成しておき、かかる凸部３１が支持基板１のテーパ面作成領域に対応するようにして、研磨プレート２５に支持基板１を接着してＣＭＰを行う。
【００５３】
凸部３１と接した部分に対応する支持基板１の主面１ａ内の領域３３は、ＣＭＰの際、部分的に他の領域よりも強い力でポリッシャ２７に当接しながら研磨されるため、その領域３３の研磨レートが局所的に高くなり、よってこの部分にテーパ面７が形成される。
【００５４】
このような方法で製造された支持基板１を使用し、貼り合せ型ＳＯＩウエーハを製造することにより、複雑な工程を介することなく、レーザー印字時にパーティクル発生が少ないＳＯＩウエーハの製造が可能となる。
【００５５】
｛実施の形態４｝
図１４及び図１５はこの発明の実施の形態４に係るＳＯＩウエーハの製造工程を示す図である。なお、図１４及び図１５では実施の形態３と同様の機能を有する要素については同一符号を付している。
【００５６】
上述の実施の形態３では、研磨プレート２５の下面の一部に凸部３１を形成していたのに対して、この実施の形態４では、図１４の如く、ＣＭＰ前の支持基板１のレーザー印字領域（テーパ面７）を形成したい部分の第２主面１ｂ側に、例えば短冊状フィルム等の介在部材３５を貼り付け、この状態で、図１５の如く、支持基板１を介在部材３５ごと研磨プレート２５に接着しＣＭＰを行う。
【００５７】
そうすると、介在部材３５を貼り付けた位置に相当する主面１ａ上の部分３３は、上述の実施の形態４と同様に、他の領域よる強い力でポリッシャ２７に当接しながら研磨されるため、局所的に研磨レートが高くなり、図１３に示したようなテーパ面７が形成される。
【００５８】
このような方法で製造された支持基板１を使用し、貼り合せ型ＳＯＩウエーハを製造することにより、実施の形態３と同様に、複雑な工程を介することなく、レーザー印字時にパーティクル発生が少ないＳＯＩウエーハの製造が可能となる。
【００５９】
また、上述の実施の形態３では、研磨プレート２５の凸部３１と、テーパ面７が形成される位置とがずれた状態で、研磨プレート２５に支持基板１が接着されると、所望の位置にテーパ面７が形成されない事態が生じる。具体的には、支持基板１の外周より外側の相当する位置に凸部３１が形成されると、支持基板１にテーパ面７が全く形成されない事態が生じ得る。また、逆に凸部３１が過度に内側に位置すると、支持基板１の内側が局所的にへこんでしまい、貼り合わせウエーハ９（図６参照）の支持基板１に対する貼り合せ不良を引き起こしたり、フラットネスが劣化することが生じ得る。この場合は、デバイス製造における写真製版工程でデフォーカスを発生させる可能性がある。
【００６０】
これに対して、この実施の形態４では、予め支持基板１のレーザー印字領域（テーパ面７）形成位置に介在部材３５を正確に貼り付けるのが容易であるため、研磨プレート２５と支持基板１との貼り付け位置のずれによってテーパ面７の形成不良が生じる事態を避けることが可能である。
【００６１】
【発明の効果】
この発明によれば、支持基板に予め形成しておいたテーパ面にレーザー印字を行うことができるので、発塵を解消することができる。
【００６２】
また、従来のように、マスク形成、酸化膜エッチング、マスク除去及びウエーハ洗浄など複雑な工程を必要とせずに、容易にテーパ面を形成することができる。
【００６３】
即ち、この実施の形態においては、複雑な工程を介することなく、レーザー印字時のパーティクルの発生が少ない半導体ウエーハを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１に係る半導体ウエーハを示す側面図である。
【図２】この発明の実施の形態１に係る半導体ウエーハを示す平面図である。
【図３】支持基板のウエーハエッジ部の鏡面化加工工程を示す図である。
【図４】この発明の実施の形態１において支持基板にテーパ面を形成する工程を示す図である。
【図５】この発明の実施の形態１に係る半導体ウエーハの製造工程を示す図である。
【図６】この発明の実施の形態１に係る半導体ウエーハの製造工程を示す図である。
【図７】この発明の実施の形態１に係る半導体ウエーハのレーザー印字領域にレーザー印字を行う工程を示す図である。
【図８】仮に半導体ウエーハのＳＯＩ層の上方からレーザービームを照射する場合の工程を示す図である。
【図９】仮に半導体ウエーハのＳＯＩ層の上方からレーザービームを照射した場合にパーティクルが発生した状態を示す図である。
【図１０】この発明の実施の形態２において支持基板にテーパ面を形成する工程を示す図である。
【図１１】この発明の実施の形態３に係る半導体ウエーハの製造過程において支持基板にテーパ面を形成する工程を示す図である。
【図１２】この発明の実施の形態３に係る半導体ウエーハの製造過程において支持基板にテーパ面を形成する工程を示す図である。
【図１３】この発明の実施の形態４に係る半導体ウエーハの支持基板を示す側面図である。
【図１４】この発明の実施の形態４に係る半導体ウエーハの製造過程において支持基板にテーパ面を形成する工程を示す図である。
【図１５】この発明の実施の形態４に係る半導体ウエーハの製造過程において支持基板にテーパ面を形成する工程を示す図である。
【符号の説明】
１支持基板、１ａ主面、３シリコン酸化膜、５ＳＯＩ層、７テーパ面、９貼り合わせウエーハ、１０ウエーハエッジ部、１１エッジ研磨機、２１レーザー印字装置、２３パーティクル、２５研磨プレート、２７ポリッシャ、２９アルカリ溶液、３１凸部、３５介在部材。

Claims

主面の外周付近の一部にテーパ面が形成された支持基板と、
前記支持基板の前記テーパ面を除く前記主面上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の表面に形成されたＳＯＩ層と
を備える半導体ウエーハ。
請求項１に記載の半導体ウエーハであって、
前記テーパ面が、前記支持基板の前記主面側の外周縁部の一部が平面状にカットされて形成されたものである、半導体ウエーハ。
支持基板の主面の外周付近の一部にテーパ面を形成する第１の工程と、
半導体層の表面に絶縁膜が形成された貼り合わせウエーハを、前記支持基板の前記テーパ面以外の前記主面に前記絶縁膜が密着するようにして貼り合わせるとともに、前記テーパ面と前記絶縁膜との間に間隙を形成する第２の工程と、
前記貼り合わせウエーハをその裏面側から除去することにより、前記支持基板の前記テーパ面以外の前記主面の領域にのみ、前記絶縁膜及びＳＯＩ層を残留形成する第３の工程と
を備える半導体ウエーハの製造方法。
請求項３に記載の半導体ウエーハの製造方法であって、
所定のエッジ研磨機に前記支持基板のウエーハエッジ部を摺接して研磨するウエーハエッジ研磨工程をさらに備え、
前記第１の工程において、前記ウエーハエッジ研磨工程の前または後に、前記エッジ研磨機に対する前記支持基板の摺接角度を前記テーパ面の傾斜角度に対応する角度に調整して、前記支持基板の主面の前記ウエーハエッジ部の付近の一部に前記テーパ面を形成することを特徴とする半導体ウエーハの製造方法。
請求項４に記載の半導体ウエーハの製造方法であって、
前記第１の工程において、前記支持基板を回動し、平行移動し、または前記摺接角度を変更して、前記テーパ面の形成範囲を調整することを特徴とする半導体ウエーハの製造方法。
請求項３に記載の半導体ウエーハの製造方法であって、
前記第１の工程が、
接着面の一部に予め凸部が形成された所定の研磨プレートの前記接着面に、前記支持基板の前記主面と逆側の面を接着する工程と、
前記研磨プレートの前記接着面に前記支持基板が接着された状態で、当該支持基板の主面を所定のポリッシャに押し付け摺接して、前記凸部の押圧力により当該凸部に対応する前記主面の一部を他の領域より強く押圧しながら、前記テーパ面を研磨形成する工程と
を備える半導体ウエーハの製造方法。
請求項３に記載の半導体ウエーハの製造方法であって、
前記第１の工程が、
前記支持基板の前記主面と逆側の面において、前記テーパ面を形成する位置に対応する位置に所定の介在部材を貼付する工程と、
前記支持基板に介在部材が貼付された状態で、当該介在部材を挟み込むようにして、所定の研磨プレートの表面に、前記支持基板の前記主面と逆側の面を接着する工程と、
前記研磨プレートに前記介在部材を介在させながら前記支持基板が接着された状態で、当該支持基板の主面を所定のポリッシャに押し付け摺接して、前記介在部材の押圧力により当該介在部材に対応する前記主面の一部を他の領域より強く押圧しながら、前記テーパ面を研磨形成する工程と
を備える半導体ウエーハの製造方法。