JP2005011799A - Icpアンテナ及びこれを使用するプラズマ発生装置 - Google Patents
Icpアンテナ及びこれを使用するプラズマ発生装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005011799A JP2005011799A JP2004096931A JP2004096931A JP2005011799A JP 2005011799 A JP2005011799 A JP 2005011799A JP 2004096931 A JP2004096931 A JP 2004096931A JP 2004096931 A JP2004096931 A JP 2004096931A JP 2005011799 A JP2005011799 A JP 2005011799A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- antenna
- icp
- antenna segment
- segment
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
Abstract
【解決手段】プラズマ発生装置に使用されるICP(inductively-coupled plasma)アンテナ20は、環状をなす内側アンテナセグメント21と、前記内側アンテナセグメント21の外側のほぼ同心円上に配置され、前記内側アンテナセグメント21と直列に連結される少なくとも一つの外側アンテナセグメント25とを含み、前記内側アンテナセグメント21及び前記外側アンテナセグメント25のうち、少なくともいずれか一つは相異なる半径を有し、相互並列に連結された複数の環状コイル22,23,26,27を含む。
【選択図】図4
Description
前記内側アンテナセグメント及び前記外側アンテナセグメントを形成する前記パイプ形状の環状コイルは連通することが好ましい。
ここで、前記ICPアンテナの接地端が接地される接地板を更に含むことが好ましい。
本発明によるプラズマ発生装置は、図3に示したように、密閉されたチャンバー10と、チャンバー10の内部に磁気場経路を形成するウィンドウプレート12と、ウィンドウプレート12の上側面に近接配置されるICPアンテナ20と、ICPアンテナ20に高周波電源を供給する高周波電源供給部15とを含む。
Claims (11)
- プラズマ発生装置に使用されるICP(inductively-coupled plasma)アンテナにおいて、
環状をなす内側アンテナセグメントと、
前記内側アンテナセグメントの外側のほぼ同心円上に配置され、前記内側アンテナセグメントと直列に連結される少なくとも一つの外側アンテナセグメントとを含み、
前記内側アンテナセグメント及び前記外側アンテナセグメントのうち、少なくともいずれか一つは相異なる半径を有し、相互並列に連結された複数の環状コイルを含むことを特徴とするICPアンテナ。 - 前記内側アンテナセグメントの円周方向に沿って流れる電流方向と前記外側アンテナセグメントの円周方向に沿って流れる電流方向は相互同一方向であることを特徴とする請求項1に記載のICPアンテナ。
- 前記内側アンテナセグメントの円周方向に沿って流れる電流方向と前記外側アンテナセグメントの円周方向に沿って流れる電流方向は反対方向であることを特徴とする請求項1に記載のICPアンテナ。
- 前記外側アンテナセグメントのうち、少なくともいずれか一つの円周方向に沿って流れる電流方向はその残りの円周方向に沿って流れる電流方向と相異なる方向であることを特徴とする請求項1に記載のICPアンテナ。
- 前記内側アンテナセグメント及び前記外側アンテナセグメントの前記環状コイルはパイプ形状を有することを特徴とする請求項1に記載のICPアンテナ。
- 前記内側アンテナセグメント及び前記外側アンテナセグメントを形成する前記パイプ形状の環状コイルは連通することを特徴とする請求項5に記載のICPアンテナ。
- 被処理物を受容するチャンバーと、前記チャンバーの内部に電気場経路を形成するウィンドウプレートとを有するプラズマ発生装置において、
前記ウィンドウプレートに近接配置され、環状を有する内側アンテナセグメントと、前記内側アンテナセグメントの外側のほぼ同心円上に配置され、前記内側アンテナセグメントと直列に連結される少なくとも一つの外側アンテナセグメントとを含むICPアンテナと、
前記ICPアンテナに高周波電源を供給する高周波電源供給部とを備え、
前記内側アンテナセグメント及び前記外側アンテナ セグメントのうち、少なくともいずれか一つは相異なる半径を有し、相互並列に連結される複数の環状コイルを含むことを特徴とするプラズマ発生装置。 - 前記ICPアンテナの接地端が接地される接地板をさらに含むことを特徴とする請求項7に記載のプラズマ発生装置。
- 前記内側アンテナセグメント及び前記外側アンテナセグメントはパイプ形状を有する一つの環状コイルにより形成されることを特徴とする請求項8に記載のプラズマ発生装置。
- 前記ICPアンテナの管内へ冷却水を供給する冷却水供給部をさらに含み、
前記冷却水供給部は前記ICPアンテナが前記接地板に接地される領域の付近で前記ICPアンテナの管内へ前記冷却水を供給することを特徴とする請求項9に記載のプラズマ発生装置。 - プラズマ発生装置に使用されるICPアンテナにおいて、
ほぼ同心円上に配置され、相互直列に連結される複数のアンテナセグメントを含み、
前記複数のアンテナ セグメントのうち、少なくともいずれか一つはほぼ同心円上に配置され、相互並列に連結される複数の環状コイルを含むことを特徴とするICPアンテナ。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2003-0039365A KR100513163B1 (ko) | 2003-06-18 | 2003-06-18 | Icp 안테나 및 이를 사용하는 플라즈마 발생장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005011799A true JP2005011799A (ja) | 2005-01-13 |
JP4057547B2 JP4057547B2 (ja) | 2008-03-05 |
Family
ID=33516377
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004096931A Expired - Fee Related JP4057547B2 (ja) | 2003-06-18 | 2004-03-29 | Icpアンテナ及びこれを使用するプラズマ発生装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20040255864A1 (ja) |
JP (1) | JP4057547B2 (ja) |
KR (1) | KR100513163B1 (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006221852A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Canon Anelva Corp | 誘導結合型プラズマ発生装置 |
JP2008027900A (ja) * | 2006-07-24 | 2008-02-07 | Samsung Electronics Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2009252996A (ja) * | 2008-04-07 | 2009-10-29 | Ulvac Japan Ltd | アンテナ、交流回路、及びプラズマ処理装置 |
JP2011119659A (ja) * | 2009-10-27 | 2011-06-16 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2011124221A (ja) * | 2009-10-26 | 2011-06-23 | Applied Materials Inc | 誘導結合プラズマ装置 |
JP2011198539A (ja) * | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2012248578A (ja) * | 2011-05-25 | 2012-12-13 | Ulvac Japan Ltd | プラズマエッチング装置 |
JP2014150064A (ja) * | 2014-03-14 | 2014-08-21 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
US9313872B2 (en) | 2009-10-27 | 2016-04-12 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
US9583313B2 (en) | 2013-08-20 | 2017-02-28 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
KR101757921B1 (ko) * | 2009-10-27 | 2017-07-14 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
US9899191B2 (en) | 2009-10-27 | 2018-02-20 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
US9997332B2 (en) | 2009-10-27 | 2018-06-12 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
JP2020532087A (ja) * | 2017-10-09 | 2020-11-05 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 誘導結合プラズマソースの改善 |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100625319B1 (ko) * | 2005-02-03 | 2006-09-20 | 세메스 주식회사 | 유도 결합 플라즈마 처리 장치 |
KR100777635B1 (ko) * | 2006-01-17 | 2007-11-21 | (주)아이씨디 | 평판 타입 고밀도 icp 안테나 |
KR100678696B1 (ko) * | 2006-02-08 | 2007-02-06 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 환형 플라즈마를 형성하기 위한 페라이트 코어 조립체를구비한 자기 강화된 플라즈마 소오스 |
KR100720988B1 (ko) * | 2006-03-10 | 2007-05-28 | 위순임 | 매설된 유도 안테나를 구비하는 플라즈마 처리 챔버 |
KR100926706B1 (ko) * | 2008-02-21 | 2009-11-17 | (주)플러스텍 | 반구형 나선 안테나를 구비한 반도체용 플라즈마 가공장치 |
JP5723130B2 (ja) | 2010-09-28 | 2015-05-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP5851682B2 (ja) * | 2010-09-28 | 2016-02-03 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP5800532B2 (ja) | 2011-03-03 | 2015-10-28 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
KR101870661B1 (ko) * | 2011-08-18 | 2018-06-26 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
KR101969077B1 (ko) * | 2011-08-18 | 2019-04-15 | 세메스 주식회사 | 플라즈마 안테나 및 이를 이용한 기판 처리 장치 |
KR101411993B1 (ko) * | 2012-09-25 | 2014-06-26 | (주)젠 | 안테나 어셈블리 및 이를 구비한 플라즈마 처리 챔버 |
KR102010321B1 (ko) | 2013-01-10 | 2019-08-13 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 처리 방법과 상기 방법을 이용할 수 있는 장치들 |
US10332725B2 (en) * | 2015-03-30 | 2019-06-25 | Lam Research Corporation | Systems and methods for reversing RF current polarity at one output of a multiple output RF matching network |
US10187966B2 (en) * | 2015-07-24 | 2019-01-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for gas abatement |
CN106686875B (zh) * | 2015-11-06 | 2019-05-17 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种电感耦合等离子处理装置 |
KR102015381B1 (ko) | 2017-03-29 | 2019-08-29 | 세메스 주식회사 | 플라즈마 발생 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
WO2020088169A1 (zh) * | 2018-10-30 | 2020-05-07 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 感应线圈组及反应腔室 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4948458A (en) * | 1989-08-14 | 1990-08-14 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for producing magnetically-coupled planar plasma |
KR100238627B1 (ko) * | 1993-01-12 | 2000-01-15 | 히가시 데쓰로 | 플라즈마 처리장치 |
JP3290777B2 (ja) * | 1993-09-10 | 2002-06-10 | 株式会社東芝 | 誘導結合型高周波放電方法および誘導結合型高周波放電装置 |
US5919382A (en) * | 1994-10-31 | 1999-07-06 | Applied Materials, Inc. | Automatic frequency tuning of an RF power source of an inductively coupled plasma reactor |
US5731565A (en) * | 1995-07-27 | 1998-03-24 | Lam Research Corporation | Segmented coil for generating plasma in plasma processing equipment |
TW279240B (en) * | 1995-08-30 | 1996-06-21 | Applied Materials Inc | Parallel-plate icp source/rf bias electrode head |
US5800619A (en) * | 1996-06-10 | 1998-09-01 | Lam Research Corporation | Vacuum plasma processor having coil with minimum magnetic field in its center |
EP0838839B1 (en) * | 1996-09-27 | 2008-05-21 | Surface Technology Systems Plc | Plasma processing apparatus |
US6164241A (en) * | 1998-06-30 | 2000-12-26 | Lam Research Corporation | Multiple coil antenna for inductively-coupled plasma generation systems |
US6156667A (en) * | 1999-12-31 | 2000-12-05 | Litmas, Inc. | Methods and apparatus for plasma processing |
US6451161B1 (en) * | 2000-04-10 | 2002-09-17 | Nano-Architect Research Corporation | Method and apparatus for generating high-density uniform plasma |
US6409933B1 (en) * | 2000-07-06 | 2002-06-25 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor having a symmetric parallel conductor coil antenna |
US7571697B2 (en) * | 2001-09-14 | 2009-08-11 | Lam Research Corporation | Plasma processor coil |
US7354501B2 (en) * | 2002-05-17 | 2008-04-08 | Applied Materials, Inc. | Upper chamber for high density plasma CVD |
JP3854909B2 (ja) * | 2002-08-06 | 2006-12-06 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置 |
-
2003
- 2003-06-18 KR KR10-2003-0039365A patent/KR100513163B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-03-22 US US10/805,369 patent/US20040255864A1/en not_active Abandoned
- 2004-03-29 JP JP2004096931A patent/JP4057547B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006221852A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Canon Anelva Corp | 誘導結合型プラズマ発生装置 |
JP2008027900A (ja) * | 2006-07-24 | 2008-02-07 | Samsung Electronics Co Ltd | 基板処理装置 |
JP4642046B2 (ja) * | 2006-07-24 | 2011-03-02 | 三星電子株式会社 | 基板処理装置 |
JP2009252996A (ja) * | 2008-04-07 | 2009-10-29 | Ulvac Japan Ltd | アンテナ、交流回路、及びプラズマ処理装置 |
JP2011124221A (ja) * | 2009-10-26 | 2011-06-23 | Applied Materials Inc | 誘導結合プラズマ装置 |
US9899191B2 (en) | 2009-10-27 | 2018-02-20 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
US10804076B2 (en) | 2009-10-27 | 2020-10-13 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
JP2011119657A (ja) * | 2009-10-27 | 2011-06-16 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US9997332B2 (en) | 2009-10-27 | 2018-06-12 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
US9941097B2 (en) | 2009-10-27 | 2018-04-10 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
JP2011119659A (ja) * | 2009-10-27 | 2011-06-16 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2015062181A (ja) * | 2009-10-27 | 2015-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US9313872B2 (en) | 2009-10-27 | 2016-04-12 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
KR101757921B1 (ko) * | 2009-10-27 | 2017-07-14 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
TWI467624B (zh) * | 2010-03-18 | 2015-01-01 | Tokyo Electron Ltd | Plasma processing device and plasma processing method |
JP2011198539A (ja) * | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2012248578A (ja) * | 2011-05-25 | 2012-12-13 | Ulvac Japan Ltd | プラズマエッチング装置 |
US9583313B2 (en) | 2013-08-20 | 2017-02-28 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
JP2014150064A (ja) * | 2014-03-14 | 2014-08-21 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2020532087A (ja) * | 2017-10-09 | 2020-11-05 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 誘導結合プラズマソースの改善 |
JP7148610B2 (ja) | 2017-10-09 | 2022-10-05 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板処理装置 |
US11521828B2 (en) | 2017-10-09 | 2022-12-06 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled plasma source |
JP7431296B2 (ja) | 2017-10-09 | 2024-02-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 誘導結合プラズマソースの改善 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20040110173A (ko) | 2004-12-31 |
JP4057547B2 (ja) | 2008-03-05 |
US20040255864A1 (en) | 2004-12-23 |
KR100513163B1 (ko) | 2005-09-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4057547B2 (ja) | Icpアンテナ及びこれを使用するプラズマ発生装置 | |
US5874704A (en) | Low inductance large area coil for an inductively coupled plasma source | |
US5759280A (en) | Inductively coupled source for deriving substantially uniform plasma flux | |
US6265031B1 (en) | Method for plasma processing by shaping an induced electric field | |
US6164241A (en) | Multiple coil antenna for inductively-coupled plasma generation systems | |
EP0413282B1 (en) | Method and apparatus for producing magnetically-coupled planar plasma | |
TWI611735B (zh) | 電漿處理裝置(一) | |
US7426900B2 (en) | Integrated electrostatic inductive coupling for plasma processing | |
US8343309B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
US20040168771A1 (en) | Plasma reactor coil magnet | |
JP2004501277A (ja) | マグネトロンスパッタリングを向上させる誘導プラズマループ | |
JP2005135907A (ja) | プラズマ発生用アンテナおよびこれを有するプラズマ処理装置 | |
JP2004014904A (ja) | 同時放電化装置 | |
JP6530859B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US6136140A (en) | Plasma processing apparatus | |
KR20100129368A (ko) | 복합 주파수를 이용한 대면적 플라즈마 반응기 | |
KR100743842B1 (ko) | 자속 채널에 결합된 플라즈마 챔버를 구비한 플라즈마반응기 | |
KR100464809B1 (ko) | 원격 플라즈마 발생기 | |
KR20090073327A (ko) | 고밀도 원격 플라즈마 처리 장치 | |
KR100737750B1 (ko) | 유도 결합형 플라즈마 처리 장치 | |
KR100488362B1 (ko) | 저주파형 유도결합 플라즈마 발생장치 | |
TW202243549A (zh) | 用於感應耦合電漿(icp)負載的雙頻匹配電路 | |
USRE40963E1 (en) | Method for plasma processing by shaping an induced electric field | |
KR20050087138A (ko) | 플라즈마 발생용 하이브리드 안테나 | |
JP2000008169A (ja) | 放電発生用アンテナ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070523 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070529 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070829 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071113 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071213 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101221 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101221 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111221 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111221 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121221 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121221 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131221 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |