JP2005006432A

JP2005006432A - 磁気軸受制御装置

Info

Publication number: JP2005006432A
Application number: JP2003168051A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Kubo; 厚久保
Original assignee: Koyo Seiko Co Ltd
Current assignee: Koyo Seiko Co Ltd
Priority date: 2003-06-12
Filing date: 2003-06-12
Publication date: 2005-01-06

Abstract

【課題】制御信号に対する磁気軸受での応答性が低下するのを防ぐことができ、被支持部品を安定して支持させることができる磁気軸受制御装置を提供する。
【解決手段】電磁石２ｂのコイル２ｃと、四つのスイッチング部Ｓ１〜Ｓ４とを用いて、Ｈブリッジ回路を構成する。そして、回転体１の位置制御のための制御信号と基準信号との比較を行う比較回路８での比較結果に応じて、スイッチング部Ｓ１〜Ｓ４をスイッチングさせることにより、上記Ｈブッリジ回路の中央部分に配置したコイル２ｃに対して、その一方向または他方向に電流を供給する。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、回転体等を非接触支持する磁気軸受の駆動制御を行う磁気軸受制御装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁気軸受の制御装置には、その軸受の電磁石のコイルと、ＰＷＭ増幅器からのＰＷＭ信号によりスイッチングされる四つのスイッチング素子とを用いてＨブッリジ回路を構成するとともに、そのＨブリッジ回路の中央部分に配置したコイルに対しその一端側から他端側または他端側から一端側へのいずれかの方向に電流を供給して回転体等の被支持部品に対する電磁力を変更するバイポーラ型のものがある（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
【特許文献１】
特開平５−１６８１９７号公報（第３〜４頁、図２）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような従来の制御装置では、コイルに流れる電流の向きが上記ＰＷＭ信号の発振周波数に応じて頻繁に変化しており、被支持部品の位置制御のための制御信号に対してコイル電流の位相遅れが大きくなり、磁気軸受の制御が不安定になって被支持部品の位置も安定しないという問題点があった。
【０００５】
上記のような従来の問題点に鑑み、本発明は、制御信号に対する磁気軸受での応答性が低下するのを防ぐことができ、被支持部品を安定して支持させることができる磁気軸受制御装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、被支持部品を非接触支持するための電磁石を備えた磁気軸受の駆動制御を行う制御装置であって、
前記被支持部品の位置制御のための制御信号と、所定の基準信号とを比較する比較回路と、前記比較回路にて前記基準信号よりも制御信号が小さいことが判別されたときに、その制御信号を基にパルス幅変調信号を出力する第１のＰＷＭ増幅器と、前記比較回路にて前記基準信号よりも制御信号が大きいことが判別されたときに、その制御信号を基にパルス幅変調信号を出力する第２のＰＷＭ増幅器と、前記電磁石のコイルの一端側に接続されるとともに、前記第１のＰＷＭ増幅器からのパルス幅変調信号によりスイッチングされる第１のスイッチング素子と、前記電磁石のコイルの他端側に接続されるとともに、前記第２のＰＷＭ増幅器からのパルス幅変調信号によりスイッチングされる第２のスイッチング素子と、前記コイルの一端側に接続されるとともに、前記第２のスイッチング素子が前記第２のＰＷＭ増幅器からのパルス幅変調信号によってＰＷＭ駆動されるときにオン状態にされて当該コイルでの一端側から他端側への一方向に電流が流れるのを許容する第１のオン／オフスイッチと、前記コイルの他端側に接続されるとともに、前記第１のスイッチング素子が前記第１のＰＷＭ増幅器からのパルス幅変調信号によってＰＷＭ駆動されるときにオン状態にされて当該コイルでの他端側から一端側への他方向に電流が流れるのを許容する第２のオン／オフスイッチとを備えたことを特徴するものである。
【０００７】
上記のように構成された磁気軸受制御装置では、上記比較回路での比較結果に従って、第１または第２のオン／オフスイッチがオン状態にされて第２または第１のスイッチング素子でのスイッチング動作に応じた電流が上記電磁石のコイルの一方向または他方向に流れるよう供給されるので、そのコイル電流の向きが頻繁に変化するのを防いで、上記制御信号に対するコイル電流の位相遅れが大きくなるのを防ぐことができる。この結果、制御信号に対する磁気軸受での応答性が低下するのを防ぐことができ、当該軸受の制御が不安定なものとなるのを防止することができる。
【０００８】
また、上記磁気軸受制御装置において、前記コイルでの一方向または他方向への電流の流れを許容することにより前記電磁石に生じる磁束を用いて、前記磁気軸受側に設けられた永久磁石からの磁束を減少または増加させ、当該軸受による被支持部品の位置を制御することが好ましい。
この場合、永久磁石の磁束を用いることで磁気軸受の消費電力を抑えることができる。
【０００９】
また、上記磁気軸受制御装置において、前記被支持部品の位置を検出する検出手段を備えるとともに、
前記被支持部品がその所望位置よりも前記磁気軸受に対し近接している位置にあるときには、前記基準信号の信号レベルより大きいレベルの信号が前記検出手段側から前記比較回路に前記制御信号として入力されることにより、前記コイルでの一方向への電流の流れを許容して、前記被支持部品に対する当該軸受での磁気吸引力を減少させ、前記被支持部品がその所望位置よりも前記磁気軸受に対し離間している位置にあるときには、前記基準信号の信号レベルより小さいレベルの信号が前記検出手段側から前記比較回路に前記制御信号として入力されることにより、前記コイルでの他方向への電流の流れを許容して、前記被支持部品に対する当該軸受での磁気吸引力を増加させ、かつ前記被支持部品がその所望位置にあるときには、前記基準信号の信号レベルと同じレベルの信号が前記検出手段側から前記比較回路に前記制御信号として入力されることにより、前記コイルでの一方向及び他方向への電流の流れを停止して、前記被支持部品に対する当該軸受での磁気吸引力を維持させることが好ましい。
この場合、上記検出手段での検出結果に応じてコイルへの供給電流の向き及び大きさが決定されることとなり、磁気軸受の消費電力を抑えつつ、高精度な位置制御を容易に行わせることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の磁気軸受制御装置の好ましい実施形態について、図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る磁気軸受制御装置の要部構成を示すブロック図である。図示しているのは、被支持部品としての回転体１をラジアル方向に非接触支持する一対の磁気軸受２について、その一方を制御するための装置部分である。他方の磁気軸受２についても、回路を一部共有した同様な制御装置が構成されるが、ここでは簡略化して一方の磁気軸受２の制御装置についてのみ説明する。
【００１１】
上記磁気軸受２は、永久磁石２ａと、本発明の制御装置によって供給電流の大きさ及び向きが変更されるコイル２ｃを有する電磁石２ｂとを備えたものであり、当該軸受２は、これらの組み合わされた永久磁石２ａと電磁石２ｂとで生じる磁束に応じて発生する電磁力（磁気吸引力）により、回転体１を非接触支持する。詳細にいえば、永久磁石２ａには、その所定の磁束で定まる磁気吸引力が回転体１に作用したときに、この回転体１を挟むよう対向配置された上記他方の磁気軸受２の永久磁石からの磁気吸引力とにより、当該回転体１を他方の磁気軸受２との間の所望位置で保持できるものが用いられている。また、電磁石２ｂでは、コイル２ｃはその一端側から他端側への一方向（図に矢印ａにて図示）または他端側から一端側への他方向（図に矢印ｂにて図示）の両方向に電流が流れるよう構成されており、電磁石２ｂは、電流が上記一方向及び他方向にそれぞれ流されたときにその電流の大きさで定まる磁束を発生して上記永久磁石２ａからの磁束をそれぞれ減少及び増加させる。これにより、回転体１に対する磁気軸受２からの磁気吸引力が小さくまたは大きく変更され、当該軸受２による回転体１の位置制御が行われる。
【００１２】
また、上記コイル２ｃは、図に示すように、第１〜第４のスイッチング部Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４とともにＨブリッジ回路を構成するように、これらスイッチング部Ｓ１〜Ｓ４に接続されている。詳細には、コイル２ｃの一端側には、図の上端側に定電圧源Ｖｓが接続された第１のスイッチング部Ｓ１と、図の下端側が接地された第３のスイッチング部Ｓ３とが接続されている。また、他端側には、定電圧源Ｖｓが上端側に接続された第２のスイッチング部Ｓ２と、下端側が接地された第４のスイッチング部Ｓ４とが接続されており、当該コイル２ｃを中央部分に配置したＨブリッジ回路が構成されている。
また、このコイル２ｃでは、後に詳述するように、互いに逆方向に流れる電流が交互に、かつ連続的に供給されるのを防がれており、コイル電流での位相遅れが大きくなるのを極力防いだ状態で制御されている。
【００１３】
また、上記磁気軸受２の近傍には検出手段としての変位センサ３が設けられており、このセンサ３は回転体１の検出位置を示す信号をＡ／Ｄ変換器４を介してＤＳＰ（ＤｉｇｉｔａｌＳｉｇｎａｌＰｒｏｃｅｓｓｏｒ）５に出力する。このＤＳＰ５では、センサ３からの信号に対して所定の演算処理を行うことにより、上記コイル２ｃへの供給電流の向き及び大きさを決定する。そして、ＤＳＰ５は、決定した供給電流を基に回転体１の位置制御のための制御信号を生成してＤ／Ａ変換器６を経て信号増幅器（オペアンプ）７に出力する。また、この信号増幅器７には比較回路８が接続されており、比較回路８がその入力信号と所定の基準信号（例えば、０Ｖの電圧信号）との比較を行う。また、この比較回路８には、上記第１〜第４のスイッチング部Ｓ１〜Ｓ４での導通状態と非導通状態との間の切換制御をそれぞれ行う第１〜第４のコントローラ部Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４が接続されており、比較回路８はその比較結果に応じて各コントローラ部Ｃ１〜Ｃ４を動作させることにより、上記コイル２ｃにＤＳＰ５が決定した供給電流が与えられる。
【００１４】
具体的にいえば、上記変位センサ３は、回転体１との距離に応じて信号レベルが変化する信号をＡ／Ｄ変換器４を経てＤＳＰ５に出力する。また、ＤＳＰ５には、回転体１が上記所望位置にあるときにセンサ３側から入力される信号の基準レベルが設定されており、この基準レベルを例えば“０”としてセンサ出力をその信号レベルに応じて正負に振り分けた上記制御信号を出力する。詳細には、センサ３側から入力された信号の信号レベルが上記基準レベルである場合には、ＤＳＰ５は、回転体１が所望位置にあると判断し、さらに電磁石２ｂを駆動する必要がないと判断して、基準電圧（例えば０Ｖ）の電圧信号を上記制御信号として信号増幅器７側に出力する。
また、上記基準レベルを超える信号がセンサ３側から入力された場合には、ＤＳＰ５は回転体１が磁気軸受２に対して所望位置から近接している位置にあると判断し、さらに電磁石２ｂを駆動して永久磁石２ａの磁束を減らす必要があると判断する。そして、ＤＳＰ５は、入力された信号レベルに比例した正の電圧値の電圧信号を上記制御信号として出力する。
【００１５】
また、上記基準レベル未満の信号がセンサ３側から入力された場合には、ＤＳＰ５は回転体１が磁気軸受２に対して所望位置から離間している位置にあると判断し、さらに電磁石２ｂを駆動して永久磁石２ａの磁束を増やす必要があると判断する。そして、ＤＳＰ５は、その信号レベルに比例した負の電圧値の電圧信号を上記制御信号として出力する。
また、上記信号増幅器７には、コイル２ｃに直列に接続されたフィードバック抵抗９から当該コイル２ｃに実際に流れている電流を示すフィードバック信号が電流−電圧変換器（オペアンプ）１０を介して入力されるようになっており、信号増幅器７は、上記Ｄ／Ａ変換器６からの制御信号と電流−電圧変換器１０からのフィードバック信号とに基づいて増幅した信号を比較回路８に出力する。
【００１６】
上記比較回路８では、信号増幅器７からの制御信号を上記基準信号と比較することにより、コイル２ｃに流す電流の向きを判別する。すなわち、制御信号が正の信号の場合には、比較回路８は電流の向きが上記一方向であると判別し、第１及び第４のスイッチング部Ｓ１，Ｓ４が導通状態にされ、かつ第２及び第３のスイッチング部Ｓ２，Ｓ３が非導通状態にされるように、対応するコントローラ部Ｃ１〜Ｃ４を動作させる。また、制御信号が負の信号の場合には、比較回路８は電流の向きが上記他方向であると判別し、第１及び第４のスイッチング部Ｓ１，Ｓ４が非導通状態にされ、かつ第２及び第３のスイッチング部Ｓ２，Ｓ３が導通状態にされるように、対応するコントローラ部Ｃ１〜Ｃ４を動作させる。また、制御信号が基準信号と等しい（すなわち制御信号が０Ｖの電圧信号である）場合には、比較回路８はコイル２ｃへの電流供給を行わないと判別し、全てのスイッチング部Ｓ１〜Ｓ４が非導通状態にされるように、対応するコントローラ部Ｃ１〜Ｃ４を動作させる。
また、比較回路８は、第１〜第４のコントローラ部Ｃ１〜Ｃ４及び第１〜第４のスイッチング部Ｓ１〜Ｓ４とともに、コイル２ｃに対しその両方向に電流供給が可能なバイポーラ型のＰＷＭ増幅装置を構成しており、制御信号を基に生成されるパルス幅変調信号に応じてコイル２ｃに電流を流すことにより、パルス列のデューティに応じた磁束を電磁石２ｂが発生するようになっている。
【００１７】
具体的には、上記スイッチング部Ｓ１〜Ｓ４のうち、例えば第３及び第４のスイッチング部Ｓ３，Ｓ４は、上記信号増幅器７からの制御信号を基にパルス幅変調されたＰＷＭ信号によってＰＷＭ駆動される第１及び第２のスイッチング素子を構成している。また、残りの第１及び第２のスイッチング部Ｓ１，Ｓ２は第１及び第２のスイッチング素子がそれぞれＰＷＭ駆動されたときにのみオン状態となる第１及び第２のオン／オフスイッチとして機能するようになっており、第１及び第４のスイッチング部Ｓ１，Ｓ４がＰＷＭ信号に応じて上記一方向への電流をコイル２ｃに流す通電路を上記Ｈブリッジ回路内に形成し、第２及び第３のスイッチング部Ｓ２，Ｓ３がＰＷＭ信号に応じて上記他方向への電流をコイル２ｃに流す通電路を当該Ｈブリッジ回路内に形成している。
【００１８】
より具体的には、各スイッチング部Ｓ１〜Ｓ４は、図２（ａ）に示すように、ＭＯＳＦＥＴ１１と、逆導通用のダイオード１２とにより構成されている。上記ＭＯＳＦＥＴ１１では、そのドレイン及びソースが図１及び図２のＡ点及びＢ点に接続されるとともに、ゲートが対応するコントローラ部Ｃ１〜Ｃ４に接続されている。
また、第１及び第２の各コントローラ部Ｃ１，Ｃ２は、対応する第１及び第２のスイッチング部Ｓ１，Ｓ２のＭＯＳＦＥＴ１１のゲートにゲート信号を出力する出力回路を含んだものであり、この出力回路が比較回路８から出力される指令信号に応じてゲート信号を出力することにより、対応するスイッチング部Ｓ１，Ｓ２のＭＯＳＦＥＴ１１をオン状態またはオフ状態とする。
また、第３及び第４の各コントローラ部Ｃ３，Ｃ４は、対応する第３及び第４のスイッチング部Ｓ３，Ｓ４のＭＯＳＦＥＴ１１をＰＷＭ駆動させる第１及び第２のＰＷＭ増幅器をそれぞれ構成したものであり、図２（ｂ）に示すように、コンパレータ１３と、例えば所定周波数の三角波を発振する発振器１４とを備えている。そして、各コントローラ部Ｃ３，Ｃ４では、そのコンパレータ１３に比較回路８から制御信号が入力されたときに、コンパレータ１３は発振器１４からの三角波と比較することにより、上記制御信号に応じたＰＷＭ信号を生成し、対応するスイッチング部Ｓ３，Ｓ４のＭＯＳＦＥＴ１１のゲートに供給している。これにより、ＭＯＳＦＥＴ１１がＰＷＭ駆動されて、電磁石２ｂからの磁束が上記永久磁石２ａの磁束に加減される。
【００１９】
以上のように構成された本実施形態では、ＤＳＰ５が変位センサ３からの検出信号を基に回転体１の所望位置を“０”とし正または負に振り分けた制御信号を生成し、比較回路８が信号増幅器７などを経て入力された上記制御信号と基準信号との比較を行うことにより、コイル２ｃへの供給電流の向きを判別している。これにより、回転体１がその所望位置から移動したときでも、その移動量及び移動方向に応じて、上記一方向及び他方向のいずれか一方の方向にのみ電流がコイル２ｃに供給されて、電磁石２ｂが永久磁石２ａの磁束を増減し磁気軸受２の磁気吸引力を調整して回転体１を所望位置に復帰させることができる。従って、互いに逆方向に流れる電流を交互に、かつ連続的にコイルに供給することで位置制御を実施していた上記従来例と異なり、制御信号に対するコイル電流での位相遅れが大きくなるのを極力防ぐことができ、よって磁気軸受２の制御が不安定となるのを防いで回転体１を安定した状態で支持させることができる。また、コイル２ｃでの供給電流の向きを変化させることなく、回転体１を所望位置に戻すことができることから、電磁石２ｂでの磁束変化の頻度を極めて少なくすることができ、当該電磁石２ｂでの鉄損を抑えることが可能で消費電力の少ない磁気軸受用の制御装置を構成することができる。また、本実施形態では、所望位置に回転体１があることを検知したときは、コイル２ｃへの供給電流を停止して永久磁石２ａによる磁気吸引力を維持しつつ、この吸引力で回転体１を支持しているので、不必要な電力消費を生じないさらに省力化された装置を構成することができる。
【００２０】
ここで、本願の発明者が実施した検証試験の結果について、図３及び図４を参照して具体的に説明する。尚、この試験は、磁気軸受の制御で要求される周波数帯域について検証したものであり、上記比較回路８に入力される制御信号の周波数を０〜２０００Ｈｚに変化させたときでの制御信号に対するコイル電流の位相遅れ及びゲインを測定した。また、図４に示す従来品での試験結果は、図１に示したコントロール部Ｃ１〜Ｃ４を図２（ｂ）に示したＰＷＭ増幅器を用いて構成するとともに、第１及び第４のスイッチング部と第２及び第３のスイッチング部とのデューティ比を６０：４０にして、コイルの一方向及び他方向に交互に、かつ連続的に電流を供給したときでの結果である。
図３（ａ）の波形３０に示すように、本発明品では位相遅れの最大値は３５（ｄｅｇｒｅｅ）程度であり、図４（ａ）の波形４０に示した従来品に比べて、全周波数帯域において位相遅れが小さなものであることが確認された。
また、図３（ｂ）の波形３１と図４（ｂ）の波形４１との比較により明らかなように、本発明品は、従来品に比べてゲイン特性が改善されていることが実証された。
【００２１】
尚、上記の説明では、回転体を非接触支持する磁気軸受に適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、リニアに移動する被支持部品を磁気浮上させた状態で非接触支持する磁気軸受に適用してもよい。
また、上記の説明では、永久磁石と電磁石とを備えた磁気軸受に適用した場合について説明したが、本発明の制御装置は上記位置制御のための制御信号を基に電磁石のコイルへの供給電流を決定して磁気軸受の被支持部品に対する電磁力を変更するものであればよく、例えば定電流源に接続され、所定磁束を常時発生するメインの電磁石と制御装置により制御される微調整用の電磁石とを有する磁気軸受に適用することもできる。
また、上記の説明では、第１〜第４のスイッチング部にＭＯＳＦＥＴを用いた場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ＩＧＢＴ等の他のパワートランジスタを用いる構成でもよい。また、上記第１及び第２のスイッチング部には、対応する第４及び第３のスイッチング部での導通／非導通状態に一致してオン／オフ操作されるリレーの接点を用いることもできる。
【００２２】
【発明の効果】
本発明によれば、制御信号に対する応答性の低下を生じることなく磁気軸受を制御することができるとともに、被支持部品を安定した状態で支持させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態による磁気軸受制御装置の構成を示すブロック図である。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ図１に示した第１〜第４の各スイッチング部Ｓ１〜Ｓ４及び第３及び第４の各コントローラ部Ｃ３及びＣ４の具体的な構成例を示すブロック図である。
【図３】図１に示した制御装置での試験結果を示すグラフであり、（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ位相遅れ及びゲインの測定結果を示すグラフである。
【図４】従来の磁気軸受制御装置での試験結果を示すグラフであり、（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ位相遅れ及びゲインの測定結果を示すグラフである。
【符号の説明】
１回転体
２磁気軸受
２ａ永久磁石
２ｂ電磁石
２ｃコイル
Ｃ３、Ｃ４ＰＷＭ増幅器
Ｓ１、Ｓ２オン／オフスイッチ
Ｓ３、Ｓ４スイッチング素子
３変位センサ
８比較回路

Claims

被支持部品を非接触支持するための電磁石を備えた磁気軸受の駆動制御を行う制御装置であって、
前記被支持部品の位置制御のための制御信号と、所定の基準信号とを比較する比較回路と、
前記比較回路にて前記基準信号よりも制御信号が小さいことが判別されたときに、その制御信号を基にパルス幅変調信号を出力する第１のＰＷＭ増幅器と、
前記比較回路にて前記基準信号よりも制御信号が大きいことが判別されたときに、その制御信号を基にパルス幅変調信号を出力する第２のＰＷＭ増幅器と、
前記電磁石のコイルの一端側に接続されるとともに、前記第１のＰＷＭ増幅器からのパルス幅変調信号によりスイッチングされる第１のスイッチング素子と、
前記電磁石のコイルの他端側に接続されるとともに、前記第２のＰＷＭ増幅器からのパルス幅変調信号によりスイッチングされる第２のスイッチング素子と、
前記コイルの一端側に接続されるとともに、前記第２のスイッチング素子が前記第２のＰＷＭ増幅器からのパルス幅変調信号によってＰＷＭ駆動されるときにオン状態にされて当該コイルでの一端側から他端側への一方向に電流が流れるのを許容する第１のオン／オフスイッチと、
前記コイルの他端側に接続されるとともに、前記第１のスイッチング素子が前記第１のＰＷＭ増幅器からのパルス幅変調信号によってＰＷＭ駆動されるときにオン状態にされて当該コイルでの他端側から一端側への他方向に電流が流れるのを許容する第２のオン／オフスイッチと
を備えたことを特徴とする磁気軸受制御装置。
前記コイルでの一方向または他方向への電流の流れを許容することにより前記電磁石に生じる磁束を用いて、前記磁気軸受側に設けられた永久磁石からの磁束を減少または増加させ、当該軸受による被支持部品の位置を制御することを特徴とする請求項１に記載の磁気軸受制御装置。
前記被支持部品の位置を検出する検出手段を備えるとともに、
前記被支持部品がその所望位置よりも前記磁気軸受に対し近接している位置にあるときには、前記基準信号の信号レベルより大きいレベルの信号が前記検出手段側から前記比較回路に前記制御信号として入力されることにより、前記コイルでの一方向への電流の流れを許容して、前記被支持部品に対する当該軸受での磁気吸引力を減少させ、
前記被支持部品がその所望位置よりも前記磁気軸受に対し離間している位置にあるときには、前記基準信号の信号レベルより小さいレベルの信号が前記検出手段側から前記比較回路に前記制御信号として入力されることにより、前記コイルでの他方向への電流の流れを許容して、前記被支持部品に対する当該軸受での磁気吸引力を増加させ、かつ
前記被支持部品がその所望位置にあるときには、前記基準信号の信号レベルと同じレベルの信号が前記検出手段側から前記比較回路に前記制御信号として入力されることにより、前記コイルでの一方向及び他方向への電流の流れを停止して、前記被支持部品に対する当該軸受での磁気吸引力を維持させることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気軸受制御装置。