JP2005002434A - Electroconductive tape and high frequency processing method using the same - Google Patents

Electroconductive tape and high frequency processing method using the same Download PDF

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JP2005002434A
JP2005002434A JP2003168716A JP2003168716A JP2005002434A JP 2005002434 A JP2005002434 A JP 2005002434A JP 2003168716 A JP2003168716 A JP 2003168716A JP 2003168716 A JP2003168716 A JP 2003168716A JP 2005002434 A JP2005002434 A JP 2005002434A
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Toshiyasu Shirasago
寿康 白砂
Yoshio Seki
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electroconductive tape which enables the simplification of equipment composition for high-frequency processing, the drastic reduction of facility cost by imparting flexibility to the equipment and the improvement of processibility and yield, and a high-frequency processing method using the same. <P>SOLUTION: The electroconductive tape electrically connects a part of a high-frequency shield to a ground or other high-frequency shields, while the high-frequency shield prevents high-frequency wave from leaking out of a prescribed area. Here, the electroconductive tape has at least an R (curved) part at its end. In the high-frequency processing method, a part of the high-frequency shield which prevents high-frequency wave from leaking out of a prescribed area is electrically connected to the ground or other high-frequency shields by the electroconductive tape, and the high-frequency wave is used to perform a prescribed processing. The electroconductive tape used here has at least an R (curved) part at its end. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波のシールドに用いる導電性テープに関する。
【0002】
さらに、本発明は、堆積膜形成、エッチング等の、半導体デバイス、電子写真用感光体、画像入力用ラインセンサー、撮影デバイス、光起電力デバイス等の形成に用いる高周波処理方法に関する。
【0003】
【従来の技術】
高周波を用い、半導体デバイス、電子写真用感光体、画像入力用ラインセンサー、撮影デバイス、光起電力デバイス、その他各種エレクトロニクス素子、光学素子等を作成する際、高周波が所定の空間から漏洩しないようにする必要がある。高周波の漏洩が生じると、所定の処理が実施されない場合が生じたり、あるいは、使用する高周波の周波数によっては、周囲の例えば計測器等に、悪影響(いわゆるノイズ)を及ぼす場合もある。そこで高周波が所定の空間から漏洩するのを防止するために、所定の空間を導電性の筐体、いわゆる高周波シールドで囲い、さらに、その高周波シールドを接地することが行われている。この様に、高周波シールドの形成、高周波シールドの接地を行うための方法が各種提案されている。
【0004】
例えば、特公平7−91645号公報には、シールドを嵌め合いで押し付けて形成している。
【0005】
また、特開2002−241940号公報には、シールドを溶接やネジ止めで形成している。
【0006】
高周波の漏洩は、場合によっては僅かな隙間、あるいは、接触不良により生じるため、これらの方法は、加工精度が要求され、その結果、装置コストの上昇を余儀なくされる。さらに、精度良く装置が形成された結果、装置が堅牢となり、装置のフレキシビリティーが小さくなる。
【0007】
一方、上記の高周波シールドの形成、高周波シールドの接地の方法に比べ、導電性テープを用い、接触部を導通させる方法は、厳密な装置の寸法形状を必要とせず、また接触部の形状に制限がないため、装置コストを抑えることが可能であり、かつ装置の自由度が大きくなるため、有用な方法である。そのため、導電性テープも各種製品化されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の導電性テープおよび、それを用いた高周波処理方法により、装置コストを抑えかつ高品質な処理を実施することが可能となった。
【0009】
しかし、上記のように、導電性テープを用いる場合、高周波処理の安定性、再現性に関し、改良の余地がある。
【0010】
例えば、電子写真感光体の生産においては、比較的膜厚が厚いため、成膜時間が長時間に及ぶ場合がある。また、電子写真感光体の高性能化のため、処理条件の異なる層を多数積層する場合がある。この場合、導電性テープの用いられている高周波シールドの温度が、異なる処理条件毎に変化し、その結果、僅かでは有るが、導電性テープが剥離し、高周波処理の安定性、再現性に影響を及ぼす場合があり、電子写真感光体の歩留まりに大きく影響するのである。
【0011】
(発明の目的)
本発明は上記課題の解決を目的とするものである。
【0012】
すなわち、高周波処理において、装置構成を簡素化し、また、装置に自由度を備えさせることで、設備の大幅なコストダウンを図り、さらに、処理特性および歩留まりの向上を可能とする導電性テープおよび、それを用いた高周波処理方法を提供する事を目的としている。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明の導電性テープおよびそれを用いた高周波処理方法は、上記課題を解決するため、高周波が所定の空間から外部に漏洩するのを防止する高周波シールドの一部を、アースまたは他の高周波シールドに、電気的に接続させる導電性テープにおいて、前記導電性テープは、端部に少なくともR(曲面)部を有することを特徴とする導電性テープである。
【0014】
また、高周波が所定の空間から外部に漏洩するのを防止する高周波シールドの一部を、アースまたは他の高周波シールドに、導電性テープを用いて電気的に接続させ、前記高周波を用いて所定の処理を行う高周波処理方法において、前記導電性テープとして、端部に少なくともR(曲面)部を有するものを用いることを特徴とする高周波処理方法である。
【0015】
さらに、前記導電性テープは、高周波が伝送する伝送路側に用いるほうが好ましい。
【0016】
さらに、前記高周波処理方法は、減圧可能な金属および一部が高周波電力を透過可能な誘電体からなる反応容器内に、被処理基体を投入し、該反応容器内に原料ガスを導入し、該原料ガスを前記高周波電力を用いて分解することで、前記被処理基体に所定の処理を行う処理方法であり、
前記高周波シールドの一部は、前記反応容器の金属部の一部であるほうが好ましい。
【0017】
【発明の実施の形態】
本発明者らは上記目的を達成すべく鋭意検討を行った結果、
高周波が所定の空間から外部に漏洩するのを防止する高周波シールドの一部を、アースまたは他の高周波シールドに、導電性テープを用いて電気的に接続させ、前記高周波を用いて所定の処理を行う高周波処理方法において、前記導電性テープとして、端部に少なくともR(曲面)部を有するものを用いることで、装置構成を簡素化し、また、装置に自由度を備えさせることで、設備の大幅なコストダウンを図り、さらに、処理特性および歩留まりの向上を可能とした。
【0018】
このような本発明の実施の形態について、以下に詳述する。
【0019】
図1(A)〜(C)は本発明の導電性テープの一例を示す模式図である。
【0020】
100は、導電性テープである。表面は、導電性布(ポリエステル繊維に金属メッキ等)、導電性金属箔(銅、アルミニウム等)等からなる。裏面は導電性粘着材、あるいは感圧性接着剤が塗布してある。
【0021】
また、接着材側に、突起部を設け、被着体と導電性金属箔とが直接接触させる加工がされていてもよい。
【0022】
101は、導電性テープ100の端部で、本発明の特徴であるところのR(曲面)部が、形成されている。
【0023】
R(曲面)部の形成方法に関しては、特に制限はない。型抜き加工でもよいし、カッターや、はさみ等を用い、図2に示される、従来の導電性テープの端部の矩形部を加工しても良い。
【0024】
R(曲面)部の大きさに関しても、特に制限はなく、図1(A)のように、端部全体がR(曲面)部形状でもよいし、図1(B)の様に、端部の両角がR(曲面)部形状でもよい。また、図1(C)の様に、導電性テープ全体がR(曲面)部形状でもよい。
【0025】
本発明の様な、端部の両角がR(曲面)部形状の導電性テープは、高周波処理中に、テープが剥離し難いことが分かった。この原因に関しては、定かではないが、本発明者らは以下の様に推測している。
【0026】
例えば、高周波処理中に、高周波シールドの温度が変化した場合、さらには、温度変化により高周波シールドが変形した場合、使用している導電性テープに歪が生じる。この場合、テープの端部から剥がれ易くなる。従来の端部が矩形の場合は、鋭角部に生じた歪は分散されず、鋭角部の先端から剥がれ始めると推測している。一方本発明のように、端部の形状がRの場合、生じた歪がR部全体に分散され、その結果、剥がれ難くなると推測している。
【0027】
さらに、本発明の様に、端部の両角がR(曲面)部形状の導電性テープを使用し、高周波処理を行った場合、処理の安定性、再現性の向上に効果的であることがわかった。
【0028】
この原因に関しては、以下のように推測している。
高周波処理中に、導電性テープに剥離が生じると、
高周波の閉じ込めが不充分となる。
導電性テープの形状が変化することで、高周波の空間内での電磁界の分布が変化する。
と考えられる。この結果、処理空間に導入される高周波の電力および、高周波の分布が変化するため、処理の安定性、再現性に悪影響が生じる。
【0029】
本発明の様に、端部の両角がR(曲面)部形状の導電性テープを使用し、高周波処理を行った場合、前述のように従来に比べ、剥離がし難いため処理の安定性、再現性の向上すると推測される。
【0030】
この結果本発明は、例えば、電子写真感光体の作成のように、高周波処理時間が長い場合、または、高周波処理中に、処理条件が変化することで、導電性テープ使用部材の、温度変化が生じる場合に特に、効果的である。
【0031】
同様に、導電性テープが高周波処理の処理容器の一部に使用されている場合は、特に高周波処理条件の変化がダイレクトに部材の温度、あるいは形状変化に影響を及ぼすので、本発明は極めて処理の安定性、再現性の向上面で効果的となる。
【0032】
さらに、本発明の導電性テープを高周波電力が伝送する伝送路側に用いる場合、安定性、再現性の向上面で非常に効果的となる。これは、伝送路側は、高周波の電磁界が強いため、上記の2の影響が僅かな導電性テープの形状変化でも、顕著になるためと考えられる。
【0033】
さらに、本発明の導電性テープは、仮に端部に剥れが発生した場合でも、安定性、再現性の面に悪影響を及ぼし難くなる。この原因に関しては、以下のように推測される。端部に剥れが生じた場合、従来の導電性テープのように、鋭角な部分が存在すると、電磁界が鋭角な部分の先端に集中し、空間内の電磁界の分布を大きく乱すこととなる。本発明に導電性テープは、端部に仮に剥れが生じても、端部がR(曲面)部形状のため、鋭角な部分が存在しない。そのため、電磁界の分布を乱すことが抑制されていると考えられる。
【0034】
次に、本発明の導電性テープを用いた、高周波処理方法の一例を、電子写真感光体の形成方法を例にして示す。
【0035】
図3はVHFプラズマCVD法による電子写真感光体の形成装置の一例を示す模式的な構成図である。処理容器部300は、SUS製の円筒状高周波シールド322、アルミナセラミックスからなる円筒状の処理容器301、 アース電位である処理容器支持台323、上蓋311、からなる。
【0036】
処理容器301内には、基体加熱用ヒーター324、および原料ガス導入管325が同心円上に3本設置されている。またSUS製の棒状の高周波電極326は、高周波シールド322と処理容器301の間に同心円上に等間隔で3本設置されており、高周波マッチィングボックス327を介して、高周波電源321が接続されている。前述の棒状の高周波電極326は絶縁部材328により、高周波シールド322、処理容器支持台323から絶縁されている。
【0037】
高周波シールド322は、円筒状のシールド壁330、シールド蓋331、シールド内を2分するための円盤部材332からなる。円筒状のシールド壁330と円盤部材332は、ネジ止めされており、また、後述するように、シールド壁330とシールド蓋331および、上蓋311と円盤部材332は、導電性テープ302で、電気的に接続されている。
【0038】
350は、排気手段で、排気手段350には、メイン排気管305、メイン排気バルブ306、スロー排気ライン307、スロー排気バルブ308、内圧測定器309、反応容器部300の内部の圧力を調整するために、排気コンダクタンス制御手段304が接続されている。
排気手段350は、ロータリーポンプ、メカニカルブースターポンプ、油拡散ポンプ、ターボ分子ポンプなど、所望の排気速度を得られる排気手段であればいかなるポンプ、あるいはそれらのいかなる組み合わせでも構わない。
【0039】
360は、ガス供給及び流量制御手段である。ガス供給及び流量制御手段360は、処理に必要となる複数のガスボンベ、レギュレータ、バルブ類、マスフローコントローラーなどを含んでいることが望ましく、所望のガスを所望の流量、混合比で供給することが出来れば、いかなる構成でも構わない。また、更に好ましくはパージ用のガスボンベ、パージラインを含んでいることが望ましく、このことにより各ガスラインに、他のガスあるいは、外部からの不純物の混入を抑制することが可能となる。処理に必要な原料ガスは、ガス供給及び流量制御手段360より、流入バルブ361を介し、反応容器301内に供給される。
【0040】
電子写真感光体の作製は、以下のように行った。
【0041】
まず、図5に示す様に、高周波マッチィングボックス327、高周波シールド322の一部である、シールド蓋331、および高周波電極326の一部、および上蓋311を外した状態とする。
【0042】
次に、反応容器301内に被処理基体である円筒状基体320を搬入する。そして、上蓋311を設置し反応容器301を密閉する。
【0043】
スロー排気バルブ308を開け、スロー排気ライン307を使用し、処理容器部300内の減圧を開始する。
【0044】
内圧測定器309が任意の値、例えば266Paに達したら、スロー排気バルブ308を閉じ、メイン排気バルブ306を開け、更に処理容器部300内を減圧にする。
【0045】
次に、図6の様に、反応容器301の上蓋311と、シールド壁330を接続する円盤部材332を、導電性テープ302を用い電気的に接続する。このとき、円盤部材と332と上蓋311間は、全周に渡り導電性テープ302を張ることで、円盤部材332と上蓋311間の隙間を埋めるようにする。
【0046】
次に、図7のように、高周波電極326の一部、シールド蓋331を設置する。シールド蓋331とシールド壁330は、全周に渡り導電性テープ302で電気的に接続される。
【0047】
最後に、図8のように、高周波マッチィングボックス327を設置し、同軸ケ―ブルで電源321と接続する。
【0048】
内圧測定器309が任意の値、例えば1Paに達したら、
基体加熱用ヒーター324を駆動させ、円筒状基体320を任意の温度、例えば230℃に加熱・制御した。
【0049】
円筒状基体320が所定の温度となったところで、原料ガス導入管325を介して、原料ガスを処理容器301内に導入する。原料ガスの流量が設定流量となり、また、処理容器301内の圧力が安定したのを確認した後、高周波電源321よりマッチングボックス327を介して高周波電極326へ所定の高周波電力を供給する。堆積膜形成中は、モーター370を駆動させ円筒状基体320を回転させた。
【0050】
堆積膜形成終了後、円筒状基体320の冷却を行い、リークバルブ(図示せず)を開し、処理容器301を大気圧力まで戻して、真空処理が済んだ円筒状基体320を取り出した。
【0051】
その後、処理容器301内の構成部品を交換し、再度堆積膜形成可能な状態としたところで一連の工程を終了する。
【0052】
以上、電子写真感光体形成装置を例にとって本発明の説明を行ってきたが、本発明はこれに限ったものではなく、例えばスパッタリング法等の他の高周波処理方法にも用いることができる。
【0053】
【実施例】
以下実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。
【0054】
(実施例1)
図3に示した高周波処理装置において、処理容器部300内に設置した長さ358mm、外径φ80mmの鏡面加工を施したAl製シリンダー(円筒状基体320)上にa−Si膜を、高周波電源321の発振周波数を105MHzとして表1に示す条件で前述ように成膜して、電子写真感光体を作製した。
【0055】
本実施例においては、導電性テープ302として、
図1(A)の導電性テープを使用したものを、作成した。
【0056】
以上の様な電子写真感光体の形成を連続して、10回実施した。
【0057】
各成膜毎に、導電性テープの密着状況を確認した。また、作製した電子写真感光体に対し、「帯電能のバラツキ」の評価を以下のように実施した。
【0058】
「帯電能のバラツキ」
作製した電子写真感光体を実験用に改造したキヤノン製iR5000に設置し、帯電器に+6kvの電圧を印加しコロナ帯電を行い、現像器位置に設置した表面電位計により電子写真感光体の暗部表面電位を測定する。
【0059】
各10回で作製した電子写真感光体を上記のように測定し、その最大値と最小値の差をもって、帯電能のバラツキとする。
【0060】
(実施例2)
実施例1と同様に、電子写真感光体を作製し、実施例1と同様の評価を行った。
【0061】
但し、本実施例においては、導電性テープ302として、
図1(B)の導電性テープを使用した。
【0062】
(実施例3)
実施例1と同様に、電子写真感光体を作製し、実施例1と同様の評価を行った。
【0063】
但し、本実施例においては、導電性テープ302として、
図1(C)の導電性テープを使用した。
【0064】
(比較例1)
図2に示す従来の導電性テープ使用以外は実施例1と同様に、電子写真感光体を作製し、実施例1と同様に評価した。
【0065】
得られた結果を、表2に示す。なお表2において、帯電能のバラツキは、比較例1を「100」とした、相対評価で示してあり、値が小さいほうが、バラツキが少ない。
【0066】
以上の結果より、本発明の導電性テープは、特に端部での密着性に優れていることが判った。
【0067】
さらに、本発明の導電性テープを用いた、高周波処理方法は、処理の安定性、再現性に優れていることが判った。
【0068】
【表1】

Figure 2005002434
【0069】
【表2】
Figure 2005002434
【0070】
(実施例4)
導電性テープとして、図1(A)を使用し、実施例1と同様に、電子写真感光体を作製し、同様の評価を行った。
【0071】
但し、本実施例においては、上蓋311と円盤部材332との接続で使用した導電性テープの1つを、端部で剥がし、剥がした部分を垂直に高さを1mmになるようにした。
【0072】
(比較例2)
実施例2と同様に、電子写真感光体を作製し、同様の評価を行った。
【0073】
但し、本比較例においては、上蓋311と円盤部材332との接続で使用した導電性テープの1つを、図2の従来の導電性テープとし、且つ、端部の1角で剥がし、剥がした部分を垂直に高さを1mmになるようにした。
【0074】
得られた結果を、表3に示す。なお表3において、帯電能のバラツキは、比較例2を「100」とした、相対評価で示してあり、値が小さいほうが、バラツキが少ない。
【0075】
本発明の導電性テープを用いた、高周波処理方法は、仮に、導電性テープ剥がれが生じたとしても、処理の安定性、再現性に優れていることが判った。
【0076】
【表3】
Figure 2005002434
【0077】
【発明の効果】
以上のように、本発明においては、装置構成を簡素化し、また、装置に自由度を備えさせることで、設備の大幅なコストダウンを図り、さらに、処理特性および歩留まりの向上を可能とする導電性テープおよび、それを用いた高周波処理方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の導電性テープの一例を示す模式図である。
【図2】従来の導電性テープの一例を示す模式図である。
【図3】電子写真感光体の製造装置の一例を示す模式図である。
【図4】電子写真感光体の製造装置の一例を示す模式図である。
【図5】電子写真感光体の製造装置の一例を示す模式図である。
【図6】電子写真感光体の製造装置の一例を示す模式図である。
【図7】電子写真感光体の製造装置の一例を示す模式図である。
【図8】電子写真感光体の製造装置の一例を示す模式図である。
【符号の説明】
100、200 導電性テープ
101、201 導電性テープ端部
300 反応容器部
301 反応容器
302 導電性テープ
305 メイン排気管
306 メイン排気バルブ
307 スロー排気ライン
308 スロー排気バルブ
309 内圧測定器
304 排気コンダクタンス制御手段
311 上蓋
320 基体
321 高周波電源
322 高周波シールド
323 処理容器支持台
324 基体加熱用ヒーター
325 原料ガス導入管
326 高周波電極
327 高周波整合器
328 絶縁体
350 排気手段
360 ガス供給及び流量制御手段
370 モーター[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a conductive tape used for a high-frequency shield.
[0002]
Furthermore, the present invention relates to a high-frequency processing method used for forming a semiconductor device, an electrophotographic photoreceptor, an image input line sensor, a photographing device, a photovoltaic device, and the like, such as deposited film formation and etching.
[0003]
[Prior art]
When creating semiconductor devices, electrophotographic photoreceptors, image input line sensors, imaging devices, photovoltaic devices, other various electronic elements, optical elements, etc., using high frequencies, ensure that high frequencies do not leak from the specified space. There is a need to. When high-frequency leakage occurs, predetermined processing may not be performed, or depending on the high-frequency used, there may be adverse effects (so-called noise) on surrounding instruments, for example. Therefore, in order to prevent the high frequency from leaking from the predetermined space, the predetermined space is surrounded by a conductive casing, a so-called high frequency shield, and the high frequency shield is grounded. In this way, various methods for forming a high-frequency shield and grounding the high-frequency shield have been proposed.
[0004]
For example, in Japanese Patent Publication No. 7-91645, a shield is fitted and pressed.
[0005]
In Japanese Patent Laid-Open No. 2002-241940, a shield is formed by welding or screwing.
[0006]
Since high-frequency leakage is caused by a slight gap or contact failure in some cases, these methods require processing accuracy, and as a result, the apparatus cost is inevitably increased. Furthermore, as a result of forming the device with high accuracy, the device is robust and the flexibility of the device is reduced.
[0007]
On the other hand, compared to the above-mentioned methods of forming a high-frequency shield and grounding a high-frequency shield, the method of using a conductive tape and conducting the contact portion does not require strict device dimensions and is limited to the shape of the contact portion. Therefore, the apparatus cost can be suppressed and the degree of freedom of the apparatus is increased, which is a useful method. Therefore, various types of conductive tapes have been commercialized.
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
With the conventional conductive tape and the high frequency processing method using the same, it has become possible to reduce the cost of the apparatus and perform high quality processing.
[0009]
However, as described above, when a conductive tape is used, there is room for improvement in terms of stability and reproducibility of high-frequency processing.
[0010]
For example, in the production of an electrophotographic photoreceptor, the film formation time may take a long time because the film thickness is relatively large. In addition, in order to improve the performance of the electrophotographic photosensitive member, many layers having different processing conditions may be stacked. In this case, the temperature of the high-frequency shield used for the conductive tape changes for different processing conditions, and as a result, the conductive tape peels off, but this affects the stability and reproducibility of the high-frequency processing. This greatly affects the yield of the electrophotographic photosensitive member.
[0011]
(Object of invention)
The present invention aims to solve the above problems.
[0012]
That is, in high-frequency processing, the apparatus configuration is simplified, and the apparatus is provided with a degree of freedom, so that the cost of the equipment is greatly reduced, and further, the conductive tape capable of improving the processing characteristics and the yield, and It aims at providing the high frequency processing method using it.
[0013]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, the conductive tape of the present invention and the high-frequency processing method using the same are provided with a part of the high-frequency shield that prevents leakage of high-frequency waves from a predetermined space to the outside. Further, in the conductive tape to be electrically connected, the conductive tape has at least an R (curved surface) portion at an end portion.
[0014]
Further, a part of the high-frequency shield that prevents high-frequency leakage from a predetermined space to the outside is electrically connected to the ground or another high-frequency shield using a conductive tape, and the predetermined frequency is used using the high-frequency. In the high frequency processing method for performing processing, the conductive tape is one having at least an R (curved surface) portion at an end portion.
[0015]
Furthermore, it is preferable that the conductive tape is used on the transmission line side through which a high frequency is transmitted.
[0016]
Further, the high-frequency treatment method comprises introducing a substrate to be treated into a reaction vessel made of a metal that can be depressurized and a dielectric that is partially permeable to high-frequency power, introducing a raw material gas into the reaction vessel, A processing method for performing a predetermined process on the substrate to be processed by decomposing a raw material gas using the high-frequency power,
It is preferable that a part of the high-frequency shield is a part of the metal part of the reaction vessel.
[0017]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventors,
A part of the high-frequency shield that prevents high-frequency leakage from a predetermined space to the outside is electrically connected to the ground or other high-frequency shield using a conductive tape, and predetermined processing is performed using the high-frequency. In the high-frequency treatment method to be performed, the conductive tape is a tape having at least an R (curved surface) portion at the end, thereby simplifying the device configuration and providing the device with a degree of freedom, thereby greatly increasing the equipment. Cost reduction, and further improved processing characteristics and yield.
[0018]
Such an embodiment of the present invention will be described in detail below.
[0019]
1A to 1C are schematic views showing an example of the conductive tape of the present invention.
[0020]
Reference numeral 100 denotes a conductive tape. The surface is made of a conductive cloth (polyester fiber metal plating, etc.), a conductive metal foil (copper, aluminum, etc.) and the like. A conductive adhesive material or a pressure sensitive adhesive is applied to the back surface.
[0021]
Moreover, the process which a protrusion part is provided in the adhesive material side, and a to-be-adhered body and electroconductive metal foil contact directly may be performed.
[0022]
Reference numeral 101 denotes an end portion of the conductive tape 100 on which an R (curved surface) portion, which is a feature of the present invention, is formed.
[0023]
There are no particular restrictions on the method of forming the R (curved surface) portion. Die cutting may be used, or a rectangular portion at the end of the conventional conductive tape shown in FIG. 2 may be processed using a cutter, scissors, or the like.
[0024]
The size of the R (curved surface) portion is not particularly limited, and the entire end portion may have an R (curved surface) shape as shown in FIG. 1 (A), or the end portion as shown in FIG. 1 (B). Both corners may be R (curved surface) part shapes. Further, as shown in FIG. 1C, the entire conductive tape may have an R (curved surface) shape.
[0025]
It has been found that a conductive tape having both end corners having an R (curved surface) shape as in the present invention is difficult to peel off during high-frequency treatment. Although it is not certain about this cause, the present inventors are estimating as follows.
[0026]
For example, when the temperature of the high-frequency shield changes during high-frequency processing, or when the high-frequency shield is deformed due to temperature change, the conductive tape used is distorted. In this case, it becomes easy to peel off from the end of the tape. When the conventional end portion is rectangular, it is assumed that the distortion generated in the acute angle portion is not dispersed and begins to peel off from the tip of the acute angle portion. On the other hand, when the shape of the end portion is R as in the present invention, it is assumed that the generated strain is dispersed throughout the R portion, and as a result, it is difficult to peel off.
[0027]
Furthermore, as in the present invention, when a high-frequency treatment is performed by using a conductive tape having both corners of an R (curved surface) shape as in the present invention, it is effective in improving the stability and reproducibility of the treatment. all right.
[0028]
This cause is presumed as follows.
When peeling occurs on the conductive tape during high-frequency processing,
Insufficient high-frequency confinement.
By changing the shape of the conductive tape, the distribution of the electromagnetic field in the high frequency space changes.
it is conceivable that. As a result, the high-frequency power introduced into the processing space and the high-frequency distribution change, which adversely affects processing stability and reproducibility.
[0029]
As in the present invention, when a high-frequency treatment is performed using a conductive tape with both corners of the R (curved surface) shape, as described above, it is difficult to peel off as compared with the conventional case, so that the processing stability is improved. It is estimated that the reproducibility is improved.
[0030]
As a result, the present invention, for example, when the high frequency processing time is long as in the production of an electrophotographic photosensitive member, or when the processing conditions change during the high frequency processing, the temperature change of the member using the conductive tape is changed. It is particularly effective when it occurs.
[0031]
Similarly, when a conductive tape is used in a part of a processing container for high-frequency processing, the present invention is extremely effective because a change in high-frequency processing conditions directly affects the temperature or shape of the member. It is effective in improving stability and reproducibility.
[0032]
Furthermore, when the conductive tape of the present invention is used on the transmission line side where high-frequency power is transmitted, it is very effective in improving stability and reproducibility. This is presumably because the high-frequency electromagnetic field is strong on the transmission line side, so that the influence of the above-mentioned 2 becomes noticeable even when the shape of the conductive tape is slight.
[0033]
Furthermore, the conductive tape of the present invention is less likely to adversely affect the stability and reproducibility even if peeling occurs at the end. About this cause, it estimates as follows. When peeling occurs at the end, if there is an acute part like a conventional conductive tape, the electromagnetic field concentrates on the tip of the acute part and greatly disturbs the distribution of the electromagnetic field in the space. Become. Even if the conductive tape of the present invention is peeled off at the end portion, the end portion has an R (curved surface) shape, and therefore there is no sharp portion. For this reason, it is considered that disturbance of the electromagnetic field distribution is suppressed.
[0034]
Next, an example of a high-frequency processing method using the conductive tape of the present invention will be described by taking an electrophotographic photosensitive member forming method as an example.
[0035]
FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing an example of an apparatus for forming an electrophotographic photosensitive member by the VHF plasma CVD method. The processing container 300 includes a cylindrical high-frequency shield 322 made of SUS, a cylindrical processing container 301 made of alumina ceramics, a processing container support base 323 having an earth potential, and an upper lid 311.
[0036]
In the processing vessel 301, three substrate heating heaters 324 and three source gas introduction pipes 325 are installed concentrically. Further, three rod-like high-frequency electrodes 326 made of SUS are installed concentrically between the high-frequency shield 322 and the processing container 301 at equal intervals, and a high-frequency power source 321 is connected via a high-frequency matching box 327. . The rod-shaped high-frequency electrode 326 is insulated from the high-frequency shield 322 and the processing container support 323 by an insulating member 328.
[0037]
The high-frequency shield 322 includes a cylindrical shield wall 330, a shield lid 331, and a disk member 332 for dividing the inside of the shield into two. The cylindrical shield wall 330 and the disk member 332 are screwed, and as will be described later, the shield wall 330 and the shield cover 331, and the upper cover 311 and the disk member 332 are electrically conductive tape 302 and are electrically connected. It is connected to the.
[0038]
350 is an exhaust means for adjusting the pressure inside the main exhaust pipe 305, the main exhaust valve 306, the slow exhaust line 307, the slow exhaust valve 308, the internal pressure measuring device 309, and the reaction vessel section 300. Further, exhaust conductance control means 304 is connected.
The exhaust means 350 may be any pump or any combination thereof as long as it can obtain a desired exhaust speed, such as a rotary pump, a mechanical booster pump, an oil diffusion pump, and a turbo molecular pump.
[0039]
Reference numeral 360 denotes a gas supply and flow rate control means. The gas supply and flow rate control means 360 preferably includes a plurality of gas cylinders, regulators, valves, mass flow controllers and the like necessary for processing, and can supply a desired gas at a desired flow rate and mixing ratio. Any configuration is possible. More preferably, it is desirable to include a purge gas cylinder and a purge line, and this makes it possible to suppress the entry of other gases or impurities from the outside into each gas line. The raw material gas necessary for the processing is supplied from the gas supply and flow rate control means 360 into the reaction vessel 301 through the inflow valve 361.
[0040]
The electrophotographic photosensitive member was produced as follows.
[0041]
First, as shown in FIG. 5, the high frequency matching box 327, the shield cover 331, which is a part of the high frequency shield 322, a part of the high frequency electrode 326, and the upper cover 311 are removed.
[0042]
Next, a cylindrical substrate 320 that is a substrate to be processed is carried into the reaction vessel 301. Then, the upper lid 311 is installed to seal the reaction vessel 301.
[0043]
The slow exhaust valve 308 is opened, and the slow exhaust line 307 is used to start depressurization in the processing container 300.
[0044]
When the internal pressure measuring device 309 reaches an arbitrary value, for example, 266 Pa, the slow exhaust valve 308 is closed, the main exhaust valve 306 is opened, and the inside of the processing container 300 is further decompressed.
[0045]
Next, as shown in FIG. 6, the upper lid 311 of the reaction vessel 301 and the disk member 332 connecting the shield wall 330 are electrically connected using the conductive tape 302. At this time, the gap between the disk member 332 and the upper lid 311 is filled by stretching the conductive tape 302 over the entire circumference between the disk member 332 and the upper lid 311.
[0046]
Next, as shown in FIG. 7, a part of the high-frequency electrode 326 and the shield cover 331 are installed. The shield lid 331 and the shield wall 330 are electrically connected by the conductive tape 302 over the entire circumference.
[0047]
Finally, as shown in FIG. 8, a high-frequency matching box 327 is installed and connected to the power source 321 with a coaxial cable.
[0048]
When the internal pressure measuring device 309 reaches an arbitrary value, for example, 1 Pa,
The substrate heating heater 324 was driven to heat and control the cylindrical substrate 320 to an arbitrary temperature, for example, 230 ° C.
[0049]
When the cylindrical substrate 320 reaches a predetermined temperature, the source gas is introduced into the processing container 301 through the source gas introduction pipe 325. After confirming that the flow rate of the raw material gas becomes the set flow rate and that the pressure in the processing container 301 is stabilized, predetermined high frequency power is supplied from the high frequency power source 321 to the high frequency electrode 326 via the matching box 327. During the formation of the deposited film, the motor 370 was driven to rotate the cylindrical substrate 320.
[0050]
After the formation of the deposited film, the cylindrical substrate 320 was cooled, a leak valve (not shown) was opened, the processing vessel 301 was returned to atmospheric pressure, and the cylindrical substrate 320 that had been vacuum-treated was taken out.
[0051]
After that, the components in the processing container 301 are replaced, and when the deposited film can be formed again, the series of steps is finished.
[0052]
The present invention has been described above by taking the electrophotographic photosensitive member forming apparatus as an example. However, the present invention is not limited to this, and can be used for other high-frequency processing methods such as sputtering.
[0053]
【Example】
The present invention will be described in more detail with reference to the following examples. However, the present invention is not limited to these examples.
[0054]
(Example 1)
In the high-frequency processing apparatus shown in FIG. 3, an a-Si film is placed on a cylinder made of Al (cylindrical base 320) having a length of 358 mm and an outer diameter of φ80 mm, which is installed in the processing vessel 300, and a high-frequency power source. The film was formed as described above under the conditions shown in Table 1 with an oscillation frequency of 321 of 105 MHz, and an electrophotographic photosensitive member was produced.
[0055]
In this embodiment, as the conductive tape 302,
What used the electroconductive tape of FIG. 1 (A) was created.
[0056]
The formation of the electrophotographic photoreceptor as described above was carried out 10 times continuously.
[0057]
For each film formation, the adhesive state of the conductive tape was confirmed. In addition, evaluation of “variation in charging ability” was performed on the produced electrophotographic photosensitive member as follows.
[0058]
"Characteristic variation"
The prepared electrophotographic photosensitive member is installed in a Canon iR5000 modified for experiment, a voltage of +6 kv is applied to the charger to perform corona charging, and the surface of the dark part of the electrophotographic photosensitive member is measured by a surface potential meter installed at the developing unit position. Measure the potential.
[0059]
The electrophotographic photosensitive member produced 10 times each is measured as described above, and the difference between the maximum value and the minimum value is used as the variation in charging ability.
[0060]
(Example 2)
In the same manner as in Example 1, an electrophotographic photosensitive member was produced and evaluated in the same manner as in Example 1.
[0061]
However, in this embodiment, as the conductive tape 302,
The conductive tape of FIG. 1 (B) was used.
[0062]
Example 3
In the same manner as in Example 1, an electrophotographic photosensitive member was produced and evaluated in the same manner as in Example 1.
[0063]
However, in this embodiment, as the conductive tape 302,
The conductive tape of FIG. 1 (C) was used.
[0064]
(Comparative Example 1)
Except for the use of the conventional conductive tape shown in FIG. 2, an electrophotographic photosensitive member was produced in the same manner as in Example 1 and evaluated in the same manner as in Example 1.
[0065]
The results obtained are shown in Table 2. In Table 2, the variation in charging ability is indicated by relative evaluation with Comparative Example 1 being “100”, and the smaller the value, the smaller the variation.
[0066]
From the above results, it was found that the conductive tape of the present invention was particularly excellent in adhesion at the end.
[0067]
Furthermore, the high frequency processing method using the conductive tape of the present invention was found to be excellent in processing stability and reproducibility.
[0068]
[Table 1]
Figure 2005002434
[0069]
[Table 2]
Figure 2005002434
[0070]
(Example 4)
1A was used as a conductive tape, and an electrophotographic photosensitive member was produced in the same manner as in Example 1, and the same evaluation was performed.
[0071]
However, in this example, one of the conductive tapes used for connecting the upper lid 311 and the disk member 332 was peeled off at the end, and the peeled portion was vertically set to 1 mm in height.
[0072]
(Comparative Example 2)
In the same manner as in Example 2, an electrophotographic photoreceptor was produced and evaluated in the same manner.
[0073]
However, in this comparative example, one of the conductive tapes used for the connection between the upper lid 311 and the disk member 332 is the conventional conductive tape of FIG. 2 and is peeled off at one corner of the end. The part was set to be 1 mm in height vertically.
[0074]
The results obtained are shown in Table 3. In Table 3, the variation in charging ability is indicated by relative evaluation with Comparative Example 2 being “100”, and the smaller the value, the smaller the variation.
[0075]
It has been found that the high-frequency treatment method using the conductive tape of the present invention is excellent in processing stability and reproducibility even if the conductive tape peels off.
[0076]
[Table 3]
Figure 2005002434
[0077]
【The invention's effect】
As described above, in the present invention, by simplifying the configuration of the apparatus and providing the apparatus with a degree of freedom, it is possible to significantly reduce the cost of the equipment, and further improve the processing characteristics and yield. And a high-frequency processing method using the same can be provided.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic view showing an example of a conductive tape of the present invention.
FIG. 2 is a schematic view showing an example of a conventional conductive tape.
FIG. 3 is a schematic view showing an example of an electrophotographic photoreceptor manufacturing apparatus.
FIG. 4 is a schematic view showing an example of an electrophotographic photoreceptor manufacturing apparatus.
FIG. 5 is a schematic view showing an example of an electrophotographic photoreceptor manufacturing apparatus.
FIG. 6 is a schematic view showing an example of an electrophotographic photoreceptor manufacturing apparatus.
FIG. 7 is a schematic view showing an example of an electrophotographic photoreceptor manufacturing apparatus.
FIG. 8 is a schematic view showing an example of an electrophotographic photoreceptor manufacturing apparatus.
[Explanation of symbols]
100, 200 Conductive tape 101, 201 Conductive tape end 300 Reaction vessel 301 Reaction vessel 302 Conductive tape 305 Main exhaust pipe 306 Main exhaust valve 307 Slow exhaust line 308 Slow exhaust valve 309 Internal pressure measuring device 304 Exhaust conductance control means 311 Upper lid 320 Substrate 321 High-frequency power source 322 High-frequency shield 323 Processing vessel support 324 Substrate heating heater 325 Source gas introduction tube 326 High-frequency electrode 327 High-frequency matching unit 328 Insulator 350 Exhaust means 360 Gas supply and flow rate control means 370 Motor

Claims (4)

高周波が所定の空間から外部に漏洩するのを防止する高周波シールドの一部を、アースまたは他の高周波シールドに、電気的に接続させる導電性テープにおいて、
前記導電性テープは、端部に少なくともR(曲面)部を有することを特徴とする導電性テープ。
In a conductive tape that electrically connects a part of a high-frequency shield that prevents leakage of high-frequency waves from a predetermined space to the ground or other high-frequency shield,
The conductive tape has at least an R (curved surface) portion at an end portion.
高周波が所定の空間から外部に漏洩するのを防止する高周波シールドの一部を、アースまたは他の高周波シールドに、導電性テープを用いて電気的に接続させ、前記高周波を用いて所定の処理を行う高周波処理方法において、
前記導電性テープとして、端部に少なくともR(曲面)部を有するものを用いることを特徴とする高周波処理方法。
A part of the high-frequency shield that prevents high-frequency leakage from a predetermined space to the outside is electrically connected to the ground or other high-frequency shield using a conductive tape, and predetermined processing is performed using the high-frequency. In the high frequency processing method to be performed,
A high-frequency treatment method using the conductive tape having at least an R (curved surface) portion at an end portion.
前記導電性テープは、高周波が伝送する伝送路側に用いることを特徴とする請求項2に記載の高周波処理方法。The high frequency processing method according to claim 2, wherein the conductive tape is used on a transmission line side through which a high frequency is transmitted. 前記高周波処理方法は、減圧可能な金属および一部が高周波電力を透過可能な誘電体からなる反応容器内に、被処理基体を投入し、該反応容器内に原料ガスを導入し、該原料ガスを前記高周波電力を用いて分解することで、前記被処理基体に所定の処理を行う処理方法であり、
前記高周波シールドの一部は、前記反応容器の金属部の一部であることを特徴とする、請求項2乃至3に記載の処理方法。
In the high-frequency treatment method, a substrate to be treated is introduced into a reaction vessel made of a depressurizable metal and a dielectric part of which can transmit high-frequency power, and a raw material gas is introduced into the reaction vessel. Is a processing method for performing a predetermined process on the substrate to be processed by decomposing using the high-frequency power,
The processing method according to claim 2, wherein a part of the high-frequency shield is a part of a metal part of the reaction vessel.
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