JP2004119705A - Gas supply apparatus and vacuum processing device - Google Patents

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JP2004119705A
JP2004119705A JP2002281229A JP2002281229A JP2004119705A JP 2004119705 A JP2004119705 A JP 2004119705A JP 2002281229 A JP2002281229 A JP 2002281229A JP 2002281229 A JP2002281229 A JP 2002281229A JP 2004119705 A JP2004119705 A JP 2004119705A
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Yoshio Seki
瀬木　好雄
Toshiyasu Shirasago
白砂　寿康
Kazuyoshi Akiyama
秋山　和敬
Takahisa Taniguchi
谷口　貴久
Mitsuharu Hitsuishi
櫃石　光治
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To remarkably reduce a cost relative to a gas supply apparatus by installing a gas supply piping which has a fewer branch pipings with a flow rate variable valve than the total branch pipings, in a vacuum processing system and gas supply apparatus for simultaneously processing workpieces in a plurality of reaction devices. <P>SOLUTION: The gas supply apparatus comprises a gas supplying section 11 for supplying gas to each of the reaction devices 2a, 2b, and 2c; a flow rate controlling section 12 for controlling a gas flow rate to be supplied to each of the reaction devices 2a, 2b, and 2c from the gas supplying section 11; the gas supply piping 13 having the plurality of branch pipings for distributing and supplying gas to each of the reaction devices 2a, 2b, 2c installed on the downstream side of the gas supplying section 11 and the flow rate controlling section 12; and the flow rate variable valve 14 installed in the branch piping of the gas supply piping 13. In the gas supply piping 13, the number of the branch pipes provided with the flow rate variable valve 14 is smaller than the total number of branch pipes. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理物が設置された減圧可能な複数の反応装置にガスを供給するためのガス供給装置、およびこのガス供給装置を備えて例えば堆積膜の形成やエッチング等の、半導体デバイス、電子写真用感光体、画像入力用ラインセンサ、撮影デバイス、光起電力デバイス等を製造するための真空処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、減圧下でガスが供給されて、被処理物に対して、例えば堆積膜の形成やエッチング等の真空処理を施すための反応装置が知られている。この種の反応装置を複数備える従来の真空処理装置としては、一般的に、図６に示すように構成されたものが用いられている。
【０００３】
図６に示すように、従来の真空処理装置１０１は、３個の第１、第２および第３の反応装置１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃと、これら各反応装置１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃにガスをそれぞれ供給するためのガス供給装置１０３と、各反応装置１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃからガスをそれぞれ排気するためのガス排気装置１０４と、反応装置１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃに高周波電力を供給するための高周波電力供給装置１１０とを備えている。
【０００４】
ガス供給装置１０３は、各反応装置１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃにガスを供給するためのガス供給部１１１と、このガス供給部１１１から供給されるガスの流量を制御するための流量制御部１１２と、この流量制御部１１２から各反応装置１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃにガスをそれぞれ供給するためのガス供給配管１１３とを有している。
【０００５】
ガス供給部１１１は、プラズマ処理用ガスが収容されたガスボンベを有している。流量制御部１１２は、図示しないが、減圧弁、バルブ、マスフローコントローラ等を有している。ガス供給配管１１３は、各反応装置１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃにガスをそれぞれ供給するために分岐された複数の分岐配管を有している。このガス供給配管１１３の各分岐配管には、各反応装置１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃに供給されるガスの流量を均一または適正な流量に調整するための流量可変バルブ１１４がそれぞれ設けられている。
【０００６】
この流量可変バルブ１１４による流量の調整は、各反応装置１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃに設けられている圧力計（不図示）、または流量可変バルブ１１４と各反応装置１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃとの間に常設または必要時に設けられる流量計（不図示）によって調整される。
【０００７】
ガス排気装置１０４は、各反応装置１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃ内からガスを排気するための排気部１１５を有している。排気部１１５は、図示しないが、ロータリーポンプ、メカニカルブースターポンプ、油拡散ポンプ、ターボ分子ポンプ等を有しており、集合排気配管１１６を介して各反応装置１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃに連結されている。そして、排気部１１５は、集合排気配管１１６を介して各反応装置１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃからガスをそれぞれ排気する。
【０００８】
また、集合排気配管１１６と各反応装置１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃとの間に、排気のコンダクタンスを制御するための排気コンダクタンス制御部１１７が設けられており、この排気コンダクタンス制御部１１７によって各反応装置１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃからの排気が均一または適正値に調整されている。
【０００９】
上述した従来のガス供給装置１０３は、流量可変バルブを備える構成が適用されているが、例えば図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、流量可変バルブを用いない構成も採られている。
【００１０】
図７（ａ）に示すように、ガス供給装置１５１は、４個の第１〜第４の反応装置１０２ａ，１０２ｂ、１０２ｃ、１０２ｄにガスをそれぞれ供給するガス供給配管１５６を備えている。
【００１１】
図７（ｂ）に示すように、ガス供給装置１５２は、８個の第１〜第８の反応装置１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃ，１０２ｄ，１０２ｅ，１０２ｆ，１０２ｇ，１０２ｈにガスをそれぞれ供給するガス供給配管１５６を備えている。
【００１２】
このように流量可変バルブを用いない構成を採用する場合には、ガス供給配管の第１段目による分岐後の分岐配管の長さ、径、曲げ角度を等しくして、ガス供給のコンダクタンスを均一にできる構成であることが前提になり、複数の反応装置の個数が、例えば２個、４個、８個、１６個のように「２」の乗数倍の個数に限定されている。
【００１３】
また、従来、原料ガス供給手段と排気手段が共通化された複数の反応容器を用いる技術が開示されている（特許文献１参照）。このようにして複数の反応容器を単一の排気手段や単一のガス供給手段に接続することで、ガス供給手段や排気手段への設備投資を低減することができる。
【００１４】
また、これらの反応装置を利用する装置としては、高周波電力供給手段を接続し、放電エネルギーを利用するプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法による堆積膜形成用の真空処理装置がある。このプラズマＣＶＤ法によって形成される非晶質薄膜　（例えば水素およびハロゲンの少なくとも一方によって補償されたアモルファスシリコン）　は、電子写真用感光体、半導体デバイス、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等の半導体素子への応用が提案され、その中のいくつかは実用に至っている。
【００１５】
特に１３．５６［ＭＨｚ］のＲＦ（Ｒａｄｉｏ−Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）帯の高周波を用いたプラズマＣＶＤ法（以降『ＲＦ−ＰＣＶＤ』と略記する）は、基板材料、堆積膜材料等が導電体、絶縁体に関わらず処理でき、また、その取り扱いが比較的容易であるため広く用いられている。また、プラズマを生成するために使用する高周波電力の周波数を工夫することにより、更なる改善を行うための様々な工夫がなされている。近年においては、ＲＦ帯と比較してより周波数が高いＶＨＦ（Ｖｅｒｙ　Ｈｉｇｈ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）帯の高周波電力を用いたプラズマＣＶＤ（以降『ＶＨＦ−ＰＣＶＤ』と略記する）法が注目を浴びており、このＶＨＦ−ＰＣＶＤを適用した各種堆積膜形成装置および堆積膜形成方法の開発も積極的に進められている。
【００１６】
また従来、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）系の電子写真用光受容部材を形成するために用いられる、ＶＨＦ帯の周波数を用いたＰＣＶＤの装置および方法が開示されている（特許文献２参照）。このように堆積膜の性能を低下させることなく堆積速度を向上させることで、製造に要する合計時間を短縮でき、製造コストの低減を図ることが可能になる。また、同一円周上に配置された複数の円筒状基体上に、ＶＨＦ帯の高周波を用いて複数の堆積膜を同時に形成する技術が開示されている（特許文献３参照）。
【００１７】
ＶＨＦ帯と呼ばれる、１３．５６［ＭＨｚ］のＲＦ帯の周波数より比較的高い周波数の高周波を好適に使用でき、円筒状基体上に電子写真用感光体を堆積するための従来の反応装置について説明する。
【００１８】
従来の反応装置は、アモルファスシリコン感光体を製造するための反応装置であって、カソード電極が反応容器の外方に設置され、反応容器内に複数の円筒状基体が設置されている。
【００１９】
そして、反応装置は、高周波電力供給装置の高周波電源から発振された高周波電力がマッチングボックスを介し、電力分岐の給電点に印加され、反応容器の外方に設置された複数のカソード電極から反応容器内に電力が供給され、反応容器内にプラズマを生起し堆積膜が形成される。また、カソード電極から放出される高周波電力を反応容器に効率良く導入するために、円筒形の反応容器の側壁は、誘電材料であるセラミックスによって形成されている。
【００２０】
さらに、反応装置には、反応容器内に、複数の円筒状基体が同一円周上に等間隔でそれぞれ設置されている。円筒状基体の本数は、反応容器と円筒状基体の径に応じて任意に変えることが可能である。また、反応容器内にガスを導入するガス導入管は、円筒状基体が配置された配置円の外方の同一円周上等に間隔で複数本設置されている。
【００２１】
このガス導入管には、複数のガス放出孔が設けられており、これらガス放出孔の位置や孔径を調整することによって、反応容器内に導入するガスの分布を調整することができる。また、ガス導入管に関しても、ガスを均等に供給することができれば任意の数にすることができる。また、分岐電極と各カソード電極は、コンデンサを介して電気的に接続されるように構成してもよい。
【００２２】
上述した従来の反応装置を用いて堆積膜を形成する形成工程について簡単に説明する。
【００２３】
まず、反応容器内に円筒状基体を設置し、ガス排気装置によって排気管を通して反応容器内を排気する。続いて、不活性ガスを流しながらヒーターにより円筒状基体を２００［℃］〜３００［℃］程度の所定の温度に加熱する。
【００２４】
円筒状基体が所定の温度になったときに、ガス供給部、流量制御部およびガス供給配管から分岐配管、ガス導入管を介して原料ガスを反応容器内に導入する。その後、排気コンダクタンス制御部を用いて、反応容器内の圧力が０．０５〜２０［Ｐａ］の間、好適には０．１〜１０［Ｐａ］の所定の圧力に設定する。反応容器内の圧力が安定したのを確認した後、高周波電力を高周波電源によって、マッチングボックスを介してカソード電極へ供給する。これにより、反応容器内に高周波電力が供給され、反応容器内にグロー放電が生起し、原料ガスが励起解離して円筒状基体上に堆積膜が形成される。堆積膜の形成中に、モータによって、ギヤ、回転軸を介して円筒状基体を所定の速度で回転させることで、円筒状基体の表面全周に亘って堆積膜が形成される。
【００２５】
堆積膜が所望の膜厚に形成された後、高周波電力の供給を停止し、続いて原料ガスの供給を停止して堆積膜の形成工程を終える。このような堆積膜の形成工程を同様に複数回繰り返すことによって、堆積膜が積層されて形成され、所望の多層構造の光受容層が形成される。
【００２６】
【特許文献１】
特公平７−１３９４７号公報
【特許文献２】
特開平６−２８７７６０号公報
【特許文献３】
特開平７−２８８２３３号公報
【００２７】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来の真空処理方法および真空処理装置によれば、同時に作製できる堆積膜の数量が多くなり生産性の向上が図られるとともに、流量制御部や排気部といった付帯設備を共通化できるというコスト面のメリットがあり、生産コストを大幅に低減させることが可能になった。
【００２８】
しかしながら、近年の製品の価格競争が大変に厳しい状況では、生産設備投資においても１円単位でのコストの削減が求められており、未だ改善の余地があるのも実情である。
【００２９】
複数の反応装置に原料ガスを供給するガス供給部および流量制御部を有するガス供給装置に関しては、複数の反応装置で共有することが設備コストを低減するために好ましい。
【００３０】
そして、例えばａ−Ｓｉ等の堆積膜を作製する場合、原料ガスはモノシランガス等を用いるが、その他にも価電子制御のためのジボランガス、ホスフィンガス、希釈用のガスとして水素、ヘリウム、アルゴン、その他にもハロゲン含有ガス等、非常に多くの原料ガスを混合する場合が多い。また、その混合比率や流量等も正確に制御しなければ所望の膜が得られない。このため、それぞれのガス供給路毎にマスフローコントローラを設けて正確に混合する必要がある。また、これらのガスの混合やパージ等を行うための分岐経路が複雑な分岐配管と、多数のバルブを有する流量制御部やガス混合部等の設備が必要となる。このような設備は、一般的に高額であるため、多数の反応装置を備える構成の場合に、反応装置毎に独立して用意することで、設備投資額が膨大に嵩んでしまう。したがって、複数の反応装置を同一の流量制御部から分岐した分岐配管に接続し、同時にガス供給を行うことによって、ガス供給設備に関わる装置コストを大幅に低減することが可能になる。
【００３１】
したがって、上述したように、反応装置の個数が、図７（ａ）および図７（ｂ）に示したように、「２」の乗数個である場合は、各ガス供給配管１５６，１５７の分岐配管の長さ、径、曲げ角度を等しくすることで、ガス供給のコンダクタンスを均一にできる構成を採ることができる。このため、ガス供給部１１１から流量制御部１１２を介して供給されたガスを分配する各ガス供給配管１５６，１５７の分岐配管に、流量可変バルブを設けない構成が可能にされている。このように構成されたガス供給装置１５１，１５２は、流量可変バルブに不要になるため、特に装置コストが嵩むようなことはない。
【００３２】
しかしながら、例えば図６に示したように、反応装置が３個の場合には、ガス供給配管の分岐後の分岐配管の長さ、径、曲げ角度を等しくしてガス供給のコンダクタンスを正確に揃えることが比較的困難であり、ガス供給配管の全長が無駄に長くなってしまうことがある。したがって、製造コストの増加や真空処理特性に悪影響を及ぼす場合があり、ガス流量の調整が困難であることから、一般的には流量可変バルブが、分岐後の分岐配管の全数すなわち各反応装置毎にそれぞれ設けられている。
【００３３】
すなわち、複数の反応装置の全個数が、例えば３個、５個、６個のような２の乗数個以外の場合には、分岐後の分岐配管の長さ、径、曲げ角度を等しく形成してガス供給のコンダクタンスを均一にすることが困難なため、反応装置毎に流量可変バルブがそれぞれ設けられている。したがって、従来のガス供給装置は、複数の反応装置の全個数が２の乗数個以外の場合に、装置コストが膨大になって嵩んでしまうという問題があった。
【００３４】
そこで、本発明は、量産化における装置コストを大幅に低減させ、得られる堆積膜の特性の再現性および生産性を向上させることができるガス供給装置および真空処理装置を提供することを目的とする。
【００３５】
【課題を解決するための手段】
上述した目的を達成するため、本発明に係るガス供給装置は、被処理物が設置された減圧可能な複数の反応装置と、各反応装置に高周波電力を供給する高周波電力供給手段と、各反応装置を排気する排気手段とを備え、各反応装置内の被処理物を同時に真空処理するための真空処理装置の各反応装置に、ガスの流量を制御して供給するガス供給装置であって、各反応装置にガスを供給するためのガス供給手段と、ガス供給手段から各反応装置に供給するガスの流量を制御するための流量制御手段と、ガス供給手段および流量制御手段を経た下流側に設けられ各反応装置にガスを分配してそれぞれ供給するために分岐された複数の分岐配管を有するガス供給配管と、ガス供給配管の分岐配管に設けられた流量可変バルブとを備える。そして、ガス供給配管は、流量可変バルブが設けられている分岐配管の数が、分岐配管の全数に比べて少ない。
【００３６】
また、本発明に係る真空処理装置は、被処理物が設置された減圧可能な複数の反応装置と、各反応装置に高周波電力を供給する高周波電力供給手段と、各反応装置にガスを供給するガス供給手段およびガス供給手段から各反応装置に供給するガスの流量を制御するための流量制御手段を有するガス供給装置と、各反応装置からガスを排気する排気手段とを備え、各反応装置内の被処理物を同時に真空処理するための真空処理装置である。ガス供給装置は、ガス供給手段およびガス流量制御手段を経た下流側に設けられ各反応装置にガスを分配してそれぞれ供給するために分岐された複数の分岐配管を有するガス供給配管と、ガス供給配管の分岐配管に設けられた流量可変バルブとを有する。そして、ガス供給配管は、流量可変バルブが設けられている分岐配管の数が、分岐配管の全数に比べて少ない。
【００３７】
本発明によれば、ガス供給装置が備えるガス供給配管が、いずれかの分岐で、例えば複数の反応装置を２の乗数個と、反応装置の総数から２の乗数個を引いた残りの個数とに分岐させる分岐構成や、複数の反応装置の総数に対して最大となる２の乗数個と、残りの個数とに分岐させる分岐構成にされることによって、流量可変バルブの数が、ガス供給配管の分岐配管の全数に比べて少なくされ、各反応装置にガスを均一に供給するために必要とされる流量可変バルブの個数を抑えることが可能になる。したがって、このガス供給装置によれば、ガス供給装置にかかる装置コストが大幅に低減され、例えば、ガス流量の調整作業時間、管理等に関わる堆積膜の製造コストも削減される。
【００３８】
なお、本発明において、分岐配管の全数とは、例えば、第１段目および第２段目でそれぞれ分岐されている場合、第１段目および第２段目の各分岐数の和を指し、流量制御手段から各反応装置に至る経路上で、ガス供給配管が分岐された分岐配管の総数を指している。
【００３９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００４０】
図１は本実施形態のガス供給装置を備える真空処理装置の一例を示す模式図である。
【００４１】
図１に示すように、本実施形態の真空処理装置１は、３個の第１、第２および第３の反応装置２ａ，２ｂ，２ｃと、これら各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃにガスをそれぞれ供給するためのガス供給装置３と、各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃからガスをそれぞれ排気するためのガス排気装置４と、各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃに高周波電力を供給するための高周波電力供給装置１０とを備えている。
【００４２】
ガス供給装置３は、各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃにガスを供給するためのガス供給部１１と、このガス供給部１１から供給されるガスの流量を制御するための流量制御部１２と、この流量制御部１１２から各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃにガスをそれぞれ供給するためのガス供給配管１３とを有している。
【００４３】
ガス供給部１１は、所望のプラズマ処理用ガスが収容されたガスボンベを有している。流量制御部１２は、図示しないが、減圧弁、バルブ、マスフローコントローラ等を有している。ガス供給配管１３は、各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃにガスをそれぞれ供給するために分岐された複数の分岐配管を有している。
【００４４】
そして、ガス供給配管１３には、各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃにそれぞれ供給されるガスの流量を均一または適正流量に調整するために、ガス供給配管１３における第１段目の分岐で２つに分岐された一方の分岐配管に、流量可変バルブ１４が設けられている。流量可変バルブ１４が設けられていない他方の分岐配管側は、配管長さ、径、曲げ角度が均等に配分されて各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃに接続されている。すなわち、流量可変バルブ１４によって、反応装置２ｃに供給されるガスの流量が、反応装置２ａ，２ｂにそれぞれ供給されるガスの流量と均一または適正な流量に調整される。
【００４５】
ガス排気装置４は、各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃ内からガスを排気するための排気部１５を有している。排気部１５は、図示しないが、ロータリーポンプ、メカニカルブースターポンプ、油拡散ポンプ、ターボ分子ポンプ等を有しており、集合排気配管１６を介して各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃに連結されている。そして、排気部１５は、集合排気配管１６を介して各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃからガスをそれぞれ排気する。
【００４６】
また、集合排気配管１６と各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃとの間に、排気のコンダクタンスを制御するための排気コンダクタンス制御部１７が設けられており、この排気コンダクタンス制御部１７によって各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃからの排気が均一または適正値に調整されている。
【００４７】
以上のように構成されたガス供給装置３から各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃに、例えば、ＳｉＨ４ガスを流量１００［ｓｃｃｍ］流す場合、流量の調整を次のようにして行う。なお、流量可変バルブ１４が設けられている分岐配管には、流量計（不図示）が取り付けられている。本実施形態では、流量の調整のために流量計を１つ使用しているが、流量計は各反応装置に接続されているガス供給配管に常設されている構成でも何ら問題はないが、装置コストの低減を考慮して、必要最低限の個数を取り付けて使用することが望ましい。
【００４８】
あらかじめ排気のコンダクタンスは、排気コンダクタンス制御部１７によって各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃが均一になるよう調整されている。
【００４９】
まず、ガス供給部１１から流量制御部１２にＳｉＨ４ガスが供給され、流量制御部１２内のマスフローコントローラによって、ＳｉＨ４ガスの流量が３００［ｓｃｃｍ］に制御されて、ガス供給配管１３に供給される。その後、流量可変バルブ１４が設けられている分岐配管では、流量可変バルブ１４によって流量計の値が１００［ｓｃｃｍ］になるように流量が調整される。このとき、流量可変バルブ１４が設けられていない分岐配管側には、流量２００［ｓｃｃｍ］のＳｉＨ４ガスが流れるが、配管長さ、径、曲げ角度が均等に配分されるように構成されているため、各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃには、それぞれ流量１００［ｓｃｃｍ］流れることになる。
【００５０】
また、このガス供給装置３から例えば、ＳｉＨ４ガスを各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃに流量１００［ｓｃｃｍ］でそれぞれ流すときに行う流量調整を、各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃに設けられている圧力計によって行う場合について説明する。
【００５１】
あらかじめ排気のコンダクタンスは、各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃにＳｉＨ４ガスを流量１００［ｓｃｃｍ］で流して、排気コンダクタンス制御部１７によって、各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃが０．６［Ｐａ］で均一になるよう調整している。
【００５２】
まず、ガス供給部１１から流量制御部１２にＳｉＨ４ガスが供給され、流量制御部１２内のマスフローコントローラによって、ＳｉＨ４ガスの流量が３００［ｓｃｃｍ］に制御されて、ガス供給配管１３に供給される。その後、流量可変バルブ１４が設けられている反応装置２ｃの圧力計が０．６［Ｐａ］の圧力になるように、流量可変バルブ１４によって流量が調整される。
【００５３】
このとき、流量可変バルブ１４が設けられている一方の分岐配管側には、流量１００［ｓｃｃｍ］のＳｉＨ４ガスが流れる。流量可変バルブ１４が設けられていない他方の分岐配管側には、流量２００［ｓｃｃｍ］のＳｉＨ４ガスが流れるが、分岐配管の長さ、径、曲げ角度が均等に配分されるように構成されているため、各反応装置２ａ，２ｂには、流量１００［ｓｃｃｍ］のＳｉＨ４ガスがそれぞれ流れることになり、各反応装置２ｂ，２ｃの圧力計も０．６［Ｐａ］になる。
【００５４】
次に、本実施形態の真空処理装置１が備える各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃ、および高周波電力供給装置１０について説明する。なお、真空処理装置１は、構成が同一である各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃを備えているため、反応装置２ａについてのみ説明する。
【００５５】
図２に、円筒状基体２０上に電子写真用感光体としての堆積膜を形成するために用いられて好適な反応装置の模式図を示す。
【００５６】
反応装置２ａは、１３．５６［ＭＨｚ］のＲＦ帯の周波数より比較的高い周波数の高周波を好適に使用することが可能にされており、アモルファスシリコン感光体を製造するための反応装置である。
【００５７】
反応装置２ａは、図２に示すように、プラズマ処理によって円筒状基体２０に堆積膜を形成するための反応容器２１と、この反応容器２１内に配置される円筒状基体２０を支持する複数の基体保持部材２２と、反応容器２１内にプラズマ処理用ガスを導入するための複数のガス導入管２３と、高周波放電電力が供給される複数のカソード電極２４とを有している。
【００５８】
また、高周波電力供給装置１０は、反応装置２ａ内のカソード電極２４に高周波電力を供給するための電力供給源２６と、整合回路を有するマッチングボックス２７とを有している。電力供給源２６は、接地されており、マッチングボックス２７を介してカソード電極２４に電力を供給する。
【００５９】
この高周波電力供給装置１０は、高周波電源２６から発振された高周波電力がマッチングボックス２７を介し、後述する分岐電極４５の給電点に印加され、反応容器２１の外方に設置された複数のカソード電極２４から反応容器２１内に電力が供給され、反応容器２１内に堆積膜を形成するためのプラズマを生起させる。
【００６０】
反応容器２１は、誘電材料によって円筒状に形成された側壁３１と、この側壁３１の上端および下端に、天板３２および底板３３がそれぞれ設けられている。反応容器２１内には、側壁３１、天板３２および底板３３によって囲まれた空間をもってプラズマ処理空間３５が構成されている。
【００６１】
反応容器２１の側壁３１を形成する誘電材料としては、セラミックスが用いられている。具体的なセラミックスとしては、アルミナ、二酸化チタン、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ジルコン、コージェライト、ジルコン−コージェライト、酸化珪素、酸化ベリリウムマイカ系セラミックス等が挙げられる。これらのうち、真空処理時の不純物混入抑制、耐熱性等の点からアルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素が好ましい。
【００６２】
また、底板３３の略中央部には、プラズマ処理空間３５内に供給されたガスを排気するための排気口３７が設けられている。この排気口３７には、排気管３８の一端が連結されて設けられている。排気管３８は、他端が、反応容器２１内を減圧するためのガス排気装置４に連通されている。
【００６３】
また、反応容器２１内には、この反応容器２１の中心部を取り囲むように、６本の円筒状基体２０が、互いに軸方向が平行になるようにそれぞれ配置される。各円筒状基体２０は、基体保持部材２２を介して回転軸３９によって支持されて、基体保持部材２２の内部に配設された発熱体（不図示）によって加熱される。そして、円筒状基体２０は、モータ４１を回転駆動することによって、減速ギヤ４２を介して回転軸３９が回転されて、基体保持部材２２とともに回転軸３９の軸回り方向に回転される。
【００６４】
ガス導入管２３は、棒状に形成されており、プラズマ処理用ガスを反応容器２１内に供給するための複数のガス供給孔（不図示）を有している。ガス導入管２３は、基端が分岐配配管４４に連結されており、この分岐配管４４を介して、プラズマ処理用ガスを供給するガス供給装置３に連通されている。そして、プラズマ処理用ガスは、ガス供給装置３によって、所望のプラズマ処理用ガスが所定の流量でガス導入管２３を介して供給される。
【００６５】
ガス導入管２３は、形状およびガス供給孔の個数に特に制限はないが、プラズマ処理特性の均一化を図るためには、反応容器２１内のガス濃度分布にむらが生じないように適正化されることが好ましい。また、ガス導入管２３の本数および配置も、製造コスト、取り扱いの面から本数が少ない方が望ましいが、ガス濃度分布にむらが生じないよう対称に配置することが好ましい。
【００６６】
カソード電極２４は、反応容器２１と複数の円筒状基体２の内面に対して軸方向が平行になるように、反応容器２１の外方に反応容器２１を取り囲むようにしてそれぞれ配置されている。カソード電極２４は、分岐電極４５を介して電気的に接続されており、高周波電力供給装置１０から分岐電極４５を介して高周波電力が供給される。カソード電極２４に供給された高周波電力は、誘電材料からなる反応容器２１を通して反応容器２１内に供給される。このとき、回転軸３９を通してアース電位に維持された円筒状基体２０および天板３２、底板３３がアノード電極として作用する。
【００６７】
カソード電極２４の本数は、プラズマ処理特性を均一化する効果をより顕著に得るために、円筒状基体２０の本数と同数配置することが好ましい。電極３の材料としては、導電性を有していればよく、例えばＡｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、およびこれらの合金、例えばステンレス等を使用することができる。
【００６８】
また、反応容器２１の外方には、反応装置２ａの外方に漏洩する電磁波を抑えるための電磁波遮断用シールド４７が、底板３３上にカソード電極２４を取り囲むように配置されている。電磁波遮断用シールド４７は、導電性材料によって円筒状に形成されており、両端が、底板３３および蓋体４８によって閉塞されている。この電磁波遮断用シールド４７は、中心軸が円筒状基体２０の配置円の中心を通るように設置されて、一定電位に維持されることで、放出される高周波電力の均一性の向上が図られている。
【００６９】
上述した実施形態の真空処理装置１は、全３個の第１〜第３の反応装置２ａ，２ｂ，２ｃにガスをそれぞれ供給するガス供給装置３を備える構成にされたが、反応装置２の個数が５個または６個の場合に適用される他のガス供給装置について図面を参照して説明する。
【００７０】
図３（ａ）および図３（ｂ）に、反応装置２の個数が５個の場合のガス供給装置の構成を示し、図４（ａ）および図４（ｂ）に、反応装置２の個数が６個の場合のガス供給装置の構成を模式的に示す。なお、上述した真空処理装置１と同一部材には、同一符号を付して説明を省略する。
【００７１】
反応装置２の個数が５個の場合、図３（ａ）に示すように、ガス供給装置５１は、第１段目の分岐で、１個の反応装置２ａと、４個の反応装置２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅとに分岐されたガス供給配管５６を備えている。また図３（ｂ）に示すように、ガス供給装置５２は、第１段目の分岐で、３個の反応装置２ａ，２ｂ，２ｃと、２個の反応装置２ｄ，２ｅとに分岐されたガス供給配管５７を備えている。
【００７２】
反応装置２の個数が６個の場合、図４（ａ）に示すように、ガス供給装置５３は、第１段目の分岐で、２個の反応装置２ａ，２ｂと、４個の反応装置２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆとに分岐されたガス供給配管５８を備えている。また図４（ｂ）に示すように、ガス供給装置５４は、第１段目の分岐で、３個の反応装置２ａ，２ｂ，２ｃと、３個の反応装置２ｄ，２ｅ，２ｆとに分岐されたガス供給配管５９を備えている。
【００７３】
本発明は、ガス供給部１１および流量制御部１２の下流で、流量制御部１２からのガスを各反応装置２に分配するためにガス供給配管１３が分岐された各分岐配管の全数に比べて、流量可変バルブ１４が設けられている配管の個数が少ない構成であれば、いかなる分岐構成でもよい。なお、ガス供給配管１３の分岐構成としては、図３（ａ）および図４（ｂ）に示すように、流量調整部１２の下流で分岐される第１段目以降において、一方の分岐配管が、反応装置２の総数に対して最大となる２の乗数個に分岐されている分岐構成が、流量可変バルブ１４の個数を必要最小限に抑えることができるので好ましい。
【００７４】
図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、各ガス供給装置５１，５２では、ガス供給配管５６，５７に設けられている流量可変バルブ１４の個数が異なっており、第１段目の分岐による一方の分岐配管が、反応装置２の総数に対して最大となる２の乗数個に分岐する方が、流量可変バルブ１４の個数を少なく抑えることができる。
【００７５】
これら各ガス供給装置５１，５２と同様に、各ガス供給装置５３，５４も、図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、ガス供給配管５８，５９に設けられている流量可変バルブ１４の個数が異なっており、第１段目の分岐による一方の分岐配管が、反応装置２の総数に対して最大となる２の乗数個に分岐する方が、流量可変バルブ１４の個数を少なく抑えることができる。
【００７６】
上述した本実施形態の各ガス供給装置３，５１〜５４およびこれらガス供給装置３，５１〜５４を備える真空処理装置１によれば、ガス供給部１１および流量制御部１２を経た下流側で、ガス供給配管１３を分岐する際に、分岐後の分岐配管の全数よりも、流量可変バルブ１４が設けられている分岐配管の個数を少なくした構成であって、ガス供給コンダクタンスを均一に制御することが可能になる。したがって、本実施形態によれば、ガス供給装置３、５１〜５４に要する装置コストを大幅に低減することができる。
【００７７】
また、本実施形態によれば、流量を調整するための流量可変バルブ１４の個数が削減されるため、各種の調整作業や点検、管理作業等に要する時間も短縮することが可能になり、その結果、各反応装置２による生産性の向上を図ることができる。
【００７８】
【実施例】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。
【００７９】
（実験例１）
図２に示した反応装置２を３個で１ユニットとした、図１に示した分岐構成のガス供給装置３を備える真空処理装置１を用いて、ガス供給部１１、流量制御部１２を介してＳｉＨ４ガスを流量３００［ｓｃｃｍ］で流した。
【００８０】
これら３個の反応装置２ａ〜２ｃは、１つのガス排気装置４および１つのガス供給装置３に接続されている。流量可変バルブ１４は、第３の反応装置２ｃへガスを供給するための分岐配管に取り付けられている。
【００８１】
あらかじめ排気のコンダクタンスは、各反応装置２ａ〜２ｃにＳｉＨ４ガスを流量１００［ｓｃｃｍ］で流して、排気コンダクタンス制御部１７によって各反応装置２ａ〜２ｃ内の各圧力が０．６［Ｐａ］で均一になるよう調整されている。なお、本実施例１では、各反応装置２ａ〜２ｃに接続されているガス供給配管１３に流量計が取り付けられている。
【００８２】
流量可変バルブ１４が設けられている一方の分岐配管の流量計の値が、流量１００［ｓｃｃｍ］になるように流量可変バルブ１４の開度を調整した。このとき、流量可変バルブ１４が設けられていない他方の分岐配管側の流量計の値を確認したところ、第１および第２の反応装置２ａ，２ｂに対して各々１００［ｓｃｃｍ］であった。
【００８３】
上記と同様の実験を数回繰り返したが、いずれも流量可変バルブ１４が設けられている一方の分岐配管の流量計の値に対して、流量可変バルブ１４が設けられていない他方の分岐配管側の流量計の値は、±１％程度の範囲内でガスが均等に配分されていた。
【００８４】
（実験例２）
図２に示した反応装置２が３個で１ユニットとした、図１に示した分岐構成のガス供給装置３を備える真空処理装置１を用いて、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法により、アルミニウムからなる直径８０［ｍｍ］、長さ３５８［ｍｍ］、肉厚３［ｍｍ］の円筒状基体上に、表１に示す条件にて堆積膜を形成した。
【００８５】
これら３個の反応装置２ａ〜２ｃは、１つのガス排気装置４および１つのガス供給装置３に接続した。高周波電力供給装置１０は、ＶＨＦ電力周波数を１０５［ＭＨｚ］にして、各反応装置２ａ〜２ｃにそれぞれ独立して接続した。
【００８６】
ガス供給流量および排気コンダクタンスは、実験例１で調整した状態で行った。
【００８７】
（比較実験例１）
図２に示した反応装置２が３個で１ユニットとして、図６に示した分岐構成のガス供給装置１０３を用いること以外は、実施例１と同様にして堆積膜を形成した。
【００８８】
あらかじめ排気のコンダクタンスは、各反応装置２にＳｉＨ４ガスを流量１００［ｓｃｃｍ］流して、排気コンダクタンス制御部１０６によって各反応装置が０．６［Ｐａ］で均一になるよう調整されている。流量可変バルブ１０３の開度についても、各反応装置２にＳｉＨ４ガスを流量１００［ｓｃｃｍ］流して流量を調整した。
【００８９】
堆積膜形成前のガス流量および圧力の確認を行った。
その結果を表２に示す。
【００９０】
【表１】

Figure 2004119705
【００９１】
【表２】
Figure 2004119705
【００９２】
表２の結果の通り、いずれの流量計の値も流量１５０［ｓｃｃｍ］に対して、±１％程度の範囲内でガスが均等に配分されていた。圧力についても、０．８［Ｐａ］に対して±１％程度の範囲内で排気のコンダクタンスも均一であった。
【００９３】
また、流量可変バルブによって流量を調整してしまえば、ガス流量が変化した場合にも、ガスが均等に配分されることが確認された。
【００９４】
また、本実験例では流量の調整に要した時間は、流量可変バルブが少ないため、比較実験例の構成で流量調整をする時間に比較して約半分程度の時間で調整することができる。
【００９５】
（装置コストの比較）
ガス供給装置における設備投資金額を比較した。図５（ａ）および図５（ｂ）にガス供給装置の構成の模式図を示す。図５（ａ）に、実験例２のガス供給装置の構成の模式図を示し、図５（ｂ）に、比較実験例１のガス供給装置の構成の模式図を示す。なお、実験例２および比較実験例１において、便宜上、同一部材には同一符号を付して説明する。
【００９６】
（実験例２および比較実験例１）
なお、実験例１では、各反応装置に接続されているガス供給配管に流量計を実験のために３個取り付けたが、本来、流量計は１個でよいことから、図面上および装置コストの算出は流量計１個としている。
【００９７】
図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、ガス供給装置７０，１７０は、ＳｉＨ４ガスが収容されたＳｉＨ４ガスボンベ７１と、Ａｒガスが収容されたＡｒガスボンベ７２と、バルブ７３，７４，７７，７８，８１，８２，８５，８６，８７，８８，９０、減圧弁７５，７６、ガスフィルタ７９，８０、マスフローコントローラ８３，８４、排気ポンプ８９、流量可変バルブ９１，９２，９３とを有している。
【００９８】
また、図示しないが、ガスボンベ７２とバルブ７４の間の配管には、ガスボンベ交換用の真空排気ラインや、パージングするためのパージガス供給ライン等が設けられている。
【００９９】
本実験例１のガス供給装置７０によれば、比較実験例１のガス供給装置１７０に要する費用に対して、製造コストを約５％程度、低減することができる。
【０１００】
また、例えば堆積膜を量産する際等に用いられる量産用の真空処理装置では、１ユニット当たりに接続する反応装置２の個数や、ユニットの総数が増えるため、本実施形態の構成を採用することによって、装置コストの大幅な低減を図ることができる。
【０１０１】
（実施例１）
図２に示した反応装置が３個で１ユニットとした、図１に示した分岐構成のガス供給装置３を備える真空処理装置１を用いて、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法により、アルミニウムからなる直径８０［ｍｍ］、長さ３５８［ｍｍ］、肉厚３［ｍｍ］の円筒状基体上に、表３に示す条件にて電子写真感光体を３０サイクル連続で作製した。１個の反応装置２内には、６本の円筒状基体が設置されている。
【０１０２】
３個の反応装置２は、１つの排気部、１つのガス供給装置３の流量制御部１２に接続した。ＶＨＦ電力周波数は、１０５［ＭＨｚ］で、各反応装置２に独立してそれぞれ接続した。
【０１０３】
流量可変バルブ１４は、反応装置２へのガス供給配管１３に取り付けられている。ガス供給流量および排気コンダクタンスは、実験例１で調整した状態としている。
【０１０４】
また、本実施例のような積層系の場合、排気のコンダクタンスは、排気コンダクタンス制御部（本例ではスロットルリング）の開度を各層の圧力設定になるようあらかじめ設定されており、本例の層の切り替え時はスロットリングの開度の設定値を変更する。
【０１０５】
【表３】
Figure 2004119705
【０１０６】
電荷注入阻止層開始前の各反応装置の圧力の確認を行った。あらかじめ図２に示した反応装置２が３個で１ユニットとした、図６に示した分岐構成のガス供給装置１０３を備える従来の真空処理装置１０１を用いて、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法により、アルミニウムからなる直径８０［ｍｍ］、長さ３５８［ｍｍ］、肉厚３［ｍｍ］の円筒状基体上に、表３に示す条件にて作製したときの電荷注入阻止層開始前の各反応装置の圧力を１００としたときの相対値で比較した。その結果を表４に合わせて示す。
【０１０７】
また、作製した電子写真感光体について、帯電能および感度の評価を行った。その評価結果を表４に合わせて示す。
【０１０８】
なお、電子写真感光体は、１個の反応装置につき６本作製されているが、本例ではそのうちの１本についての結果を示す。
【０１０９】
（帯電能の評価）
作製した電子写真感光体を複写機（キヤノン社製：ｉＲ―５０００を実験用に改造したもの）に設置し、主帯電器に一定の電流を流し、現像器を外して現像器位置に電位計を挿入し、通常の複写操作と同様に感光体を回転させ、露光用の光源を外した状態で、表面の電位（暗部電位）を測定した。軸方向中央の値を、帯電能の代表値とした。
【０１１０】
あらかじめ図２に示した反応装置２が３個で１ユニットとした、図６に示した分岐構成のガス供給装置１０３を備える従来の真空処理装置１０１を用いて、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法により、アルミニウムからなる直径８０［ｍｍ］、長さ３５８［ｍｍ］、肉厚３［ｍｍ］の円筒状基体上に、表３に示す条件にて作製したときの帯電能を１００としたときの相対値で比較した。
【０１１１】
（感度の評価）
作製した電子写真感光体を複写機（キヤノン社製：ｉＲ−５０００を実験用に改造したもの）に設置し、現像器位置での暗部電位が一定となるよう主帯電器電流を調整した後に、原稿に反射濃度０．１以下の所定の白紙を用いて、現像器位置での明部電位が所定の値となるよう像露光光量を調整したときの像露光光量によって感度を評価する。軸方向中央の値を、感度の代表値とした。
【０１１２】
あらかじめ図２に示した反応装置が３個で１ユニットとした、図６に示した分岐構成のガス供給装置１０３を備える従来の真空処理装置１０１を用いて、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法により、アルミニウムからなる直径８０［ｍｍ］、長さ３５８［ｍｍ］、肉厚３［ｍｍ］の円筒状基体上に、表３に示す条件にて作製したときの帯電能を１００としたときの相対値で比較した。
【０１１３】
表４から明らかなように、圧力は±１％の範囲で制御されており、排気のコンダクタンスが均一であった。すなわち、本発明の装置構成において、供給されるガス流量は、各反応装置で均等となっている。
【０１１４】
また、積層系の場合であっても、排気コンダクタンスが各反応装置で均等に調整されていることから、ガス流量が変化しても各反応装置間の圧力差が無く、均一な状態が維持されている。すなわち、各反応装置には、ガス供給装置によって、ガスが均等に分配されている。
【０１１５】
【表４】
Figure 2004119705
【０１１６】
（実施例２）
実施例２では、図２に示した反応装置２が５個で１ユニットとして、図３（ａ）および図３（ｂ）に示した各分岐構成のガス供給装置５１，５２を備える真空処理装置を用いて、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法により、アルミニウムからなる直径８０［ｍｍ］、長さ３５８［ｍｍ］、肉厚３［ｍｍ］の円筒状基体上に、表５に示す条件にて電子写真感光体を３０サイクル連続で作製した。１個の反応装置２には、６本の円筒状基体２０が設置されている。
【０１１７】
これら５個の反応装置２は、１つの排気部、１つのガス供給装置の流量制御部に接続した。ＶＨＦ電力周波数は、１０５［ＭＨｚ］で、それぞれの反応装置に独立に接続した。
【０１１８】
ガス供給流量および排気コンダクタンスは、実施例１と同様の方法にいって行った。
【０１１９】
【表５】
Figure 2004119705
【０１２０】
電荷注入阻止層の形成開始前に、各反応装置の圧力の確認を行ったところ、いずれの分岐構成においても実施例１と同様良好な結果が得られた。
【０１２１】
また、作製した電子写真感光体について、帯電能および感度を実施例１と同様に評価を行ったところ、いずれの分岐構成においても実施例１と同様に良好な結果が得られた。
【０１２２】
（実施例３）
図２に示した反応装置が６個で１ユニットとして、図４（ａ）および図４（ｂ）に示す分岐構成のガス供給装置５３，５４を備える真空処理装置を用いて、実施例２と同様にして電子写真感光体を作製し、実施例１と同様の評価を行ったところ、いずれの分岐構成においても実施例１と同様に良好な結果が得られた。
【０１２３】
また、電荷注入阻止層の形成開始前の各反応装置の圧力についても、いずれの分岐構成においても実施例１と同様に良好な結果が得られた。
【０１２４】
【発明の効果】
上述したように本発明によれば、複数の反応装置内の被処理物を同時に真空処理するための真空処理装置およびガス供給装置において、ガス供給手段および流量制御手段を経た下流側に設けられ各反応装置にガスを分配してそれぞれ供給するために分岐された複数の分岐配管を有し、流量可変バルブが設けられている分岐配管の数が、分岐配管の全数に比べて少なくされたガス供給配管を備えることによって、ガス供給装置にかかる装置コストを大幅に低減することができる。したがって、本発明に係るガス供給装置およびこのガス供給装置を備える真空処理装置によれば、真空処理による生産コストを大幅に低減することが可能になり、製造される例えば堆積膜の特性の安定性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るガス供給装置を備える真空処理装置の一例を示す模式図である。
【図２】前記真空処理装置が備えるＶＨＦ−ＰＣＶＤ法を用いた反応装置を示す模式図である。
【図３】（ａ）は、反応装置が５個の場合における他のガス供給装置の、構成の一例を示す模式図であり、（ｂ）は、反応装置が５個の場合における他のガス供給装置の、構成の他の例を示す模式図である。
【図４】（ａ）は、反応装置が６個の場合における更に他のガス供給装置の、構成の一例を示す模式図であり、（ｂ）は、反応装置が６個の場合における更に他のガス供給装置の、構成の他の例を示す模式図である。
【図５】（ａ）は、実験例２のガス供給装置の構成を示す模式図であり、図５（ｂ）は、比較実験例１のガス供給装置の構成を示す模式図である。
【図６】従来のガス供給装置を備える真空処理装置の一例を示す模式図である。
【図７】従来のガス供給装置のガス供給配管の構成を示す模式図である。
【符号の説明】
１　真空処理装置
２　反応装置
２ａ〜２ｆ　第１〜第６の反応装置
３　ガス供給装置
４　ガス排気装置
１０　高周波電力供給装置
１１　ガス供給部
１２　流量制御部
１３　ガス供給配管
１４　流量可変バルブ
１５　排気部
１６　集合排気配管
１７　排気コンダクタンス制御部
２０　円筒状基体
２１　反応容器
２２　基体保持部材
２３　ガス導入管
２４　カソード電極
２６　高周波電源
２７　マッチングボックス
３１　側壁
３２　天板
３３　底板
３５　プラズマ処理空間
３７　排気口
３８　排気管
３９　回転軸
４１　モータ
４２　減速ギヤ
４４　分岐配管
４５　分岐電極
４７　電磁波遮断用シールド
４８　蓋体
７１，７２　ガスボンベ
７３，７４，７７，７８，８１，８２，８５，８６，８７，８８，９０　バルブ
７５，７６　減圧弁
７９，８０　フィルタ
８３，８４　マスフローコントローラ
８９　排気ポンプ
９１，９２，９３　流量可変バルブ
１０１　真空処理装置
１０２ａ〜１０２ｈ　第１〜第８の反応装置
１０３　ガス供給装置
１０４　ガス排気装置
１１０　高周波電力供給装置
１１１　ガス供給部
１１２　流量制御部
１１３　ガス供給配管
１１４　流量可変バルブ
１１５　排気部
１１６　集合排気配管
１１７　排気コンダクタンス制御部[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention provides a gas supply device for supplying a gas to a plurality of decompressible reactors in which an object to be processed is installed, and a semiconductor device including the gas supply device, such as forming or etching a deposited film, The present invention relates to a vacuum processing apparatus for manufacturing an electrophotographic photosensitive member, an image input line sensor, a photographing device, a photovoltaic device, and the like.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art Conventionally, there has been known a reaction apparatus for supplying a gas under reduced pressure and performing vacuum processing such as formation of a deposited film or etching on an object to be processed. As a conventional vacuum processing apparatus provided with a plurality of reactors of this type, an apparatus configured as shown in FIG. 6 is generally used.
[0003]
As shown in FIG. 6, a conventional vacuum processing apparatus 101 includes three first, second, and third reactors 102a, 102b, and 102c, and supplies gas to each of the reactors 102a, 102b, and 102c. Gas supply device 103, a gas exhaust device 104 for exhausting gas from each of the reaction devices 102a, 102b, 102c, and a high-frequency power supply device for supplying high-frequency power to the reaction devices 102a, 102b, 102c, respectively. 110.
[0004]
The gas supply device 103 includes a gas supply unit 111 for supplying a gas to each of the reaction devices 102a, 102b, and 102c, a flow control unit 112 for controlling a flow rate of the gas supplied from the gas supply unit 111, A gas supply pipe 113 for supplying a gas from the flow control unit 112 to each of the reaction devices 102a, 102b, and 102c is provided.
[0005]
The gas supply unit 111 has a gas cylinder containing a plasma processing gas. Although not shown, the flow control unit 112 includes a pressure reducing valve, a valve, a mass flow controller, and the like. The gas supply pipe 113 has a plurality of branch pipes branched to supply a gas to each of the reactors 102a, 102b, and 102c. Each branch pipe of the gas supply pipe 113 is provided with a flow rate variable valve 114 for adjusting the flow rate of the gas supplied to each of the reactors 102a, 102b, 102c to a uniform or appropriate flow rate.
[0006]
Adjustment of the flow rate by the variable flow rate valve 114 is performed by a pressure gauge (not shown) provided in each of the reaction apparatuses 102a, 102b, and 102c, or a permanent pressure gauge between the variable flow rate valve 114 and each of the reaction apparatuses 102a, 102b, and 102c. Alternatively, it is adjusted by a flow meter (not shown) provided when necessary.
[0007]
The gas exhaust device 104 has an exhaust unit 115 for exhausting gas from inside each of the reaction devices 102a, 102b, and 102c. Although not shown, the exhaust unit 115 includes a rotary pump, a mechanical booster pump, an oil diffusion pump, a turbo molecular pump, and the like, and is connected to each of the reaction devices 102a, 102b, and 102c via a collective exhaust pipe 116. . Then, the exhaust unit 115 exhausts gas from each of the reactors 102a, 102b, and 102c via the collective exhaust pipe 116.
[0008]
Further, an exhaust conductance control unit 117 for controlling the conductance of exhaust gas is provided between the collective exhaust pipe 116 and each of the reaction devices 102a, 102b, 102c, and the exhaust conductance control unit 117 controls each reaction device 102a. , 102b, 102c are adjusted to a uniform or proper value.
[0009]
The above-described conventional gas supply device 103 employs a configuration including a variable flow rate valve. However, for example, as illustrated in FIGS. 7A and 7B, a configuration not using a variable flow rate valve is also employed. ing.
[0010]
As shown in FIG. 7A, the gas supply device 151 includes a gas supply pipe 156 that supplies gas to the four first to fourth reaction devices 102a, 102b, 102c, and 102d, respectively.
[0011]
As shown in FIG. 7B, the gas supply device 152 supplies gas to the eight first to eighth reaction devices 102a, 102b, 102c, 102d, 102e, 102f, 102g, and 102h, respectively. A pipe 156 is provided.
[0012]
In the case of adopting such a configuration that does not use the variable flow rate valve, the length, diameter and bending angle of the branch pipe after branching by the first stage of the gas supply pipe are equalized, and the conductance of gas supply is made uniform. The number of the plurality of reactors is limited to a multiple of "2" such as 2, 4, 8, or 16, for example.
[0013]
In addition, a technique using a plurality of reaction vessels in which a source gas supply unit and an exhaust unit are commonly used has been disclosed (see Patent Document 1). By connecting the plurality of reaction vessels to a single exhaust unit or a single gas supply unit in this manner, it is possible to reduce capital investment in the gas supply unit and the exhaust unit.
[0014]
As an apparatus using these reaction apparatuses, there is a vacuum processing apparatus for forming a deposited film by a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) method using a discharge energy by connecting a high-frequency power supply means. An amorphous thin film (for example, amorphous silicon compensated by at least one of hydrogen and halogen) formed by the plasma CVD method is applied to a semiconductor element such as an electrophotographic photoreceptor, a semiconductor device, and a TFT (Thin Film Transistor). Applications have been proposed, some of which are in practical use.
[0015]
In particular, in a plasma CVD method using RF (Radio-Frequency) band of 13.56 [MHz] (hereinafter abbreviated as “RF-PCVD”), a substrate material, a deposited film material, and the like are used as conductors and insulators. It is widely used because it can be processed regardless of its handling and its handling is relatively easy. Also, various devices have been devised for further improvement by devising the frequency of the high-frequency power used for generating the plasma. In recent years, a plasma CVD (hereinafter abbreviated as “VHF-PCVD”) method using high-frequency power in a VHF (Very High Frequency) band, which has a higher frequency than an RF band, has attracted attention. -Development of various deposited film forming apparatuses and deposited film forming methods to which PCVD is applied has been actively promoted.
[0016]
Further, conventionally, a PCVD apparatus and method using a VHF band frequency used for forming an a-Si (amorphous silicon) -based light receiving member for electrophotography have been disclosed (see Patent Document 2). By thus increasing the deposition rate without deteriorating the performance of the deposited film, the total time required for the production can be reduced, and the production cost can be reduced. Further, a technique is disclosed in which a plurality of deposited films are simultaneously formed on a plurality of cylindrical substrates arranged on the same circumference using VHF band high frequency (see Patent Document 3).
[0017]
A conventional reactor for depositing an electrophotographic photoreceptor on a cylindrical substrate, which can suitably use a high frequency higher than the frequency of the RF band of 13.56 [MHz] called the VHF band, will be described. I do.
[0018]
A conventional reactor is a reactor for manufacturing an amorphous silicon photoreceptor, in which a cathode electrode is provided outside a reaction vessel, and a plurality of cylindrical substrates are provided in the reaction vessel.
[0019]
Then, the high frequency power oscillated from the high frequency power supply of the high frequency power supply device is applied to the power supply point of the power branch via the matching box, and the reaction vessel is supplied from a plurality of cathode electrodes installed outside the reaction vessel. Is supplied to the inside of the reactor to generate plasma in the reaction vessel to form a deposited film. Further, in order to efficiently introduce high-frequency power emitted from the cathode electrode into the reaction vessel, the side wall of the cylindrical reaction vessel is formed of ceramics, which is a dielectric material.
[0020]
Further, in the reaction apparatus, a plurality of cylindrical substrates are provided at equal intervals on the same circumference in a reaction vessel. The number of cylindrical substrates can be arbitrarily changed according to the diameter of the reaction vessel and the diameter of the cylindrical substrates. Further, a plurality of gas introduction pipes for introducing gas into the reaction vessel are provided at intervals on the same circumference outside the arrangement circle where the cylindrical base is arranged.
[0021]
The gas introduction pipe is provided with a plurality of gas discharge holes, and by adjusting the positions and diameters of these gas discharge holes, the distribution of the gas introduced into the reaction vessel can be adjusted. Also, the number of gas introduction pipes can be any number as long as gas can be supplied uniformly. Further, the branch electrode and each cathode electrode may be configured to be electrically connected via a capacitor.
[0022]
A process for forming a deposited film using the above-described conventional reaction apparatus will be briefly described.
[0023]
First, a cylindrical substrate is set in a reaction vessel, and the inside of the reaction vessel is exhausted through an exhaust pipe by a gas exhaust device. Subsequently, the cylindrical substrate is heated to a predetermined temperature of about 200 ° C. to 300 ° C. by a heater while flowing an inert gas.
[0024]
When the temperature of the cylindrical substrate reaches a predetermined temperature, a raw material gas is introduced into the reaction vessel from the gas supply unit, the flow control unit, and the gas supply pipe via a branch pipe and a gas introduction pipe. Thereafter, the pressure in the reaction vessel is set to a predetermined pressure of 0.05 to 20 [Pa], preferably 0.1 to 10 [Pa], using the exhaust conductance control unit. After confirming that the pressure in the reaction vessel has stabilized, high-frequency power is supplied from a high-frequency power supply to the cathode electrode via the matching box. As a result, high-frequency power is supplied into the reaction vessel, glow discharge occurs in the reaction vessel, and the source gas is excited and dissociated to form a deposited film on the cylindrical substrate. During the formation of the deposited film, the cylindrical substrate is rotated at a predetermined speed by a motor via a gear and a rotating shaft, whereby the deposited film is formed over the entire surface of the cylindrical substrate.
[0025]
After the deposited film is formed to have a desired film thickness, the supply of the high-frequency power is stopped, the supply of the source gas is stopped, and the step of forming the deposited film is completed. By repeating such a formation process of the deposited film a plurality of times, the deposited films are stacked and formed, and a light receiving layer having a desired multilayer structure is formed.
[0026]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Publication No. 7-13947
[Patent Document 2]
JP-A-6-287760
[Patent Document 3]
JP-A-7-288233
[0027]
[Problems to be solved by the invention]
According to the above-described conventional vacuum processing method and vacuum processing apparatus, the number of deposited films that can be simultaneously formed is increased, productivity is improved, and additional equipment such as a flow rate control unit and an exhaust unit can be shared, thereby reducing costs. This has made it possible to significantly reduce production costs.
[0028]
However, in recent years, when the price competition of products is extremely severe, cost reduction of 1 yen unit is required for production equipment investment, and there is still room for improvement.
[0029]
Regarding a gas supply device having a gas supply unit for supplying a raw material gas to a plurality of reaction devices and a flow control unit, it is preferable that the gas supply device is shared by a plurality of reaction devices in order to reduce equipment costs.
[0030]
For example, when a deposited film of a-Si or the like is formed, a monosilane gas or the like is used as a source gas, but diborane gas for controlling valence electrons, phosphine gas, hydrogen, helium, argon, or the like as a diluting gas. In many cases, a very large amount of source gas such as a halogen-containing gas is mixed. In addition, a desired film cannot be obtained unless the mixing ratio and the flow rate are accurately controlled. For this reason, it is necessary to provide a mass flow controller for each of the gas supply passages to mix accurately. Further, a branch pipe having a complicated branch path for mixing and purging these gases, and facilities such as a flow control unit and a gas mixing unit having a large number of valves are required. Since such equipment is generally expensive, in the case of a configuration provided with a large number of reactors, the amount of equipment investment increases enormously by preparing each reactor independently. Therefore, by connecting a plurality of reactors to a branch pipe branched from the same flow control unit and simultaneously supplying gas, it is possible to greatly reduce the equipment cost related to gas supply equipment.
[0031]
Therefore, as described above, when the number of reactors is a multiplier of “2” as shown in FIGS. 7A and 7B, the branching of each gas supply pipe 156, 157 is performed. By making the length, diameter, and bending angle of the pipes equal, it is possible to adopt a configuration in which conductance of gas supply can be made uniform. For this reason, a configuration in which a variable flow rate valve is not provided in the branch pipe of each of the gas supply pipes 156 and 157 for distributing the gas supplied from the gas supply unit 111 via the flow rate control unit 112 is possible. Since the gas supply devices 151 and 152 configured as described above are not required for the variable flow rate valve, the device cost does not particularly increase.
[0032]
However, for example, as shown in FIG. 6, in the case of three reactors, the length, diameter, and bending angle of the branch pipe after branching the gas supply pipe are made equal to accurately adjust the conductance of gas supply. This is relatively difficult, and the total length of the gas supply pipe may be unnecessarily long. Therefore, the production cost may be increased or the vacuum processing characteristics may be adversely affected, and it is difficult to adjust the gas flow rate. Respectively.
[0033]
That is, when the total number of the plurality of reactors is not a multiplier of 2 such as 3, 5, or 6, for example, the length, diameter, and bending angle of the branched pipes after branching are formed to be equal. Therefore, it is difficult to make the conductance of gas supply uniform, so that a variable flow rate valve is provided for each reactor. Therefore, the conventional gas supply apparatus has a problem that the apparatus cost becomes enormous and increases when the total number of the plurality of reactors is not a power of two.
[0034]
Therefore, an object of the present invention is to provide a gas supply apparatus and a vacuum processing apparatus that can significantly reduce the apparatus cost in mass production and improve the reproducibility and the productivity of the characteristics of the obtained deposited film. .
[0035]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above-described object, a gas supply device according to the present invention includes a plurality of reactors capable of being decompressed on which an object to be processed is installed, a high-frequency power supply unit that supplies high-frequency power to each reactor, An exhaust means for exhausting the device, a gas supply device for controlling and supplying a gas flow rate to each reaction device of a vacuum processing device for simultaneously vacuum-treating the object to be processed in each reaction device, Gas supply means for supplying gas to each reaction device, flow rate control means for controlling the flow rate of gas supplied from the gas supply means to each reaction device, and a downstream side via gas supply means and flow rate control means The apparatus includes a gas supply pipe provided with a plurality of branch pipes provided for distributing and supplying gas to the respective reactors, and a variable flow rate valve provided on a branch pipe of the gas supply pipe. In the gas supply pipe, the number of branch pipes provided with the variable flow rate valves is smaller than the total number of branch pipes.
[0036]
In addition, the vacuum processing apparatus according to the present invention includes a plurality of decompressible reactors on which an object to be processed is installed, a high-frequency power supply unit that supplies high-frequency power to each reactor, and a gas that is supplied to each reactor. A gas supply unit having a gas supply unit and a flow rate control unit for controlling a flow rate of a gas supplied from the gas supply unit to each of the reaction units; and an exhaust unit for exhausting gas from each of the reaction units. Is a vacuum processing apparatus for simultaneously performing vacuum processing on the objects to be processed. The gas supply device is provided on the downstream side through the gas supply means and the gas flow rate control means, and has a plurality of branch pipes branched to distribute and supply the gas to the respective reaction devices, and a gas supply pipe; A variable flow valve provided in a branch pipe of the pipe. In the gas supply pipe, the number of branch pipes provided with the variable flow rate valves is smaller than the total number of branch pipes.
[0037]
According to the present invention, the gas supply pipe provided in the gas supply device may be configured such that, at one of the branches, for example, a plurality of reactors is a multiplier of 2 and the remaining number obtained by subtracting the multiplier of 2 from the total number of the reactors. The number of variable flow valves can be reduced by increasing the number of variable flow valves by branching into two or a multiple of 2 which is the largest with respect to the total number of reactors, and branching into the remaining number. And the number of variable flow valves required to uniformly supply gas to each reactor can be reduced. Therefore, according to this gas supply device, the cost of the gas supply device is greatly reduced, and for example, the production cost of the deposited film relating to the operation time and management of gas flow adjustment is also reduced.
[0038]
In the present invention, the total number of branch pipes indicates, for example, the sum of the numbers of the first and second stages when the first and second stages are branched, respectively. It indicates the total number of branch pipes into which the gas supply pipe is branched on the path from the flow control means to each reactor.
[0039]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0040]
FIG. 1 is a schematic diagram illustrating an example of a vacuum processing apparatus including the gas supply device of the present embodiment.
[0041]
As shown in FIG. 1, a vacuum processing apparatus 1 of the present embodiment includes three first, second, and third reactors 2a, 2b, and 2c, and gas is supplied to each of the reactors 2a, 2b, and 2c. A gas supply device 3 for supplying each; a gas exhaust device 4 for exhausting gas from each of the reactors 2a, 2b, 2c; and a high-frequency for supplying high-frequency power to each of the reactors 2a, 2b, 2c And a power supply device 10.
[0042]
The gas supply device 3 includes a gas supply unit 11 for supplying a gas to each of the reaction devices 2a, 2b, 2c, a flow control unit 12 for controlling a flow rate of the gas supplied from the gas supply unit 11, A gas supply pipe 13 for supplying gas from the flow control unit 112 to each of the reaction devices 2a, 2b, 2c is provided.
[0043]
The gas supply unit 11 has a gas cylinder containing a desired plasma processing gas. Although not shown, the flow control unit 12 includes a pressure reducing valve, a valve, a mass flow controller, and the like. The gas supply pipe 13 has a plurality of branch pipes branched to supply a gas to each of the reactors 2a, 2b, and 2c.
[0044]
In order to adjust the flow rate of the gas supplied to each of the reactors 2a, 2b, and 2c to a uniform or appropriate flow rate, two gas supply pipes 13 are provided at the first stage branch in the gas supply pipe 13. The variable flow valve 14 is provided in one of the branch pipes. The other branch pipe side, on which the variable flow rate valve 14 is not provided, is connected to each of the reactors 2a, 2b, 2c with the pipe length, diameter, and bending angle equally distributed. That is, the flow rate of the gas supplied to the reactor 2c is adjusted by the variable flow rate valve 14 to be equal to or appropriate to the flow rate of the gas supplied to the reactors 2a and 2b.
[0045]
The gas exhaust device 4 has an exhaust unit 15 for exhausting gas from inside each of the reaction devices 2a, 2b, 2c. Although not shown, the exhaust unit 15 includes a rotary pump, a mechanical booster pump, an oil diffusion pump, a turbo molecular pump, and the like, and is connected to each of the reactors 2a, 2b, and 2c via a collective exhaust pipe 16. . Then, the exhaust unit 15 exhausts gas from each of the reactors 2a, 2b, 2c via the collective exhaust pipe 16.
[0046]
Further, an exhaust conductance control unit 17 for controlling the conductance of exhaust gas is provided between the collective exhaust pipe 16 and each of the reactors 2a, 2b, 2c, and the exhaust conductance controller 17 controls each of the reactors 2a. , 2b, 2c are adjusted to a uniform or proper value.
[0047]
For example, SiH is supplied from the gas supply device 3 configured as described above to each of the reaction devices 2a, 2b, and 2c. 4 When flowing a gas at a flow rate of 100 [sccm], the flow rate is adjusted as follows. A flow meter (not shown) is attached to the branch pipe provided with the variable flow rate valve 14. In the present embodiment, one flow meter is used for adjusting the flow rate. However, there is no problem even if the flow meter is permanently installed in the gas supply pipe connected to each reaction apparatus. In consideration of cost reduction, it is desirable to attach and use the minimum necessary number.
[0048]
The conductance of the exhaust gas is adjusted in advance by the exhaust conductance control unit 17 so that the reactors 2a, 2b, and 2c are uniform.
[0049]
First, SiH is supplied from the gas supply unit 11 to the flow control unit 12. 4 The gas is supplied and the mass flow controller in the flow control unit 12 controls the SiH 4 The gas flow is controlled to 300 [sccm] and supplied to the gas supply pipe 13. Thereafter, in the branch pipe provided with the variable flow rate valve 14, the flow rate is adjusted by the variable flow rate valve 14 so that the value of the flow meter becomes 100 [sccm]. At this time, a 200 [sccm] flow rate of SiH is provided on the branch pipe side where the flow rate variable valve 14 is not provided. 4 Although the gas flows, since the pipe length, diameter, and bending angle are configured to be evenly distributed, a flow rate of 100 sccm flows through each of the reactors 2a, 2b, and 2c.
[0050]
Further, for example, from the gas supply device 3, for example, SiH 4 A description will be given of a case where the flow rate adjustment performed when the gas flows through each of the reactors 2a, 2b, 2c at a flow rate of 100 [sccm] is performed by a pressure gauge provided in each of the reactors 2a, 2b, 2c.
[0051]
In advance, the conductance of the exhaust gas is set to SiH in each of the reactors 2a, 2b, 2c. 4 The gas is flowed at a flow rate of 100 [sccm], and the exhaust conductance control unit 17 adjusts each of the reactors 2a, 2b, 2c to be uniform at 0.6 [Pa].
[0052]
First, SiH is supplied from the gas supply unit 11 to the flow control unit 12. 4 The gas is supplied and the mass flow controller in the flow control unit 12 controls the SiH 4 The gas flow is controlled to 300 [sccm] and supplied to the gas supply pipe 13. Thereafter, the flow rate is adjusted by the variable flow rate valve 14 so that the pressure gauge of the reaction apparatus 2c provided with the variable flow rate valve 14 has a pressure of 0.6 [Pa].
[0053]
At this time, on one branch pipe side where the variable flow rate valve 14 is provided, SiH with a flow rate of 100 [sccm] is provided. 4 Gas flows. On the other branch pipe side where the flow rate variable valve 14 is not provided, a 200 [sccm] flow rate SiH 4 Although the gas flows, the length, diameter, and bending angle of the branch pipe are configured to be evenly distributed, so that each reactor 2a, 2b has a flow rate of 100 sccm of SiH. 4 The gases flow respectively, and the pressure gauges of the reactors 2b and 2c also become 0.6 [Pa].
[0054]
Next, each of the reaction devices 2a, 2b, 2c and the high-frequency power supply device 10 included in the vacuum processing apparatus 1 of the present embodiment will be described. Since the vacuum processing apparatus 1 includes the reactors 2a, 2b, and 2c having the same configuration, only the reactor 2a will be described.
[0055]
FIG. 2 is a schematic view of a reaction apparatus suitable for forming a deposited film as a photoconductor for electrophotography on the cylindrical substrate 20.
[0056]
The reactor 2a is a reactor for manufacturing an amorphous silicon photoreceptor, which can suitably use a high frequency relatively higher than the RF frequency of 13.56 [MHz].
[0057]
As shown in FIG. 2, the reaction apparatus 2 a includes a reaction vessel 21 for forming a deposited film on the cylindrical body 20 by plasma processing, and a plurality of support vessels for supporting the cylindrical body 20 disposed in the reaction vessel 21. It has a substrate holding member 22, a plurality of gas introduction tubes 23 for introducing a plasma processing gas into the reaction vessel 21, and a plurality of cathode electrodes 24 to which high-frequency discharge power is supplied.
[0058]
Further, the high-frequency power supply device 10 includes a power supply source 26 for supplying high-frequency power to the cathode electrode 24 in the reaction device 2a, and a matching box 27 having a matching circuit. The power supply source 26 is grounded and supplies power to the cathode electrode 24 via the matching box 27.
[0059]
In the high-frequency power supply device 10, high-frequency power oscillated from a high-frequency power supply 26 is applied to a feed point of a branch electrode 45 described later via a matching box 27, and a plurality of cathode electrodes installed outside the reaction vessel 21. Electric power is supplied into the reaction vessel 21 from 24 to generate plasma for forming a deposited film in the reaction vessel 21.
[0060]
The reaction vessel 21 has a cylindrical side wall 31 formed of a dielectric material, and a top plate 32 and a bottom plate 33 provided at the upper and lower ends of the side wall 31, respectively. In the reaction vessel 21, a plasma processing space 35 is configured by a space surrounded by the side wall 31, the top plate 32, and the bottom plate 33.
[0061]
Ceramic is used as a dielectric material for forming the side wall 31 of the reaction vessel 21. Specific ceramics include alumina, titanium dioxide, aluminum nitride, boron nitride, zircon, cordierite, zircon-cordierite, silicon oxide, and beryllium oxide mica-based ceramics. Of these, alumina, aluminum nitride, and boron nitride are preferred from the viewpoints of suppressing contamination of impurities during vacuum processing and heat resistance.
[0062]
An exhaust port 37 for exhausting gas supplied into the plasma processing space 35 is provided at a substantially central portion of the bottom plate 33. One end of an exhaust pipe 38 is connected to the exhaust port 37. The other end of the exhaust pipe 38 is connected to the gas exhaust device 4 for reducing the pressure inside the reaction vessel 21.
[0063]
In the reaction vessel 21, six cylindrical substrates 20 are arranged so as to surround the center of the reaction vessel 21 so that their axial directions are parallel to each other. Each cylindrical base 20 is supported by a rotating shaft 39 via a base holding member 22 and is heated by a heating element (not shown) disposed inside the base holding member 22. When the motor 41 is driven to rotate, the rotating shaft 39 of the cylindrical base 20 is rotated via the reduction gear 42, and is rotated together with the base holding member 22 in the direction around the rotating shaft 39.
[0064]
The gas introduction pipe 23 is formed in a rod shape, and has a plurality of gas supply holes (not shown) for supplying a plasma processing gas into the reaction vessel 21. The gas introduction pipe 23 has a base end connected to a branch distribution pipe 44, and is connected to the gas supply device 3 that supplies a plasma processing gas via the branch pipe 44. Then, a desired plasma processing gas is supplied by the gas supply device 3 at a predetermined flow rate through the gas introduction pipe 23.
[0065]
The shape and the number of gas supply holes of the gas introduction tube 23 are not particularly limited. However, in order to achieve uniform plasma processing characteristics, the gas introduction tube 23 is optimized so that the gas concentration distribution in the reaction vessel 21 does not become uneven. Preferably. Also, the number and arrangement of the gas introduction pipes 23 are desirably small in terms of manufacturing cost and handling, but are preferably arranged symmetrically so as to prevent unevenness in the gas concentration distribution.
[0066]
The cathode electrode 24 is disposed outside the reaction vessel 21 so as to surround the reaction vessel 21 so that the axial direction is parallel to the inner surfaces of the reaction vessel 21 and the plurality of cylindrical substrates 2. The cathode electrode 24 is electrically connected via the branch electrode 45, and high frequency power is supplied from the high frequency power supply device 10 via the branch electrode 45. The high-frequency power supplied to the cathode electrode 24 is supplied into the reaction vessel 21 through the reaction vessel 21 made of a dielectric material. At this time, the cylindrical substrate 20, the top plate 32, and the bottom plate 33 maintained at the ground potential through the rotating shaft 39 function as anode electrodes.
[0067]
The number of the cathode electrodes 24 is preferably the same as the number of the cylindrical substrates 20 in order to obtain a more remarkable effect of making the plasma processing characteristics uniform. The material of the electrode 3 may be any material as long as it has conductivity, for example, metals such as Al, Cr, Mo, Au, In, Nb, Te, V, Ti, Pt, Pd, and Fe, and alloys thereof. For example, stainless steel or the like can be used.
[0068]
Outside the reaction vessel 21, an electromagnetic wave shielding shield 47 for suppressing electromagnetic waves leaking outside the reaction device 2 a is arranged on the bottom plate 33 so as to surround the cathode electrode 24. The electromagnetic wave shielding shield 47 is formed in a cylindrical shape with a conductive material, and both ends are closed by the bottom plate 33 and the lid 48. The electromagnetic wave shielding shield 47 is installed so that the central axis passes through the center of the arrangement circle of the cylindrical base 20 and is maintained at a constant potential, so that the uniformity of the emitted high-frequency power is improved. ing.
[0069]
The vacuum processing apparatus 1 of the above-described embodiment is configured to include the gas supply device 3 that supplies gas to all three first to third reaction devices 2a, 2b, and 2c, respectively. Another gas supply device applied when the number is five or six will be described with reference to the drawings.
[0070]
FIGS. 3A and 3B show the configuration of the gas supply device when the number of the reactors 2 is five, and FIGS. 4A and 4B show the number of the reactors 2. 6 schematically shows the configuration of the gas supply device in the case where there are six. Note that the same members as those of the above-described vacuum processing apparatus 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
[0071]
When the number of the reactors 2 is five, as shown in FIG. 3A, the gas supply device 51 includes one reactor 2a and four reactors 2b, A gas supply pipe 56 branched into 2c, 2d, and 2e is provided. Further, as shown in FIG. 3B, the gas supply device 52 was branched into three reactors 2a, 2b, 2c and two reactors 2d, 2e in the first branch. A gas supply pipe 57 is provided.
[0072]
When the number of the reactors 2 is six, as shown in FIG. 4A, the gas supply device 53 includes two reactors 2a and 2b and four reactors in the first stage branch. A gas supply pipe 58 branched into 2c, 2d, 2e, and 2f is provided. Also, as shown in FIG. 4B, the gas supply device 54 is branched into three reactors 2a, 2b, 2c and three reactors 2d, 2e, 2f in the first branch. Provided gas supply pipe 59.
[0073]
The present invention is compared with the total number of branch pipes in which the gas supply pipe 13 is branched in order to distribute the gas from the flow control section 12 to each of the reactors 2 downstream of the gas supply section 11 and the flow control section 12. Any branch configuration may be used as long as the number of pipes provided with the variable flow rate valve 14 is small. As shown in FIGS. 3 (a) and 4 (b), the branch configuration of the gas supply pipe 13 is such that one of the branch pipes is provided after the first stage branched downstream of the flow rate adjusting unit 12. It is preferable to use a branch configuration in which the number of the variable flow rate valves 14 is reduced to a necessary minimum, in which the number of the variable flow valves 14 is minimized.
[0074]
As shown in FIGS. 3A and 3B, in each of the gas supply devices 51 and 52, the number of variable flow valves 14 provided in the gas supply pipes 56 and 57 is different. The number of variable flow valves 14 can be reduced by branching one of the branch pipes by the second branch into a power of 2 which is the largest with respect to the total number of reactors 2.
[0075]
Like the gas supply devices 51 and 52, the gas supply devices 53 and 54 also have variable flow rates provided in gas supply pipes 58 and 59, as shown in FIGS. 4 (a) and 4 (b). The number of valves 14 is different, and one of the branch pipes of the first-stage branch is branched to a multiplier of 2 which is the largest with respect to the total number of reactors 2, so that the number of variable flow rate valves 14 is reduced. It can be kept low.
[0076]
According to the gas supply devices 3 and 51 to 54 of the present embodiment and the vacuum processing device 1 including the gas supply devices 3 and 51 to 54 described above, on the downstream side via the gas supply unit 11 and the flow control unit 12, When branching the gas supply pipe 13, the number of branch pipes provided with the variable flow rate valve 14 is smaller than the total number of branch pipes after branching, and the gas supply conductance is controlled uniformly. Becomes possible. Therefore, according to the present embodiment, the device costs required for the gas supply devices 3, 51 to 54 can be significantly reduced.
[0077]
Further, according to the present embodiment, the number of the flow rate variable valves 14 for adjusting the flow rate is reduced, so that the time required for various adjustment work, inspection, management work, and the like can be shortened. As a result, the productivity of each reactor 2 can be improved.
[0078]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited thereto.
[0079]
(Experimental example 1)
Using the vacuum processing apparatus 1 having the branched gas supply apparatus 3 shown in FIG. 1 in which the three reaction apparatuses 2 shown in FIG. 2 are integrated into one unit via the gas supply unit 11 and the flow control unit 12. SiH 4 The gas was supplied at a flow rate of 300 [sccm].
[0080]
These three reactors 2 a to 2 c are connected to one gas exhaust device 4 and one gas supply device 3. The variable flow rate valve 14 is attached to a branch pipe for supplying a gas to the third reactor 2c.
[0081]
In advance, the conductance of the exhaust gas is set to SiH in each of the reactors 2a to 2c. 4 The gas is flowed at a flow rate of 100 [sccm], and the exhaust conductance control unit 17 adjusts each pressure in each of the reaction devices 2a to 2c to be uniform at 0.6 [Pa]. In the first embodiment, a flow meter is attached to the gas supply pipe 13 connected to each of the reactors 2a to 2c.
[0082]
The opening of the variable flow rate valve 14 was adjusted such that the value of the flow meter of one branch pipe provided with the variable flow rate valve 14 became 100 [sccm]. At this time, when the value of the flow meter on the other branch pipe side where the flow rate variable valve 14 was not provided was confirmed, it was 100 [sccm] for the first and second reactors 2a and 2b.
[0083]
The same experiment as above was repeated several times, but the value of the flow meter of one branch pipe provided with the variable flow rate valve 14 was compared with the value of the other branch pipe not provided with the variable flow rate valve 14. The gas was evenly distributed within the range of about ± 1% of the value of the flow meter of No.
[0084]
(Experimental example 2)
Using a vacuum processing apparatus 1 provided with the gas supply apparatus 3 having a branch structure shown in FIG. 1 in which three reactors 2 shown in FIG. 2 are formed into one unit, a diameter 80 made of aluminum is obtained by a VHF-PCVD method. A deposited film was formed on a cylindrical substrate having a size of [mm], a length of 358 [mm] and a thickness of 3 [mm] under the conditions shown in Table 1.
[0085]
These three reactors 2 a to 2 c were connected to one gas exhaust device 4 and one gas supply device 3. The high-frequency power supply device 10 was connected to each of the reactors 2a to 2c independently with the VHF power frequency set to 105 [MHz].
[0086]
The gas supply flow rate and the exhaust conductance were adjusted in Experimental Example 1.
[0087]
(Comparative Experimental Example 1)
A deposited film was formed in the same manner as in Example 1, except that the gas supply device 103 having the branch structure shown in FIG. 6 was used as one unit with three reactors 2 shown in FIG.
[0088]
In advance, the conductance of the exhaust gas is set to SiH 4 Gas is flowed at 100 [sccm], and the exhaust conductance control unit 106 adjusts each reactor to be uniform at 0.6 [Pa]. Regarding the opening degree of the variable flow rate valve 103, the SiH 4 The flow rate was adjusted by flowing gas at a flow rate of 100 [sccm].
[0089]
The gas flow rate and pressure before forming the deposited film were confirmed.
Table 2 shows the results.
[0090]
[Table 1]
Figure 2004119705
[0091]
[Table 2]
Figure 2004119705
[0092]
As shown in the results of Table 2, in each of the flowmeter values, the gas was uniformly distributed within a range of about ± 1% with respect to the flow rate of 150 [sccm]. As for the pressure, the conductance of the exhaust gas was uniform within a range of about ± 1% with respect to 0.8 [Pa].
[0093]
Further, it was confirmed that, once the flow rate was adjusted by the variable flow rate valve, the gas was evenly distributed even when the gas flow rate changed.
[0094]
In addition, in this experimental example, the time required for adjusting the flow rate can be adjusted in about half the time required for adjusting the flow rate in the configuration of the comparative experimental example because the flow rate variable valve is small.
[0095]
(Comparison of equipment costs)
The capital investment amounts in the gas supply unit were compared. FIGS. 5A and 5B are schematic diagrams of the configuration of the gas supply device. FIG. 5A shows a schematic diagram of the configuration of the gas supply device of Experimental Example 2, and FIG. 5B shows a schematic diagram of the configuration of the gas supply device of Comparative Experimental Example 1. In Experimental Example 2 and Comparative Experimental Example 1, the same members will be denoted by the same reference numerals for convenience.
[0096]
(Experimental Example 2 and Comparative Experimental Example 1)
In Experimental Example 1, three flowmeters were attached to the gas supply pipe connected to each reactor for the experiment. However, originally, only one flowmeter was required. The calculation is performed with one flow meter.
[0097]
As shown in FIGS. 5A and 5B, the gas supply devices 70 and 170 4 SiH containing gas 4 A gas cylinder 71, an Ar gas cylinder 72 containing Ar gas, valves 73, 74, 77, 78, 81, 82, 85, 86, 87, 88, 90, pressure reducing valves 75, 76, gas filters 79, 80, It has mass flow controllers 83 and 84, an exhaust pump 89, and variable flow rate valves 91, 92 and 93.
[0098]
Although not shown, a pipe between the gas cylinder 72 and the valve 74 is provided with a vacuum exhaust line for replacing the gas cylinder, a purge gas supply line for purging, and the like.
[0099]
According to the gas supply device 70 of the first experimental example, the manufacturing cost can be reduced by about 5% with respect to the cost of the gas supply device 170 of the first comparative example.
[0100]
Further, for example, in a vacuum processing apparatus for mass production used when mass-producing a deposited film or the like, the number of reactors 2 to be connected per unit and the total number of units are increased. Thus, the cost of the apparatus can be significantly reduced.
[0101]
(Example 1)
Using a vacuum processing apparatus 1 provided with the gas supply apparatus 3 having a branch structure shown in FIG. 1 in which three reactors shown in FIG. 2 are combined into one unit, a diameter 80 [made of aluminum] is obtained by a VHF-PCVD method. mm], a length of 358 [mm], and a wall thickness of 3 [mm], an electrophotographic photosensitive member was produced continuously for 30 cycles under the conditions shown in Table 3. In one reactor 2, six cylindrical substrates are provided.
[0102]
The three reactors 2 were connected to one exhaust unit and one flow control unit 12 of the gas supply device 3. The VHF power frequency was 105 [MHz] and connected to each reactor 2 independently.
[0103]
The variable flow rate valve 14 is attached to the gas supply pipe 13 to the reactor 2. The gas supply flow rate and the exhaust conductance were adjusted in Experimental Example 1.
[0104]
In the case of a laminated system as in this embodiment, the conductance of the exhaust gas is set in advance so that the opening of the exhaust conductance control unit (throttle ring in this example) is set to the pressure of each layer. At the time of switching, the set value of the throttling opening is changed.
[0105]
[Table 3]
Figure 2004119705
[0106]
The pressure of each reactor before starting the charge injection blocking layer was confirmed. Using a conventional vacuum processing apparatus 101 provided with a gas supply apparatus 103 having a branch configuration shown in FIG. 6 in which three reactors 2 shown in FIG. The pressure of each reaction apparatus before the start of the charge injection blocking layer when manufactured on a cylindrical substrate having a diameter of 80 [mm], a length of 358 [mm], and a thickness of 3 [mm] under the conditions shown in Table 3. Was compared with a relative value when 100 was set. The results are shown in Table 4.
[0107]
In addition, the produced electrophotographic photosensitive member was evaluated for charging ability and sensitivity. The evaluation results are shown in Table 4.
[0108]
In addition, six electrophotographic photosensitive members are produced for one reaction apparatus, and in this example, the results for one of them are shown.
[0109]
(Evaluation of charging ability)
The prepared electrophotographic photoreceptor is installed in a copying machine (manufactured by Canon Inc., iR-5000 modified for experiments), a constant current is applied to the main charger, the developing device is removed, and an electrometer is located at the developing device position. Was inserted, the photosensitive member was rotated in the same manner as in a normal copying operation, and the surface potential (dark portion potential) was measured with the light source for exposure removed. The value at the center in the axial direction was set as a representative value of the charging ability.
[0110]
Using a conventional vacuum processing apparatus 101 provided with a gas supply apparatus 103 having a branch configuration shown in FIG. 6 in which three reactors 2 shown in FIG. A comparison was made based on a relative value when the charging ability was 100 when produced on a cylindrical substrate having a diameter of 80 [mm], a length of 358 [mm], and a thickness of 3 [mm] under the conditions shown in Table 3. did.
[0111]
(Evaluation of sensitivity)
The prepared electrophotographic photoreceptor was installed in a copier (manufactured by Canon Inc., iR-5000 modified for experiments), and the main charger current was adjusted so that the dark portion potential at the developing device position was constant. The sensitivity is evaluated based on the image exposure light amount when a predetermined white paper having a reflection density of 0.1 or less is used as an original and the image exposure light amount is adjusted so that the bright portion potential at the developing device position becomes a predetermined value. The value at the center in the axial direction was used as a representative value of the sensitivity.
[0112]
Using a conventional vacuum processing apparatus 101 provided with a gas supply device 103 having a branch configuration shown in FIG. 6 in which three reactors shown in FIG. 2 have been made into one unit in advance, the reactor is made of aluminum by VHF-PCVD. Comparison was made based on a relative value when the chargeability was 100 when prepared on a cylindrical substrate having a diameter of 80 [mm], a length of 358 [mm], and a thickness of 3 [mm] under the conditions shown in Table 3. .
[0113]
As is clear from Table 4, the pressure was controlled within a range of ± 1%, and the conductance of the exhaust was uniform. That is, in the apparatus configuration of the present invention, the supplied gas flow rate is uniform in each reaction apparatus.
[0114]
Further, even in the case of a stacked system, since the exhaust conductance is evenly adjusted in each reactor, even if the gas flow rate changes, there is no pressure difference between the reactors, and a uniform state is maintained. ing. That is, the gas is evenly distributed to each reactor by the gas supply device.
[0115]
[Table 4]
Figure 2004119705
[0116]
(Example 2)
In the second embodiment, a vacuum processing apparatus including the gas supply devices 51 and 52 having the respective branched configurations illustrated in FIGS. 3A and 3B as one unit including five reactors 2 illustrated in FIG. 2. And a VHF-PCVD method on a cylindrical substrate made of aluminum having a diameter of 80 [mm], a length of 358 [mm], and a thickness of 3 [mm] under the conditions shown in Table 5 Was manufactured continuously for 30 cycles. One reactor 2 is provided with six cylindrical substrates 20.
[0117]
These five reactors 2 were connected to one exhaust unit and one gas supply unit flow control unit. The VHF power frequency was 105 [MHz] and was independently connected to each reactor.
[0118]
The gas supply flow rate and the exhaust conductance were measured in the same manner as in Example 1.
[0119]
[Table 5]
Figure 2004119705
[0120]
Before starting the formation of the charge injection blocking layer, the pressure of each reactor was checked. As a result, good results were obtained as in Example 1 in any of the branched configurations.
[0121]
The charging performance and the sensitivity of the produced electrophotographic photosensitive member were evaluated in the same manner as in Example 1. As a result, as in Example 1, good results were obtained in any of the branched configurations.
[0122]
(Example 3)
Assuming that the six reactors shown in FIG. 2 are one unit, a vacuum processing apparatus having gas supply devices 53 and 54 having a branch configuration shown in FIGS. An electrophotographic photoreceptor was prepared in the same manner and evaluated in the same manner as in Example 1. As a result, good results were obtained as in Example 1 in any of the branch configurations.
[0123]
As for the pressure of each reactor before the start of the formation of the charge injection blocking layer, good results were obtained as in Example 1 in any of the branched configurations.
[0124]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, in a vacuum processing apparatus and a gas supply apparatus for simultaneously performing vacuum processing of the objects to be processed in a plurality of reaction apparatuses, each of the vacuum processing apparatuses and the gas supply apparatuses is provided on a downstream side through a gas supply unit and a flow control unit. Gas supply that has a plurality of branch pipes branched to distribute and supply gas to the reactor, and the number of branch pipes provided with a variable flow rate valve is reduced compared to the total number of branch pipes. By providing the pipe, the cost of the gas supply device can be significantly reduced. Therefore, according to the gas supply device according to the present invention and the vacuum processing device including the gas supply device, it is possible to greatly reduce the production cost due to the vacuum processing, and to stabilize the characteristics of the manufactured deposited film, for example. Can be improved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic view showing an example of a vacuum processing apparatus provided with a gas supply device according to the present invention.
FIG. 2 is a schematic view showing a reactor using a VHF-PCVD method provided in the vacuum processing apparatus.
FIG. 3A is a schematic diagram illustrating an example of a configuration of another gas supply device when five reactors are provided, and FIG. 3B is a schematic diagram illustrating another gas supply device when five reactors are provided. It is a schematic diagram which shows the other example of a structure of a supply apparatus.
FIG. 4A is a schematic diagram showing an example of a configuration of still another gas supply device when there are six reactors, and FIG. 4B is a schematic diagram showing still another example when there are six reactors. FIG. 8 is a schematic diagram showing another example of the configuration of the gas supply device of FIG.
FIG. 5A is a schematic diagram illustrating a configuration of a gas supply device of Experimental Example 2, and FIG. 5B is a schematic diagram illustrating a configuration of a gas supply device of Comparative Experimental Example 1.
FIG. 6 is a schematic diagram illustrating an example of a vacuum processing apparatus including a conventional gas supply device.
FIG. 7 is a schematic diagram showing a configuration of a gas supply pipe of a conventional gas supply device.
[Explanation of symbols]
1 vacuum processing equipment
2 reactor
2a to 2f First to sixth reactors
3 Gas supply device
4 Gas exhaust system
10 High frequency power supply device
11 Gas supply unit
12 Flow control unit
13 Gas supply piping
14 Variable flow rate valve
15 Exhaust part
16 Collective exhaust piping
17 Exhaust conductance control unit
20 Cylindrical substrate
21 Reaction vessel
22 Substrate holding member
23 Gas inlet pipe
24 Cathode electrode
26 High frequency power supply
27 Matching box
31 Side wall
32 top plate
33 bottom plate
35 Plasma processing space
37 Exhaust port
38 Exhaust pipe
39 rotation axis
41 motor
42 Reduction gear
44 Branch piping
45 Branch electrode
47 Electromagnetic shielding
48 Lid
71,72 Gas cylinder
73, 74, 77, 78, 81, 82, 85, 86, 87, 88, 90 Valve
75, 76 pressure reducing valve
79,80 Filter
83, 84 Mass flow controller
89 Exhaust pump
91, 92, 93 Flow rate variable valve
101 vacuum processing equipment
102a to 102h first to eighth reactors
103 Gas supply device
104 Gas exhaust system
110 High frequency power supply
111 Gas supply unit
112 Flow control unit
113 Gas supply piping
114 Flow rate variable valve
115 exhaust part
116 Collective exhaust piping
117 Exhaust conductance control unit

Claims (8)

被処理物が設置された減圧可能な複数の反応装置と、前記各反応装置に高周波電力を供給する高周波電力供給手段と、前記各反応装置を排気する排気手段とを備え、前記各反応装置内の被処理物を同時に真空処理するための真空処理装置の前記各反応装置に、ガスの流量を制御して供給するガス供給装置であって、
前記各反応装置にガスを供給するためのガス供給手段と、
前記ガス供給手段から前記各反応装置に供給するガスの流量を制御するための流量制御手段と、
前記ガス供給手段および流量制御手段を経た下流側に設けられ、前記各反応装置にガスを分配してそれぞれ供給するために分岐された複数の分岐配管を有するガス供給配管と、
前記ガス供給配管の前記分岐配管に設けられた流量可変バルブとを備え、
前記ガス供給配管は、前記流量可変バルブが設けられている前記分岐配管の数が、前記分岐配管の全数に比べて少ないことを特徴とするガス供給装置。A plurality of reactors capable of being decompressed in which the object to be processed is installed, a high-frequency power supply unit for supplying high-frequency power to each of the reactors, and an exhaust unit for exhausting each of the reactors; A gas supply device for controlling and supplying a gas flow rate to each of the reaction devices of the vacuum processing device for simultaneously performing vacuum processing on the object to be processed,
Gas supply means for supplying gas to each of the reaction devices,
Flow rate control means for controlling the flow rate of gas supplied from the gas supply means to each of the reaction devices,
A gas supply pipe provided on the downstream side via the gas supply means and the flow control means, and having a plurality of branch pipes branched to respectively distribute and supply the gas to the respective reaction devices;
A variable flow valve provided in the branch pipe of the gas supply pipe,
The gas supply device, wherein the number of the branch pipes provided with the variable flow rate valve is smaller than the total number of the branch pipes. 前記複数の反応装置の個数は、２の乗数以外の個数である請求項１に記載のガス供給装置。The gas supply device according to claim 1, wherein the number of the plurality of reactors is a number other than a power of two. 前記各反応装置は、分岐された複数の分岐配管を有するガス排気配管を介して、同一の前記排気手段に接続されている請求項１または２に記載のガス供給装置。3. The gas supply device according to claim 1, wherein each of the reaction devices is connected to the same exhaust unit via a gas exhaust pipe having a plurality of branched branch pipes. 4. 前記各反応装置は、前記ガス供給配管を介して、同一の前記ガス供給手段および前記流量制御手段にそれぞれ接続されている請求項１ないし３のいずれか１項に記載のガス供給装置。4. The gas supply device according to claim 1, wherein each of the reaction devices is connected to the same gas supply unit and the same flow control unit via the gas supply pipe. 5. 被処理物が設置された減圧可能な複数の反応装置と、前記各反応装置に高周波電力を供給する高周波電力供給手段と、前記各反応装置にガスを供給するガス供給手段および前記ガス供給手段から前記各反応装置に供給するガスの流量を制御するための流量制御手段を有するガス供給装置と、前記各反応装置からガスを排気する排気手段とを備え、前記各反応装置内の被処理物を同時に真空処理するための真空処理装置であって、
前記ガス供給装置は、前記ガス供給手段およびガス流量制御手段を経た下流側に設けられ前記各反応装置にガスを分配してそれぞれ供給するために分岐された複数の分岐配管を有するガス供給配管と、前記ガス供給配管の前記分岐配管に設けられた流量可変バルブとを有し、
前記ガス供給配管は、前記流量可変バルブが設けられている前記分岐配管の数が、前記分岐配管の全数に比べて少ないことを特徴とする真空処理装置。A plurality of decompressible reactors on which the objects to be processed are installed, high-frequency power supply means for supplying high-frequency power to each of the reaction apparatuses, gas supply means for supplying gas to each of the reaction apparatuses, and the gas supply means A gas supply device having a flow rate control means for controlling a flow rate of a gas supplied to each of the reaction devices, and an exhaust means for exhausting gas from each of the reaction devices; A vacuum processing device for performing vacuum processing at the same time,
The gas supply device is provided on the downstream side via the gas supply means and the gas flow rate control means, a gas supply pipe having a plurality of branch pipes branched to distribute and supply the gas to the respective reaction devices, and Having a variable flow rate valve provided in the branch pipe of the gas supply pipe,
A vacuum processing apparatus, wherein the number of the branch pipes provided with the variable flow rate valve in the gas supply pipe is smaller than the total number of the branch pipes. 前記複数の反応装置の個数は、２の乗数以外の個数である請求項５に記載の真空処理装置。The vacuum processing apparatus according to claim 5, wherein the number of the plurality of reactors is a number other than a power of two. 前記各反応装置は、分岐された複数の分岐配管を有するガス排気配管を介して、同一の前記排気手段に接続されている請求項５または６に記載の真空処理装置。The vacuum processing apparatus according to claim 5, wherein each of the reactors is connected to the same exhaust unit via a gas exhaust pipe having a plurality of branched branch pipes. 前記各反応装置は、前記ガス供給配管を介して、同一の前記ガス供給手段および前記流量制御手段にそれぞれ接続されている請求項５ないし７のいずれか１項に記載の真空処理装置。The vacuum processing apparatus according to any one of claims 5 to 7, wherein each of the reaction devices is connected to the same gas supply unit and the same flow control unit via the gas supply pipe.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007070679A (en) * 2005-09-06 2007-03-22 Tohoku Univ Film deposition apparatus, film deposition apparatus system, film deposition method, and manufacturing method of electronic equipment or organic electroluminescence element
JP2010087231A (en) * 2008-09-30 2010-04-15 Tokyo Electron Ltd Vacuum processing device
JP2011233841A (en) * 2010-04-30 2011-11-17 Tokyo Electron Ltd Gass supply unit for semiconductor manufacturing apparatus
JP2021536668A (en) * 2018-08-29 2021-12-27 ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation Methods and equipment to provide uniformity between stations

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007070679A (en) * 2005-09-06 2007-03-22 Tohoku Univ Film deposition apparatus, film deposition apparatus system, film deposition method, and manufacturing method of electronic equipment or organic electroluminescence element
JP2010087231A (en) * 2008-09-30 2010-04-15 Tokyo Electron Ltd Vacuum processing device
JP2011233841A (en) * 2010-04-30 2011-11-17 Tokyo Electron Ltd Gass supply unit for semiconductor manufacturing apparatus
KR101565437B1 (en) 2010-04-30 2015-11-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Gas supply apparatus for semiconductor manufacturing apparatus
JP2021536668A (en) * 2018-08-29 2021-12-27 ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation Methods and equipment to provide uniformity between stations
JP7408637B2 (en) 2018-08-29 2024-01-05 ラム リサーチ コーポレーション Method and apparatus for providing station-to-station uniformity

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