JP2004537623A5

JP2004537623A5 -

Info

Publication number: JP2004537623A5
Application number: JP2003519133A
Authority: JP
Filing date: 2002-07-19
Publication date: 2006-01-05

Description

フリース生成物の生成を最小限に抑制しつつ高度の末端封鎖をもたらす溶融重合法によってポリカーボネートを製造できれば甚だ有益である。
米国特許第６２２８９７３号明細書米国特許第５６５２３１３号明細書米国特許第５４１２０６１号明細書米国特許第５７６７２２４号明細書米国特許第５０２６８１７号明細書米国特許第５３４０９０５号明細書米国特許第５３９９６５９号明細書

Claims

ポリカーボネートの製造方法であって、第一反応段階において１種以上のカルボン酸テトラアルキルホスホニウム系エステル交換触媒の存在下で１種以上のジアリールカーボネートを１種以上のジヒドロキシ芳香族化合物と接触させて、ポリカーボネートオリゴマーとフェノール系副生物を含む混合物を生じさせ、しかる後、第二反応段階において上記混合物に１種以上のアルカリ金属水酸化物系エステル交換助触媒を添加して、数平均分子量７５００ダルトン以上のポリカーボネート生成物を生じさせることを含んでなる方法。
第一反応段階が、大気圧〜１０ｍｍＨｇの圧力及び１７０〜２８０℃の温度で加熱することを含む、請求項１記載の方法。
前記ポリカーボネートオリゴマーが３０００ダルトン未満の数平均分子量を有する、請求項１又は請求項２記載の方法。
第二反応段階が、１５〜０．１ｍｍＨｇの圧力及び２６０〜３１０℃の温度で加熱することを含む、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の方法。
第一及び第二反応段階で前記フェノール系副生物を混合物から留去する、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の方法。
前記ポリカーボネート生成物が１００〜１０００ｐｐｍのフリース生成物を含む、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の方法。
前記フリース生成物が、ポリカーボネート生成物の完全加水分解時に以下の構造Ｉのカルボキシビスフェノールを生ずる、請求項６記載の方法。

式中、各Ｒ¹はハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルキル基、Ｃ₄〜Ｃ₂₀シクロアルキル基又はＣ₆〜Ｃ₂₀アリール基であり、ｎ及びｍは独立に０〜３の整数であり、Ｗは結合、酸素原子、硫黄原子、ＳＯ₂基、Ｃ₁〜Ｃ₂₀脂肪族基、Ｃ₆〜Ｃ₂₀芳香族基、Ｃ₆〜Ｃ₂₀脂環式基又は次の基である。

式中、Ｒ²及びＲ³は独立に水素原子、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルキル基、Ｃ₄〜Ｃ₂₀シクロアルキル基又はＣ₄〜Ｃ₂₀アリール基であるか、或いはＲ²とＲ³とが一体としてＣ₄〜Ｃ₂₀脂環式環を形成するもので、該Ｃ₄〜Ｃ₂₀脂環式環は１以上のＣ₁〜Ｃ₂₀アルキル基、Ｃ₆〜Ｃ₂₀アリール基、Ｃ₅〜Ｃ₂₁アラルキル基、Ｃ₅〜Ｃ₂₀シクロアルキル基又はこれらの組合せで置換されていてもよい。
前記カルボン酸テトラアルキルホスホニウムが以下の構造IIを有する、請求項１乃至請求項７のいずれか１項記載の方法。

式中、Ｒ⁴〜Ｒ⁷は各々独立にＣ₁〜Ｃ₂₀アルキル基であり、Ｘ^-はカルボン酸基が組み込まれた有機陰イオンである。
前記カルボン酸テトラアルキルホスホニウムが、ジヒドロキシ芳香族化合物１モル当たり１×１０^-6〜１×１０^-3モルに相当する量で存在する、請求項８記載の方法。
前記陰イオンが、ギ酸陰イオン、酢酸陰イオン、プロピオン酸陰イオン、酪酸陰イオン、安息香酸陰イオン、シュウ酸陰イオン、マロン酸陰イオン、コハク酸陰イオン及びテレフタル酸陰イオン並びにこれらの混合物からなる群から選択される、請求項８又は請求項９記載の方法。
前記カルボン酸テトラアルキルホスホニウムが酢酸テトラブチルホスホニウムである、請求項８記載の方法。
ビスフェノールＡポリカーボネートの製造方法であって、第一反応段階において１種以上のカルボン酸テトラアルキルホスホニウム系エステル交換触媒の存在下でジフェニルカーボネートとビスフェノールＡを接触させて、ビスフェノールＡポリカーボネートオリゴマー及びフェノール副生物を含む混合物を生じさせ、しかる後、第二反応段階において上記混合物に１種以上のアルカリ金属水酸化物系エステル交換助触媒を添加して、数平均分子量７５００ダルトン以上のビスフェノールＡポリカーボネート生成物を生じさせることを含んでなる方法。