JP2004524692A - 可変効率のファラデーシールド - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 19
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 11
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 11
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 abstract description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 12
- 238000013461 design Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 3
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical compound FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 210000001835 viscera Anatomy 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
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Abstract
プラズマリアクタ(930)で使用するためのファラデーシールドが可変シールド効率を有する。このシールド(300)は、各々選択的に接地されまたは接地されない多くのシールドセグメントに分けられる。完全に接地されない状態と完全に接地された状態との間の移行割合が移行期間の間プラズマリアクタ(930)内で安定したプラズマ状態を維持するように、制御することができる。一旦プラズマストライクが達成され、または前のシールド設定における良好なマッチングへ条件付けされると、シールド効率の変化の時間割合が所定の割合で制御されることができる。ファラデーシールド(320)が完全に接地されると、ウエハ上及びチャンバ上の汚染の量が、チャンバ表面のスパッタリングの割合を減少することによって減少される。
Description
【0001】
(技術分野)
本発明は電界のシールドに関する。特に、本発明はプラズマチャンバを使用した場合のファラデーシールドに関する。
【0002】
(背景技術)
ファラデーシールドは、チャンバ表面のイオン浸蝕を生じる容量性RF結合を減少するために、プラズマチャンバに用いられている。チャンバ物質の広い範囲がこのイオン浸蝕問題に影響されやすい:セラミック、クォーツ、SiN、SiC、プラスチック等。ファラデーシールドは、RFアンテナコイルとプラズマ抑え込みチャンバとの間に置かれ、RF電界が誘導したイオン攻撃によって起こるチャンバのイオン浸蝕の量を減少する。このシールドは、接地されるかまたはフローティングして(浮いて)いる。
【0003】
接地されたシールドの設計は、チャンバ内でプラズマ放電を起こすことを非常に困難にする下側を有している。何故ならば、容量結合の減少は、またRF電界強度の大きさを減少するからである。しかし、接地されたシールドは、チャンバのイオン浸蝕を減少するのに効果的である。フローティングシールド設計は、それがプラズマを起こすのを過度に邪魔しないと言う利点を有している。都合の悪いことに、フローティングシールドは、チャンバのイオン浸蝕を妨げるのに非常に効果的でない。
【0004】
図1を参照すると、従来技術による接地されたファラデーシールド40を実現する誘導結合されたプラズマエッチングリアクタ40が示されている。このリアクタは、誘導性コイル12によって囲まれた真空チャンバ10を有している。ワークピース14、通常半導体ウエハがチャンバ10の内部でペデスタル16上に支持されている。誘導性コイルアンテナ12がチャンバ10の外側の周りに巻かれ、インピーダンスマッチング回路網20を介して無線周波数(RF)電力発生器18に接続されて、RF電力をチャンバに与えている。このアンテナコイルに近接したチャンバの壁30は、チャンバ10に結合されたRF電力の減衰を最小にするように、電気的絶縁物質、一般にはクォーツまたはセラミックからなっている。エッチャントガスがガス注入ポート26を介してチャンバ10に導入される。真空ポンプ(図示せず)がチャンバ10を所望のチャンバ圧力まで排気する。
【0005】
チャンバドーム30はRFの開口として機能する。ファラデーシールド40は、チャンバドーム30のプロセス促進スパッタリングを減少するのに効果的である。ファラデーシールド40は接地電位に接続され、従って、完全に接地されている。
【0006】
図2を参照すると、従来技術によるフローティングファラデーシールド40’を実現する誘導結合されたプラズマエッチングリアクタが示されている。フローティング(すなわち“絶縁されている”)ファラデーシールドは、図1の完全に接地された実施の形態に対して公知の代替例である。この方法は、プラズマチャンバに広く使用されている。しかし、その性能は、接地された設計で達成できるものと比べて制限される。
【0007】
これら従来のファラデーシールド40、40’は、誘導結合されたプラズマ(inductively coupled plasma: ICP)源のアンテナコイルと封じ込められたプラズマとの間の寄生容量結合を減少する。しかし、従来のシールドは、固定された効率設計である。
【0008】
従って、必要なものは、完全に接地された構成の効率を与えるが、しかし完全に接地された構成のアーク減衰を形成しないファラデーシールドである。
【0009】
従来の命名法にしたがって、処理チャンバと共に用いられるファラデーシールド構造は、“電圧分配電極”(voltage distribution electrode:VDE)と呼ばれる。しかし、重要な構造の特徴のために、本発明による少なくとも幾つかの実施例を説明するためにこの古い用語を使用することは適当でない。
【0010】
(発明の概要)
本発明の特徴は、プラズマを起こす能力に影響を与えることなく、半導体処理チャンバの表面に対して有害なイオン照射の強さを減少することである。
【0011】
本発明の他の特徴は、可変シールド効率を有するファラデーシールドを提供することである。
【0012】
本発明の他の特徴は、完全に接地されない状態と完全に接地された状態との間のファラデーシールドの移行割合を制御することである。
【0013】
本発明の他の特徴は、移行期間において安定したプラズマ状態を維持するように、完全に接地されない状態と完全に接地された状態との間のプラズマリアクタのファラデーシールドの移行割合を制御することである。
【0014】
本発明の他の特徴は、所定の割合でファラデーシールドのシールド効果の変化の時間変化割合を制御することである。
【0015】
更に、本発明の特徴は、シールド効果の設定が変化するに従って、良好なマッチングに制約を与えるプラズマリアクタのファラデーシールドのシールド効率の変化の時間変化割合を制御することである。
【0016】
更に、本発明の特徴は、パイ形状のシールドセグメントと放射状の対称性を有する可変効率ファラデーシールドを提供することである。
【0017】
上記の特徴の幾つかは、可変効率で電気的なシールドを与えるシールドによって具現化される。このシールドは基板、基板上に設けられた共通のノード、及び互いに離間され、基板上に設けられている複数のシールドセグメントを有する。また、このシールドは、複数のスイッチを有し、複数のスイッチの各々は、共通のノードと複数シールドセグメントのそれぞれの一つとの間に接続されていて、スイッチを閉じることによって、複数のシールドセグメントのそれぞれ一つが共通のノードに接続される。
【0018】
上記の特徴の他のものは、可変効率で電気的なシールドを与えるシールドシステムによって具現化される。このシールドは、基板、基板上に設けられた共通のノード、及び互いに離間され、基板上に設けられている複数のシールドセグメントを有する。また、このシールドは、複数のスイッチを有し、複数のスイッチの各々は、共通のノードと複数シールドセグメントのそれぞれの一つとの間に接続されていて、スイッチを閉じることによって複数のシールドセグメントのそれぞれ一つが共通のノードに接続される。制御インタフェースは、共通ノードを接地電位に接続する接地回路、及び先行する1つ以上の条件の発生に基づいて複数のスイッチを選択的に閉じるために、複数スイッチの各々に接続され、コマンド信号を発生する増加コマンド回路を有する。
【0019】
上記のあるものは、活性化されたプラズマを半導体物品に与えるのに有用なプラズマリアクタによって具現化される。このプラズマリアクタは、リアクタ本体(リアクタの少なくとも一部が誘電体物質から作られている)、このリアクタ本体に接近して設けたれたRFアンテナ、エネルギーをRFアンテナに結合するためにRFアンテナに接続されたRFマッチング回路網及びRFアンテナとリアクタ本体との間に設けられた可変シールド効率を有するシールドを有する。このリアクタ本体に配置された半導体物品は、RFアンテナによって活性化(エネルギーが与えられる)されたプラズマによって処理される。
【0020】
上記の特徴のあるものは、シールドする方法によって、具現化される。このシールド方法は、可変シールド効率を有するシールドを与えるステップ、シールド効率を最小値に設定するステップ、及びシールドのシールド効率を増大するステップを有する。
【0021】
上記の特徴の幾つかは、半導体物品をエッチングする方法によって具現化される。この方法は、プラズマエッチングチャンバ内に半導体物品を置くステップ及びシールドのシールド効率を最小値に設定するステップを有する。プラズマは、半導体物品の周りに形成され、その後シールドのシールド効率は、最小値から最大値まで増加される。
【0022】
上記の特徴の幾つかを具現化する他の方法は、可変効率の電気的シールドをRFアンテナによって囲まれた半導体処理チャンバに与える方法である。この方法は、可変効率の電気的シールドを与えるステップ、処理チャンバとRFアンテナとの間にシールドを接地するステップ、及びシールドの効率の制御を行なうために、シールドをプロセスコントローラへ接続するステップを有する。
【0023】
また、本発明のいろいろな実施例によれば、完全に接地されていない状態と完全に接地されている状態との間の移行の割合は、移行期間における安定したプラズマ状態を維持するように、制御することができる。この新規なアプローチに関しては、プラズマストライク(plasma strike)が行なわれる、または前のシールド設定で成功したマッチングに対して条件付けされると、シールド効率の変化の時間割合は所定の割合に制御される。
【0024】
(発明の詳細な説明)
接地されない受動電圧分配電極(voltage distribution electrode:VDE)がエッチングチャンバにおいて励振アンテナコイルとRFドームとの間に一般に挿入されている。このVDEは接地されないファラデーシールドの特定の応用例である。
【0025】
上述したように、接地されたシールドは、励振アンテナとチャンバのプラズマとの間の容量性結合を最小にする、したがって、プラズマの大きさおよびRF開口の内面間のプラズマ電位差を減少するのにより効果的である。この位置でプラズマ電位を減少することによって、開口のセラミック物質のスパッタ浸蝕速度が著しく減少される。
【0026】
都合の悪いことに、接地したシールド設計は、チャンバ内のプラズマストライクを困難にする下部を有しており、集合アンテナ回路が同調回路網の公称範囲の外側へ外れるようにする。これは、より効果的な接地した設計が従来のプラズマチャンバ設計へ組込まれなかった主な理由である。
【0027】
本発明は、2つの間で急激な変化がなく、従来の接地されないシールド構成及び接地されたシールド構成の機能を得る。
【0028】
本発明の実施例によるシールドは、誘導性結合プラズマ(Inductively Coupled Plasma:ICP)源のRFアンテナと誘導結合された半導体処理チャンバのRF開口との間に配置される。本発明は、コンパクトな設計を有しており、広範囲の機械的な、又はRFの再設計に対する必要性がなく前からあるチャンバへ追加することができる。本発明の好適な実施例によれば、多くの独立した“パイスライス(パイのようにスライスされた)”セグメント(区分)に分割され、各々は接地電位に切り替え可能なファラデーシールド設計を有するシールド装置が構成される。
【0029】
本発明の1つの特徴によれば、接地されないから接地されるへの移行は、存在しているRF回路網がプラズマへの最適な電力結合を追跡し、維持する割合で生じるように、シールドセグメントが接地される割合を正確に制御することができる。本発明の他の特徴は、ファラデーシールド装置が臨界制御及びスイッチング素子用の構造を有し、ファラデーシールドがRFの暑い環境において確実に動作することができることである。
【0030】
本発明の非常に有用な特徴は、シールド効率の増加比率が調整可能なパラメータであることである。したがって、シールド効率の変化の割合は、与えられたプラズマチャンバに対する有限なマッチングの同調割合を一致するようにすることができる。
【0031】
図3を参照すると、本発明による可変効率のファラデーシールド300の平面図が示されている。ファラデーシールド300は、RFアンテナ312とプラズマチャンバのドーム330との間に配置される。
【0032】
ファラデーシールド300は、多くの独立した“パイスライス”形状のセグメントに分割される。シールドセグメント320の各々は、対応するスイッチ340を介して接地電位に切り替ることができる。このスイッチ340は、そのそれぞれのシールドセグメント320をフレキシブルな周囲のセグメント350上にある接地された回路へ選択的に接続する。切替えが可能なために、シールド300は、単一の移行特性を有する受動装置とは異なって能動的に調整可能である。
【0033】
個々のシールドセグメント320と周りのセグメント350は、フレキシブルな回路技術を用いて形成され、スイッチング340と制御エレクトロニックス360は、周囲のセグメント350の構造に直接表面に取り付けられる。周囲のセグメント350上の接地された回路は、程度の大きいRFノイズ分離をスイッチングエレクトロニックス340を駆動する制御エレクトロニックス360に、及び制御信号の入力ラインに与える接地された素子(図示せず)を内臓するように構成されるのが好適である。また、シールドセグメント320と周囲のセグメント350は、共通のフレキシブル基板を共有するのが好適である。
【0034】
図4を参照すると、図3の実施例による可変効率のファラデーシールド300の一部の詳細な斜視図が示されている。この実施例によると、全体のアドレス可能なシールドレベルを管理可能な数へ減少するために、幾つかのセグメントの組がクループ化され、すなわち同時に活性化される。この実施例は、最大値の0、20、40、60、80および100%の6つのレベルで選択可能なシールドを与えるように、電極セグメント320の5つのグループ321,322,323、324,325を有する。同時に活性化されるセグメントの各々のクループ化された組321,322,323,324,325の部材は、それらが各々の組321,322,323,324,325から1つのセグメントからなる8つ(この実施例では)の小グループ327を形成するように放射状に分布されている。
【0035】
他の実施例によると、各々のシールドセグメント、及び単一のシールドセグメント毎のスイッチ340は、各シールドセグメント320が独立して切替え可能であるように、独立してアドレス可能である。これは、シールドの細かな分解能に対して変化を効率的に与え、動作の最大のフレキシビリティを生じる。一方、これは、スイッチ340へのアドレッシングの複雑性を最大にする。
【0036】
スイッチ制御のエレクトロニックス素子360間の相互接続352、354は、周辺に走り、システムコントローラ(この図には示されていない)へインタフェースする単一のインタフェースコネクタ370に集められる。
【0037】
ファラデーシールドの任意の特徴は、周囲のセグメント350の薄くされた部分356である。この薄くされた部分356は、単一のファラデーシールド構成が異なった大きさおよび形状の範囲を有するチャンバの蓋及びドームに対して利用できるように大きさおよび形状の適合性を備える。薄くされた部分356は、全ての駆動回路360間を走る接地ラインと信号ライン352、354を支えるのに充分広い必要があるだけである。
【0038】
駆動回路360は、5つのチャネルが多重化された駆動チップとして例示されている。駆動チップの形式は、スイッチ340を具体化するために使用される装置の型に基づかれる。PINダイオードがスイッチ340のために選択される場合、駆動回路360のための好ましい選択は、375 West Hollis Street, Nashua, NH 03060のImpellimaxによる指定“DSシリーズ”で売られているデコードされたPIN駆動装置である。
【0039】
図5を参照すると、図3の実施例による可変効率のファラデーシールド300の詳細な断面図が示されている。ファラデーシールド300は、プラズマチャンバのいろいろなハードウェアに関して配置されて示されている。ファラデーシールド300のシールドセグメント320がアンテナコイル312とドーム330との間に設けられている。
【0040】
クランプリング532がドーム330周囲に係合されている。TEFLONTMリング534がその周囲の周りにフレキシブルなファラデーシールド300を正しく保持するために、クランプリング532とドーム330の端に載置される。インタフェースコネクタ370は、TEFLONTMリング534の下および周りに巻きつく平らなフレキシブルなインタフェースケーブル375を介して結合され、ファラデーシールド300の回路に接続する。
【0041】
本発明の1つの特徴は、シールド300の各々のセグメント320がスイッチ340を介して周囲のセグメント350上で接地された回路に接続されていることである。スイッチ340は、切替え可能なPINダイオードとして具体化することができ、また代わりに同等のデバイスとして具体化することもできる。これらのスイッチ340の各々は、駆動回路360によって制御される。スイッチ340がPINダイオードとして具体化される場合、駆動回路360は、PINダイオードの駆動チップであるのが好適である。
【0042】
図6を参照すると、本発明の他の実施例による簡単化された可変効率のファラデーシールド610の概略図が示されている。単一プレートのファラデーシールド610の効率は、シールドを、シールドが選択的に接続され、または接地電位から切り離すことができるスイッチ620を介して接地へ結合することによって可変にされる。
【0043】
このシールド構造が用いられると、ファラデーシールド610がそのフローティング状態へスイッチされる場合にプラズマアークが発生される。その後、安定したプラズマが確立されると、ファラデーシールド610を接地するためにスイッチ620が閉じられる。
【0044】
ある環境の下で,このシールド構成は、従来技術のプラズマストライク対ドームエッチングのジレンマに対して満足のいく解決策を提供する。それは、シールドがフローティング状態から完全に接地された状態へ切替えられたとき、幾つかの形状はプラズマを維持することが困難とはいえ、可能であるからである。シールドがフローティング状態から接地された状態へスイッチされると、これは、RFアンテナ(この図には示されていない)に見られる電気的インピーダンスを実質的に変化する。RFマッチング回路網(この図には示されていない)は、電力の移行効率を非常に降下するのを防ぐためにインピーダンスの急激な変化に充分早く適応しなければならない。電力の移行における電位の不安定性がプラズマを不安定にし、および消滅するようにするので、この実施例はある環境においては好適でない。
【0045】
図7を参照すると、本発明の他の実施例による可変効率のファラデーシールド710の概略図が示されている。単一プレートのファラデーシールド710の効率は、可変インピーダンス素子720を介してシールド710を接地することによって可変にされる。この可変インピーダンス素子720は、RF励振周波数で容量性または誘導性のいずれかの成分を有するか,または純抵抗性であるインピーダンス値Zを有することができる。可変インピーダンス素子720のインピーダンス値の大きさは、最大値からゼロ(すなわち短絡回路)までの様々な値に変えることができる。
【0046】
この実施例によるシールド構造がとられると、高い値に設定された可変インピーダンス素子720のインピーダンス値Zを有することによって、ファラデーシールド710が、実質的にフロートされている、高インピーダンスにある場合、プラズマアークが起こされる。一旦安定したプラズマが確立されると、インピーダンス値Zは、徐々に大きさが減少する。
【0047】
本発明によるインピーダンス構造と組み合わされたファラデーシールドの具現化は、スイッチ340の代わりに置きかえられた1つ以上のインピーダンス素子を有する図4の実施例の場合と同様な構成で果たされる。
【0048】
図8を参照すると、本発明の更に他の実施例による可変効率のファラデーシールド810の概略図が示されている。多重セグメントファラデーシールド810の効率は、シールドセグメント812、814、816、818のいずれか、または全てをフロートすることによって、及びシールドセグメント812、814、816、818のいずれか、または全てをインピーダンス素子820(インピーダンスzを有する)または直接接続830を介して接地へ選択的に接続することによって可変にされる。インピーダンス素子か、または直接接地へのシールドセグメントの選択的な接続のためのスイッチングは、タンデム駆動回路840、842によってなされる。このタンデム駆動回路840、842は、どのシールドセグメント812、814、816、818がフロートされるべきか、どれがインピーダンス素子を介して接地されるべきか、及びどれが直接接地されるべきかを選択するために、制御ライン850によって制御される。図示された回路構成を用いて、あらゆる接続の組み合わせが可能であり、従って、無数の可能なシールド効率の選択を可能にする。図示された多くのシールドセグメントは単に図示したにすぎず、従ってそれらに限定されるように意図されたものでない。
【0049】
図9を参照すると、本発明の他の実施例による可変効率のファラデーシールド910が示されている。シールド910は平らな上部チャンバ930を横切って設けられた複数のセグメント920を有している。セグメント920は、駆動回路940、942によってフローティング状態から接地状態へ選択的に切替え可能である。本発明の応用は、ドームのあるチャンバに限られないし、放射の対称性(シンメトリー)を有するシールド構成に限られない。
【0050】
図10を参照すると、平らな頂部を有する処理チャンバ1010の断面図が示されている。可変効率のファラデーシールド1020が誘電体シールド1012上に配置されている。プラズマは、処理されるべきウエハ1030上の空間に形成される。プラズマは、可変効率のファラデーシールド1020上に設けられたRFアンテナ1040によって活性化(エネルギーが与えられる)される。
【0051】
可変効率のファラデーシールド1020がどのようにしてシールドシステム1000に一体化されるかが図10のブロックダイアグラム部分によって示されている。シールド1020は接地及びコマンド信号を与える制御インタフェース1050に接続されている。シールド1020におけるスイッチは、増加コマンド回路1052から受信されるコマンド信号によって制御される。コマンド信号は、前の状態、例えば時間の経過、またはRFマッチング回路網によるRFマッチングの表示に基づいて出される。シールド1020におけるスイッチが閉じられるにしたがって、シールド1020のセグメントはグランド(接地)回路1054に接続される。
【0052】
図11を参照すると、本発明の更に他の実施例による可変効率ファラデーシールド110の分解図が示されている。この実施例によるシールドは、互いの上部で層化されている多重シールドセグメント1110、1130、1150を有し、そしてこれらの導電性シールドセグメント1110、1130、1150の分離層は、非導電性層1120、1140によって互いに絶縁されている。導電性シールドセグメント1110、1130、1150の各々は、直接またはインピーダンス素子を介して、独立して、選択的にグランドに接続可能である。実際に、シールドセグメント1110、1130、1150及び非導電性層1120、1140は、この分解図に示されているように離間されているのではなく一緒にサンドウィッチ状にされている。シールドセグメントをグランドに選択的に接続するための回路は、示されていないが、他の実施例についてこの明細書の外の場所で説明されているように具現化されるのが好ましい。最も低いシールド効率が必要とされる場合、全てのシールドセグメント1110、1130、1150は、それらがフロートするように切り離される。
【0053】
最下部のシールドセグメント1150は、放射状の対称性を有する構成でスポーク形状の狭い放射状部材1152を有している。最も低いレベル以上シールドの効率を増加することが必要とされる場合、下部セグメント1150だけがグランドに接続され、残りのセグメント1110、1130はフロートされたままである。
【0054】
中間のシールドセグメント1130は、放射状の対称性を有する構成で中間幅の放射状部材を有する。中間層1130の放射状部材1132は、下部層1150の放射状の対称性に重なるのが好ましい。中間のシールドセグメント1130を接地することは、シールド1100のシールド効率をさらに増大する。
【0055】
最上部のシールドセグメント1110は、放射状の対称性を有する構成で広いパイスライス形状の放射状部材を有する。最上部層1110の放射状部材は、中間層と最下部層1130、1150の放射状部材に重なるのが好ましい。最上部のシールドセグメント1110を接地することは、シールド1100のシールド効率を最大レベルに増大する。
【0056】
シールド1110のこの実施例は、3つの層上セグメントとして示されているけれども、シールドは簡単にするために2つだけの層で任意に実現されか、あるいはシールド効果の僅かな増分の変化を可能にするために4つ以上で実現されてもよい。放射状の対称性(チャンバ内部のプラズマの一様性を促進する)が好適であるけれども、この実施例による本発明の具現化は説明された特定の形状(例えば、スポーク形状、パイスライス形状)に限定されない。図示された放射状部材の数及び相対的大きさは、本発明の重要な特徴ではない。例えば、下部セグメント1150の放射状部材1152は長さを変えて(長くまたは短く)構成することができる。
【0057】
本発明の方法の特徴が図12乃至図14に示されている。
【0058】
図12を参照すると、ワークピース(例えば、半導体ウエハ)がプラズマチャンバ1210内に置かれた後、システムコントローラは、プロセスのプラズマストライクフェーズ1230において、全てのシールド素子が非接地される1220(すなわち、フローティング)ように信号を与える。プラズマストライク1230後直ぐに、最小の反射電力にマッチング同調して、シールドコントローラはシールドセグメント1240を接地し始め、最後には最大のシールド効率を得るように全てのセグメントを接地する。
【0059】
図13を参照すると、シールドセグメントは、所定の割合で接地される全体の数を増加することによって接地される。シールド効果1310のインクレメント増加を行なった後、所定の時間遅延まで、勿論、最大効率(全てのセグメントが接地される)に達したことが判断1320されない限り、更なる増加は行なわれない、
【0060】
図14を参照すると、シールド効率を増加する他の方法が示されている。シールドこんとローラは、次ぎの増加1410を接地された全数までゲーティング1440するマッチング同調1430で、条件的に接地されたセグメントの全体数を増加することができる。
【0061】
本発明による実現されるファラデーシールドは、製造するのに容易である。セグメント化されたシールドは、表面に取り付けられたエレクロニックス素子を有するフレキシブル回路用の標準的な製造技術で容易に実現される具現化に役立つ。
【0062】
チャンバ用の摩滅を減少するのに加えて、本発明の更なる利点は、セラミックチャンバの表面のスパッタリングの速度を減少することによってウエハ上およびチャンバ上の汚染の量を減少することである。
【0063】
更に、本発明は、プラズマストライクが成功裡に実行された後、制御可能な方法でスパッタリングの速度を減少する。減少は、全体のシールドが接地されるまで、最適化され、セグメント化されたファラデーシールド設計の多くの素子をうまく、増加して、急速に接地することによって達成される。ファラデーシールドは、全体的に接地されると、最大のシールド効率を有する。代わりに、シールド効率は、セグメントが実質的に接地されるまでセグメントに対してインピーダンスを減少して、接地することによって増大される。
【0064】
可変効率のシールドは、アンテナからプラズマへ結合する容量性素子を変える方法、及び存在するRFハードウェアを再設計することなく、プラズマ状態の広い範囲を収容する方法を提供することによって、固定された設計に重要な利点を提供する。
【0065】
シールドセグメントの“パイ形状”の構成は、本発明の実施にとって本質的ではなく、開示されたセグメントの数、グループ化またはまとめるパターンも本質的ではない。シールドセグメントの数及び形状構成は、シールドが作られているプラズマリアクタの形状に基づいて最適なシールド性能を提供するように、選ばれるのが好ましい。本発明の有用な特徴及び利点は、大きさ、あらゆる形状または構成のプラズマリアクタで動作するように如何なる形状に広げられることができる。
【0066】
本発明は、好適な実施例によって説明されたけれども、いろいろな変形及び改良が本発明の範囲から逸脱することなく説明された実施例に対して行なわれることができることが理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0067】
【図1】完全に接地されたファデーシールドを有する、従来技術によるプラズマリアクタの断面概略図を示す。
【図2】接地さないファデーシールドを有する、本発明の実施例によるプラズマリアクタの断面概略図を示す。
【図3】RFアンテナ及びドーム形状のプラズマチャンバ間に配置された本発明の実施例による可変効率のファラデーシールドの平面図を示す。
【図4】図3の実施例による可変効率のファラデーシールドの一部の詳細な斜視図を示す。
【図5】プラズマチャンバのいろいろなハードウェアに関して配置された、図3の実施例による可変効率のファラデーシールドの詳細な断面図を示す。
【図6】本発明の他の実施例による簡単化した可変効率のファラデーシールドの概略図を示す。
【図7】本発明の他の実施例による可変効率のファラデーシールドの概略図を示す。
【図8】本発明の他の実施例による可変効率のファラデーシールドの斜視図を示す。
【図9】本発明に更に他の実施例による可変効率のファラデーシールドの斜視図を示す。
【図10】平らな頂部を有する処理チャンバの断面図を示す。
【図11】本発明による他の実施例による可変効率のファラデーシールドの分解図を示す。
【図12】本発明の実施例による半導体物品をエッチングする方法を示す。
【図13】本発明による他の実施例によるシールド効率を増加する方法を示す。
【図14】本発明の更に他の実施例によるシールド効率を増加する方法を示す。
(技術分野)
本発明は電界のシールドに関する。特に、本発明はプラズマチャンバを使用した場合のファラデーシールドに関する。
【0002】
(背景技術)
ファラデーシールドは、チャンバ表面のイオン浸蝕を生じる容量性RF結合を減少するために、プラズマチャンバに用いられている。チャンバ物質の広い範囲がこのイオン浸蝕問題に影響されやすい:セラミック、クォーツ、SiN、SiC、プラスチック等。ファラデーシールドは、RFアンテナコイルとプラズマ抑え込みチャンバとの間に置かれ、RF電界が誘導したイオン攻撃によって起こるチャンバのイオン浸蝕の量を減少する。このシールドは、接地されるかまたはフローティングして(浮いて)いる。
【0003】
接地されたシールドの設計は、チャンバ内でプラズマ放電を起こすことを非常に困難にする下側を有している。何故ならば、容量結合の減少は、またRF電界強度の大きさを減少するからである。しかし、接地されたシールドは、チャンバのイオン浸蝕を減少するのに効果的である。フローティングシールド設計は、それがプラズマを起こすのを過度に邪魔しないと言う利点を有している。都合の悪いことに、フローティングシールドは、チャンバのイオン浸蝕を妨げるのに非常に効果的でない。
【0004】
図1を参照すると、従来技術による接地されたファラデーシールド40を実現する誘導結合されたプラズマエッチングリアクタ40が示されている。このリアクタは、誘導性コイル12によって囲まれた真空チャンバ10を有している。ワークピース14、通常半導体ウエハがチャンバ10の内部でペデスタル16上に支持されている。誘導性コイルアンテナ12がチャンバ10の外側の周りに巻かれ、インピーダンスマッチング回路網20を介して無線周波数(RF)電力発生器18に接続されて、RF電力をチャンバに与えている。このアンテナコイルに近接したチャンバの壁30は、チャンバ10に結合されたRF電力の減衰を最小にするように、電気的絶縁物質、一般にはクォーツまたはセラミックからなっている。エッチャントガスがガス注入ポート26を介してチャンバ10に導入される。真空ポンプ(図示せず)がチャンバ10を所望のチャンバ圧力まで排気する。
【0005】
チャンバドーム30はRFの開口として機能する。ファラデーシールド40は、チャンバドーム30のプロセス促進スパッタリングを減少するのに効果的である。ファラデーシールド40は接地電位に接続され、従って、完全に接地されている。
【0006】
図2を参照すると、従来技術によるフローティングファラデーシールド40’を実現する誘導結合されたプラズマエッチングリアクタが示されている。フローティング(すなわち“絶縁されている”)ファラデーシールドは、図1の完全に接地された実施の形態に対して公知の代替例である。この方法は、プラズマチャンバに広く使用されている。しかし、その性能は、接地された設計で達成できるものと比べて制限される。
【0007】
これら従来のファラデーシールド40、40’は、誘導結合されたプラズマ(inductively coupled plasma: ICP)源のアンテナコイルと封じ込められたプラズマとの間の寄生容量結合を減少する。しかし、従来のシールドは、固定された効率設計である。
【0008】
従って、必要なものは、完全に接地された構成の効率を与えるが、しかし完全に接地された構成のアーク減衰を形成しないファラデーシールドである。
【0009】
従来の命名法にしたがって、処理チャンバと共に用いられるファラデーシールド構造は、“電圧分配電極”(voltage distribution electrode:VDE)と呼ばれる。しかし、重要な構造の特徴のために、本発明による少なくとも幾つかの実施例を説明するためにこの古い用語を使用することは適当でない。
【0010】
(発明の概要)
本発明の特徴は、プラズマを起こす能力に影響を与えることなく、半導体処理チャンバの表面に対して有害なイオン照射の強さを減少することである。
【0011】
本発明の他の特徴は、可変シールド効率を有するファラデーシールドを提供することである。
【0012】
本発明の他の特徴は、完全に接地されない状態と完全に接地された状態との間のファラデーシールドの移行割合を制御することである。
【0013】
本発明の他の特徴は、移行期間において安定したプラズマ状態を維持するように、完全に接地されない状態と完全に接地された状態との間のプラズマリアクタのファラデーシールドの移行割合を制御することである。
【0014】
本発明の他の特徴は、所定の割合でファラデーシールドのシールド効果の変化の時間変化割合を制御することである。
【0015】
更に、本発明の特徴は、シールド効果の設定が変化するに従って、良好なマッチングに制約を与えるプラズマリアクタのファラデーシールドのシールド効率の変化の時間変化割合を制御することである。
【0016】
更に、本発明の特徴は、パイ形状のシールドセグメントと放射状の対称性を有する可変効率ファラデーシールドを提供することである。
【0017】
上記の特徴の幾つかは、可変効率で電気的なシールドを与えるシールドによって具現化される。このシールドは基板、基板上に設けられた共通のノード、及び互いに離間され、基板上に設けられている複数のシールドセグメントを有する。また、このシールドは、複数のスイッチを有し、複数のスイッチの各々は、共通のノードと複数シールドセグメントのそれぞれの一つとの間に接続されていて、スイッチを閉じることによって、複数のシールドセグメントのそれぞれ一つが共通のノードに接続される。
【0018】
上記の特徴の他のものは、可変効率で電気的なシールドを与えるシールドシステムによって具現化される。このシールドは、基板、基板上に設けられた共通のノード、及び互いに離間され、基板上に設けられている複数のシールドセグメントを有する。また、このシールドは、複数のスイッチを有し、複数のスイッチの各々は、共通のノードと複数シールドセグメントのそれぞれの一つとの間に接続されていて、スイッチを閉じることによって複数のシールドセグメントのそれぞれ一つが共通のノードに接続される。制御インタフェースは、共通ノードを接地電位に接続する接地回路、及び先行する1つ以上の条件の発生に基づいて複数のスイッチを選択的に閉じるために、複数スイッチの各々に接続され、コマンド信号を発生する増加コマンド回路を有する。
【0019】
上記のあるものは、活性化されたプラズマを半導体物品に与えるのに有用なプラズマリアクタによって具現化される。このプラズマリアクタは、リアクタ本体(リアクタの少なくとも一部が誘電体物質から作られている)、このリアクタ本体に接近して設けたれたRFアンテナ、エネルギーをRFアンテナに結合するためにRFアンテナに接続されたRFマッチング回路網及びRFアンテナとリアクタ本体との間に設けられた可変シールド効率を有するシールドを有する。このリアクタ本体に配置された半導体物品は、RFアンテナによって活性化(エネルギーが与えられる)されたプラズマによって処理される。
【0020】
上記の特徴のあるものは、シールドする方法によって、具現化される。このシールド方法は、可変シールド効率を有するシールドを与えるステップ、シールド効率を最小値に設定するステップ、及びシールドのシールド効率を増大するステップを有する。
【0021】
上記の特徴の幾つかは、半導体物品をエッチングする方法によって具現化される。この方法は、プラズマエッチングチャンバ内に半導体物品を置くステップ及びシールドのシールド効率を最小値に設定するステップを有する。プラズマは、半導体物品の周りに形成され、その後シールドのシールド効率は、最小値から最大値まで増加される。
【0022】
上記の特徴の幾つかを具現化する他の方法は、可変効率の電気的シールドをRFアンテナによって囲まれた半導体処理チャンバに与える方法である。この方法は、可変効率の電気的シールドを与えるステップ、処理チャンバとRFアンテナとの間にシールドを接地するステップ、及びシールドの効率の制御を行なうために、シールドをプロセスコントローラへ接続するステップを有する。
【0023】
また、本発明のいろいろな実施例によれば、完全に接地されていない状態と完全に接地されている状態との間の移行の割合は、移行期間における安定したプラズマ状態を維持するように、制御することができる。この新規なアプローチに関しては、プラズマストライク(plasma strike)が行なわれる、または前のシールド設定で成功したマッチングに対して条件付けされると、シールド効率の変化の時間割合は所定の割合に制御される。
【0024】
(発明の詳細な説明)
接地されない受動電圧分配電極(voltage distribution electrode:VDE)がエッチングチャンバにおいて励振アンテナコイルとRFドームとの間に一般に挿入されている。このVDEは接地されないファラデーシールドの特定の応用例である。
【0025】
上述したように、接地されたシールドは、励振アンテナとチャンバのプラズマとの間の容量性結合を最小にする、したがって、プラズマの大きさおよびRF開口の内面間のプラズマ電位差を減少するのにより効果的である。この位置でプラズマ電位を減少することによって、開口のセラミック物質のスパッタ浸蝕速度が著しく減少される。
【0026】
都合の悪いことに、接地したシールド設計は、チャンバ内のプラズマストライクを困難にする下部を有しており、集合アンテナ回路が同調回路網の公称範囲の外側へ外れるようにする。これは、より効果的な接地した設計が従来のプラズマチャンバ設計へ組込まれなかった主な理由である。
【0027】
本発明は、2つの間で急激な変化がなく、従来の接地されないシールド構成及び接地されたシールド構成の機能を得る。
【0028】
本発明の実施例によるシールドは、誘導性結合プラズマ(Inductively Coupled Plasma:ICP)源のRFアンテナと誘導結合された半導体処理チャンバのRF開口との間に配置される。本発明は、コンパクトな設計を有しており、広範囲の機械的な、又はRFの再設計に対する必要性がなく前からあるチャンバへ追加することができる。本発明の好適な実施例によれば、多くの独立した“パイスライス(パイのようにスライスされた)”セグメント(区分)に分割され、各々は接地電位に切り替え可能なファラデーシールド設計を有するシールド装置が構成される。
【0029】
本発明の1つの特徴によれば、接地されないから接地されるへの移行は、存在しているRF回路網がプラズマへの最適な電力結合を追跡し、維持する割合で生じるように、シールドセグメントが接地される割合を正確に制御することができる。本発明の他の特徴は、ファラデーシールド装置が臨界制御及びスイッチング素子用の構造を有し、ファラデーシールドがRFの暑い環境において確実に動作することができることである。
【0030】
本発明の非常に有用な特徴は、シールド効率の増加比率が調整可能なパラメータであることである。したがって、シールド効率の変化の割合は、与えられたプラズマチャンバに対する有限なマッチングの同調割合を一致するようにすることができる。
【0031】
図3を参照すると、本発明による可変効率のファラデーシールド300の平面図が示されている。ファラデーシールド300は、RFアンテナ312とプラズマチャンバのドーム330との間に配置される。
【0032】
ファラデーシールド300は、多くの独立した“パイスライス”形状のセグメントに分割される。シールドセグメント320の各々は、対応するスイッチ340を介して接地電位に切り替ることができる。このスイッチ340は、そのそれぞれのシールドセグメント320をフレキシブルな周囲のセグメント350上にある接地された回路へ選択的に接続する。切替えが可能なために、シールド300は、単一の移行特性を有する受動装置とは異なって能動的に調整可能である。
【0033】
個々のシールドセグメント320と周りのセグメント350は、フレキシブルな回路技術を用いて形成され、スイッチング340と制御エレクトロニックス360は、周囲のセグメント350の構造に直接表面に取り付けられる。周囲のセグメント350上の接地された回路は、程度の大きいRFノイズ分離をスイッチングエレクトロニックス340を駆動する制御エレクトロニックス360に、及び制御信号の入力ラインに与える接地された素子(図示せず)を内臓するように構成されるのが好適である。また、シールドセグメント320と周囲のセグメント350は、共通のフレキシブル基板を共有するのが好適である。
【0034】
図4を参照すると、図3の実施例による可変効率のファラデーシールド300の一部の詳細な斜視図が示されている。この実施例によると、全体のアドレス可能なシールドレベルを管理可能な数へ減少するために、幾つかのセグメントの組がクループ化され、すなわち同時に活性化される。この実施例は、最大値の0、20、40、60、80および100%の6つのレベルで選択可能なシールドを与えるように、電極セグメント320の5つのグループ321,322,323、324,325を有する。同時に活性化されるセグメントの各々のクループ化された組321,322,323,324,325の部材は、それらが各々の組321,322,323,324,325から1つのセグメントからなる8つ(この実施例では)の小グループ327を形成するように放射状に分布されている。
【0035】
他の実施例によると、各々のシールドセグメント、及び単一のシールドセグメント毎のスイッチ340は、各シールドセグメント320が独立して切替え可能であるように、独立してアドレス可能である。これは、シールドの細かな分解能に対して変化を効率的に与え、動作の最大のフレキシビリティを生じる。一方、これは、スイッチ340へのアドレッシングの複雑性を最大にする。
【0036】
スイッチ制御のエレクトロニックス素子360間の相互接続352、354は、周辺に走り、システムコントローラ(この図には示されていない)へインタフェースする単一のインタフェースコネクタ370に集められる。
【0037】
ファラデーシールドの任意の特徴は、周囲のセグメント350の薄くされた部分356である。この薄くされた部分356は、単一のファラデーシールド構成が異なった大きさおよび形状の範囲を有するチャンバの蓋及びドームに対して利用できるように大きさおよび形状の適合性を備える。薄くされた部分356は、全ての駆動回路360間を走る接地ラインと信号ライン352、354を支えるのに充分広い必要があるだけである。
【0038】
駆動回路360は、5つのチャネルが多重化された駆動チップとして例示されている。駆動チップの形式は、スイッチ340を具体化するために使用される装置の型に基づかれる。PINダイオードがスイッチ340のために選択される場合、駆動回路360のための好ましい選択は、375 West Hollis Street, Nashua, NH 03060のImpellimaxによる指定“DSシリーズ”で売られているデコードされたPIN駆動装置である。
【0039】
図5を参照すると、図3の実施例による可変効率のファラデーシールド300の詳細な断面図が示されている。ファラデーシールド300は、プラズマチャンバのいろいろなハードウェアに関して配置されて示されている。ファラデーシールド300のシールドセグメント320がアンテナコイル312とドーム330との間に設けられている。
【0040】
クランプリング532がドーム330周囲に係合されている。TEFLONTMリング534がその周囲の周りにフレキシブルなファラデーシールド300を正しく保持するために、クランプリング532とドーム330の端に載置される。インタフェースコネクタ370は、TEFLONTMリング534の下および周りに巻きつく平らなフレキシブルなインタフェースケーブル375を介して結合され、ファラデーシールド300の回路に接続する。
【0041】
本発明の1つの特徴は、シールド300の各々のセグメント320がスイッチ340を介して周囲のセグメント350上で接地された回路に接続されていることである。スイッチ340は、切替え可能なPINダイオードとして具体化することができ、また代わりに同等のデバイスとして具体化することもできる。これらのスイッチ340の各々は、駆動回路360によって制御される。スイッチ340がPINダイオードとして具体化される場合、駆動回路360は、PINダイオードの駆動チップであるのが好適である。
【0042】
図6を参照すると、本発明の他の実施例による簡単化された可変効率のファラデーシールド610の概略図が示されている。単一プレートのファラデーシールド610の効率は、シールドを、シールドが選択的に接続され、または接地電位から切り離すことができるスイッチ620を介して接地へ結合することによって可変にされる。
【0043】
このシールド構造が用いられると、ファラデーシールド610がそのフローティング状態へスイッチされる場合にプラズマアークが発生される。その後、安定したプラズマが確立されると、ファラデーシールド610を接地するためにスイッチ620が閉じられる。
【0044】
ある環境の下で,このシールド構成は、従来技術のプラズマストライク対ドームエッチングのジレンマに対して満足のいく解決策を提供する。それは、シールドがフローティング状態から完全に接地された状態へ切替えられたとき、幾つかの形状はプラズマを維持することが困難とはいえ、可能であるからである。シールドがフローティング状態から接地された状態へスイッチされると、これは、RFアンテナ(この図には示されていない)に見られる電気的インピーダンスを実質的に変化する。RFマッチング回路網(この図には示されていない)は、電力の移行効率を非常に降下するのを防ぐためにインピーダンスの急激な変化に充分早く適応しなければならない。電力の移行における電位の不安定性がプラズマを不安定にし、および消滅するようにするので、この実施例はある環境においては好適でない。
【0045】
図7を参照すると、本発明の他の実施例による可変効率のファラデーシールド710の概略図が示されている。単一プレートのファラデーシールド710の効率は、可変インピーダンス素子720を介してシールド710を接地することによって可変にされる。この可変インピーダンス素子720は、RF励振周波数で容量性または誘導性のいずれかの成分を有するか,または純抵抗性であるインピーダンス値Zを有することができる。可変インピーダンス素子720のインピーダンス値の大きさは、最大値からゼロ(すなわち短絡回路)までの様々な値に変えることができる。
【0046】
この実施例によるシールド構造がとられると、高い値に設定された可変インピーダンス素子720のインピーダンス値Zを有することによって、ファラデーシールド710が、実質的にフロートされている、高インピーダンスにある場合、プラズマアークが起こされる。一旦安定したプラズマが確立されると、インピーダンス値Zは、徐々に大きさが減少する。
【0047】
本発明によるインピーダンス構造と組み合わされたファラデーシールドの具現化は、スイッチ340の代わりに置きかえられた1つ以上のインピーダンス素子を有する図4の実施例の場合と同様な構成で果たされる。
【0048】
図8を参照すると、本発明の更に他の実施例による可変効率のファラデーシールド810の概略図が示されている。多重セグメントファラデーシールド810の効率は、シールドセグメント812、814、816、818のいずれか、または全てをフロートすることによって、及びシールドセグメント812、814、816、818のいずれか、または全てをインピーダンス素子820(インピーダンスzを有する)または直接接続830を介して接地へ選択的に接続することによって可変にされる。インピーダンス素子か、または直接接地へのシールドセグメントの選択的な接続のためのスイッチングは、タンデム駆動回路840、842によってなされる。このタンデム駆動回路840、842は、どのシールドセグメント812、814、816、818がフロートされるべきか、どれがインピーダンス素子を介して接地されるべきか、及びどれが直接接地されるべきかを選択するために、制御ライン850によって制御される。図示された回路構成を用いて、あらゆる接続の組み合わせが可能であり、従って、無数の可能なシールド効率の選択を可能にする。図示された多くのシールドセグメントは単に図示したにすぎず、従ってそれらに限定されるように意図されたものでない。
【0049】
図9を参照すると、本発明の他の実施例による可変効率のファラデーシールド910が示されている。シールド910は平らな上部チャンバ930を横切って設けられた複数のセグメント920を有している。セグメント920は、駆動回路940、942によってフローティング状態から接地状態へ選択的に切替え可能である。本発明の応用は、ドームのあるチャンバに限られないし、放射の対称性(シンメトリー)を有するシールド構成に限られない。
【0050】
図10を参照すると、平らな頂部を有する処理チャンバ1010の断面図が示されている。可変効率のファラデーシールド1020が誘電体シールド1012上に配置されている。プラズマは、処理されるべきウエハ1030上の空間に形成される。プラズマは、可変効率のファラデーシールド1020上に設けられたRFアンテナ1040によって活性化(エネルギーが与えられる)される。
【0051】
可変効率のファラデーシールド1020がどのようにしてシールドシステム1000に一体化されるかが図10のブロックダイアグラム部分によって示されている。シールド1020は接地及びコマンド信号を与える制御インタフェース1050に接続されている。シールド1020におけるスイッチは、増加コマンド回路1052から受信されるコマンド信号によって制御される。コマンド信号は、前の状態、例えば時間の経過、またはRFマッチング回路網によるRFマッチングの表示に基づいて出される。シールド1020におけるスイッチが閉じられるにしたがって、シールド1020のセグメントはグランド(接地)回路1054に接続される。
【0052】
図11を参照すると、本発明の更に他の実施例による可変効率ファラデーシールド110の分解図が示されている。この実施例によるシールドは、互いの上部で層化されている多重シールドセグメント1110、1130、1150を有し、そしてこれらの導電性シールドセグメント1110、1130、1150の分離層は、非導電性層1120、1140によって互いに絶縁されている。導電性シールドセグメント1110、1130、1150の各々は、直接またはインピーダンス素子を介して、独立して、選択的にグランドに接続可能である。実際に、シールドセグメント1110、1130、1150及び非導電性層1120、1140は、この分解図に示されているように離間されているのではなく一緒にサンドウィッチ状にされている。シールドセグメントをグランドに選択的に接続するための回路は、示されていないが、他の実施例についてこの明細書の外の場所で説明されているように具現化されるのが好ましい。最も低いシールド効率が必要とされる場合、全てのシールドセグメント1110、1130、1150は、それらがフロートするように切り離される。
【0053】
最下部のシールドセグメント1150は、放射状の対称性を有する構成でスポーク形状の狭い放射状部材1152を有している。最も低いレベル以上シールドの効率を増加することが必要とされる場合、下部セグメント1150だけがグランドに接続され、残りのセグメント1110、1130はフロートされたままである。
【0054】
中間のシールドセグメント1130は、放射状の対称性を有する構成で中間幅の放射状部材を有する。中間層1130の放射状部材1132は、下部層1150の放射状の対称性に重なるのが好ましい。中間のシールドセグメント1130を接地することは、シールド1100のシールド効率をさらに増大する。
【0055】
最上部のシールドセグメント1110は、放射状の対称性を有する構成で広いパイスライス形状の放射状部材を有する。最上部層1110の放射状部材は、中間層と最下部層1130、1150の放射状部材に重なるのが好ましい。最上部のシールドセグメント1110を接地することは、シールド1100のシールド効率を最大レベルに増大する。
【0056】
シールド1110のこの実施例は、3つの層上セグメントとして示されているけれども、シールドは簡単にするために2つだけの層で任意に実現されか、あるいはシールド効果の僅かな増分の変化を可能にするために4つ以上で実現されてもよい。放射状の対称性(チャンバ内部のプラズマの一様性を促進する)が好適であるけれども、この実施例による本発明の具現化は説明された特定の形状(例えば、スポーク形状、パイスライス形状)に限定されない。図示された放射状部材の数及び相対的大きさは、本発明の重要な特徴ではない。例えば、下部セグメント1150の放射状部材1152は長さを変えて(長くまたは短く)構成することができる。
【0057】
本発明の方法の特徴が図12乃至図14に示されている。
【0058】
図12を参照すると、ワークピース(例えば、半導体ウエハ)がプラズマチャンバ1210内に置かれた後、システムコントローラは、プロセスのプラズマストライクフェーズ1230において、全てのシールド素子が非接地される1220(すなわち、フローティング)ように信号を与える。プラズマストライク1230後直ぐに、最小の反射電力にマッチング同調して、シールドコントローラはシールドセグメント1240を接地し始め、最後には最大のシールド効率を得るように全てのセグメントを接地する。
【0059】
図13を参照すると、シールドセグメントは、所定の割合で接地される全体の数を増加することによって接地される。シールド効果1310のインクレメント増加を行なった後、所定の時間遅延まで、勿論、最大効率(全てのセグメントが接地される)に達したことが判断1320されない限り、更なる増加は行なわれない、
【0060】
図14を参照すると、シールド効率を増加する他の方法が示されている。シールドこんとローラは、次ぎの増加1410を接地された全数までゲーティング1440するマッチング同調1430で、条件的に接地されたセグメントの全体数を増加することができる。
【0061】
本発明による実現されるファラデーシールドは、製造するのに容易である。セグメント化されたシールドは、表面に取り付けられたエレクロニックス素子を有するフレキシブル回路用の標準的な製造技術で容易に実現される具現化に役立つ。
【0062】
チャンバ用の摩滅を減少するのに加えて、本発明の更なる利点は、セラミックチャンバの表面のスパッタリングの速度を減少することによってウエハ上およびチャンバ上の汚染の量を減少することである。
【0063】
更に、本発明は、プラズマストライクが成功裡に実行された後、制御可能な方法でスパッタリングの速度を減少する。減少は、全体のシールドが接地されるまで、最適化され、セグメント化されたファラデーシールド設計の多くの素子をうまく、増加して、急速に接地することによって達成される。ファラデーシールドは、全体的に接地されると、最大のシールド効率を有する。代わりに、シールド効率は、セグメントが実質的に接地されるまでセグメントに対してインピーダンスを減少して、接地することによって増大される。
【0064】
可変効率のシールドは、アンテナからプラズマへ結合する容量性素子を変える方法、及び存在するRFハードウェアを再設計することなく、プラズマ状態の広い範囲を収容する方法を提供することによって、固定された設計に重要な利点を提供する。
【0065】
シールドセグメントの“パイ形状”の構成は、本発明の実施にとって本質的ではなく、開示されたセグメントの数、グループ化またはまとめるパターンも本質的ではない。シールドセグメントの数及び形状構成は、シールドが作られているプラズマリアクタの形状に基づいて最適なシールド性能を提供するように、選ばれるのが好ましい。本発明の有用な特徴及び利点は、大きさ、あらゆる形状または構成のプラズマリアクタで動作するように如何なる形状に広げられることができる。
【0066】
本発明は、好適な実施例によって説明されたけれども、いろいろな変形及び改良が本発明の範囲から逸脱することなく説明された実施例に対して行なわれることができることが理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0067】
【図1】完全に接地されたファデーシールドを有する、従来技術によるプラズマリアクタの断面概略図を示す。
【図2】接地さないファデーシールドを有する、本発明の実施例によるプラズマリアクタの断面概略図を示す。
【図3】RFアンテナ及びドーム形状のプラズマチャンバ間に配置された本発明の実施例による可変効率のファラデーシールドの平面図を示す。
【図4】図3の実施例による可変効率のファラデーシールドの一部の詳細な斜視図を示す。
【図5】プラズマチャンバのいろいろなハードウェアに関して配置された、図3の実施例による可変効率のファラデーシールドの詳細な断面図を示す。
【図6】本発明の他の実施例による簡単化した可変効率のファラデーシールドの概略図を示す。
【図7】本発明の他の実施例による可変効率のファラデーシールドの概略図を示す。
【図8】本発明の他の実施例による可変効率のファラデーシールドの斜視図を示す。
【図9】本発明に更に他の実施例による可変効率のファラデーシールドの斜視図を示す。
【図10】平らな頂部を有する処理チャンバの断面図を示す。
【図11】本発明による他の実施例による可変効率のファラデーシールドの分解図を示す。
【図12】本発明の実施例による半導体物品をエッチングする方法を示す。
【図13】本発明による他の実施例によるシールド効率を増加する方法を示す。
【図14】本発明の更に他の実施例によるシールド効率を増加する方法を示す。
Claims (25)
- 可変効率で電気的シールドを与えるためのシールドであって、
共通ノードと、
単一の、まとまったシールド素子と、
前記共通ノードとシールドセグメント間に接続された可変インピーダンス素子と、
を有するシールド。 - 前記可変インピーダンス素子のインピーダンスは、可変であることを特徴とする請求項1に記載のシールド。
- 前記可変インピーダンス素子のインピーダンスは、個々の値にしたがって変わることを特徴とする請求項1に記載のシールド。
- 前記可変インピーダンス素子は、スイッチを有することを特徴とする請求項3に記載のシールド。
- 可変効率で電気的シールドを与えるためのシールドであって、
共通ノードと、
互いに離間した複数のシールドセグメントと、
複数のスイッチと、
を備え、
前記複数のスイッチの各々は、前記共通ノード及び前記複数のシールドセグメントのそれぞれの1つの間に接続され、スイッチを閉じることによって、前記複数のシールドセグメントのそれぞれの1つが前記共通ノードに接続されることを特徴とするシールド。 - 更に、基板上に設けられ、前記スイッチの開閉を制御するために前記複数のスイッチの各々に接続されるマルチプレック回路を有することを特徴とする請求項5に記載のシールド。
- 前記複数のスイッチの各々は、インピーダンス素子によって前記共通ノードに間接的に接続され、各々のスイッチを閉じることによって、前記複数のシールドセグメントのそれぞれ1つが前記インピーダンス素子を介して前記共通ノードに接続されることを特徴とする請求項5に記載のシールド。
- 前記複数のシールドセグメントは、“パイスライス”形状に放射状に配列されることを特徴とする請求項5に記載のシールド。
- 前記共通ノードは、前記放射状に配列された複数のシールドセグメントの周りの周囲に延びていることを特徴とする請求項8に記載のシールド。
- 可変効率で電気的シールドを与えるためのシールドシステムであって、
シールドと、
前記シールドに接続された制御インタフェースと、
を備え、
前記シールドは、
共通ノードと、
互いに離間した複数のシールドセグメントと、
複数のスイッチと、
を有し、
前記複数のスイッチの各々は、前記共通ノード及び前記複数のシールドセグメントのそれぞれの1つの間に接続され、スイッチを閉じることによって、前記複数のシールドセグメントのそれぞれの1つが前記共通ノードに接続され、且つ
前記制御インタフェースは、
前期共通ノードを接地電位に接続する接地回路と、
前記複数のスイッチの各々に接続され、1つ以上の先行する状態の発生に基づいて前記複数のスイッチを選択的に閉じるためにコマンド信号を発生するインクレメンタルコマンド回路と、
を有することを特徴とするシールドシステム。 - 前記選考する状態は、所定の時間間隔を含むことを特徴とする請求項10に記載のシールドシステム。
- 前記先行する状態は、プラズマを発生し、維持するために電力を与えるRFマッチング回路網がプラズマへ結合する最適な電力を有することの判断を含むことを特徴とする請求項10に記載のシールドシステム。
- 前記複数のシールドセグメントのだんだんと増加する部分が前記共通ノードを介して接地電位に接続されるように、前記インクレメンタルコマンド回路によって発生された前記コマンド信号は、複数のスイッチの選択されたものを閉じることを特徴とする請求項10に記載のシールドシステム。
- 半導体物品に活性化したプラズマを与えるのに使用するプラズマリアクタであって、
リアクタ本体と、前記リアクタ本体の少なくとも一部は、誘電体物質から形成されており、
前記リアクタ本体に近接して配置されたRFアンテナと、
エネルギーを前記RFアンテナに結合するために、前記RFアンテナに接続されたRFマッチング回路網と、
前記RFアンテナと前記リアクタ本体の間に設けられた可変シールド効率を有するシールドと、
を備え、
前記リアクタ本体内に配置された半導体物品は、RFアンテナによって活性化されたプラズマによって処理されることを特徴とするプラズマリアクタ。 - 前記シールドは、
基体と、
前記基体上に設けられた共通ノードと、
互いに離間され、前記基体上に配置されている複数のシールドセグメントと、
複数のスイッチと、
を備え、
前記複数のスイッチの各々は、前記共通ノードと前記複数のシールドセグメントのそれぞれの1つとの間に接続され、スイッチを閉じることによって、前記複数のシールドセグメントのそれぞれの1つが前記共通ノードに接続されることを特徴とする請求項14に記載のプラズマリアクタ。 - 誘電体物質から形成されている前記リアクタ本体の一部は、セラミック物質から形成された蓋を有することを特徴とする請求項14に記載のプラズマリアクタ。
- 前記シールドは、
導電性プレートと、
前記導電性プレーと及び接地電位との間に接続されたスイッチとを有し、前記スイッチを閉じることによって、前記導電性プレートが接地電位に接続されることを特徴とする請求項14に記載のプラズマリアクタ。 - 前記シールドは、
導電性プレートと、
接地電位に接続されたインピーダンス素子と、
前記導電性プレーと及び前記インピーダンス素子との間に接続されたスイッチとを有し、前記スイッチを閉じることによって、前記導電性プレートが前記インピーダンス素子を介して接地電位に接続されることを特徴とする請求項14に記載のプラズマリアクタ。 - 前記シールドは、
導電性プレートと、
前記導電性プレートと接地電位との間に接続された可変インピーダンス素子と、
を有することを特徴とする請求項14に記載のプラズマリアクタ。 - 半導体物品に活性化したプラズマを与えるのに使用するプラズマリアクタであって、
リアクタ本体と、
前記リアクタ本体に近接して配置されたRFアンテナと、
エネルギーを前記RFアンテナに結合するために、前記RFアンテナに接続されたRFマッチング回路網と、
前記RFアンテナと前記リアクタ本体との間に設けられた可変シールド効率を有するシールドと、
を備え、
前記リアクタ本体内に配置された半導体物品は、RFアンテナによって活性化されたプラズマによって処理され、
前記シールドは、
基体と、
前記基体上に設けられた共通ノードと、
互いに離間され、前記基体上に配置されている複数のシールドセグメントと、
複数のスイッチと、
を備え、
前記複数のスイッチの各々は、前記共通ノードと前記複数のシールドセグメントのそれぞれの1つとの間に接続され、スイッチを閉じることによって、前記複数のシールドセグメントのそれぞれの1つが前記共通ノードに接続され、
前記複数のシールドセグメントは“パイスライス”構成で放射状に配列され,前記共通ノードは、前記放射状に配列された複数のシールドセグメントの周りの周囲に延びていることを特徴とするプラズマリアクタ。 - シールドする方法であって、
可変シールド効率を有するシールドを設けるステップと、
前記シールド効率を最小値に設定するステップと、
前記シールドのシールド効率を増加するステップと、
を有することを特徴とする方法。 - シールド効率は、RFマッチング回路網が前記シールドの近くに設けられたプラズマに結合する最適化された電力を有するときのみ、前記シールド効率の前の増加に続いて、一定量増加されることを特徴とする請求項21に記載の方法。
- 前記シールド効果は、プラズマストライクが前記シールドの近くに設けられたプラズマを確立するために達成された後に一定量増加されることを特徴とする請求項21に記載の方法。
- 半導体物品をエッチングする方法であって、
前記半導体物品をプラズマエッチングチャンバ内に配置するステップと、
シールドの前記シールド効果を最小値に設定するステップと、
前記半導体物品の周りにプラズマをストライクするステップと、
前記最小値から最大値まで前記シールドのシールド効率を増加するステップと、
を有することを特徴とする方法。 - 可変効率の電気的シールドをRFアンテナによって囲まれた半導体処理チャンバに与える方法であって、
可変効率の電気的シールドを与えるステップと、
前記処理チャンバと前記RFアンテナとの間にシールドを据付けるステップと、
前記シールドの効率の制御を行なうために、プロセスコントローラへ前記シールドを接続するステップと、
を有することを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/808,649 US6685799B2 (en) | 2001-03-14 | 2001-03-14 | Variable efficiency faraday shield |
PCT/US2002/007461 WO2002072913A1 (en) | 2001-03-14 | 2002-03-13 | Variable efficiency faraday shield |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004524692A true JP2004524692A (ja) | 2004-08-12 |
Family
ID=25199351
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002571958A Withdrawn JP2004524692A (ja) | 2001-03-14 | 2002-03-13 | 可変効率のファラデーシールド |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6685799B2 (ja) |
EP (1) | EP1379710A1 (ja) |
JP (1) | JP2004524692A (ja) |
KR (1) | KR20030087641A (ja) |
CN (1) | CN1503856A (ja) |
TW (1) | TW533465B (ja) |
WO (1) | WO2002072913A1 (ja) |
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-
2001
- 2001-03-14 US US09/808,649 patent/US6685799B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-03-13 TW TW091104759A patent/TW533465B/zh active
- 2002-03-13 CN CNA028082648A patent/CN1503856A/zh active Pending
- 2002-03-13 WO PCT/US2002/007461 patent/WO2002072913A1/en not_active Application Discontinuation
- 2002-03-13 JP JP2002571958A patent/JP2004524692A/ja not_active Withdrawn
- 2002-03-13 KR KR10-2003-7011961A patent/KR20030087641A/ko not_active Application Discontinuation
- 2002-03-13 EP EP02709827A patent/EP1379710A1/en not_active Withdrawn
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1379710A1 (en) | 2004-01-14 |
WO2002072913A1 (en) | 2002-09-19 |
US6685799B2 (en) | 2004-02-03 |
US20020129903A1 (en) | 2002-09-19 |
CN1503856A (zh) | 2004-06-09 |
TW533465B (en) | 2003-05-21 |
KR20030087641A (ko) | 2003-11-14 |
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Legal Events
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