JP2004523122A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2004523122A5
JP2004523122A5 JP2002570361A JP2002570361A JP2004523122A5 JP 2004523122 A5 JP2004523122 A5 JP 2004523122A5 JP 2002570361 A JP2002570361 A JP 2002570361A JP 2002570361 A JP2002570361 A JP 2002570361A JP 2004523122 A5 JP2004523122 A5 JP 2004523122A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser beam
laser
fluoride
optical
chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002570361A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3857236B2 (ja
JP2004523122A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/US2002/005932 external-priority patent/WO2002071558A1/en
Publication of JP2004523122A publication Critical patent/JP2004523122A/ja
Publication of JP2004523122A5 publication Critical patent/JP2004523122A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3857236B2 publication Critical patent/JP3857236B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Claims (15)

  1. 繰返しレートが4kHz以上の第1のレーザビームおよびレーザの光学構成部品をアニールするのに適した第2のレーザビームを有する、繰返しレートが4kHz以上のエキシマーレーザの製造方法において、
    繰返しレートが4kHz以上の第1のレーザビームおよび前記レーザの光学構成部品をアニールするのに適した第2のレーザビームを生成するための、繰返しレートが4kHz以上のエキシマーレーザを提供する工程であって、前記レーザがレーザチャンバおよび第1と第2の放電電極を備え、前記レーザチャンバが、第1の光学フッ化物結晶の窓および第2の光学フッ化物結晶の窓を、該第1と第2の光学フッ化物結晶の窓の間の該チャンバ内に密閉された、前記第1と第2のレーザビームを生成するためのレーザガスと共に有するものである工程、
    前記第1のレーザビームを発振させることによって該第1のレーザビームが前記チャンバの前記第1の光学フッ化物結晶の窓から出射し、該第1のレーザビームに前記チャンバの第2の光学フッ化物結晶の窓を通過させて、前記繰返しレートが4kHz以上の第1のエキシマーレーザビームを提供する工程、および
    前記第2のレーザビームを発振させることによって該第2のレーザビームが前記チャンバの前記第1の光学フッ化物結晶の窓から出射し、該第2のレーザビームに前記チャンバの第2の光学フッ化物結晶の窓を通過させて、アニールするのに適した前記第2のレーザビームを提供する工程、
    を有してなり、
    前記第1の電極からの放電により、前記レーザガスにエネルギーが供給されて、前記繰返しレートが4kHz以上の第1のレーザビームが生成され、前記第2の電極からの放電により、前記レーザガスにエネルギーが供給されて、前記光学構成部品をアニールするのに適した前記第2のレーザビームが生成され、
    前記エキシマーレーザが4kHz以上の繰返しレートおよび10mJ/パルス以上のパネルエネルギーを有することを特徴とする方法。
  2. フッ化アルゴンエキシマーレーザガスを使用する工程を含むことを特徴とする請求項1記載の方法。
  3. フッ化クリプトンエキシマーレーザガスを使用する工程を含むことを特徴とする請求項1記載の方法。
  4. レーザビーム源ガスおよび前記第2の放電電極を使用して、前記窓をアニールするための第2のレーザビームを生成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項1から3いずれか1項記載の方法。
  5. 前記光学フッ化物としてフッ化カルシウムまたはフッ化バリウムを使用する工程を含むことを特徴とする請求項1から4いずれか1項記載の方法。
  6. 前記光学フッ化物としてフッ化マグネシウムを使用する工程を含むことを特徴とする請求項1から5いずれか1項記載の方法。
  7. 前記第2のレーザビームを、前記第1のレーザビームの動作の前、最中または後に前記光学構成部品をアニールするために生成し、使用することを特徴とする請求項1記載の方法。
  8. エキシマーレーザにおいて、
    光学フッ化物から構成された一つ以上の窓を有するチャンバ、
    前記チャンバ内にある、第1のエキシマーレーザビームのための第1のレーザビーム源、および
    前記チャンバ内にある、前記光学フッ化物から構成された一つ以上の窓をアニールするための第2のレーザビームのための第2のレーザビーム源、
    を有してなり、
    前記第1と第2のレーザビームが、それぞれ、第1と第2の放電電極により前記チャンバ内で生成され、
    前記第2のレーザビームが、前記第1のレーザビームの動作の前、最中または後に、前記窓をアニールするために動作できることを特徴とするエキシマーレーザ。
  9. 前記第1のレーザビームが10mJ/パルス以上のパルスエネルギーを有することを特徴とする請求項に記載のエキシマーレーザ。
  10. 前記第1のレーザビームが4kHz以上の繰返しレートを有することを特徴とする請求項8または9に記載のエキシマーレーザ。
  11. 前記第1と第2のレーザビーム源がフッ化アルゴンであることを特徴とする請求項8から10いずれか1項に記載のエキシマーレーザ。
  12. 前記第1と第2のレーザビーム源がフッ化クリプトンであることを特徴とする請求項8から10いずれか1項に記載のエキシマーレーザ。
  13. 前記光学フッ化物がフッ化バリウムであることを特徴とする請求項8から12いずれか1項に記載のエキシマーレーザ。
  14. 前記光学フッ化物がフッ化カルシウムであることを特徴とする請求項8から12いずれか1項に記載のエキシマーレーザ。
  15. 前記光学フッ化物がフッ化マグネシウムであることを特徴とする請求項8から12いずれか1項に記載のエキシマーレーザ。
JP2002570361A 2001-03-02 2002-02-25 高繰返しレートuvエキシマーレーザ Expired - Fee Related JP3857236B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US27281401P 2001-03-02 2001-03-02
PCT/US2002/005932 WO2002071558A1 (en) 2001-03-02 2002-02-25 High repetition rate uv excimer laser

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2004523122A JP2004523122A (ja) 2004-07-29
JP2004523122A5 true JP2004523122A5 (ja) 2005-12-22
JP3857236B2 JP3857236B2 (ja) 2006-12-13

Family

ID=23041411

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002570361A Expired - Fee Related JP3857236B2 (ja) 2001-03-02 2002-02-25 高繰返しレートuvエキシマーレーザ
JP2002570358A Pending JP2004523913A (ja) 2001-03-02 2002-03-01 高繰返しレートエキシマーレーザシステム
JP2002572450A Pending JP2004534381A (ja) 2001-03-02 2002-03-01 高繰返しレートエキシマーレーザ結晶光学素子及び<200nmUV透過フッ化物光学結晶の作成方法

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002570358A Pending JP2004523913A (ja) 2001-03-02 2002-03-01 高繰返しレートエキシマーレーザシステム
JP2002572450A Pending JP2004534381A (ja) 2001-03-02 2002-03-01 高繰返しレートエキシマーレーザ結晶光学素子及び<200nmUV透過フッ化物光学結晶の作成方法

Country Status (8)

Country Link
US (2) US20020122450A1 (ja)
EP (3) EP1371119A4 (ja)
JP (3) JP3857236B2 (ja)
KR (2) KR20030081482A (ja)
CN (2) CN1507682A (ja)
AU (2) AU2002258427A1 (ja)
TW (1) TW569510B (ja)
WO (3) WO2002071558A1 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6904073B2 (en) * 2001-01-29 2005-06-07 Cymer, Inc. High power deep ultraviolet laser with long life optics
US6801562B2 (en) * 2001-03-02 2004-10-05 Corning Incorporated High repetition rate excimer laser system
WO2003069739A1 (en) * 2002-02-13 2003-08-21 Corning Incorporated High repetition rate excimer laser system
JP2003347627A (ja) * 2002-05-29 2003-12-05 Gigaphoton Inc 紫外線レーザ装置
US20060222034A1 (en) * 2005-03-31 2006-10-05 Cymer, Inc. 6 Khz and above gas discharge laser system
JP2009508170A (ja) * 2005-09-14 2009-02-26 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー マイクロリソグラフィ露光システムの光学システム
JP5352321B2 (ja) * 2009-04-06 2013-11-27 ギガフォトン株式会社 露光用ガスレーザ装置
KR101810062B1 (ko) 2011-10-14 2017-12-19 삼성디스플레이 주식회사 레이저 결정화 장치 및 레이저 결정화 방법
CN106181073A (zh) * 2016-08-25 2016-12-07 张美华 一种镭射激光钻孔机
CN108183383B (zh) * 2018-01-22 2020-03-17 中国科学院合肥物质科学研究院 一种应用于白癜风治疗的准分子激光器

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59227183A (ja) * 1983-06-07 1984-12-20 Hamamatsu Photonics Kk 希ガス・ハロゲン・エキシマレ−ザ装置
JPH01115897A (ja) * 1987-10-30 1989-05-09 Nippon Mining Co Ltd フッ化マグネシウム単結晶の製造方法
US5134518A (en) * 1990-07-11 1992-07-28 Bausch & Lomb Incorporated Missile windows
US5272710A (en) * 1992-09-08 1993-12-21 Hughes Aircraft Company Stress-free mounting and protection of liquid-cooled solid-state laser media
RU2041298C1 (ru) 1993-08-17 1995-08-09 Акционерное общество "Инкром" Способ выращивания кристаллов из паровой фазы
JP3071694B2 (ja) * 1996-07-30 2000-07-31 日本電気株式会社 狭帯域エキシマレーザ装置
JPH10324571A (ja) * 1997-05-23 1998-12-08 Riken Corp 二珪化モリブデン系セラミックス発熱体及びその製造方法
US6137821A (en) * 1997-06-04 2000-10-24 Cymer, Inc. Durable etalon based output coupler
US6238479B1 (en) * 1997-10-24 2001-05-29 Canon Kabushiki Kaisha Raw material for manufacturing fluoride crystal, refining method of the same, fluoride crystal, manufacturing method of the same, and optical part
JP3969865B2 (ja) * 1997-10-24 2007-09-05 キヤノン株式会社 フッ化物結晶の製造方法
JP3657800B2 (ja) * 1998-02-20 2005-06-08 株式会社リケン 二珪化モリブデン系複合セラミックス発熱体及びその製造方法
US6345065B1 (en) * 1998-06-04 2002-02-05 Lambda Physik Ag F2-laser with line selection
US6163559A (en) * 1998-06-22 2000-12-19 Cymer, Inc. Beam expander for ultraviolet lasers
JP2000034193A (ja) * 1998-07-16 2000-02-02 Nikon Corp フッ化物単結晶の熱処理方法及び製造方法
US6567450B2 (en) * 1999-12-10 2003-05-20 Cymer, Inc. Very narrow band, two chamber, high rep rate gas discharge laser system
JP2000124534A (ja) * 1998-10-12 2000-04-28 Komatsu Ltd ArFエキシマレーザ装置及びその狭帯域化モジュール
JP3631063B2 (ja) * 1998-10-21 2005-03-23 キヤノン株式会社 フッ化物の精製方法及びフッ化物結晶の製造方法
US6242136B1 (en) * 1999-02-12 2001-06-05 Corning Incorporated Vacuum ultraviolet transmitting silicon oxyfluoride lithography glass
US6587202B2 (en) * 2000-01-28 2003-07-01 Lambda Physik Ag Optical materials testing method
US6330256B1 (en) * 2000-02-01 2001-12-11 Raytheon Company Method and apparatus for non-dispersive face-cooling of multi-crystal nonlinear optical devices

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200511900A (en) Method and apparatus for producing extreme ultraviolet radiation or soft X-ray radiation
US6821272B2 (en) Electromagnetic energy distributions for electromagnetically induced cutting
MY153277A (en) Very narrow band, two chamber, high rep-rate, gas discharge laser system
JP2004523122A5 (ja)
WO2005054949A3 (en) Laser thin film poly-silicon annealing system
JP2005502209A5 (ja)
HK1094501A1 (en) Method and device for producing extreme ultraviolet radiation or soft x-ray radiation
WO2001098012A3 (en) FOUR KHz GAS DISCHARGE LASER
JP2020205439A (ja) ファイバーレーザーによってアモルファスシリコン基板を均一に結晶化させるための方法及びシステム
JP2005512333A5 (ja)
WO2005102023A3 (en) Phase locked microdischarge array and ac, rf or pulse excited microdischarge
JP2007529903A5 (ja)
JP2001008942A (ja) 外科用針のレーザー穴あけ方法
WO2003030315A1 (fr) Procede de commande d'un laser, appareil laser, procede de traitement laser utilise pour cet appareil et appareil de traitement laser
JP2019021432A (ja) レーザ駆動光源装置
JP2007175721A (ja) レーザ穴あけ加工方法及び装置
US4278902A (en) Tunable 16-micron coherent source including parahydrogen Raman transition and method
JP4568183B2 (ja) 紫外光源装置
JP4874561B2 (ja) Qスイッチレーザ装置
TW201843897A (zh) 用於準分子雷射之雷射氣體混合物
CA1220812A (en) Anti-stokes raman upconverter for co.sub.2 lasers
Hohla Excimer-Pumped Dye Lasers--the New Generation.
US4628513A (en) Tunable indium UV anti-Stokes Raman laser
USH66H (en) Pulsed plasma generation of extreme ultraviolet radiation
WO2022079798A1 (ja) ガラスの加工方法