JP2004515028A - 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 - Google Patents

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Abstract

磁気記録媒体は、非磁性下地層、初期磁性層、初期磁性層上に設けられた非磁性スペーサ層及び非磁性スペーサ層上に設けられた最上層磁性層を備える。初期磁性層は最上層磁性層より非磁性下地層の近傍に配置され、初期及び最上層磁性層は互いに異なる組成を有し反強磁性結合されている。

Description

【0001】
技術分野
本発明は、磁気記録媒体及び磁気記憶装置に係り、特に高密度記録に適した磁気記録媒体及び磁気記憶装置に関する。
【0002】
背景技術
水平磁気記録媒体の記憶容量は、媒体ノイズの低減及び高感度スピンバルブヘッドや高磁化記録ヘッドの開発により飛躍的に増大した。50Gbits/inch以上の記録密度も可能となり、このような高記録密度が市販のハードディスクドライブにも適用されつつある。しかしながら、記録密度の更なる向上及びこれによるコンピュータの性能の更なる向上への要望は増加する傾向にあり、記録媒体及び他のコンポーネントの設計により厳しい要求が課せられている。
【0003】
媒体ノイズを低減するには、磁性層に、よりシャープな磁気遷移を記録する必要がある。これは、一般的には媒体保磁力の増加、磁性層の膜厚の低減、磁性層の粒子サイズの低減及び粒子サイズ分布の低減、及び磁性層の粒子を磁気的に分離することで実現される。
【0004】
しかし、粒子サイズを低減したり、媒体膜厚を低減すると、磁気記録媒体の熱安定性に悪影響を与える。磁性層の熱安定性は、通常KuV/kTなる項がどのくらい大きいかにより表される。ここで、Kuは磁気異方性、Vは粒子の体積、Tは温度、kはボルツマン定数を表す。熱的に安定した小さな粒子を得るためには、磁気異方性Kuを増加させる必要がある。
【0005】
磁気異方性磁界Hkは、飽和磁化をMsで表すと、Hk=2Ku/Msで定義される。磁気異方性磁界Hkが大きいということは、高データ転送速度で高記録密度の磁気記録媒体の情報記録が通常行われるナノ秒領域での保磁力Hcが大きいということを意味する。しかし、記録周波数での保磁力Hcが大きいと、記録ヘッドに厳しい制約が課せられてしまう。これは、このような磁気記録媒体に情報を記録するためには大きな記録電流が必要となるからである。記録ヘッドの記録電流は、大きな磁気モーメントの記録ヘッドの開発が難しいことから、かなり限定されてしまう。記録済のデータの上から新たなデータを記録できる能力を示すオーバーライト特性は、大きな磁気異方性磁界Hkを有する磁気記録媒体ほど悪い。更に、大きな磁気異方性Kuを有する磁気記録媒体は磁気異方性磁界Hkを増加させるので、オーバーライト特性を制限してしまう。
【0006】
上述の如く、低い媒体ノイズ及び高密度記録を実現するには、磁性層の粒子サイズ及び磁性層の膜厚を低減する必要がある。しかし、磁性層の粒子サイズ及び膜厚を低減すると、磁気記録媒体の熱安定性が低下してしまう。
発明の開示
本発明は、上記の問題を除去した新規、且つ、有用な磁気記録媒体及び磁気記憶装置を提供することを概括的目的とする。
【0007】
本発明のより具体的目的は、信号対雑音比、オーバーライト特性及び熱安定性を向上することのできる磁気記録媒体及び磁気記憶装置を提供することにある。
【0008】
本発明の他の目的は、非磁性下地層と、初期磁性層と、該初期磁性層上に設けられた非磁性スペーサ層と、該非磁性スペーサ層上に設けられた最上層磁性層とを備え、該初期磁性層は該最上層磁性層より該非磁性下地層の近傍に配置され、該初期及び最上層磁性層は互いに異なる組成を有し反強磁性結合されている磁気記録媒体を提供することにある。本発明になる磁気記録媒体によれば、信号対雑音比、オーバーライト特性及び熱安定性を向上することができる。
【0009】
本発明の更に他の目的は、非磁性下地層と、初期磁性層と、該初期磁性層上に設けられた非磁性スペーサ層と、該非磁性スペーサ層上に設けられた最上層磁性層とを備え、該初期磁性層は該最上層磁性層より該非磁性下地層の近傍に配置され、該初期及び最上層磁性層は、反強磁性結合されており、該初期磁性層の飽和磁化をMsi、該最上層磁性層の飽和磁化をMsfとすると、Msi>Msfなる関係を満足する磁気記録媒体を提供することにある。本発明になる磁気記録媒体によれば、信号対雑音比、オーバーライト特性及び熱安定性を向上することができる。
【0010】
本発明の他の目的は、非磁性下地層と、初期磁性層と、該初期磁性層上に設けられた非磁性スペーサ層と、該非磁性スペーサ層上に設けられた最上層磁性層とを備え、該初期磁性層は該最上層磁性層より該非磁性下地層の近傍に配置され、該初期及び最上層磁性層は、反強磁性結合されており、該初期磁性層の保磁力をHci、該最上層磁性層の保磁力をHcfとすると、該初期及び最上層磁性層はHci>Hcfなる関係を満足する磁気記録媒体を提供することにある。本発明になる磁気記録媒体によれば、信号対雑音比、オーバーライト特性及び熱安定性を向上することができる。
【0011】
本発明の更に他の目的は、非磁性下地層と、初期磁性層と、該初期磁性層上に設けられた非磁性スペーサ層と、該非磁性スペーサ層上に設けられた中間磁性層と、該中間磁性層上に設けられた最上層磁性層とを備え、該初期磁性層は該中間及び最上層磁性層より該非磁性下地層の近傍に配置され、該初期及び中間磁性層は反強磁性結合され、該中間及び最上層磁性層は強磁性結合され、該初期、中間及び最上層磁性層のうち、少なくとも2つの層は互いに異なる組成を有する磁気記録媒体を提供することにある。本発明になる磁気記録媒体によれば、信号対雑音比、オーバーライト特性及び熱安定性を向上することができる。
【0012】
本発明の他の目的は、非磁性下地層と、初期磁性層と、該初期磁性層上に設けられた非磁性スペーサ層と、該非磁性スペーサ層上に設けられた中間磁性層と、該中間磁性層上に設けられた最上層磁性層とを備え、該初期磁性層は該中間及び最上層磁性層より該非磁性下地層の近傍に配置され、該初期及び中間磁性層は反強磁性結合され、該中間及び最上層磁性層は強磁性結合され、該初期、中間及び最上層磁性層は、該初期磁性層の飽和磁化をMsi、該中間磁性層の飽和磁化をMsm、該最上層磁性層の飽和磁化をMsfとすると、Msi≦Msm<Msfなる関係を満足する磁気記録媒体を提供することにある。本発明になる磁気記録媒体によれば、信号対雑音比、オーバーライト特性及び熱安定性を向上することができる。
【0013】
本発明の更に他の目的は、非磁性下地層と、初期磁性層と、該初期磁性層上に設けられた非磁性スペーサ層と、該非磁性スペーサ層上に設けられた中間磁性層と、該中間磁性層上に設けられた最上層磁性層とを備え、該初期磁性層は該中間及び最上層磁性層より該非磁性下地層の近傍に配置され、該初期及び中間磁性層は反強磁性結合され、該中間及び最上層磁性層は強磁性結合され、該初期、中間及び最上層磁性層は、該初期磁性層の保磁力をHci、該中間磁性層の保磁力をHcm、該最上層磁性層の保磁力をHcfとすると、Hci≦Hcm<Hcfなる関係を満足する磁気記録媒体を提供することにある。本発明になる磁気記録媒体によれば、信号対雑音比、オーバーライト特性及び熱安定性を向上することができる。
【0014】
本発明の他の目的は、上記の如き磁気記録媒体を少なくとも1つ備えた磁気記憶装置を提供することにある。本発明になる磁気記憶装置によれば、信号対雑音比、オーバーライト特性及び熱安定性を向上することができる。
【0015】
本発明の更に他の目的及び特長は、以下図面と共に述べる説明より明らかとなろう。
【0016】
発明を実施するための最良の形態
オーバーライト特性に悪影響を及ぼすことなく磁気記録媒体の熱安定性を向上するために、例えばRu等の非磁性スペーサ層で分離された少なくとも一対の磁性層からなるシンセティックフェリ磁性記録媒体が考えられる。この考えられるフェリ磁性記録媒体では、上側の磁性層の磁化が、安定化層として機能する下側の磁性層により部分的に相殺される。再生ヘッドは、有効磁化に対してのみ感度を有するが、一対の上側及び下側の磁性層の合計体積が熱安定性に寄与する。この原理を利用することで、このフェリ磁性記録媒体は、信号対雑音比(SNR)及び熱安定性を大幅に向上させることができる。
【0017】
しかし、媒体ノイズを更に減少させ、更に高密度の記録を行う要望がある。そこで、上記考えられるフェリ磁性記録媒体と比較してもSNR、オーバーライト特性及び熱安定性を更に向上させることのできる本発明になる磁気記録媒体及び本発明になる磁気記憶装置の各実施例を、以下に説明する。
【0018】
先ず、本発明になる磁気記録媒体の第1実施例を説明する。図1は、本発明になる磁気記録媒体の第1実施例の要部を示す断面図である。
【0019】
図1に示す磁気記録媒体は、大略基板1、非磁性下地層2、初期磁性層31、非磁性スペーサ層4、最上層磁性層32及び保護層5が図示の如く積層された構造を有する。
【0020】
基板1は、NiPがめっきされたAl系合金、NiPめっきを有する又は有さないガラス、Si、SiC等からなる。基板1上にめっきされたNiP膜は、機械的にテキスチャリングされていても、又は、酸化されていても良い。
【0021】
非磁性下地層2は、CrやCrMo,CrTi,CrV,CrWCr等のCr系合金からなり、1〜25nmの膜厚を有する。非磁性下地層2は、NiAlやFeAl等のB2構造を有する合金からなり、1〜80nmの膜厚を有するようにしても良い。
【0022】
初期磁性層31は、CoCrTa,CoCrPt,CoCrPtB,CoCrPtTa,CoCrPtBCu,CoCrPtBAg,CoCrPtBRe,CoCrPtAu,CoCrPtW,CoCrPtTaNb又はその合金からなり、1〜10nmの膜厚を有する。
【0023】
非磁性スペーサ層4は、Ru,Ir,Rh又はその合金からなり、0.4〜1.0nmの膜厚を有する。
【0024】
最上層磁性層32は、CoCrTa,CoCrPt,CoCrPtB,CoCrPtTa,CoCrPtBCu,CoCrPtBAg,CoCrPtBRe,CoCrPtAu,CoCrPtW,CoCrPtTaNb又はその合金からなり、5〜25nmの膜厚を有する。初期磁性層31及び最上層磁性層32は同じ材料からなる構成でも良いが、初期磁性層31及び最上層磁性層32の組成は互いに異なる。例えば、初期磁性層31はCo60Cr25Pt10からなり、最上層磁性層32はCo66Cr20Pt10からなる。
【0025】
本実施例では、初期磁性層31及び最上層磁性層32は反強磁性結合されている。初期磁性層31の飽和磁化Msiと最上層磁性層32の飽和磁化Msfとは、Msi=Msfなる関係が成立する場合よりSNRが高くなるように、Msi≠Msfなる関係を満足する。飽和磁化Msi,Msfは、好ましくはMsi<Msfなる関係を満足する。又、初期磁性層31の保磁力Hciと最上層磁性層32の保磁力Hcfとは、Hci=Hcfなる関係が成立する場合よりSNRが高くなるように、Hci≠Hcfなる関係を満足する。保磁力Hci,Hcfは、好ましくはHci<Hcfなる関係を満足する。
【0026】
保護層5は、C、ダイヤモンドライクなC(DLC)等からなる。保護層5上に有機物潤滑剤層(図示せず)を更に設けても良い。
【0027】
磁気記録媒体の第1実施例の第1変形例では、非磁性中間層(図示せず)を下地層2と初期磁性層31との間に設ける。非磁性中間層は、例えばCoCr系合金からなり、1〜5nmの膜厚を有する。
【0028】
磁気記録媒体の第1実施例の第2変形例では、初期磁性層31、非磁性スペーサ層4及び最上層磁性層32からなる積層構成を、スペーサ磁性層を介して複数対設ける。
【0029】
図2は、磁気記録媒体の第1実施例のSNRを説明するための図である。図2中、縦軸は268kFCIビットの記録媒体からの再生信号のSNR(dB)を示し、横軸は最上層磁性層32の膜厚(nm)を示す。又、「●」なる記号は磁気記録媒体の第1実施例について得られたSNRを示し、「△」なる記号は比較用フェリ磁性記録媒体について得られたSNRを示す。
【0030】
図2に示す磁気記録媒体の第1実施例について得られたSNRは、初期磁性層31がCo60Cr25Pt10からなり、最上層磁性層32がCo66Cr20Pt10からなる場合について求められた。又、初期磁性層31の飽和磁化Msiは250emu/ccであり、最上層磁性層32の飽和磁化Msfは380emu/ccであった。更に、初期磁性層31の保磁力Hciは2700Oeであり、最上層磁性層32の保磁力Hcfは3840Oeであった。つまり、初期磁性層31の組成、飽和磁化及び保磁力は、最上層磁性層32とは異なるものであった。
【0031】
他方、図2に示す比較用フェリ磁性記録媒体について得られたSNRは、下側の磁性層及び上側の磁性層が両方ともCo66Cr20Pt10からなり同じ組成の場合について求められた。又、この比較用フェリ磁性記録媒体の下側の磁性層及び上側の磁性層の飽和磁化は両方とも380emu/ccで同じであった。更に、この比較用フェリ磁性記録媒体の下側の磁性層及び上側の磁性層の保磁力は両方とも3840Oeで同じであった。
【0032】
図2からもわかるように、磁気記録媒体の第1実施例のSNRは、上下同一組成のフェリ磁性記録媒体のSNRより向上することが確認された。
【0033】
次に、本発明になる磁気記録媒体の第2実施例を説明する。図3は、本発明になる磁気記録媒体の第2実施例の要部を示す断面図である。図3中、図1と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【0034】
図3に示す磁気記録媒体は、非磁性下地層2上に設けられた初期磁性層310、非磁性スペーサ層4上に設けられた中間磁性層320及び中間磁性層320上に設けられた最上層磁性層330を有する。
【0035】
本実施例では、初期磁性層310及び中間磁性層320はCoCrx1系合金からなり15<x1<27であり、最上層磁性層330はCoCry1系合金からなり10<y1<24であっても良い。この場合、初期、中間及び最上層磁性層310,320,330の膜厚は夫々1〜10nm,1〜10nm,5〜25nmであっても良い。
【0036】
又、初期磁性層310及び中間磁性層320はCoCrBx2系合金からなり1<x2<15であり、最上層磁性層330はCoCrBy2系合金からなり0≦y2<10であっても良い。この場合、初期、中間及び最上層磁性層310,320,330の膜厚は夫々1〜10nm,1〜10nm,5〜25nmであっても良い。
【0037】
初期磁性層310及び最上層磁性層330は、CoCrTa,CoCrPt,CoCrPtB,CoCrPtTa,CoCrPtBCu,CoCrPtBAg,CoCrPtBRe,CoCrPtAu,CoCrPtW,CoCrPtTaNb又はその合金からなる。
【0038】
本実施例では、初期磁性層310及び中間磁性層320は反強磁性結合されており、中間磁性層320及び最上層磁性層330は強磁性結合されている。初期磁性層310の飽和磁化をMsi、中間磁性層320の飽和磁化をMsm、最上層磁性層330の飽和磁化をMsfとすると、初期磁性層310、中間磁性層320及び最上層磁性層330は、Msi=Msm=Msfなる関係が成立する場合よりSNRが高くなるように、Msi≠Msm、Msm≠Msf及びMsi≠Msfなる関係のうち少なくとも2つの関係を満足する。飽和磁化Msi,Msm,Msfは、好ましくはMsi≦Msm<Msfなる関係を満足する。更に、初期磁性層310の保磁力をHci、中間磁性層320の保磁力をHcm、最上層磁性層330の保磁力をHcfとすると、初期磁性層310、中間磁性層320及び最上層磁性層330は、Hci=Hcm=Hcfなる関係が成立する場合よりSNRが高くなるように、Hci≠Hcm、Hcm≠Hcf及びHci≠Hcfなる関係のうち少なくとも2つの関係を満足する。保磁力Hci,Hcm,Hcfは、好ましくはHci≦Hcm<Hcfなる関係を満足する。
【0039】
磁気記録媒体の第2実施例の第1変形例では、非磁性中間層(図示せず)を下地層2と初期磁性層310との間に設ける。非磁性中間層は、例えばCoCr系合金からなり、1〜5nmの膜厚を有する。
【0040】
磁気記録媒体の第2実施例の第2変形例では、初期磁性層310、非磁性スペーサ層4、中間磁性層320及び最上層磁性層330からなる積層構成を、スペーサ磁性層を介して複数対設ける。
【0041】
図4は、磁気記録媒体の第2実施例のSNRを説明するための図である。図4中、縦軸は268kFCIビットの記録媒体からの再生信号のSNR(dB)を示し、横軸は初期、中間及び最上層磁性層310,320,330の有効残留磁化と膜厚の積(Gauss−micron−m)を示す。又、「●」なる記号は磁気記録媒体の第2実施例について得られたSNRを示し、「△」なる記号は改良型の比較用フェリ磁性記録媒体について得られたSNRを示す。
【0042】
図4に示す磁気記録媒体の第2実施例について得られたSNRは、初期磁性層310及び中間磁性層320がいずれもCo60Cr25Pt10からなり、最上層磁性層330がCo66Cr20Pt10からなる場合について求められた。又、初期及び中間磁性層310,320の飽和磁化Msi,Msmは250emu/ccであり、最上層磁性層330の飽和磁化Msfは380emu/ccであった。更に、初期及び中間磁性層310,320の保磁力Hci,Hcmは2700Oeであり、最上層磁性層330の保磁力Hcfは3840Oeであった。つまり、初期、中間及び最上層磁性層310,320,330のうち、少なくとも2つの層の組成、飽和磁化及び保磁力は異なるものであった。
【0043】
他方、図4に示す改良型の比較用フェリ磁性記録媒体について得られたSNRは、下側の磁性層、中間の磁性層及び上側の磁性層がいずれもCo66Cr20Pt10からなり同じ組成の場合について求められた。又、この改良型の比較用フェリ磁性記録媒体の下側の磁性層、中間の磁性層及び上側の磁性層の飽和磁化はいずれも380emu/ccで同じであった。更に、この改良型の比較用フェリ磁性記録媒体の下側の磁性層、中間の磁性層及び上側の磁性層の保磁力はいずれも3840Oeで同じであった。
【0044】
図4からもわかるように、磁気記録媒体の第2実施例のSNRは、改良型の上下同一組成のフェリ磁性記録媒体のSNRより向上することが確認された。
【0045】
次に、本発明になる磁気記憶装置の実施例を、図5及び図6と共に説明する。図5は、磁気記憶装置の実施例の要部を示す断面図であり、図6は、磁気記憶装置の実施例の要部を示す平面図である。
【0046】
図5及び図6に示すように、磁気記憶装置は、大略ハウジング113からなる。ハウジング113内には、モータ114、ハブ114、複数の磁気記録媒体116、複数の記録再生ヘッド117、複数のサスペンション118、複数のアーム119及びアクチュエータユニット120が設けられている。磁気記録媒体116は、モータ114により回転されるハブ115に取り付けられている。記録再生ヘッド117は、MRヘッドやGMRヘッド等の再生ヘッドと、インダクティブヘッド等の記録ヘッドとからなる。各記録再生ヘッド117は、対応するアーム119の先端にサスペンション118を介して取り付けられている。アーム119は、アクチュエータユニット120により駆動される。この磁気記憶装置の基本構成自体は周知であり、その詳細な説明は本明細書では省略する。
【0047】
磁気記憶装置の本実施例は、磁気記録媒体116に特徴がある。各磁気記録媒体116は、図1〜図4と共に説明した、磁気記録媒体の第1及び第2実施例又は変形例の構造を有する。勿論、磁気記録媒体116の数は3枚に限定されず、1枚でも、2枚又は4枚以上であっても良い。
【0048】
磁気記憶装置の基本構成は、図5及び図6に示すものに限定されるものではない。又、本発明で用いる磁気記録媒体は、磁気ディスクに限定されない。
【0049】
尚、本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の改良及び変更が可能であることは、言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【図1】
本発明になる磁気記録媒体の第1実施例の要部を示す断面図である。
【図2】
磁気記録媒体の第1実施例の信号対雑音比を説明する図である。
【図3】
本発明になる磁気記録媒体の第2実施例の要部を示す断面図である。
【図4】
磁気記録媒体の第2実施例の信号対雑音比を説明する図である。
【図5】
本発明になる磁気記憶装置の実施例の要部を示す断面図である。
【図6】
磁気記憶装置の実施例の要部を示す平面図である。

Claims (19)

  1. 非磁性下地層と、
    初期磁性層と、
    該初期磁性層上に設けられた非磁性スペーサ層と、
    該非磁性スペーサ層上に設けられた最上層磁性層とを備え、
    該初期磁性層は該最上層磁性層より該非磁性下地層の近傍に配置され、
    該初期及び最上層磁性層は互いに異なる組成を有し反強磁性結合されている、磁気記録媒体。
  2. 該初期磁性層の飽和磁化をMsi、該最上層磁性層の飽和磁化をMsfとすると、該初期及び最上層磁性層はMsi≠Msfなる関係を満足する、請求項1記載の磁気記録媒体。
  3. 該初期磁性層の保磁力をHci、該最上層磁性層の保磁力をHcfとすると、該初期及び最上層磁性層はHci≠Hcfなる関係を満足する、請求項1記載の磁気記録媒体。
  4. 非磁性下地層と、
    初期磁性層と、
    該初期磁性層上に設けられた非磁性スペーサ層と、
    該非磁性スペーサ層上に設けられた最上層磁性層とを備え、
    該初期磁性層は該最上層磁性層より該非磁性下地層の近傍に配置され、
    該初期及び最上層磁性層は、反強磁性結合されており、該初期磁性層の飽和磁化をMsi、該最上層磁性層の飽和磁化をMsfとすると、Msi>Msfなる関係を満足する、磁気記録媒体。
  5. 非磁性下地層と、
    初期磁性層と、
    該初期磁性層上に設けられた非磁性スペーサ層と、
    該非磁性スペーサ層上に設けられた最上層磁性層とを備え、
    該初期磁性層は該最上層磁性層より該非磁性下地層の近傍に配置され、
    該初期及び最上層磁性層は、反強磁性結合されており、該初期磁性層の保磁力をHci、該最上層磁性層の保磁力をHcfとすると、該初期及び最上層磁性層はHci>Hcfなる関係を満足する、磁気記録媒体。
  6. 該初期磁性層、該非磁性スペーサ層及び該最上層磁性層からなる構成が、スペーサ磁性層を介して複数対設けられている、請求項1〜5のいずれか1項記載の磁気記録媒体。
  7. 該初期及び最上層磁性層は、CoCrTa,CoCrPt,CoCrPtB,CoCrPtTa,CoCrPtBCu,CoCrPtBAg,CoCrPtBRe,CoCrPtAu,CoCrPtW,CoCrPtTaNb及びその合金からなるグループから選択された材料からなる、請求項1〜6のいずれか1項記載の磁気記録媒体。
  8. 該非磁性スペーサ層は、Ru,Ir,Rh及びその合金からなるグループから選択された材料からなる、請求項1〜7のいずれか1項記載の磁気記録媒体。
  9. 非磁性下地層と、
    初期磁性層と、
    該初期磁性層上に設けられた非磁性スペーサ層と、
    該非磁性スペーサ層上に設けられた中間磁性層と、
    該中間磁性層上に設けられた最上層磁性層とを備え、
    該初期磁性層は該中間及び最上層磁性層より該非磁性下地層の近傍に配置され、
    該初期及び中間磁性層は反強磁性結合され、
    該中間及び最上層磁性層は強磁性結合され、
    該初期、中間及び最上層磁性層のうち、少なくとも2つの層は互いに異なる組成を有する、磁気記録媒体。
  10. 該初期磁性層の飽和磁化をMsi、該中間磁性層の飽和磁化をMsm、該最上層磁性層の飽和磁化をMsfとすると、該初期、中間及び最上層磁性層はMsi≠Msm、Msm≠Msf及びMsi≠Msfなる関係のうち少なくとも2つの関係を満足する、請求項9記載の磁気記録媒体。
  11. 該初期磁性層の保磁力をHci、該中間磁性層の保磁力をHcm、該最上層磁性層の保磁力をHcfとすると、該初期、中間及び最上層磁性層はHci≠Hcm、Hcm≠Hcf及びHci≠Hcfなる関係のうち少なくとも2つの関係を満足する、請求項9記載の磁気記録媒体。
  12. 非磁性下地層と、
    初期磁性層と、
    該初期磁性層上に設けられた非磁性スペーサ層と、
    該非磁性スペーサ層上に設けられた中間磁性層と、
    該中間磁性層上に設けられた最上層磁性層とを備え、
    該初期磁性層は該中間及び最上層磁性層より該非磁性下地層の近傍に配置され、
    該初期及び中間磁性層は反強磁性結合され、
    該中間及び最上層磁性層は強磁性結合され、
    該初期、中間及び最上層磁性層は、該初期磁性層の飽和磁化をMsi、該中間磁性層の飽和磁化をMsm、該最上層磁性層の飽和磁化をMsfとすると、Msi≦Msm<Msfなる関係を満足する、磁気記録媒体。
  13. 非磁性下地層と、
    初期磁性層と、
    該初期磁性層上に設けられた非磁性スペーサ層と、
    該非磁性スペーサ層上に設けられた中間磁性層と、
    該中間磁性層上に設けられた最上層磁性層とを備え、
    該初期磁性層は該中間及び最上層磁性層より該非磁性下地層の近傍に配置され、
    該初期及び中間磁性層は反強磁性結合され、
    該中間及び最上層磁性層は強磁性結合され、
    該初期、中間及び最上層磁性層は、該初期磁性層の保磁力をHci、該中間磁性層の保磁力をHcm、該最上層磁性層の保磁力をHcfとすると、Hci≦Hcm<Hcfなる関係を満足する、磁気記録媒体。
  14. 該初期磁性層、該非磁性スペーサ層、該中間磁性層及び該最上層磁性層からなる構成が、スペーサ磁性層を介して複数対設けられている、請求項9〜13のいずれか1項記載の磁気記録媒体。
  15. 該初期及び中間磁性層はCoCrx1系合金からなり15<x1<27であり、該最上層磁性層はCoCry1系合金からなり10<y1<24である、請求項9〜14のいずれか1項記載の磁気記録媒体。
  16. 該初期及び中間磁性層はCoCrBx2系合金からなり1<x2<15であり、該最上層磁性層はCoCrBy2系合金からなり0≦y2<10である、請求項9〜14のいずれか1項記載の磁気記録媒体。
  17. 該初期及び最上層磁性層は、CoCrTa,CoCrPt,CoCrPtB,CoCrPtTa,CoCrPtBCu,CoCrPtBAg,CoCrPtBRe,CoCrPtAu,CoCrPtW,CoCrPtTaNb及びその合金からなるグループから選択された材料からなる、請求項9〜14のいずれか1項記載の磁気記録媒体。
  18. 該非磁性スペーサ層は、Ru,Ir,Rh及びその合金からなるグループから選択された材料からなる、請求項9〜17のいずれか1項記載の磁気記録媒体。
  19. 請求項1〜18のいずれか1項記載の磁気記録媒体を少なくとも1つ備えた磁気記憶装置。
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