JP2004507137A - トランスポンダに対して電磁界を発生させるアンテナ - Google Patents

トランスポンダに対して電磁界を発生させるアンテナ Download PDF

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Abstract

【課題】本発明は、電磁トランスポンダに対して電磁界を発生するアンテナと、そのようなアンテナを備えた端末に関する。
【解決手段】アンテナは、励起電圧(Vg)を印加する2つの端子(3、4)に接続される第1の誘導素子(Lp)と、第1の誘導素子に結合された並列共振回路(21)とを有する。
【選択図】図2

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電磁トランスポンダを使用したシステム、つまりは読み出し及び/又は書き込み端末と呼ばれるユニット(通常固定)により、非接触式及び無線式の方法で呼び掛け可能な発信機及び/又は受信機(通常移動可能)に関する。一般的に、トランスポンダは、内蔵する電子回路により必要とされる電力供給を、読み出し−書き込み端末のアンテナにより放射される高周波電界から抽出する。本発明は、より厳密には、電磁トランスポンダのための読み出し及び/又は書き込み端末、及び端末が内蔵するアンテナに関する。
【0002】
【従来の技術】
図1は、読み出し/書き込み端末1と、関連するトランスポンダ10の従来の例を極めて概略的に示したものである。
【0003】
一般的に、端末1は、キャパシタC1及び抵抗器R1と直列につながれたインダクタンスL1により形成される直列発振回路により、主に形成される。この発振回路は、とりわけ、増幅器又はアンテナカプラ、及び受信されたデータを引き出し、変調器/復調器及び、制御信号並びにデータを処理するためのマイクロプロセッサを特に備えた制御回路を有する装置2により制御される。発振回路は、端子3及び4の間にある装置2により供給される電圧Vgにより励起される。回路2は、図示されていない、異なる入力/出力回路(キーボード、スクリーン、サーバとのやりとりの手段、等)及び/又は処理回路と、通常、通信を行う。読み出し/書き込み端末の回路は、動作に必要な電力を、例えば給電システムに接続されている供給回路(図示されていない)から取っている。
【0004】
端末1と協働するトランスポンダ10は、本質的に並列発振回路を有する。この回路は、制御及び処理回路13の2つの入力端子11、12の間でキャパシタC2と並列につながれたインダクタンスL2により、形成される。端子11、12は、実際には整流手段(図示されていない)の入力に接続され、その出力は、トランスポンダ10内部の回路の直流電源端子を形成する。これらの回路は、通常、マイクロプロセッサ、メモリ、端末1から受信される信号の復調器、及び端末に情報を伝送するための変調器を備えている。
【0005】
端末及びトランスポンダの発振回路は、通常、端末の発振回路の励起信号Vgの周波数に相当する同一の周波数に調整される。この高周波信号(例えば13.56MHz)は、端末からトランスポンダへのデータ伝送のキャリアとして使用されるだけでなく、端末の電界内に位置しているトランスポンダのための遠隔給電キャリアとしても使用される。トランスポンダ10が端末1の電界内に位置している場合、トランスポンダの共振回路の端子11及び12の両端間に、高周波電圧が生成される。この電圧は、整流され、及び、ことによってはクリップされた後、トランスポンダの電子回路13の供給電圧を提供する。
【0006】
端末により伝送された高周波キャリアは、通常、電界内の1つ又はいくつかのトランスポンダにデータ及び/又は制御信号を伝送するための異なるコーディング技法に従い、同端末によって振幅変調される。逆に、トランスポンダから端末へのデータ伝送は、通常、共振回路L2、C2により形成された負荷を調整することにより実行される。負荷変化は、キャリアの周波数よりも低い周波数(例えば、847.5kHz)を持つサブキャリアのレートで実行される。従って、負荷変化は、端末による、例えば発振回路内のキャパシタC1の両端間電圧又は電流Igの測定により、振幅変化又は位相変化として検出可能である。図1においては、測定信号は点線で描かれたコネクション5により示されており、インダクタンスL1及びキャパシタC1の直列接続の中間点を、回路2に接続している。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
従来のトランスポンダシステムにおいて生じる問題は、一般的に、そのシステムの範囲に制限があるということである。システムの範囲、すなわちトランスポンダにより感知される電界の、限界距離は、動作のために必要な電力の抽出を可能にするには小さすぎるのである。この、限られた範囲は、主に最大許容磁界に起因しており、基準によって定められている。従来は、範囲を拡大するためには、この最大許容磁界を超えないように、アンテナの直径を大きくすることが望まれた。ところで、直径を大きくすることは、比例する励起電流Igの増加をもたらす。これは、特に電力消費の点から、望ましくない。
【0008】
本発明の目的は、電磁トランスポンダ読み出し/書き込み端末の範囲を改善することである。
【0009】
本発明は、より厳密には、新しい種類の広範囲電磁界発生アンテナを提供することを目的とする。
【0010】
本発明はまた、トランスポンダの修正を必要とせず、従って、いかなる従来のトランスポンダとも動作可能であることを目的とする。
【0011】
本発明はまた、端末の電力消費を削減又は最小限にすることを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
これらの目的を達成するために、本発明は、励起電圧を印加する2つの端子に接続される第1の誘導素子と、第1の誘導素子に結合される並列共振回路とを有する、電磁トランスポンダに対して電磁界を発生するアンテナを提供する。
【0013】
本発明の実施形態によれば、共振回路は、第2の誘導素子を有し、その値は、所望のフィールド増幅に応じた比で、第1の誘導素子の値よりも大きくなるよう選択される。
【0014】
本発明の実施形態によれば、第1の誘導素子は網に構成されたいくつかのインダクタンスにより形成される。
【0015】
本発明の実施形態によれば、誘導素子は平面形状の巻線により形成される。
【0016】
本発明の実施形態によれば、2つの誘導素子は平行平面内にある。
【0017】
本発明の実施形態によれば、誘導素子の平面形状のそれぞれを隔てている距離は、アンテナが対象とするトランスポンダの電力消費量と所望の範囲とに従って選択される。
【0018】
本発明はまた、電磁界に入ってくる少なくとも1つのトランスポンダに対して高周波電磁界を発生するための端末を提供し、端末は、第1の誘導素子を備え、容量素子を持たない励起回路に電磁結合された共振回路を有する。
【0019】
本発明の実施形態によれば、共振回路は、並列の第2の誘導素子と容量素子により形成され、第1の誘導素子の励起信号の周波数にチューニングされる。
【0020】
本発明の実施形態によれば、共振回路は、制御スイッチを備えている。
【0021】
本発明の以上の目的、特徴、及び利点は、以下の、特定の実施形態の非限定的な説明と添付図面により、詳細となる。
【0022】
同一の要素は、異なる図面においても、同一の参照番号で言及される。明瞭さのため、本発明の理解に必要な要素のみが図面に示され、以下に説明される。特に、トランスポンダと読み出し及び/又は書き込み端末の電子回路の内部構造は、詳述されない。
【0023】
【発明の実施の形態】
本発明の特徴は、読み出し及び/又は書き込み端末のアンテナを、共振LC回路に結合するLR回路の形で提供していることである。本発明によれば、LR回路は端末の高周波発生器により励起される。励起周波数は、従来と同様、遠隔給電キャリア及び伝送されるべき有り得るデータの周波数である。共振回路は、インダクタンス及びキャパシタにより形成される拒絶回路を形成する。それは、実際は、インダクタンス及びキャパシタの直列抵抗に対応し、可能な限り小さな抵抗のRLC回路である。
【0024】
本発明のもう1つの特徴は、LR励起回路のインダクタンスの値よりも大きな拒絶回路のインダクタンスの値を提供することである。従って、拒絶回路のキャパシタの両端間に展開された電圧は、LR回路の励起電圧よりも高い。本発明によれば、拒絶回路の品質ファクタは、LR励起回路との結合により作られた増幅を支持するために、最大化されることが望ましい。品質ファクタは、拒絶回路の直列抵抗の合計及びキャパシタンスの平方根に反比例し、拒絶回路のインダクタンスの平方根に比例する。従って、インダクタンスは最大化されることが望ましく、直列抵抗及びキャパシタンスは最小化されることが望ましい。
【0025】
図2は、本発明に基づく読み出し及び/又は書き込み端末の第1の実施形態を極めて概略的に示した図である。
【0026】
従来と同様、本発明に基づく端末20は、同じく従来のトランスポンダ10とやりとりすべきデータの処理、制御及び解析を行う、回路2を備えている。トランスポンダのための遠隔電力供給キャリア及び/又は変調キャリアとして使用される高周波電圧Vgが、回路2の出力端子3及び4の両端間に提供される。本発明によれば、端子3及び4は、インダクタンスLpと直列につながれた抵抗器R1により形成された直列LR回路に接続されている。インダクタンスLpは、LR回路に関連付けられた拒絶回路21のインダクタンスLbに結合される。回路21はまた、キャパシタCbを有し、その2つの電極はそれぞれ、インダクタンスLbの2つの端子24及び25に接続される。本発明によれば、誘導性LR回路は、回路2の端子3及び4の両端に接続され、キャパシタを有しない。従って、励起回路の、遠隔給電キャリア周波数のチューニングはない。本発明によれば、このチューニングは拒絶回路21に移される。このために、インダクタンスLb及びキャパシタンスCbの各値が選択され、この回路の共振周波数が、システムの遠隔給電キャリア(例えば、13.56MHz)に対応するようにする。
【0027】
本発明によれば、インダクタンスLp及びLbは、好ましくは、1つまたはいくつかのうずまきを持つ平面形状のインダクタンスの形で作られる。インダクタンスは、それらの電磁結合を最大化するために、平行な平面に置かれる。この結合は、LR及びLC回路の間の相互インダクタンスMにより、図2に示されている。トランスポンダ10は、従来のトランスポンダであり、本発明は、導入において、トランスポンダの修正を必要としない。トランスポンダ10が端末の電界に存在しているとき、トランスポンダは拒絶回路と電磁結合(相互インダクタンスM´)の状態にあり、拒絶回路から、動作に必要な電力を取る。
【0028】
アンテナの電界にトランスポンダを置くことが拒絶回路21の直列抵抗を増加させることになり、結果として、拒絶回路の品質ファクタ及び電流を減少させる。これは、励起回路R1−Lp側の電力消費を引き起こす。しかしながら、端末の発生器は電流及び電圧が元々高い拒絶回路に付勢電流を供給することができる。
【0029】
システムの効率を最適化し、電圧Vgを供給する発生器の実装電力の使用を最大化するために、インダクタンスLpは可能な限り小さくなるよう選択される。拒絶回路21のインダクタンスLbの値は、システムの範囲を最大にするために可能な限り大きくなるよう選択される。事実、Lb/Lpの比が大きくなればなるほど、キャパシタCbの両端間に展開される電圧と電圧Vgとの比が大きくなる。
【0030】
本発明の好ましい実施形態によれば、平行平面に配置された平面形状のインダクタンスの間隔は、端末が対象とするトランスポンダに適合される。異なるトランスポンダにより示される電荷レベルに従い(特に、それらのトランスポンダがマイクロプロセッサを有するか否かに従い)、及び、所望の範囲に従い、励起回路及び拒絶回路間の結合は最適化することができる。低電力消費のトランスポンダで、広い範囲が望まれる場合、アンテナのインダクタンスは、拒絶回路の両端間に発生した過電圧を最大化するように、互いに離れる。例えば、約0.5cm〜数cmの間隔範囲が選択される。逆に、電力消費の高いトランスポンダについては、インダクタンス間の結合は最大化され、トランスポンダにより示される負荷が、拒絶回路の品質ファクタを過度に変えないようにする。アンテナのインダクタンスは、従って、互いが可能な限り接近して配置される。間隔は、もちろん、特に、インダクタンスの直径、及び拒絶回路の品質係数に応じる。
【0031】
本発明の利点は、所与の電圧Vg及び励起電流Igで、読み出し及び/又は書き込み端末の範囲を広げることを可能にすることである。
【0032】
本発明のもう1つの利点は、既存のトランスポンダの修正を必要としないことである。
【0033】
トランスポンダから来る戻り変調の検出は、LR回路上、又は、LC回路21中で実行可能である。図2の実施形態において、拒絶回路21中の電流を測定する機能を有する電流トランス22が示されている。接続23は、この測定の結果を回路2に提供する。変形例として、測定は、LR回路中でも実行可能である。しかしながら、信号のレベルがより高い拒絶回路中で変動を検出する方が容易である。しかしながら、この測定は、拒絶回路の品質ファクタをほとんど妨害しないことが確認される。例えば、電圧測定がキャパシタCbの両端間で実行された場合、高い入力インピーダンスの測定素子を使用することが確認される。
【0034】
本発明は、発生器により供給される電流又は電圧Vgを増加させることなく送信される電磁界を拡大することを可能にし、従って、端末の実装電力も増加させる必要がない。所与の実装電力を備えた同一の端末に対し、本発明は大きな寸法のアンテナを簡単に使用できるようにする。従来の端末では、これは、充分な電流を供給するために発生器の電圧を増加させなくては困難である。
【0035】
本発明のもう1つの利点は、制御ユニット2に関し、アンテナのインピーダンス整合を容易にすることである。事実、高周波の励起電圧を供給する発生器(回路2)から見たインピーダンスZpeqは、通常、次のように表すことができる。
Zpeq=Rp+j・Xp
ここで、Rpは以下の実数部を表し、
Rp=(ω・kpb ・Lp・Lb)/Rb
Xpは、以下の虚数部を表す。
Xp=ω・Lp
pbは、励起回路及び拒絶回路の間の電磁結合係数を表し、Rbは、回路21の等価抵抗(キャパシタCb及びインダクタンスLbの寄生抵抗の合計)を表す。実数部Rpにおいては、実際は、励起発生器の出力抵抗に相当する抵抗R1は、考慮されない。インダクタンスLpの直列抵抗もまた、無視される。これら抵抗素子を考慮するときは、それぞれの値を、上記の抵抗Rbに加えるだけのことである。
【0036】
アンテナのインピーダンスを適合させるために、例えば、インダクタンスLb及びLpの比が修正され、又は、回路21中に、抵抗器が並列に導入される。
【0037】
さらに、インピーダンスZpeqの虚数部Xpは、最小化されるインダクタンスLpの関数である。従って、インピーダンスは、第1の概算として、純粋に抵抗性があると考えられる。このように、オフロードのインピーダンス整合を(例えば50Ωで)獲得するのは、極めて容易である。その場合の利点は、読み出し/書き込み端末のアンテナが、その制御回路から、容易に動かすことができるということである。50Ωの整合インピーダンスケーブルで充分である。もちろん、トランスポンダが電界内に存在するとき、それは、発生器から見たインピーダンス(実数部の分母)に影響を与える。
【0038】
図3A及び図3Bは、本発明の好ましい実施形態に従った、アンテナの2つの側面を示した図である。この好ましい実施形態によれば、誘導性励起素子Lpは、網内のいくつかのインダクタンス31、32、33、34、35、36、及び37により形成されており、つまりは電気的に並列である。インダクタンス31、32、33、34、35、36、及び37は、同一平面上にある。インダクタンスは、好ましくは、ハニカム内に分散している。各インダクタンス31、32、33、34、35、36、及び37は、例えば、単一の六角うずまき形状を有する。これらのインダクタンスのうずまきの数は、結果として生ずる誘導素子Lpに対して所望される値に適合される。インダクタンス31〜37のそれぞれの端子を相互接続する端子38及び39は、素子Lpの端子を形成する。インダクタンスは、例えば、プリント回路ウェーハ上での導電トラックの付着により形成される。各インダクタンスの第1の端は、端子38に接続されている。この接続は、2つのウェーハの表面のビア41及び導電トラック42により実行される(図3A及び図3B)。各インダクタンスの第2の端は、ビア43及びトラック44によって、端子39に接続されている。
【0039】
インダクタンスの網の構成は、網内の全てのインダクタンスがフィールドを生成し、そのラインが、加えられる(全て同一の方向)ようにしなければならない。
【0040】
インダクタンスLbは、第2のウェーハ表面上に形成される。この、好ましい実施形態では、このインダクタンスは、全ての網に接続された誘導素子Lpのうずまきの表面に相当する表面の境界をおおよそ定める単一のうずまき40により形成される。このようにして、それはハニカムの外郭になる。うずまき40の端の端子は、インダクタンスLbの端子24、25となり、キャパシタCbに接続される(図示されていない)。
【0041】
LR回路側で網誘導素子を使用する利点は、拒絶回路と励起回路の間の電圧及び電流の比が最大化されることである。事実、拒絶回路のインダクタンスと励起回路インダクタンスとの比は、増加する。
【0042】
励起回路中で、網誘導素子を使用する別の利点は、これにより、インピーダンス整合がさらに容易になることである。事実、励起回路のインピーダンスの虚数部に代入されるインダクタンスLpの値は、最小化される。
【0043】
図4は、本発明に基づく読み出し及び/又は書き込み端末45の別の実施形態を示したものである。この実施形態は、特に、トランスポンダと比較的遠隔の結合、又は、トランスポンダと緊密な結合の状態で動作する端末に適用される。事実、いくつかの応用においては、トランスポンダが端末に非常に近いところにある場合、トランスポンダと端末の間で情報をやりとりすることのみが望まれる。これは、侵害装置がデータのやりとりを妨害することを回避するためである。このような場合には、単一の端末を使用するためには、単一のトランスポンダに許容された非常に緊密な結合の際の動作に対し、データのやりとりシーケンスが従来のように適合され、ソフトウェア制御が実行されなければならない。
【0044】
図4は、読み出し及び/又は書き込み端末が極度に接近した状態での動作を、著しく容易にする本発明の導入を図示したものである。この目的のために、スイッチ46が拒絶回路21´内に提供される。このスイッチは、インダクタンスLbと並列に配置され、拒絶回路を短絡するためのものであり、従って、励起回路LRとの結合を解消する。スイッチ46は、接続47を経由して、回路2によって制御される。
【0045】
例えば、端末が極度に接近した状態での動作専用となることを望まれている場合、スイッチ46は閉じられる。この場合、端末とのデータのやりとりを希望するトランスポンダは、誘導素子Lpとの電磁結合を獲得するため、ほぼ端末のアンテナ上に置かれなければならない。このインダクタンスの値が小さければ小さいほど、トランスポンダが端末に接近することが必要となる。ここでの動作は、変圧器としての動作に近い。スイッチ46が開かれているとき、拒絶回路はその機能を果たし、読み出し及び/又は書き込み端末の範囲は最大になる。
【0046】
変形例として、スイッチは拒絶回路中に直列に配置される。動作は、その場合逆になり、スイッチの開放により、拒絶回路がオフに切り替えられる。この変形例においては、スイッチの直列抵抗が最小になることが確認される。
【0047】
図4の実施形態では、誘導素子Lpと直列につながれた電流トランス22´が示されており、電流トランスの測定信号23´は、回路2に送られる。この電流トランスは、励起回路内の電流測定を行う。拒絶回路による検出がもはや実行されないので、少なくとも極度に接近した状態での動作のためには、このような構成が必要である。しかしながら、端末が遠隔範囲で動作している場合には、拒絶回路側で、測定システムの使用を維持することは可能である。
【0048】
もちろん、本発明は、当業者に充分起こり得るさまざまな変更態様、変形態様、及び改良を持っている。特に、本発明に基づく読み出し及び/又は書き込み端末の異なる部品のサイジングは、以上に提供された機能の説明に基づく当業者の能力の範囲内にある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明が適用されるタイプの、従来のトランスポンダシステムの例を示した図である。
【図2】本発明に基づくアンテナを備え、従来のトランスポンダに関連付けられた読み出し及び/又は書き込み端末の第1の実施形態を概略的に示した図である。
【図3A】本発明の第2の実施形態に基づくアンテナを示した図である。
【図3B】本発明の第2の実施形態に基づくアンテナを示した図である。
【図4】本発明に基づく端末の実施形態の変形例を示した図である。
【符号の説明】
1 読み出し/書き込み端末
2 装置
3 端子
4 端子
5 コネクション
10 トランスポンダ
11 入力端子
12 入力端子
13 制御及び処理回路、電子回路
20 端末
21 拒絶回路
22 電流トランス
23 接続
24 インダクタンスLbの端子
25 インダクタンスLbの端子
31 インダクタンス
32 インダクタンス
33 インダクタンス
34 インダクタンス
35 インダクタンス
36 インダクタンス
37 インダクタンス
38 端子
39 端子
40 単一のうずまき
41 ビア
42 導電トラック
43 ビア
44 トラック
45 読み出し及び/又は書き込み端末
46 スイッチ
47 接続

Claims (9)

  1. 電磁トランスポンダに対して電磁界を発生するアンテナにおいて、
    励起電圧(Vg)を印加する2つの端子(3、4)に接続される第1の誘導素子(Lp)と、
    前記第1の誘導素子に結合され、第2の誘導素子(Lb)を備えた並列共振回路(21、21´)と
    を有し、前記第2の誘導素子の値は、所望のフィールド増幅に応じた比で、前記第1の誘導素子の値よりも大きくなるよう選択されることを特徴とするアンテナ。
  2. 前記第1の誘導素子(Lp)は、網に構成されたいくつかのインダクタンス(31、32、33、34、35、36、37)により形成されることを特徴とする請求項1に記載のアンテナ。
  3. 前記誘導素子(Lp、Lb)は、平面形状の巻線により形成されることを特徴とする請求項1又は2に記載のアンテナ。
  4. 前記2つの誘導素子(Lp、Lb)は、平行平面内にあることを特徴とする請求項3に記載のアンテナ。
  5. 前記誘導素子(Lp、Lb)の平面のそれぞれを隔てている距離は、アンテナが対象とするトランスポンダの電力消費量と所望の範囲とに従って選択されることを特徴とする請求項4に記載のアンテナ。
  6. 電磁界に入ってくる少なくとも1つのトランスポンダ(10)に対して高周波電磁界を発生する端末(20、45)において、第1の誘導素子(Lp)を備え、容量素子を持たない励起回路に電磁結合された共振回路(21、21´)を有し、該共振回路は、第2の誘導素子(Lb)を有し、該第2の誘導素子の値は、所望のフィールド増幅に応じた比で、前記第1の誘導素子の値よりも大きくなるよう選択されることを特徴とする端末。
  7. 前記共振回路(21、21´)は、並列の第2の誘導素子(Lb)及び容量素子(Cb)により形成され、前記第1の誘導素子(Lp)の励起信号(Vg)の周波数にチューニングされることを特徴とする請求項1に記載の端末。
  8. 前記誘導素子(Lp、Lb)は、請求項1から6のいずれか1項に記載のアンテナを形成することを特徴とする請求項6又は7に記載の端末。
  9. 前記共振回路(21´)が、制御スイッチ(46)を備えることを特徴とする請求項6から8のいずれか1項に記載の端末。
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