JP2004505421A - X-ray or EUV radiation generation method and apparatus - Google Patents

X-ray or EUV radiation generation method and apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP2004505421A
JP2004505421A JP2002515466A JP2002515466A JP2004505421A JP 2004505421 A JP2004505421 A JP 2004505421A JP 2002515466 A JP2002515466 A JP 2002515466A JP 2002515466 A JP2002515466 A JP 2002515466A JP 2004505421 A JP2004505421 A JP 2004505421A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
jet
electron beam
radiation
ray
interaction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002515466A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5073146B2 (en
Inventor
ハンス、ヘルツ
オスカー、ヘムベルイ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jettec AB
Original Assignee
Jettec AB
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from SE0002785A external-priority patent/SE0002785D0/en
Priority claimed from SE0003073A external-priority patent/SE522150C2/en
Application filed by Jettec AB filed Critical Jettec AB
Publication of JP2004505421A publication Critical patent/JP2004505421A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5073146B2 publication Critical patent/JP5073146B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05GX-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J35/00X-ray tubes
    • H01J35/02Details
    • H01J35/04Electrodes ; Mutual position thereof; Constructional adaptations therefor
    • H01J35/08Anodes; Anti cathodes
    • H01J35/112Non-rotating anodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2235/00X-ray tubes
    • H01J2235/08Targets (anodes) and X-ray converters
    • H01J2235/081Target material
    • H01J2235/082Fluids, e.g. liquids, gases
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05GX-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
    • H05G2/005X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas containing a metal as principal radiation generating component

Abstract

In a method and an apparatus for generating X-ray or EUV radiation, an electron beam is brought to interact with a propagating target jet, typically in a vacuum chamber. The target jet is formed by urging a liquid substance under pressure through an outlet opening. Hard X-ray radiation may be generated by converting the electron-beam energy to Bremsstrahlung and characteristic line emission, essentially without heating the jet to a plasma-forming temperature. Soft X-ray or EUV radiation may be generated by the electron beam heating the jet to a plasma-forming temperature.

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、一般には、X線または超紫外線(以下、EUV―extreme ultra−violet―とする。)放射線を生成する方法および装置に係り、特に高輝度を有する方法および装置に関する。生成された放射線は、例えば、医学的な診断、非破壊検査、リソグラフィー(パターン描画技術)、顕微鏡検査、材料科学、またはその他のX線または超紫外線応用分野で用いることができる。
【0002】
【従来の技術】
高出力および高輝度のX線源は、例えば医学的診断、非破壊検査、結晶構造の分析、表面物理学、リソグラフィー、蛍光X線および顕微鏡検査など、多くの分野に適用されている。
【0003】
幾つかの適用例においては、X線は、例えば医学的診断や材料検査における可視光線を通さない対象の内部を撮影するために用いられており、そこでは、10〜1000keVのX線放射、すなわち硬X線放射が実用化されている。電子ビームが固体アノード(陽極)に対して加速されている従来の硬X線源は、相対的に低輝度のX線放射を発生させる。硬X線による撮像においては、得られた画像の解像度は、X線源までの距離と線源の大きさとに依存している。露光時間は、線源までの距離と線源の出力とに依存している。実際には、この露光時間は、X線で撮像することに対して、解像度と露光時間との間での交換を行なっている。この試みは常に、できる限り大きなX線の出力をできる限り小さな線源から引き出すこと、すなわち、高輝度を実現することであった。従来の固体の標的源においては、X線は、ブレムシュトラールング(Bremsstrahlung)および特性直線放射の両方を連続させるものとして放射されており、ここでは特別な放射特性は標的に用いられる材料に依存している。X線照射へと変換されないエネルギーは主として固体の標的における熱として貯蔵される。出力および輝度を制限する、従来のX線管から放射されるX線照射の主要な要素は、アノード(陽極)を加熱することである。より詳細には、電子ビームの出力は、アノードの材料が溶融しないような範囲に制限されるべきである。幾つかの異なる方法(スキーム)が出力の制限を増加させるために導入されていた。このようなスキームの1つは、アノードを冷却したり回転させたりすることを含んでおり、例えば、1990年にベルリンおよびミュンヘンのジーメンス・アクティエンゲセルシャフト社より、E・クレステル(E. Krestel)により著作された『医療診断用撮像システム』の第3章および第7章を参照せよ。冷却され回転するアノードはより高い電子ビーム出力を維持することができるにも拘わらず、その輝度は電子ビームの焦点を局部的に加熱することにより依然として制限されている。同じターゲット材料が夫々の回転について用いられているので、平均した出力負荷もまた制限される。具体的には、医療診断用の非常に高い強度の放射線発生源は100kW/mmで動作して、現在の技術の状態では、低出力マイクロフォーカス装置は150kW/mmで動作する。
【0004】
軟X線およびEUV波長(数10eVから数keVまで)の領域における実施化は、例えば、次世代リソグラフィーおよびX線顕微鏡システムを含んでいる。1960年代からずっと、集積化された電子回路の基礎を構成する構造の大きさは、連続的に縮小してきている。その長所は、より少ない電力を要求する、より高速でより複雑な回路である。現在では、写真露光装置は、およそ0.13μmの線幅を有するこのような回路を工業的に生成するために用いられている。この技術は、およそ0.1〜0.07μmにまで縮小させて適用されるべきことも期待され得るものである。線幅をさらに低減させるために、他の方法もおそらく必要となるであろうし、その方法ではEUV照射リソグラフィーが強力な候補となるし、例えば、1999年、インターナショナル・セマテック、オースチンTX刊「半導体のための国際的な技術ロードマップ」を参照せよ。EUV照射リソグラフィーの利用は、10〜20nm近辺の波長の領域におけるEUV対象システムの低減によりなされている。
【0005】
軟X線およびEUV領域において、上述した従来の硬X線放射の生成と比較して、固体ターゲットにおける電子ビームエネルギーから軟X線放射に対する従来の効率が有用であるというには一般的にあまりに低いので、放射の生成のための異なる方法が通常は用いられている。D.T.アットワード、キャムブリッジ大学出版、1999年刊行の「軟X線および超紫外線放射:原理と応用」の第6章にも開示されているように、(およそ1010〜1023W/cm程度の)極めて強いレーザ放射を用いるような熱くて密度の高いプラズマを生成するために、ターゲットの材料を加熱することに基づいて、軟X線およびEUV放射線の生成のために通常の技術が代わりに行なわれている。これらのいわゆるプラズマにより生成されたレーザ(LPP)は、連続的な放射および特性線照射の両方を放射しており、特定の放射特性はターゲットの材料とプラズマの温度とに依存している。固体のターゲット材料を使用する、従来からのLPPX線源は、ターゲット材料の搬送が限定的な要素となるので、反復率や途切れることのない使用法と同様に、崩壊堆積物の不要な放出により妨げられる。このことは、ガスジェット(例えば米国特許第5,577,092号公報および1996年、光学と光通信学、第4集、第66頁、OSAトレンド刊行、キュビアク他による論文「ガスジェットに基づく崩壊堆積物から解放されたEUVL源」参照)や、液体ジェット(例えば、米国特許第6,002,744号公報および1996年、レビュー・オブ・サイエンティフィック・インスツルメントの第67集、第4150頁に掲載されたマルムクヴィスト他による論文「軟X線生成レーザプラズマのための液体ジェット」参照)を含む再生可能で崩壊堆積物の少ない開発へと導いている。これらのターゲットは、LPP軟X線およびEUV照射源で頻繁に用いられていた。しかしながら、LPP線源の適用可能性は、電気的なエネルギーのレーザ光への相対的に低い変換効率によって制限されており、これにより、レーザ光のX線放射への変換効率も制限され、その必然的な結果として、高価な高出力レーザを使用を伴っていた。
【0006】
ごく最近のこととして、ガスジェット・ターゲットの電子ビームの励起は、結果としての放射が相対的に低出力であっても、直接に、軟X線放射の熱を用いない生成のためにテストされており、2000年、SPIEの会議録第4060号204−208頁における、テル・アバティシアン他の論文を参照せよ。
【0007】
シンクロトロン光源のような大規模な設備も提案されており、これは高い平均出力および輝度を伴うX線放射を生成している。しかしながら、相対的に高い平均出力および輝度を有するX線放射を生成する小型で小規模のシステムを要求する多くの適用例がある。小型でより低廉なシステムは、適用されるユーザに対してより良い使いやすさをもたらし、したがって、科学や社会に対して潜在的に、より大きい価値のあるものである。
【0008】
【発明の概要】
この発明の目的は、上述した問題を解決または軽減することにある。より詳しくは、この発明は、相対的に高い平均的な出力と結合した非常な高輝度を備えるX線またはEUV放射線を生成する方法および装置を提供することを目的としている。
【0009】
さらに、この発明の目的は、X線またはEUV放射線を生成するための、小型で相対的に高価ではない装置を提供することにある。
【0010】
発明力のある技術はまた、崩壊堆積物の最小の生成により、X線またはEUV放射線の安定して単純な生成のために提供するべきである。
【0011】
さらに、この発明の目的は、医療用の診断や材料の検査のための安定した放射を生成する方法および装置を提供することにある。
【0012】
この発明のさらに他の目的は、リソグラフィー(露光装置)、被破壊検査、電子顕微鏡、結晶解析、表面物理学、材料科学、X線写真分光学、X線回折によるタンパク質の構造決定、およびその他のX線の応用における使用を安定させる方法および装置を提供することにある。
【0013】
以下の詳細な説明より明かとなるであろう、上述のおよびその他の目的は、上記の特許請求の範囲の独立請求項に係る方法および装置により、全体的にまたは部分的に達成される。従属する請求項は、好適な実施形態を定義している。
【0014】
従って、この発明は、X線またはEUV放射線を生成するための方法であって、圧力下で液体の物質を吐出口の開口部を介して吐出させることにより相互作用の領域を介して増強するターゲットジェットを形成するステップと;前記相互作用の領域における前記ターゲットジェットに対して少なくとも1つの電子ビームを方向付けてこの電子ビームがX線またはEUV放射線を生成するために前記ターゲットジェットと相互に作用するステップとを備える方法を提供する。
【0015】
電子ビームの電流、電圧および焦点の大きさに依存するのと同様にターゲットジェットの材料、このジェットの温度、速度および直径に依存して、この発明力のある方法および装置は、2つのモードの何れかでの動作を許容している。動作の第1のモードにおいては、硬X線放射は、本質的にはこのジェットをプラズマ形成温度にまで加熱することなく、電子ビームのエネルギーをブレムシュトラールングおよび特性直線照射にまで直接変換することにより生成されている。動作の第2のモードにおいては、軟X線またはEUV放射線は、ジェットをプラズマ形成温度にまで加熱することにより生成されている。動作の何れのモードにおいても、この発明は従来技術のレベルに対して顕著な改善を提供している。
【0016】
動作の第1のモードにおいて、ターゲットジェットは、硬X線放射の生成において従来より用いられていた固体アノード(陽極)に関する幾つかの長所を提供している。より詳しくは、液体ジェットは、生成された放射の高輝度と出力を許容するのに充分に高い密度を有している。さらに、このジェットは、その性質まで再生可能であるので、ターゲット材料を冷却する必要がない。実際には、ターゲット材料は、破壊される可能性があり、換言すれば、ターゲットジェットの再生可能な性質の故に、その溶融温度よりも高い温度にまで加熱される可能性がある。したがって、ターゲットにおける電子ビームの出力密度は、再生可能性のないターゲットに比較すると顕著に増加する可能性がある。これに加えて、このジェットは、相互作用の領域を介して非常に速い伝搬速度を与えられる可能性がある。従来の静止または回転アノードと比較して、相互作用の領域へと移動する材料の対応する高速度の故に、このような高速でのジェットの伝搬においては、より多くのエネルギーが費やされる可能性がある。これらの特徴の組合せは、生成された硬X線放射の輝度における顕著な向上を許容している。したがって、吐出口の開口部を介して圧力下で液体材料を吐出させることにより形成された、ジェットの形式による小さくて高密度で再生可能な高速ターゲットの使用は、具体的には、従来の技術と比較して、生成された硬X線放射の輝度における100倍の向上を許容するべきである。
【0017】
このように新規で再生可能なターゲットにより許容される出力密度を実現するために、電子ビームは、好ましくはターゲット上に適切に焦点を結ぶ(合焦される)べきである。具体的には、電子ビームの生成のために用いられる加速電圧は5〜500kVのオーダー(注文)の範囲となるであろうが、それよりも高くとも良い。ビーム電流は、具体的には10〜1000mAのオーダーの範囲となるであろうが、それよりも高くとも良い。
【0018】
動作の第2のモードは、少なくとも1つの電子ビームがプラズマ照射する軟X線またはEUV放射線を形成するためにレーザビームに代わって用いることができる、基本的な洞察から生じてきている。上述したLPPの概念に基づく従来の装置と比較すると、この発明による方法および装置は、コストと構成の複雑さをより少なくしているのと同様に、壁に埋め込んだコンセント(wall−plug)の変換効率の顕著な増加を与えている。その他の魅力的な特徴は、繰り返し率や途切れることのない使用における制限を本質的には受けることなく、崩壊堆積物の排出を少なくすることを含んでいる。
【0019】
動作の第2のモードにおいて、電子の発生源は具体的には、所望のプラズマ温度を確立するために、1010〜1013W/cmのオーダーで相互作用の領域へと供給するべきである。これは、パルス化された電子ビームを生成するための電子発生源を制御することにより容易に実現することができ、ここで、パルスの波長は好ましくはジェットの大きさに一致させられる。したがって、電子発生源の繰り返し率は、生成されたX線またはEUV放射線の平均的な出力を決定する。パルス化されたビームを用いるとき、ジェットは電子ビームに付随する不連続な相互作用により分散されるかもしれない。このため、ジェットの伝搬速度は好ましくは、ジェットが電子ビームの各パルス間で安定化可能な程度の速さであるべきである。
【0020】
電子ビームが第1および第2のモードにおいて、連続的でパルス化できることは注目されるべきである。
【0021】
動作の何れのモードにおいても、利用し易い電子ビーム出力の最適な実用化のために、ビームの大きさをジェットの大きさと本質的に一致させるために、ビームがジェットの上に焦点を合わせることが望ましい。これに関連して、点焦点の代わりに線焦点を用いることが可能であり、この線焦点の横方向の寸法はジェットの横方向の寸法に合致している。好ましくはこのジェットは、約1〜100μm程度の直径を有して形成されているが、ミリメータと同じ程度の大きさであっても良い。したがって、この放射は、相互作用の狭い領域から高輝度で照射されるであろう。生成された放射をより良く実用化させるために、この発明による装置および方法は、本質的に、例えば、多数の毛細管状のレンズや、複合屈折レンズや、X線ミラーなどのX線光学と併せて用いられても良い。
【0022】
好ましくは、ターゲットジェットは、吐出口の開口部からおよそ10〜1000m/sのジェット伝搬速度で運ぶために0.5〜500MPaの具体的な範囲の圧力を発生させる、ポンプおよび/または加圧されたリザーバの具体的な手段により、例えばノズルまたはオリフィスのような吐出口の開口部を介して液体状の物質を吹き出させることにより生成されている。この物質は、通常の液体状態の物質に限定されず、例えば吐出口の開口部を介して吹き出される前に加熱されて液体となるような固体の物質でも良いし、または、吐出口の開口部を介して吹き出される前に冷却されて液体となるような気体(ガス)状の物質でも良い。あるいは、この物質は、搬送用担体の液体中に溶解された材料を含むことも可能である。吐出口の開口部を介してガス状の物質を吹き出すこともまた考えられ得ることであり、このガス状の物質は吐出口の開口部を介して吹き出された後は液体ジェットを形成することが可能であるように提供される。この形成の後に、このジェットは、異なる流体力学の状態を達成しても良い。ゆっくりとしたジェットは通常、表面張力の影響の下で層流となり多数の小滴へと分散されるが、高速のジェットは、多かれ少なかれ乱流となって、それらが噴霧へと変化する前に遷移領域で空間的に途切れることはない。このジェットの流体力学的な状態の何れかのタイプは、発明として認められる技術として用いられても良い。その他の創作可能な実施形態においては、ジェットは電子ビームとの間で相互作用する前には固体の状態に凍結させることも許容される。
【0023】
さらに、物質のタイプに依存して、ジェットは電気的に導電性を有していてもいなくても良い。これは、相互作用の領域でのジェットに付着された電荷の運搬に密接な関係を有している。もしもジェットが電気的に導電性を有しているのならば、ジェットが実質的に接地電位のままでいるように、ジェットそれ自身から電荷を除去することができる。一方、もしもジェットが非導電性であるならば、付着された電荷はジェットそれ自身の動きにより、相互作用の領域から除去される。相互作用の領域における電荷の何れの増加も、電子ビームの焦点合わせに影響を与えるであろう。非導電性のジェットでは、高速のジェット伝搬速度が、電荷の増加を最小にするために都合が良い。
【0024】
ガスの雰囲気は、この発明による装置内で変化しても良い。装置内におけるガスの雰囲気の必要な広がりは、生成された放射の所望の波長と、電子の発生源のタイプとの両方に依存している。具体的には、相互領域での真空環境の必要性よりも、電子の発生源での必要性の方が高い。装置における異なる部分で異なる圧力を維持させるために、局所化されたガス圧力と、差別化された排気(ポンピング)の方法を用いることができる。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら、この発明を例証することを目的として好適な実施形態を説明する。
【0026】
図1に示された装置は、チャンバ1と、電子発生源2と、ターゲット生成部3とを備えている。電子発生源2は、パルス化され、または、連続する電子ビーム4をチャンバ1内に照射してターゲット5上でビーム4に焦点を結ばせるために設けられており、ターゲット5はターゲット生成部3により生成される。図1には示されていないが、1つより多い電子ビーム4が生成されても良く、これらのビーム4は、ターゲット5上で1またはそれより多い方向から焦点を合わせられている。加速および合焦素子(図示されない)と協働する電子発生源2は、従来の構成とすることも可能であり、電圧電力源6により動力を供給されている。電子ビーム4の所望の特性に依存して、電子発生源2は簡単なカソード(陰極)源から、例えばレーストラック(競技場・長円)のような複雑な高エネルギー源まで、どのようなものであっても良い。
【0027】
以下にさらに説明するように、(図中に矢印で示された)X線またはEUV放射線は、チャンバ1の内部のターゲット5と相互に作用するビーム4により生成されている。通常、真空環境は、電子発生源2からの要求に基づいて、チャンバ1内に提供される。さらに、物質内への軟X線およびEUV放射線の高吸収は、しばしば高真空環境を結果として必要としている。
【0028】
真空環境の中での顕微鏡で見える程度に微細で空間的に安定したターゲットの生成のために、ターゲット生成部3は、液体状態の物質から空間的に連続するジェット5を生成するために設けられている。図1に示されたターゲット生成部3は、リザーバ7と、具体的にはノズル開口部などのリザーバ7の液体吐出口に接続されてチャンバ1内に開口するジェット形成用の吐出口開口部8とを備えている。リザーバ7は、そこからジェット5が形成されるべきである物質を保持している。物質のタイプに依存して、リザーバ7は、通常0.5〜500MPaの高圧力で、具体的にはリザーバ7のガス吸入口7’へ高圧ガスを供給することにより、吐出口開口部8を介して吹き出されている間、物質の液体状態を持続させるために、(図示しない)冷却または加熱素子を備えることも可能である。吐出口開口部8の直径は、具体的には約100μmよりも小さいものである。安定すると共に顕微鏡的に微細で実質的には吐出口開口部8と同一の直径を有する、結果としてのジェット5は、チャンバ1内で約10−1000m/sの速度で広がっていく。図面には示されないが、ジェット5は、ターゲット生成部3の制御パラメータに依存して、水滴または噴霧状態まで、自然発生的に崩れる崩壊点まで広がることができる。この崩壊点までの距離は本質的には、液体状の物質の流体力学的な性質、吐出口8の寸法、および液体状の物質の速度により決定される。
【0029】
液体状の物質が吐出口の開口部8を離れるとき、この物質は蒸発により冷却される。したがって、ジェット5が凍結されて水滴や噴霧が形成されないようにすることも想到可能である。
【0030】
図面に示されているように、電子ビーム4は、ジェット5が自然発生的に、または刺激により、水滴状に崩壊する前に、すなわち、それが依然として小さな平行なジェットである間に、ジェット5に衝突する。したがって、ビーム4よジェット5との間の相互作用の領域9は、ジェット5の空間的に連続する部分、すなわち、直径を著しく上回る長さを有する部分に配置されている。したがって、装置は、以下に説明するように、X線またはEUV放射線を生成するために、連続的または半連続的に制御可能である。さらに、このような解決方法は、ジェット5の直径と略々同じ大きさとなるべきであるジェット5上の電子ビーム4の焦点スポットを許容するように、結果としてジェット5の空間的な充分な安定性をもたらしている。パルス化された電子ビーム4の場合、この解決方法はまた、電子発生源2とターゲット生成部3との間で何らかの一時的な同期をとる必要性を多少とも軽減している。幾つかの場合において、同じような有利な点が、分離された空間的に連続する部分より構成されるジェットと共に得ることができる。しかしながら、液体ジェットから発生してきた液化された物質の何らかの形成は、この発明の範囲内で、それが液体であろうと固体であろうと、水滴、または水滴の噴霧状、または結合であろうと、空間的に連続している、電子ビーム用のターゲットとして使用することができることは、特に重要となるべきである。
【0031】
ターゲット5の特性と関連して電子ビーム4の特性を適正に転用することにより、ジェット5ついてのビーム4の相互作用は、動作の第1のモードでは、放射が、本質的にはジェット5をプラズマ形成温度にまで加熱することなく、直接変換により、相互作用9の範囲から照射されるということを結果している。動作の第2モードにおいては、適切なプラズマ形成温度にまでジェット5が加熱されるように、これらの特性が適用されている。モードの選択は、生成される放射の所望の波長の範囲に依存している。プラズマに基づく動作は、軟X線およびEUV放射線を生成するために最も効果的であり、すなわち、数十eVから数keVまでの範囲において、本質的には非プラズマとしてであるのに対して、硬X線の生成のため直接変換がより効果的であり、具体的には約10keVから約1000keVの範囲で行なわれる。
【0032】
以下に、第1および第2のモードにおける装置の動作について、一般的な用語により説明する。想像可能な具現化の実施例もまた提示されるが、この明細書の開示内容をこれらの実施例に限定するものではない。
【0033】
特に医療用診断で用いられるべき硬X線の生成を主として目指している、動作の第1のモードにおいては、電子発生源2は、ターゲット5の性質と関連して、相互作用9の領域には本質的にプラズマが形成されないようにして制御されている。これにより、硬X線放射は、ブレムシュトラールングおよび特性線放射を介して得られる。吐出口の開口部8から相互作用領域9までの距離は、具体的には0.5〜10mmと充分に長いことが好ましいので、ビーム−ジェット相互作用は吐出口に衝撃を与えない。1つの想像可能な具体化においては、約30μmの直径と約600m/sの伝搬速度を有するジェット5が用いられており、このジェット5は、約100mAで100keVの電子ビーム4により吐出口の開口部8から約10mm離れて放射されており、ビーム4は、相互作用領域9の範囲内で約10MW/mmの出力密度を得るためにジェット5上に合焦されている。この出力密度は、明細書の冒頭で述べたように、従来の固体ターゲットシステムよりも良好な、概略で100個の因数である。この発明によれば、高解像度の画像が、低露光時間で得ることができる。動作のこの第1のモードにおいて、ジェット5は好ましくは、液体状態にまで加熱された金属から形成される。これに関連して、他の金属や合金は所望の波長の範囲内での放射を生成するために用いられているが、スズ(Sn)は使用するのに容易である。さらに、例えば、液体状態にまで冷却されたガスまたは搬送担体用の液体に溶融された材料のように、ジェット5を生成するために、完全に異なる物質を用いることもまた、想像することができる。第1のモードで動作する装置は、チャンバ1から、患者または他の対象が撮影可能な外部へと生成された放射を引き出すためにX線を透過させる窓(図示されず)を備えていても良い。ターゲットとして顕微鏡的に微細な液体ジェット5を用いることにより、X線放射の大きさは、相互作用領域9の非常に小さい範囲から生成され、その結果として高輝度が得られる。
【0034】
特にEUV射影描画装置で用いられるべき軟X線および/またはEUV放射線を生成することを主として目指している、動作の第2のモードにおいて、電子発生源2は、ターゲット5の特性に関連して、適切な温度でのプラズマが相互作用領域9で形成されるように制御されている。これにより、軟X線および/またはEUV放射線が、連続した特性線放射を介して得られる。好ましくは、パルス化された電子ビーム4がジェット5を照射して、これにより電子発生源2が各電子ビームパルスによりプラズマを形成するように制御される。吐出口の開口部8から相互作用領域9の点までの距離が、具体的には0.5〜10mmと充分に長くなることが好ましいので、生成されたプラズマは吐出口に衝撃を与えない。1つの想像可能な具体化においては、約30μmの直径と約50m/sの伝搬速度を有する液体貴(希)ガスのジェット5が用いられており、このジェット5は、約5nsのパルス長を有する約50kHzの繰り返し率で制御される約10Aで1MeVのパルス化された電子ビーム4により吐出口の開口部8から約10mm離れて放射されており、ビーム4は、相互作用領域9内でパルス当たりで約1012W/cmの出力密度と、2.5kWの平均電子ビーム出力とを得るためにジェット5上に合焦されている。このようなシステムは、次世代のEUV射影描画装置システムのために必要となるEUV出力を概略的に提供することになる。
【0035】
この動作の第2のモードにおいて、電子ビーム4の特定の性質は、その平均出力が充分に高い限りは致命的ではないし、パルスの出力やパルスの時間は、相互作用領域9における適切なプラズマ形成温度を得るためにターゲットに合致している。動作の第2のモードにおいては、ジェット5は、好ましくは、装置内の感度の良い構成素子の被覆を避けるために、貴ガスから冷却されて液体の状態から形成されている。例えば、液化されたキセノンが10〜15nmの波長の範囲での強X線放射を結果として生じることはレーザプラズマ研究から公知である(例えば、2000年、SPIE第3997号会報に掲載された、ハンソン他による文献“EUVリソグラフィーのためのキセノン液体ジェットレーザプラズマ発生源”を参照せよ)。液化された貴ガスに加えて、搬送担体用液体または液化された金属内に溶融された材料のような、ジェットを生成するための完全に異なる物質を使用することも想像可能である。
【0036】
描画装置または顕微鏡に使用されるように設計された第2のモードで動作する装置は、生成されたEUVまたは軟X線放射の大部分を集めてこれを照明光学系および描画/電子顕微鏡システムの残りへと搬送する多層ミラー(図示されず)の集光システムを含んでいても良い。液体の物質から生成されたジェット5の形式による電子顕微鏡的な微細なターゲットを用いることにより、堆積崩壊物生成は非常に少なくなるであろう。第2のモードで動作するこの発明による装置は、LPPシステムと同様の性能を提供するが、たくさんのキロワット級のレーザが非常に複雑で高価であるので、低価格で提供できる能力を有している。さらに、壁用プラグ(コンセント)変換効果レーザよりも高い電子発生源である。
【0037】
電子発生源2が第1のモードのX線生成のために動作させられおよび/またはパルス化された電子放射を照射するときに、液体物質の大部分は電子ビーム4により影響を受けずにそのままの状態を維持し、チャンバ1を介して妨害されないで広がっていくこともまた注目されるべきである。このことは、蒸発のために真空チャンバ1内の圧力が増加する結果となる。この問題は、例えば異なるポンピング方法を用いることにより解決することができ、図1に示されたように、ジェット5が小さなアパーチャ(開口)10で集められ、集められた物質を圧縮してリザーバ7にフィードバックさせるポンプ11の手段により、リザーバ7で再生利用される。
【0038】
この発明による方法および装置が、医療用の診断、非破壊検査、パターン転写(リソグラフィー)、結晶分析、顕微鏡による検査、材料科学、顕微鏡表面物理学、X線回折によるタンパク質の構造決定、X線写真分光法(XPS)、蛍光X線、またはその他のX線またはEUV応用技術のための放射を提供するために使用することができることを実現するべきである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の現時点で好適な実施形態に係る電子ビームと液体ジェットとの相互作用によるX線またはEUV放射線生成装置の概略構成図である。
【符号の説明】
2 電子発生源
3 ターゲット生成器
4 電子ビーム
5 ターゲットジェット
7 リザーバ
8 吐出口の開口部
9 相互作用の領域
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention generally relates to a method and apparatus for generating X-ray or extreme ultraviolet (hereinafter referred to as EUV-extreme ultra-violet) radiation, and more particularly to a method and apparatus having high brightness. The generated radiation can be used, for example, in medical diagnostics, non-destructive inspection, lithography (patterning technology), microscopy, material science, or other X-ray or extreme ultraviolet applications.
[0002]
[Prior art]
High-power and high-intensity X-ray sources are applied in many fields such as medical diagnosis, non-destructive inspection, crystal structure analysis, surface physics, lithography, X-ray fluorescence and microscopy.
[0003]
In some applications, X-rays are used to image the interior of objects that do not pass visible light, for example in medical diagnostics and material inspection, where 10-1000 keV X-ray radiation, i.e. Hard X-ray radiation has been put into practical use. Conventional hard x-ray sources in which the electron beam is accelerated relative to the solid anode (anode) generate relatively low brightness x-ray radiation. In imaging with hard X-rays, the resolution of the obtained image depends on the distance to the X-ray source and the size of the source. The exposure time depends on the distance to the radiation source and the output of the radiation source. Actually, this exposure time is exchanged between the resolution and the exposure time for imaging with X-rays. This attempt has always been to extract the largest possible X-ray output from the smallest possible source, i.e. to achieve high brightness. In conventional solid target sources, X-rays are emitted as a series of both Bremsstrahlung and characteristic linear radiation, where the specific radiation characteristics depend on the material used for the target. ing. The energy that is not converted to X-ray irradiation is stored primarily as heat in the solid target. The main element of X-ray irradiation emitted from conventional X-ray tubes that limits output and brightness is to heat the anode (anode). More specifically, the output of the electron beam should be limited to a range such that the anode material does not melt. Several different methods (schemes) have been introduced to increase output limits. One such scheme involves cooling and rotating the anode, for example, by E. Krestel from Siemens Actienguesselshaft in Berlin and Munich in 1990. See Chapters 3 and 7 of “Medical Imaging System”, authored by. Although the cooled and rotating anode can maintain a higher electron beam power, its brightness is still limited by locally heating the focus of the electron beam. Since the same target material is used for each rotation, the average output load is also limited. Specifically, a very high intensity radiation source for medical diagnosis is 100 kW / mm 2 In the current state of the art, the low-power microfocus device operates at 150 kW / mm 2 Works with.
[0004]
Implementations in the region of soft X-ray and EUV wavelengths (from tens of eV to several keV) include, for example, next generation lithography and X-ray microscope systems. Ever since the 1960s, the size of the structures that form the basis of integrated electronic circuits has been continually shrinking. Its advantages are faster and more complex circuits that require less power. At present, photographic exposure apparatuses are used for industrial production of such circuits having a line width of approximately 0.13 μm. It can be expected that this technique should be applied by reducing it to approximately 0.1 to 0.07 μm. Other methods will probably be needed to further reduce linewidths, and EUV irradiation lithography will be a strong candidate for that method. For example, in 1999, International Sematech, Austin TX See International Technology Roadmap for The use of EUV irradiation lithography is achieved by reducing the number of EUV target systems in the wavelength region around 10 to 20 nm.
[0005]
In the soft x-ray and EUV regions, the conventional efficiency for soft x-ray radiation from the electron beam energy at the solid target is generally too low compared to the conventional generation of hard x-ray radiation described above. So different methods for the generation of radiation are usually used. D. T. T. et al. As disclosed in Chapter 6 of Atward, Cambridge University Press, 1999, "Soft X-rays and Ultra-UV radiation: Principles and applications" (approximately 10 10 -10 23 W / cm 2 In order to generate a hot and dense plasma, such as using extremely intense laser radiation, conventional techniques have been substituted for the generation of soft x-ray and EUV radiation based on heating the target material. Has been done. These so-called plasma generated lasers (LPPs) emit both continuous and characteristic radiation, and the specific radiation characteristics depend on the target material and the temperature of the plasma. Traditional LPPX sources that use solid target materials are limited in terms of repetition rate and uninterrupted use, because the transport of the target material is a limiting factor, and due to unwanted release of decay deposits. Be disturbed. This is the case with gas jets (eg, US Pat. No. 5,577,092 and 1996, Optics and Optical Communications, Vol. 4, p. 66, OSA Trends publication, paper by Kubiak et al. EUV source released from sediment ") and liquid jets (eg, US Pat. No. 6,002,744 and 1996, Review of Scientific Instruments, Vol. 67, No. 4150). Leading to the development of renewable and collapsible deposits, including a paper by Malmukvist et al. (See "Liquid jet for soft x-ray generated laser plasma"). These targets were frequently used with LPP soft x-ray and EUV radiation sources. However, the applicability of LPP sources is limited by the relatively low conversion efficiency of electrical energy into laser light, which also limits the conversion efficiency of laser light into X-ray radiation, An inevitable result involved the use of expensive high power lasers.
[0006]
Most recently, the excitation of an electron beam in a gas jet target has been tested for the direct generation of soft x-ray radiation without the use of heat, even if the resulting radiation is relatively low power. See Ter Abbatsian et al., 2000, SPIE Proceedings No. 4060, pages 204-208.
[0007]
Larger installations such as synchrotron light sources have also been proposed, which produce X-ray radiation with high average power and brightness. However, there are many applications that require small, small-scale systems that produce x-ray radiation with relatively high average power and brightness. Smaller and less expensive systems provide better usability for the applied user, and are therefore potentially of greater value to science and society.
[0008]
Summary of the Invention
An object of the present invention is to solve or reduce the above-described problems. More particularly, the present invention aims to provide a method and apparatus for generating X-ray or EUV radiation with very high brightness combined with a relatively high average output.
[0009]
It is a further object of the present invention to provide a small and relatively inexpensive apparatus for producing X-ray or EUV radiation.
[0010]
Inventive technology should also provide for stable and simple generation of X-ray or EUV radiation, with minimal generation of decay deposits.
[0011]
It is a further object of the present invention to provide a method and apparatus for generating stable radiation for medical diagnosis and material inspection.
[0012]
Still other objects of the present invention include lithography (exposure apparatus), destructive inspection, electron microscope, crystal analysis, surface physics, material science, X-ray photospectroscopy, protein structure determination by X-ray diffraction, and other It is an object of the present invention to provide a method and apparatus for stabilizing the use in X-ray applications.
[0013]
The above and other objects, which will become apparent from the following detailed description, are achieved in whole or in part by methods and apparatus according to the independent claims of the appended claims. The dependent claims define preferred embodiments.
[0014]
Accordingly, the present invention is a method for generating X-ray or EUV radiation that enhances through a region of interaction by ejecting a liquid substance under pressure through an opening in an ejection opening. Forming a jet; directing at least one electron beam relative to the target jet in the region of interaction and the electron beam interacting with the target jet to produce X-rays or EUV radiation A method comprising the steps of:
[0015]
Depending on the material of the target jet, the temperature, velocity and diameter of the jet as well as the current, voltage and focus size of the electron beam, the inventive method and apparatus has two modes. Either operation is allowed. In the first mode of operation, hard X-ray radiation converts the energy of the electron beam directly to Bremströng and characteristic linear irradiation, essentially without heating the jet to the plasma formation temperature. It is generated by. In the second mode of operation, soft x-ray or EUV radiation is generated by heating the jet to the plasma formation temperature. In any mode of operation, the present invention provides a significant improvement over the prior art level.
[0016]
In the first mode of operation, the target jet offers several advantages over the solid anode (anode) conventionally used in the generation of hard x-ray radiation. More particularly, the liquid jet has a sufficiently high density to allow high brightness and output of the generated radiation. In addition, the jet can be regenerated to its nature, so there is no need to cool the target material. In practice, the target material can be destroyed, in other words, due to the reproducible nature of the target jet, it can be heated to a temperature above its melting temperature. Therefore, the power density of the electron beam at the target may increase significantly compared to a target with no reproducibility. In addition, this jet can be given a very fast propagation velocity through the region of interaction. Because of the corresponding high speed of the material moving into the area of interaction compared to a conventional stationary or rotating anode, more energy can be expended in the propagation of jets at such high speeds. is there. The combination of these features allows a significant improvement in the brightness of the generated hard X-ray radiation. Therefore, the use of a high-speed target that can be reproduced in a small, high-density manner in the form of a jet formed by discharging a liquid material under pressure through the opening of the discharge port is specifically a conventional technique. Compared to the above, a 100-fold improvement in the brightness of the generated hard X-ray radiation should be allowed.
[0017]
Thus, in order to achieve the power density allowed by the new and reproducible target, the electron beam should preferably be properly focused (focused) on the target. Specifically, the acceleration voltage used for generating the electron beam will be in the order of 5 to 500 kV, but may be higher. The beam current will specifically be in the range of the order of 10 to 1000 mA, but may be higher.
[0018]
A second mode of operation has arisen from basic insights that can be used in place of a laser beam to form soft x-ray or EUV radiation that is irradiated with plasma by at least one electron beam. Compared to the conventional device based on the LPP concept described above, the method and device according to the present invention has a wall-plug wall-plug as well as lower cost and configuration complexity. Giving a noticeable increase in conversion efficiency. Other attractive features include reducing collapse sediment emissions, essentially without being limited by repetition rates or uninterrupted use.
[0019]
In the second mode of operation, the source of electrons is specifically 10 to establish the desired plasma temperature. 10 -10 13 W / cm 2 Should be fed into the area of interaction on the order of This can be easily achieved by controlling the electron source for generating the pulsed electron beam, where the pulse wavelength is preferably matched to the jet size. Thus, the repetition rate of the electron source determines the average output of the generated X-ray or EUV radiation. When using a pulsed beam, the jet may be dispersed by the discontinuous interaction associated with the electron beam. For this reason, the jet propagation speed should preferably be fast enough to allow the jet to stabilize between each pulse of the electron beam.
[0020]
It should be noted that the electron beam can be continuous and pulsed in the first and second modes.
[0021]
In any mode of operation, the beam is focused on the jet so that the beam size is essentially matched to the jet size for optimal utilization of the accessible electron beam power. Is desirable. In this connection, it is possible to use a line focus instead of a point focus, and the lateral dimension of this line focus matches the lateral dimension of the jet. The jet is preferably formed with a diameter of about 1 to 100 μm, but may be as large as a millimeter. This radiation will therefore be illuminated with high brightness from a narrow region of interaction. In order to make the generated radiation better practical, the apparatus and method according to the invention are essentially combined with X-ray optics such as, for example, a number of capillary lenses, a compound refractive lens, and an X-ray mirror. May be used.
[0022]
Preferably, the target jet is pumped and / or pressurized to generate a pressure in the specific range of 0.5-500 MPa to carry at a jet propagation speed of approximately 10-1000 m / s from the opening of the outlet. For example, the liquid substance is generated by blowing the liquid substance through the opening of the discharge port such as a nozzle or an orifice by a specific means of the reservoir. This substance is not limited to a normal liquid substance, and may be a solid substance that is heated to become liquid before being blown out through the opening of the discharge port, or the opening of the discharge port. It may be a gaseous substance that is cooled to be liquid before being blown out through the section. Alternatively, the substance can include a material dissolved in the liquid of the carrier for transportation. It is also conceivable that a gaseous substance is blown out through the opening of the discharge port, and this gaseous substance can form a liquid jet after being blown out through the opening of the discharge port. Provided as possible. After this formation, the jet may achieve different hydrodynamic conditions. Slow jets are usually laminar and dispersed into a large number of droplets under the influence of surface tension, while high speed jets become more or less turbulent and before they turn into a spray There is no spatial break in the transition region. Any type of hydrodynamic state of this jet may be used as a recognized art. In other creatable embodiments, the jet is allowed to freeze into a solid state before interacting with the electron beam.
[0023]
Further, depending on the type of material, the jet may or may not be electrically conductive. This is closely related to the transport of charge attached to the jet in the region of interaction. If the jet is electrically conductive, charge can be removed from the jet itself so that the jet remains substantially at ground potential. On the other hand, if the jet is non-conductive, the attached charge is removed from the area of interaction by the movement of the jet itself. Any increase in charge in the area of interaction will affect the focusing of the electron beam. For non-conductive jets, a high jet propagation velocity is advantageous to minimize charge buildup.
[0024]
The gas atmosphere may vary within the apparatus according to the invention. The required spread of the gas atmosphere within the device depends on both the desired wavelength of the generated radiation and the type of source of electrons. Specifically, the necessity for the electron generation source is higher than the necessity for the vacuum environment in the mutual region. In order to maintain different pressures at different parts of the device, localized gas pressures and differentiated pumping methods can be used.
[0025]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Preferred embodiments will be described below with reference to the accompanying drawings for the purpose of illustrating the present invention.
[0026]
The apparatus shown in FIG. 1 includes a chamber 1, an electron generation source 2, and a target generation unit 3. The electron generation source 2 is provided in order to focus the beam 4 on the target 5 by irradiating the chamber 1 with a pulsed or continuous electron beam 4, and the target 5 is a target generator 3. Is generated by Although not shown in FIG. 1, more than one electron beam 4 may be generated and these beams 4 are focused on the target 5 from one or more directions. The electron source 2 cooperating with an accelerating and focusing element (not shown) can be of conventional construction and is powered by a voltage power source 6. Depending on the desired properties of the electron beam 4, the electron source 2 can be anything from a simple cathode source to a complex high-energy source such as a racetrack (ellipse). It may be.
[0027]
As described further below, X-ray or EUV radiation (indicated by arrows in the figure) is generated by a beam 4 that interacts with a target 5 inside the chamber 1. Usually, a vacuum environment is provided in the chamber 1 based on a request from the electron source 2. Furthermore, the high absorption of soft X-rays and EUV radiation into the material often results in a high vacuum environment.
[0028]
In order to generate a target that is so fine and spatially stable as to be visible with a microscope in a vacuum environment, the target generator 3 is provided to generate a spatially continuous jet 5 from a liquid state substance. ing. The target generation unit 3 shown in FIG. 1 is connected to a liquid discharge port of a reservoir 7, specifically a nozzle opening such as a nozzle opening, and has a discharge port opening 8 for forming a jet that opens into the chamber 1. And. The reservoir 7 holds the substance from which the jet 5 is to be formed. Depending on the type of substance, the reservoir 7 is usually at a high pressure of 0.5 to 500 MPa, specifically by supplying a high pressure gas to the gas inlet 7 ′ of the reservoir 7, thereby opening the outlet opening 8. It is also possible to provide a cooling or heating element (not shown) in order to maintain the liquid state of the substance while it is being blown through. Specifically, the diameter of the discharge opening 8 is smaller than about 100 μm. The resulting jet 5, which is stable and microscopic and has substantially the same diameter as the outlet opening 8, spreads in the chamber 1 at a speed of about 10-1000 m / s. Although not shown in the drawing, the jet 5 can extend to a collapse point that spontaneously collapses to a water droplet or spray state depending on the control parameters of the target generator 3. The distance to this collapse point is essentially determined by the hydrodynamic properties of the liquid substance, the dimensions of the outlet 8 and the speed of the liquid substance.
[0029]
When the liquid substance leaves the outlet opening 8, the substance is cooled by evaporation. Therefore, it is also conceivable that the jet 5 is not frozen to form water droplets or sprays.
[0030]
As shown in the drawing, the electron beam 4 is jetted before the jet 5 collapses into water droplets spontaneously or by stimulation, ie while it is still a small parallel jet. Collide with. Accordingly, the region 9 of interaction between the beam 4 and the jet 5 is arranged in a spatially continuous part of the jet 5, ie a part having a length significantly exceeding the diameter. Thus, the apparatus can be controlled continuously or semi-continuously to produce X-ray or EUV radiation, as described below. Furthermore, such a solution results in a sufficient spatial stability of the jet 5 as a result to allow a focal spot of the electron beam 4 on the jet 5 which should be approximately as large as the diameter of the jet 5. Bringing sex. In the case of a pulsed electron beam 4, this solution also alleviates the need for some temporary synchronization between the electron source 2 and the target generator 3. In some cases, similar advantages can be obtained with a jet composed of separated spatially continuous portions. However, any formation of the liquefied material generated from the liquid jet is within the scope of this invention, whether it is a liquid or solid, a water droplet, or a spray or combination of water droplets. It should be particularly important to be able to be used as a target for an electron beam that is continuously continuous.
[0031]
By appropriately diverting the characteristics of the electron beam 4 in relation to the characteristics of the target 5, the interaction of the beam 4 with the jet 5 is such that the radiation in the first mode of operation is essentially the jet 5. This results in irradiation from the range of interaction 9 by direct conversion without heating to the plasma formation temperature. In the second mode of operation, these characteristics are applied so that the jet 5 is heated to the appropriate plasma formation temperature. The choice of mode depends on the desired wavelength range of the generated radiation. Plasma-based operation is most effective for generating soft x-ray and EUV radiation, i.e., essentially as non-plasma in the range of tens to several keV, whereas Direct conversion is more effective for the generation of hard X-rays, specifically in the range of about 10 keV to about 1000 keV.
[0032]
Hereinafter, the operation of the apparatus in the first and second modes will be described in general terms. Examples of imaginable implementations are also presented, but the disclosure of this specification is not limited to these examples.
[0033]
In the first mode of operation, which is mainly aimed at producing hard X-rays that are to be used in medical diagnostics in particular, the electron source 2 is associated with the nature of the target 5 in the region of interaction 9. It is controlled so that essentially no plasma is formed. Thereby, hard X-ray radiation is obtained via Blemströng and characteristic radiation. Specifically, the distance from the opening 8 of the discharge port to the interaction region 9 is preferably sufficiently long, specifically 0.5 to 10 mm, so that the beam-jet interaction does not impact the discharge port. In one imaginable embodiment, a jet 5 having a diameter of about 30 μm and a propagation velocity of about 600 m / s is used, which is opened at the outlet by an electron beam 4 of about 100 mA and 100 keV. Being emitted about 10 mm away from the part 8, the beam 4 is about 10 MW / mm within the interaction region 9. 2 In order to obtain a power density of This power density is roughly a factor of 100, better than the conventional solid target system, as mentioned at the beginning of the specification. According to the present invention, a high-resolution image can be obtained with a low exposure time. In this first mode of operation, the jet 5 is preferably formed from a metal that has been heated to a liquid state. In this regard, other metals and alloys have been used to produce radiation within the desired wavelength range, but tin (Sn) is easy to use. Furthermore, it is also conceivable to use completely different substances to produce the jet 5, for example a material cooled to a liquid state or a material melted in a liquid for a carrier. . The device operating in the first mode may comprise a window (not shown) that transmits X-rays to extract radiation generated from the chamber 1 to the outside where a patient or other object can be imaged. good. By using a microscopic liquid jet 5 as a target, the magnitude of the X-ray radiation is generated from a very small range of the interaction region 9, resulting in high brightness.
[0034]
In a second mode of operation, which is mainly aimed at producing soft X-rays and / or EUV radiation to be used in particular in EUV projection lithography apparatus, the electron source 2 is related to the properties of the target 5, It is controlled so that a plasma at an appropriate temperature is formed in the interaction region 9. Thereby, soft X-rays and / or EUV radiation is obtained via continuous characteristic radiation. Preferably, the pulsed electron beam 4 irradiates the jet 5 so that the electron source 2 is controlled to form a plasma by each electron beam pulse. Since the distance from the opening 8 of the discharge port to the point of the interaction region 9 is preferably sufficiently long, specifically 0.5 to 10 mm, the generated plasma does not impact the discharge port. In one imaginable embodiment, a liquid noble (noble) gas jet 5 having a diameter of about 30 μm and a propagation velocity of about 50 m / s is used, and this jet 5 has a pulse length of about 5 ns. It is emitted about 10 mm away from the outlet opening 8 by a 1 MeV pulsed electron beam 4 at about 10 A controlled at a repetition rate of about 50 kHz, and the beam 4 is pulsed in the interaction region 9. About 10 per hit 12 W / cm 2 Is focused on the jet 5 in order to obtain a power density of 2.5 kW and an average electron beam power of 2.5 kW. Such a system will generally provide the EUV output required for the next generation EUV projection lithography system.
[0035]
In the second mode of operation, the particular nature of the electron beam 4 is not fatal as long as its average power is sufficiently high, and the power of the pulse and the time of the pulse are not suitable for proper plasma formation in the interaction region 9. Match the target to get the temperature. In the second mode of operation, the jet 5 is preferably formed from a liquid state cooled from a noble gas to avoid coating sensitive components in the apparatus. For example, it is known from laser plasma studies that liquefied xenon results in strong X-ray radiation in the wavelength range of 10-15 nm (eg, Hanson published in SPIE 3997, 2000). (See the document "Xenon liquid jet laser plasma source for EUV lithography" by others). In addition to the liquefied noble gas, it is also conceivable to use completely different substances for producing jets, such as transport carrier liquids or materials melted in liquefied metal.
[0036]
An apparatus operating in a second mode designed to be used in a lithography apparatus or microscope collects most of the generated EUV or soft x-ray radiation and collects it in the illumination optics and lithography / electron microscope system. A condensing system for a multilayer mirror (not shown) that transports to the rest may be included. By using an electron microscopic fine target in the form of a jet 5 generated from a liquid material, the formation of sedimentary collapse will be very low. The device according to the invention operating in the second mode offers the same performance as an LPP system, but has the ability to be offered at a low price since many kilowatt lasers are very complex and expensive. Yes. Furthermore, it is an electron source higher than the wall plug (outlet) conversion effect laser.
[0037]
When the electron source 2 is operated for generating X-rays in the first mode and / or irradiates pulsed electron radiation, most of the liquid material remains unaffected by the electron beam 4. It should also be noted that this condition is maintained and spreads uninterrupted through the chamber 1. This results in an increase in the pressure in the vacuum chamber 1 due to evaporation. This problem can be solved, for example, by using different pumping methods, as shown in FIG. 1, where the jet 5 is collected at a small aperture (opening) 10 and the collected material is compressed to compress the reservoir 7 Recycled in the reservoir 7 by means of the pump 11 for feedback to
[0038]
The method and apparatus according to the present invention provides medical diagnostics, non-destructive inspection, pattern transfer (lithography), crystal analysis, microscopic inspection, materials science, microscopic surface physics, protein structure determination by X-ray diffraction, X-ray photography It should be realized that it can be used to provide radiation for spectroscopy (XPS), X-ray fluorescence, or other X-ray or EUV applications.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an X-ray or EUV radiation generation apparatus based on an interaction between an electron beam and a liquid jet according to a presently preferred embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
2 electron source
3 Target generator
4 Electron beam
5 Target jet
7 Reservoir
8 Discharge port opening
9 Areas of interaction

Claims (35)

X線またはEUV放射線を生成するための方法であって、
圧力下で液体の物質を吐出口の開口部を介して吐出させることにより、相互作用の領域(9)を介して強くするターゲットジェット(5)を形成するステップと;
前記相互作用の領域(9)における前記ターゲットジェット(5)に対して少なくとも1つの電子ビーム(4)を方向付けて、この電子ビーム(4)がX線またはEUV放射線を生成するために前記ターゲットジェット(5)と相互に作用するステップと;
を備えるX線またはEUV放射線発生方法。
A method for generating X-ray or EUV radiation comprising:
Forming a target jet (5) to be strengthened through the interaction region (9) by discharging a liquid substance under pressure through the opening of the discharge port;
Directing at least one electron beam (4) to the target jet (5) in the region of interaction (9), the electron beam (4) generating the X-ray or EUV radiation Interacting with the jet (5);
A method for generating X-ray or EUV radiation comprising:
前記物質は、過熱されて液体状態となる、好ましくは金属の、固体材料を含む請求項1に記載の方法。2. A method according to claim 1, wherein the substance comprises a solid material, preferably metallic, which is heated to a liquid state. 前記物質は、冷却されて液体状態となる、好ましくは貴ガスの、気体を含む請求項1に記載の方法。2. A method according to claim 1, wherein the substance comprises a gas, preferably a noble gas, which is cooled to a liquid state. 本質的には前記ジェット(5)をプラズマ形成温度にまで加熱することなく、ブレムシュトラールング(Bremsstrahlung)および特性直線放射が硬X線領域内で生成されるような強度で、前記ジェット(5)と相互作用させるために、前記電子ビーム(4)を制御するステップをさらに備える請求項1ないし3の何れかに記載の方法。Essentially the intensity of the Bremsstrahlung and characteristic linear radiation generated in the hard X-ray region without heating the jet (5) to the plasma formation temperature. 4. A method according to any of claims 1 to 3, further comprising the step of controlling the electron beam (4) to interact with it. 軟X線放射またはEUV放射線が生成されるように、前記ジェットがプラズマ形成温度にまで過熱されるような強度で、前記ジェット(5)と相互作用させるために、前記電子ビーム(4)を制御するステップをさらに備える請求項1ないし3に記載の方法。The electron beam (4) is controlled to interact with the jet (5) at such an intensity that the jet is superheated to the plasma formation temperature so that soft X-ray radiation or EUV radiation is generated. The method according to claim 1, further comprising the step of: 前記ジェット(5)は、前記相互作用の領域(9)においては固体の状態である請求項1ないし5の何れかに記載の方法。6. The method according to claim 1, wherein the jet (5) is in a solid state in the area of interaction (9). 前記ジェット(5)は、前記相互作用の領域(9)においては液体の状態である請求項1ないし5の何れかに記載の方法。6. The method according to claim 1, wherein the jet (5) is in a liquid state in the area of interaction (9). 前記ビーム(4)は、前記相互作用の領域(9)における前記ジェット(5)の空間的に連続する部分で相互に作用する請求項1ないし7の何れかに記載の方法。A method according to any of the preceding claims, wherein the beam (4) interacts with a spatially continuous portion of the jet (5) in the interaction region (9). 前記ビーム(4)は、前記相互作用の領域(9)における少なくとも1つの水滴と相互に作用する請求項7に記載の方法。The method according to claim 7, wherein the beam (4) interacts with at least one water droplet in the area of interaction (9). 前記ビーム(4)は、前記相互作用の領域(9)における複数の水滴または結合(clusters)の噴霧(spray)と相互に作用する請求項7ないし9の何れかに記載の方法。10. A method according to any one of claims 7 to 9, wherein the beam (4) interacts with a plurality of water droplets or sprays of clusters in the area of interaction (9). 前記電子ビーム(4)は、吐出口開口部(8)からの0.5〜10mmの範囲での距離で前記ジェット(5)との間で相互に作用する請求項1ないし10の何れかに記載の方法。11. The electron beam (4) interacts with the jet (5) at a distance in the range of 0.5 to 10 mm from the outlet opening (8). The method described. 前記電子ビーム(4)は、前記ジェット(5)の横断面に前記電子ビーム(4)の横断面が本質的に合致するように、前記ジェット(5)上で焦点を結んでいる請求項1ないし11の何れかに記載の方法。The electron beam (4) is focused on the jet (5) such that the cross section of the electron beam (4) essentially matches the cross section of the jet (5). The method in any one of thru | or 11. 前記ジェット(5)は、約1〜10000μmの直径で形成されている請求項1ないし12の何れかに記載の方法。13. A method according to any of the preceding claims, wherein the jet (5) is formed with a diameter of about 1 to 10000 [mu] m. 前記電子ビーム(4)は、10〜1000mAの範囲のビーム電流を伴う5〜500kVの範囲の加速電圧の手段により、生成されている請求項1ないし13の何れかに記載の方法。The method according to any of the preceding claims, wherein the electron beam (4) is generated by means of an acceleration voltage in the range of 5 to 500 kV with a beam current in the range of 10 to 1000 mA. 少なくとも1つのパルス化された電子ビーム(4)が、ジェット(5)の上に方向付けられている請求項1ないし14の何れかに記載の方法。15. A method according to any of the preceding claims, wherein at least one pulsed electron beam (4) is directed onto the jet (5). 少なくとも1つの連続する電子ビーム(4)が、ジェット(5)の上に方向付けられている請求項1ないし15の何れかに記載の方法。The method according to any of the preceding claims, wherein at least one continuous electron beam (4) is directed onto the jet (5). X線またはEUV放射線を生成する装置であって、
吐出口開口部を介して圧力下で液体の物質に作用することによりターゲットジェットを形成し、このターゲットジェットは相互作用の領域を介して広げられるように設けられたターゲット生成器(3)と、
相互作用の領域(9)における前記ジェット(5)における少なくとも1つの電子ビーム(4)を提供するための電子発生源(2)と、を備え、
前記放射は、前記ジェット(5)と相互に作用する前記ビーム(4)により生成されている装置。
An apparatus for generating X-ray or EUV radiation,
A target generator (3) provided to form a target jet by acting on a liquid substance under pressure through an outlet opening, the target jet being extended through an area of interaction;
An electron source (2) for providing at least one electron beam (4) in the jet (5) in a region of interaction (9),
The device wherein the radiation is generated by the beam (4) interacting with the jet (5).
前記物質は、加熱されて液体状態となる、好ましくは金属である固体を含む請求項17に記載の装置。18. Apparatus according to claim 17, wherein the substance comprises a solid, preferably a metal, which is heated to a liquid state. 前記物質は、冷却されて液体状態となる、好ましくは貴ガスである気体を含む請求項17に記載の装置。18. Apparatus according to claim 17, wherein the substance comprises a gas, preferably a noble gas, that is cooled to a liquid state. 前記電子発生源(2)は、本質的には前記ジェット(5)をプラズマ形成温度にまで加熱することなく、ブレムシュトラールング(Bremsstrahlung)および特性直線放射が硬X線領域内で生成されるような強度で、前記ジェット(5)との間で前記電子ビーム(4)を相互作用させることを達成させるために、制御可能である請求項17ないし19の何れかに記載の方法。The electron generation source (2) essentially generates Bremsstrahlung and characteristic linear radiation in the hard X-ray region without heating the jet (5) to the plasma formation temperature. 20. Method according to any of claims 17 to 19, which is controllable in order to achieve the interaction of the electron beam (4) with the jet (5) at a high intensity. 前記電子発生源(2)は、軟X線放射またはEUV放射線が生成されるように前記ジェットがプラズマ形成温度にまで過熱されるような強度で、前記ジェット(5)との相互作用を結果させるように、制御可能である請求項17ないし19の何れかに記載の装置。The electron source (2) results in an interaction with the jet (5) at such an intensity that the jet is superheated to the plasma formation temperature so that soft X-ray radiation or EUV radiation is generated. 20. A device according to any of claims 17 to 19, which is controllable. 前記ターゲット生成器(3)は、相互作用の領域(9)における凝縮された物質を提供するように、制御可能である請求項17ないし21の何れかに記載の装置。22. A device according to any of claims 17 to 21, wherein the target generator (3) is controllable to provide condensed material in the area of interaction (9). 前記ターゲット生成器(3)は、相互作用の領域(9)における、少なくとも1つの水滴により、または複数の水滴またはその結合の噴霧により、前記ジェット(5)の空間的に連続する部分を提供するように制御可能である請求項17ないし21に記載の装置。The target generator (3) provides a spatially continuous portion of the jet (5) in the region of interaction (9) by at least one water droplet or by spraying a plurality of water droplets or a combination thereof. The device according to claim 17, which is controllable as described above. 前記電子発生源(2)は、前記吐出口の開口部(8)から0.5〜10mmの範囲の距離で前記電子ビーム(4)を前記ジェット(5)上に方向付けるように制御可能である請求項17ないし23の何れかに記載の装置。The electron source (2) is controllable to direct the electron beam (4) onto the jet (5) at a distance in the range of 0.5 to 10 mm from the opening (8) of the discharge port. 24. An apparatus according to any of claims 17 to 23. 前記電子発生源(2)は、前記電子ビーム(4)の焦点を前記ジェット(5)上で結ばせることにより、前記電子ビーム(4)横断面と前記ジェット(5)の横断面とを本質的に合致させるように制御可能である請求項17ないし24の何れかに記載の装置。The electron generation source (2) has a cross section of the electron beam (4) and a cross section of the jet (5) by focusing the electron beam (4) on the jet (5). 25. An apparatus as claimed in any one of claims 17 to 24, which is controllable to automatically match. 前記ターゲット生成器(3)は、約1〜10000μmの直径を備えるジェット(5)を生成するために適合されている請求項17ないし25の何れかに記載の装置。26. Apparatus according to any of claims 17 to 25, wherein the target generator (3) is adapted to generate a jet (5) having a diameter of about 1 to 10000 [mu] m. 前記電子発生源(2)は、5〜500kVの範囲の加速電圧と、10〜1000mAの範囲の平均ビーム電流を有する電子ビーム(4)との手段により、電子ビーム(4)を生成するように制御可能である請求項17ないし26の何れかに記載の装置。The electron source (2) generates an electron beam (4) by means of an acceleration voltage in the range of 5 to 500 kV and an electron beam (4) having an average beam current in the range of 10 to 1000 mA. 27. A device according to any of claims 17 to 26, which is controllable. 前記電子発生源(2)は、少なくとも1つのパルス化された電子ビーム(4)の生成のために制御可能である請求項17ないし27の何れかに記載の装置。28. Apparatus according to any of claims 17 to 27, wherein the electron source (2) is controllable for the generation of at least one pulsed electron beam (4). 前記電子発生源(2)は、少なくとも1つの連続する電子ビーム(4)の生成のために制御可能である請求項17ないし28の何れかに記載の装置。29. Apparatus according to any of claims 17 to 28, wherein the electron source (2) is controllable for the production of at least one continuous electron beam (4). 請求項1ないし16の何れかに記載の方法または請求項17ないし29の何れかに記載の医療診断用の装置により生成された放射の使用方法。30. A method of using radiation generated by a method according to any of claims 1 to 16 or a medical diagnostic device according to any of claims 17 to 29. 請求項1ないし16の何れかに記載の方法または請求項17ないし29の何れかに記載の非破壊検査用の装置により生成された放射の使用方法。30. A method of using radiation generated by a method according to any of claims 1 to 16 or an apparatus for non-destructive inspection according to any of claims 17 to 29. 請求項1ないし16の何れかに記載の方法または請求項17ないし29の何れかに記載のEUV投射パターン描画装置(リソグラフィー)用の装置により生成された放射の使用方法。30. A method of using radiation generated by a method according to any of claims 1 to 16 or an apparatus for EUV projection pattern writing apparatus (lithography) according to any of claims 17 to 29. 請求項1ないし16の何れかに記載の方法または請求項17ないし29の何れかに記載の液晶分析用の装置により生成された放射の使用方法。30. A method of using radiation generated by a method according to any of claims 1 to 16 or an apparatus for liquid crystal analysis according to any of claims 17 to 29. 請求項1ないし16の何れかに記載の方法または請求項17ないし29の何れかに記載の顕微鏡用の装置により生成された放射の使用方法。30. Use of radiation generated by the method according to any of claims 1 to 16 or the microscope apparatus according to any of claims 17 to 29. 請求項1ないし16の何れかに記載の方法または請求項17ないし29の何れかに記載のX線回折によるタンパク質構造決定のための装置により生成された放射の使用方法。30. Use of radiation generated by the method according to any of claims 1 to 16 or the apparatus for protein structure determination by X-ray diffraction according to any of claims 17 to 29.
JP2002515466A 2000-07-28 2001-07-18 X-ray generation method and apparatus Expired - Lifetime JP5073146B2 (en)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE0002785-4 2000-07-28
SE0002785A SE0002785D0 (en) 2000-07-28 2000-07-28 Method and apparatus for generating x-ray or EUV radiation as well as use thereof
SE0003073-4 2000-08-31
SE0003073A SE522150C2 (en) 2000-08-31 2000-08-31 Generating X=ray or extreme UV radiation by directing electron beams onto liquid metal or liquefied noble gas to generate soft radiation
PCT/SE2001/001646 WO2002011499A1 (en) 2000-07-28 2001-07-18 Method and apparatus for generating x-ray or euv radiation

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004505421A true JP2004505421A (en) 2004-02-19
JP5073146B2 JP5073146B2 (en) 2012-11-14

Family

ID=26655193

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002515466A Expired - Lifetime JP5073146B2 (en) 2000-07-28 2001-07-18 X-ray generation method and apparatus

Country Status (7)

Country Link
EP (1) EP1305984B1 (en)
JP (1) JP5073146B2 (en)
CN (1) CN1272989C (en)
AT (1) ATE489838T1 (en)
AU (1) AU2001272873A1 (en)
DE (1) DE60143527D1 (en)
WO (1) WO2002011499A1 (en)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009537062A (en) * 2006-05-11 2009-10-22 ジェテック、アクチボラグ Debris reduction of electron impact X-ray source
JP2012135423A (en) * 2010-12-27 2012-07-19 Futaba Corp Photodisinfection apparatus and ultraviolet/x-ray generator
JP2012138248A (en) * 2010-12-27 2012-07-19 Futaba Corp Light sterilization device and uv/x-ray generator
JP2014115286A (en) * 2012-12-06 2014-06-26 Bruker Axs Gmbh X-ray device employing deflectable electron beam
KR101437583B1 (en) * 2007-07-03 2014-09-12 삼성전자주식회사 Lithography apparatus and lithography method
JP2017528764A (en) * 2014-09-12 2017-09-28 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Machines Corporation Extreme ultraviolet (EUV) radiation source
JP2019507479A (en) * 2016-03-01 2019-03-14 エクシルム・エービー Liquid target x-ray source with jet mixing tool
KR20220011928A (en) * 2020-07-22 2022-02-03 포항공과대학교 산학협력단 Apparatus and method for generating light source with range of specific wavelength

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10113064B4 (en) * 2001-03-15 2004-05-19 Lzh Laserzentrum Hannover E.V. Method and device for generating UV radiation, in particular EUV radiation
DE10339495B4 (en) 2002-10-08 2007-10-04 Xtreme Technologies Gmbh Arrangement for the optical detection of a moving target current for pulsed energy-jet-pumped radiation generation
US6933515B2 (en) * 2003-06-26 2005-08-23 University Of Central Florida Research Foundation Laser-produced plasma EUV light source with isolated plasma
DE102004003854A1 (en) * 2004-01-26 2005-08-18 MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Methods and apparatus for producing solid filaments in a vacuum chamber
JP4337648B2 (en) * 2004-06-24 2009-09-30 株式会社ニコン EUV LIGHT SOURCE, EUV EXPOSURE APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
US7557366B2 (en) * 2006-05-04 2009-07-07 Asml Netherlands B.V. Radiation generating device, lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
DE102008026938A1 (en) 2008-06-05 2009-12-17 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Radiation source and method for generating X-radiation
EP2415065A1 (en) 2009-04-03 2012-02-08 Excillum AB Supply of a liquid-metal target in x-ray generation
CN104681378B (en) * 2009-04-03 2017-04-12 伊克斯拉姆公司 Liquid metal target supply during x-ray production
JP2011054376A (en) * 2009-09-01 2011-03-17 Ihi Corp Lpp type euv light source and generation method of the same
JP5895300B2 (en) * 2010-07-09 2016-03-30 株式会社Bsr Electron beam irradiation device
CN103079327B (en) * 2013-01-05 2015-09-09 中国科学院微电子研究所 The extreme ultraviolet generating means that a kind of target source pre-shaped strengthens
JP6277204B2 (en) * 2013-02-13 2018-02-07 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. Multiple X-ray beam tube
CN103209536A (en) * 2013-03-22 2013-07-17 中国科学院上海光学精密机械研究所 Method for producing soft X ray
DE102013209447A1 (en) * 2013-05-22 2014-11-27 Siemens Aktiengesellschaft X-ray source and method for generating X-ray radiation
DE102013220189A1 (en) 2013-10-07 2015-04-23 Siemens Aktiengesellschaft X-ray source and method for generating X-ray radiation
US10085702B2 (en) 2014-01-07 2018-10-02 Jettec Ab X-ray micro imaging
CN103871832B (en) * 2014-03-21 2016-08-24 中国科学院空间科学与应用研究中心 A kind of extreme ultraviolet pulse generation manipulator
CN106471599B (en) * 2014-07-17 2018-05-22 西门子公司 The method that liquid anode is provided for the fluid injector of X-ray tube and by liquid metals injection
DE102014226813A1 (en) 2014-12-22 2016-06-23 Siemens Aktiengesellschaft Metal beam X-ray tube
DE102014226814B4 (en) 2014-12-22 2023-05-11 Siemens Healthcare Gmbh metal beam x-ray tube
RU2709183C1 (en) * 2019-04-26 2019-12-17 Общество С Ограниченной Ответственностью "Эуф Лабс" X-ray source with liquid metal target and method of radiation generation
RU2670273C2 (en) * 2017-11-24 2018-10-22 Общество с ограниченной ответственностью "РнД-ИСАН" Device and method for emission generation from laser plasma
EP3493239A1 (en) * 2017-12-01 2019-06-05 Excillum AB X-ray source and method for generating x-ray radiation
WO2023128856A1 (en) 2021-12-29 2023-07-06 Innovicum Technology Ab Particle based x-ray source
US11882642B2 (en) 2021-12-29 2024-01-23 Innovicum Technology Ab Particle based X-ray source

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61153935A (en) * 1984-12-26 1986-07-12 Toshiba Corp Plasma x-ray generator
JPH03283398A (en) * 1990-03-30 1991-12-13 Shimadzu Corp X-ray generator
JPH0817371A (en) * 1994-06-30 1996-01-19 Kansai Electric Power Co Inc:The Method and device for removing debris of laser plasma x-ray source
JPH08162286A (en) * 1994-12-07 1996-06-21 Olympus Optical Co Ltd Laser plasma source
JPH10221499A (en) * 1997-02-07 1998-08-21 Hitachi Ltd Laser plasma x-ray source and device and method for exposing semiconductor using the same
JPH11339702A (en) * 1998-05-15 1999-12-10 Koninkl Philips Electronics Nv X-ray source having liquid metal target
JP2000171600A (en) * 1998-12-02 2000-06-23 Mitsubishi Electric Corp Electromagnetic wave-generating device

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4953191A (en) * 1989-07-24 1990-08-28 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy High intensity x-ray source using liquid gallium target
US5052034A (en) 1989-10-30 1991-09-24 Siemens Aktiengesellschaft X-ray generator
JPH05258692A (en) * 1992-03-10 1993-10-08 Nikon Corp X-ray generating method and x-ray generating device
SE510133C2 (en) * 1996-04-25 1999-04-19 Jettec Ab Laser plasma X-ray source utilizing fluids as radiation target
US6031241A (en) * 1997-03-11 2000-02-29 University Of Central Florida Capillary discharge extreme ultraviolet lamp source for EUV microlithography and other related applications
US5763930A (en) * 1997-05-12 1998-06-09 Cymer, Inc. Plasma focus high energy photon source
JP3817848B2 (en) * 1997-07-18 2006-09-06 株式会社ニコン Lighting device
WO1999051355A1 (en) * 1998-04-03 1999-10-14 Advanced Energy Systems, Inc. Diffuser system and energy emission system for photolithography

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61153935A (en) * 1984-12-26 1986-07-12 Toshiba Corp Plasma x-ray generator
JPH03283398A (en) * 1990-03-30 1991-12-13 Shimadzu Corp X-ray generator
JPH0817371A (en) * 1994-06-30 1996-01-19 Kansai Electric Power Co Inc:The Method and device for removing debris of laser plasma x-ray source
JPH08162286A (en) * 1994-12-07 1996-06-21 Olympus Optical Co Ltd Laser plasma source
JPH10221499A (en) * 1997-02-07 1998-08-21 Hitachi Ltd Laser plasma x-ray source and device and method for exposing semiconductor using the same
JPH11339702A (en) * 1998-05-15 1999-12-10 Koninkl Philips Electronics Nv X-ray source having liquid metal target
JP2000171600A (en) * 1998-12-02 2000-06-23 Mitsubishi Electric Corp Electromagnetic wave-generating device

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009537062A (en) * 2006-05-11 2009-10-22 ジェテック、アクチボラグ Debris reduction of electron impact X-ray source
KR101437583B1 (en) * 2007-07-03 2014-09-12 삼성전자주식회사 Lithography apparatus and lithography method
JP2012135423A (en) * 2010-12-27 2012-07-19 Futaba Corp Photodisinfection apparatus and ultraviolet/x-ray generator
JP2012138248A (en) * 2010-12-27 2012-07-19 Futaba Corp Light sterilization device and uv/x-ray generator
JP2014115286A (en) * 2012-12-06 2014-06-26 Bruker Axs Gmbh X-ray device employing deflectable electron beam
US10049850B2 (en) 2012-12-06 2018-08-14 Bruker Axs Gmbh X-ray apparatus with deflectable electron beam
JP2017528764A (en) * 2014-09-12 2017-09-28 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Machines Corporation Extreme ultraviolet (EUV) radiation source
JP2019507479A (en) * 2016-03-01 2019-03-14 エクシルム・エービー Liquid target x-ray source with jet mixing tool
KR20220011928A (en) * 2020-07-22 2022-02-03 포항공과대학교 산학협력단 Apparatus and method for generating light source with range of specific wavelength
KR20220127197A (en) * 2020-07-22 2022-09-19 포항공과대학교 산학협력단 Apparatus and method for generating light source with range of specific wavelength
KR102447685B1 (en) * 2020-07-22 2022-09-27 포항공과대학교 산학협력단 Apparatus and method for generating light source with range of specific wavelength
KR102574190B1 (en) 2020-07-22 2023-09-06 포항공과대학교 산학협력단 Apparatus and method for generating light source with range of specific wavelength

Also Published As

Publication number Publication date
CN1272989C (en) 2006-08-30
JP5073146B2 (en) 2012-11-14
AU2001272873A1 (en) 2002-02-13
WO2002011499A1 (en) 2002-02-07
CN1466860A (en) 2004-01-07
EP1305984B1 (en) 2010-11-24
EP1305984A1 (en) 2003-05-02
DE60143527D1 (en) 2011-01-05
ATE489838T1 (en) 2010-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5073146B2 (en) X-ray generation method and apparatus
US6711233B2 (en) Method and apparatus for generating X-ray or EUV radiation
JP3553084B2 (en) Method and apparatus for generating X-ray or extreme ultraviolet radiation
US6647088B1 (en) Production of a dense mist of micrometric droplets in particular for extreme UV lithography
US8319201B2 (en) Laser produced plasma EUV light source having a droplet stream produced using a modulated disturbance wave
US8158960B2 (en) Laser produced plasma EUV light source
US6760406B2 (en) Method and apparatus for generating X-ray or EUV radiation
JP4555679B2 (en) Method for producing X-rays or extreme ultraviolet rays and method for using the same
JP5454881B2 (en) Extreme ultraviolet light source device and method for generating extreme ultraviolet light
KR101357231B1 (en) Lpp euv light source and method for producing same
JPH10221499A (en) Laser plasma x-ray source and device and method for exposing semiconductor using the same
JP2010103499A (en) Extreme ultraviolet light source apparatus and method for generating extreme ultraviolet light
Richardson et al. Mass-limited, debris-free laser-plasma EUV source
JP2000098098A (en) X-ray generator
EP1332649B1 (en) Method and apparatus for generating x-ray or euv radiation
Rymell et al. Liquid-jet target laser-plasma sources for EUV and X-ray lithography
Hansson et al. Liquid-xenon-jet laser-plasma source for EUV lithography
US7034322B2 (en) Fluid jet electric discharge source
Hansson et al. Xenon liquid-jet laser plasma source for EUV lithography
Rymell et al. X-ray and EUV laser-plasma sources based on cryogenic liquid-jet target
JP2012018820A (en) Lpp system euv light source and light generation method thereof
Hertz et al. Liquid-target laser-plasma sources for EUV and x-ray lithography
SE522150C2 (en) Generating X=ray or extreme UV radiation by directing electron beams onto liquid metal or liquefied noble gas to generate soft radiation
Hertz et al. Liquid-jet laser-plasma X-ray sources for microscopy and lithography
DePriest et al. A Debrisless Laser-Plasma Source for EUV and XUV Generation

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080403

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101130

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110222

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110812

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20111111

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20111118

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120727

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120822

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5073146

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150831

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term