JP2004505410A - 荷電粒子ビームシステムのための磁気シールドを備えた液浸レンズ - Google Patents
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Abstract
荷電粒子ビームリソグラフィーシステム110のための液浸レンズ112は、磁気浮動シールド160を含み、偏向磁場をシールド160から下流側の導電性部材で発生する渦電流から制限する。シールド160の表面は、集束磁場の等磁場面に平行またはほぼ平行に位置し、これにより、シールド160は集束磁場に影響を及ぼさない。シールド160は例えば、荷電粒子ビームの通路のための中央開口を画成するフェライトディスク160または中空フェライトコーン162である。
【選択図】図2
【選択図】図2
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、荷電粒子ビームリソグラフィーに関し、より詳細には、このようなリソグラフィーのための液浸レンズに関する。
【0002】
【発明の背景】
リソグラフィーは、半導体デバイス及び集積回路を製作するために使用される技術である。リソグラフィーにおいて、ターゲット基板(通常マスクがない又は半導体ウェハ)は、フォトレジスト材料(レジスト)の一つ以上の層でおおわれている。レジストは、放射線(例えば紫外光、X線、電子及びイオン)の形態で、選択的に露光される。次に、レジストはレジストの一部を除去するために現像される。レジストの残っている部分は、ターゲットの下にある領域を保護する。
【0003】
レジストが除去された領域は、ターゲット表面上にパターンを転写する種々の付加的な(例えばリフトオフ)又は取り除く(例えばエッチング)プロセスを受ける。
【0004】
電子ビームまたはイオンビームリソグラフィーシステム110(図2に示される)は、有孔プレート118、ブランキングデフレクター121及び最後の磁気レンズ112に達する前の焦点調節レンズ120に向けられる荷電粒子ビーム116を発生させる荷電粒子(電子またはイオン)源184を含む。レンズ112はさらに、ターゲット支持体(ステージとして知られる)上に保持されるターゲット159に向けられるビーム116を方向づける。これらのレンズは、電磁的又は静電気的なレンズであり、光学的な構造体ではない。荷電粒子源184は、電子またはイオンビームを発生させる。制御コンピュータ123は、リソグラフィーシステム110の動作を制御する。
【0005】
このようなリソグラフィーシステムの1つのタイプは、可変軸液浸レンズ電子ビームシステムであり、例えば、Langner他に付与された米国特許第4,544,846号(以下、Langner他とする)が参照され、その全体を本願明細書に組み入れる。Langner他の図2及び図4Aは、それぞれ本願のそれぞれ図1A及び図1Bとして再現される。
【0006】
可変軸の液浸レンズ電子ビームシステムは、電子ビームを偏向する(電子ビームの軸をシフトする)偏向コイル43及び45を含み(この構造体の断面を表す図1Aを参照)、これにより、ターゲット59上の所望の位置にビームを導く。液浸レンズ12は、電流を導通したとき磁場(あるいは集束磁場と呼ばれる)を発生させる一つ以上の励起コイル41及び53を含む。集束磁場は、極片13から極片14(図1B)まで広がる磁場ラインを有する。従って、集束磁場は、磁界強度が極片14の表面近くで最大であるほぼ均一な磁場(従って液浸レンズ)内にターゲット59を浸す。
【0007】
偏向コイル11は、磁場(偏向磁場とも呼ばれる)を発生し、この磁場は、電子ビームのシフトされた軸と一致するように液浸レンズ12(従って可変軸)の磁軸をシフトさせる。リソグラフィープロセスの間に電子ビームの軸がターゲット59をスキャンするようにシフトされる時間に亘り、偏向コイル11、43、45は磁場を偏向する。
【0008】
偏向コイル11から下流側の導電性システム部材(電子ビームの伝播方向に関して)、例えばターゲット(ウェハまたはマスクブランク)ホルダ16、ホルダハンドラー20及び極片14において、偏向磁場を変化させることによって渦電流が発生する。さらに、例えば半導体ウェハであるターゲット59において、偏向磁場を変化させることによって渦電流が発生してもよい。上記の部材での渦電流は、電子ビームを偏向させる逆向きの偏向磁場を発生させ、これにより、電子ビームの位置誤差を生じる。
【0009】
従って、可変軸液浸レンズの不都合は、偏向磁場によって発生する渦電流に起因する位置誤差である。あるいは、偏向磁場の影響を受けるシステム部材は、非導電性の材料であることができる。しかし、システムのコストは、このような材料の使用で増大する。このように、集束磁場に逆方向の影響を与えることなく、偏向コイルから下流側の導電性システム部材が偏向磁場に照射されるのを防止する方法及び装置が求められている。
【0010】
【課題を解決するための手段】
1つの実施の形態において、荷電粒子線システムの液浸レンズは、ビーム集束に使用される静磁場を乱さないが、偏向コイルによって発生する磁場を変化させている時から、システムの非磁性体であるが導電性の構成部材をシールドする磁気浮上フェライトディスクを含む。(ここで浮上とは磁気回路の一部を形成しないことを意味する)このディスクは偏向コイルから下流側に取り付けられ(荷電粒子ビームの伝播方向に関して)、これにより、ディスクの表面は液浸レンズによって発生した磁場(集束磁場とも呼ばれる)の等磁場面にほぼ平行となる。
【0011】
このディスクは、ディスクの下流側の導電性システム部材に偏向磁場が伝播するのを制限する。
【0012】
他の実施の形態において、荷電粒子ビームシステムのための液浸レンズは、導電性部材を偏向磁場からシールドする幾分類似した磁気浮上フェライトコーンを含む。このコーンは、偏向コイルから下流側に同様に取り付けられ、これにより、コーンの表面は集束磁場の等磁場面に平行又はほぼ平行となる。このコーンは、コーンから下流側の導電性システム部材に偏向磁場が伝播するのを制限する。
【0013】
種々の実施の形態は、添付図面と共に以下の詳細な記載を考慮して、より充分に理解されるであろう。なお、異なる図面における同一の参照番号は、同一又は同様な部材を示す。
【0014】
【発明の実施の形態】
1つの実施の形態において、従来の荷電粒子ビームリソグラフィーシステム110とは別に(図2に側面図で示す)、磁場シールド例えば磁気によって「浮動する」ディスク160(図3Bに斜視図で示す)、または磁気によって「浮動する」コーン162(図4Bに斜視図で示す)を含む。磁場シールドは、偏向コイル111で発生する磁場172(図3D及び図4D)が磁場シールドから下流側に伝播するのを制限する。磁場シールドはその上面が磁場170の等磁場表面161に平行に取り付けられるので、磁場シールドは励起コイル141で発生する磁場170(図3C及び図4C)に影響を及ぼさない。
【0015】
1つの実施の形態において、リソグラフィーシステム110は、荷電粒子(例えば電子)源184、有孔プレート118、ブランキングデフレクター121、焦点調節レンズ120、液浸レンズ112、ステージ122及び制御コンピュータ123を含む。これらは、全て従来のものである。付加的な従来の構造体、例えば機械的な支持体、取り付けハードウェア、冷却要素、電気的要素、真空要素(容器を含む)は、明瞭さのための図示しないが、リソグラフィーシステム110が属する当業界で熟練した者によって理解されることを理解されたい。
【0016】
1つの実施の形態において、液浸レンズ112(断面で更に詳細にこの構造体を表す図3Aを参照)は、極片134から極片114(図3C)まで広がる磁場ラインによって表される磁場170(集束磁場とも呼ばれる)を発生させる励起コイル141を含む。極片114は、代表的にはフェライトである内側極片134、代表的には鉄である外側極片150及び代表的には鉄である外側リターンヨーク140を含む磁気レンズ回路の一部である。極片114、リターンヨーク140及び極片150は、集合的に「鉄の極片」と呼ばれるが、必ずしも鉄である必要はない。
【0017】
極片134は、非磁性スペーサ154(図3A及び図4Aに示される)によって、外側極片150から分離される。スペーサ154は、ウィルミントン(デラウェア)のデュポンからのVespel(登録商標)のような材料である。あるいは、極片134はエアーギャップ156(図3C、3D、4C及び4Dに示す)によって、外側極片150から分離される。一対のデフレクターコイル143及び145は、ターゲット159を走査するように荷電粒子ビームを偏向させる(荷電粒子ビームの軸をシフトする)。デフレクターコイル111は、磁場170の磁軸と荷電粒子ビームのシフトされた軸とを一致させる磁場172(偏向磁場とも呼ばれる)を発生させる。
【0018】
1つの実施の形態において、比較的薄く磁気によって浮動するディスク160(例えばフェライト)は、デフレクターコイル111から下流側に取り付けられる。ディスク160は、その上側の表面163(図3C)が集束磁場170の等磁場面161にほぼ平行であるように取り付けられ、ここで、磁場ラインはほぼ表面163に対して垂直である。このように取り付けられたディスク160は、集束磁場170に影響を殆ど与えない。その理由は、ディスク160が薄く集束磁場170の等磁場面161に沿う磁場ラインに垂直に配向しており、磁気によって浮動し、極片134、極片150、外側リターンヨーク140及び極片114を含む磁気回路に対し磁気的に結合していないためである。1つの実施の形態において、磁気によって浮動するように、ディスク160は非磁性及び非導電性マウント164(図3Aだけに明確に示される))によって、極片134に取り付けられる。マウント164は、比較的高い固有抵抗のセラミックのような材料であり、ディスクの表面は電気的に接地されているが渦電流の影響を受けない。
【0019】
マウント164は、ディスク160を極片134に取り付けるために、導電性のエポキシを使用してその両端が結合される。
【0020】
この実施の形態において、ディスク160は偏向磁場172がディスク160(図3D)から下流側に伝播するのを防止する。偏向磁場172は、従来と同様に水平成分及び方位成分を有し、偏向コイル111の反対側にループで戻る磁場ラインで双極子を形成する。ディスク160はその材料の範囲内で、偏向磁場172の水平成分及び方位成分を短絡し、これにより、ディスク160上の磁場ラインのループを閉じる。ディスク160に対して垂直なレンズ磁束線は、直接にそれを通り抜ける。従って、ディスク160は集束磁場に実質的に影響を与えることなくディスク160から下流側に偏向磁場172が伝播するのを制限する。
【0021】
この実施の形態において、従来のシステム成分は、ディスク160の下流側に位置し、これにより、後方散乱電子検出器168、基板157、ステージ122及びステージ駆動装置124は非磁性であるが、コストを下げるために、導電性材料(例えば種々の金属)であってもよい。検出器168、ステージ122及びステージハンドラー124を含むディスク160から下流側の領域を、以下ステージ領域と呼ぶ。
【0022】
1つの実施の形態において、ディスク160は半径rの中心開口(穴)を画成し、ディスク160の下部表面165がターゲット159の上部表面157の距離2r以上であるように取り付けられる。半径rは、穴径が電子ビームが偏向することができる液浸レンズ112のスキャニング領域を超えるように選択される。ディスク160は、全体の半径Rを有する。1つの変形例において、ディスク160全体の半径Rは、極片134の外側の半径Rに近似している。ディスク160は厚さtを有し、1つの変形例でtは約3mmである。薄いにもかかわらず、偏向磁場172が弱いので、ディスク160は偏向磁場172で飽和していない。
【0023】
1つの実施の形態において、ディスク160の代わりに磁気によって浮動する中空のコーン162(図4A及び図4B)がデフレクターコイル111の下に磁場シールドとして取り付けられる。コーン162(一般的には再びフェライトである)は、ディスク160と同様に機能する。その上部表面167が集束磁場170の等磁場面161(図4C)に平行またはほぼ平行であるように、コーン162は位置する。コーン162の形状は、その上部表面167がディスク160の表面163より良好に等磁場面161に従うのを可能とする。ディスク160と同様に、コーン162(図4D)から下流側の非磁性であるが導電性であるシステム部材において、コーン162は偏向磁場172が渦電流を発生するのを防止する。1つの実施の形態において、磁気によって浮動するように、コーン162はマウント164(図4Aだけで明瞭に示される)によって、極片134に取り付けられる。
【0024】
1つの実施の形態において、コーン162は半径rの開口を画成し、円錐台の下部表面174がおよそターゲット159の表面157より上の距離2rであるように取り付けられる。穴径は、電子ビームが偏向される液浸レンズ112の走査領域を超えるように、半径rが選択される。コーン162は、全体の半径R及び高さHを有する。1つの変形例において、コーン162の全体的な半径Rは、極片134の外側の半径Rと同様に選択される。
【0025】
1つの実施の形態において、高さHは、コーン162の上面167が集束磁場170の電磁場面161に平行又はほぼ平行であるように選択される。等磁場面161は、磁気プローブ、例えば米国フロリダ州オーランドのFWベル社によって製造されたホール効果ガウスメーターによって決定することができる。あるいは、英国ロンドンのコンピュータープログラム、例えばMebs社による「Optics」を用いたコンピューターモデリングが、等磁場面161を決定するために使用することができる。等磁場面161が決定された後、コーン162の得られた上面167が集束磁場170に最低限の効果を有するように、高さHが全体的な半径Rに応じて選択される。
【0026】
コーン162は、1つの変形例において厚さtを有し、tは約3mmである。コーン162は薄いにもかかわらず、偏向磁場172が弱いので、偏向磁場172によって飽和しない。
【0027】
本発明の実施の形態を種々の変形例について詳細に説明したが、他の変形例も可能である。例えば、マウント164はディスク160またはコーン162を極片134の代わりに極片150に連結させてもよい。あるいは、ディスク160及びコーン162は、リソグラフィーシステム110における他の好都合な支持構造体に取り付けられる。従って、添付の請求の範囲の思想及び範囲は、図面に図示された変形例の記載に限定されるべきではない。
【図面の簡単な説明】
【図1A】
従来技術による可変軸液浸レンズを示す。
【図1B】
図1Aの従来技術による可変軸液浸レンズによって発生した集束磁場を示す。
【図2】
一実施形態による可変軸液浸レンズリソグラフィーシステムを示す。
【図3A】
一実施形態によるシールドディスクを備えた液浸レンズを示す。
【図3B】
図3Aのディスクを示す。
【図3C】
図3Aの液浸レンズによって発生する磁場を示す。
【図3D】
図3Aの偏向コイルによって発生する磁場を示す。
【図4A】
一実施形態によるシールドコーンを備えた液浸レンズを示す。
【図4B】
図3Aのコーンを示す。
【図4C】
図4Aの液浸レンズによって発生する磁場を示す。
【図4D】
図4Aの偏向コイルによって発生する磁場を示す。
【発明の属する技術分野】
本発明は、荷電粒子ビームリソグラフィーに関し、より詳細には、このようなリソグラフィーのための液浸レンズに関する。
【0002】
【発明の背景】
リソグラフィーは、半導体デバイス及び集積回路を製作するために使用される技術である。リソグラフィーにおいて、ターゲット基板(通常マスクがない又は半導体ウェハ)は、フォトレジスト材料(レジスト)の一つ以上の層でおおわれている。レジストは、放射線(例えば紫外光、X線、電子及びイオン)の形態で、選択的に露光される。次に、レジストはレジストの一部を除去するために現像される。レジストの残っている部分は、ターゲットの下にある領域を保護する。
【0003】
レジストが除去された領域は、ターゲット表面上にパターンを転写する種々の付加的な(例えばリフトオフ)又は取り除く(例えばエッチング)プロセスを受ける。
【0004】
電子ビームまたはイオンビームリソグラフィーシステム110(図2に示される)は、有孔プレート118、ブランキングデフレクター121及び最後の磁気レンズ112に達する前の焦点調節レンズ120に向けられる荷電粒子ビーム116を発生させる荷電粒子(電子またはイオン)源184を含む。レンズ112はさらに、ターゲット支持体(ステージとして知られる)上に保持されるターゲット159に向けられるビーム116を方向づける。これらのレンズは、電磁的又は静電気的なレンズであり、光学的な構造体ではない。荷電粒子源184は、電子またはイオンビームを発生させる。制御コンピュータ123は、リソグラフィーシステム110の動作を制御する。
【0005】
このようなリソグラフィーシステムの1つのタイプは、可変軸液浸レンズ電子ビームシステムであり、例えば、Langner他に付与された米国特許第4,544,846号(以下、Langner他とする)が参照され、その全体を本願明細書に組み入れる。Langner他の図2及び図4Aは、それぞれ本願のそれぞれ図1A及び図1Bとして再現される。
【0006】
可変軸の液浸レンズ電子ビームシステムは、電子ビームを偏向する(電子ビームの軸をシフトする)偏向コイル43及び45を含み(この構造体の断面を表す図1Aを参照)、これにより、ターゲット59上の所望の位置にビームを導く。液浸レンズ12は、電流を導通したとき磁場(あるいは集束磁場と呼ばれる)を発生させる一つ以上の励起コイル41及び53を含む。集束磁場は、極片13から極片14(図1B)まで広がる磁場ラインを有する。従って、集束磁場は、磁界強度が極片14の表面近くで最大であるほぼ均一な磁場(従って液浸レンズ)内にターゲット59を浸す。
【0007】
偏向コイル11は、磁場(偏向磁場とも呼ばれる)を発生し、この磁場は、電子ビームのシフトされた軸と一致するように液浸レンズ12(従って可変軸)の磁軸をシフトさせる。リソグラフィープロセスの間に電子ビームの軸がターゲット59をスキャンするようにシフトされる時間に亘り、偏向コイル11、43、45は磁場を偏向する。
【0008】
偏向コイル11から下流側の導電性システム部材(電子ビームの伝播方向に関して)、例えばターゲット(ウェハまたはマスクブランク)ホルダ16、ホルダハンドラー20及び極片14において、偏向磁場を変化させることによって渦電流が発生する。さらに、例えば半導体ウェハであるターゲット59において、偏向磁場を変化させることによって渦電流が発生してもよい。上記の部材での渦電流は、電子ビームを偏向させる逆向きの偏向磁場を発生させ、これにより、電子ビームの位置誤差を生じる。
【0009】
従って、可変軸液浸レンズの不都合は、偏向磁場によって発生する渦電流に起因する位置誤差である。あるいは、偏向磁場の影響を受けるシステム部材は、非導電性の材料であることができる。しかし、システムのコストは、このような材料の使用で増大する。このように、集束磁場に逆方向の影響を与えることなく、偏向コイルから下流側の導電性システム部材が偏向磁場に照射されるのを防止する方法及び装置が求められている。
【0010】
【課題を解決するための手段】
1つの実施の形態において、荷電粒子線システムの液浸レンズは、ビーム集束に使用される静磁場を乱さないが、偏向コイルによって発生する磁場を変化させている時から、システムの非磁性体であるが導電性の構成部材をシールドする磁気浮上フェライトディスクを含む。(ここで浮上とは磁気回路の一部を形成しないことを意味する)このディスクは偏向コイルから下流側に取り付けられ(荷電粒子ビームの伝播方向に関して)、これにより、ディスクの表面は液浸レンズによって発生した磁場(集束磁場とも呼ばれる)の等磁場面にほぼ平行となる。
【0011】
このディスクは、ディスクの下流側の導電性システム部材に偏向磁場が伝播するのを制限する。
【0012】
他の実施の形態において、荷電粒子ビームシステムのための液浸レンズは、導電性部材を偏向磁場からシールドする幾分類似した磁気浮上フェライトコーンを含む。このコーンは、偏向コイルから下流側に同様に取り付けられ、これにより、コーンの表面は集束磁場の等磁場面に平行又はほぼ平行となる。このコーンは、コーンから下流側の導電性システム部材に偏向磁場が伝播するのを制限する。
【0013】
種々の実施の形態は、添付図面と共に以下の詳細な記載を考慮して、より充分に理解されるであろう。なお、異なる図面における同一の参照番号は、同一又は同様な部材を示す。
【0014】
【発明の実施の形態】
1つの実施の形態において、従来の荷電粒子ビームリソグラフィーシステム110とは別に(図2に側面図で示す)、磁場シールド例えば磁気によって「浮動する」ディスク160(図3Bに斜視図で示す)、または磁気によって「浮動する」コーン162(図4Bに斜視図で示す)を含む。磁場シールドは、偏向コイル111で発生する磁場172(図3D及び図4D)が磁場シールドから下流側に伝播するのを制限する。磁場シールドはその上面が磁場170の等磁場表面161に平行に取り付けられるので、磁場シールドは励起コイル141で発生する磁場170(図3C及び図4C)に影響を及ぼさない。
【0015】
1つの実施の形態において、リソグラフィーシステム110は、荷電粒子(例えば電子)源184、有孔プレート118、ブランキングデフレクター121、焦点調節レンズ120、液浸レンズ112、ステージ122及び制御コンピュータ123を含む。これらは、全て従来のものである。付加的な従来の構造体、例えば機械的な支持体、取り付けハードウェア、冷却要素、電気的要素、真空要素(容器を含む)は、明瞭さのための図示しないが、リソグラフィーシステム110が属する当業界で熟練した者によって理解されることを理解されたい。
【0016】
1つの実施の形態において、液浸レンズ112(断面で更に詳細にこの構造体を表す図3Aを参照)は、極片134から極片114(図3C)まで広がる磁場ラインによって表される磁場170(集束磁場とも呼ばれる)を発生させる励起コイル141を含む。極片114は、代表的にはフェライトである内側極片134、代表的には鉄である外側極片150及び代表的には鉄である外側リターンヨーク140を含む磁気レンズ回路の一部である。極片114、リターンヨーク140及び極片150は、集合的に「鉄の極片」と呼ばれるが、必ずしも鉄である必要はない。
【0017】
極片134は、非磁性スペーサ154(図3A及び図4Aに示される)によって、外側極片150から分離される。スペーサ154は、ウィルミントン(デラウェア)のデュポンからのVespel(登録商標)のような材料である。あるいは、極片134はエアーギャップ156(図3C、3D、4C及び4Dに示す)によって、外側極片150から分離される。一対のデフレクターコイル143及び145は、ターゲット159を走査するように荷電粒子ビームを偏向させる(荷電粒子ビームの軸をシフトする)。デフレクターコイル111は、磁場170の磁軸と荷電粒子ビームのシフトされた軸とを一致させる磁場172(偏向磁場とも呼ばれる)を発生させる。
【0018】
1つの実施の形態において、比較的薄く磁気によって浮動するディスク160(例えばフェライト)は、デフレクターコイル111から下流側に取り付けられる。ディスク160は、その上側の表面163(図3C)が集束磁場170の等磁場面161にほぼ平行であるように取り付けられ、ここで、磁場ラインはほぼ表面163に対して垂直である。このように取り付けられたディスク160は、集束磁場170に影響を殆ど与えない。その理由は、ディスク160が薄く集束磁場170の等磁場面161に沿う磁場ラインに垂直に配向しており、磁気によって浮動し、極片134、極片150、外側リターンヨーク140及び極片114を含む磁気回路に対し磁気的に結合していないためである。1つの実施の形態において、磁気によって浮動するように、ディスク160は非磁性及び非導電性マウント164(図3Aだけに明確に示される))によって、極片134に取り付けられる。マウント164は、比較的高い固有抵抗のセラミックのような材料であり、ディスクの表面は電気的に接地されているが渦電流の影響を受けない。
【0019】
マウント164は、ディスク160を極片134に取り付けるために、導電性のエポキシを使用してその両端が結合される。
【0020】
この実施の形態において、ディスク160は偏向磁場172がディスク160(図3D)から下流側に伝播するのを防止する。偏向磁場172は、従来と同様に水平成分及び方位成分を有し、偏向コイル111の反対側にループで戻る磁場ラインで双極子を形成する。ディスク160はその材料の範囲内で、偏向磁場172の水平成分及び方位成分を短絡し、これにより、ディスク160上の磁場ラインのループを閉じる。ディスク160に対して垂直なレンズ磁束線は、直接にそれを通り抜ける。従って、ディスク160は集束磁場に実質的に影響を与えることなくディスク160から下流側に偏向磁場172が伝播するのを制限する。
【0021】
この実施の形態において、従来のシステム成分は、ディスク160の下流側に位置し、これにより、後方散乱電子検出器168、基板157、ステージ122及びステージ駆動装置124は非磁性であるが、コストを下げるために、導電性材料(例えば種々の金属)であってもよい。検出器168、ステージ122及びステージハンドラー124を含むディスク160から下流側の領域を、以下ステージ領域と呼ぶ。
【0022】
1つの実施の形態において、ディスク160は半径rの中心開口(穴)を画成し、ディスク160の下部表面165がターゲット159の上部表面157の距離2r以上であるように取り付けられる。半径rは、穴径が電子ビームが偏向することができる液浸レンズ112のスキャニング領域を超えるように選択される。ディスク160は、全体の半径Rを有する。1つの変形例において、ディスク160全体の半径Rは、極片134の外側の半径Rに近似している。ディスク160は厚さtを有し、1つの変形例でtは約3mmである。薄いにもかかわらず、偏向磁場172が弱いので、ディスク160は偏向磁場172で飽和していない。
【0023】
1つの実施の形態において、ディスク160の代わりに磁気によって浮動する中空のコーン162(図4A及び図4B)がデフレクターコイル111の下に磁場シールドとして取り付けられる。コーン162(一般的には再びフェライトである)は、ディスク160と同様に機能する。その上部表面167が集束磁場170の等磁場面161(図4C)に平行またはほぼ平行であるように、コーン162は位置する。コーン162の形状は、その上部表面167がディスク160の表面163より良好に等磁場面161に従うのを可能とする。ディスク160と同様に、コーン162(図4D)から下流側の非磁性であるが導電性であるシステム部材において、コーン162は偏向磁場172が渦電流を発生するのを防止する。1つの実施の形態において、磁気によって浮動するように、コーン162はマウント164(図4Aだけで明瞭に示される)によって、極片134に取り付けられる。
【0024】
1つの実施の形態において、コーン162は半径rの開口を画成し、円錐台の下部表面174がおよそターゲット159の表面157より上の距離2rであるように取り付けられる。穴径は、電子ビームが偏向される液浸レンズ112の走査領域を超えるように、半径rが選択される。コーン162は、全体の半径R及び高さHを有する。1つの変形例において、コーン162の全体的な半径Rは、極片134の外側の半径Rと同様に選択される。
【0025】
1つの実施の形態において、高さHは、コーン162の上面167が集束磁場170の電磁場面161に平行又はほぼ平行であるように選択される。等磁場面161は、磁気プローブ、例えば米国フロリダ州オーランドのFWベル社によって製造されたホール効果ガウスメーターによって決定することができる。あるいは、英国ロンドンのコンピュータープログラム、例えばMebs社による「Optics」を用いたコンピューターモデリングが、等磁場面161を決定するために使用することができる。等磁場面161が決定された後、コーン162の得られた上面167が集束磁場170に最低限の効果を有するように、高さHが全体的な半径Rに応じて選択される。
【0026】
コーン162は、1つの変形例において厚さtを有し、tは約3mmである。コーン162は薄いにもかかわらず、偏向磁場172が弱いので、偏向磁場172によって飽和しない。
【0027】
本発明の実施の形態を種々の変形例について詳細に説明したが、他の変形例も可能である。例えば、マウント164はディスク160またはコーン162を極片134の代わりに極片150に連結させてもよい。あるいは、ディスク160及びコーン162は、リソグラフィーシステム110における他の好都合な支持構造体に取り付けられる。従って、添付の請求の範囲の思想及び範囲は、図面に図示された変形例の記載に限定されるべきではない。
【図面の簡単な説明】
【図1A】
従来技術による可変軸液浸レンズを示す。
【図1B】
図1Aの従来技術による可変軸液浸レンズによって発生した集束磁場を示す。
【図2】
一実施形態による可変軸液浸レンズリソグラフィーシステムを示す。
【図3A】
一実施形態によるシールドディスクを備えた液浸レンズを示す。
【図3B】
図3Aのディスクを示す。
【図3C】
図3Aの液浸レンズによって発生する磁場を示す。
【図3D】
図3Aの偏向コイルによって発生する磁場を示す。
【図4A】
一実施形態によるシールドコーンを備えた液浸レンズを示す。
【図4B】
図3Aのコーンを示す。
【図4C】
図4Aの液浸レンズによって発生する磁場を示す。
【図4D】
図4Aの偏向コイルによって発生する磁場を示す。
Claims (29)
- ターゲットを露光するための荷電粒子ビームリソグラフィーシステムであって、
荷電粒子ビーム源と、
前記荷電粒子ビーム源からのビームの伝播方向に同軸上かつ下流側に配置され、ビームをターゲットに向ける第1のレンズと、
前記ビームと同軸上にかつ前記第1のレンズから下流側に配置された液浸レンズであって、前記ビームと同軸上に配置された偏向コイル;及び前記ビームと同軸上にかつ前記偏向コイルから下流側に配置された磁場シールド;を備えた液浸レンズと、及び
前記液浸レンズから下流側のターゲットの支持体と、
を備え、磁場シールドは前記偏向コイル及び前記支持体の中間に配置され、これにより、磁場シールドから下流の偏向コイルによって発生する磁場を制限する、システム。 - 前記液浸レンズはさらに、前記ビームと同軸上でかつ前記第1のレンズの下流側に配置された第1の極片を備え、この第1の極片は、その少なくとも一部が前記偏向コイルの周囲に伸びる、請求項1に記載のシステム。
- 前記磁場シールドを前記第1の極片に結合させる非磁性マウントをさらに備える、請求項2に記載のシステム。
- 前記液浸レンズはさらに、前記第1の極片に同軸上に配置された励起コイルを備える、請求項2に記載のシステム。
- 前記液浸レンズはさらに、前記励起コイルに同軸上に配置された第2の極片を備える、請求項4に記載のシステム。
- 前記ビームに同軸上に配置された非磁性スペーサをさらに備え、前記スペーサは、前記第1の極片及び前記第2の極片の中間にある、請求項5に記載のシステム。
- 前記第1の極片及び前記第2の極片は、間隔を空けて離れている、請求項5に記載のシステム。
- 前記磁場シールドは、その上面が前記液浸レンズ内の集束磁場の等磁場面に少なくともほぼ平行になるように配置される、請求項1に記載のシステム。
- 前記磁場シールドは、フェライトで作られている、請求項1に記載のシステム。
- 前記磁場シールドは、前記ビームの通路のために中央開口を画成するディスクである、請求項1に記載のシステム。
- 前記中央開口は半径rを有し、ターゲット上面上の約2r上に配置されている、請求項10に記載のシステム。
- 前記磁場シールドは、前記ビームの通路のための中央開口を画成するコーンである、請求項1に記載のシステム。
- 前記中央開口は半径rを有し、前記コーンの前記中央開口はターゲットの上面から約2rの距離に配置されている、請求項12に記載のシステム。
- 前記コーンは外側半径R及び高さHを有し、前記高さHは、その上面が前記液浸レンズ内の集束磁場の等磁場面に少なくともほぼ平行である、請求項12に記載のシステム。
- 前記磁場シールド及びターゲットの前記支持体の間に配置された検出器をさらに備える、請求項1に記載のシステム。。
- 前記支持体は、非磁性で少なくとも部分的に電気的に絶縁性の材料で作られている、請求項1に記載のシステム。
- 荷電粒子ビーム用としての液浸レンズアセンブリであって、
前記ビームと同軸上に配置される偏向コイルと、
前記偏向コイルと同軸上に配置される励起コイルと、
前記励起コイルと同軸上に配置される第1の極片であって、その少なくとも一部が前記励起コイルの周囲に伸びる第1の極片と、
前記偏向コイルからのビームの伝播について同軸上かつ下流側に配置される磁場シールドと、
前記荷電粒子ビームのターゲットのための支持体であって、フェライトシールドからのビームの伝播について下流側の支持体と、
を備え、前記磁場シールドは前記偏向コイル及び前記支持体の中間に配置され、これによって、偏向コイルによって発生する磁場を磁場シールドから下流側に放射するのを制限する、液浸レンズアセンブリ。 - 前記第1の極片は、鉄で作られている、請求項17に記載の液浸レンズアセンブリ。
- 前記偏向コイルと同軸上に配置される第2の極片をさらに備え、前記第2の極片は少なくともその一部が前記偏向コイルの周囲に伸びる、請求項17に記載の液浸レンズアセンブリ。
- 前記第2の極片は、フェライトで作られている、請求項19に記載の液浸レンズアセンブリ。
- 前記磁場シールドは、その上面が前記励起コイルによって発生する等磁場面と少なくともほぼ平行である、請求項17に記載の液浸レンズアセンブリ。
- 前記磁場シールドは、フェライトで作られている、請求項17に記載の液浸レンズアセンブリ。
- 前記磁場シールド及び前記ターゲットの中間に配置された検出器をさらに備える、請求項17に記載の液浸レンズアセンブリ。
- 前記ターゲットの支持体は、非磁性で電気的に導電性の材料で作られている、請求項17に記載の液浸レンズアセンブリ。
- ターゲットを露光する方法であって、
荷電粒子ビームを発生させるステップと、
ターゲットに荷電粒子ビームを向けるステップと、
ほぼ均一な磁場でターゲットを浸漬する第1の磁場を発生させるステップと、
前記第1の磁場の磁軸を偏向させる第2の磁場を発生させるステップと、及び
前記第2の磁場をターゲットを含む領域から少なくとも部分的にシールドするステップと、
を含む方法。 - 前記第2の磁場の等磁場面を配置するステップをさらに含み、前記シールドするステップは、磁場シールドをその上面が前記等磁場面に少なくともほぼ平行となるように取り付けるステップを含む、請求項25に記載の方法。
- 前記磁場シールドは、フェライトで作られている、請求項26に記載の方法。
- 前記シールドするステップは、平面状の境界を画成するステップを含む、請求項25に記載の方法。
- 前記シールドするステップは、円錐状の境界を画成するステップを含む、請求項25に記載の方法
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