JP2004505264A - 3軸センサ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング/キャパシティブ・センサ及びその製造方法である。少なくとも2つの直交的に配置されたセンサ及び関連した組合わせ部が第一の基板またはウェハ上に定義され、前記少なくとも2つの直交的に配置されたセンサが直交方向に感度を有する。少なくとも第3のセンサも定義され、前記第3のセンサが直交的に配置された2つのセンサの感度の直交方向に直交する方向に感度を有し、前記共振構造部が上部に組合わせ部を有する。少なくとも2つの直交的に配置されたセンサに対する接部は第二の基板またはウェハ上の組合わせ部と共に形成され、前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部は前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部と相補的な形状を有する。前記第一の基板の前記組合わせ部は、前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部と対面関係に配置される。1つの組合わせ部に関連した共晶ボンディング層は、せれぞれの組合わせ部間のボンディングを容易にしている。少なくとも前記第一の基板またはウェハの部が除去されて、前記片持ち梁ビーム構造及び前記共振構造部を切り離す。
【選択図】図40C
【選択図】図40C
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロ・エレクトロ・メカニカル(MEM)・トンネリング/キャパシティブ・センサに関し、特に共晶的にボンディングされている複数ウェハを利用する3軸センサに関する。1形態における、単結晶、トンネリング及びキャパシティブ、共晶ボンディングを利用している3軸センサ及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
本発明は、高い性能を有する単結晶ケイ素トンネリング及びキャパシティブデバイスを用いている単基板上の複数軸回転率センサを組み立てる新しい工程を提供する。従来、3軸回転計測用の単ケイ素(Si)基板上の複数軸キャパシティブセンサは実現されている。{参考文献として、”マイクロマシンド デュアル インプット アクシス アンギュラー レイト センサ(Micromachined Dual Input Axis Angular Rate Sensor)”、トール ジュノー、エー.ピー.ピサーノ ソリッド ステート センサーズ アンド アクチュエイター アクシス アンギュラー レイト センサ(Solid−State Sensors and Actuator Axis Angular Rate Sensor)”、トール ジュノー、エー.ピー.ピサーノ ソリッド センサーズ アンド アクチュエイター ワークショップ(Solid−State Sensors and Actuator Workshop)、ヒルトン ヘッド、サウス カロライナ、ジューン(June)2〜6、1996、及び”マイクロストラクチャ デザイン オブ アングル メジャーイング エムイーエムエス ジャイロスコープス(Microstructure Design of Angle Measuring MEMS Gyroscopes)”、アンドレイ エム.シュケル、博士論文、バークレイ センサー アンド アクチベータ センタ、1999}。しかしながら、従来には、単チップ3軸センサ用のトンネリング及びキャパシティブセンサの組合わせは無かった。大部分のマイクロマシン技術及び上記に関連した特許出願に係る技術は、2軸トンネリング率ジャイロ(X及びY検知用)及び単基板上の様々なタイプの2軸キャパシティブ率ジャイロに対しては利用することができる。
【0003】
従来技術における問題点は、3つのセンサを使用すると、それらを機械的に調整する必要がある。3軸センサにとって必要なのは、採用された製造工程の結果として、それぞれのセンサに関連して自動的にセンサの調整がなされることである。本発明ではこの必要を満たしている。
【0004】
概して、本発明は、2つが直交的に位置された片持ち梁ビーム、及び組合わせ部が第一の基板またはウェハ上に定義され、また少なくとも1つの接触部及び組合わせ部が第二の基板またはウェハ上に定義されているマイクロ・エレクトロ・メカニカル(MEM)・3軸センサの製造方法を提供するものである。第二の基板またはウェハ上に施される組合わせ部は、第一の基板またはウェハ上の組合わせ部と好ましい相補的な形状を有している。2つの組合わせ部のうち少なくとも1つは、ウェハから伸長したケイ素突部を含み、その上部に対応部が組み合わされる。ボンディングまたは共晶層は少なくとも1つの組合わせ部上に提供され、その組合わせ部のそれぞれが対面関係に置かれる。その結果、2つの基板間に対して圧力が加えられると共に、熱が加えられることによりボンディングまたは共晶層における2つの組合わせ部間にボンディングが起こる。そして、第一の基板またはウェハは除去されて、第二の基板またはウェハに関連した動作をする片持ち梁ビームを自由にする。ボンディングまたは共晶層も、片持ち梁ビーム上に形成された接触部を用いた回路を作成するための片持ち梁ビームへの便利な電導路を提供する。
【0005】
もう一つの特徴としては、本発明は、単結晶ケイ素マイクロ・エレクトロ・メカニカル・スイッチまたはセンサの構成及び製造方法を提供する。第一の基板またはウェハは、第一の基板またはウェハ上に少なくとも2つの片持ち梁ビーム構造部及び組合わせ部が定義されることで提供される。2つの片持ち梁ビームはお互いに直交的に配置される。もう1つの3番目の直交方向に反応するセンサも提供される。圧力に対して繊細なボンディング層は、第一の基板及び第二の基板間へ圧力及び熱の施工に応じて、第一の基板またはウェハ上に定義された組合わせ部を前記第二の基板又はウェハ上の組合わせ部とボンディングするために、少なくとも一つの組合わせ部上に配置される。
【0006】
半導体製造型工程が3つのセンサの製造に向いていることから、本発明における3軸センサにお互いに関連して3つのセンサの自動的な自己調整を提供し、それ故に3つのセンサの構造の殆どを作り出すマスクを使用することで、3つのセンサのリソグラフ的な調整が行われる。
【0007】
【発明の実施の形態】
マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの片持ち梁ビーム形成に関するいくつかの技術は、図1〜図37を用いて詳述する。その他の片持ち梁構造物を形成する技術は、本願に取り込んで詳細を説明する。本願の特徴である3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサは、図38〜図40Bを用いて説明する。
【0008】
マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの図面は縮尺が合っていないが、それよりも、当業者のために関連した構造についてを明示している。当業者には、実際のこれら素子及び機構に関してはとても小さく、一般に半導体素子の製造に使用するのと同様分野の技術が用いられた特有の製造技術によるものであるとの認識がある。これら小型素子の大きさを理解するために、図23において、本発明を用いたマイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサーの好適な実施例の実寸情報が表わされている。
【0009】
図1A及び図1Bには、片持ち梁(cantilever)を形成する初期ウェハが図示されている。初期ウェハは、本体としてのn型ケイ素(Si)10上にドープp型ケイ素12の薄層が形成された構造を持つ。ケイ素ウェハ10はSi<100>結晶方向を持つ単結晶構造であることが望ましい。p型ケイ素層12は、ケイ素ウェハ10上でエピタキシー層となるのが望ましい。層12は、1〜20マイクロメートル(μm)幅の厚さであるのが好ましいが、0.1μm〜800μmの厚さであっても構わない。一般的に、片持ち梁ビームの長さは片持ち梁ビームの厚さと同等とする。層12が最終的に片持ち梁ビーム(cantilevered beam)を形成するため、層12の厚さは片持ち梁を形成するのに適した長さに合わせて選択される。
【0010】
本実施例における層12は、抵抗値を0.05Ω−cm以下に減少するようにホウ素とp型ドープされるのが良いが、抵抗値が0.01から0.05Ω−cmにドープされることが望ましい。本体ケイ素ウェハまたは基板10の抵抗値は、約10Ω−cmであるのが望ましい。ホウ素は、ケイ素に比べ、比較的小さな原子で構成されており、層12の抵抗値を減少するためには、ホウ素を半導体に加えるドーパント率として(1020)の水準を含める必要があり、それによりドープにより適した値に補正された圧力が誘導されるようになるのであり、類似した濃度水準を持つものとして、ゲルマニウムのような大きな純原子を持つ物質が挙げられる。ゲルマニウムは、最終金属内で電子電導体に寄与せず、電子電導体を除去しない点で、純原子であると考えられている。
【0011】
図1A及び図1Bには、片持ち梁(cantilever)を形成する初期ウェハが図示されている。初期ウェハは、本体としてのn型ケイ素(Si)10上にドープp型ケイ素12の薄層が形成された構造を持つ。薄いケイ素層12はやがて、片持ち梁が形成される部材を提供する。ケイ素ウェハ10はSi<100>結晶方向を持つ単結晶構造であることが望ましい。薄いエッチング停止層11が薄いケイ素層12及びケイ素ウェハ10間に形成される。この構成を絶縁上ケイ素(SOI)と呼ぶが、絶縁上ケイ素構造物を作成する技術は当業者にとってよく知られているので、ここでは詳細は記載しない。二酸化ケイ素層であり、厚さが1〜2μmであるのが好ましいエッチング停止層11は、例としてエッチング停止層11をケイ素ウェハ10の露出表面上を覆い隠すように形成するために、露出表面を通してケイ素ウェハ10内部への酸素の転移によって作成することができ、またこのようにすることが同時に、薄いケイ素層12が露出表面に隣接するのを定義する。このような薄い層12は、<100>のケイ素指向性を持つ単結晶構造をも有して作成されるのが望ましい。このエッチング停止層11はやがて、ウェハ10から片持ち梁ビームから切り離される。層12は、1〜20マイクロメートル(μm)幅の厚さであるのが好ましいが、0.1μm〜800μmの厚さであっても構わない。一般的に、片持ち梁ビームの長さは片持ち梁ビームの厚さと同等とする。層12が最終的に片持ち梁ビームを形成するため、層12の厚さは片持ち梁を形成するのに適した長さに合わせて選択される。
【0012】
センサ構造内での層12は、抵抗値を0.05Ω−cm以下に減少するようにドープされるのが良いが、抵抗値が0.01〜0.05Ω−cmにドープされることが望ましい。本体ケイ素ウェハまたは基板10の抵抗値は、約10Ω−cmであるのが望ましい。ホウ素がドーパントとして利用される場合、ケイ素に比べ比較的小さな原子で構成されており、層12の抵抗値を減少するためには、ホウ素を半導体に加えるドーパント率として(1020)の水準を含める必要があり、それによりドープにより適した値に補正された圧力が誘導されるようになるのであり、類似した濃度水準を持つものとして、ゲルマニウムのような大きな純原子を持つ物質が挙げられる。ゲルマニウムは、最終金属内で電子電導体に寄与せず、電子電導体を除去しない点で、純原子であると考えられている。
【0013】
図1A及び図1Bに図示された層12は、符号14に示されたような型押しされたにマスク層が、よく知られた写真平板技術を用いて形成されるが、この型押しは正面からみて大文字”E”の形状にするのが望ましい。大文字”E”の形状を呈するのが望ましいが、他の形状が用いられても構わない。本実施例では、E形状の外周部が組合わせ部を形成し、その部分でセンサの片持ち梁形成基板2と基板4とが組み合わされる。
【0014】
図2A及び図2Bに図示したマスク層14の型押しの後、ウェハはプラズマエッチングにかけられ、薄いp型ケイ素層12を通すようにエッチングを行い、ケイ素ウェハ10内へも約500Åの深さまでエッチングを行う。
【0015】
図2A及び図2Bに図示されているマスク14はその後除去され、もう一方のフォトレジスト層が付加され、2つの穴部16−1、16−2が提供された形で図3A及び図3Bでは図示されている。穴部16−1は薄いp型ケイ素層12の基板にある’E’形状の外周部に沿って構成され、さらに穴部16−2は’E’形状p型ケイ素層12の内辺端部に配置または近接されている。
【0016】
チタン/プラチナ/金層が次にマスク16及び穴部16−1、16−2及び13−3を通して溶着されて、接触柱18−1、トンネリング接触端18−2が形成される。チタン/プラチナ/金層は全ての厚さが約2000Åであることが望ましい。チタン及びプラチナの個別層は、それぞれが100−200Åと1000−2000Åの厚みをもたせるべきである。フォトレジスト16の除去の後、ウェハに約520℃で焼結工程を行い、接触部18−1及び18−2と、基板層12との間にオームチタン−ケイ素結合を形成する。後述する図24A〜図28Bに詳細を図示し、焼結工程は金属層が用いられる場合には除くことができ、接触部18−1及び18−2を接続するのに活かされる。
【0017】
図4A及び4Bに示した構造時にフォトレジスト層20によって覆いがなされ、図3A及び図3Bにおいて述べたフォトレジスト層16においてなされたのと同じ形状を持つように型押しがなされる。それ故、フォトレジスト層20は穴部20−1及びもう一方の穴部20−2を内部に有する。本技術の当業者には、穴部16−1、16−2、20−1及び20−2の大きさは実寸表示ではなく、また穴部16−2及び20−2は穴部16−1及び20−1に比べ、非常に小型になっていることが知られている。従って、より厚いチタン/プラチナ/金層がウェハ上に配置される時に、穴部20−1を実質的に満たす(図5A参照)。しかしながら、当業者には溶着工程が進むと、穴部20−1及び20−2の端部において張出しが起きるため、層22のような層を溶着する際に、マスクの端部がいくらか満たされてしまうことが知られている。穴部20−1の幅が非常に広いため、この満たされてしまう影響は特に重要とはならない。しかしながら、穴部20−2は先端に向かってより細くなっているために、符号20−2に示されている溶着されたチタン/プラチナ/金22がピラミッド形状又は円錐形状を呈する。チタン/プラチナ/金層22の溶着の厚さは、層22が溶着工程中に穴部20−2の天頂部を閉じるのに十分な厚さを有する。最終的に、約100Åの厚さを有する比較的薄い金/ケイ素層24が基板上及び穴部20−1を通して符号24−1に示したように溶着される。
【0018】
フォトレジスト層20は、上部に形成されている層22及び24が取り除かれて、図6A及び6Bに示したような構造物が残される。層12上の層22−1及び24−1の高さは、およそ11,500Åであるのが望ましく、またピラミッド形状または円錐形状の構造物22−2はおよそ8,500Åであるのが望ましい。第一の実施例に係るマイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの片持ち梁ビーム部がこれによって形成され、これから第一の実施例に係るマイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの基板構造の形成について述べる。見られるように、層22−1及び24−1が基板にある片持ち梁ビームと組合わせられる組合わせ部を形成する。
【0019】
以下に基板について述べる。図7A及び7Bでは、酸化ケイ素層32及び34を表面の広範囲に有するウェハ30が示されている。層32及び34のそれぞれの厚さは、およそ1.0マイクロメートルであるのが望ましい。次に、図8A及び8Bに示されるように付加及び型押しされたフォトレジスト層36によってマスクが形成されて、穴部36−1、36−2、36−3及び36−4が内部に形成されている。穴部36−1は、基本的に図3A及び3Bで述べた穴部16−1の形状及び構造に対応している。類似形として、穴部36−2が、基本的に図3A及び3Bで述べた穴部16−2に対応している。穴部36−3及び36−4は制御及びセルフテスト電極38−3及び38−4の溶着を考慮している。チタン/プラチナ/金層38がマスク36上、また穴部を通して内部に接触電極38−1、38−2、38−3及び38−4を層34上に形成するように溶着される。フォトレジスト層36も、層38の溶着時に、接続パッド40が内部紐状導体42と共に電極のそれぞれをも形成するように、内部に穴部を有する。好ましくは、防護環44が先端電極36−2、関連する紐状導体42−2及び接続パッド40−2の周囲に配置されるのが良い。防護環は簡便のため側面図では図示しない。
【0020】
フォトレジスト層36はこの時、上部に溶着された層38を取り外して除去され、図9A及び9Bに示される構造物を残す。接部38−1は大文字Eの外周形状を呈し、片持ち梁ビーム形成基板2の類似した形状を有する組合わせ部22−1、24−1と組合わされる組合わせ部を提供する。
【0021】
図10は、図1Aから6Bにおいて述べたように組み立てられるのが好ましい片持ち梁ビーム形成基板2が、図7A〜図9Bにおいて述べたように組み立てられた基板4に関連した部と、機械的に揃えられる。もちろん、当業者にとって、ウェハ10及び30の表面に見られるパターンは、ウェハの表面を越えて何度も繰返され、符号22−1、24−112及び22−2で構成される片持ち梁ビーム形成基板2及び符号38−1から38−4で構成されている対応している基板4がケイ素ウェハ10及び30上で組み合わされるように製造されているのは知られている。2つのウェハは組み合わされ(図11を参照)、圧力及び熱によって層24−1及び層38−1間で共晶ボンディングが起こる。圧力はおよそ1000のデバイスを含む3インチ(7.5cm)ウェハ2、4の間に約400℃で約5,000Nの力が加えられて展開されるのが好ましい。もちろん、力はウェハのサイズによって調整され、全ての表面がボンディングされる必要がある。
【0022】
層24−1及び38−1は大文字”E”の外周部の形状を持つことが望ましく、それによってマイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの可動接部22−2が、この物理形状で効果的に防護される。共晶ボンディング形成後、ケイ素層10は除去され、図12Aび図12Bに図示されたマイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサが得られる。ケイ素は非ドープのケイ素をエッチングするエチレンジアミンピロカテコール(EDP)によって除去することが可能であり、ホウ素によってドープされたケイ素がここで述べるこのエッチング液に抵抗する。このエッチング工程では接部22−2を有するホウ素ドープされたケイ素片持ち梁ビーム12と、基板4にボンディングされた補助または組合わせ部22−1及び24−1のみが残される。マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサについての好ましい寸法は、図12Aに示される。ビームは200〜300μm(0.2〜0.3mm)の長さを有するのが望ましい。
【0023】
エチレンジアミンピロカテコールをエッチング液として利用する代わりに、例として層12及び基板10間のエッチング停止層のような二酸化ケイ素層が利用されている場合には、プラズマエッチングを利用することができる。
【0024】
マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの第二の実施例を以下に説明する。第一の実施例の場合のように、片持ち梁ビーム形成基盤2の組立について初めから説明し、また基板4及び共晶ボンディング及びマイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの完成形態について説明する。明らかにするのは、この第二の実施例が第一の実施例と基板4上で片持ち梁ビームが補助されている点について異なっている。
【0025】
第二の実施例についての片持ち梁形成基板2の組立は、第一の実施例の図1A〜図4Bで述べた点から始まる。組み立て工程は、図1〜図4Bにおいて示した工程で実現でき、図1A〜図4Bに示した構造となる。そこから、フォトレジスト層20’が置かれ、図13A及び図13Bに示されたような単穴部20−2を内包した形状を呈する。15,000Åの厚さを持つ金層26がフォトレジスト層20’上に付加され、接部18−2から穴部20−2上に配置された金が、金層26の溶着間に穴部20−2において張出しを形成することにより、ピラミッド形状または円錐形状をなす突接部26−2を形成する。接部20−2が形成された後、残されたフォトレジスト層20’が除去されて、片持ち梁ビーム構造物が図14A及び図14Bに示されるように視認できるようになる。第二の実施例における図14A及び図14Bと、第一の実施例における図6A及び図6Bの2つの実施例間の差異は、第二の実施例には層22−1及び24−1が無い部分であり、故に本実施例では組合わせ部が層18−1により提供される。
【0026】
マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの第二の実施例の基板4の組立を、以下に図15Aから図19Bを用いて述べる。図15A及び図15Bでは、ケイ素のウェハ30’が図示され、フォトレジスト層50が配置されて、大文字’E’の外周形状が型押しされている。この時露出したケイ素が2000Åの厚さのエッチングにより、フォトレジスト層のマスク50が型押しされた下にウェハ30−1の突部を定義する。フォトレジストマスク50がこの時に除去され、ウェハ30が酸化されて酸化層52、54をその露出表面に形成する。酸化層はそれぞれ1μmの厚さを持つのが好ましい。もちろん、図16Aに示す表面端部は酸化されていないが、図16Aに図示する型押しは、全体のウェハ30において見られる複数の型押しの繰返しの1つが示されているのみであるためである。
【0027】
図17及び図17Bでは、フォトレジスト層56が、前述したような大文字’E’の外周形状を呈する穴部56−1を内包して付加されている。この時、2,000Åの厚さを持つのが好ましいチタン/プラチナ/金層58が、穴部56−1を通って溶着され、次に穴部56−1では、1,000Åの厚さを持つのが好ましい金/ケイ素共晶層60の溶着が行われる。これによりチタン/プラチナ/金層58−1及び金/ケイ素共晶層60−1が形成され、前述したように大文字’E’の外周形状に沿って形成されるのが望ましい。
【0028】
フォトレジスト層56がこの時除去され、図18Aに示す(i)穴部62−2、62−3及び62−4,以下図18Bに示す(ii)パッド40−1から40−4及び紐状導体41用穴部、(iii)防護環44及びそのパッド用穴部が型押しされたフォトレジスト層62が付加される。簡単に述べると、防護環44用穴部は18Aには示しておらず、チタン/プラチナ/金層が、図19A及び図19Bに示すように、フォトレジスト層上及び穴部62−2から62−4を通して溶着され、穴部62−2から62−4では接部64−3、64−4及び64−2を形成する。これら接部は前述した紐状導体42によって、接部が形成するパッド40−2〜44−4と内部接触がなされ、接部40及び紐状導体が形成されると同時に接部64−3、64−4及び64−2が形成されるのが望ましい。外周形状層58−1及び60−4も紐状導体42によってパッド40−1と接続される。フォトレジスト層62は除去されて、図19A及び図19Bに示すように基板が視認できるようになる。20,000Åの高さを持つのが好ましい突部30−1と比較的薄い層58−1及び60−1は基板における組合わせ部を形成する。
【0029】
図20では、第二の実施例における片持ち梁ビーム形成部2は、ここで基板4とボンディングされる。図20では、2つの基板10及び30’が対面関係になり、それにより組合わせ部18−1及び30−1、58−1、62−1が一直線上になり、層18−1及び60−1がそれぞれ適切に組合わされる。圧力及び熱(好ましくは、その上部におよそ1000のセンサが配置された3インチウェハ2、4の間に400℃で5,000Nの圧力を付加するのが望ましい)が付加され、共晶ボンディングが図21に示すように層18−10及び60−1間で起こる。その後、ケイ素ウェハ10がエッチング停止層11を用いて除去され、そして層11が除去されて、図22に示すマイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサ構造が得られる。p型ケイ素層12は、片持ち梁ビームとして補助する部12−2と、下層を通して基板4に接触されているもう一方の部とを含む。金接触部26−2は符号12−2、12−1、18−1、60−1、58−1及び金接触部に関連する紐状導体42によってパッドと一対にされている。
【0030】
図23は図22と基本的に一致し、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサをより詳細に、かつ好適なマイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの寸法をも本図では示している。
【0031】
以下に、第一の実施例及び第二の実施例に関して上述した図4Bについて再度述べるが、チタン/プラチナ/金層18は接部18−1及び18−2を形成するのに利用され、これら接部はホウ素ドープされた片持ち梁12とオーム接触が形成されるように焼結される。特記事項として、焼結は紐状導体を接部18−1及び18−2の間に提供することにより避けることができる。そのような改良の詳細をここで述べ、図24A及び図24Bに焼結について図示する。
【0032】
この改良によれば、ケイ素ウェハ10上に形成される薄いケイ素層12には(i)ホウ素がドープされ、または(ii)非ドープされ、またはその他の添加物がドープされる。非ドープされる(または他の不純物によってドープされる)場合、基板10上のエピタキシャル成長より他の方法によって形成されるのが望ましく、また薄いエッチング停止層11がケイ素エピタキシャル層12とケイ素ウェハ10間に形成される。この構造は絶縁上ケイ素(SOI)と呼ばれるが、絶縁上ケイ素の形成技術は本技術分野で良く知られているためここでは詳述しない。二酸化ケイ素層であることが好ましいエッチング停止層11は、1−2μmの厚さを持つことが望ましく、作成例としては、ケイ素ウェハ10内部に酸素を添加し、ケイ素ウェハ10の露出面下部を被覆するエッチング停止層11を形成し、同時に、薄ケイ素層12をその露出面に隣接することにより作成される。薄い層12もそれ故に、<100>結晶配列を有する単結晶構造で作成されているのが好ましい。エッチング停止層11が利用される場合には、二酸化ケイ素層の厚さが約1〜2μmを有することが望ましい。このエッチング停止層11はウェハ10から片持ち梁ビームを前述した2つの工程であるプラズマエッチング工程によって切り離される。層12がホウ素ドープされる場合には、エピタキシャル層の抵抗値が1Ω−cm以下に減衰するドープがされる。そうなる程度のホウ素ドープでエピタキシャル層12は、その後のウェハ10から片持ち梁ビーム10を切り離すエチレンジアミンピロカテコールエッチングに抵抗できるため、エッチング停止層は必要ない。
【0033】
付加的に、ドープされまたは非ドープである薄いケイ素層12が上部に形成されたケイ素層10(図24A及び図24B参照)が熱酸化により比較的薄い二酸化ケイ素層を層12の露出表面に形成しているのが良い。層12は1.2μmの厚さを持つのが良い(しかし、用途に応じて薄くしても厚くしても良い)。付加二酸化ケイ素層の厚さは、およそ0.2μmであるのが望ましい。この時点に至り、希望により互いの広範囲の表面を酸化し、酸化部分を下層からはがしても良い。付加酸化層はビームの端部に形成されたトンネリング突部の金内部にビームからケイ素の拡散に対してより良い防護を提供するのに向いている。この付加酸化層は片持ち梁のどの実施例において使用されても良いが、簡便のために殆どの図においては省略されている。しかしながら、図41において、符号70で表わして確認できる。
【0034】
図25A及び図25Bでは、フォトレジスト層14が層12(または存在すれば付加酸化層)上に付加され、図2A及び図2Bにおいて述べた、フォトレジスト層14が大文字’E’形状を呈した型押しがされるのが望ましい。図25A及び25Bにおける構造は、プラズマエッチングにより、層11及12を通過してケイ素基板10内に500Åまでエッチングする。その時、フォトレジスト層16が付加され、図26A及び図26Bに示す型押しがなされる。フォトレジスト層16は図3A及び図3Bに図示された層16と、次にフォトレジスト層上に、好ましくはチタン/プラチナ/金である金属層の溶着時に、付加穴部16−5が紐状導体18−5の形成に提供する穴部61−1及び16−2間の接続に含まれていることを除き、基本的に同じ配置及び構造が型押しされる。層18の溶着の後、フォトレジスト層16は除去されて、図27A及び図27Bに示すように、層16上に形成された層18の部分が、下層12または存在すれば付加酸化層上の層18の残存部18−1、18−2及び18−5を残して取り外される。
【0035】
図27A及び図27Bに図示する構造になった後、トンネリング突部22がマスキングを利用して及び金またはチタン/プラチナ/金層の溶着によって付加され、例として、それによって図28A及び図28Bに示す構造となる。構造を利用することで、符号22−1(図6A参照)が同時に溶着されることにより、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサは前述した図10及び図11として完成する。ケイ素基板30が突部30−1(例として図16A参照)を形成しているように代えた場合は、符号22−1の溶着が省略でき、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサは図20及び図21において述べたように完成する。図28A及び図28Bにおいて図示する構造を図19A及び図19Bに図示した基板4へと共晶ボンディングし、片持ち梁ビームからケイ素ウェハ10を除去した後を、図29A及び図29Bに示す。片持ち梁ビームは2つのプラズマエッチングによって形成されるのが望ましい。第一のエッチングではウェハ10を除去し、第二のエッチングではエッチング停止層11を除去する。
【0036】
図30ではまた1つのマイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの実施例を示している。この場合のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサは完成図である。既に述べた事項とともに、当業者にとって既に述べた詳細な説明から改良して以降の実施例を生産するのは難しいことではないよう、全てについてここに説明する。図1A〜図12Bに示した実施例では、層24−1及び38−1の間でケイ素基板10と閉じるように好ましい共晶ボンディングが行われている。図30の実施例では、金及び金/ケイ素層間で補助腕80内の中央部において閉じるように好ましい共晶ボンディングが行われている。一方のこの実施例では図1Aから図12Bで述べられた第一の実施例と類似している。図31の実施例では、金及び金/ケイ素層間で好ましい共晶ボンディングが行われており、図1A〜図12Bに示したように、基板4に対して閉じるのと反対に片持ち梁12に対して閉じるように行われる。図30及び図31の実施例の場合には、片持ち梁ビーム12は良好な導電性を持つことにより、ビーム12の端部における接部22−2及び基板4上の接部40−1(図12B)の間の電導路として作用する。ホウ素ドープされたケイ素片持ち梁ビーム12の抵抗値が0.05Ω−cm以下になるのが好ましい。片持ち梁ビーム12の抵抗値が低いことにより、エチレンジアミンピロカテコールが基板10のエッチング除去に向いている(図10及び図11及び除去の記述を参照)。また、絶縁上ケイ素ウェハ及び二酸化ケイ素層11(図24Aから図28B)が、基板10のエッチング除去時に片持ち梁ビーム12の防護のためのエッチング停止層として利用されるのが良い。
【0037】
図10、23、29及び30の実施例の構成は、比較的薄い金属組合わせ層のみが必要であり、より安定性の高いケイ素柱または突部30−1を提供することから、図23及び29の実施例を用いるのが望ましい。
【0038】
図32及び図33の実施例は、図29及び30の実施例と類似しているが、図29及び図30の実施例では、図24A及び図29Bにおいて述べた紐状導体18−5を利用している。これらの実施例では、層がホウ素とドープされている場合には、片持ち梁ビーム12の抵抗値が0.05Ω−cm以下であるのが望ましい。紐状導体により、片持ち梁ビーム12に対して抵抗値の高いケイ素の使用も許される。層12がホウ素でドープされている場合には、片持ち梁ビームがエチレンジアミンピロカテコールをエッチング液として利用してウェハ10から切り離される。また、絶縁上ケイ素形成が二酸化ケイ素停止層11と共に利用されて(図24A〜図28Bを参照)、ウェハまたは基板10のエッチング除去時に片持ち梁ビーム12を防護すると良い。
【0039】
図34〜図37の実施例は、平面基板の代わりに第二の実施例において述べたようにケイ素突部30−1を持つ基盤が利用されている点除いて(図13A〜図23及び関連した記述を参照)、図29、31、30及び32と類似している。
【0040】
一般的に、図13A〜図23及び図34〜図37の実施例は、これらの実施例の全てがケイ素柱または突部30−1を持つ基板30’を利用し、完成するセンサがより良い機械的安定性を提供すると思われるために、マイクロ・エレクトロ・メカニカルセンサに利用されるのが望ましい。
【0041】
これまでセンサの組立に関する構成を述べ、またアメリカ合衆国特許出願内のそれぞれの単動センサの提供の詳述までをここに含んでいる。もちろん。多くのセンサが一時に共通基板またはウェハ上で製造される。実際に、隣接しているセンサ同士は関連しており、また一方に対して直交的に位置するため、その結果1組のセンサは二つの異なった方向に対応している。図38で示されるように2つのトンネリングセンサ101及び102が配置されて、それらの片持ち梁ビーム12がそれぞれ、X軸、Y軸に沿うように配置されている。3つめのキャパシティブセンサ103はZ軸に沿って対応するように提供される。結果として、センサはこのように3軸への対応を持つ。センサ103は例として、アメリカ合衆国特許5,226,321に配置型が使用できる。また、第3のセンサ103が当業者の間で知られている四つ葉のクローバー型構造を有していても良い。クローバー型のデザインは、内部に4角形状のクローバーの葉の形状91及び外周端92(図39、40A及び40Bを参照)が定義されるようにエッチングされた吊板90を含む。柱93は板90の少なくとも1つの表面中央部に、例として符号94のエポキシセメントでボンディングされている。柱93はたいていZ軸に沿って動くことができ、クローバーの葉の形状91もそれと共に動く。適合電極95は吊板及び柱の動作を感知するために提供される。
【0042】
2つの直角的に配置されたセンサは、アメリカ合衆国特許出願番号_”ア シングル クリスタル、デュアル ウェハ、 ジャイロスコープ アンド ア メソッド オブ メイキング セイム(A Single Crystal, Dual Wafer, Gyroscope and a Method of Making Same)”出願日_(代理人整理番号618022−2)に記載された型のトンネリング回転率センサが良い。上述した特許出願の内容は本願明細書中に含めて記載している。
【0043】
吊板90の外周端92に配置された組合わせ部はセンサ103に関連した補助構造物93へと共晶ボンディングがなされ、その方法は図23における片持ち梁ビーム12をその補助構造物へとボンディングする方法と非常に似通っている。以下図40Bを参照する。補助構造物93が基板4内の基板94から突出ているケイ素突部94−1と共に形成されるのが望ましい。チタン/プラチナ/金層58−7及び金/ケイ素共晶層60−7は、センサ103の補助構造物の外周形状に沿うように形成されるのが望ましい。層58−7及び60−7は、例として図23の実施例に基づくセンサ101及び102の形成時のように、層58及び60が配置されるのと同時に形成されるのが望ましい。
【0044】
板90は、センサ101及び102の片持ち梁ビーム12が片持ち梁基板2内に形成されるのとほぼ同時に形成されるのが望ましい。チタン/プラチナ/金によって形成されたマルチレイヤ18−1及び板90に対する組合わせ部を含む片持ち梁ビーム12は、板90の外周端にチタン/プラチナ/金のマルチレイヤ18−7が形成されるのと共に提供されるのが好ましい。層18−7は、層18が片持ち梁ビーム構造の製造における配置と同時に形成されるのが望ましい。これで柱93が形成される。片持ち梁ビーム2及び基板4が形成された後、それらは機械的に調整がなされる。前述したように圧力及び熱が付加され、図21及び23に図示された層18−1と60−1との間で共晶ボンディングが行われ、それと同時に図40Bに図示された層18−7と層60−1との間で共晶ボンディングが行われる。
【0045】
図40Cは図40Bと類似している。この実施例では、二つのトンネリングジャイロスコープ101及び102が共通基板30上に見ることができる。2つのジャイロスコープはx軸及びy軸に沿って配置される。z軸ジャイロは符号103で表わされている。この実施例では、3つのジャイロが基板30、壁131及び上板130によって定義されることによって定義された真空空間内に包含されているのが望ましい。上板130及び壁131は、上述した片持ち梁ビーム12が板に固定される方法のような共晶ボンディングがされているのが良い。
【0046】
構造として図面に図示したように、大文字’E’に関しての多くの事例を述べた。しかしながら、この形状が特別でるというわけではなく、基本的に層12の片持ち梁ビームによって形成される片持ち梁構造に良い機械的補助が提供されることから好ましいとしたものである。もちろん、補助構造または片持ち梁ビーム12の周囲の組合わせ構造はデザインの選択によって変更することができ、またそれは大文字’E’の境界を形成する必要というわけではなく、円、三角形、またはその他の希望の形状を含めて簡単な形状で形成することができる。
【0047】
片持ち梁ビーム12上に紐状導体を利用する実施例では、片持ち梁ビーム12上のパッド及び接部(例えば26−2及び26−3)が一般的に紐状導体18−1、18−2及び18−5上に形成されるように図示されている。要素26−2及び29−3は直接片持ち梁ビーム12上に形成されても良い場合には、片持ち梁ビーム上の紐状導体は様々な簡単な種類の道順を定めることができ、対象への接続または片持ち梁ビーム12上に形成されたもう一方の金属によってもう一方の接部を作成して良い。
【0048】
片持ち梁ビームの遠心端における接部は、円錐または三角形で図示及び詳述した。当業者にとっては、これらの接部が異なった構造を持ち、いくつかの実施例中では平面構造であることは良く知られている。
【0049】
この記述全体に渡り、チタン/プラチナ/金層と記載している。当業者にとっては、この学術用語はチタン/プラチナ/金層がチタン層、プラチナ層、金層の独立した層によって構成されている状態であることは良く知られている。チタン層は溶着を助成し、その際にプラチナ層が隣接した層からケイ素の金内部への拡散を防止するように動作する。ケイ素が金内部へと拡散することにより二酸化ケイ素を露出表面上に形成していく場合、二酸化ケイ素が非電導であることから、金接部が持つ機能に対して悪影響を持つために、ケイ素が金内部へと混合するのを防止することが望ましい。
【0050】
マイクロ・エレクトロ・メカニカル・デバイスの異なった様々な実施例を以上に述べた。多くはセンサに関し、いくつかはスイッチである。さらに多くの実施例は本願に記載の事項に基づいて当業者が容易に想到し得るものである。しかしながら、全ての場合における基板4は片持ち梁形成構造物2と、共晶ボンディングが2つの基板2、4の露出層間で起こる要素である圧力と好ましくは熱とを加えられることにより接合されている。
【0051】
最良の形態の実施例について本発明を述べたが、当業者において改良が行われるのを望む。本発明は従属項に記載されたものを除き、前述したものに限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【図1A】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの片持ち梁ビームの形成部分に関する第一実施例の構成図である。
【図1B】
本発明に係る、図1Aに対応する片持ち梁ビームの形成部分に関する形成時の一段階を示す平面図である。
【図2A】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの片持ち梁ビームの形成部分に関する第一実施例の構成図である。
【図2B】
本発明に係る、図2Aに対応する片持ち梁ビームの形成部分に関する形成時の一段階を示す平面図である。
【図3A】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの片持ち梁ビームの形成部分に関する第一実施例の構成図である。
【図3B】
本発明に係る、図3Aに対応する片持ち梁ビームの形成部分に関する形成時の一段階を示す平面図である。
【図4A】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの片持ち梁ビームの形成部分に関する第一実施例の構成図である。
【図4B】
本発明に係る、図4Aに対応する片持ち梁ビームの形成部分に関する形成時の一段階を示す平面図である。
【図5A】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの片持ち梁ビームの形成部分に関する第一実施例の構成図である。
【図5B】
本発明に係る、図5Aに対応する片持ち梁ビームの形成部分に関する形成時の一段階を示す平面図である。
【図6A】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの片持ち梁ビームの形成部分に関する第一実施例の構成図である。
【図6B】
本発明に係る、図6Aに対応する片持ち梁ビームの形成部分に関する形成時の一段階を示す平面図である。
【図7A】
本発明に係る、第一実施例のトンネリング・センサの基板部分の構成工程における切断図である。
【図7B】
本発明に係る、図7Aに対応する基板部分の構成工程における平面図である。
【図8A】
本発明に係る、第一実施例のトンネリング・センサの基板部分の構成工程における切断図である。
【図8B】
本発明に係る、図8Aに対応する基板部分の構成工程における平面図である。
【図9A】
本発明に係る、第一実施例のトンネリング・センサの基板部分の構成工程における切断図である。
【図9B】
本発明に係る、図9Aに対応する基板部分の構成工程における平面図である。
【図10】
本発明に係る、片持ち梁ビーム形成部と基板部分とを組合わせ、望ましい共晶ボンディングを利用して互いのボンディングが行われた図である。
【図11】
本発明に係る、片持ち梁ビーム形成部と基板部分とを組合わせ、望ましい共晶ボンディングを利用して互いのボンディングが行われた図である。
【図12A】
本発明に係る、第一の実施例に関する完成したトンネリング・センサの切断図である。
【図12B】
本発明に係る、第一の実施例に関する完成したトンネリング・センサの平面図である。
【図13A】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカルセンサの片持ち梁の第二の実施例に関する組立工程の切断図である。
【図13B】
本発明に係る、片持ち梁の平面図である。
【図14A】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカルセンサの片持ち梁の第二の実施例に関する組立工程の切断図である。
【図14B】
本発明に係る、片持ち梁の平面図である。
【図15A】
本発明に係る、トンネリングセンサの第二の実施例の基板組立に関する切断図である。
【図15B】
本発明に係る、ウェハの第二の実施例に関する組立工程に関する平面図である。
【図16A】
本発明に係る、トンネリングセンサの第二の実施例の基板組立に関する切断図である。
【図16B】
本発明に係る、ウェハの第二の実施例に関する組立工程に関する平面図である。
【図17A】
本発明に係る、トンネリングセンサの第二の実施例の基板組立に関する切断図である。
【図17B】
本発明に係る、ウェハの第二の実施例に関する組立工程に関する平面図である。
【図18A】
本発明に係る、トンネリングセンサの第二の実施例の基板組立に関する切断図である。
【図18B】
本発明に係る、ウェハの第二の実施例に関する組立工程に関する平面図である。
【図19A】
本発明に係る、トンネリングセンサの第二の実施例の基板組立に関する切断図である。
【図19B】
本発明に係る、ウェハの第二の実施例に関する組立工程に関する平面図である。
【図20】
本発明に係る、片持ち梁及び基板をお互いにそろえ、お互いを共晶ボンディングによってボンディングする側方図である。
【図21】
本発明に係る、片持ち梁及び基板をお互いにそろえ、お互いを共晶ボンディングによってボンディングする際の切断図である。
【図22A】
本発明に係る、第二実施例によって完成したマイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの切断図である。
【図22B】
本発明に係る、第二実施例によって完成したマイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの正面図である。
【図23】
本発明に係る、第二実施例によって完成したマイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの切断図である。
【図24A】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの片持ち梁の第一及び第二の実施例の改良に関する切断図である。
【図24B】
本発明に係る、改良の組立工程を表わす平面図である。
【図25A】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの片持ち梁の第一及び第二の実施例の改良に関する切断図である。
【図25B】
本発明に係る、改良の組立工程を表わす平面図である。
【図26A】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの片持ち梁の第一及び第二の実施例の改良に関する切断図である。
【図26B】
本発明に係る、改良の組立工程を表わす平面図である。
【図27A】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの片持ち梁の第一及び第二の実施例の改良に関する切断図である。
【図27B】
本発明に係る、改良の組立工程を表わす平面図である。
【図28A】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの片持ち梁の第一及び第二の実施例の改良に関する切断図である。
【図28B】
本発明に係る、改良の組立工程を表わす平面図である。
【図29A】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの片持ち梁の第一及び第二の実施例の改良に関する切断図である。
【図29B】
本発明に係る、改良の組立工程を表わす平面図である。
【図30】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサのもう1つの実施例の側面図であり、この実施例では柱の中央部に共晶ボンディングが施されている。
【図31】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサのまたもう1つのの実施例の側面図であり、この実施例では片持ち梁12に隣接した部分に共晶ボンディングが施されている。
【図32】
本発明に係る、図30に示された実施例の柱補助の中央部内に共晶ボンディングをもつマイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサのもう1つの実施例の側面図であり、また片持ち梁ビーム構造物上に紐状導体を有する。
【図33】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサのもう1つの実施例の側面図であり、この実施例では図31に示された実施例における片持ち梁ビームの隣接部に共晶ボンディングが施されており、また片持ち梁ビーム構造物上に紐状導体を有する。
【図34】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサのもう1つの実施例の側面図であり、この実施例では片持ち梁ビームの隣接部に共晶ボンディングが施されており、また、柱補助構造部を形成するケイ素突部を持つ基板を利用している。
【図35】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサのまたもう1つの実施例の側面図であり、この実施例では片持ち梁の隣接部に共晶ボンディングが施され、図34の実施例に示した柱補助構造物を形成しているケイ素突部を持つ基板を利用し、片持ち梁ビーム構造物上に紐状導体を有している。
【図36】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサのもう1つの実施例の側面図であり、図30の実施例で示された柱補助部の中央部内に好ましい共晶ボンディングが施され、柱補助構造部を形成するケイ素突部を持つ基板が利用されている。
【図37】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサのもう1つの実施例の側面図であり、図36に示されたようにこの実施例では柱補助部の中央部内に好ましい共晶ボンディングが施され、柱補助構造部を形成するケイ素突部を持つ基板を利用し、片持ち梁ビーム構造物上に紐状導体を有している。
【図38】
本発明に係る、3軸センサにおける3つのセンサ配列の平面図である。
【図39】
本発明に係る、図38のZ軸センサの透視図である。
【図40A】
本発明に係る、図38の3軸センサの側面構成図である。
【図40B】
本発明に係る、図40Aのさらなる詳細な側面図である。
【図40C】
本発明に係る、もう一方の実施例の側面図である。
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロ・エレクトロ・メカニカル(MEM)・トンネリング/キャパシティブ・センサに関し、特に共晶的にボンディングされている複数ウェハを利用する3軸センサに関する。1形態における、単結晶、トンネリング及びキャパシティブ、共晶ボンディングを利用している3軸センサ及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
本発明は、高い性能を有する単結晶ケイ素トンネリング及びキャパシティブデバイスを用いている単基板上の複数軸回転率センサを組み立てる新しい工程を提供する。従来、3軸回転計測用の単ケイ素(Si)基板上の複数軸キャパシティブセンサは実現されている。{参考文献として、”マイクロマシンド デュアル インプット アクシス アンギュラー レイト センサ(Micromachined Dual Input Axis Angular Rate Sensor)”、トール ジュノー、エー.ピー.ピサーノ ソリッド ステート センサーズ アンド アクチュエイター アクシス アンギュラー レイト センサ(Solid−State Sensors and Actuator Axis Angular Rate Sensor)”、トール ジュノー、エー.ピー.ピサーノ ソリッド センサーズ アンド アクチュエイター ワークショップ(Solid−State Sensors and Actuator Workshop)、ヒルトン ヘッド、サウス カロライナ、ジューン(June)2〜6、1996、及び”マイクロストラクチャ デザイン オブ アングル メジャーイング エムイーエムエス ジャイロスコープス(Microstructure Design of Angle Measuring MEMS Gyroscopes)”、アンドレイ エム.シュケル、博士論文、バークレイ センサー アンド アクチベータ センタ、1999}。しかしながら、従来には、単チップ3軸センサ用のトンネリング及びキャパシティブセンサの組合わせは無かった。大部分のマイクロマシン技術及び上記に関連した特許出願に係る技術は、2軸トンネリング率ジャイロ(X及びY検知用)及び単基板上の様々なタイプの2軸キャパシティブ率ジャイロに対しては利用することができる。
【0003】
従来技術における問題点は、3つのセンサを使用すると、それらを機械的に調整する必要がある。3軸センサにとって必要なのは、採用された製造工程の結果として、それぞれのセンサに関連して自動的にセンサの調整がなされることである。本発明ではこの必要を満たしている。
【0004】
概して、本発明は、2つが直交的に位置された片持ち梁ビーム、及び組合わせ部が第一の基板またはウェハ上に定義され、また少なくとも1つの接触部及び組合わせ部が第二の基板またはウェハ上に定義されているマイクロ・エレクトロ・メカニカル(MEM)・3軸センサの製造方法を提供するものである。第二の基板またはウェハ上に施される組合わせ部は、第一の基板またはウェハ上の組合わせ部と好ましい相補的な形状を有している。2つの組合わせ部のうち少なくとも1つは、ウェハから伸長したケイ素突部を含み、その上部に対応部が組み合わされる。ボンディングまたは共晶層は少なくとも1つの組合わせ部上に提供され、その組合わせ部のそれぞれが対面関係に置かれる。その結果、2つの基板間に対して圧力が加えられると共に、熱が加えられることによりボンディングまたは共晶層における2つの組合わせ部間にボンディングが起こる。そして、第一の基板またはウェハは除去されて、第二の基板またはウェハに関連した動作をする片持ち梁ビームを自由にする。ボンディングまたは共晶層も、片持ち梁ビーム上に形成された接触部を用いた回路を作成するための片持ち梁ビームへの便利な電導路を提供する。
【0005】
もう一つの特徴としては、本発明は、単結晶ケイ素マイクロ・エレクトロ・メカニカル・スイッチまたはセンサの構成及び製造方法を提供する。第一の基板またはウェハは、第一の基板またはウェハ上に少なくとも2つの片持ち梁ビーム構造部及び組合わせ部が定義されることで提供される。2つの片持ち梁ビームはお互いに直交的に配置される。もう1つの3番目の直交方向に反応するセンサも提供される。圧力に対して繊細なボンディング層は、第一の基板及び第二の基板間へ圧力及び熱の施工に応じて、第一の基板またはウェハ上に定義された組合わせ部を前記第二の基板又はウェハ上の組合わせ部とボンディングするために、少なくとも一つの組合わせ部上に配置される。
【0006】
半導体製造型工程が3つのセンサの製造に向いていることから、本発明における3軸センサにお互いに関連して3つのセンサの自動的な自己調整を提供し、それ故に3つのセンサの構造の殆どを作り出すマスクを使用することで、3つのセンサのリソグラフ的な調整が行われる。
【0007】
【発明の実施の形態】
マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの片持ち梁ビーム形成に関するいくつかの技術は、図1〜図37を用いて詳述する。その他の片持ち梁構造物を形成する技術は、本願に取り込んで詳細を説明する。本願の特徴である3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサは、図38〜図40Bを用いて説明する。
【0008】
マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの図面は縮尺が合っていないが、それよりも、当業者のために関連した構造についてを明示している。当業者には、実際のこれら素子及び機構に関してはとても小さく、一般に半導体素子の製造に使用するのと同様分野の技術が用いられた特有の製造技術によるものであるとの認識がある。これら小型素子の大きさを理解するために、図23において、本発明を用いたマイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサーの好適な実施例の実寸情報が表わされている。
【0009】
図1A及び図1Bには、片持ち梁(cantilever)を形成する初期ウェハが図示されている。初期ウェハは、本体としてのn型ケイ素(Si)10上にドープp型ケイ素12の薄層が形成された構造を持つ。ケイ素ウェハ10はSi<100>結晶方向を持つ単結晶構造であることが望ましい。p型ケイ素層12は、ケイ素ウェハ10上でエピタキシー層となるのが望ましい。層12は、1〜20マイクロメートル(μm)幅の厚さであるのが好ましいが、0.1μm〜800μmの厚さであっても構わない。一般的に、片持ち梁ビームの長さは片持ち梁ビームの厚さと同等とする。層12が最終的に片持ち梁ビーム(cantilevered beam)を形成するため、層12の厚さは片持ち梁を形成するのに適した長さに合わせて選択される。
【0010】
本実施例における層12は、抵抗値を0.05Ω−cm以下に減少するようにホウ素とp型ドープされるのが良いが、抵抗値が0.01から0.05Ω−cmにドープされることが望ましい。本体ケイ素ウェハまたは基板10の抵抗値は、約10Ω−cmであるのが望ましい。ホウ素は、ケイ素に比べ、比較的小さな原子で構成されており、層12の抵抗値を減少するためには、ホウ素を半導体に加えるドーパント率として(1020)の水準を含める必要があり、それによりドープにより適した値に補正された圧力が誘導されるようになるのであり、類似した濃度水準を持つものとして、ゲルマニウムのような大きな純原子を持つ物質が挙げられる。ゲルマニウムは、最終金属内で電子電導体に寄与せず、電子電導体を除去しない点で、純原子であると考えられている。
【0011】
図1A及び図1Bには、片持ち梁(cantilever)を形成する初期ウェハが図示されている。初期ウェハは、本体としてのn型ケイ素(Si)10上にドープp型ケイ素12の薄層が形成された構造を持つ。薄いケイ素層12はやがて、片持ち梁が形成される部材を提供する。ケイ素ウェハ10はSi<100>結晶方向を持つ単結晶構造であることが望ましい。薄いエッチング停止層11が薄いケイ素層12及びケイ素ウェハ10間に形成される。この構成を絶縁上ケイ素(SOI)と呼ぶが、絶縁上ケイ素構造物を作成する技術は当業者にとってよく知られているので、ここでは詳細は記載しない。二酸化ケイ素層であり、厚さが1〜2μmであるのが好ましいエッチング停止層11は、例としてエッチング停止層11をケイ素ウェハ10の露出表面上を覆い隠すように形成するために、露出表面を通してケイ素ウェハ10内部への酸素の転移によって作成することができ、またこのようにすることが同時に、薄いケイ素層12が露出表面に隣接するのを定義する。このような薄い層12は、<100>のケイ素指向性を持つ単結晶構造をも有して作成されるのが望ましい。このエッチング停止層11はやがて、ウェハ10から片持ち梁ビームから切り離される。層12は、1〜20マイクロメートル(μm)幅の厚さであるのが好ましいが、0.1μm〜800μmの厚さであっても構わない。一般的に、片持ち梁ビームの長さは片持ち梁ビームの厚さと同等とする。層12が最終的に片持ち梁ビームを形成するため、層12の厚さは片持ち梁を形成するのに適した長さに合わせて選択される。
【0012】
センサ構造内での層12は、抵抗値を0.05Ω−cm以下に減少するようにドープされるのが良いが、抵抗値が0.01〜0.05Ω−cmにドープされることが望ましい。本体ケイ素ウェハまたは基板10の抵抗値は、約10Ω−cmであるのが望ましい。ホウ素がドーパントとして利用される場合、ケイ素に比べ比較的小さな原子で構成されており、層12の抵抗値を減少するためには、ホウ素を半導体に加えるドーパント率として(1020)の水準を含める必要があり、それによりドープにより適した値に補正された圧力が誘導されるようになるのであり、類似した濃度水準を持つものとして、ゲルマニウムのような大きな純原子を持つ物質が挙げられる。ゲルマニウムは、最終金属内で電子電導体に寄与せず、電子電導体を除去しない点で、純原子であると考えられている。
【0013】
図1A及び図1Bに図示された層12は、符号14に示されたような型押しされたにマスク層が、よく知られた写真平板技術を用いて形成されるが、この型押しは正面からみて大文字”E”の形状にするのが望ましい。大文字”E”の形状を呈するのが望ましいが、他の形状が用いられても構わない。本実施例では、E形状の外周部が組合わせ部を形成し、その部分でセンサの片持ち梁形成基板2と基板4とが組み合わされる。
【0014】
図2A及び図2Bに図示したマスク層14の型押しの後、ウェハはプラズマエッチングにかけられ、薄いp型ケイ素層12を通すようにエッチングを行い、ケイ素ウェハ10内へも約500Åの深さまでエッチングを行う。
【0015】
図2A及び図2Bに図示されているマスク14はその後除去され、もう一方のフォトレジスト層が付加され、2つの穴部16−1、16−2が提供された形で図3A及び図3Bでは図示されている。穴部16−1は薄いp型ケイ素層12の基板にある’E’形状の外周部に沿って構成され、さらに穴部16−2は’E’形状p型ケイ素層12の内辺端部に配置または近接されている。
【0016】
チタン/プラチナ/金層が次にマスク16及び穴部16−1、16−2及び13−3を通して溶着されて、接触柱18−1、トンネリング接触端18−2が形成される。チタン/プラチナ/金層は全ての厚さが約2000Åであることが望ましい。チタン及びプラチナの個別層は、それぞれが100−200Åと1000−2000Åの厚みをもたせるべきである。フォトレジスト16の除去の後、ウェハに約520℃で焼結工程を行い、接触部18−1及び18−2と、基板層12との間にオームチタン−ケイ素結合を形成する。後述する図24A〜図28Bに詳細を図示し、焼結工程は金属層が用いられる場合には除くことができ、接触部18−1及び18−2を接続するのに活かされる。
【0017】
図4A及び4Bに示した構造時にフォトレジスト層20によって覆いがなされ、図3A及び図3Bにおいて述べたフォトレジスト層16においてなされたのと同じ形状を持つように型押しがなされる。それ故、フォトレジスト層20は穴部20−1及びもう一方の穴部20−2を内部に有する。本技術の当業者には、穴部16−1、16−2、20−1及び20−2の大きさは実寸表示ではなく、また穴部16−2及び20−2は穴部16−1及び20−1に比べ、非常に小型になっていることが知られている。従って、より厚いチタン/プラチナ/金層がウェハ上に配置される時に、穴部20−1を実質的に満たす(図5A参照)。しかしながら、当業者には溶着工程が進むと、穴部20−1及び20−2の端部において張出しが起きるため、層22のような層を溶着する際に、マスクの端部がいくらか満たされてしまうことが知られている。穴部20−1の幅が非常に広いため、この満たされてしまう影響は特に重要とはならない。しかしながら、穴部20−2は先端に向かってより細くなっているために、符号20−2に示されている溶着されたチタン/プラチナ/金22がピラミッド形状又は円錐形状を呈する。チタン/プラチナ/金層22の溶着の厚さは、層22が溶着工程中に穴部20−2の天頂部を閉じるのに十分な厚さを有する。最終的に、約100Åの厚さを有する比較的薄い金/ケイ素層24が基板上及び穴部20−1を通して符号24−1に示したように溶着される。
【0018】
フォトレジスト層20は、上部に形成されている層22及び24が取り除かれて、図6A及び6Bに示したような構造物が残される。層12上の層22−1及び24−1の高さは、およそ11,500Åであるのが望ましく、またピラミッド形状または円錐形状の構造物22−2はおよそ8,500Åであるのが望ましい。第一の実施例に係るマイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの片持ち梁ビーム部がこれによって形成され、これから第一の実施例に係るマイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの基板構造の形成について述べる。見られるように、層22−1及び24−1が基板にある片持ち梁ビームと組合わせられる組合わせ部を形成する。
【0019】
以下に基板について述べる。図7A及び7Bでは、酸化ケイ素層32及び34を表面の広範囲に有するウェハ30が示されている。層32及び34のそれぞれの厚さは、およそ1.0マイクロメートルであるのが望ましい。次に、図8A及び8Bに示されるように付加及び型押しされたフォトレジスト層36によってマスクが形成されて、穴部36−1、36−2、36−3及び36−4が内部に形成されている。穴部36−1は、基本的に図3A及び3Bで述べた穴部16−1の形状及び構造に対応している。類似形として、穴部36−2が、基本的に図3A及び3Bで述べた穴部16−2に対応している。穴部36−3及び36−4は制御及びセルフテスト電極38−3及び38−4の溶着を考慮している。チタン/プラチナ/金層38がマスク36上、また穴部を通して内部に接触電極38−1、38−2、38−3及び38−4を層34上に形成するように溶着される。フォトレジスト層36も、層38の溶着時に、接続パッド40が内部紐状導体42と共に電極のそれぞれをも形成するように、内部に穴部を有する。好ましくは、防護環44が先端電極36−2、関連する紐状導体42−2及び接続パッド40−2の周囲に配置されるのが良い。防護環は簡便のため側面図では図示しない。
【0020】
フォトレジスト層36はこの時、上部に溶着された層38を取り外して除去され、図9A及び9Bに示される構造物を残す。接部38−1は大文字Eの外周形状を呈し、片持ち梁ビーム形成基板2の類似した形状を有する組合わせ部22−1、24−1と組合わされる組合わせ部を提供する。
【0021】
図10は、図1Aから6Bにおいて述べたように組み立てられるのが好ましい片持ち梁ビーム形成基板2が、図7A〜図9Bにおいて述べたように組み立てられた基板4に関連した部と、機械的に揃えられる。もちろん、当業者にとって、ウェハ10及び30の表面に見られるパターンは、ウェハの表面を越えて何度も繰返され、符号22−1、24−112及び22−2で構成される片持ち梁ビーム形成基板2及び符号38−1から38−4で構成されている対応している基板4がケイ素ウェハ10及び30上で組み合わされるように製造されているのは知られている。2つのウェハは組み合わされ(図11を参照)、圧力及び熱によって層24−1及び層38−1間で共晶ボンディングが起こる。圧力はおよそ1000のデバイスを含む3インチ(7.5cm)ウェハ2、4の間に約400℃で約5,000Nの力が加えられて展開されるのが好ましい。もちろん、力はウェハのサイズによって調整され、全ての表面がボンディングされる必要がある。
【0022】
層24−1及び38−1は大文字”E”の外周部の形状を持つことが望ましく、それによってマイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの可動接部22−2が、この物理形状で効果的に防護される。共晶ボンディング形成後、ケイ素層10は除去され、図12Aび図12Bに図示されたマイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサが得られる。ケイ素は非ドープのケイ素をエッチングするエチレンジアミンピロカテコール(EDP)によって除去することが可能であり、ホウ素によってドープされたケイ素がここで述べるこのエッチング液に抵抗する。このエッチング工程では接部22−2を有するホウ素ドープされたケイ素片持ち梁ビーム12と、基板4にボンディングされた補助または組合わせ部22−1及び24−1のみが残される。マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサについての好ましい寸法は、図12Aに示される。ビームは200〜300μm(0.2〜0.3mm)の長さを有するのが望ましい。
【0023】
エチレンジアミンピロカテコールをエッチング液として利用する代わりに、例として層12及び基板10間のエッチング停止層のような二酸化ケイ素層が利用されている場合には、プラズマエッチングを利用することができる。
【0024】
マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの第二の実施例を以下に説明する。第一の実施例の場合のように、片持ち梁ビーム形成基盤2の組立について初めから説明し、また基板4及び共晶ボンディング及びマイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの完成形態について説明する。明らかにするのは、この第二の実施例が第一の実施例と基板4上で片持ち梁ビームが補助されている点について異なっている。
【0025】
第二の実施例についての片持ち梁形成基板2の組立は、第一の実施例の図1A〜図4Bで述べた点から始まる。組み立て工程は、図1〜図4Bにおいて示した工程で実現でき、図1A〜図4Bに示した構造となる。そこから、フォトレジスト層20’が置かれ、図13A及び図13Bに示されたような単穴部20−2を内包した形状を呈する。15,000Åの厚さを持つ金層26がフォトレジスト層20’上に付加され、接部18−2から穴部20−2上に配置された金が、金層26の溶着間に穴部20−2において張出しを形成することにより、ピラミッド形状または円錐形状をなす突接部26−2を形成する。接部20−2が形成された後、残されたフォトレジスト層20’が除去されて、片持ち梁ビーム構造物が図14A及び図14Bに示されるように視認できるようになる。第二の実施例における図14A及び図14Bと、第一の実施例における図6A及び図6Bの2つの実施例間の差異は、第二の実施例には層22−1及び24−1が無い部分であり、故に本実施例では組合わせ部が層18−1により提供される。
【0026】
マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの第二の実施例の基板4の組立を、以下に図15Aから図19Bを用いて述べる。図15A及び図15Bでは、ケイ素のウェハ30’が図示され、フォトレジスト層50が配置されて、大文字’E’の外周形状が型押しされている。この時露出したケイ素が2000Åの厚さのエッチングにより、フォトレジスト層のマスク50が型押しされた下にウェハ30−1の突部を定義する。フォトレジストマスク50がこの時に除去され、ウェハ30が酸化されて酸化層52、54をその露出表面に形成する。酸化層はそれぞれ1μmの厚さを持つのが好ましい。もちろん、図16Aに示す表面端部は酸化されていないが、図16Aに図示する型押しは、全体のウェハ30において見られる複数の型押しの繰返しの1つが示されているのみであるためである。
【0027】
図17及び図17Bでは、フォトレジスト層56が、前述したような大文字’E’の外周形状を呈する穴部56−1を内包して付加されている。この時、2,000Åの厚さを持つのが好ましいチタン/プラチナ/金層58が、穴部56−1を通って溶着され、次に穴部56−1では、1,000Åの厚さを持つのが好ましい金/ケイ素共晶層60の溶着が行われる。これによりチタン/プラチナ/金層58−1及び金/ケイ素共晶層60−1が形成され、前述したように大文字’E’の外周形状に沿って形成されるのが望ましい。
【0028】
フォトレジスト層56がこの時除去され、図18Aに示す(i)穴部62−2、62−3及び62−4,以下図18Bに示す(ii)パッド40−1から40−4及び紐状導体41用穴部、(iii)防護環44及びそのパッド用穴部が型押しされたフォトレジスト層62が付加される。簡単に述べると、防護環44用穴部は18Aには示しておらず、チタン/プラチナ/金層が、図19A及び図19Bに示すように、フォトレジスト層上及び穴部62−2から62−4を通して溶着され、穴部62−2から62−4では接部64−3、64−4及び64−2を形成する。これら接部は前述した紐状導体42によって、接部が形成するパッド40−2〜44−4と内部接触がなされ、接部40及び紐状導体が形成されると同時に接部64−3、64−4及び64−2が形成されるのが望ましい。外周形状層58−1及び60−4も紐状導体42によってパッド40−1と接続される。フォトレジスト層62は除去されて、図19A及び図19Bに示すように基板が視認できるようになる。20,000Åの高さを持つのが好ましい突部30−1と比較的薄い層58−1及び60−1は基板における組合わせ部を形成する。
【0029】
図20では、第二の実施例における片持ち梁ビーム形成部2は、ここで基板4とボンディングされる。図20では、2つの基板10及び30’が対面関係になり、それにより組合わせ部18−1及び30−1、58−1、62−1が一直線上になり、層18−1及び60−1がそれぞれ適切に組合わされる。圧力及び熱(好ましくは、その上部におよそ1000のセンサが配置された3インチウェハ2、4の間に400℃で5,000Nの圧力を付加するのが望ましい)が付加され、共晶ボンディングが図21に示すように層18−10及び60−1間で起こる。その後、ケイ素ウェハ10がエッチング停止層11を用いて除去され、そして層11が除去されて、図22に示すマイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサ構造が得られる。p型ケイ素層12は、片持ち梁ビームとして補助する部12−2と、下層を通して基板4に接触されているもう一方の部とを含む。金接触部26−2は符号12−2、12−1、18−1、60−1、58−1及び金接触部に関連する紐状導体42によってパッドと一対にされている。
【0030】
図23は図22と基本的に一致し、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサをより詳細に、かつ好適なマイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの寸法をも本図では示している。
【0031】
以下に、第一の実施例及び第二の実施例に関して上述した図4Bについて再度述べるが、チタン/プラチナ/金層18は接部18−1及び18−2を形成するのに利用され、これら接部はホウ素ドープされた片持ち梁12とオーム接触が形成されるように焼結される。特記事項として、焼結は紐状導体を接部18−1及び18−2の間に提供することにより避けることができる。そのような改良の詳細をここで述べ、図24A及び図24Bに焼結について図示する。
【0032】
この改良によれば、ケイ素ウェハ10上に形成される薄いケイ素層12には(i)ホウ素がドープされ、または(ii)非ドープされ、またはその他の添加物がドープされる。非ドープされる(または他の不純物によってドープされる)場合、基板10上のエピタキシャル成長より他の方法によって形成されるのが望ましく、また薄いエッチング停止層11がケイ素エピタキシャル層12とケイ素ウェハ10間に形成される。この構造は絶縁上ケイ素(SOI)と呼ばれるが、絶縁上ケイ素の形成技術は本技術分野で良く知られているためここでは詳述しない。二酸化ケイ素層であることが好ましいエッチング停止層11は、1−2μmの厚さを持つことが望ましく、作成例としては、ケイ素ウェハ10内部に酸素を添加し、ケイ素ウェハ10の露出面下部を被覆するエッチング停止層11を形成し、同時に、薄ケイ素層12をその露出面に隣接することにより作成される。薄い層12もそれ故に、<100>結晶配列を有する単結晶構造で作成されているのが好ましい。エッチング停止層11が利用される場合には、二酸化ケイ素層の厚さが約1〜2μmを有することが望ましい。このエッチング停止層11はウェハ10から片持ち梁ビームを前述した2つの工程であるプラズマエッチング工程によって切り離される。層12がホウ素ドープされる場合には、エピタキシャル層の抵抗値が1Ω−cm以下に減衰するドープがされる。そうなる程度のホウ素ドープでエピタキシャル層12は、その後のウェハ10から片持ち梁ビーム10を切り離すエチレンジアミンピロカテコールエッチングに抵抗できるため、エッチング停止層は必要ない。
【0033】
付加的に、ドープされまたは非ドープである薄いケイ素層12が上部に形成されたケイ素層10(図24A及び図24B参照)が熱酸化により比較的薄い二酸化ケイ素層を層12の露出表面に形成しているのが良い。層12は1.2μmの厚さを持つのが良い(しかし、用途に応じて薄くしても厚くしても良い)。付加二酸化ケイ素層の厚さは、およそ0.2μmであるのが望ましい。この時点に至り、希望により互いの広範囲の表面を酸化し、酸化部分を下層からはがしても良い。付加酸化層はビームの端部に形成されたトンネリング突部の金内部にビームからケイ素の拡散に対してより良い防護を提供するのに向いている。この付加酸化層は片持ち梁のどの実施例において使用されても良いが、簡便のために殆どの図においては省略されている。しかしながら、図41において、符号70で表わして確認できる。
【0034】
図25A及び図25Bでは、フォトレジスト層14が層12(または存在すれば付加酸化層)上に付加され、図2A及び図2Bにおいて述べた、フォトレジスト層14が大文字’E’形状を呈した型押しがされるのが望ましい。図25A及び25Bにおける構造は、プラズマエッチングにより、層11及12を通過してケイ素基板10内に500Åまでエッチングする。その時、フォトレジスト層16が付加され、図26A及び図26Bに示す型押しがなされる。フォトレジスト層16は図3A及び図3Bに図示された層16と、次にフォトレジスト層上に、好ましくはチタン/プラチナ/金である金属層の溶着時に、付加穴部16−5が紐状導体18−5の形成に提供する穴部61−1及び16−2間の接続に含まれていることを除き、基本的に同じ配置及び構造が型押しされる。層18の溶着の後、フォトレジスト層16は除去されて、図27A及び図27Bに示すように、層16上に形成された層18の部分が、下層12または存在すれば付加酸化層上の層18の残存部18−1、18−2及び18−5を残して取り外される。
【0035】
図27A及び図27Bに図示する構造になった後、トンネリング突部22がマスキングを利用して及び金またはチタン/プラチナ/金層の溶着によって付加され、例として、それによって図28A及び図28Bに示す構造となる。構造を利用することで、符号22−1(図6A参照)が同時に溶着されることにより、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサは前述した図10及び図11として完成する。ケイ素基板30が突部30−1(例として図16A参照)を形成しているように代えた場合は、符号22−1の溶着が省略でき、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサは図20及び図21において述べたように完成する。図28A及び図28Bにおいて図示する構造を図19A及び図19Bに図示した基板4へと共晶ボンディングし、片持ち梁ビームからケイ素ウェハ10を除去した後を、図29A及び図29Bに示す。片持ち梁ビームは2つのプラズマエッチングによって形成されるのが望ましい。第一のエッチングではウェハ10を除去し、第二のエッチングではエッチング停止層11を除去する。
【0036】
図30ではまた1つのマイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの実施例を示している。この場合のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサは完成図である。既に述べた事項とともに、当業者にとって既に述べた詳細な説明から改良して以降の実施例を生産するのは難しいことではないよう、全てについてここに説明する。図1A〜図12Bに示した実施例では、層24−1及び38−1の間でケイ素基板10と閉じるように好ましい共晶ボンディングが行われている。図30の実施例では、金及び金/ケイ素層間で補助腕80内の中央部において閉じるように好ましい共晶ボンディングが行われている。一方のこの実施例では図1Aから図12Bで述べられた第一の実施例と類似している。図31の実施例では、金及び金/ケイ素層間で好ましい共晶ボンディングが行われており、図1A〜図12Bに示したように、基板4に対して閉じるのと反対に片持ち梁12に対して閉じるように行われる。図30及び図31の実施例の場合には、片持ち梁ビーム12は良好な導電性を持つことにより、ビーム12の端部における接部22−2及び基板4上の接部40−1(図12B)の間の電導路として作用する。ホウ素ドープされたケイ素片持ち梁ビーム12の抵抗値が0.05Ω−cm以下になるのが好ましい。片持ち梁ビーム12の抵抗値が低いことにより、エチレンジアミンピロカテコールが基板10のエッチング除去に向いている(図10及び図11及び除去の記述を参照)。また、絶縁上ケイ素ウェハ及び二酸化ケイ素層11(図24Aから図28B)が、基板10のエッチング除去時に片持ち梁ビーム12の防護のためのエッチング停止層として利用されるのが良い。
【0037】
図10、23、29及び30の実施例の構成は、比較的薄い金属組合わせ層のみが必要であり、より安定性の高いケイ素柱または突部30−1を提供することから、図23及び29の実施例を用いるのが望ましい。
【0038】
図32及び図33の実施例は、図29及び30の実施例と類似しているが、図29及び図30の実施例では、図24A及び図29Bにおいて述べた紐状導体18−5を利用している。これらの実施例では、層がホウ素とドープされている場合には、片持ち梁ビーム12の抵抗値が0.05Ω−cm以下であるのが望ましい。紐状導体により、片持ち梁ビーム12に対して抵抗値の高いケイ素の使用も許される。層12がホウ素でドープされている場合には、片持ち梁ビームがエチレンジアミンピロカテコールをエッチング液として利用してウェハ10から切り離される。また、絶縁上ケイ素形成が二酸化ケイ素停止層11と共に利用されて(図24A〜図28Bを参照)、ウェハまたは基板10のエッチング除去時に片持ち梁ビーム12を防護すると良い。
【0039】
図34〜図37の実施例は、平面基板の代わりに第二の実施例において述べたようにケイ素突部30−1を持つ基盤が利用されている点除いて(図13A〜図23及び関連した記述を参照)、図29、31、30及び32と類似している。
【0040】
一般的に、図13A〜図23及び図34〜図37の実施例は、これらの実施例の全てがケイ素柱または突部30−1を持つ基板30’を利用し、完成するセンサがより良い機械的安定性を提供すると思われるために、マイクロ・エレクトロ・メカニカルセンサに利用されるのが望ましい。
【0041】
これまでセンサの組立に関する構成を述べ、またアメリカ合衆国特許出願内のそれぞれの単動センサの提供の詳述までをここに含んでいる。もちろん。多くのセンサが一時に共通基板またはウェハ上で製造される。実際に、隣接しているセンサ同士は関連しており、また一方に対して直交的に位置するため、その結果1組のセンサは二つの異なった方向に対応している。図38で示されるように2つのトンネリングセンサ101及び102が配置されて、それらの片持ち梁ビーム12がそれぞれ、X軸、Y軸に沿うように配置されている。3つめのキャパシティブセンサ103はZ軸に沿って対応するように提供される。結果として、センサはこのように3軸への対応を持つ。センサ103は例として、アメリカ合衆国特許5,226,321に配置型が使用できる。また、第3のセンサ103が当業者の間で知られている四つ葉のクローバー型構造を有していても良い。クローバー型のデザインは、内部に4角形状のクローバーの葉の形状91及び外周端92(図39、40A及び40Bを参照)が定義されるようにエッチングされた吊板90を含む。柱93は板90の少なくとも1つの表面中央部に、例として符号94のエポキシセメントでボンディングされている。柱93はたいていZ軸に沿って動くことができ、クローバーの葉の形状91もそれと共に動く。適合電極95は吊板及び柱の動作を感知するために提供される。
【0042】
2つの直角的に配置されたセンサは、アメリカ合衆国特許出願番号_”ア シングル クリスタル、デュアル ウェハ、 ジャイロスコープ アンド ア メソッド オブ メイキング セイム(A Single Crystal, Dual Wafer, Gyroscope and a Method of Making Same)”出願日_(代理人整理番号618022−2)に記載された型のトンネリング回転率センサが良い。上述した特許出願の内容は本願明細書中に含めて記載している。
【0043】
吊板90の外周端92に配置された組合わせ部はセンサ103に関連した補助構造物93へと共晶ボンディングがなされ、その方法は図23における片持ち梁ビーム12をその補助構造物へとボンディングする方法と非常に似通っている。以下図40Bを参照する。補助構造物93が基板4内の基板94から突出ているケイ素突部94−1と共に形成されるのが望ましい。チタン/プラチナ/金層58−7及び金/ケイ素共晶層60−7は、センサ103の補助構造物の外周形状に沿うように形成されるのが望ましい。層58−7及び60−7は、例として図23の実施例に基づくセンサ101及び102の形成時のように、層58及び60が配置されるのと同時に形成されるのが望ましい。
【0044】
板90は、センサ101及び102の片持ち梁ビーム12が片持ち梁基板2内に形成されるのとほぼ同時に形成されるのが望ましい。チタン/プラチナ/金によって形成されたマルチレイヤ18−1及び板90に対する組合わせ部を含む片持ち梁ビーム12は、板90の外周端にチタン/プラチナ/金のマルチレイヤ18−7が形成されるのと共に提供されるのが好ましい。層18−7は、層18が片持ち梁ビーム構造の製造における配置と同時に形成されるのが望ましい。これで柱93が形成される。片持ち梁ビーム2及び基板4が形成された後、それらは機械的に調整がなされる。前述したように圧力及び熱が付加され、図21及び23に図示された層18−1と60−1との間で共晶ボンディングが行われ、それと同時に図40Bに図示された層18−7と層60−1との間で共晶ボンディングが行われる。
【0045】
図40Cは図40Bと類似している。この実施例では、二つのトンネリングジャイロスコープ101及び102が共通基板30上に見ることができる。2つのジャイロスコープはx軸及びy軸に沿って配置される。z軸ジャイロは符号103で表わされている。この実施例では、3つのジャイロが基板30、壁131及び上板130によって定義されることによって定義された真空空間内に包含されているのが望ましい。上板130及び壁131は、上述した片持ち梁ビーム12が板に固定される方法のような共晶ボンディングがされているのが良い。
【0046】
構造として図面に図示したように、大文字’E’に関しての多くの事例を述べた。しかしながら、この形状が特別でるというわけではなく、基本的に層12の片持ち梁ビームによって形成される片持ち梁構造に良い機械的補助が提供されることから好ましいとしたものである。もちろん、補助構造または片持ち梁ビーム12の周囲の組合わせ構造はデザインの選択によって変更することができ、またそれは大文字’E’の境界を形成する必要というわけではなく、円、三角形、またはその他の希望の形状を含めて簡単な形状で形成することができる。
【0047】
片持ち梁ビーム12上に紐状導体を利用する実施例では、片持ち梁ビーム12上のパッド及び接部(例えば26−2及び26−3)が一般的に紐状導体18−1、18−2及び18−5上に形成されるように図示されている。要素26−2及び29−3は直接片持ち梁ビーム12上に形成されても良い場合には、片持ち梁ビーム上の紐状導体は様々な簡単な種類の道順を定めることができ、対象への接続または片持ち梁ビーム12上に形成されたもう一方の金属によってもう一方の接部を作成して良い。
【0048】
片持ち梁ビームの遠心端における接部は、円錐または三角形で図示及び詳述した。当業者にとっては、これらの接部が異なった構造を持ち、いくつかの実施例中では平面構造であることは良く知られている。
【0049】
この記述全体に渡り、チタン/プラチナ/金層と記載している。当業者にとっては、この学術用語はチタン/プラチナ/金層がチタン層、プラチナ層、金層の独立した層によって構成されている状態であることは良く知られている。チタン層は溶着を助成し、その際にプラチナ層が隣接した層からケイ素の金内部への拡散を防止するように動作する。ケイ素が金内部へと拡散することにより二酸化ケイ素を露出表面上に形成していく場合、二酸化ケイ素が非電導であることから、金接部が持つ機能に対して悪影響を持つために、ケイ素が金内部へと混合するのを防止することが望ましい。
【0050】
マイクロ・エレクトロ・メカニカル・デバイスの異なった様々な実施例を以上に述べた。多くはセンサに関し、いくつかはスイッチである。さらに多くの実施例は本願に記載の事項に基づいて当業者が容易に想到し得るものである。しかしながら、全ての場合における基板4は片持ち梁形成構造物2と、共晶ボンディングが2つの基板2、4の露出層間で起こる要素である圧力と好ましくは熱とを加えられることにより接合されている。
【0051】
最良の形態の実施例について本発明を述べたが、当業者において改良が行われるのを望む。本発明は従属項に記載されたものを除き、前述したものに限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【図1A】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの片持ち梁ビームの形成部分に関する第一実施例の構成図である。
【図1B】
本発明に係る、図1Aに対応する片持ち梁ビームの形成部分に関する形成時の一段階を示す平面図である。
【図2A】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの片持ち梁ビームの形成部分に関する第一実施例の構成図である。
【図2B】
本発明に係る、図2Aに対応する片持ち梁ビームの形成部分に関する形成時の一段階を示す平面図である。
【図3A】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの片持ち梁ビームの形成部分に関する第一実施例の構成図である。
【図3B】
本発明に係る、図3Aに対応する片持ち梁ビームの形成部分に関する形成時の一段階を示す平面図である。
【図4A】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの片持ち梁ビームの形成部分に関する第一実施例の構成図である。
【図4B】
本発明に係る、図4Aに対応する片持ち梁ビームの形成部分に関する形成時の一段階を示す平面図である。
【図5A】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの片持ち梁ビームの形成部分に関する第一実施例の構成図である。
【図5B】
本発明に係る、図5Aに対応する片持ち梁ビームの形成部分に関する形成時の一段階を示す平面図である。
【図6A】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの片持ち梁ビームの形成部分に関する第一実施例の構成図である。
【図6B】
本発明に係る、図6Aに対応する片持ち梁ビームの形成部分に関する形成時の一段階を示す平面図である。
【図7A】
本発明に係る、第一実施例のトンネリング・センサの基板部分の構成工程における切断図である。
【図7B】
本発明に係る、図7Aに対応する基板部分の構成工程における平面図である。
【図8A】
本発明に係る、第一実施例のトンネリング・センサの基板部分の構成工程における切断図である。
【図8B】
本発明に係る、図8Aに対応する基板部分の構成工程における平面図である。
【図9A】
本発明に係る、第一実施例のトンネリング・センサの基板部分の構成工程における切断図である。
【図9B】
本発明に係る、図9Aに対応する基板部分の構成工程における平面図である。
【図10】
本発明に係る、片持ち梁ビーム形成部と基板部分とを組合わせ、望ましい共晶ボンディングを利用して互いのボンディングが行われた図である。
【図11】
本発明に係る、片持ち梁ビーム形成部と基板部分とを組合わせ、望ましい共晶ボンディングを利用して互いのボンディングが行われた図である。
【図12A】
本発明に係る、第一の実施例に関する完成したトンネリング・センサの切断図である。
【図12B】
本発明に係る、第一の実施例に関する完成したトンネリング・センサの平面図である。
【図13A】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカルセンサの片持ち梁の第二の実施例に関する組立工程の切断図である。
【図13B】
本発明に係る、片持ち梁の平面図である。
【図14A】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカルセンサの片持ち梁の第二の実施例に関する組立工程の切断図である。
【図14B】
本発明に係る、片持ち梁の平面図である。
【図15A】
本発明に係る、トンネリングセンサの第二の実施例の基板組立に関する切断図である。
【図15B】
本発明に係る、ウェハの第二の実施例に関する組立工程に関する平面図である。
【図16A】
本発明に係る、トンネリングセンサの第二の実施例の基板組立に関する切断図である。
【図16B】
本発明に係る、ウェハの第二の実施例に関する組立工程に関する平面図である。
【図17A】
本発明に係る、トンネリングセンサの第二の実施例の基板組立に関する切断図である。
【図17B】
本発明に係る、ウェハの第二の実施例に関する組立工程に関する平面図である。
【図18A】
本発明に係る、トンネリングセンサの第二の実施例の基板組立に関する切断図である。
【図18B】
本発明に係る、ウェハの第二の実施例に関する組立工程に関する平面図である。
【図19A】
本発明に係る、トンネリングセンサの第二の実施例の基板組立に関する切断図である。
【図19B】
本発明に係る、ウェハの第二の実施例に関する組立工程に関する平面図である。
【図20】
本発明に係る、片持ち梁及び基板をお互いにそろえ、お互いを共晶ボンディングによってボンディングする側方図である。
【図21】
本発明に係る、片持ち梁及び基板をお互いにそろえ、お互いを共晶ボンディングによってボンディングする際の切断図である。
【図22A】
本発明に係る、第二実施例によって完成したマイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの切断図である。
【図22B】
本発明に係る、第二実施例によって完成したマイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの正面図である。
【図23】
本発明に係る、第二実施例によって完成したマイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの切断図である。
【図24A】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの片持ち梁の第一及び第二の実施例の改良に関する切断図である。
【図24B】
本発明に係る、改良の組立工程を表わす平面図である。
【図25A】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの片持ち梁の第一及び第二の実施例の改良に関する切断図である。
【図25B】
本発明に係る、改良の組立工程を表わす平面図である。
【図26A】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの片持ち梁の第一及び第二の実施例の改良に関する切断図である。
【図26B】
本発明に係る、改良の組立工程を表わす平面図である。
【図27A】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの片持ち梁の第一及び第二の実施例の改良に関する切断図である。
【図27B】
本発明に係る、改良の組立工程を表わす平面図である。
【図28A】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの片持ち梁の第一及び第二の実施例の改良に関する切断図である。
【図28B】
本発明に係る、改良の組立工程を表わす平面図である。
【図29A】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの片持ち梁の第一及び第二の実施例の改良に関する切断図である。
【図29B】
本発明に係る、改良の組立工程を表わす平面図である。
【図30】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサのもう1つの実施例の側面図であり、この実施例では柱の中央部に共晶ボンディングが施されている。
【図31】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサのまたもう1つのの実施例の側面図であり、この実施例では片持ち梁12に隣接した部分に共晶ボンディングが施されている。
【図32】
本発明に係る、図30に示された実施例の柱補助の中央部内に共晶ボンディングをもつマイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサのもう1つの実施例の側面図であり、また片持ち梁ビーム構造物上に紐状導体を有する。
【図33】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサのもう1つの実施例の側面図であり、この実施例では図31に示された実施例における片持ち梁ビームの隣接部に共晶ボンディングが施されており、また片持ち梁ビーム構造物上に紐状導体を有する。
【図34】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサのもう1つの実施例の側面図であり、この実施例では片持ち梁ビームの隣接部に共晶ボンディングが施されており、また、柱補助構造部を形成するケイ素突部を持つ基板を利用している。
【図35】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサのまたもう1つの実施例の側面図であり、この実施例では片持ち梁の隣接部に共晶ボンディングが施され、図34の実施例に示した柱補助構造物を形成しているケイ素突部を持つ基板を利用し、片持ち梁ビーム構造物上に紐状導体を有している。
【図36】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサのもう1つの実施例の側面図であり、図30の実施例で示された柱補助部の中央部内に好ましい共晶ボンディングが施され、柱補助構造部を形成するケイ素突部を持つ基板が利用されている。
【図37】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサのもう1つの実施例の側面図であり、図36に示されたようにこの実施例では柱補助部の中央部内に好ましい共晶ボンディングが施され、柱補助構造部を形成するケイ素突部を持つ基板を利用し、片持ち梁ビーム構造物上に紐状導体を有している。
【図38】
本発明に係る、3軸センサにおける3つのセンサ配列の平面図である。
【図39】
本発明に係る、図38のZ軸センサの透視図である。
【図40A】
本発明に係る、図38の3軸センサの側面構成図である。
【図40B】
本発明に係る、図40Aのさらなる詳細な側面図である。
【図40C】
本発明に係る、もう一方の実施例の側面図である。
Claims (60)
- 3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング/キャパシティブ・センサの製造方法であって、
(a) 第一の基板またはウェハ上に、少なくとも2つの直交的に配置されたセンサと関連された組合わせ部に供する片持ち梁ビーム構成部を定義するステップと、
(b) 第一の基板またはウェハ上の少なくとも3つのセンサの共振構造を形成し、共振構成部の上部に組合わせ部を有するステップと、
(c) 少なくとも2つの直交的に配置されたセンサに供する接部を形成し、第二の基板またはウェハ上に組合わせ部を形成するステップと、
(d) 前記第一の基板上の前記組合わせ部を、前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部と対面関係に位置させるステップと、
(e) 前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部に関連する層と、前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部に関連した層とをボンディングするステップと、
を具備したことを特徴とする3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング/キャパシティブ・センサの製造方法。 - (a)少なくとも2つの直交的に配置されたセンサがセンサの直交方向に対して感度を有するステップと、(b)第3のセンサが前記2つの直交的に配置された両方のセンサのセンサ感度方向に対して直交方向に感度を有するステップと、(c)前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部が、前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部に対して相補形状を有するステップと、(e)ボンディングが共晶ボンディングであるステップと、(f)少なくとも第一の基板またはウェハの部位を除去して片持ち梁ビーム構成部及び前記板構造部を切り離すステップと、を持つ請求項1に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング/キャパシティブ・センサの製造方法。
- 前記第二の基板がケイ素によって形成されている請求項1に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング/キャパシティブ・センサの製造方法。
- 前記第二の基板またはウェハを形成する前記ケイ素が単結晶構造を持つ請求項3に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング/キャパシティブ・センサの製造方法。
- 前記ケイ素の結晶構造がSi<100>である請求項4に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング/キャパシティブ・センサの製造方法。
- 前記ケイ素がn型である請求項5に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング/キャパシティブ・センサの製造方法。
- 前記第一の基板またはウェハがケイ素により形成されている請求項1に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング/キャパシティブ・センサの製造方法。
- 前記第一の基板またはウェハを形成する前記ケイ素が単結晶構造を持つ請求項7に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング/キャパシティブ・センサの製造方法。
- 前記第一の基板またはウェハ内の前記ケイ素の結晶構造がSi<100>である請求項8に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング/キャパシティブ・センサの製造方法。
- 前記第一の基板またはウェハの前記ケイ素がn型である請求項9に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング/キャパシティブ・センサの製造方法。
- 2つの前記基板間に圧力と共に熱が加えられた結果、2つの前記組合わせ部間でボンディングが起こる請求項1または2に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング/キャパシティブ・センサの製造方法。
- 前記2つの直交的に配置されたセンサがトンネリング回転率ジャイロである請求項2に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング/キャパシティブ・センサの製造方法。
- 前記共振構造部がキャパシティブ回転率ジャイロに対してコリオシス変換要素を形成する請求項1または2に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング/キャパシティブ・センサの製造方法。
- 前記片持ち梁ビーム及び前記共振構造部の形成が、
(a) 前記第一の基板またはウェハ上にケイ素のエピタキシャル層を形成し、前記エピタキシャル層がドープされるステップと、
(b) 前記第一の基板またはウェハ上に片持ち梁を定義するために、前記ケイ素のエピタキシャル層のマスキング及びエッチングをするステップと、
(c) 前記第一の基板またはウェハをエッチングによって除去するステップと、
によって形成される請求項1または2に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング/キャパシティブ・センサの製造方法。 - 接触部が、一時マスク層内の小穴部を通して金属を溶着することにより前記片持ち梁端部上に形成され、前記金属の溶着工程が進むにつれ、前記金属が溶着されて前記小穴部を被覆していき、それによって前記小穴部を通して溶着される前記接触部が、溶着工程が進むにつれて断面を減少しながら延伸構造を持つことができる程度に前記小穴部が十分小さくなっている請求項14に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
- 前記エピタキシャル層が、前記エピタキシャル層の抵抗値が0.05Ω−cm以下に減少されるのに十分な濃度のホウ素とドープされる請求項14に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
- エチレンジアミンピロカテコールがエッチング液として使用されて、エッチングが行われる請求項16に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
- チタン、プラチナ及び金であるのが望ましい金属層が前記共晶層上に選択的に溶着され、また前記共晶層上に第一及び第二のオーム接触部が高温によって焼結形成され、前記第二のオーム接触が片持ち梁ビーム構造物の遠心端近くに配置され、また前記第一のオーム接触部が前記第一の基板上で組合わせ部を形成する請求項17に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
- チタン/プラチナ/金層が好ましい比較的薄い金属層が、焼結されまた前記チタン/プラチナ/金層が好ましい比較的薄い金属層上に配置され、前記比較的薄い金属層の第一構成部が前記第一の基板上の前記組合わせ部を形成し、また前記比較的薄い金属層の第一構成部が前記第一のオーム接触の上に位置し、前記比較的薄い金属層が前記第二構成部が前記第二のオーム接触における突接触部を形成する請求項18に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
- 前記第二の基板またはウェハ上で前記チタン/プラチナ/金接触部の形成はさらに、前記第二の基板またはウェハ上の前記接触部の少なくとも1つが前記第二の基板またはウェハ上の組合わせ部を定義する請求項19に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
- 共晶ボンディングを作成するための前記層が、前記第二の基板上の前記チタン/プラチナ/金接触部上に溶着された金−ケイ素共晶層及び/または前記第一の基板またはウェハ上の前記比較的薄いチタン/プラチナ/金層の第一構成部上に溶着された金−ケイ素共晶層によって提供される請求項20に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
- 金属層が前記エピタキシャル層畳に選択的に溶着され、また前記エピタキシャル層上に第一及び第二のオーム接触部が高温によって焼結形成され、前記第二のオーム接触が片持ち梁ビーム構造物の末端部近くに配置され、また前記第一のオーム接触部が前記第一の基板またはウェハ上で組合わせ部を形成する請求項17に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
- さらに前記第二の基板またはウェハの広範囲の表面から突出している突部の形成を含む請求項19に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
- さらに前記第二の基板またはウェハ上にチタン/プラチナ/金接部が形成され、前記第二の基板またはウェハ上の前記接部の少なくとも1つが、前記突部と組み合わされて、前記第二の基板またはウェハ上の組合わせ部を定義する請求項23に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
- 共晶層は金−ケイ素共晶層が前記第二の基板またはウェハ上のチタン/プラチナ/金接部上に溶着されることにより、及び/または金−ケイ素共晶層が第一の基板またはウェハ上のオーム接触部上に溶着されることにより提供される請求項24に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
- 前記共晶ボンディング用のケイ素が前記第二の基板またはウェハの前記組合わせ部にあるケイ素基板によって提供される請求項23に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
- チタン/プラチナ/金型押しされた金属層が選択的に前記共晶層上に溶着されて第一及び第二の内部接部を前記共晶層上に形成し、前記接部がチタン/プラチナ/金伸長電導性紐状層によって内部接触がなされ、前記第二の内部接部が前記片持ち梁ビーム構造物の遠心端近くに溶着され、片持ち梁構造物に比べ実質的に狭いのが好ましい前記伸長紐が前記片持ち梁ビーム構造物上で縦方向に溶着され、前記第一の内部接部が前記第一の基板またはウェハ上に組合わせ部を形成する請求項16に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
- さらに、前記第二の基板またはウェハの広範囲の表面から突出している突接部の形成が含まれる請求項26に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
- さらに、前記第二の基板またはウェハ上にチタン/プラチナ/金接部の形成を含み、前記第二の基板またはウェハ上の突部として一対になっている前記接部の少なくとも1つが前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部を定義する請求項28に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
- 前記ボンディングが共晶的に起こり、前記共晶層が、前記第二の基板上の前記チタン/プラチナ/金接触部上に溶着された金−ケイ素共晶層及び/または前記第一の基板またはウェハ上の第一の内部接続部上に溶着された金−ケイ素共晶層によって提供される請求項29に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
- 前記共晶ボンディング用のケイ素が前記第二の基板またはウェハの前記組合わせ部にあるケイ素基板によって提供される請求項28に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
- 共振構造部内の中央柱が前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部とボンディングされる請求項14に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング/キャパシティブ・センサの製造方法。
- 前記共振構造部の外枠が前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部とボンディングされる請求項14に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング/キャパシティブ・センサの製造方法。
- 前記片持ち梁ビーム構造及び共振構造部の形成が、
(a) 前記第一の基板またはウェハ上のエッチング停止層において形成されるステップと、
(b) 前記エッチング停止層上の共晶層が形成され、前記共晶層が非ドープであるか、軽くドープされているステップと、
(c) 前記第一の基板の隣接部に溶着された片持ち梁ビーム構造物を定義するために、前記共晶層をマスキング及びエッチングするステップと、
(d) 前記エッチング停止層による抵抗を用いて、エッチング溶液の利用により前記第一の基板またはウェハを除去するステップと、
(e) 前記片持ち梁ビーム構造物の抵抗を用いて、エッチング溶液を利用してエッチング停止層を除去するステップと、
を持つ請求項1または2に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。 - チタン/プラチナ/金層が選択的に前記共晶層上で溶着されて第一及び第二の金属接部を前記共晶層上に形成し、前記第二の接部が前記片持ち梁遠心端近くに溶着され、前記第一の接部が前記第一の基板上の組合わせ部を形成する請求項34に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
- 3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの組立構造が、
(a) 片持ち梁構成部が直交的に配置され、共振構造部と関連した組合わせ部が前記第一の基板またはウェハ上に定義され、
(b) 接部及び組合わせ部が第二の基板またはウェハ上に定義され、前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部が前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部と相補形状を有し、
(c) 前記第一の基板またはウェハ上に定義された前記組合わせ部を、前記第二の基板上の組合わせ部とボンディングするための前記ボンディング層が、前記第一または第二の基板またはウェハ上の少なくとも1つ上の前記組合わせ部上に配置されていることを特徴とする3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。 - 組立部が3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ作成に用いられ、ボンディング層が圧力/熱に敏感であることで、前記組合わせ部が圧力/熱が加えられることに対応してボンディングされる請求項36に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
- 前記第一及び第二の基板またはウェハがケイ素によって形成されている請求項36に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
- 第一の基板またはウェハを形成しているケイ素が単結晶構造を持つ請求項38に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
- 前記ケイ素の結晶構造がSi<100>である請求項36または39に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
- 前記ケイ素がn型である請求項40に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
- 前記片持ち梁ビーム構造物及び共振構造部が前記第一の基板またはウェハ上の共晶層から形成され、前記共晶層がドーパントとドープされている請求項36に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
- 突接部が前記片持ち梁ビーム構造物の端部に配置される請求項42に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
- 前記共晶層が、前記共晶層の抵抗値が0.05Ω−cm以下に減少するように十分な濃度のホウ素とドープされている請求項42に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
- さらに、前記共晶層上に第一及び第二のオーム接触部を持ち、前記第二のオーム接触部が前記片持ち梁ビーム構造物の遠心端近くに配置され、前記第一のオーム接触部が前記第一の基板またはウェハ上の組合わせ部を形成している請求項44に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
- 比較的薄い金属層が、前記第一及び第二のオーム接部上に配置され、前記第一のオーム接部上に配置された前記比較的薄い金属層の第一構成部及び前記比較的薄い金属層の第二構成部とが前記第二のオーム接部上に突接部を形成している請求項45に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
- 共振構造部内の中央柱が前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部とボンディングされている請求項36に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
- 前記共振構造部の外枠が前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部とボンディングされている請求項36に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
- さらに、前記第二の基板またはウェハ上に配置された金属接部を持ち、前記突部と組み合わされた前記第二の基板またはウェハ上の前記接部の少なくとも1つが、前記第二の基板上の前記組合わせ部を定義する請求項46に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
- 前記ボンディング層が前記第二の基板上の前記金属接部上に配置された金−ケイ素共晶層によって、及び/または第一の基板またはウェハ上の前記比較的薄い金属層の前記第一構成部上に配置された金−ケイ素共晶層によって提供される請求項49に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
- 前記共晶ボンディングに用いられるケイ素が、前記組合わせ部の前記第一または前記第二のウェハのケイ素基板によって提供される請求項49に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
- さらに、前記共晶層上に第一及び第二のオーム接触部を持ち、前記第二のオーム接触部が前記片持ち梁ビーム構造部の遠心端近くに配置され、前記第一のオーム接触部が前記第一の基板上の前記組合わせ部を形成する請求項46に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
- さらに、突部が前記第二の基板またはウェハの広範囲の表面から突き出ており、第二の基板またはウェハ上に金属接部を持ち、前記第二の基板またはウェハ上の前記接部の少なくとも1つが、前記突部が一対をなして前記第二の基板またはウェハ上に前記組合わせ部を定義する請求項52に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
- 前記ボンディング層が前記第二の基板またはウェハ上の前記金属接部上に配置された金−ケイ素共晶によって、及び/また前記第一のオーム接触部上に配置された金−ケイ素共晶層によって提供される請求項53に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
- 第一及び第二の内部金属接部が前記共晶層上に配置され、前記接部が伸長紐状金属層によって内部接触され、前記第二の内部接部が前記片持ち梁ビームの遠心端近くに配置され、前記伸長紐状層が前記片持ち梁ビーム構造物上に縦方向に配置され、前記第一の内部接部が前記第一の基板上の組合わせ部を形成する請求項42に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
- 突部が前記第二の基板またはウェハの広範囲な表面から突き出ており、金属接部が前記第二の基板またはウェハ上に配置され、前記第二の基板またはウェハ上の少なくとも1つの接部が、前記突部が一対とされることにより第二の基板またはウェハ上の組合わせ部を定義する請求項55に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
- 前記ボンディング層が前記第二の基板上の前記金属接部上に配置された金−ケイ素共晶層によって、及び/または第一の内部接部上に配置された金−ケイ素共晶層によって提供される請求項56に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
- 第3のウェハが前記センサの上部に真空状態でボンディングされて、前記センサを真空で密封する請求項36に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング/キャパシティブ・センサ。
- 前記ボンディング層が共晶ボンディング層である請求項36に記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
- 前記金属がチタン/プラチナ/金である請求項45、46、49乃至57のいずれかに記載の3軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
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