JP2004500522A

JP2004500522A - 比例フロー弁

Info

Publication number: JP2004500522A
Application number: JP2001509902A
Authority: JP
Inventors: ブリアント，　ロバート; パスコール，　ウェイン; バーンズ，　ジェイムズ　エイ．
Original assignee: パーカー・ハニフィン・コーポレーション
Priority date: 1999-07-09
Filing date: 2000-05-04
Publication date: 2004-01-08
Also published as: WO2001004528A1; EP1192379A1; US6367766B1

Abstract

比例フロー弁（１０）であって、ここで、ソレノイドアセンブリ（１４）が、ソレノイドアセンブリ（１４）を通る電流に比例して、アーマチャーアセンブリ（１６）を弁座（４２）の方へと移動させる。アーマチャーアセンブリ（１６）は、シール（２０）に当接して係合し、シール（２０）を、印加電流に対応して比例的に関連する距離だけ弁座（４２）から離して保持する。この様式で、シール（２０）は、完全な開状態と、閉状態と、これらの間の部分的な開状態との間で、弁座（４２）に近付く方向および離れる方向へと可動である。ばねアセンブリ（１８）は、シール（２０）を弁座（４２）の方へと偏倚し、そしてソレノイドアセンブリ（１４）がエネルギー付与される場合には、アーマチャーアセンブリ（１６）は、ばねアセンブリ（１８）がシール（２０）を弁座（４２）に対して設置して、このシールを閉位置に置くことを可能にする。

Description

【０００１】
（発明の分野）
本発明は、一般に、示されるように、比例フロー弁に関し、そしてより特定すると、通常は開いたソレノイド制御式のフロー弁に関する。
【０００２】
（発明の背景）
比例フロー弁は、この弁を通る流れが、例えば完全に開くかまたは完全に閉じるかのいずれかである標準的な弁と比較して、制御可能に変化されることを可能にする。このようなフロー弁はシールを備え得、このシールは、閉位置（ここで、このシールは弁座に対して設置される）と、完全な開位置（ここで、このシールは所定の距離だけこの弁座から離れる）と、部分的な開位置（または部分的な閉位置）（ここで、このシールはより少ない距離だけこの弁座から離れる）との間を移動する。ソレノイド制御式の比例弁においては、アーマチャーアセンブリが、ソレノイドアセンブリに印加される電流に比例して、このシールを移動させ、このシールの位置を選択的に変化させる。
【０００３】
ソレノイド制御式の比例フロー弁は、Ｈｕｔｃｈｉｎｇｓらに対する米国特許第５，２３２，１９６号に示される（この特許は、本願の譲受人に譲渡されており、そしてその全開示が、本明細書中に参考として援用される）。Ｈｕｔｃｈｉｎｇｓの特許に開示される弁は、通常閉じたソレノイド弁であり、この弁において、ソレノイドアセンブリが脱エネルギー化される場合に、アーマチャーアセンブリがエラストマーシールを閉位置に保持する。このシールは、このアーマチャーアセンブリの端部に付着しており、そしてばねが、アーマチャーアセンブリの端部とシールとの間に配置される。このばね付勢されたシール配置は、膨潤および温度変化に起因するエラストマーシール材料の寸法変化を補償することを補助する。
【０００４】
Ｈｕｔｃｈｉｎｇｓの特許に開示される、通常閉じた比例ソレノイド弁は、多くの弁状況において、良好に作動する。しかし、他の状況においては、通常開いた比例弁が、より有利であり得る。例えば、時間の大部分において弁が完全に開いたままであり、そして時折のみ閉じる（部分的にかまたは完全に）状況においては、通常開いた弁は、ソレノイドが、この弁が完全には開いていない短期間にわたってのみエネルギー付与されることを可能にする。別の例として、出力停止時間の間に弁が開いたままであることを必要とする状況においては、通常開いた比例弁は、いかなるさらなるフェイルセーフ特徴の組み込みもなしに、この要件に適合する。
【０００５】
（発明の要旨）
本発明は、ソレノイド制御式の比例フロー弁設計を提供し、この設計は、通常開いた配置と適合性であり、ここで、この弁は、このソレノイドがエネルギー付与されない限り、完全に開いたままである。この様式で、この弁は、通常開いた比例弁が、例えば通常閉じた比例弁より有利である状況において、使用され得る。
【０００６】
より具体的には、本発明は、弁本体、シール、ソレノイドアセンブリ、およびアーマチャーアセンブリを備える比例フロー弁を提供する。この弁本体は、入口、出口、および弁座を備え、これらの間に、オリフィスが規定される。このシールは、完全な開状態、完全な閉状態、およびこれらの間の部分的な開状態へと、弁座の方へおよび弁座から離れて可動である。このアーマチャーアセンブリは、電流がこのソレノイドに印加される場合に、少なくとも部分的にこのソレノイドアセンブリの内部で可動である。このソレノイドアセンブリは、電流に比例してこのアーマチャーアセンブリを移動させ、そしてこのアーマチャーアセンブリは、開位置においてこのシールと当接して係合し、このシールを、印加電流に対応して比例的に関連する距離だけこの弁座から離して保持する。
【０００７】
この弁本体は、好ましくは、入口と出口との間に通路を備え、そしてこの弁座は、この通路の一端（好ましくは、この通路の入口に隣接する端部）に位置する。入口チャンバおよび出口チャンバが、好ましくは、この弁本体内に配置され、その結果、このシールがその開位置のうちの１つにある場合に、流体が、この入口を通って入口チャンバへと流れ、この通路を通り、出口チャンバ内へ、そして出口を通って流れる。このシールは、好ましくは、入口チャンバ内に位置し、その結果、このシールがその閉位置にある場合に、流体は、この通路に入らないようブロックされる。
【０００８】
アーマチャーアセンブリは、好ましくは、プランジャー部およびピン部を備える。このプランジャー部は、ソレノイドアセンブリと相互作用する。このピン部は、このシールと当接して係合し、そしてこのシールが開位置にある場合に、通路を通って入口チャンバ内へと延びる。アーマチャーアセンブリは、さらにまたは代替的に、好ましくは、偏倚部材を備え、この偏倚部材は、このアーマチャーアセンブリの弁座から離れる移動に抵抗するよう配置される。この偏倚部材は、アーマチャーアセンブリに隣接し、そして／またはこのアーマチャーアセンブリの周囲に位置する、環状の板ばねであり得る。
【０００９】
この比例フロー弁は、好ましくは、ばねアセンブリをさらに備え、このばねアセンブリは、シールを弁座の方へと偏倚し、そしてアーマチャーアセンブリは、閉位置において、このばねアセンブリがこのシールを弁座に対して設置することを可能にする。このばねアセンブリは、好ましくは、弁本体内に収容されるばねを備え、そしてより好ましくは、入口と出口のの間の通路と同軸状に整列する円錐状のばねを備える。
【００１０】
本発明のこれらおよび他の特徴は、完全に記載され、そして特許請求の範囲に具体的に指摘されている。以下の説明および図面は、本発明の特定の例示的な実施形態を詳細に記載し、これらの実施形態は、本発明の原理が使用され得る種々の方法を示すが、これらの方法のうちの１つにすぎない。
【００１１】
（詳細な説明）
ここで図面を詳細に参照し、そして最初に図１および２を参照すると、本発明による比例フロー弁１０が示されている。弁１０は、ケーシングアセンブリ１２、ソレノイドアセンブリ１４、アーマチャーアセンブリ１６、ばねアセンブリ１８、およびシール２０を備える。以下にさらに詳細に説明するように、アセンブリ１２、１４、１６および１８は、ソレノイドアセンブリ１４に印加される電流に比例して、完全な開位置（図１）、閉位置（図２）、およびこれらの間の部分的な開位置の間で、シール２０を移動させるよう調整される。
【００１２】
ケーシングアセンブリ１２は、弁１０の流路を規定する、弁本体３０を備える。具体的には、弁本体３０は、入口チャンバ３４へと導く入口通路３２、出口チャンバ３８から導かれる出口通路３６、および入口チャンバ３４と出口チャンバ３８との間の通路４０を規定する。弁本体３０は、弁座４２をさらに備え、この弁座は、通路４０の端部において、入口チャンバ３４へと開くオリフィスを規定する。弁本体３０の内側表面は、ねじ山付きボア４４を備え、このボアは、出口チャンバ３８と連絡する。
【００１３】
弁１０がその通常の完全な開位置（図１）にある場合に、シール２０は、その完全な開位置にあり、ここで、このシールは、弁座４２から所定の距離で離れている。これによって、流体が、入口通路３２を通ってチャンバ３４内へ、「ブロックされていない」通路４０を通って出口チャンバ３８へ、そして出口通路３６を通って流れ得る。弁１０がその閉状態（図２）にある場合には、シール２０はその閉位置にあり、ここで、このシールは、弁座４２に対して設置されている。これによって、流体は、入口チャンバ３４から通路４０を通って出口チャンバ３８および出口通路３６へと流れることからブロックされる。
【００１４】
ケーシングアセンブリ１２は、ステム４８をさらに備え、このステムは、弁本体３０をソレノイドアセンブリ１４に接続する。この目的で、ステム４８は、内側部分５０および外側部分５２を備える。ステムの内側部分５０は、管形状であり、そしてソレノイドアセンブリ１４の一部に接続される。ステムの外側部分５２は、おおよそディスク形状であり、そして軸方向にねじ山を付けられ、弁本体のねじ山付きボア４４と界面を接する。ステムの内側部分５０およびステムの外側部分５２は、内部円筒状ボア５４を形成し、この円筒形ボアは、アーマチャーアセンブリ１６の一部（すなわち、下部に導入されるプランジャー部８０）をスライド式に受容し、そして出口チャンバ３８と連絡する。ボア５４の外側端部は、段付きの輪郭に拡張して、逆転したレッジ５６を形成する。代替的に（しかし図面には示さない）ボア５４の外側端部は、傾斜状輪郭に拡張して、逆転斜面を形成し得る。Ｏリング５８が、ステム部５２と弁本体ボア４４との間に提供され得る。
【００１５】
ソレノイドアセンブリ１４は、ボビン６０、磁気コイル６２、磁極片６４、および継鉄６６を備える。ボビン６０は、外側環状チャンバを規定し、このチャンバ内に、磁気コイル６２が収容される。ボビン６０はまた、中心円筒状開口部を規定し、この開口部内に、磁極片６４が収容され、そしてステムの内側部分５０もまた収容される。継鉄６６は、それぞれの開口部を有する外側アームおよび内側アームを備え、これらの開口部を通って、磁極片６４およびステム４８がそれぞれ延びる。平坦な圧迫Ｃリング６８が、磁極片６４の周囲を囲み、継鉄６６をボビン６０および磁気コイル６２に維持する。磁束集中器（ｆｌｕｘ　ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｏｒ）７０が提供されて、磁束を集中および透過させ得る。
【００１６】
金属性アーマチャーアセンブリ１６は、外側プランジャー部８０および内側ピン部８２を備える。円筒形プランジャー部８０は、ステムの内側ボア５４内にスライド式に受容され、従って磁極片６４の下で、ボビンの中心開口部内に位置する。ピン部８２は、プランジャー部８０から入口−出口通路４０を通って延びる。プランジャー部８０の底縁部は、フランジを付けられ、レッジ８４を形成する。
【００１７】
アーマチャーアセンブリ１６は、ばね８８をさらに備え、このばねは、好ましくは、米国特許第５，２３２，１９６号に記載される種類のものであり、そして具体的には、３ローブ型（ｔｈｒｅｅ−ｌｏｂｅｄ）環状板ばねである。ばね８８は、ステムの逆転したレッジ５６とアーマチャーのレッジ８４との間に支持され、そしてソレノイドアセンブリ１４により誘導される力に対する抵抗を提供することによって、アーマチャーアセンブリの部分８０および８２の変位を調節する。
【００１８】
電流または電圧がソレノイドアセンブリ１４に印加される（すなわち、磁気コイル６２がエネルギー付与される）場合に、コイルの起磁力が磁束を誘導し、この磁束は、継鉄６６および磁極片６４を通り、作動空隙を横切り、アーマチャーアセンブリ１６を通り、そして磁束集中器７０を介して継鉄６６へと戻る。この磁束は、アーマチャープランジャー部８０と磁極片６４との間の引力を誘導し、アーマチャーアセンブリ１６の、磁極片６４の方への移動を引き起こし、これによって、アーマチャーピン部８２の、通路４０に対する閉方向への移動を引き起こす（図３と４とを比較のこと）。コイル電流を増加させることによって、アーマチャーアセンブリ１６と磁極片６４との間の引力が増加され、これによって、アーマチャーアセンブリ１６の、ばね８８により及ぼされる偏倚力に抵抗しての磁極片６４の方への移動が増加し、これによって、通路４０に対するピン部８２の移動が増加する。理解されるように、ピン部８２のこの部分は、ソレノイド制御式のソレノイド弁において代表的であるように、コイル電流に比例的に関連し得る。
【００１９】
ばねアセンブリ１８は、プラグ９０、円錐形ばね９２、およびキャリア９４を備える。プラグ９０は、入口チャンバ３４の底部内に固定され、そしてばね９２の底端部は、プラグ９０の頂部のポケット内に設置され、そしてキャリア９４は、ばね９２の頂部に支持される。キャリア９４は、円形のくぼみまたは皿９６を備え、この内部に、シール２０が収容される。シール２０および／またはばねアセンブリ１８は、アーマチャーアセンブリ１６に付着されないことが、注目され得る。
【００２０】
シール２０の取り付け／支持は、ばね９２およびキャリア９４が、アーマチャーのピン部８２および／または入口−出口通路４０と円錐の関係となるように、配置される。好ましいばね９２は、円錐状ばねである。なぜなら、このばねの形状が、この所望の円錐関係をより良好に維持することが示されたからである。従って、アーマチャーアセンブリ１６の位置にかかわらず、ばねアセンブリ１８は、シールをその閉位置の方へと偏倚する（図３および４を参照のこと）。
【００２１】
ソレノイドアセンブリ１４が脱エネルギー化される場合に、弁１０は、その通常の完全な開状態にあり、そしてアーマチャーアセンブリ１６は、シール２０を当接して係合し、その完全な開位置（図１および３）に保持する。より具体的には、アーマチャーピン部８２は、弁座４２を所定の距離だけ越えて延び、これによってシール２０を弁座４２からこの距離だけ離して保持する。次いで、流体が、入口通路３２を通り、入口チャンバ３４内、シール２０の周囲、入口−出口通路４０を通り、外側チャンバ３８を通り、そして出口通路３６を通って、通過し得る。
【００２２】
ソレノイドアセンブリ１４が完全にエネルギー付与される場合には、アーマチャーアセンブリ１６は、シール２０を移動させてばねアセンブリ１８および／または流体圧の作用のもとで弁座４２と係合させるに十分に引き戻され、これによって、この弁を完全に閉じる（図２および４）。より具体的には、アーマチャーピン部８２は、弁座４２を越えて延びない。
【００２３】
弁１０はまた、ソレノイドアセンブリ１４を通る電流を増加／減少させることによって、複数の部分的な開状態（または部分的な閉状態）に配置され得る。具体的には、コイル電流を増加させることによって、アーマチャープランジャー部８０の、磁極片６４の方への移動が比例的に増加される。このことは、次に、アーマチャーピン部８２が通路４０の底部端を越えて伸びる距離を比例的に減少させ、これによって、シール２０と弁座４２との間の距離が比例的に減少する。距離が短いほど、より少ない流体が通路４０を通って流れ、そして弁１０の出力がより低くなる。すなわち、シールと弁座との間のカーテン領域または流れ空隙を変化させること（これは、有効オリフィスサイズを変化させる）によって、正確な流れ調節が得られ得る。
【００２４】
比例フロー弁１０の設計は、この弁がシール２０の熱変化を補償することを可能にする。代表的にはエラストマーで作製されるシール２０は、上昇温度においては膨張（例えば、膨潤）し得（図５）、そして低下温度においては収縮（ｃｏｎｔｒａｃｔ）（例えば、収縮（ｓｈｒｉｎｋ））し得る（図６）。弁１０の設計は、シールの膨張またはシールの収縮が、この弁の流れ特性に有意には影響を与えないような設計である。具体的には、弁１０の流れ特性は、弁座４２とシール２０の頂部表面との間の距離によって決定され、これによって、ばね９２が、エラストマーの寸法変化を吸収するか、またはばね９２が伸長して、この寸法変化を補償する。
【００２５】
ここで、本発明は、弁１０がソレノイドアセンブリ１４がエネルギー付与されない限り、完全に開いたままである、通常開いた配置と適合性の、ソレノイド制御式の比例ブロー弁を提供することが理解され得る。この様式で、弁１０は、通常開いた比例弁が、例えば通常閉じた比例弁より有利である状況において、使用され得る。
【００２６】
本発明を、特定の好ましい実施形態に関して図示および説明したが、本明細書を読み、そして理解する際に、当業者が、等価物ならびに明らかな変更および改変に想到することが、明らかである。本発明は、全てのこのような変更および改変を含み、そして添付の特許請求の範囲によってのみ制限される。
【図面の簡単な説明】
【図１】
図１は、弁が完全な開状態において示されている、本発明による比例フロー弁の断面図である。
【図２】
図２は、弁が閉状態において示されている、フロー弁の別の断面図である。
【図３】
図３は、完全な開状態にある弁の弁座および周囲の部分の、拡大図である。
【図４】
図４は、閉状態にある弁の弁座および周囲の部分の、拡大図である。
【図５】
図５は、シールが膨張または膨潤した状態で示されている、完全な開状態にある弁の弁座および周囲の部分の、拡大図である。
【図６】
図６は、シールが収縮した（ｃｏｎｔｒａｃｔｅｄ　ｏｒ　ｓｈｒｕｎｋｅｎ）状態で示されている、完全な開状態にある弁の弁座および周囲の部分の、拡大図である。

Claims

比例フロー弁（１０）であって、以下：
間にオリフィスを規定する入口（３２）、出口（３６）および弁座（４２）を備える、弁本体（３０）；
シール（２０）であって、完全な開状態、閉状態、および該開状態と該閉状態との間の部分的な開状態へと、該弁座（４２）に近付く方向および離れる方向に可動である、シール（２０）；
ソレノイドアセンブリ（１４）であって、該ソレノイドアセンブリを通して電流が印加される、ソレノイドアセンブリ（１４）；ならびに
アーマチャーアセンブリ（１６）であって、電流が該ソレノイドアセンブリ（１４）に印加される場合に、少なくとも部分的に該ソレノイドアセンブリ（１４）の内部で可動である、アーマチャーアセンブリ（１６）、
を備え、
該ソレノイドアセンブリ（１４）は、該ソレノイドアセンブリ（１４）を通る電流に比例して、該アーマチャーアセンブリ（１６）を該弁座（４２）の方へと移動させ；そして
該アーマチャーアセンブリ（１６）は、該開位置において、該シール（２０）と当接して係合し、該シール（２０）を、印加電流に対応して比例的に関連する距離だけ該弁座（４２）から離して保持する、比例フロー弁（１０）であって；
該シール（２０）が、平坦な表面を有し、該シール（２０）が該閉位置にある場合に、該表面が該弁座（４２）と接触し、そして該弁座により規定されるオリフィスを横切って延びることを特徴とする、比例フロー弁（１０）。
前記シール（２０）が閉位置にある場合に、前記弁（１０）が完全に閉じる、請求項１に記載の比例フロー弁（１０）。
前記シール（２０）が円柱形状を有し、該シールの軸方向の一端が前記平坦な表面を形成する、請求項１または２のいずれかに記載の比例フロー弁（１０）。
フロー特性が、前記弁座（４２）と前記シール（２０）の平坦な表面との間の距離により決定される、請求項１〜３のいずれかに記載の比例フロー弁（１０）。
ばねアセンブリ（１８）をさらに備え、該ばねアセンブリ（１８）が、前記シール（２０）を前記弁座（４２）の方へと偏倚する、請求項１〜４のいずれかに記載の比例フロー弁（１０）。
前記ばねアセンブリ（１８）が収縮／伸長して、前記シール（２０）の寸法変化を補償し、その結果、前記弁座（４２）と該シール（２０）の平坦な表面との間の距離が実質的に不変に維持される、請求項５に記載の比例フロー弁（１０）。
前記アーマチャーアセンブリ（１６）が、前記閉位置において、前記ばねアセンブリ（１８）が前記シール（２０）を前記弁座（４２）に対して設置することを可能にする、請求項５または６のいずれかに記載の比例フロー弁（１０）。
前記ばねアセンブリ（１８）が、前記弁本体（３０）の内部に位置するばね（９２）を備える、請求項５〜７のいずれかに記載の比例フロー弁（１０）。
前記ばね（９２）が、円錐状ばねを備える、請求項８に記載の比例フロー弁（１０）。
前記ばねアセンブリ（１８）が、前記円錐状ばね（９２）の反対端部に取り付けられたキャリア（９４）をさらに備え、そして前記シール（２０）が、該キャリア（９４）により収容される、請求項９に記載の比例フロー弁（１０）。
前記弁本体（３０）が、前記入口（３２）と前記出口（３６）との間に通路（４０）を備え、そして前記弁座（４２）が、該通路の一端に位置する、請求項１〜１０のいずれかに記載の比例フロー弁（１０）。
前記弁座（４２）が、前記通路（４０）の、前記入口（３２）に隣接する端部に位置する、請求項１１に記載の比例フロー弁（１０）。
前記弁本体（３０）が、入口チャンバ（３４）および出口チャンバ（３８）を備え、該入口チャンバおよび該出口チャンバは、前記シール（２０）が開位置の１つにある場合に、流体が前記入口（３２）を通って該入口チャンバ（３４）へ、前記通路（４０）を通り、該出口チャンバ（３８）内へ、そして前記出口（３６）を通って流れるよう配置される、請求項１１または１２のいずれかに記載の比例フロー弁（１０）。
前記シール（２０）が、前記入口チャンバ（３４）の内部に位置し、その結果、該シール（２０）が前記閉位置にある場合に、流体が前記通路（４０）に入ることをブロックされる、請求項１３に記載の比例フロー弁（１０）。
前記アーマチャーアセンブリ（１６）が、前記開位置において前記シール（２０）に当接して係合するピン部（８２）を備える、請求項１〜１４のいずれかに記載の比例フロー弁（１０）。
前記シール（２０）が前記閉位置にある場合に、前記アーマチャーアセンブリ（１６）のピン部（８２）が前記弁座（４２）を超えて延びない、請求項１５に記載の比例フロー弁（１０）。
請求項１２に従属する場合の、請求項１５または１６のいずれかに記載の比例フロー弁（１０）であって、前記ピン部（８２）が、前記印加電流に対応して比例的に関連する距離だけ、前記通路（４０）を通って前記入口チャンバ（３４）内へと延びて、前記開位置に前記シール（２０）を配置する、比例フロー弁（１０）。
前記アーマチャーアセンブリ（１６）が、前記ソレノイドアセンブリ（１４）と相互作用するプランジャー部（８０）を備える、請求項１〜１７のいずれかに記載の比例フロー弁（１０）。
前記アーマチャーアセンブリ（１６）が、偏倚部材（８８）を備え、該偏倚部材が、該アーマチャーアセンブリ（１６）の前記弁座（４２）の方への移動に抵抗するよう配置される、請求項１〜１８のいずれかに記載の比例フロー弁（１０）。
前記偏倚部材（８８）が、前記アーマチャーアセンブリ（１６）に隣接し、そして／または該アーマチャーアセンブリ（１６）の周囲に位置するばねである、請求項１９に記載の比例フロー弁（１０）。
前記ばね（８８）が環状の板ばねである、請求項２０に記載の比例フロー弁（１０）。
前記ソレノイドアセンブリ（１４）が、磁極片（６４）を備え、該磁極片が、前記アーマチャーアセンブリ（１６）と整列し、そして該アーマチャーアセンブリとの間に作動空隙を有し、そして該ソレノイドアセンブリ（１４）を通る電流が、該アーマチャーアセンブリ（１６）の、該磁極片（６４）の方への移動を引き起こし、これによって該作動空隙の長さを減少させる、請求項１〜２１のいずれかに記載の比例フロー弁（１０）。
前記ソレノイドアセンブリ（１４）が、中心開口部を規定するボビン（６０）をさらに備え、該中心開口部の内部に、前記磁極片（６４）が収容され、そして該中心開口部の内部に、前記アーマチャーアセンブリ（１６）の部分（８０）がスライド式に受容される、請求項２２に記載の比例フロー弁（１０）。
請求項８または請求項８に従属する任意の他の請求項に従属する場合の、請求項２２または２３のいずれかに記載の比例フロー弁（１０）であって、前記プランジャー部（８０）が、前記ボビン（６０）の中心開口部の内部にスライド式に受容される、比例フロー弁（１０）。
ステム（４８）が、前記弁本体（３０）を前記ソレノイドアセンブリ（１４）に接続し、そして該ステム（４８）が、内部ボア（５４）を有し、該内部ボアが、該ソレノイドアセンブリ（１４）の部分（８０）をスライド式に受容し、そして前記出口（３６）と連絡する、請求項１〜２４のいずれかに記載の比例フロー弁（１０）。