JP2004362724A - 情報記録システム - Google Patents
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Abstract
【課題】近接場光を適用したハイブリッド記録方式の情報記録システムにおいて、高記録密度に最適な情報記録システムを提供する。
【解決手段】情報を記録するための磁性層1cを有する情報記録媒体1と、情報記録媒体1の一部に近接場光を照射する手段2と、近接場光で照射された部分に外部磁界を印加する手段3とを備えた情報記録システム10であって、情報記録媒体1は熱拡散層1bを有し、熱拡散層1bの厚さDt(nm)と、近接場光を照射する手段2の先端部2aの開口幅Do(nm)と、磁性層1cに記録される情報の最短記録磁区長ML(nm)との間に、
0.5ML<Dt<2000/Do
の関係が成立する情報記録システムを提供する。
【選択図】 図1
【解決手段】情報を記録するための磁性層1cを有する情報記録媒体1と、情報記録媒体1の一部に近接場光を照射する手段2と、近接場光で照射された部分に外部磁界を印加する手段3とを備えた情報記録システム10であって、情報記録媒体1は熱拡散層1bを有し、熱拡散層1bの厚さDt(nm)と、近接場光を照射する手段2の先端部2aの開口幅Do(nm)と、磁性層1cに記録される情報の最短記録磁区長ML(nm)との間に、
0.5ML<Dt<2000/Do
の関係が成立する情報記録システムを提供する。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、近接場光を用いた情報記録システムに関し、さらに詳細には、磁性層を有する情報記録媒体に近接場光を照射しながら外部磁界を印加して情報を磁性層に記録する情報記録システムに関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、数百Gbits/inch2を超える高記録密度の情報記録媒体の研究では、近接場光を用いた情報記録技術が注目されている。近接場光は通常のレーザー光などの伝搬光に比べて極めて微小な領域(波長以下の領域)にエネルギーを集中させることができるため、通常の伝搬光照射では困難な高密度記録が可能になる。
【0003】
近接場光を用いた情報記録に関する技術として、近接場光プローブを用いた近接場光記録再生装置が開示されている(例えば、特許文献1参照)。特許文献1の近接場光プローブでは、波長未満の開口幅を有する光学プローブの周囲に形成される反射体の膜厚を、記録媒体に対向する開口周囲では薄く設定し、それ以外の領域で厚く形成することにより、開口周囲の反射体の熱を後方あるいは側方に逃がすヒートシンク構造になっている。また、特許文献1では、反射体の周囲に放熱フィンあるいは熱絶縁体を設けることにより、近接場光記録の際に、プローブ開口周囲の反射体からの加熱による記録媒体表面の不必要な溶融を防止して、開口サイズ程度の記録マークを高感度且つ広いパワーマージンで形成する技術が開示されている。
【0004】
また、近接場光を用いた情報記録媒体の別の例として、基板上に形成された記録層に近接場光を照射して情報の記録、再生及び消去、または、情報の記録及び再生を行う光情報記録媒体が開示されている(例えば、特許文献2参照)。特許文献2では、基板と記録層との間に膜厚が30nm以下の金属層を設けるか、もしくは金属層を設けない構成とすることにより、耐摩耗性、耐衝撃性等の光情報記録媒体の強度を向上させることが開示されている。
【0005】
【特許文献1】
特開2002−277376号公報(第5−7頁、第2図)
【特許文献2】
特開2002−251787号公報(第4−7頁、第1図)
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
上記特許文献1及び2では、情報を近接場光で記録する光記録方式のシステムを対象としているが、光を照射しながら外部磁界を印加して情報を磁区として記録する記録方式、いわゆる、ハイブリッド記録方式(熱アシスト記録方式ともいう)に近接場光を適用した情報記録システムに関する技術は本発明者の知る限りでは開示されていない。
【0007】
本発明の目的は、近接場光をハイブリッド記録方式に適用した情報記録システムにおいて、情報記録媒体の膜構成の最適化やシステム構成要素間の関係の最適化を図ることにより、情報記録システムを最適化して、数百Gbits/inch2以上の超高記録密度の情報記録システムを構築することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明の態様に従えば、情報を記録するための磁性層を有する情報記録媒体と、近接場光を出射する光出射部を有し、上記情報記録媒体の一部に近接場光を照射する手段と、上記近接場光が照射された上記情報記録媒体の一部に外部磁界を印加する手段とを備えた情報記録システムであって、上記情報記録媒体は上記磁性層の近接場光照射側とは反対側の表面に熱拡散層を有し、該熱拡散層の厚さDt(nm)と、上記光出射部の幅Do(nm)と、上記磁性層に記録される情報の最短記録磁区長ML(nm)との間に、
0.5ML<Dt<2000/Do (1)
が成立することを特徴とする情報記録システムが提供される。
【0009】
近接場光は非常に小さな領域に熱エネルギーを集中させることができるので、ハイブリッド記録方式で近接場光を情報記録媒体の一部に照射した場合、照射された部分には高密度の熱エネルギーが与えられる。それゆえ、情報記録媒体の熱拡散層の厚さDt(nm)が、磁性層に記録される情報の最短記録磁区長ML(nm)の半分(0.5ML)以下の薄さになると、近接場光の照射により磁性層に与えられた熱のうち、熱拡散層の膜厚方向に拡散される熱量が小さくなり、熱拡散層で拡散しきれない熱は磁性層の面内方向に拡散する。これにより近接場光で加熱される領域が広くなる。このような状態の磁性層に外部磁界を印加して情報を記録すると、記録磁区が大きくなり高密度記録が困難になる。従って、本発明では、情報記録媒体の熱拡散層の膜厚Dtは、0.5MLより厚くする必要がある。
【0010】
また、近接場光を用いて1Tbits/inch2程度(約25nm×25nmの記録マーク)の超高密度記録を達成するためには、近接場光を照射する手段の光出射部の幅Doを20nm程度にしなければならない。このような微小サイズの記録マークの記録を目的とした情報記録システムにおける情報記録媒体では、本発明者の検証によると、熱拡散層の膜厚は約100nmより小さくすることが最適であることが分かっている。従って、光出射部の幅Doと熱拡散層の膜厚の関係を一般化すると、熱拡散層の膜厚は、2000/Do(nm)より小さくすることが必要であると考えられる。
【0011】
以上の理由から、本発明の情報記録システムでは、情報記録媒体の熱拡散層の厚さDt(nm)を、上記式(1)を満足させる膜厚にすることにより、近接場光で加熱される情報記録媒体の磁性層の領域の大きさを、近接場光を照射する手段の情報記録媒体に面した光出射部の幅Doとほぼ同じ大きさにすることができる。すなわち、情報記録媒体の磁性層に、近接場光を照射する手段の情報記録媒体に面した光出射部の幅Doとほぼ同じサイズの微小な記録磁区を形成することができる。これにより、近接場光をハイブリッド記録方式に適用した情報記録システムで数百Gbits/inch2以上の超高記録密度が可能になる。
【0012】
本発明の情報記録システムでは、近接場光を照射する手段として、光出射部が先端開口部である光プローブを用いることが好ましい。
【0013】
本発明の情報記録システムでは、情報記録媒体の熱拡散層の熱伝導率が50(W/[m・K])以上であることが好ましい。
【0014】
本発明の情報記録システムでは、情報記録媒体の磁性層として、室温における保磁力が1000Oe以上の保磁力を有する磁性層を用いることが好ましい。また、磁性層として、室温における磁気異方性エネルギーが4×106erg/cc以上である磁性層を用いることが好ましい。
【0015】
本発明の情報記録システムでは、情報記録媒体の磁性層として多結晶性材料を用いることが好ましく、特に、3d強磁性遷移金属及び貴金属を含有することが好ましい。3d強磁性遷移金属としてはCo、Fe及びNiからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を含有することが好ましく、貴金属としてはPt及びPdからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を含有することが好ましい。また、情報記録媒体の磁性層は、主に3d強磁性遷移金属からなる層と、主に貴金属からなる層とを交互に積層させた層で形成されていても良い。また、情報記録媒体の磁性層が3d強磁性遷移金属と貴金属との比が約1:1で含有されている合金から形成されていても良い。
【0016】
また、本発明の情報記録システムでは、情報記録媒体の磁性層としてアモルファス系材料を用いることが好ましく、特に、アモルファス系材料として、3d強磁性遷移金属及び4f希土類金属を含有することが好ましい。3d強磁性遷移金属としてはCo、Fe及びNiからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を含有することが好ましく、4f希土類金属としてはTb、Gd及びDyからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を含有することが好ましい。
【0017】
本発明の情報記録システムでは、情報記録媒体の熱拡散層が貴金属を含有することが好ましい。貴金属としては、特にAg、Au、Pt、Pd等が好ましい。また、情報記録媒体の熱拡散層には、Al、Al合金などの他の金属が含有されていても良い。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下に図を用いて本発明の情報記録システムを具体的に説明するが、本発明はこれに限定されない。
【0019】
[具体例]
本発明の情報記録システムは、近接場光を情報記録媒体の一部に照射して、近接場光で加熱されている部分に外部磁界を印加することにより情報が記録される方式、いわゆる、ハイブリッド記録方式(熱アシスト型記録方式)により情報記録媒体に情報を記録するシステムである。本発明の情報記録システムの一例を図1に示す。
【0020】
本発明の情報記録システムは、図1に示すように、磁性層1cを有する情報記録媒体1と、情報記録媒体1の磁性層1cに情報を記録する際に、情報が記録される所定の位置に近接場光を照射するための近接場光照射手段としての光プローブ2と、近接場光により加熱された領域に磁界を印加して情報を記録するための外部磁界印加手段としての磁気コイル3と、情報記録媒体1の磁性層1cに記録された磁化情報の漏洩磁界を検出して情報再生を行うための再生用磁気ヘッド4と、光プローブ2、磁気コイル3及び再生用磁気ヘッド4が設置されているスライダ5とで構成される。
【0021】
この例の情報記録システムにおける情報記録媒体1は、図1に示すように、基板1a上に、熱拡散層1b、磁性層1c及び保護層1dを順次形成した構造を有する。磁性層1cは情報が磁化情報として記録される層であり、熱拡散層1bは光プローブ2から近接場光が情報記録媒体1に照射された際、磁性層1cに加えられた熱を拡散するための層である。熱拡散層1b、磁性層1c及び保護層1dは、スパッタリング、蒸着などの方法により形成し得る。
【0022】
基板1aは、ガラス、シリコン、石英、プラスチック、アルミニウムなどから形成し得る。熱拡散層1bは、Ag、Au、Pt、Pdなどの貴金属、並びに、Al、Al合金などのその他の金属で形成され、10nm〜100nmの膜厚で形成される。磁性層1cは、FePt、CoPt、CoCrのような基合金等の多結晶材料、TbFeCo、TbGdFeCo、TbFeCoCr等のアモルファス材料、あるいは、Co/Pd多層膜、Co/Au多層膜、Co/Cu多層膜、Co/Pt多層膜等の多層膜で形成され得る。磁性層1cの膜厚は5nm〜20nmで形成され得る。保護層1dとしては、ダイヤモンドライクカーボン、紫外線硬化樹脂、SiN等で形成され、3nm〜5nmの膜厚で形成される。
【0023】
光プローブ2は、内部で光が全反射して伝搬する光ファイバであり、その一端は、図1に示すように、先端部2aに近づくに伴い開口径が小さくなるように加工されている。この例の情報記録システムでは、数百Gbits/inch2以上の超高記録密度を達成するために、光プローブ2の先端部2aの開口幅Doは20nm〜100nm程度にし得る。また、近接場光の波長としては、可視光領域である約405nm〜780nmの波長を使用し得る。光プローブ2に代えて、SIL(Solid Immersion Lens)、ボウタイ型アンテナ、光導波路等を用い得る。
【0024】
再生用磁気ヘッド4としては、GMRヘッド、TMRヘッド等を用い得る。
【0025】
上記構成の情報記録システム10において、情報記録媒体1の熱拡散層1bの厚さDt(nm)と、光プローブ2の先端部2aの開口幅Do(nm)と、磁性層1cに記録される情報の最短記録磁区長ML(nm)との間に、
0.5ML<Dt<2000/Do
の関係が成立するような情報記録媒体を用いると、近接場光を照射して情報を記録する際、近接場光で加熱された領域の熱エネルギーが磁性層1cの面内方向にほとんど拡散せず、熱拡散層1bの厚み方向に効率良く拡散する。これにより、近接場光で加熱された領域、すなわち、記録磁区の大きさが光プローブ2の先端部2aの開口幅Doとほぼ同じ大きさになり、20nm程度の微小磁区を形成することができ、超高密度記録が実現される。
【0026】
上記具体例では、光プローブ2、磁気コイル3及び再生用磁気ヘッド4が一体化している例を示したが、本発明はこれに限定されない。例えば、光プローブ2、磁気コイル3及び再生用磁気ヘッド4がそれぞれ独立して設置されていても良いし、光プローブ2及び磁気コイル3だけが一体化されていても良い。また、図1の例では、スライダ5上に図面の左から光プローブ2、磁気コイル3及び再生用磁気ヘッド4の順で配置した例を示したが、本発明はこれに限定されず、情報記録システムの設計により任意の位置に配置し得る。
【0027】
【発明の効果】
本発明によれば、近接場光を適用したハイブリッド記録方式の情報記録システムにおいて、情報記録媒体の熱拡散層の膜厚と、近接場光照射手段の情報記録媒体に面した光射出部の幅との関係を最適化することにより、情報記録媒体に情報を記録する際に、近接場光で加熱される磁性層の領域の面内方向の広がりを抑制して、情報記録媒体の磁性層に近接場光照射手段の情報記録媒体に面した光射出部の幅とほぼ同じ大きさの微小記録磁区を形成することができる。それゆえ、数百Gbits/inch2以上の超高記録密度が可能になり、最適なハイブリッド記録方式の情報記録システムを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の情報記録システムの一例を示した図である。
【符号の説明】
1 情報記録媒体
1a 基板
1b 熱拡散層
1c 磁性層
1d 保護層
2 光プローブ
3 磁気コイル
4 再生用磁気ヘッド
5 スライダ
10 情報記録システム
【発明の属する技術分野】
本発明は、近接場光を用いた情報記録システムに関し、さらに詳細には、磁性層を有する情報記録媒体に近接場光を照射しながら外部磁界を印加して情報を磁性層に記録する情報記録システムに関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、数百Gbits/inch2を超える高記録密度の情報記録媒体の研究では、近接場光を用いた情報記録技術が注目されている。近接場光は通常のレーザー光などの伝搬光に比べて極めて微小な領域(波長以下の領域)にエネルギーを集中させることができるため、通常の伝搬光照射では困難な高密度記録が可能になる。
【0003】
近接場光を用いた情報記録に関する技術として、近接場光プローブを用いた近接場光記録再生装置が開示されている(例えば、特許文献1参照)。特許文献1の近接場光プローブでは、波長未満の開口幅を有する光学プローブの周囲に形成される反射体の膜厚を、記録媒体に対向する開口周囲では薄く設定し、それ以外の領域で厚く形成することにより、開口周囲の反射体の熱を後方あるいは側方に逃がすヒートシンク構造になっている。また、特許文献1では、反射体の周囲に放熱フィンあるいは熱絶縁体を設けることにより、近接場光記録の際に、プローブ開口周囲の反射体からの加熱による記録媒体表面の不必要な溶融を防止して、開口サイズ程度の記録マークを高感度且つ広いパワーマージンで形成する技術が開示されている。
【0004】
また、近接場光を用いた情報記録媒体の別の例として、基板上に形成された記録層に近接場光を照射して情報の記録、再生及び消去、または、情報の記録及び再生を行う光情報記録媒体が開示されている(例えば、特許文献2参照)。特許文献2では、基板と記録層との間に膜厚が30nm以下の金属層を設けるか、もしくは金属層を設けない構成とすることにより、耐摩耗性、耐衝撃性等の光情報記録媒体の強度を向上させることが開示されている。
【0005】
【特許文献1】
特開2002−277376号公報(第5−7頁、第2図)
【特許文献2】
特開2002−251787号公報(第4−7頁、第1図)
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
上記特許文献1及び2では、情報を近接場光で記録する光記録方式のシステムを対象としているが、光を照射しながら外部磁界を印加して情報を磁区として記録する記録方式、いわゆる、ハイブリッド記録方式(熱アシスト記録方式ともいう)に近接場光を適用した情報記録システムに関する技術は本発明者の知る限りでは開示されていない。
【0007】
本発明の目的は、近接場光をハイブリッド記録方式に適用した情報記録システムにおいて、情報記録媒体の膜構成の最適化やシステム構成要素間の関係の最適化を図ることにより、情報記録システムを最適化して、数百Gbits/inch2以上の超高記録密度の情報記録システムを構築することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明の態様に従えば、情報を記録するための磁性層を有する情報記録媒体と、近接場光を出射する光出射部を有し、上記情報記録媒体の一部に近接場光を照射する手段と、上記近接場光が照射された上記情報記録媒体の一部に外部磁界を印加する手段とを備えた情報記録システムであって、上記情報記録媒体は上記磁性層の近接場光照射側とは反対側の表面に熱拡散層を有し、該熱拡散層の厚さDt(nm)と、上記光出射部の幅Do(nm)と、上記磁性層に記録される情報の最短記録磁区長ML(nm)との間に、
0.5ML<Dt<2000/Do (1)
が成立することを特徴とする情報記録システムが提供される。
【0009】
近接場光は非常に小さな領域に熱エネルギーを集中させることができるので、ハイブリッド記録方式で近接場光を情報記録媒体の一部に照射した場合、照射された部分には高密度の熱エネルギーが与えられる。それゆえ、情報記録媒体の熱拡散層の厚さDt(nm)が、磁性層に記録される情報の最短記録磁区長ML(nm)の半分(0.5ML)以下の薄さになると、近接場光の照射により磁性層に与えられた熱のうち、熱拡散層の膜厚方向に拡散される熱量が小さくなり、熱拡散層で拡散しきれない熱は磁性層の面内方向に拡散する。これにより近接場光で加熱される領域が広くなる。このような状態の磁性層に外部磁界を印加して情報を記録すると、記録磁区が大きくなり高密度記録が困難になる。従って、本発明では、情報記録媒体の熱拡散層の膜厚Dtは、0.5MLより厚くする必要がある。
【0010】
また、近接場光を用いて1Tbits/inch2程度(約25nm×25nmの記録マーク)の超高密度記録を達成するためには、近接場光を照射する手段の光出射部の幅Doを20nm程度にしなければならない。このような微小サイズの記録マークの記録を目的とした情報記録システムにおける情報記録媒体では、本発明者の検証によると、熱拡散層の膜厚は約100nmより小さくすることが最適であることが分かっている。従って、光出射部の幅Doと熱拡散層の膜厚の関係を一般化すると、熱拡散層の膜厚は、2000/Do(nm)より小さくすることが必要であると考えられる。
【0011】
以上の理由から、本発明の情報記録システムでは、情報記録媒体の熱拡散層の厚さDt(nm)を、上記式(1)を満足させる膜厚にすることにより、近接場光で加熱される情報記録媒体の磁性層の領域の大きさを、近接場光を照射する手段の情報記録媒体に面した光出射部の幅Doとほぼ同じ大きさにすることができる。すなわち、情報記録媒体の磁性層に、近接場光を照射する手段の情報記録媒体に面した光出射部の幅Doとほぼ同じサイズの微小な記録磁区を形成することができる。これにより、近接場光をハイブリッド記録方式に適用した情報記録システムで数百Gbits/inch2以上の超高記録密度が可能になる。
【0012】
本発明の情報記録システムでは、近接場光を照射する手段として、光出射部が先端開口部である光プローブを用いることが好ましい。
【0013】
本発明の情報記録システムでは、情報記録媒体の熱拡散層の熱伝導率が50(W/[m・K])以上であることが好ましい。
【0014】
本発明の情報記録システムでは、情報記録媒体の磁性層として、室温における保磁力が1000Oe以上の保磁力を有する磁性層を用いることが好ましい。また、磁性層として、室温における磁気異方性エネルギーが4×106erg/cc以上である磁性層を用いることが好ましい。
【0015】
本発明の情報記録システムでは、情報記録媒体の磁性層として多結晶性材料を用いることが好ましく、特に、3d強磁性遷移金属及び貴金属を含有することが好ましい。3d強磁性遷移金属としてはCo、Fe及びNiからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を含有することが好ましく、貴金属としてはPt及びPdからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を含有することが好ましい。また、情報記録媒体の磁性層は、主に3d強磁性遷移金属からなる層と、主に貴金属からなる層とを交互に積層させた層で形成されていても良い。また、情報記録媒体の磁性層が3d強磁性遷移金属と貴金属との比が約1:1で含有されている合金から形成されていても良い。
【0016】
また、本発明の情報記録システムでは、情報記録媒体の磁性層としてアモルファス系材料を用いることが好ましく、特に、アモルファス系材料として、3d強磁性遷移金属及び4f希土類金属を含有することが好ましい。3d強磁性遷移金属としてはCo、Fe及びNiからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を含有することが好ましく、4f希土類金属としてはTb、Gd及びDyからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を含有することが好ましい。
【0017】
本発明の情報記録システムでは、情報記録媒体の熱拡散層が貴金属を含有することが好ましい。貴金属としては、特にAg、Au、Pt、Pd等が好ましい。また、情報記録媒体の熱拡散層には、Al、Al合金などの他の金属が含有されていても良い。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下に図を用いて本発明の情報記録システムを具体的に説明するが、本発明はこれに限定されない。
【0019】
[具体例]
本発明の情報記録システムは、近接場光を情報記録媒体の一部に照射して、近接場光で加熱されている部分に外部磁界を印加することにより情報が記録される方式、いわゆる、ハイブリッド記録方式(熱アシスト型記録方式)により情報記録媒体に情報を記録するシステムである。本発明の情報記録システムの一例を図1に示す。
【0020】
本発明の情報記録システムは、図1に示すように、磁性層1cを有する情報記録媒体1と、情報記録媒体1の磁性層1cに情報を記録する際に、情報が記録される所定の位置に近接場光を照射するための近接場光照射手段としての光プローブ2と、近接場光により加熱された領域に磁界を印加して情報を記録するための外部磁界印加手段としての磁気コイル3と、情報記録媒体1の磁性層1cに記録された磁化情報の漏洩磁界を検出して情報再生を行うための再生用磁気ヘッド4と、光プローブ2、磁気コイル3及び再生用磁気ヘッド4が設置されているスライダ5とで構成される。
【0021】
この例の情報記録システムにおける情報記録媒体1は、図1に示すように、基板1a上に、熱拡散層1b、磁性層1c及び保護層1dを順次形成した構造を有する。磁性層1cは情報が磁化情報として記録される層であり、熱拡散層1bは光プローブ2から近接場光が情報記録媒体1に照射された際、磁性層1cに加えられた熱を拡散するための層である。熱拡散層1b、磁性層1c及び保護層1dは、スパッタリング、蒸着などの方法により形成し得る。
【0022】
基板1aは、ガラス、シリコン、石英、プラスチック、アルミニウムなどから形成し得る。熱拡散層1bは、Ag、Au、Pt、Pdなどの貴金属、並びに、Al、Al合金などのその他の金属で形成され、10nm〜100nmの膜厚で形成される。磁性層1cは、FePt、CoPt、CoCrのような基合金等の多結晶材料、TbFeCo、TbGdFeCo、TbFeCoCr等のアモルファス材料、あるいは、Co/Pd多層膜、Co/Au多層膜、Co/Cu多層膜、Co/Pt多層膜等の多層膜で形成され得る。磁性層1cの膜厚は5nm〜20nmで形成され得る。保護層1dとしては、ダイヤモンドライクカーボン、紫外線硬化樹脂、SiN等で形成され、3nm〜5nmの膜厚で形成される。
【0023】
光プローブ2は、内部で光が全反射して伝搬する光ファイバであり、その一端は、図1に示すように、先端部2aに近づくに伴い開口径が小さくなるように加工されている。この例の情報記録システムでは、数百Gbits/inch2以上の超高記録密度を達成するために、光プローブ2の先端部2aの開口幅Doは20nm〜100nm程度にし得る。また、近接場光の波長としては、可視光領域である約405nm〜780nmの波長を使用し得る。光プローブ2に代えて、SIL(Solid Immersion Lens)、ボウタイ型アンテナ、光導波路等を用い得る。
【0024】
再生用磁気ヘッド4としては、GMRヘッド、TMRヘッド等を用い得る。
【0025】
上記構成の情報記録システム10において、情報記録媒体1の熱拡散層1bの厚さDt(nm)と、光プローブ2の先端部2aの開口幅Do(nm)と、磁性層1cに記録される情報の最短記録磁区長ML(nm)との間に、
0.5ML<Dt<2000/Do
の関係が成立するような情報記録媒体を用いると、近接場光を照射して情報を記録する際、近接場光で加熱された領域の熱エネルギーが磁性層1cの面内方向にほとんど拡散せず、熱拡散層1bの厚み方向に効率良く拡散する。これにより、近接場光で加熱された領域、すなわち、記録磁区の大きさが光プローブ2の先端部2aの開口幅Doとほぼ同じ大きさになり、20nm程度の微小磁区を形成することができ、超高密度記録が実現される。
【0026】
上記具体例では、光プローブ2、磁気コイル3及び再生用磁気ヘッド4が一体化している例を示したが、本発明はこれに限定されない。例えば、光プローブ2、磁気コイル3及び再生用磁気ヘッド4がそれぞれ独立して設置されていても良いし、光プローブ2及び磁気コイル3だけが一体化されていても良い。また、図1の例では、スライダ5上に図面の左から光プローブ2、磁気コイル3及び再生用磁気ヘッド4の順で配置した例を示したが、本発明はこれに限定されず、情報記録システムの設計により任意の位置に配置し得る。
【0027】
【発明の効果】
本発明によれば、近接場光を適用したハイブリッド記録方式の情報記録システムにおいて、情報記録媒体の熱拡散層の膜厚と、近接場光照射手段の情報記録媒体に面した光射出部の幅との関係を最適化することにより、情報記録媒体に情報を記録する際に、近接場光で加熱される磁性層の領域の面内方向の広がりを抑制して、情報記録媒体の磁性層に近接場光照射手段の情報記録媒体に面した光射出部の幅とほぼ同じ大きさの微小記録磁区を形成することができる。それゆえ、数百Gbits/inch2以上の超高記録密度が可能になり、最適なハイブリッド記録方式の情報記録システムを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の情報記録システムの一例を示した図である。
【符号の説明】
1 情報記録媒体
1a 基板
1b 熱拡散層
1c 磁性層
1d 保護層
2 光プローブ
3 磁気コイル
4 再生用磁気ヘッド
5 スライダ
10 情報記録システム
Claims (3)
- 情報を記録するための磁性層を有する情報記録媒体と、
近接場光を出射する光出射部を有し、上記情報記録媒体の一部に近接場光を照射する手段と、
上記近接場光が照射された上記情報記録媒体の一部に外部磁界を印加する手段とを備えた情報記録システムであって、
上記情報記録媒体は上記磁性層の近接場光照射側とは反対側の表面に熱拡散層を有し、該熱拡散層の厚さDt(nm)と、上記光出射部の幅Do(nm)と、上記磁性層に記録される情報の最短記録磁区長ML(nm)との間に、
0.5ML<Dt<2000/Do
が成立することを特徴とする情報記録システム。 - 上記熱拡散層の熱伝導率が50(W/[m・K])以上であることを特徴とする請求項1に記載の情報記録システム。
- 上記近接場光を照射する手段として、上記光出射部が先端開口部である光プローブを用いることを特徴とする請求項1または2に記載の情報記録システム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003163229A JP2004362724A (ja) | 2003-06-09 | 2003-06-09 | 情報記録システム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003163229A JP2004362724A (ja) | 2003-06-09 | 2003-06-09 | 情報記録システム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004362724A true JP2004362724A (ja) | 2004-12-24 |
Family
ID=34055105
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003163229A Pending JP2004362724A (ja) | 2003-06-09 | 2003-06-09 | 情報記録システム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004362724A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006209903A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Hitachi Maxell Ltd | 情報記録媒体 |
JP2009099212A (ja) * | 2007-10-17 | 2009-05-07 | Seiko Instruments Inc | 記録ヘッド及び情報記録再生装置 |
-
2003
- 2003-06-09 JP JP2003163229A patent/JP2004362724A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2006209903A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Hitachi Maxell Ltd | 情報記録媒体 |
JP2009099212A (ja) * | 2007-10-17 | 2009-05-07 | Seiko Instruments Inc | 記録ヘッド及び情報記録再生装置 |
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