JP2004356531A5 - - Google Patents
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【特許請求の範囲】
【請求項１】 処理室内に配設されたガス導入部のガス導入孔から導入した処理ガスをプラズマ化して，前記処理室内に配設された被処理体に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって，
前記ガス導入部のガス導入孔に，前記処理室内で発生したプラズマ中の荷電粒子がガス導入部内へ侵入することを防止する埋込部材を交換可能に装着したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】 前記埋込部材は，ガス導入孔の入口側と出口側とを連通するガス通路を有し，
このガス通路は，前記ガス導入孔の中心軸方向を規制し，前記中心軸方向に対して垂直又は傾斜する方向の通路を有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】 前記埋込部材は，前記ガス導入孔の中心軸方向を常に規制しながら，ガス導入孔の入口側と出口側とを連通するガス通路が形成されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】 前記ガス通路は，螺旋状であることを特徴とする請求項３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】 前記ガス通路の断面は，前記ガス導入孔の中心軸方向の厚みが幅よりも小さい形状をなすことを特徴とする請求項４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】 前記プラズマ処理に使用するガス種に応じて異なる材質の前記埋込部材を使用することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】 前記処理室内に発生させるプラズマの密度に応じて前記ガス通路の形状が異なる前記埋込部材を使用することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】 処理ガスをプラズマ化して，処理室内の被処理体に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置に備えられ，前記処理室内に配設された前記処理ガスを導入するガス導入部のガス導入孔が設けられた電極板において，
前記ガス導入部のガス導入孔に，前記処理室内で発生したプラズマ中の荷電粒子がガス導入部内に侵入することを防止する埋込部材を交換可能に装着したことを特徴とする電極板。
【請求項９】 処理ガスをプラズマ化して，処理室内の被処理体に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置に備えられ，前記処理室内に配設された前記処理ガスを導入するガス導入部のガス導入孔に装着された埋込部材において，
前記処理室内で発生したプラズマ中の荷電粒子が前記ガス導入部内へ侵入することを防止し，かつ交換可能であることを特徴とする埋込部材。
【請求項１】 処理室内に配設されたガス導入部のガス導入孔から導入した処理ガスをプラズマ化して，前記処理室内に配設された被処理体に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって，
前記ガス導入部のガス導入孔に，前記処理室内で発生したプラズマ中の荷電粒子がガス導入部内へ侵入することを防止する埋込部材を交換可能に装着したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】 前記埋込部材は，ガス導入孔の入口側と出口側とを連通するガス通路を有し，
このガス通路は，前記ガス導入孔の中心軸方向を規制し，前記中心軸方向に対して垂直又は傾斜する方向の通路を有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】 前記埋込部材は，前記ガス導入孔の中心軸方向を常に規制しながら，ガス導入孔の入口側と出口側とを連通するガス通路が形成されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】 前記ガス通路は，螺旋状であることを特徴とする請求項３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】 前記ガス通路の断面は，前記ガス導入孔の中心軸方向の厚みが幅よりも小さい形状をなすことを特徴とする請求項４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】 前記プラズマ処理に使用するガス種に応じて異なる材質の前記埋込部材を使用することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】 前記処理室内に発生させるプラズマの密度に応じて前記ガス通路の形状が異なる前記埋込部材を使用することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】 処理ガスをプラズマ化して，処理室内の被処理体に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置に備えられ，前記処理室内に配設された前記処理ガスを導入するガス導入部のガス導入孔が設けられた電極板において，
前記ガス導入部のガス導入孔に，前記処理室内で発生したプラズマ中の荷電粒子がガス導入部内に侵入することを防止する埋込部材を交換可能に装着したことを特徴とする電極板。
【請求項９】 処理ガスをプラズマ化して，処理室内の被処理体に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置に備えられ，前記処理室内に配設された前記処理ガスを導入するガス導入部のガス導入孔に装着された埋込部材において，
前記処理室内で発生したプラズマ中の荷電粒子が前記ガス導入部内へ侵入することを防止し，かつ交換可能であることを特徴とする埋込部材。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003154844A JP4280555B2 (ja) | 2003-05-30 | 2003-05-30 | プラズマ処理装置 |
| US10/830,355 US20040261712A1 (en) | 2003-04-25 | 2004-04-23 | Plasma processing apparatus |
| US12/405,432 US20090255631A1 (en) | 2003-04-25 | 2009-03-17 | Plasma Processing Apparatus and the Upper Electrode Unit |
| US12/894,803 US8083891B2 (en) | 2003-04-25 | 2010-09-30 | Plasma processing apparatus and the upper electrode unit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003154844A JP4280555B2 (ja) | 2003-05-30 | 2003-05-30 | プラズマ処理装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004356531A JP2004356531A (ja) | 2004-12-16 |
| JP2004356531A5 true JP2004356531A5 (ja) | 2006-07-13 |
| JP4280555B2 JP4280555B2 (ja) | 2009-06-17 |
Family
ID=34049391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003154844A Expired - Fee Related JP4280555B2 (ja) | 2003-04-25 | 2003-05-30 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4280555B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| US9520276B2 (en) | 2005-06-22 | 2016-12-13 | Tokyo Electron Limited | Electrode assembly and plasma processing apparatus |
| JP2008047869A (ja) * | 2006-06-13 | 2008-02-28 | Hokuriku Seikei Kogyo Kk | シャワープレート及びその製造方法、並びにそのシャワープレートを用いたプラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び電子装置の製造方法 |
| US8100082B2 (en) * | 2007-05-18 | 2012-01-24 | Tokyo Electron Limited | Method and system for introducing process fluid through a chamber component |
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| JP6945844B2 (ja) * | 2017-07-20 | 2021-10-06 | 株式会社昭和真空 | プラズマ生成装置及びイオン源 |
| CN111081525B (zh) * | 2019-12-31 | 2021-06-08 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种阻挡工艺腔室等离子体反流保护进气结构的装置 |
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2003
- 2003-05-30 JP JP2003154844A patent/JP4280555B2/ja not_active Expired - Fee Related
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