JP6944634B2 - プラズマ表面処理方法およびプラズマ表面処理装置 - Google Patents
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Description
図1および図2は、本発明に係るプラズマ表面処理装置1の一例を示している。これらの図に示すプラズマ表面処理装置1は、小さな個体の集合体を被処理体Wとする表面処理装置である。
本実施形態に示すプラズマ発生装置3では、図4に示すように、電圧印加電極34は、円筒状の外周面34aを備えた構造とされる。そして、このような構造の電圧印加電極34が、筐体31の長手方向(図3の上下方向)のほぼ全長にわたって配設されている。なお、この電圧印加電極34の外周面34aはセラミックスなどの固体誘電体で覆われている。
図5(a)に示すプラズマ発生装置3は、図4に示すプラズマ発生装置の電極構造を改変したものである。この5(a)に示すプラズマ発生装置3では、中空円筒状の固体誘電体35内に、半円形の断面を有する電圧印加電極34を収容することにより構成されてしている。そして、接地電極を兼ねる底板32の凹状溝32aの内周面にも固体誘電体35を配置している。
2 管状体
3 プラズマ発生装置
4 被処理体収容部
5 吸引装置
6 回収装置
21 管状通路
22 ガス導入孔
31 プラズマ発生装置の筐体
32 筐体の底板
33 処理ガスの噴出口
61 フィルタ
W 被処理体
Claims (7)
- 被処理体を落下させる管状通路に面して、該管状通路の配設方向に沿ったスリット状の長孔で構成された処理ガスの噴出口を前記管状通路に面して配置し、
前記処理ガスの噴出口から噴射されるプラズマ化された処理ガスを、前記管状通路の配設方向に沿ったスリット状の長孔で構成されたガス導入孔から前記管状通路内に噴射することによって、前記管状通路内に管状通路の配設方向と交差する向きの処理ガスの流れを形成させつつ、前記管状通路の上端開口から管状通路内に前記被処理体を導入し、前記被処理体が管状通路内を通過する過程で前記被処理体に前記処理ガスを接触させて被処理体への表面処理を行う
ことを特徴とするプラズマ表面処理方法。 - 前記被処理体は、チョップドファイバであることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ表面処理方法。
- 前記被処理体は、粉粒体であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ表面処理方法。
- 被処理体を落下させる管状通路を有する管状体と、
前記管状通路に面し、かつ、前記管状通路の配設方向に沿ったスリット状の長孔で構成された処理ガスの噴出口が配置されたプラズマ発生装置とを備えてなり、
前記管状通路は、該管状通路の配設方向に沿ったスリット状の長孔で構成されたガス導入孔を備え、前記噴出口から噴射されるプラズマ化された処理ガスを前記ガス導入孔から前記管状通路内に導入することによって、前記管状通路内に管状通路の配設方向と交差する向きの処理ガスの流れを形成させる構造を備えた
ことを特徴とするプラズマ表面処理装置。 - 前記プラズマ発生装置は、前記管状体を挟んで対向配置される2基のプラズマ発生装置で構成され、
各プラズマ発生装置の噴出口が、正対する位置から相互に位置をずらして配置されていることを特徴とする請求項4に記載のプラズマ表面処理装置。 - 前記管状体の下端開口側に、前記管状通路内に滞留する被処理体を前記管状通路外に吸い出す吸引装置が備えられていることを特徴とする請求項4または5に記載のプラズマ表面処理装置。
- 前記管状体の下端開口側に、前記管状通路を通過した被処理体を回収する回収装置が備えられていることを特徴とする請求項4または5に記載のプラズマ表面処理装置。
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