JP2004355995A - Organic electroluminescent display device and its manufacturing method - Google Patents
Organic electroluminescent display device and its manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004355995A JP2004355995A JP2003154140A JP2003154140A JP2004355995A JP 2004355995 A JP2004355995 A JP 2004355995A JP 2003154140 A JP2003154140 A JP 2003154140A JP 2003154140 A JP2003154140 A JP 2003154140A JP 2004355995 A JP2004355995 A JP 2004355995A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- cover film
- organic
- light emitting
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 25
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 242
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 93
- 239000013039 cover film Substances 0.000 claims abstract description 79
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 94
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 64
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 32
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 abstract 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 37
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 description 33
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 30
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 19
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 17
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 15
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 15
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 14
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 11
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 7
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- UOHMMEJUHBCKEE-UHFFFAOYSA-N prehnitene Chemical compound CC1=CC=C(C)C(C)=C1C UOHMMEJUHBCKEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 Si 3 N 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 239000004971 Cross linker Substances 0.000 description 1
- PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N Maleimide Chemical compound O=C1NC(=O)C=C1 PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- UBEWDCMIDFGDOO-UHFFFAOYSA-N cobalt(II,III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Co+2].[Co+3].[Co+3] UBEWDCMIDFGDOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス発光素子を用いた有機発光表示装置およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、特定の有機物を電極で挟み込み、電荷を与えることで発光する現象を利用した有機エレクトロルミネッセンス(所謂、有機EL)発光素子(有機発光素子)を用いた表示装置(有機エレクトロルミネッセンス表示装置、以下、有機発光表示装置または有機ELディスプレイとも称する)の開発が盛んに行われている。有機ELディスプレイは自発光する素子を用いているため、液晶ディスプレイのようにバックライトを必要とせず、また、コントラストが高い、応答速度が速い等、液晶ディスプレイに指摘されている欠点を解消する特性を備えている。
有機エレクトロルミネッセンス装置については、「特許文献1」に典型的構造であるホール輸送層、発光層、陰極(カソード)の3層構造が、また「特許文献2」に2層型で電子輸送層と発光層を兼ねた方式とホール輸送層と発光層とを兼ねた方式が記載されている。そして、上記3層構造で、キャリアブロック層を電子輸送層とホール輸送層の中間に介在させて、電子輸送性発光層とホール輸送性発光層とを別々に機能させる構造が「特許文献3」に記載されている。
【0003】
また、発光層で生じた光を外部に取り出す構造として、発光層や電極を積層した面の反対側から光を取り出すボトムエミッション構造と、積層した側から光を取り出すトップエミッション構造が「特許文献4」に記載されている。ボトムエミッション構造は薄膜トランジスタTFT等を用いた駆動回路が形成されたガラス等の絶縁基板(以下、単に基板とも称する)の裏面側へ発光を取り出すため、駆動回路の配線等により光が遮断されるため開口率が低い。一方、トップエミッション構造は駆動回路の干渉なく発光を取り出すことができ開口率が高い。光の取り出し効率が高くなれば、同じ光量を得るのに与える電荷(電流)を小さくすることができ、電力消費を抑えるのに有効である。
【0004】
また、トップエミッション構造の有機エレクトロルミネッセンス表示装置では、有機ELの発光素子が水分や酸素によって特性が劣化するのを抑制するために、有機EL素子(有機発光素子)を形成した基板(主基板、有機ELパネル)の当該有機発光素子を覆って封止部材を設けることが行われている。この封止部材としては、ガラス板や透明フィルムが用いられる。主基板の有機発光素子を覆って有機樹脂を塗布し、さらにその上をダイヤモンドライクカーボン膜で覆ったものが「特許文献5」に開示されている。
【0005】
【特許文献1】
特公平6−32307号公報
【特許文献2】
特許2879080号公報
【特許文献3】
特許2937015号公報
【特許文献4】
特開2002−328614号公報
【特許文献5】
特開2002−93586号公報
【特許文献6】
特開2002−243928号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
有機エレクトロルミネッセンス装置においてトップエミッション構造とするには、基板上にメタルのアノード電極、電子輸送層、赤(R),緑(G),青(B)発光層、ホール輸送層、透明導電膜のカソード電極を順次積層した構成になる。しかし、透明導電膜のカソード電極を形成する方式としては、スパッタ法やイオンプレーティング法、CVD法等が一般的であるが、いずれも高温状態での膜形成となり、基板上に既に形成されている有機物からなる有機発光層(RGB発光層)の耐熱性に問題を生じる。このため、基板上に透明電極膜のカソード電極、ホール輸送層、RGB発光層、電子輸送層、メタルのアノード電極の順に積層するボトムエミッション構造の形態が一般的であり、開口率の高いトップエミッション構造の有機ELパネルを製造するにはRGB発光層上方への透明電極の積層技術が課題となる。
【0007】
本発明の目的は、駆動回路素子、配線等による遮蔽の影響を受けずに駆動回路の形成された基板の上方へ高い開口率で発光を取り出し可能な光透過率の高い透明導電膜および透明フィルムを有する有機発光表示装置およびその製造方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、少なくとも発光層を有する有機層をカソード電極上の画素分離用バンク内部に形成してアノード電極とで挟み込んだ発光体素子を基板(主基板とも言う)上に配設する有機発光表示装置であって、前記基板上の画素分離用バンク内部に発光層を有する有機層(第1有機層)を形成し、その上方から別途に透明導電膜のアノード電極を形成し、さらにその上に発光効率を向上させる働きを有する有機層(第2の有機層)を形成した耐熱性を有する透明なフィルム材料を好適とするカバーフィルムを上記有機層同士が密に接触するように重ね合わせた構造とした。
【0009】
また、前記カバーフィルムおよび前記カバーフィルム上のアノード電極は可視光領域の光に対して高い光透過率を有し、発光層(第1有機層)で生じた光を前記カバーフィルムおよび前記アノード電極を通して少ない減衰で主基板とは反対側から外部に取り出せる構造とした。
【0010】
また、前記アノード電極上に導電性接着材等からなる端子を設け、前記カバーフィルムと前記主基板とを重ね合わせて貼り合わせ、両者を一体化した際に、前記主基板上に設けた上部電極用外部取り出し端子と接続する構造とした。
【0011】
また、前記アノード電極と前記主基板上の駆動回路用外部取り出し端子との間に絶縁体を設置し絶縁を保つ構造とした。
【0012】
また、前記カバーフィルムと前記主基板を重ね合わせた際、前記主基板上に予め塗布した封止材により前記カバーフィルムと前記基板を固定した。
【0013】
このように、本発明では、発光層を有する第1有機層を主基板上のカソード電極の上に形成する。一方、アノード電極は耐熱性を有する透明なカバーフィルム上に形成して、さらにこのアノード電極の上に発光特性の向上に寄与する第2有機層を形成して、主基板とカバーフィルムとを発光層を有する第1有機層と発光特性の向上に寄与する第2有機層が接触するように重ね合わせることで、耐熱性の低い第1発光層の上方に、アノード電極を配設することができる。そして、第1有機層と第2有機層の接触部は有機層同士の接触のため、より密な接触が可能となる。また、可視光の高い透過性を有するアノード電極および耐熱性カバーフィルムを通して、発光層で生じた発光を少ない減衰でかつ、駆動回路配の素子や配線の影響なく高い開口率で取り出すことができ、高輝度の画像表示を得ることができる。
【0014】
なお、本発明は、上記の構成および後述する実施例の構成に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱することなく、種々の変更が可能であることはいうまでもない。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下に本発明による有機発光実施例装置の一実施例を説明する。有機発光表示装置には、発光に寄与する部分に使用する第1有機層を構成する有機材料として低分子材料系と高分子材料系があるが、本発明は、これらを限定するものではなく、双方を混成した有機発光表示装置であってもよい。また、本発明は以下に説明する実施例で用いる材料、組成等に限定するものではない。
【0016】
〔第1実施例〕
図1は本発明による有機発光表示装置の実施の形態を説明する第1実施例の構成を模式的に説明する要部断面図である。図中の参照符号は次のとおりである。
1は主基板、2はカソード電極、3は画素分離用バンク、3aは画素分離用バンク最外周幅広パターン、4aは赤(R)色発光層、4bは緑(G)色発光層、4cは青(B)色の各有機発光層(すなわち、第1有機層)、5は駆動回路用外部取り出し端子、6は上部電極用外部取り出し端子、7は耐熱性の透明なカバーフィルム、8は透明導電膜からなるアノード電極、9はホール輸送層、10は導電性接着剤、11は封止材を示す。
【0017】
主基板1はガラス基板等の絶縁板からなり、その表面には薄膜トランジスタ(以下、TFTと略称する)等の駆動回路および配線を有する。TFTとしてはアモルファスシリコンTFTと低温ポリシリコンTFT等がある。画素分離用バンク3はカソード電極2のパターン間に配設し、隣接する画素との間を区切るものである。赤色発光層4a、緑色発光層4b、青色発光層4cは材料系により単層および多層の構造をとる。駆動回路用外部取り出し端子5は主基板1上の駆動回路を外部から制御するために用いる。カバーフィルム7は透明なフィルム材であり、透明導電膜からなるアノード電極8をスパッタ法等により形成する際に耐えうる耐熱性を有する。また、カバーフィルム7およびアノード電極8は可視光域で高い光透過率を有する。
【0018】
ホール輸送層9はカバーフィルム7上のアノード電極8の上に形成し、その後、主基板1上の各色の発光層4および画素分離用バンク3と接触するように主基板1とホール輸送層9を密接させて重ね合わせ、封止材11により固定される。
その際、上部電極用外部取り出し端子6とアノード電極8は導電性接着剤10を介して接続し、アノード電極8は外部から制御可能とする。また、駆動回路用外部取り出し端子5とアノード電極8およびホール輸送層9は絶縁体からなる画素分離用バンク3の最外周幅広パターン3aにより絶縁が保たれる。これらにより発光層4で生じた各色の発光は主基板1上に有する駆動回路等の影響を受けずに高い開口率のまま、可視光の高い透過率を有するアノード電極8およびカバーフィルム7を通して外部に有効に取り出すことができる。なお、カソード電極2と発光層4とホール輸送層9とアノード電極8が発光に寄与するものであり、本発明ではこれらを総称して発光体素子と称する。
【0019】
図2(a)(b)(c)(d)は主基板の本発明による有機発光表示装置の第1実施例における主基板の製造方法の一連の製造工程を模式的に順次説明する要部断面図である。図3(a)(b)はカバーフィルムの製造方法の一連の製造工程を模式的に順次説明する要部断面図、図3(c)は図2で製造した主基板と図3(a)(b)で製造したカバーフィルムを貼り合わせた状態を示す要部断面図である。
【0020】
本実施例では、まず図2(a)に示すように、TFT等の駆動回路を有する基板1上にカソード電極2と、主基板1の外周の一部にTFT等の駆動回路等を外部から制御するための駆動回路用外部取り出し端子5と上部電極用外部端子6を形成する。本実施例では、主基板1には厚さは0.7mmのガラス基板(コーニング製#1737)を用いた。また、本実施例では縦横比3:4の公称15.2インチサイズに発光層からなる画像の表示領域を形成するため、主基板のサイズは、表示領域である発光層形成領域より各辺約25mm大きくして358mm×280mmとした。また、カソード電極2には導電率の高い金属材料等が好ましく、その材料としてはCr、Mo−Ta、Ta、Al等がある。
【0021】
また、駆動回路用外部取り出し端子5と上部電極用外部取り出し端子6についても同様に、導電率の高い材料が好ましい。本実施例ではカソード電極2および駆動回路用外部取り出し端子5と上部電極用外部取り出し端子6は、スパッタによりAlを全面コートした後、露光・現像を行い、それぞれ膜厚100nmに形成した。なお、カソード電極2の表面はより平滑なものが好ましい。
【0022】
次に、図2(b)に示すように、カソード電極2のパターン間に画素分離用バンク3と駆動回路用外部取り出し端子5の近傍に画素分離用バンク最外周幅広パターン3a を形成する。その形成方法としては、絶縁材料を全面コートした後、露光・現像を行ってパターニングする方法と印刷法等の直接パターニングする方法がある。また、その材料としては前者には感光性を有する材料を用い、後者には熱硬化性のポリイミドペースト、マレイミドワニス、ポリアミドペースト等を用いる。どちらも吸湿性が少なく、ガスの発生が少ないものであればよい。
【0023】
本実施例では1画素(カラー表示では1サブ画素)の表示エリアサイズは縦280μm、横80μm、そのピッチは、縦300μm、横100μmとした。画素分離用バンク3は表示領域以外を覆う必要があるため、その寸法は縦横共にライン幅は20μmとなり、横ラインのピッチは300μm、縦ラインのピッチは100μmである。また、画素分離用バンク最外周幅広パターン3aの幅は4mmとし、それ以外の画素分離用バンク3の外周部の幅は1mmとした。画素分離用バンク3および画素分離用バンク最外周幅広パターン3aの形成領域の寸法は、約312.2mm×232.4mmである。表示領域は対角が公称約15.2インチであり、画素はこの中に横方向に1024×3個(赤、緑、青の3色分)の合計3072個、縦方向には768個が配設される。
【0024】
本実施例においては、日立化成製の感光性熱硬化性ポリイミドを用い、これをスピンナにより主基板1上に前面塗布し、露光・現像を行った後、窒素雰囲気中で常温から220゜Cまで5゜C/分の速さで昇温させ、220゜Cに至った後、60分保持して硬化させた。露光・現像・硬化工程の調整により画素分離用バンクの側面には約45度のテーパを形成した。後の工程で配設する透明導電膜のアノード電極およびカバーフィルムの追従性を向上させるには、なるべくテーパを小さくするのが好ましい。
【0025】
また、本実施例では、第1有機層である発光層の材料として高分子系のものを用いた。高分子系発光層の形成方法としては、インクジェット法、印刷法等があるが、本実施例ではインクジェット法により形成した。高分子系の発光層はウェットプロセスで塗布するために希釈したインクを用いる。そのため、発光層は塗布直後と溶剤が揮発した乾燥後では膜厚が変動する。本実施例では、赤、緑、青の発光層とも固形分濃度が10%に希釈されたものを用い、乾燥後の膜厚をそれぞれ0.1μmに設計しているため、塗布直後の未乾燥状態における膜厚は1.0μmである。そのため、画素分離用バンク3はそれと等しい膜厚1.0μmとした。なお画素分離用バンク3にはプラズマ処理等を行うことにより撥液処理を施すことで、画素分離用バンクの表面側にはみ出すことを抑制した。また、画素分離用バンク3と発光層の膜厚差は、後の工程で上方から重ね合わせて配設するアノード電極およびカバーフィルムの追従性を向上させるために、なるべく小さくするのが好ましい。
【0026】
また、後の工程で主基板1の第1有機層4の上方からアノード電極8およびホール輸送層9を重ね合わせた際、これらが駆動回路用外部取り出し端子5と接触しないように画素分離用バンク3の駆動回路用外部取り出し端子5近傍のパターンは最外周幅広パターン3a としている。なお、本実施例では絶縁体からなる画素分離用バンク3を利用しているが、アノード電極8およびホール輸送層9と駆動回路用外部取り出し端子5との間に別途絶縁材料を配設してもよい。
【0027】
次に、図2(c)に示すように、画素分離用バンク内に第1有機層である赤色発光層4a、緑色発光層4b、青色発光層4cを形成する。本実施例では、第1有機層である発光層として、前述した様に高分子系の有機材料を用い、画素分離用バンク3内にとインクジェット法により塗布した。各色を発光する発光材料のインクとして、赤色発光層4aはDow社製のRed−Fを1、2、3、4−テトラメチルベンゼンで調合したもの、緑色発光層4bはDow社製のGreen−Kを1、2、3、4−テトラメチルベンゼンで調合したもの、青色発光層4cはDow社製のBlue−Cを1、3、5−トリメチルベンゼンで調合したものを用いた。
【0028】
次に、図2(d)に示すように、主基板1の外周に封止材11を塗布する。この封止材11の塗布方式としてはディスペンサ、スクリーン印刷法等がある。本実施例ではディスペンサを用いて封止材11を塗布した。封止材11は主基板1とカバーフィルム7を重ね合わせる際につぶれて広がる。可視光の透過性は高くないため、重ね合わせた後、画素形成領域にかからないように形成する。
【0029】
次に、図3(a)に示すように、カバーフィルム7上に透明導電膜のアノード電極8を形成する。その方式としてはスパッタ法、蒸着法、CVD法等がある。
アノード電極8の材料としては、透明性、導電性、機械的特性から金属酸化膜が好ましく、好適にはITO(Indium Tin Oxide)やIZTO(Indium Zin Tin Oxide)等がある。本実施例ではスパッタ法を用いて膜厚150nm、比抵抗1Ωcm、可視光領域の透過率が99%のITOからなるアノード電極8を形成した。
【0030】
また、アノード電極8には一部の端部に主基板1上の上部電極用取り出し端子6と接触させるための導電性接着材10を形成するエリアを設ける。本実施例では、画素分離用バンク最外周幅広パターン3aの反対側短辺の外側に幅5mmで導電性接着材10の形成エリアを設けた。透明導電膜アノード電極8は、主基板1とカバーフィルム7を重ね合わせた際、画素分離用バンク最外周幅広パターン3aと画素分離用バンク3の長辺の最外周部に幅1mmで接触し、画素分離用バンク最外周幅広パターン3aの反対側短辺から外側に5mmはみ出すように約316.2mm×232.4mmの大きさにベタパターンで形成した。またカバーフィルム7には、耐熱性が高く、かつ可視光の透過率が高い材料を用いるのが好ましい。アノード電極8の導電率を小さくするためには300〜350゜Cの熱処理が不可欠である。本実施例では膜厚100μmで耐熱性350゜C、可視光領域の透過率が99%の透明ポリイミドフィルムを用いた。その大きさは発光層形成領域(表示領域)より各辺とも約15mm大きくし338mm×260mmとした。
【0031】
次に、図3(b)に示すように、アノード電極8上に第2有機層であるホール輸送層9と導電性接着材10を形成する。ホール輸送層は全色共通とした。形成方法としてはスピンナーにより前面コートした後、露光・現像によりパターニングする方法、ロールコート法、印刷法、インクジェット法等によりパターン形状に直描する方法がある。本実施例ではインクジェット法を用い、基板1と耐熱性フィルム7を重ね合わせた際、画素分離用バンク最外周幅広パターン3aを含む画素分離用バンク3の最外周部に1mmの幅で接触するように、約309.2mm×232.4mmにアノード電極8上の短辺の一方にあわせてベタパターンで形成した。
【0032】
また、ホール輸送材料のインクとしては、導電性高分子であるポリ(3、4−エチレンジオキシチオフェン)とドーパントであるポリスチレンスルホン酸を含む水コロイド溶液(Bayer社製のBYTORON P−CH−8000)を用いた。なお、第1有機層であるホール輸送層9と第2有機層である発光層4を同じ基板上に積層する場合は、層間の混合を防ぐために、同じ系統の溶剤は使用できないが、本実施例では、別々の基板(主基板1)およびカバーフィルム7上に発光層とホール輸送層をそれぞれ形成するため、同じ系統の溶剤を使用することが可能である。また、本実施例ではホール輸送層9を形成したが、ホール輸送層に限定するものではなく、有機物からなる発光特性の向上に寄与する有機層であればよい。
【0033】
導電性接着材10は、アノード電極8のホール輸送層9の形成されていない端部にディスペンサにより形成した。導電性接着材10は可視光域の光透過率が低いため、主基板1とカバーフィルム7を重ね合わせた際、表示領域である発光層形成領域にかからないエリアに形成する。また、導電性接着材10は主基板1とカバーフィルム7を重ね合わせた際、主基板1上の上部電極用外部取り出し端子6とを接触させ外部から制御するために用いる。なるべく導電性が高く、かつ上部電極用外部取り出し端子6およびカソード電極8に対する接着力が高いものが好ましい。本実施例では平均粒径7nmのナノ銀粒子を用いた低温焼成形Agペースト接着材(ハリマ化成(株)製)を用いた。
【0034】
次に、図3(c)に示すように、主基板1上に形成した第1有機層を構成する各色の発光層4a、4b、4cおよび画素分離用バンク3と画素分離用バンク最外周幅広パターン3aの上方に第2有機層であるホール輸送層9が接触するようにカバーフィルム7を重ね合わせた後、封止材11を硬化させて主基板1とカバーフィルム7を固定する。各色の発光層4a,4b,4cとホール輸送層9は共に有機物からなるため、有機物と金属電極のような有機物と無機物の接触よりも、より密な接触となる。また、主基板1とカバーフィルム7を重ね合わせた際、導電性接着材10と上部電極用外部取り出し端子6が接触する。また、画素分離用バンク最外周幅広パターン3aにより、アノード電極8およびホール輸送層9と駆動回路用外部取り出し端子5の絶縁が保たれる。
【0035】
本実施例では、ホール輸送層9が画素分離用バンク3の外周部に約1mm幅で接触するように位置あわせして重ね合わせた。画素分離用バンク最外周幅広パターン3aの幅は4mmあり、ホール輸送層9は画素分離用バンク最外周幅広パターン3a上から外側にはみ出さず、駆動回路用外部取り出し端子5との接触を防ぐことができた。また、主基板1とカバーフィルム7を、周辺の雰囲気を真空(約1Pa)の状態で重ね合わせ、大気に開放した後、カバーフィルム7側から封止材に選択的に紫外光を照射した後、さらに80゜Cで1時間加熱して硬化させた。低い圧力下で重ねあわせた後、大気に開放して封止材を硬化するため、常に、主基板1とカバーフィルム7は密着する方向に圧力が作用し、各色の発光層4a,4b,4cとホール輸送層9の接触がより密になる。
【0036】
なお、本実施例では上記方式で重ね合わせを行ったが、ラミネータ方式等により行ってもよい。また、画素分離用バンク3と各色の発光層4a,4b,4cの段差は0.9μmあるが、カバーフィルム7は100μmあり、カバーフィルム7の弾性により段差が緩和され、カバーフィルム7の外部への視覚的な影響はない。
【0037】
次に、駆動回路用外部取り出し端子5および上部電極用外部取り出し端子6に外部から制御系を接続することで有機発光表示装置を製作した。こうして製造した有機発光表示装置により、カバーフィルム7を通して表示される画像を見ることができた。
【0038】
〔第2実施例〕
本発明の第2実施例は、カバーフィルム上に無機膜層形成する以外は、上記第1実施例と同様の方法である。本実施例では、カバーフィルムの上に無機膜層を形成する以外は、第1実施例と同様な方法で有機発光表示装置を製造する。
【0039】
図4は本発明の第2実施例の製造工程を示す概要図であり、カバーフィルム上への無機膜層の形成から後の製造工程を示す。図4において、参照符号12は無機膜層である。本実施例では、まず上記第1実施例を説明する図2(a)〜(d)までと同様の工程を行い、主基板1上の画素分離用バンク3内のカソード電極2上に赤、緑、青色の発光層4a,4b,4cを形成する。本実施例では無機膜層12を除く材料の構成は第1実施例と同様のものを用いて行った。
【0040】
図4(a)に示すように、カバーフィルム7上に無機膜層12を形成する。無機膜層としては、ダイヤモンドライクカーボン(以後、DLCと称する)、SiO2 、Si3 N4 、Al2 O3 等があり、水分や酸素等の透過性が低く可視光の透過率の高いものが好ましい。無機膜層12の形成方法としては、プラズマCVD法、バイアススパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法等がある。本実施例では無機膜層としてDLCを用いた。
【0041】
DLCからなる無機膜層はプラズマCVD法では、真空容器中で高周波等がかけられ、かつ温度調整可能な電極基板上に耐熱性フィルムを固定し、メタンやアセチレンなどの炭化水素系ガス等に場合によっては水素ガスを添加したものを原料ガスに用い、プラズマにより分解した炭素イオンを耐熱フィルム上に成長させて形成する。バイアススパッタ法では、ターゲットに炭素からなるグラファイト等を用い、真空容器中で電場等を利用してアルゴン等のガスでスパッタして耐熱性フィルム上に炭素原子を堆積させ、基板となる耐熱性フィルムにバイアスをかけることで、炭素原子にアルゴンのイオンを衝突させ、イオンアシスト効果により形成する。
【0042】
本実施例では原料ガスに炭化水素ガスと水素ガスを用い、プラズマCVD法により膜厚50nmのDLCからなる無機膜層12を耐熱性フィルム7の片側全面に形成した。DLCからなる無機膜層12は酸素透過率が低く、無機膜層12を形成することで無機膜層12未形成時より、水分および酸素の透過率を2〜4倍程度低下させることができる。これにより透過水分および透過酸素による発光層の劣化抑制によりパネル寿命延長に効果が得られる。また、本実施例で形成したDLCからなる無機膜層12の可視光透過率は99%である。
【0043】
次に、図4(b)〜(d)の工程を行い、カバーフィルム7上の無機膜層12上に透明導電膜からなるアノード電極8、第2有機層であるホール輸送層9、および導電性接着材10を形成した後、主基板1の各色の発光層4a,4b,4cとホール輸送層9が密着するように重ね合わせて封止する。カバーフィルム7上に無機膜層12が形成されている以外は図3(a)〜(c)と同様であるため、説明は省略する。
【0044】
次に、駆動回路用外部取り出し端子5および上部電極用外部取り出し端子6に外部から制御系を接続することで有機発光表示装置を製作した。この有機発光表示装置は、カバーフィルム7を通して高輝度の画像を見ることができた。また、第1実施例で製作したパネルより、発光の半減期を迎えるまでの時間を2倍以上に延長することができた。
【0045】
〔第3実施例〕
本実施例では、カバーフィルム上にカラーフィルター層を形成する以外は、上記した第1実施例および第2実施例と同様の方法で有機発光表示装置を作製した。
【0046】
図5は本発明の第3実施例の製造工程を示す概要図であり、カラーフィルター層の形成から後の製造工程を示す概要図である。図5において、参照符号13は遮光性を有するブラックマトリックス、14aは赤色着色層、14bは緑色着色層、14cは青色着色層、15は表面段差の緩和と着色層およびブラックマトリックスからの不純物の発散を防止するためのオーバーコート層である。ブラックマトリックス13、赤色着色層14a、緑色着色層14b、青色着色層14cで構成されるカラーフィルター層を参照符号16で示す。
【0047】
上記したように、カラーフィルター層16はブラックマトリックス13と赤色着色層14a、緑色着色層14b、青色着色層14cの各色の着色層およびオーバーコート層15からなり、その表面に透明導電膜のアノード電極8を形成するため、表面の平坦性が高く、かつ構成する部材の耐熱性が高いものがよい。カラーフィルター層16の形成方法としては、顔料分散法、染色法、電着法、印刷法、インクジェット法等がある。
【0048】
ブラックマトリックス13の形成方法としては、クロムをスパッタリング法でカバーフィルム7上の無機膜層12上に成膜した後、フォトリソグラフィー法によりパターニングして形成する方法、感光性を有するポリイミド樹脂等に黒色顔料を分散した混合体をスピンナーやコート法により無機膜層12の全面に成膜した後、フォトリソグラフィー法によりパターニングして形成する方法、熱硬化性を有するポリイミド樹脂等に黒色顔料を分散した混合体をスクリーン印刷等により成膜とパターニングを同時に行って形成する方法等がある。
【0049】
また、赤色着色層14a、緑色着色層14b、青色着色層14cの各色の着色層を印刷法やインクジェット法で形成する場合の材料は、染料或いは顔料等の着色剤と、熱処理あるいは光照射等のエネルギー付与により硬化する樹脂を含有する硬化型着色樹脂組成物を用いる。樹脂組成物としては、例えば「特許文献6」に記されている公知の樹脂と架橋材の組み合わせが使用できる。具体的には、熱硬化型樹脂としては、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等があり、光硬化型樹脂組成物としては、市販のネガ型レジストが好ましく用いられる。また、オーバーコート層15はスピンナーやコータ法によりブラックマトリックスおよび各色の着色層をすべて覆うように形成し、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の透明度の高い材料を用いる。
【0050】
本実施例では、まず上記第1実施例および第2実施例と同様、図2(a)〜(d)に示したものと同様の工程を施し、主基板1上の画素分離用バンク3内のカソード電極2上に赤、緑、青色の発光層4a,4b,4cを形成する。本実施例ではカラーフィルター層16を除く材料の構成は第1実施例および第2実施例と同様のものを用いて行った。
【0051】
次に、図5(a)に示すように、カバーフィルム7上に耐熱性のカラーフィルター層16を形成する。本実施例では、カバーフィルム7上に無機膜層12を形成し、その上にカラーフィルター層16を形成している。しかし、酸素バリア性は低下するが無機膜層12が無くてもよい。
【0052】
本実施例では、ブラックマトリックス13はスクリーン印刷法により形成し、その材料としてはポリイミド樹脂にシーアイ化成(株)製の黒色超微粒子NanoTek Co3O4をポリイミド樹脂固形分に対し体積比で1.4倍の量(60体積%)を混入したものを用いて形成した。ブラックマトリックス13の開口部と幅およびピッチは、対向する画素分離用バンク3と同寸法とした。ただし、外周パターンの幅は、長辺と画素分離用バンク最外周幅広パターン3a上に位置するものは1mm、画素分離用バンク最外周幅広パターン3aの反対側は6mmとし、ブラックマトリックス形成領域はその上方に形成するアノード電極8と同じ約309.2mm×232.4mmとし、膜厚1 μmに形成した。
【0053】
次に、赤色着色層14aと緑色着色層14bおよび青色着色層14cをスクリーン印刷法によりブラックマトリックス13の開口部に各色を順番に並べて膜厚0.8μmに形成した。着色層の材料としては、赤色着色層14aにはポリイミド樹脂にシーアイ化成(株)製の赤色着色顔料(NanoTek α Fe2 O3 )を体積比5%の濃度で混入したもの、緑色着色層14b材料にはポリイミド樹脂にシーアイ化成(株)製の緑色着色顔料(NanoTek コバルトグリーン CoO―TiO2 −NiO−ZnO)を体積比5%の濃度で混入したもの、青色着色層14cの材料にはポリイミド樹脂にシーアイ化成(株)製の青色着色顔料(NanoTek コバルトブルー Al2 O3 ―CoO)を体積比5%の濃度で混入したものを用いた。各色の配置は対抗する発光層と同じ配列にする。
これらの着色層の色調整により発光層で生じた発光の色純度をより高めることができ、NTSC(National Television System Committee)のカラーTV方式の三原色想定色座標に近づけることができる。
【0054】
次に、赤、緑、青色着色層14a、14b、14cとブラックマトリックス13を含む無機膜層12およびカバーフィルム7上に、感光性ポリイミド樹脂を用いスピンナにより全面に塗布した後、露光・現像を行ってブラックマトリックスと同じ寸法で膜厚1.0μmにオーバーコート層15を形成した。オーバーコート層15によりブラックマトリックス13と赤、緑、青の着色層14a、14b、14cの段差が0.2μmから0.05μm以下に減少した。なお、本実施例ではオーバーコート層を形成しているが、ブラックマトリックスと着色層の段差が小さく、かつ着色層およびブラックマトリックスからの不純物の発散がなければ、オーバーコート層は形成しなくてもよい。
【0055】
次に、図5(b)〜(d)の工程を行い、カバーフィルム7上方のカラーフィルター層16の上にアノード電極8、第2有機層であるホール輸送層9および導電性接着材10を形成した後、主基板1の第1有機層である赤、緑、青の発光層4a、4b、4cとホール輸送層9を密着させ、赤、緑、青の発光層4a、4b、4cとカラーフィルタ層16の赤、緑、青色の着色層14a、14b、14cの各色が重なるように重ね合わせて封止する。カバーフィルム7上方にカラーフィルタ層16が形成されている以外は図3(a)〜(c)と同様であるため、説明は省略する。
【0056】
次に、駆動回路用外部取り出し端子5および上部電極用外部取り出し端子6に外部から制御系を接続することで有機発光表示装置を製作した。この有機発光表示装置は、カバーフィルム7を通して高輝度の画像を見ることができた。また、第1実施例および第2実施例で製作したパネルより、NTSCのカラーTV方式の三原色想定色座標に近づけることができた。
【0057】
〔第4実施例〕
本発明の第4実施例では、発光層に白色発光層を形成する以外は、第3実施例と同様の方法で有機発光表示装置を作製した。第3実施例と同様の構造、工程は説明を省略する。
【0058】
図6は本発明の第4実施例の構造を模式的に説明する要部断面図であり、第1有機層として白色発光層を有する有機発光表示装置の基本構成を示す。図6において、参照符号17は第1有機層である白色発光層である。白色発光層17としては、赤、緑、青等の発光層を積層して色を混合して白色光を得る構成と、その材料自身が白色光を発光する単層からなるものがある。本実施例では、上記第3実施例で使用した赤色発光材料と緑色発光材料と青色発光材料を積層して白色発光層を形成し、これ以外は第3実施例と同様の方法で有機発光表示装置を製造した。この有機発光表示装置では、白色発光層17の発光が図5で説明したものと同様にカバーフィルム7側に形成したカラーフィルタ層16の赤、緑、青色の着色層14a、14b、14cでそれぞれの色に変換され、これをカバーフィルム7を通して画像を見ることができた。また、各色とも第3実施例で製造したものと同等の色純度で、高輝度の画像表示が得られた。
【0059】
〔第5実施例〕
本発明の第5実施例では、上記したカラーフィルター層16の代わりに耐熱導電性のカラーフィルター層を形成すること以外は、上記第3実施例乃至第4実施例と同様の方法で有機有機発光表示装置を製造した。
【0060】
図7は本発明の第5実施例の構造を模式的に説明する要部断面図であり、耐熱性導電性のカラーフィルター層を有する有機有機発光表示装置の基本構成を模式的に示す。図7において、参照符号18は導電性と遮光性を有する導電性ブラックマトリックス、19aは赤色導電性着色層、19bは緑色導電性着色層、19cは青色導電性着色層、20は導電性を有し表面段差の緩和と着色層およびブラックマトリックスからの不純物の発散を防止するための導電性オーバーコート層、21は導電性耐熱性カラーフィルター層である。
【0061】
導電性耐熱性カラーフィルター層21は導電性ブラックマトリックス18と各色の導電性着色層19a、19b、19c、および導電性オーバーコート層20からなり、その表面に透明導電膜のアノード電極8を形成する。そのため、導電性耐熱性カラーフィルター層21は、その表面の平坦性が高く、かつ構成する部材の耐熱性が高く、導電性が高いものがよい。導電性カラーフィルター層21の形成は、導電性ブラックマトリックス18→各色の導電性着色層19a、19b、19c→導電性オーバーコート層20の順に行う。
【0062】
導電性ブラックマトリックス18の形成方法としては、クロムをスパッタリング法でカバーフィルム7の上方に成膜した後、フォトリソグラフィー法によりパターニングして形成する方法等がある。なお、スパッタで形成したクロムからなるブラックマトリックスは反射が大きく、低反射用としてはクロムと酸化クロムの二層膜構成を用いる。また、各色の着色層19a、19b、19 cの材料には、染料或いは顔料等の着色剤とITO粒子等の導電性粒子を耐熱性を有し熱処理あるいは光照射等のエネルギー付与により硬化するポリイミド等の樹脂を含有する硬化型導電性着色樹脂組成物を用いる。その形成方法としては、スピンナーやコート法により1色づつブラックマトリックス全面に成膜した後、フォトリソグラフィー法により不要な箇所をパターニングして、3色の場合はこれを3回繰り返して形成する方法、同材料をインクジェット法により、3色同時に所定のブラックマトリックス開口部に形成する方法、スクリーン印刷法等により1色ずつ所定のブラックマトリックス開口部に選択的形成し、3色の場合は、これを繰り返して形成する方法等がある。
【0063】
また、導電性オーバーコート層20はスピンナーやコータ法により導電性ブラックマトリックス18および各色の着色層19a,19b,19cをすべて覆うように形成する。その材料としては、耐熱性を有するポリイミド樹脂等の透明度の高いものにITO粒子等の導電性粒子を混入したものを用いる。
【0064】
クロムからなる導電性ブラックマトリックス18は、その上方に形成するITO等からなる透明導電膜からなるアノード電極8より導電率が高く、画素を駆動する際の補助電極として用いることができる。また、導電性ブラックマトリックス内に形成する着色層を導電性を有する導電性着色層とすることで更に導電性ブラックマトリックスの補助電極の効果を高めることができる。
【0065】
本実施例では、導電性ブラックマトリクス18を酸化クロムを形成した後、クロムを形成して2層構造とした。また、上記第3実施例乃至第4実施例で用いた各色の着色材料にナノテック(株)製のITO粒子を体積比10%の濃度で混合したものを用いてスクリーン印刷法により各色の着色層を形成した。また、上記第3実施例乃至第4実施例で用いたオーバーコート層材料にシーアイ化成(株)製のITO粒子(NanoTek In2 O3 −SnO2 )を体積比10%の濃度で混合したものを用いスピンナにより全面に塗布した後、露光・現像を行ってブラックマトリックスと同じ寸法で膜厚1.0μmに導電性オーバーコート層20を形成した。この他は上記第3実施例乃至第4実施例と同様の方法で有機発光表示装置を製造した。
【0066】
本実施例による有機発光表示装置でも、カバーフィルム7を通して高輝度の画像を見ることができた。また、上記第3実施例乃至第4実施例で製作したものより、低い駆動電力で同じ光量を得ることができた。なお、本実施例ではオーバーコート層20を形成しているが、導電性ブラックマトリックスと各色の導電性着色層の段差が小さく、かつ導各色の電性着色層およびブラックマトリックスからの不純物の発散がなければ、導電性オーバーコート層20は形成しなくてもよい。
【0067】
図8は本発明の第1実施例乃至第5実施例に用いる主基板上の有する駆動回路を構成する低温ポリシリン薄膜トランジスタの製作工程を示す概要図である。図8における参照符号101は主基板であるガラス基板、102はSiN膜、103はSiO膜、104はアモルファスシリコン膜、105は改質されたシリコン膜、106はゲート配線、107はソース・ドレイン配線、108は絶縁膜、109はパシベーション膜、110はカソード電極である。
【0068】
まず、図8(a)に示すように、ガラス基板101上にバリア膜として機能するSiN膜102およびSiO膜103をCVD等の手段により薄く堆積し、その上にアモルファスシリコン膜104を50nm程度の厚さにCVD法で堆積する。ここで記載した、バリア膜の層構成、膜厚およびシリコン膜の膜厚等については一例であり、かかる記載が本発明を制限するものではないことは強調されるべきである。
【0069】
次に、図8(b)に示すように、エキシマレーザ照射法等の改質手段によって画素回路すなわち画素駆動回路を形成すべき部分のシリコン膜を改質する。
【0070】
次に、上記のように形成した改質されたシリコン膜105を図8(c)に示すように、所定の回路になるようにエッチングし、ゲート絶縁膜(図示しない)、ゲート配線106、ソース・ドレイン配線107、層間絶縁膜108、パシベーション膜109、カソード電極110を順次、形成することで、薄膜トランジスタ回路を画素部に配置した主基板(アクティブマトリクス基板とも称する)が形成される。画素あたりの薄膜トランジスタTFTの数は2乃至5が選択され、有機発光素子の画素の駆動に最適な回路構成を用いれば良い。かかる回路、電極形成にかかわる加工技術の詳細は当該業者には周知である。また工程の途中にイオン打ち込み、活性化アニール等の工程の追加が必要であることも周知である。ただし、本発明の有機発光表示装置における薄膜トランジスタTFTの製造方法は、上記の実施例に限られたものではなく、従来の液晶パネル等に使用されているものでも構わない。
【0071】
図9は本発明の画像表示装置を搭載した電子機器の一例としてのテレビ受像機の外観図である。参照符号DSPは表示部、STDはスタンド部である。表示部DSPには前記実施例の何れかの構成をもつ画像表示装置が実装されている。この他、パーソナルコンピュータや各種情報処理装置のモニターに本発明の有機発光表示装置を実装することができ、高い開口率で高輝度の画像表示を得ることができることは言うまでもない。
【0072】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、耐熱性の低い複数色(赤、緑、青)の発光層を構成する第1有機層と、形成温度の高い透明導電性のアノード電極とを別々の基板(ガラス板等の主基板と耐熱性を有する透明なカバーフィルム)上に形成した後、両者を重ね合わせることで、耐熱性の低い第1有機層である発光層上に形成温度の高い透明導電性アノード電極を配設することが可能となる。また、透明導電性のアノード電極上に発光効率を向上する機能を有する有機層(第2有機層)を形成してから第1有機層を構成するRGB発光層と重ね合わせることで、有機物同士の接続によりさらに緻密な接続が可能となる。これにより、可視光域の高い透過率を有する透明導電膜のアノード電極および耐熱性で透明なカバーフィルムを通して発光層で生じた光を少ない減衰で、かつ主基板上の駆動回路の遮蔽の影響なく高い開口率で取出しを可能な有機発光表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による有機発光表示装置の第1実施例の構成を模式的に説明する要部断面図である。
【図2】本発明による有機発光表示装置の第1実施例における主基板の製造方法の一連の製造工程を模式的に順次説明する要部断面図である。
【図3】本発明による有機発光表示装置の第1実施例におけるカバーフィルムの製造方法の一連の製造工程をと主基板とを貼り合わせた状態を示す要部断面図である。
【図4】本発明による有機発光表示装置の第2実施例の製造工程を示す概要図である。
【図5】本発明による有機発光表示装置の第3実施例の製造工程を示す概要図である。
【図6】本発明の第4実施例の構造を模式的に説明する要部断面図である。
【図7】本発明の第5実施例の構造を模式的に説明する要部断面図である。
【図8】本発明の第1実施例乃至第5実施例に用いる主基板上の有する駆動回路を構成する低温ポリシリン薄膜トランジスタの製作工程を示す概要図である。
【図9】本発明の画像表示装置を搭載した電子機器の一例としてのテレビ受像機の外観図である。
【符号の説明】
1・・・ 絶縁基板(主基板)、2・・・ カソード電極、3・・・ 画素分離用バンク、3a・・・ 画素分離用バンク最外周幅広パターン、4・・・ 発光層(第1有機層)、5・・・ 駆動回路用外部取り出し端子、6・・・ 上部電極用外部取り出し端子、7・・・ 耐熱性で透明なカバーフィルム、8・・・ 透明導電膜からなるアノード電極、9・・・ ホール輸送層(第2有機層)、10・・・ 導電性接着剤、11・・・ 封止材、12・・・ 無機膜層、13・・・ ブラックマトリックス、14a・・・ 赤色着色層、14b・・・ 緑色着色層、14c・・・ 青色着色層、15・・・ オーバーコート層、16・・・ カラーフィルター層、17・・・ 白色発光層、18・・・ 導電性ブラックマトリックス、19a・・・ 赤色導電性着色層、19b・・・ 緑色導電性着色層、19c・・・ 青色導電性着色層、20・・・ 導電性オーバーコート層、21・・・ 導電性カラーフィルター層、101・・・ ガラス基板、102・・・ SiN膜、103・・・ SiO膜、104・・・ アモルファスシリコン膜、105・・・ 改質されたシリコン膜、106・・・ ゲート配線、107・・・ ソース・ドレイン配線、108・・・ 絶縁膜、109・・・ パシベーション膜、110・・・ カソード電極。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an organic light emitting display using an organic electroluminescent light emitting device and a method for manufacturing the same.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art In recent years, a display device (organic electroluminescence display device) using an organic electroluminescence (so-called organic EL) light emitting element (organic light emitting element) utilizing a phenomenon that a specific organic substance is sandwiched between electrodes and emits light by giving a charge is used. , Also referred to as an organic light emitting display device or an organic EL display). Organic EL displays use self-luminous elements, so they do not require a backlight unlike liquid crystal displays, and they also eliminate the disadvantages pointed out in liquid crystal displays, such as high contrast and fast response speed. It has.
Regarding the organic electroluminescence device, a three-layer structure of a hole transport layer, a light-emitting layer, and a cathode (cathode), which is a typical structure, is described in “
[0003]
Further, as a structure for extracting light generated in the light emitting layer to the outside, a bottom emission structure for extracting light from the side opposite to the surface on which the light emitting layer and the electrodes are stacked, and a top emission structure for extracting light from the stacked side are disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-163873. "It is described in. In the bottom emission structure, light emission is extracted to the back side of an insulating substrate (hereinafter, also simply referred to as a substrate) such as glass on which a driving circuit using a thin film transistor TFT or the like is formed, so that light is blocked by wiring of the driving circuit or the like. Low aperture ratio. On the other hand, the top emission structure can emit light without interference of the driving circuit and has a high aperture ratio. If the light extraction efficiency is high, the charge (current) given to obtain the same amount of light can be reduced, which is effective in suppressing power consumption.
[0004]
In addition, in the organic EL device having a top emission structure, a substrate (a main substrate, an organic EL device) on which an organic EL element (organic light emitting element) is formed in order to suppress deterioration of characteristics of the organic EL light emitting element due to moisture or oxygen. An organic EL panel is provided with a sealing member covering the organic light emitting element. As this sealing member, a glass plate or a transparent film is used.
[0005]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Publication No. 6-32307
[Patent Document 2]
Japanese Patent No. 2879080
[Patent Document 3]
Japanese Patent No. 2937015
[Patent Document 4]
JP 2002-328614 A
[Patent Document 5]
JP-A-2002-93586
[Patent Document 6]
JP-A-2002-243928
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
To form a top emission structure in an organic electroluminescence device, a metal anode electrode, an electron transport layer, a red (R), green (G), blue (B) light emitting layer, a hole transport layer, and a transparent conductive film are formed on a substrate. The structure is such that the cathode electrodes are sequentially laminated. However, as a method of forming a cathode electrode of a transparent conductive film, a sputtering method, an ion plating method, a CVD method, and the like are generally used, but all of these methods form a film in a high-temperature state and are already formed on a substrate. A problem arises in the heat resistance of the organic light-emitting layer (RGB light-emitting layer) made of an organic substance. For this reason, a bottom emission structure in which a cathode electrode of a transparent electrode film, a hole transport layer, an RGB light emitting layer, an electron transport layer, and a metal anode electrode are stacked in this order on a substrate is common, and a top emission having a high aperture ratio is formed. In order to manufacture an organic EL panel having a structure, a technique of laminating a transparent electrode above the RGB light emitting layer is an issue.
[0007]
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a transparent conductive film and a transparent film having a high light transmittance capable of extracting light with a high aperture ratio above a substrate on which a drive circuit is formed without being affected by shielding by a drive circuit element, wiring, and the like. And a method of manufacturing the same.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the present invention provides a light emitting device in which an organic layer having at least a light emitting layer is formed inside a pixel separation bank on a cathode electrode and sandwiched between the anode electrode and a substrate (also referred to as a main substrate). Wherein an organic layer having a light emitting layer (first organic layer) is formed inside a pixel separation bank on the substrate, and an anode electrode of a transparent conductive film is separately formed from above the organic layer. The above organic layer is in close contact with a cover film which is preferably formed of a heat-resistant transparent film material on which an organic layer (second organic layer) having a function of improving luminous efficiency is formed. The structure was superimposed so that
[0009]
Further, the cover film and the anode electrode on the cover film have a high light transmittance with respect to light in a visible light region, and emit light generated in a light emitting layer (first organic layer) to the cover film and the anode electrode. With a small attenuation through the main substrate.
[0010]
Further, a terminal made of a conductive adhesive or the like is provided on the anode electrode, and the cover film and the main substrate are overlapped and bonded to each other, and when the two are integrated, the upper electrode provided on the main substrate is provided. Connected to the external take-out terminal.
[0011]
In addition, an insulator is provided between the anode electrode and the external lead-out terminal for the drive circuit on the main substrate to maintain the insulation.
[0012]
Further, when the cover film and the main substrate were overlapped, the cover film and the substrate were fixed by a sealing material applied in advance on the main substrate.
[0013]
Thus, in the present invention, the first organic layer having the light emitting layer is formed on the cathode electrode on the main substrate. On the other hand, the anode electrode is formed on a transparent cover film having heat resistance, and a second organic layer contributing to the improvement of the light emission characteristics is further formed on the anode electrode so that the main substrate and the cover film emit light. By overlapping the first organic layer having the layer and the second organic layer contributing to the improvement of the light emitting characteristics so as to be in contact with each other, the anode electrode can be provided above the first light emitting layer having low heat resistance. . Further, the contact portion between the first organic layer and the second organic layer is in contact with the organic layers, so that a closer contact is possible. In addition, through the anode electrode and the heat-resistant cover film having high transmittance of visible light, light emission generated in the light-emitting layer can be extracted with a small attenuation and at a high aperture ratio without being affected by elements and wiring of the drive circuit arrangement, A high-luminance image display can be obtained.
[0014]
It should be noted that the present invention is not limited to the above configuration and the configuration of the embodiment described later, and it is needless to say that various modifications can be made without departing from the technical idea of the present invention.
[0015]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, an embodiment of an organic light emitting embodiment according to the present invention will be described. In the organic light emitting display device, there are a low molecular material system and a high molecular material system as an organic material constituting a first organic layer used for a portion contributing to light emission, but the present invention is not limited thereto. An organic light emitting display device in which both are mixed may be used. In addition, the present invention is not limited to materials, compositions, and the like used in Examples described below.
[0016]
[First embodiment]
FIG. 1 is a cross-sectional view of a principal part schematically illustrating a configuration of a first example illustrating an embodiment of an organic light emitting display device according to the present invention. The reference numerals in the figure are as follows.
1 is a main substrate, 2 is a cathode electrode, 3 is a pixel separation bank, 3a is a pixel separation bank outermost wide pattern, 4a is a red (R) light emitting layer, 4b is a green (G) light emitting layer, 4c is Each of the blue (B) organic light emitting layers (that is, the first organic layer), 5 is an external extraction terminal for a drive circuit, 6 is an external extraction terminal for an upper electrode, 7 is a heat-resistant transparent cover film, and 8 is transparent. An anode electrode made of a conductive film, 9 is a hole transport layer, 10 is a conductive adhesive, and 11 is a sealing material.
[0017]
The
[0018]
The
At this time, the upper electrode
[0019]
2 (a), 2 (b), 2 (c) and 2 (d) are main parts schematically illustrating a series of manufacturing steps of a method of manufacturing a main substrate in the first embodiment of the organic light emitting display device according to the present invention. It is sectional drawing. 3 (a) and 3 (b) are cross-sectional views of main parts schematically illustrating a series of manufacturing steps of a manufacturing method of a cover film, and FIG. 3 (c) shows a main substrate manufactured in FIG. 2 and FIG. 3 (a). It is principal part sectional drawing which shows the state which bonded the cover film manufactured in (b).
[0020]
In this embodiment, first, as shown in FIG. 2A, a
[0021]
Similarly, a material having high conductivity is preferable for the external lead-out
[0022]
Next, as shown in FIG. 2 (b), a
[0023]
In the present embodiment, the display area size of one pixel (one sub-pixel in color display) is 280 μm vertically and 80 μm horizontally, and the pitch is 300 μm vertically and 100 μm horizontally. Since the
[0024]
In the present embodiment, a photosensitive thermosetting polyimide manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd. is applied to the front surface of the
[0025]
In this example, a polymer-based material was used as the material of the light emitting layer as the first organic layer. As a method for forming the polymer-based light emitting layer, there are an ink jet method, a printing method, and the like. In this embodiment, the polymer light emitting layer is formed by an ink jet method. The polymer-based light emitting layer uses diluted ink for application by a wet process. Therefore, the film thickness of the light emitting layer changes immediately after application and after drying in which the solvent has evaporated. In this embodiment, the red, green, and blue light-emitting layers used were each diluted to a solid concentration of 10%, and the film thickness after drying was designed to be 0.1 μm. The film thickness in this state is 1.0 μm. For this reason, the
[0026]
Further, when the anode electrode 8 and the
[0027]
Next, as shown in FIG. 2C, a red
[0028]
Next, as shown in FIG. 2D, a sealing
[0029]
Next, as shown in FIG. 3A, an anode electrode 8 of a transparent conductive film is formed on the
The material of the anode electrode 8 is preferably a metal oxide film from the viewpoint of transparency, conductivity, and mechanical properties, and is preferably ITO (Indium Tin Oxide) or IZTO (Indium Zin Tin Oxide). In this embodiment, an anode electrode 8 made of ITO having a film thickness of 150 nm, a specific resistance of 1 Ωcm, and a transmittance in the visible light region of 99% was formed by sputtering.
[0030]
Further, the anode electrode 8 is provided at one end with an area for forming a conductive
[0031]
Next, as shown in FIG. 3B, a
[0032]
Further, as an ink of a hole transport material, a water colloid solution containing poly (3,4-ethylenedioxythiophene) as a conductive polymer and polystyrenesulfonic acid as a dopant (BYTORON P-CH-8000 manufactured by Bayer) is used. ) Was used. When the
[0033]
The
[0034]
Next, as shown in FIG. 3 (c), the
[0035]
In this embodiment, the
[0036]
In this embodiment, the superimposition is performed by the above method, but the superposition may be performed by a laminator method or the like. The step between the
[0037]
Next, an organic light emitting display device was manufactured by externally connecting a control system to the drive circuit
[0038]
[Second embodiment]
The second embodiment of the present invention is the same as the first embodiment except that an inorganic film layer is formed on a cover film. In this embodiment, an organic light emitting display is manufactured in the same manner as in the first embodiment except that an inorganic film layer is formed on a cover film.
[0039]
FIG. 4 is a schematic view showing the manufacturing process of the second embodiment of the present invention, and shows the manufacturing process after the formation of the inorganic film layer on the cover film. In FIG. 4,
[0040]
As shown in FIG. 4A, the
[0041]
In the plasma CVD method, the inorganic film layer composed of DLC is applied with a high-frequency or the like in a vacuum vessel, and a heat-resistant film is fixed on a temperature-adjustable electrode substrate. In some cases, a gas to which hydrogen gas is added is used as a source gas, and carbon ions decomposed by plasma are grown on a heat-resistant film. In the bias sputtering method, a target such as graphite made of carbon is used as a target, and carbon atoms are deposited on the heat-resistant film by sputtering with a gas such as argon using an electric field or the like in a vacuum vessel to form a heat-resistant film serving as a substrate. , The ions of argon collide with carbon atoms, and are formed by the ion assist effect.
[0042]
In this embodiment, a hydrocarbon gas and a hydrogen gas are used as source gases, and a 50 nm-thick
[0043]
Next, the steps shown in FIGS. 4B to 4D are performed to form an anode electrode 8 made of a transparent conductive film on the
[0044]
Next, an organic light emitting display device was manufactured by externally connecting a control system to the drive circuit
[0045]
[Third embodiment]
In this example, an organic light-emitting display device was manufactured in the same manner as in the above-described first and second examples, except that a color filter layer was formed on a cover film.
[0046]
FIG. 5 is a schematic diagram showing the manufacturing process of the third embodiment of the present invention, and is a schematic diagram showing the manufacturing process after the formation of the color filter layer. In FIG. 5,
[0047]
As described above, the
[0048]
The
[0049]
In addition, when the coloring layers of each color of the
[0050]
In the present embodiment, first, as in the first and second embodiments, the same steps as those shown in FIGS. 2A to 2D are performed so that the
[0051]
Next, as shown in FIG. 5A, a heat-resistant
[0052]
In this embodiment, the
[0053]
Next, the
By adjusting the color of these colored layers, the color purity of the light emitted from the light emitting layer can be further increased, and the color coordinates can be made closer to the three primary color assumed color coordinates of the NTSC (National Television System Committee) color TV system.
[0054]
Next, a photosensitive polyimide resin is applied over the entire surface of the
[0055]
Next, the steps of FIGS. 5B to 5D are performed, and the anode electrode 8, the
[0056]
Next, an organic light emitting display device was manufactured by externally connecting a control system to the drive circuit
[0057]
[Fourth embodiment]
In the fourth embodiment of the present invention, an organic light emitting display device was manufactured in the same manner as in the third embodiment except that a white light emitting layer was formed on the light emitting layer. The description of the same structure and steps as in the third embodiment is omitted.
[0058]
FIG. 6 is a cross-sectional view of a principal part schematically illustrating a structure of a fourth embodiment of the present invention, and shows a basic configuration of an organic light emitting display having a white light emitting layer as a first organic layer. In FIG. 6,
[0059]
[Fifth embodiment]
In the fifth embodiment of the present invention, the organic light-emitting device is manufactured in the same manner as in the third to fourth embodiments except that a heat-resistant conductive color filter layer is formed instead of the
[0060]
FIG. 7 is a cross-sectional view of a principal part schematically illustrating a structure of a fifth embodiment of the present invention, and schematically illustrates a basic configuration of an organic organic light-emitting display device having a heat-resistant conductive color filter layer. 7,
[0061]
The conductive heat-resistant
[0062]
As a method for forming the conductive
[0063]
The
[0064]
The conductive
[0065]
In this embodiment, the conductive
[0066]
Also in the organic light emitting display according to the present embodiment, a high-luminance image could be seen through the
[0067]
FIG. 8 is a schematic diagram showing a process of manufacturing a low-temperature polysilin thin film transistor constituting a drive circuit provided on a main substrate used in the first to fifth embodiments of the present invention. 8,
[0068]
First, as shown in FIG. 8A, an
[0069]
Next, as shown in FIG. 8B, the silicon film in a portion where a pixel circuit, that is, a pixel drive circuit is to be formed, is modified by modifying means such as an excimer laser irradiation method.
[0070]
Next, the modified
[0071]
FIG. 9 is an external view of a television receiver as an example of an electronic device equipped with the image display device of the present invention. Reference numeral DSP denotes a display unit, and STD denotes a stand unit. An image display device having any of the configurations of the above embodiments is mounted on the display unit DSP. In addition, it goes without saying that the organic light-emitting display device of the present invention can be mounted on a monitor of a personal computer or various information processing devices, and a high-brightness image display with a high aperture ratio can be obtained.
[0072]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the first organic layer constituting the light emitting layer of a plurality of colors (red, green, blue) having low heat resistance and the transparent conductive anode electrode having a high forming temperature are separately provided. Is formed on a substrate (a main substrate such as a glass plate and a transparent cover film having heat resistance) and then superposed on each other, so that a high temperature is formed on the light emitting layer which is the first organic layer having low heat resistance. It is possible to provide a transparent conductive anode electrode. Further, by forming an organic layer (second organic layer) having a function of improving luminous efficiency on the transparent conductive anode electrode and then superimposing the organic layer on the RGB light emitting layer constituting the first organic layer, the organic substances can be separated from each other. The connection enables more precise connection. As a result, the light generated in the light emitting layer through the anode electrode of the transparent conductive film having a high transmittance in the visible light region and the heat-resistant transparent cover film is reduced with little attenuation, and is not affected by the shielding of the drive circuit on the main substrate. An organic light-emitting display device capable of taking out light at a high aperture ratio can be provided.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view of a principal part schematically illustrating a configuration of a first embodiment of an organic light emitting display device according to the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of a main part schematically illustrating a series of manufacturing steps of a method of manufacturing a main substrate in the first embodiment of the organic light emitting display device according to the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view of a main part showing a series of manufacturing steps of a method of manufacturing a cover film in a first embodiment of the organic light-emitting display device according to the present invention and a state where a main substrate is bonded.
FIG. 4 is a schematic view showing a manufacturing process of a second embodiment of the organic light emitting display device according to the present invention.
FIG. 5 is a schematic view showing a manufacturing process of a third embodiment of the organic light emitting display according to the present invention.
FIG. 6 is a sectional view of a main part schematically illustrating the structure of a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a sectional view of a main part schematically illustrating the structure of a fifth embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a schematic diagram showing a manufacturing process of a low-temperature polysilin thin film transistor constituting a drive circuit provided on a main substrate used in the first to fifth embodiments of the present invention.
FIG. 9 is an external view of a television receiver as an example of an electronic apparatus equipped with the image display device of the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (14)
前記複数の画素のそれぞれ毎に前記カソード電極が形成され、
隣接する前記画素間に複数の画素分離用バンクを有し、
前記画素分離用バンクの間に、前記発光体素子の発光層を構成する第1有機層が形成され、
前記アノード電極が内面に形成されて、前記第1有機層の上層を覆って配設されるカバーフィルムを具備し、
前記カバーフィルムに形成された前記アノード電極の上に前記第1有機層と密接して該第1有機層の発光効率を向上するための第2有機層を有することを特徴とする有機発光表示装置。An organic light-emitting display device having a plurality of pixels formed of a light-emitting element including a cathode electrode, an organic light-emitting layer, and an anode electrode in a display region on an insulating substrate,
The cathode electrode is formed for each of the plurality of pixels,
Having a plurality of pixel separation banks between adjacent pixels;
A first organic layer forming a light emitting layer of the light emitting element is formed between the pixel separating banks;
A cover film formed on the inner surface of the anode electrode and disposed over an upper layer of the first organic layer;
An organic light emitting display device comprising a second organic layer on the anode electrode formed on the cover film, the second organic layer being in close contact with the first organic layer and improving the luminous efficiency of the first organic layer. .
前記製造方法は、主基板形成工程とカバーフィルム形成工程及び主基板にカバーフィルムを貼り合わせる主基板・カバーフィルム一体化工程とからなり、
前記主基板形成工程は、
前記絶縁基板上にカソード電極を形成する主基板形成第1工程と、
前記カソード電極を形成した前記絶縁基板の隣接する画素間に前記複数の画素毎に前記カソード電極を露呈させる画素分離用バンクを形成する主基板形成第2工程と、
前記画素分離用バンクの間に露呈した前記カソード上に少なくとも発光層を有する第1有機層を形成する主基板形成第3工程と、からなり、
前記カバーフィルム形成工程は、
耐熱透明フィルム上に透明導電膜からなるアノード電極を形成するカバーフィルム形成第1工程と、
前記アノード電極の上に前記第1有機層の発光効率を向上するための第2有機層を形成するカバーフィルム形成第2工程と、からなり、
前記主基板・カバーフィルム一体化工程が、
前記主基板形成工程を経た主基板に有する前記第1有機層に前記カバーフィルム形成工程を経たカバーフィルムに有する前記第2有機層を密着させる貼り合わせ工程を含むことを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。A method for manufacturing an organic light-emitting display device, in which a plurality of pixels including a light-emitting element including a cathode electrode, an organic light-emitting layer, and an anode electrode are formed in a display region on an insulating substrate,
The manufacturing method comprises a main substrate forming step, a cover film forming step, and a main substrate / cover film integrating step of bonding a cover film to the main substrate,
The main substrate forming step,
A main substrate forming first step of forming a cathode electrode on the insulating substrate;
A main substrate forming second step of forming a pixel separation bank for exposing the cathode electrode for each of the plurality of pixels between adjacent pixels of the insulating substrate on which the cathode electrode is formed;
A third main substrate forming step of forming a first organic layer having at least a light emitting layer on the cathode exposed between the pixel separation banks,
The cover film forming step,
A cover film forming first step of forming an anode electrode made of a transparent conductive film on the heat-resistant transparent film;
A cover film forming second step of forming a second organic layer on the anode electrode to improve the luminous efficiency of the first organic layer,
The main substrate / cover film integration step,
An organic light-emitting display device comprising a bonding step of adhering the second organic layer of the cover film after the cover film forming step to the first organic layer of the main substrate after the main substrate forming step. Manufacturing method.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003154140A JP2004355995A (en) | 2003-05-30 | 2003-05-30 | Organic electroluminescent display device and its manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003154140A JP2004355995A (en) | 2003-05-30 | 2003-05-30 | Organic electroluminescent display device and its manufacturing method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004355995A true JP2004355995A (en) | 2004-12-16 |
Family
ID=34048883
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003154140A Pending JP2004355995A (en) | 2003-05-30 | 2003-05-30 | Organic electroluminescent display device and its manufacturing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004355995A (en) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006278212A (en) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Seiko Epson Corp | Light-emitting device and manufacturing method thereof, and electronic equipment |
JP2007087818A (en) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Shinshu Univ | Organic electroluminescent element with electrode terminal |
US7595137B2 (en) | 2005-08-25 | 2009-09-29 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing color filter substrate, color filter substrate, display device and electronic apparatus |
JP2010140980A (en) * | 2008-12-10 | 2010-06-24 | Sony Corp | Functional organic substance element, and functional organic substance apparatus |
JP2012199080A (en) * | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Seiko Epson Corp | Method for manufacturing organic el device, and apparatus for manufacturing organic el device |
WO2012160924A1 (en) * | 2011-05-20 | 2012-11-29 | パナソニック株式会社 | Organic electroluminescence element |
-
2003
- 2003-05-30 JP JP2003154140A patent/JP2004355995A/en active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006278212A (en) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Seiko Epson Corp | Light-emitting device and manufacturing method thereof, and electronic equipment |
US7595137B2 (en) | 2005-08-25 | 2009-09-29 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing color filter substrate, color filter substrate, display device and electronic apparatus |
JP2007087818A (en) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Shinshu Univ | Organic electroluminescent element with electrode terminal |
JP2010140980A (en) * | 2008-12-10 | 2010-06-24 | Sony Corp | Functional organic substance element, and functional organic substance apparatus |
JP2012199080A (en) * | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Seiko Epson Corp | Method for manufacturing organic el device, and apparatus for manufacturing organic el device |
WO2012160924A1 (en) * | 2011-05-20 | 2012-11-29 | パナソニック株式会社 | Organic electroluminescence element |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI266558B (en) | Image display apparatus and process for its production | |
KR102093628B1 (en) | Organic electro luminescent device and method of fabricating the same | |
JP5256863B2 (en) | ORGANIC LIGHT-EMITTING ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND DISPLAY DEVICE | |
KR102084395B1 (en) | Organic electro luminescent device and method of fabricating the same | |
US8455893B2 (en) | Light-emitting apparatus and production method thereof | |
JP5543441B2 (en) | ORGANIC LIGHT EMITTING ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD, ORGANIC DISPLAY PANEL, ORGANIC DISPLAY DEVICE | |
TW200421922A (en) | Light-emitting device and electronic apparatus | |
CN102208432B (en) | Transmission type colored organic EL (Electro-Luminescence) display device | |
JP5478954B2 (en) | Organic electroluminescence display device | |
JP2021061175A (en) | Self-luminous display panel | |
WO2003056881A1 (en) | Image display device and method of manufacturing the device | |
TWI251700B (en) | Liquid crystal display and process for fabricating the same | |
JP4736284B2 (en) | Display device and manufacturing method thereof | |
JP2004355995A (en) | Organic electroluminescent display device and its manufacturing method | |
JP2021061234A (en) | Self-luminous display panel | |
JP2012209138A (en) | Organic el element, manufacturing method for the organic el element, image display device, and manufacturing method for the image display device | |
WO2013047622A1 (en) | Display device and display device manufacturing method | |
KR20150067974A (en) | Organic electro luminescent device and method of fabricating the same | |
JP4603780B2 (en) | Method for manufacturing light emitting device | |
JP4975137B2 (en) | Organic EL device and display device | |
WO2023108703A1 (en) | Display panel and electronic device | |
JP4635488B2 (en) | ORGANIC LIGHT EMITTING ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND DISPLAY DEVICE | |
KR20150002119A (en) | Organic electro luminescent device and method of fabricating the same | |
WO2013128621A1 (en) | Organic el device and manufacturing method therefor | |
JP4603775B2 (en) | Method for manufacturing organic EL light-emitting element, method for manufacturing display device using organic EL element |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050310 |