JP2012209138A - Organic el element, manufacturing method for the organic el element, image display device, and manufacturing method for the image display device - Google Patents
Organic el element, manufacturing method for the organic el element, image display device, and manufacturing method for the image display device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012209138A JP2012209138A JP2011074290A JP2011074290A JP2012209138A JP 2012209138 A JP2012209138 A JP 2012209138A JP 2011074290 A JP2011074290 A JP 2011074290A JP 2011074290 A JP2011074290 A JP 2011074290A JP 2012209138 A JP2012209138 A JP 2012209138A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- electrode
- layer
- light emitting
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
本発明は、有機EL素子及びその製造方法、並びに画像表示装置及びその製造方法に関する。 The present invention relates to an organic EL element and a manufacturing method thereof, and an image display device and a manufacturing method thereof.
近年、直流低電圧駆動による高輝度発光が可能な発光素子である有機電界発光素子(以下、有機EL素子と称する)の開発が進められている。有機EL素子は、対向する二つの電極と、それら電極間に設けられた有機材料からなる有機発光層を有する簡便な構造によって構成されている。この有機EL素子においては、電極間に電流を流すことによって、有機発光層内で電荷が再結合し、発光となり、この発光光が光透過性電極から取り出される。 In recent years, development of organic electroluminescent elements (hereinafter referred to as organic EL elements), which are light emitting elements capable of high-luminance emission by direct current low voltage driving, has been promoted. The organic EL element has a simple structure having two opposing electrodes and an organic light emitting layer made of an organic material provided between the electrodes. In this organic EL element, by passing a current between the electrodes, charges are recombined in the organic light emitting layer to emit light, and the emitted light is extracted from the light transmissive electrode.
このような構造を有する有機EL素子においては、前記有機発光層の両側に直接両電極が配置された構造を採用してもよいが、単位電流当たりの輝度或いは単位電力当たりの光束(以下、発光効率と称す)を増大するために、注入層、輸送層又はブロック層、或いは注入層、輸送層及びブロック層の各層配置された構造が採用されることが多い。具体的には、正孔注入層、正孔輸送層又は正孔ブロック層、或いは各層が陽極と発光層との間に設けられた構造が挙げられる。或いは、電子注入層、電子輸送層又は電子ブロック層、或いは各層が陰極と発光層との間に設けられた構造が挙げられる。有機EL素子においては、両電極間に挟まれた上記複数層を含む構造体の全体が、発光媒体層と呼ばれている。 In an organic EL device having such a structure, a structure in which both electrodes are directly disposed on both sides of the organic light emitting layer may be employed. However, luminance per unit current or luminous flux per unit power (hereinafter referred to as light emission). In order to increase the efficiency (referred to as efficiency), an injection layer, a transport layer or a block layer, or a structure in which each of the injection layer, the transport layer, and the block layer is arranged is often employed. Specifically, a hole injection layer, a hole transport layer, a hole block layer, or a structure in which each layer is provided between the anode and the light emitting layer can be given. Alternatively, an electron injection layer, an electron transport layer, an electron block layer, or a structure in which each layer is provided between a cathode and a light emitting layer can be given. In the organic EL element, the entire structure including the plurality of layers sandwiched between both electrodes is called a light emitting medium layer.
有機EL素子の種類は、有機発光層に用いられる有機材料に応じて、低分子有機発光材料を用いた有機EL素子(以下、低分子有機EL素子と称する)と、高分子有機発光材料を用いた有機EL素子(以下、高分子有機EL素子と称する)とに大別される。
低分子有機EL素子の発光媒体層を形成する方法においては、一般的に真空蒸着法等のドライコーティング法を用いて薄膜が形成される。このような低分子有機EL素子を形成する方法において、発光媒体層のパターニングが必要である場合は、メタルマスク等を用いて、マスクの開口部に応じたパターンを有する層が形成される。しかしながら、このようなパターニング方法においては、基板の面積が増加するほど、メタルマスク等の部材自体の精度により、所望のパターニング精度を得ることが難しいという問題がある。
Depending on the organic material used for the organic light emitting layer, the organic EL element uses an organic EL element using a low molecular organic light emitting material (hereinafter referred to as a low molecular organic EL element) and a polymer organic light emitting material. And organic EL elements (hereinafter referred to as polymer organic EL elements).
In a method for forming a light emitting medium layer of a low molecular organic EL element, a thin film is generally formed using a dry coating method such as a vacuum evaporation method. In the method of forming such a low molecular organic EL element, when patterning of the light emitting medium layer is necessary, a layer having a pattern corresponding to the opening of the mask is formed using a metal mask or the like. However, such a patterning method has a problem that it is difficult to obtain a desired patterning accuracy due to the accuracy of a member such as a metal mask itself as the area of the substrate increases.
高分子有機EL素子の発光媒体層を形成する方法においては、例えば有機発光材料が溶剤に溶された塗工液を準備し、ウェットコーティング法を用いて塗工液を基板上に塗布し、薄膜を形成する方法が試みられている。薄膜を形成するためのウェットコーティング法としては、スピンコート法、バーコート法、突出コート法、ディップコート法、ノズルプリント法、インクジェット法、各種印刷法等が知られている。しかしながら、これらのウェットコーティング法を用いる場合においては、高精細に薄膜をパターニングしたり、RGBからなる3色を別々に塗布して薄膜を形成したりすることが難しい。そのため、高分子有機EL素子を形成する方法においては、複数の材料を別々に塗布しながらパターニングすることが可能な印刷法を用いて薄膜を形成することが最も有効であると考えられる。 In a method for forming a light emitting medium layer of a polymer organic EL element, for example, a coating liquid in which an organic light emitting material is dissolved in a solvent is prepared, and the coating liquid is applied on a substrate using a wet coating method, and a thin film Attempts have been made to form these. Known wet coating methods for forming a thin film include spin coating, bar coating, protruding coating, dip coating, nozzle printing, ink jet, and various printing methods. However, when these wet coating methods are used, it is difficult to pattern a thin film with high definition or to form a thin film by separately applying three colors of RGB. Therefore, in the method of forming a polymer organic EL element, it is considered most effective to form a thin film using a printing method capable of patterning while applying a plurality of materials separately.
さらに、有機EL素子においては基板としてガラス基板を用いることが多い。このため、各種印刷法のなかでもグラビア印刷法等のように金属製の印刷版等の硬い版を直接基板に接触させる方法は、有機EL素子を形成する方法に適していない。一方、弾性を有するゴムブランケットを用いるオフセット印刷法、同じく弾性を有するゴム版、又は感光性樹脂版を用いる凸版印刷法は、高分子有機EL素子を形成する方法に適している。実際に、これらの印刷法による試みとして、オフセット印刷による方法(特許文献1)、凸版印刷による方法(特許文献2)等が提唱されている。 Furthermore, in an organic EL element, a glass substrate is often used as a substrate. For this reason, among various printing methods, a method of directly contacting a hard plate such as a metal printing plate with a substrate, such as a gravure printing method, is not suitable for a method of forming an organic EL element. On the other hand, an offset printing method using an elastic rubber blanket, a rubber plate having elasticity, or a relief printing method using a photosensitive resin plate are suitable for a method of forming a polymer organic EL element. Actually, as an attempt by these printing methods, a method by offset printing (Patent Document 1), a method by letterpress printing (Patent Document 2) and the like have been proposed.
ウェットコーティング法を用いて高精細に薄膜をパターニングする必要がある画像表示装置を作製する場合、表示画素を縦横に多数形成し、発光させることで画像を表示する。そのために発光媒体層などを表示画素電極(以下、画素電極と称す)上に選択的に配し、各画素に独立した有機EL素子を形成する。その際、材料を各画素に均一に配し、均一に発光させる為、予め各画素を区画する隔壁を設ける手法が一般的に用いられている。画素電極は一般的に長方形が用いられる。白表示の画素形状は正方形が望ましいのに対して、フルカラー表示を行うには赤、緑、青色に発光する3種類の有機EL素子が各画素内に配置されている必要がある。前記隔壁は画素電極の周辺を区画するように設けられる。 In the case of manufacturing an image display device that requires high-definition thin film patterning using a wet coating method, an image is displayed by forming a large number of display pixels vertically and horizontally and emitting light. For this purpose, a light emitting medium layer or the like is selectively disposed on a display pixel electrode (hereinafter referred to as a pixel electrode) to form an independent organic EL element for each pixel. At that time, in order to uniformly distribute the material to each pixel and to uniformly emit light, a method of providing partition walls that partition each pixel in advance is generally used. The pixel electrode is generally rectangular. The pixel shape for white display is desirably a square, but in order to perform full color display, three types of organic EL elements that emit red, green, and blue light must be arranged in each pixel. The partition wall is provided so as to partition the periphery of the pixel electrode.
前記隔壁は各画素を区画する以外にも、特にウェットコーティング法では、発光媒体層となる塗工液を陽極上に塗布することで形成する場合、隣接する各画素に塗工液が浸入しないようにする必要がある。隣り合う各画素に塗工液が浸入することを防止するために、各画素を隔壁によって規定し、隔壁によって規定された領域内に塗工液を塗布する方法が知られている(特許文献3)。 In addition to partitioning each pixel, the partition wall, particularly in the wet coating method, prevents the coating liquid from entering the adjacent pixels when it is formed by applying a coating liquid serving as a light emitting medium layer on the anode. It is necessary to. In order to prevent the coating liquid from entering the adjacent pixels, a method is known in which each pixel is defined by a partition wall and the coating liquid is applied in a region defined by the partition wall (Patent Document 3). ).
特許文献3に記載されるように、高分子有機EL素子は画素電極表面を底部として、基板側が先太りの凸型(順テーパー)形状の隔壁を設ける手法が一般的に用いられている。しかしながら、このような順テーパー形状の隔壁によって規定された画素領域内に塗工液を塗布して、発光媒体層を形成する場合、画素領域内の膜厚が不均一になるという問題がある。即ち、塗工液は乾燥する過程で、隔壁に引き寄せられる。その結果、形成された発光媒体層の画素領域中央部の厚みが減少し、発光媒体層表面が凹曲状になる。表面が凹曲状になると、画素領域内の膜厚均一性が損なわれる。 As described in Patent Document 3, a technique is generally used in which a polymer organic EL element is provided with a convex (forward taper) partition wall with a pixel electrode surface at the bottom and a taper on the substrate side. However, when a light emitting medium layer is formed by applying a coating liquid in a pixel region defined by such a forward tapered partition, there is a problem that the film thickness in the pixel region becomes non-uniform. That is, the coating liquid is attracted to the partition wall in the course of drying. As a result, the thickness of the central portion of the pixel region of the formed light emitting medium layer is reduced, and the surface of the light emitting medium layer becomes concave. If the surface becomes concave, the film thickness uniformity in the pixel region is impaired.
このような不均一な膜厚の発光媒体層を有する有機EL素子に電流を流した場合、膜厚の薄い中央部のみが発光し、膜厚の厚い隔壁近傍は発光しない。したがって、画素内の発光媒体層の膜厚が均一でない場合、画素領域に対して発光している領域(以下、開口率と称す)が減少し、発光効率が低下する。非発光領域の割合としては、上述したように画素電極を膜面方向から見た形状は長方形が一般的なため、画素領域の長辺方向に広く非発光領域が形成される。 When a current is passed through the organic EL element having such a non-uniform thickness of the light emitting medium layer, only the thin central portion emits light, and the vicinity of the thick partition does not emit light. Therefore, when the film thickness of the light emitting medium layer in the pixel is not uniform, a region emitting light with respect to the pixel region (hereinafter referred to as an aperture ratio) is reduced, and the light emission efficiency is lowered. As the ratio of the non-light emitting region, since the shape of the pixel electrode viewed from the film surface direction is generally rectangular as described above, the non-light emitting region is widely formed in the long side direction of the pixel region.
またノズルプリンティング法や凸版印刷法を含む各種印刷法で発光媒体層を形成する場合、印刷機の構造としては印刷版を設置した版胴又は塗工ユニットを被印刷基板に対して水平に移動させることで成膜する方法か、版胴または塗工ユニットを固定し、被印刷基板を移動させることで成膜する方法の二種類が用いられる。有機EL素子の作製においては、印刷方向に対して垂直方向に形成された隔壁へ塗工液を塗布することは免れない。前述の各種印刷方法は被形成基材と塗工ユニット(ノズル部または印刷版)との距離を一定に保つことで良好な印刷性が得られるが、印刷方向の被印刷面に凹凸が存在すると、印刷性が低下してしまう。 Further, when the light emitting medium layer is formed by various printing methods including the nozzle printing method and the relief printing method, the structure of the printing machine is that the plate cylinder or the coating unit on which the printing plate is installed is moved horizontally with respect to the substrate to be printed. Two methods are used: a method of forming a film, or a method of forming a film by fixing a plate cylinder or a coating unit and moving a substrate to be printed. In the production of the organic EL element, it is inevitable to apply the coating liquid to the partition formed in the direction perpendicular to the printing direction. The above-mentioned various printing methods can achieve good printability by keeping the distance between the substrate to be formed and the coating unit (nozzle part or printing plate) constant, but if there are irregularities on the printing surface in the printing direction The printability will deteriorate.
そこで、本発明は上述のような課題に鑑みてなされたものであって、開口率が高く、印刷性がよい有機EL素子及びその製造方法並びに画像表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention has been made in view of the above-described problems, and an object thereof is to provide an organic EL element having a high aperture ratio and good printability, a manufacturing method thereof, an image display apparatus, and a manufacturing method thereof. And
そこで、本発明は、発光媒体層の少なくとも一層をライン状パターンで印刷する有機EL素子であって、第一電極を区画する隔壁が、前記ライン状パターンと平行に形成された、少なくとも一部に基板側が先細りの逆テーパー形状を有する第一隔壁と、前記第一隔壁と直交に形成された、基板側が先太りの順テーパー形状を有する第二隔壁とで構成されたことを特徴とする。 Therefore, the present invention provides an organic EL element that prints at least one layer of a light emitting medium layer in a line pattern, and at least a part of partition walls that partition the first electrode is formed in parallel with the line pattern. The substrate side is composed of a first partition wall having a tapered reverse taper shape and a second partition wall formed perpendicular to the first partition wall and having a taper forward tapered shape on the substrate side.
本発明において、「逆テーパー」とは、基板水平面と平行な隔壁の頭頂部の幅よりも、側面部の幅が一部でも狭くなっている、つまり基板側が先細りの構造を意味する。例えば図5a〜cに逆テーパー形状の一例を示す。図5aは頭頂部の幅が最も広く、底部の膜厚方向にしたがって幅が狭くなっている。図5bは頭頂部と底部の膜厚間で一部だけ頭頂部よりも幅が狭くなっている。また、図5cのように一部だけでなく、側面部に複数の凹凸を形成してもよい。 In the present invention, “reverse taper” means a structure in which the width of the side surface portion is narrower than the width of the top portion of the partition wall parallel to the substrate horizontal plane, that is, the substrate side is tapered. For example, an example of a reverse taper shape is shown in FIGS. In FIG. 5a, the width at the top of the head is the widest, and the width becomes narrower according to the film thickness direction at the bottom. FIG. 5b shows that the width between the top and bottom film thicknesses is narrower than that of the top. Moreover, you may form a some unevenness | corrugation not only in a part like FIG.
本発明において、「順テーパー」とは、基板水平面と平行な隔壁の頭頂部の幅よりも、底部の幅が広くなっている、つまり基板側が先太りの構造を意味する。例えば図5d〜fに順テーパー形状の一例を示す。図5dは頭頂部の幅が最も広く、底部の膜厚方向にしたがって幅が広くなっている。図5eは頭頂部が曲面である順テーパー形状である。また、図5fのように頭頂部が多角形であっても、底部の幅が広がっていればよい。 In the present invention, the “forward taper” means a structure in which the width of the bottom is wider than the width of the top of the partition wall parallel to the substrate horizontal plane, that is, the substrate side is tapered. For example, an example of a forward taper shape is shown in FIGS. In FIG. 5d, the width at the top of the head is the widest, and the width increases in the film thickness direction at the bottom. FIG. 5e shows a forward tapered shape with a curved top. Moreover, even if the top part is a polygon like FIG. 5f, the width | variety of the bottom part should just be expanded.
有機EL素子にあっては、基板と、前記基板上に形成され、画素領域を有する第一電極と、前記基板上に形成され、前記第一電極を区画する隔壁と、前記画素領域上に形成され、少なくとも有機材料からなる発光層を含み、少なくとも一層がライン状パターンで印刷された発光媒体層と、前記発光媒体層上に形成され、発光媒体層を覆うように成膜された第二電極とを備え、前記隔壁は、前記ライン状パターンと平行に形成された、少なくとも一部に逆テーパー形状を有する第一隔壁と、前記第一隔壁と直交に形成された、順テーパー形状を有する第二隔壁とによって構成される、ことが好ましい。 In the organic EL element, a substrate, a first electrode formed on the substrate and having a pixel region, a partition formed on the substrate and partitioning the first electrode, and formed on the pixel region A light-emitting medium layer that includes at least a light-emitting layer made of an organic material, and at least one layer is printed in a line pattern, and a second electrode that is formed on the light-emitting medium layer and covers the light-emitting medium layer The partition includes a first partition formed in parallel with the line pattern and having a reverse taper shape at least in part, and a first taper shape formed perpendicular to the first partition. It is preferable to be constituted by two partition walls.
また、前記第一隔壁の膜厚は、0.3μm以上5.0μm以下であることが好ましい。
また、前記第二隔壁の厚みは、0.1μm以上5.0μm以下であることが好ましい。
また、前記第一隔壁の高さが前記第二隔壁の高さよりも高いことが好ましい。
また、前記発光媒体層の膜厚は、前記第二隔壁の総膜厚より薄いことが好ましい。
また、前記第一電極は、透明な電極であり、前記第一電極と前記第二電極との間において、前記発光媒体層が形成されていることが好ましい。
Moreover, it is preferable that the film thickness of the said 1st partition is 0.3 micrometer or more and 5.0 micrometers or less.
The thickness of the second partition wall is preferably 0.1 μm or more and 5.0 μm or less.
Moreover, it is preferable that the height of said 1st partition is higher than the height of said 2nd partition.
Moreover, it is preferable that the film thickness of the said light emitting medium layer is thinner than the total film thickness of said 2nd partition.
Further, it is preferable that the first electrode is a transparent electrode, and the light emitting medium layer is formed between the first electrode and the second electrode.
また、前記第二電極は透明な電極であり、前記第一電極と前記第二電極との間において、前記発光媒体層が形成されていることが好ましい。
画像表示装置にあっては、前記有機EL素子を表示素子として用いることが好ましい。
有機EL素子の製造方法にあっては、基板上に第一電極を形成し、前記基板上に有する第一電極を形成し、前記基板上に前記第一電極を区画する隔壁を形成し、前記画素領域状に少なくとも有機材料からなる発光層を含み、少なくとも一層をライン状パターンで印刷して発光媒体層を形成し、前記発光媒体層上に当該発光媒体層を覆うように第二電極を成膜して形成する有機EL素子の製造方法であって、前記隔膜として、前記ライン状パターンと平行で、前記基板側が先細りの逆テーパー形状を少なくとも一部に有する第一隔壁と、前記第一隔壁と直交に形成され、前記基板側が先太りの順テーパー形状を有する第二隔壁と、を形成することが好ましい。
Further, it is preferable that the second electrode is a transparent electrode, and the light emitting medium layer is formed between the first electrode and the second electrode.
In the image display device, the organic EL element is preferably used as a display element.
In the method for manufacturing an organic EL element, a first electrode is formed on a substrate, a first electrode is formed on the substrate, a partition that partitions the first electrode is formed on the substrate, The pixel region includes at least a light emitting layer made of an organic material, and at least one layer is printed in a line pattern to form a light emitting medium layer, and a second electrode is formed on the light emitting medium layer so as to cover the light emitting medium layer. A method for manufacturing an organic EL element formed by film formation, wherein the diaphragm is parallel to the line pattern and has at least part of a reverse tapered shape in which the substrate side is tapered, and the first partition. It is preferable to form a second partition wall formed in a direction perpendicular to each other and having a forward taper shape with a taper on the substrate side.
画像表示装置の製造方法にあっては、前記有機EL素子の製造方法を用いて、表示素子を形成することが好ましい。 In the manufacturing method of an image display apparatus, it is preferable to form a display element using the manufacturing method of the said organic EL element.
本発明によれば、隔壁が、発行媒体層のライン状パターンと平行に形成された、少なくとも一部に逆テーパー形状を有する第一隔壁と、前記第一隔壁と直交に形成された、順テーパー形状を有する第二隔壁によって構成されたことで、開口率が高く、発光効率が良好な有機EL素子及び画像表示装置を製造することが可能となる。 According to the present invention, the partition wall is formed in parallel with the line pattern of the issue medium layer, the first partition wall having an inversely tapered shape at least partially, and the forward taper formed orthogonal to the first partition wall. By being constituted by the second partition wall having a shape, it becomes possible to manufacture an organic EL element and an image display device having a high aperture ratio and good luminous efficiency.
以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。
なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
図1は、本発明に係る有機EL素子を用いた画像表示装置の一実施形態を示す縦断面図である。この断面は、図4のa−a断面に相当する。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
In each drawing used for the following description, the scale of each member is appropriately changed to make each member a recognizable size.
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an embodiment of an image display device using an organic EL element according to the present invention. This section corresponds to the section aa in FIG.
図1に示す有機EL素子を用いた表示装置50は、基板11、第一電極(陽極、画素電極)12、第一隔壁23A、第二隔壁23B、正孔輸送層14、発光層16、第二電極(陰極)17、発光媒体層19(図3a参照)、及び封止体28を含む。第一電極12は、基板11に画素毎に設けられている。第1隔壁23A、第2隔壁23Bからなる隔壁23は、第一電極12の画素間を区画する。正孔輸送層14は、第一電極12の上方に形成されている。発光層16は、正孔輸送層14の上に形成されている。第二電極17は、発光層16の全面を被覆するように形成されている。隔壁23は第一隔壁23A、第二隔壁23Bを含む。発光媒体層19は、正孔輸送層14、発光層16を含む。封止体28は、第二電極17を覆うように基板11と接触している。
A
封止体28としては、図1に示すように有機EL素子を覆う封止キャップ26を用いて、封止キャップ26内に不活性ガスが封入された構造が採用される。
図2は、本発明に係る有機EL素子を用いた画像表示装置の他の実施形態を示す縦断面図である。この断面は、図4のa−a断面に相当する。
図2に示す有機EL素子を用いた画像表示装置51は、前記図1に示す画像表示装置50と同様に電極、発光媒体層、及び隔壁を含む。表示装置51においては、第二電極17を覆うように樹脂層21が設けられ、樹脂層21を介して基板11に封止板29が貼り合わされている。この画像表示装置51においては、樹脂層21及び封止板29が封止体28を構成する。
As the sealing
FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing another embodiment of the image display device using the organic EL element according to the present invention. This section corresponds to the section aa in FIG.
The
図1及び図2においては、各画素に流す電流量を制御するためのスイッチング素子(薄膜トランジスタ)が第一電極に接続されている(不図示)。
以下の説明においては、第一電極12及び第二電極17の間に発光媒体層19が挟まれている領域を発光領域或いは有機EL素子と称し、隔壁23を含む有機EL素子のアレイ全体を表示領域と称する。
In FIG. 1 and FIG. 2, a switching element (thin film transistor) for controlling the amount of current flowing through each pixel is connected to the first electrode (not shown).
In the following description, a region where the light emitting
図1及び図2において、発光媒体層19は、第一電極(陽極)12と第二電極(陰極)17に挟まれた層である。図3に示す積層構造においては、正孔輸送層14及び発光層16が発光媒体層19に相当する。これ以外にも、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層等の層を適宜加えてもよい。
例えば、図1に示す構造においては、透明電極(陽極)12上に順に積層された正孔輸送層14と発光層16の二層によって発光媒体層19が構成されているが、正孔注入層と発光層16の二層によって発光媒体層19が構成されてもよい。また、正孔注入層、正孔輸送層14、及び発光層16が順次積層された三層によって発光媒体層19が構成されてもよい。また、一つの層が、上記複数の層の各々の機能を有していてもよい。例えば、発光媒体層19において、発光層16が正孔輸送機能を有してもよい。また、発光媒体層19が正孔注入層及び電子輸送層から構成され、正孔注入層及び電子輸送層の界面で発光する構成を採用してもよい。電極間に存在する層であって、電極間においてキャリア(正孔、電子)を移動させる層であれば、この層は、発光媒体層に該当する。
1 and 2, the
For example, in the structure shown in FIG. 1, the
発光媒体層19の膜厚は、発光層16単層から構成される場合も、多層構造の場合も、発光媒体層全体として10nm以上1000nm以下である。10nm未満である場合、第一電極12表面の算術平均粗さ(以下、表面粗さと称す)が大きいとき、膜形状が不均一になり第二電極17との間にリークパスが形成され、ショートが起こりやすくなる。1000nm超過である場合、発光媒体層19自体が高抵抗となり電流が流れづらく、輝度と発光効率が低下する。これらのことを踏まえると、好ましくは50〜500nmである。
The film thickness of the light emitting
図1及び図2に示す有機EL素子を用いた画像表示装置においては、パターニングされた電極毎に、赤(R)、緑(G)、青(B)の発光波長に対応するようにそれぞれパターニングされた発光層16R、16G、16Bが形成されている。これによって、フルカラー表示が可能な画像表示装置が実現される。このような表示方式以外の構造としては、青色発光層及び色素変換層を用いた色素変換方式を用いてもよい。また、白色に発光する複数の有機EL素子の各々に対応させて、カラーフィルタが設けられた構造を採用してもよい。
In the image display device using the organic EL element shown in FIGS. 1 and 2, each patterned electrode is patterned so as to correspond to the emission wavelengths of red (R), green (G), and blue (B). The
図3a及び図3bは、本発明の有機EL素子の積層部分、即ち、発光領域を示す断面図である。
図3aは、ボトムエミッション型の有機EL素子を示し、基板11上に第一電極12、発光媒体層19、及び第二電極17が順に積層された構造を示す。第一電極12、発光媒体層19、及び第二電極17がこの順番に積層されている発光媒体層19の構造において、正孔輸送層14及び発光層16以外にもインターレイヤ15、或いはその他の発光媒体層が各層の間に配置されてもよい。第二電極17は、光非透過性電極である。第二電極17の材料として金属等の反射率の高い材料を用いることにより、第二電極17に向けて発光された光を第二電極17で反射させて、光透過性電極である第一電極12を通じて、有機EL素子の外部へ発光光を出射することができる。このため、光取り出し効率を向上させることができる。
3a and 3b are cross-sectional views showing a laminated portion of the organic EL element of the present invention, that is, a light emitting region.
FIG. 3 a shows a bottom emission type organic EL device, which shows a structure in which a
図3bは、トップエミッション型の有機EL素子を示し、基板11上に反射層31、第一電極12、正孔輸送層14、インターレイヤ15、発光層16、及び第二電極17がこの順に積層されている。これらの層が、この順番に積層されている発光媒体層19の構造において、その他の層が複数の層の間に配置されてもよい。第二電極17は光透過性電極である。第一電極12に向けて発光された光は、第一電極12を透過して反射層で反射され、第二電極17を通じて、有機EL素子の外部へ出射される。一方、第二電極17に向けて発光された光は、同様に第二電極を透過して有機EL素子の外部へ出射される。
FIG. 3 b shows a top emission type organic EL device, in which a
以下の説明においては、ボトムエミッション型の有機EL素子を例として本発明を説明するが、基板11上に反射層31、光被透過性電極である第一電極12と第二電極17の材料として透明導電膜が用いられたトップエミッション型に本発明の構造を適用することも可能である。
以下に、本発明に係る有機EL素子及び画像表示装置に用いられる具体的な材料及び形成方法について説明する。
In the following description, the present invention will be described by taking a bottom emission type organic EL element as an example. However, as a material for the
Hereinafter, specific materials and forming methods used in the organic EL element and the image display device according to the present invention will be described.
基板11の材料は、例えば、ガラスや石英、ポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアリレート、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のプラスチックフィルムやシート、あるいは、トップエミッション型の有機EL素子の場合には、これに加えて、上記のプラスチックフィルムやシートに酸化珪素、酸化アルミニウム等の金属酸化物や、弗化アルミニウム、弗化マグネシウム等の金属弗化物、窒化珪素、窒化アルミニウム等の金属窒化物、酸窒化珪素等の金属酸窒化物、アクリル樹脂やエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂等の高分子樹脂膜を単層もしくは積層させた光透過性基板や、アルミニウムやステンレス等の金属箔、シート、板、プラスチックフィルムやシートにアルミニウム、銅、ニッケル、ステンレス等の金属膜を積層させた光非透過性基板等を用いることができる。なお、本発明においては、上記の材料に限定されず、他の材料が用いられてもよい。
The material of the
表示装置50がボトムエミッション型である場合、発光媒体層19において生じた発光光は、基板11に隣接する電極を通じて、表示装置50の外部に取り出される。一方、トップエミッション型の場合、発光光は、基板11と対向する電極を通じて、外部に取り出される。上記材料からなる基板11においては、表示装置50内への水分や酸素の浸入を防止するために、基板11全面もしくは片面に無機膜を形成する処理、或いは樹脂を塗布する処理等により、防湿処理又は疎水性処理が予め施されていることが好ましい。特に、発光媒体層19への水分の浸入を避けるために、基板11における含水率、水蒸気透過率及びガス透過係数が小さいことが好ましい。
When the
本発明に係る第一電極12は、基板11上に成膜され、必要に応じてパターニングによって形成される。第一電極12は、隔壁23によって区画され、各画素(サブピクセル)に対応した画素電極である。またフラットパネルディスプレイなどに表示装置50を用いる場合、基板11と第一電極12間にアクティブマトリクス駆動で発光を制御する為の薄膜トランジスタを形成し、前記薄膜トランジスタと第一電極12を接続しても良い。
The
第一電極12の材料としては、ITO(インジウムスズ複合酸化物)やIZO(インジウム亜鉛複合酸化物)、AZO(亜鉛アルミニウム複合酸化物)等の金属複合酸化物や、金、白金等の金属材料や、これら金属酸化物や金属材料の微粒子をエポキシ樹脂やアクリル樹脂等に分散した微粒子分散膜が使用される。また、第一電極12の構造としては、単層構造もしくは積層構造が採用される。また、オクチル酸インジウムやアセトンインジウム等の前駆体を前記基板上に塗布後、熱分解によって酸化物を形成する塗布熱分解法等により、第一電極12を形成することもできる。
Examples of the material of the
第一電極12が陽極である場合、有機EL素子の特性上、電荷注入が行いやすいようにITO等の仕事関数が高い材料を選択することが好ましい。アクティブマトリクス駆動の有機EL表示装置においては、第一電極12の材料が低抵抗の材料であることが好ましく、例えば、シート抵抗で20Ω・sq以下である材料が第一電極12の材料として好適に用いることが可能である。発光光は第一電極12を通過し、基材から放出されるため、第一電極12は高透過率であることが好ましい。透過率としては、反射率としては、可視光波長領域の全平均で70%以上であることが好ましく、80%以上であれば好適に反射層として用いることが可能である。
When the
第一電極12の形成方法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等のドライコーティング法又は、インクジェット印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法等のウェットコーティング法等、既存の成膜法を用いることができる。なお、本発明においては、上記の方法に限定されず、他の方法が用いられてもよい。なお、基板11の周辺に形成され、第一電極12に接続されている取り出し電極12’は、同一工程で、かつ、同一材料で形成することが可能である。
Depending on the material, the
第一電極12のパターニング方法としては、材料又は成膜方法に応じて、マスク蒸着法、フォトリソグラフィ法、ウェットエッチング法、ドライエッチング法等の既存のパターニング法が用いられる。また、必要に応じてUV処理、プラズマ処理等を用いて、第一電極12の表面を活性化させてもよい。
トップエミッション型の場合、第一電極12の下部に反射層31(図3b参照)を形成することが好ましい。反射層の材料としては、高反射率の材料を用いることが好ましく、例えば、Cr、Mo、Al、Ag、Ta、Cu、Ti、Niが採用される。また、反射層の構造としては、上記材料を一種以上含んだ単膜、積層膜、合金膜、上記材料からなる膜にSiO、SiO2、TiO2等の保護膜が形成された構造が採用される。反射率としては、可視光波長領域の全平均で80%以上であることが好ましく、90%以上であれば好適に反射層として用いることが可能である。
As a patterning method for the
In the case of the top emission type, it is preferable to form the reflective layer 31 (see FIG. 3b) below the
反射層の形成方法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等のドライコーティング法又は、インクジェット印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法等のウェットコーティング法等、既存の成膜法を用いることができる。なお、本発明においては、上記の方法に限定されず、他の方法が用いられてもよい。 As a method for forming the reflective layer, depending on the material, dry coating methods such as resistance heating vapor deposition, electron beam vapor deposition, reactive vapor deposition, ion plating, and sputtering, or ink jet printing, gravure printing, Existing film forming methods such as a wet coating method such as a screen printing method can be used. In the present invention, the present invention is not limited to the above method, and other methods may be used.
反射層のパターニング方法としては、材料又は成膜方法に応じて、マスク蒸着法、フォトリソグラフィ法、ウェットエッチング法、ドライエッチング法等の既存のパターニング法を用いることができる。
本発明に係わる隔壁23は図4aに示すように、第一隔壁23Aと第二隔壁23Bの2種類の隔壁により構成されている。各画素に対応した発光領域を区画するように隔壁23が形成されている。隔壁23は、複数の画素の各々を仕切る仕切部材として機能する。ウェットコーティング法によって発光媒体層を各画素に配置する場合、上記のように隔壁23が設けられているので、互いに隣接する画素間において混色を防ぐことが可能になる。また、隔壁23は逆テーパー形状を有する第一隔壁23Aと順テーパー形状を有する第二隔壁23Bの二層構造で設けられ、後述のように表示領域全面に形成される発光媒体層における画素領域内での膜厚均一性を向上させ、開口率を向上させる。
As a patterning method of the reflective layer, an existing patterning method such as a mask vapor deposition method, a photolithography method, a wet etching method, or a dry etching method can be used depending on the material or the film forming method.
As shown in FIG. 4A, the
隔壁23は、第一電極12の端部を覆うように形成されていることが好ましい。一般的に、アクティブマトリクス駆動の有機EL表示装置50においては、各画素に第一電極12が形成されており、各画素の面積をできるだけ広くするために、第一電極12の画素領域が露出されている面積を大きくしている。このため、隔壁23は、第一電極12の端部を覆うように形成されている。隔壁23の最も好ましい平面形状は、格子状である。隔壁23は、互いに隣接する画素電極12を区切るように画素電極12の間に配置されている。また各画素の第一電極12に接続されている薄膜トランジスタ(不図示)の保護層として機能させても良い。
The
第一隔壁23Aを構成する材料は無機材料や感光性樹脂材料が挙げられる。第一隔壁23Aの無機材料としては、具体的には、酸化シリコン、酸化スズ、酸化アルミ、酸化チタン等の無機酸化物、窒化シリコン、窒化チタン、窒化モリブデン等の無機窒化物、窒化酸化シリコンのような無機窒化酸化物といった材料があげられるが、これらに限定するものでは無い。これら無機材料のなかでも特に好適なのが窒化シリコン、酸化シリコン、酸化チタンである。また、有機EL素子の表示品位を向上させるために、遮光性を有する材料を上記の無機材料に含有させる、または第一隔壁23Aの底部、頭頂部、側面部など隔壁の一部または全てに形成しても良い。
Examples of the material constituting the
感光性樹脂材料としては、具体的にはポリイミド系、アクリル樹脂系、ノボラック樹脂系、フルオレン系といった材料が採用される。これらの材料を2種類以上で混合させた樹脂を用いても良い。これらの材料を用いたポジ型レジスト又はネガ型レジストのどちらも用いられる。なお、本発明においては、上記の材料に限定されず、他の材料が用いられてもよい。また有機EL素子の表示品位を向上させるために、遮光性を有する材料を感光性樹脂材料に含有させる、または第一隔壁23Aの底部、頭頂部、側面部など隔壁の一部または全てに形成しても良い。
Specific examples of the photosensitive resin material include polyimide, acrylic resin, novolac resin, and fluorene materials. A resin in which two or more of these materials are mixed may be used. Either a positive type resist or a negative type resist using these materials is used. In addition, in this invention, it is not limited to said material, Another material may be used. In order to improve the display quality of the organic EL element, a light-shielding material is contained in the photosensitive resin material, or formed on a part or all of the partition walls such as the bottom, top, and side portions of the
第一隔壁23Aを形成する方法として、無機材料ではスパッタリング法、プラズマCVD法、抵抗加熱蒸着法に代表されるドライコーティング法等の公知の真空成膜法、感光性樹脂材料ではスピンコーター、バーコーター、ロールコーター、ダイコーター、グラビアコーター等の公知の塗布方法を用いることができる。無機材料が含有されたインキを使用する場合、インキを塗布したのち、大気乾燥、加熱乾燥などの焼成工程で溶剤を除去し、隔壁の母体となる無機膜としても良い。
As a method for forming the
第一隔壁23Aを構成する逆テーパー構造を形成するには、無機材料では、反応性イオンビームエッチング、反応性ガスエッチング、反応性イオンエッチングなどに代表されるドライエッチング法を用いることができる。無機膜上に感光性樹脂を塗工し、露光、現像を行ってパターン形成し、パターンをマスクとしてエッチング箇所を限定する。また、腐食溶解する性質を持つ液体の薬品を使ったウェットエッチング法も用いることができる。しかしながら、等方性エッチングが支配的なウェットエッチング法よりも異方性エッチングにより側面形状を選択的に形成することが容易なドライエッチング法が好適に用いる事ができる。
In order to form the inverted taper structure constituting the
感光性樹脂材料では、マスクを用いた露光工程によって感光性樹脂材料がパターニングされ、露光された感光性樹脂材料は現像され、第一隔壁23Aのパターンが形成される。このように第一隔壁23Aのパターンを形成する工程としては、従来公知の露光、現像方法が用いられる。また、焼成工程においては、オーブン、ホットプレート等を用いる従来公知の方法を用いて第一隔壁23Aを焼成することができる。感光性樹脂材料の種類により露光波長は異なるが、逆テーパー構造を形成するにはネガ型感光性樹脂材料が好適に用いることが可能である。
In the photosensitive resin material, the photosensitive resin material is patterned by an exposure process using a mask, and the exposed photosensitive resin material is developed to form a pattern of the
第一隔壁23Aの最適な膜厚としては、隔壁材料の種類、第二隔壁の膜厚、発光媒体層の膜厚により異なるが、0.3μm以上5.0μm以下が適当である。0.3μm未満の膜厚においては、発光媒体層の膜厚よりも薄くなる可能性があり、第一隔壁自体が覆われ、発光に寄与しない電流が流れ、発光効率が低下し易くなる。5.0μm超過の膜厚においては、逆テーパー形状を有するため第一電極の対向電極を断線しやすくなる。隔壁の特性としては、絶縁性を有することが必要である。第一隔壁23Aが十分な絶縁性を有していない場合、第一隔壁23Aを通じて互いに隣接する画素電極12の間に電流が流れてしまい表示不良が発生する。隔壁材料などは厚みによっては導電性を有する材料があるため、絶縁性を確保するため0.5μm以上3.0μm以下が好ましい。更に1.0μm以上であれば好適に用いる事ができる。
The optimum film thickness of the
第二隔壁23Bを構成する材料としては感光性樹脂材料や無機材料が上げられる。感光性樹脂材料としては、具体的にはポリイミド系、アクリル樹脂系、ノボラック樹脂系、フルオレン系といった材料が採用される。これらの材料を2種類以上で混合させた樹脂を用いても良い。これらの材料を用いたポジ型レジスト又はネガ型レジストのどちらも用いられる。なお、本発明においては、上記の材料に限定されず、他の材料が用いられてもよい。また有機EL素子の表示品位を向上させるために、遮光性を有する材料を感光性樹脂材料に含有させる、または第二隔壁23Bの底部、頭頂部、側面部など隔壁の一部または全てに形成してもよい。
Photosensitive resin materials and inorganic materials can be used as the material constituting the
無機材料としては、具体的に、酸化シリコン、酸化スズ、酸化アルミ、酸化チタン等の無機酸化物、窒化シリコン、窒化チタン、窒化モリブデン等の無機窒化物、窒化酸化シリコンのような無機窒化酸化物といった材料があげられるが、これらに限定するものでは無い。これら無機材料のなかでも特に好適なのが窒化シリコン、酸化シリコン、酸化チタンである。また、有機EL素子の表示品位を向上させるために、遮光性を有する材料を上記の無機材料に含有させる、または第二隔壁23Bの底部、頭頂部、側面部など隔壁の一部または全てに形成してもよい。
Specific examples of the inorganic material include inorganic oxides such as silicon oxide, tin oxide, aluminum oxide, and titanium oxide, inorganic nitrides such as silicon nitride, titanium nitride, and molybdenum nitride, and inorganic nitride oxides such as silicon nitride oxide. However, the present invention is not limited to these materials. Of these inorganic materials, silicon nitride, silicon oxide, and titanium oxide are particularly suitable. Further, in order to improve the display quality of the organic EL element, a light-shielding material is included in the above-mentioned inorganic material, or formed on a part or all of the partition walls such as the bottom, top, and side portions of the
第二隔壁23Bを構成する材料としては、順テーパー形状を形成できれば良い。感光性樹脂材料の形成方法としては、スピンコーター、バーコーター、ロールコーター、ダイコーター、グラビアコーター等の公知の塗布方法を用いて塗布される。次に、マスクを用いた露光工程によって感光性樹脂材料がパターニングされ、露光された感光性樹脂材料は現像され、第二隔壁23Bのパターンが形成される。このように第二隔壁23Bのパターンを形成する工程としては、従来公知の露光、現像方法が用いられる。また、焼成工程においては、オーブン、ホットプレート等を用いる従来公知の方法を用いて第二隔壁23Bを焼成することができる。ポジ型感光性樹脂材料であれば順テーパー形状容易に形成でき、好適に用いることが可能である。
As a material constituting the
無機材料では、反応性イオンビームエッチング、反応性ガスエッチング、反応性イオンエッチングなどに代表されるドライエッチング法を用いることができる。無機膜上に感光性樹脂材料を塗工し、露光、現像を行いパターン形成し、パターンをマスクとしてエッチング箇所を限定する。このように従来公知の塗工方法、公知の露光、現像方法が用いられる。また、腐食溶解する性質を持つ液体の薬品を使ったウェットエッチング法も用いることができる。 For inorganic materials, dry etching methods represented by reactive ion beam etching, reactive gas etching, reactive ion etching, and the like can be used. A photosensitive resin material is coated on the inorganic film, exposed and developed to form a pattern, and the etching location is limited using the pattern as a mask. Thus, conventionally known coating methods, known exposure and development methods are used. In addition, a wet etching method using a liquid chemical having a property of being dissolved by corrosion can be used.
第二隔壁23Bを形成する際には、通常逆テーパー形状の第一隔壁23Aが形成されている。無機材料を用いた場合、第二隔壁に対応する材料を成膜したのち、前記第一隔壁頭頂部までの表面研磨が必要になるため、感光性樹脂材料を用いた前記第二隔壁形成方法が好適に用いる事が可能である。なお、本発明においては、上記の方法に限定されず、第二隔壁に相当する順テーパー形状の隔壁を形成した後、逆テーパー形状の隔壁を形成してもよい。
When forming the
第二隔壁23Bの最適な膜厚としては、隔壁材料の種類、第二隔壁の膜厚、発光媒体層の膜厚により異なるが、0.1μm以上5.0μm以下が適当である。0.1μm未満の膜厚においては、発光媒体層の膜厚よりも薄くなり、発光媒体層内に第一隔壁自体が覆われ、発光に寄与しない電流が流れ、発光効率が低下し易くなる。5.0μm超過の膜厚においては、第二電極の対向電極を断線しやすくなる。隔壁の特性としては、絶縁性を有することが必要である。第二隔壁23Bが十分な絶縁性を有していない場合、第一隔壁23Bを通じて互いに隣接する画素電極の間に電流が流れてしまい表示不良が発生する。隔壁材料などは厚みによっては導電性を有する材料があるため、絶縁性を確保するため0.3μm以上は必要であり、また後述する印刷性を得るためには、1.5μm以下が好ましい。
The optimum film thickness of the
第一電極12と隔壁23端部でのインキの濡れ広がり方は、画素電極表面を水平面として隔壁端部の角度が鈍角ならば水平方向に、鋭角ならば垂直方向に濡れ広がる。水平方向の濡れ上がりよりも、垂直方向の濡れ上がりが小さいため、隔壁を逆テーパー形状とすることで、隔壁内に成膜された発光媒体層が凹形状となることを緩和する。第一電極12周辺全ての隔壁を第一隔壁23Aと同様の逆テーパー形状にすることで、開口率を大きくすることは可能であるが、印刷方向に対して直交方向に鋭角な段差が存在すると、印刷性が低下し、被印刷基板への塗工液転写量が変動するため、結果として均一な発光が得られなくなる。
The way in which the ink wets and spreads at the ends of the
印刷性は前述したように印刷方向の被印刷基板表面に凹凸が形成されていると低下する。特に塗工ユニットである印刷版と被印刷基板を近づけて成膜する印刷法では、印刷面に鋭角な凹凸が存在すると印刷版を傷つける可能性がある。よって印刷方向に配置されている隔壁形状に角部を形成せずに、緩やかな曲面にすることで印刷性を確保できる。また、第二隔壁23Bの膜厚が厚いと鋭角な凹凸が存在しなくとも、印刷性が低下するため、1.5μm以下の膜厚だと好適に用いることが可能である。
As described above, the printability deteriorates when irregularities are formed on the surface of the substrate to be printed in the printing direction. In particular, in a printing method in which a printing plate, which is a coating unit, and a substrate to be printed are brought close to each other, there is a possibility that the printing plate may be damaged if sharp irregularities exist on the printing surface. Therefore, printability can be ensured by forming a gentle curved surface without forming corners in the partition wall shape arranged in the printing direction. Further, if the
隔壁を形成した後に陽極として用いている第一電極表面の洗浄と仕事関数の調整とを行うため、基板の前処理工程として、UV処理、プラズマ処理等を行なってもよい。正孔を効率よく発光媒体層に注入するためには、発光媒体層に接触する陽極の表面の仕事関数と、発光媒体層の仕事関数とが、近いことが好ましい。従って、表面処理が施された陽極の表面の仕事関数と、陽極に接する発光媒体層の仕事関数との差が0.5eV以下であることが好ましく、0.2eV以下であることがより好ましい。第一電極としてITOを用いる場合、表面処理前の仕事関数は約4.8eVである。これに対し、後述のように陽極上に発光媒体層として正孔輸送層又は正孔注入層を形成する場合、例えば、酸化モリブデンの仕事関数は約5.8eVである。従って、表面処理前の状態においては、陽極の仕事関数と正孔輸送層の仕事関数との差が大きすぎるため、正孔注入障壁が高くなり、正孔が注入され難い。そこで、表面処理によって陽極の仕事関数を高くし、陽極の仕事関数を正孔輸送層の仕事関数に近づける。 In order to clean the surface of the first electrode used as the anode and adjust the work function after forming the partition wall, UV treatment, plasma treatment, or the like may be performed as a substrate pretreatment step. In order to inject holes into the luminescent medium layer efficiently, it is preferable that the work function of the surface of the anode in contact with the luminescent medium layer is close to the work function of the luminescent medium layer. Therefore, the difference between the work function of the surface of the anode subjected to the surface treatment and the work function of the light emitting medium layer in contact with the anode is preferably 0.5 eV or less, and more preferably 0.2 eV or less. When ITO is used as the first electrode, the work function before the surface treatment is about 4.8 eV. On the other hand, when a hole transport layer or a hole injection layer is formed as a light emitting medium layer on the anode as described later, for example, the work function of molybdenum oxide is about 5.8 eV. Therefore, in the state before the surface treatment, the difference between the work function of the anode and the work function of the hole transport layer is too large, so that the hole injection barrier becomes high and holes are hardly injected. Therefore, the work function of the anode is increased by surface treatment, and the work function of the anode is brought close to the work function of the hole transport layer.
また、UV処理の光源としては、低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、エキシマランプ等が用いられる。本発明ではいずれの光源を用いてもよい。酸素プラズマ処理を用いる場合は、電力、圧力、プラズマ照射時間を調整することにより、陽極の仕事関数を所望に制御することが可能である。なお、酸素プラズマ処理を用いる場合、感光性樹脂材料などの材料によっては陽極の表面処理と同時に、隔壁23において多少のエッチング効果が生じる。このため、陽極の表面処理においては、隔壁23におけるエッチング効果を考慮して処理条件を調整する必要がある。表面処理した第一電極表面は、経時変化により元の状態に戻るため、陽極の表面処理は正孔輸送層14を形成する直前に行うことが好ましい。
As a light source for UV treatment, a low-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, an excimer lamp, or the like is used. Any light source may be used in the present invention. When oxygen plasma treatment is used, the work function of the anode can be controlled as desired by adjusting the power, pressure, and plasma irradiation time. When oxygen plasma treatment is used, some etching effects are produced in the
次に、正孔注入層は透明電極(陽極)から正孔を注入する機能を有する層であり、正孔輸送層は発光層に正孔を輸送する機能を有する層である。これらの層は、正孔注入機能と正孔輸送機能とを共に有する場合がある。この場合、これらの機能の程度に応じてどちらか一方の名称で、或いは両方の名称で機能層が称されている。本発明においては、正孔輸送層と称されている層は、正孔注入層も含む。 Next, the hole injection layer is a layer having a function of injecting holes from the transparent electrode (anode), and the hole transport layer is a layer having a function of transporting holes to the light emitting layer. These layers may have both a hole injection function and a hole transport function. In this case, the functional layer is referred to by either one name or both names depending on the degree of these functions. In the present invention, a layer called a hole transport layer also includes a hole injection layer.
正孔輸送層を構成する材料としては、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリビニルカルバゾール、ポリ(3、4−エチレンジオキシチオフェン)とポリスチレンスルホン酸との混合物等の高分子材料を用いることができる。高分子材料は、ウェットコーティング法による成膜工程に使用可能である。このため、正孔注入層又は正孔輸送層を形成する際に高分子材料を用いることが好ましい。このような高分子材料は、水又は溶剤によって分散或いは溶解され、分散液又は溶液として使用される。また、正孔輸送材料として無機材料を用いる場合、Cu2O、Cr2O3、Mn2O3、FeOx(x≧0.1)、NiO、CoO、Bi2O3、SnO2、ThO2、Nb2O5、Pr2O3、Ag2O、MoO2、ZnO、TiO2、V2O5、Nb2O5、Ta2O5、MoO3、WO3、MnO2等を用いることができる。 As a material constituting the hole transport layer, for example, a polymer material such as polyaniline, polythiophene, polyvinyl carbazole, a mixture of poly (3,4-ethylenedioxythiophene) and polystyrenesulfonic acid can be used. The polymer material can be used in a film forming process by a wet coating method. For this reason, it is preferable to use a polymer material when forming the hole injection layer or the hole transport layer. Such a polymer material is dispersed or dissolved in water or a solvent and used as a dispersion or solution. When an inorganic material is used as the hole transport material, Cu 2 O, Cr 2 O 3 , Mn 2 O 3 , FeO x (x ≧ 0.1), NiO, CoO, Bi 2 O 3 , SnO 2 , ThO 2 , Nb 2 O 5 , Pr 2 O 3 , Ag 2 O, MoO 2 , ZnO, TiO 2 , V 2 O 5 , Nb 2 O 5 , Ta 2 O 5 , MoO 3 , WO 3 , MnO 2, etc. are used. be able to.
正孔輸送層14から正孔輸送層の上層の発光媒体層(例えばインターレイヤや発光層)へ正孔を効率的に注入するために、正孔輸送層14の物性値として、正孔輸送層14が陽極(第一電極12)の仕事関数と同等以上の仕事関数を有することが好ましい。選択される陽極の材料に応じて、正孔輸送層14の適切な物性値は異なるが、4.5eV以上6.5eV以下の仕事関数を有する正孔輸送層14を用いることができる。陽極がITO又はIZOである場合、5.0eV以上6.0eV以下の仕事関数を有する正孔輸送層14が好適に用いることが可能である。また、ボトムエミッション構造では第一電極12を透過させて発光光が取り出されるため、正孔輸送層14の光透過性が低い場合には取り出し効率が低下する。このため、可視光波長領域において、正孔輸送層14の平均光透過性は、75%以上であることが好ましく、85%以上であればより好ましい。この他にも、導電率が10-2〜10-6S/cmであれば好適に用いることができる。
In order to efficiently inject holes from the
正孔輸送層14を形成する方法としては、基板11上の表示領域全面にスピンコート法、ダイコート法、ディッピング法、スリットコート法、ノズルプリント法、又は凸版印刷法等の印刷法が採用される。正孔輸送層14を形成する際には、前記正孔輸送材料が水、有機溶剤、或いはこれらの混合溶剤に溶解されたインキ(液体材料)が用いられる。有機溶剤としては、トルエン、キシレン、アニソール、メシチレン、テトラリン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、酢酸エチル、酢酸ブチル等が使用できる。また、インキには、界面活性剤、酸化防止剤、粘度調整剤、紫外線吸収剤等を添加してもよい。
As a method for forming the
正孔輸送層14が低分子有機材料や無機材料である場合には抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等のドライプロセスを用いて形成することができる。ドライプロセスで正孔輸送層14を形成した場合、上層への濡れ性を考慮して必要に応じて、プラズマ照射又はUV照射等の表面処理を施すと好適に用いることができる。
When the
発光効率の向上させるために電子ブロック層としてのインターレイヤ15を有機発光層16と正孔輸送層14の間に設けることが好ましい。トップエミッション型の素子構造においては、正孔輸送層14を形成した後に、インターレイヤ15を正孔輸送層14の上に積層することができる。通常、正孔輸送層14を被覆するように、インターレイヤ15は形成されるが、必要に応じてインターレイヤ15をパターニング形成してもよい。
In order to improve luminous efficiency, it is preferable to provide an
インターレイヤ15の材料としては、有機材料ではポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリアリーレン誘導体、アリールアミン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等の、芳香族アミンを含むポリマー等が挙げられる。これらの材料は低分子有機材料であるが、これらの材料を重合させ、高分子量化してもよい。また、無機材料では、Cu2O、Cr2O3、Mn2O3、NiO、CoO、Pr2O3、Ag2O、MoO2、ZnO、TiO2、V2O5、Nb2O5、Ta2O5、MoO3、WO3、MnO2等の遷移金属酸化物及びこれらの窒化物、硫化物を一種以上含んだ無機化合物が挙げられる。なお、本発明においては、上記の材料に限定されず、他の材料が用いられてもよい。
Examples of the material for the
インターレイヤ15の材料は、高分子有機材料の場合、溶媒に溶解され、又は安定に分散され、インターレイヤ塗工液として用いられる。インターレイヤの材料を溶解又は分散する溶媒としては、トルエン、キシレン、アセトン、アニソール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等の単独又はこれらの混合溶媒が用いられる。中でもトルエン、キシレン、アニソールといった芳香族有機溶媒が有機インターレイヤ材料の溶解性の観点から好適に用いられる。また、有機インターレイヤインキには、必要に応じて、界面活性剤、酸化防止剤、粘度調整剤、紫外線吸収剤等が添加されてもよい。
In the case of a polymer organic material, the material of the
これらインターレイヤの材料として、正孔輸送層14よりも仕事関数が同等以上である材料を選択することが好ましく、更に、有機発光層16よりも仕事関数が同等以下である材料を選択することがより好ましい。この理由は、正孔輸送層14から有機発光層16に向けてキャリアが注入される時に、不必要な注入障壁を形成しないためである。また、有機発光層16から発光に寄与できなかった電荷を閉じ込める効果を得るため、バンドギャップが3.0eV以上である材料を採用することが好ましく、3.5eV以上である材料を採用することより好ましい。
As a material for these interlayers, it is preferable to select a material having a work function equal to or higher than that of the
インターレイヤ15の形成方法としては、基板11上の表示領域全面にスピンコート法、ダイコート法、ディッピング法、スリットコート法、ノズルプリント法、又は凸版印刷法等の印刷法が採用される。インターレイヤ15を形成する際には、前記インターレイヤ材料が水、有機溶剤、或いはこれらの混合溶剤に溶解された塗工液が用いられる。
インターレイヤ15が低分子有機材料や無機材料である場合には抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等のドライプロセスを用いて形成することができる。ドライプロセスでインターレイヤ15を形成した場合、上層への濡れ性を考慮して必要に応じて、プラズマ照射又はUV照射等の表面処理を施すと好適に用いることができる。
As a method for forming the
When the
発光層16においては、第一電極12及び第二電極17の間に印加された電圧によって注入された電子と正孔とが再結合され、この再結合の際に生じる発光光が得られる。発光光は、透光性の電極を透過し、有機EL素子の外部に出射される。互いに隣接する画素の各々に形成される発光層が異なる場合、例えば、RGBのフルカラー表示の表示装置においては、各発光層16R、16G、16Bが第一電極12の各々の画素領域にパターニングによって形成される。
In the
発光層16の材料としては、クマリン系、ペリレン系、ピラン系、アンスロン系、ポルフィリン系、キナクドリン系、N、N’−ジアルキル置換キナクドリン系、ナフタルイミド系、N、N’−ジアリール置換ピロロピロール系等の発光性色素をポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルカルバゾール等の高分子中に溶解させたものが使用できる。また、発光層16の材料としては、デンドリマー材料、PPV系やPAF系、ポリパラフェニレン系等の高分子有機材料を用いることも可能である。また、発光層16の材料は、水又は溶剤に可溶である材料であることが好ましい。
Examples of the material of the
上述した高分子材料に加え、9、10−ジアリールアントラセン誘導体、ピレン、コロネン、ペリレン、ルブレン、1、1、4、4−テトラフェニルブタジエン、トリス(8−キノラート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−8−キノラート)アルミニウム錯体、ビス(8−キノラート)亜鉛錯体、トリス(4−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノラート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−5−シアノ−8−キノラート)アルミニウム錯体、ビス(2−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノリノラート)[4−(4−シアノフェニル)フェノラート]アルミニウム錯体、ビス(2−メチル−5−シアノ−8−キノリノラート)[4−(4−シアノフェニル)フェノラート]アルミニウム錯体、トリス(8−キノリノラート)スカンジウム錯体、ビス[8−(パラ−トシル)アミノキノリン]亜鉛錯体及びカドミウム錯体、1、2、3、4−テトラフェニルシクロペンタジエン、ポリ−2、5−ジヘプチルオキシ−パラ−フェニレンビニレン等の低分子系発光材料が使用できる。 In addition to the polymer materials described above, 9,10-diarylanthracene derivatives, pyrene, coronene, perylene, rubrene, 1,1,4,4-tetraphenylbutadiene, tris (8-quinolato) aluminum complex, tris (4-methyl) -8-quinolate) aluminum complex, bis (8-quinolate) zinc complex, tris (4-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolate) aluminum complex, tris (4-methyl-5-cyano-8-quinolate) Aluminum complex, bis (2-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolinolato) [4- (4-cyanophenyl) phenolate] aluminum complex, bis (2-methyl-5-cyano-8-quinolinolato) [4- (4-Cyanophenyl) phenolate] aluminum complex, tris (8-quino) Norato) scandium complex, bis [8- (para-tosyl) aminoquinoline] zinc complex and cadmium complex, 1,2,3,4-tetraphenylcyclopentadiene, poly-2,5-diheptyloxy-para-phenylene vinylene A low molecular weight light emitting material such as
これらの発光層の材料は、溶媒に溶解され、又は安定に分散され、有機発光塗工液として用いられる。有機発光材料を溶解又は分散する溶媒としては、トルエン、キシレン、アセトン、アニソール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等の単独又はこれらの混合溶媒が用いられる。中でもトルエン、キシレン、アニソールといった芳香族有機溶媒が有機発光材料の溶解性の観点から好適に用いられる。また、有機発光塗工液には、必要に応じて、界面活性剤、酸化防止剤、粘度調整剤、紫外線吸収剤等が添加されてもよい。 These materials for the light emitting layer are dissolved in a solvent or stably dispersed, and used as an organic light emitting coating solution. As the solvent for dissolving or dispersing the organic light-emitting material, toluene, xylene, acetone, anisole, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, or the like alone or a mixed solvent thereof is used. Among them, aromatic organic solvents such as toluene, xylene, and anisole are preferably used from the viewpoint of solubility of the organic light emitting material. Moreover, surfactant, antioxidant, a viscosity modifier, a ultraviolet absorber, etc. may be added to an organic light emitting coating liquid as needed.
各発光層16の材料が低分子有機材料である場合においては、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法等のドライプロセスを用いて発光層16を形成することも可能である。各発光層16の材料が高分子有機材料又は低分子有機材料を高分子に分散させた材料である場合においては、スピンコート法、ダイコート法、ディッピング法、スリットコート法、ノズルプリント法、又は凸版印刷法等の印刷法を用いて発光層16を形成することができる。
When the material of each light emitting
電子注入層は、陰極から電子を輸送する機能を有する層である。電子輸送層は、発光層に電子を輸送する機能を有する層である。これらの層は、電子輸送機能と電子注入機能とを共に有する場合がある。この場合、これらの機能の程度に応じてどちらか一方の名称で、或いは両方の名称で機能層が称されている。
このような電子注入層又は電子輸送層を構成する材料としては、例えば、1、2、4−トリアゾール誘導体(TAZ)等のニトロ置換フルオレン、ジフェニルキソン誘導体等が挙げられる。
The electron injection layer is a layer having a function of transporting electrons from the cathode. The electron transport layer is a layer having a function of transporting electrons to the light emitting layer. These layers may have both an electron transport function and an electron injection function. In this case, the functional layer is referred to by either one name or both names depending on the degree of these functions.
Examples of the material constituting such an electron injection layer or electron transport layer include nitro-substituted fluorenes such as 1,2,4-triazole derivatives (TAZ), diphenylxone derivatives, and the like.
次に、発光媒体層19または電子注入層上に、本発明に係る第二電極(対向電極)17を形成した。アクティブマトリクス駆動の有機EL表示装置においては、第二電極は表示領域の全面に形成される。第二電極17の具体的な材料としては、Mg、Al、Yb等の金属単体が用いられる。また、第二電極17と発光媒体層19との間の界面にLi、酸化Li、LiF等の仕事関数が低い金属の酸化物、フッ化物、窒化物などの化合物が1nm程度形成され、安定性・導電性の高いAl又はCuがこの化合物に積層された構造を採用してもよい。また、電子注入効率と安定性とを両立させるため、仕事関数が低いLi、Mg、Ca、Sr、La、Ce、Er、Eu、Sc、Y、Yb等の金属1種以上と、安定なAg、Al、Cu等の金属元素との合金系を用いてもよい。具体的に、MgAg、AlLi、CuLi等の合金を使用することができる。また、ITO(インジウムスズ複合酸化物)、IZO(インジウム亜鉛複合酸化物)、AZO(亜鉛アルミニウム複合酸化物)等の金属複合酸化物からなる透明導電膜を用いることができる。
Next, the second electrode (counter electrode) 17 according to the present invention was formed on the light emitting
トップエミッション構造を有する有機EL表示装置においては、発光媒体層19から発光された光は、第二電極17を透過する。このため、第二電極17は、可視光波長領域において光透過性を有する必要がある。このため、透明導電膜の膜厚については、可視光波長領域において80%以上の平均光透過性が得られるように膜厚を調節することが好ましい。第二電極17の材料として、Mg、Al、Yb等の金属単体を用いる場合には、膜厚は20nm以下であることが好ましく、2〜7nm以内であることがより好ましい。金属膜の場合の膜厚については、可視光波長領域において70%以上の平均光透過性が得られるように膜厚を調節することが好ましい。
In the organic EL display device having the top emission structure, the light emitted from the light emitting
第二電極17の形成方法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法等のドライプロセスを用いて形成することも可能である。またはスピンコート法、ダイコート法、ディッピング法、スリットコート法、ノズルプリント法、又は凸版印刷法等の印刷法を用いることができる。なお、本発明においては、上記の方法に限定されず、他の方法が用いられてもよい。
As a method for forming the
封止体28は、例えば、第一電極12、隔壁23、発光媒体層19、及び第二電極17が形成された基板11に設けられる。具体的に、基板11の周辺部において、封止体28と基板11とが接着され、封止体28と基板11とが封止される。
トップエミッション構造を有する有機EL表示装置においては、発光媒体層から出射された光は、基板11とは反対側に位置する封止体28を透過し、有機EL表示装置の外部に取り出される。このため、可視光波長領域において高い光透過性が必要である。可視光波長領域において85%以上の平均光透過性が得られていることが好ましい。
For example, the sealing
In the organic EL display device having the top emission structure, the light emitted from the light emitting medium layer passes through the sealing
封止体28の構造として、凹部を有するガラスキャップ又は金属キャップ等の封止キャップ26を用いる場合について説明する。この場合、封止キャップ26の内側の空間に、第一電極12、隔壁23、発光媒体層19、及び第二電極17が配置されるように、封止キャップ26の周辺部と基板11の周辺部と接続され、封止キャップ26と基板11との空間が封止される。封止キャップ26と基板11とは、接着剤を用いて接着される。また、凹部内には、吸湿剤が形成され、窒素ガス等の不活性ガスが充填される。これによって、水分、ガス等が凹部内に浸入することに起因する有機EL素子の劣化を防ぐことができる。
A case where a sealing
また、封止構造として、封止板29及び樹脂層21が用いられた構造を採用してもよい。この場合、第一電極12、隔壁23、発光媒体層19、及び第二電極17が形成された基板11と封止板29との間に樹脂層21が設けられた構造が採用される。この構造を形成する方法としては、封止板29上に樹脂層21を形成し、樹脂層21と基板11とを対向させながら、封止板29と基板11とが貼り合わせる方法が挙げられる。
Moreover, you may employ | adopt the structure where the sealing
封止体28の材料としては、水分や酸素の透過性が低い基板が用いられる。また、材料の一例として、アルミナ、窒化ケイ素、窒化ホウ素等のセラミックス、無アルカリガラス、アルカリガラス等のガラス、石英、耐湿性フィルム等を挙げることができる。耐湿性フィルムの例として、プラスチック基板の両面にSiOxをCVD法等の既知のドライコーティング法や、ロールコーター法等の既知のウェットコーティング法で形成したフィルム、光透過性の小さいフィルム、吸水性のあるフィルム、又は吸水剤が塗布された重合体フィルム等が挙げられる。耐湿性フィルムの水蒸気透過性は、1×10-6g/m2/day以下であることが好ましい。
As the material of the sealing
樹脂層21の材料としては、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン樹脂等からなる光硬化型接着性樹脂、熱硬化型接着性樹脂、2液硬化型接着性樹脂や、エチレンエチルアクリレート(EEA)ポリマー等のアクリル系樹脂、エチレンビニルアセテート(EVA)等のビニル系樹脂、ポリアミド、合成ゴム等の熱可塑性樹脂や、ポリエチレンやポリプロピレンの酸変性物等の熱可塑性接着性樹脂を挙げることができる。樹脂層21を封止板29の上に形成する方法の一例として、溶剤溶液法、押出ラミ法、溶融・ホットメルト法、カレンダー法、ノズル塗布法、スクリーン印刷法、真空ラミネート法、熱ロールラミネート法等を挙げることができる。必要に応じて吸湿性や吸酸素性を有する材料を樹脂層21の材料に含有、表面に形成させることもできる。封止板29上に形成される樹脂層21の厚みは、封止される有機EL素子の大きさや形状に応じて任意に決定されるが、2〜500μm程度が望ましい。
Examples of the material of the
第一電極12、隔壁23、発光媒体層19、及び第二電極17が形成された基板11と封止体28とを貼り合わせる工程は、不活性ガス雰囲気下あるいは真空下において行われることが好ましい。封止体28の構造として封止板29と樹脂層21からなる2層構造を採用し、樹脂層21の材料として熱可塑性樹脂を使用した場合においては、加熱されたロールを用いて封止体28を基板11に圧着することが好ましい。
The step of bonding the
一方、樹脂層21の材料として熱硬化型接着樹脂を使用した場合は、加熱されたロールを用いて封止体28を基板11に圧着した後、さらに硬化温度で加熱硬化を行うことが好ましい。
更に、樹脂層21の材料として光硬化性接着樹脂を使用した場合は、ロールを用いて封止体28を基板11に圧着した後、さらに光を光硬化性接着樹脂に照射することによって樹脂を硬化することができる。なお、上記の方法においては、封止板29上に樹脂層21を形成したが、基板11上に樹脂層21を形成し、封止板29と基板11とを貼り合わせることも可能である。
On the other hand, when a thermosetting adhesive resin is used as the material of the
Further, when a photocurable adhesive resin is used as the material of the
封止板29を用いて基板11上の有機EL素子を封止する前工程として、又は上記のような封止工程に代えて、例えば、パッシベーション膜からなる封止体28を形成してもよい。この場合、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法又はCVD法等のドライプロセスを用いて、窒化珪素膜、酸化珪素膜、窒化酸化珪素膜等の無機薄膜からなるパッシベーション膜が形成される。また、パッシベーション膜と上記の封止構造とが組み合わされた構造を採用することも可能である。パシベーション膜の膜厚としては、例えば、0.5μ〜5.0μmに設定される。パシベーション膜の透湿性、水蒸気光透過性等に応じて適した膜厚は異なるが、1.0μ〜3.0μmの膜厚が好適である。トップエミッション型の構造においては、上記の特性に加え、光透過性を考慮して封止構造における材料の種類を選択して膜厚を調整する必要がある。可視光波長領域において、全平均の光透過性は70%以上であることが好ましい。
For example, a sealing
なお、本発明の技術範囲は、上記実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
次に、上述した本発明の有機EL表示装置の実施例について説明する。なお本発明は下記の実施例によって制限されない。ここでは、実施例1と比較例1を参照し、有機EL素子の実施例について説明する。
The technical scope of the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
Next, examples of the organic EL display device of the present invention described above will be described. In addition, this invention is not restrict | limited by the following Example. Here, examples of organic EL elements will be described with reference to Example 1 and Comparative Example 1.
[実施例1]
まず、対角が2.2インチサイズのガラス基板(透光性基板)を準備した。このガラス基板上に、スパッタ法を用いてITO(インジウム−錫酸化物)薄膜を基板全面に形成した。次にフォトリソグラフィ法と酸溶液によるエッチング法とを用いてITO薄膜をパターニングした。これによって、複数のラインパターンを有する画素電極を形成した。この複数のラインパターンにおいて、線幅は136μmであり、互いに隣接する線の間隔は30μmである。約40mm角であるガラス基板上には、192本のITOラインが形成されている。
[Example 1]
First, a glass substrate (translucent substrate) having a diagonal size of 2.2 inches was prepared. An ITO (indium-tin oxide) thin film was formed on the entire surface of the glass substrate by sputtering. Next, the ITO thin film was patterned using a photolithography method and an etching method using an acid solution. Thereby, pixel electrodes having a plurality of line patterns were formed. In the plurality of line patterns, the line width is 136 μm, and the interval between adjacent lines is 30 μm. On the glass substrate which is about 40 mm square, 192 ITO lines are formed.
次に、第一隔壁23Aを以下のように形成した。基板全面が成膜されるように、CVD法を用いてSiNを成膜した。CVD法においては、純度99.9999のSiH4、NH3、H2ガスを用いた。チャンバ内の基板はホットプレートにより加熱し、基板表面が130℃になるように調節を行った。プラズマ電力を1.5kWで500秒間成膜すること1.5μmの膜厚を得た。この時、真空度は150PaとなるようにSiH4、NH3、H2を1:2:10の比率で供給した。形成されたSiN膜はITOと基板表面の段差により凹凸となっている為、表面研磨を行い基板面から1.3μmまで平坦化処理を行った。
Next, the
平坦化処理を行った第一隔壁上にボジ型感光性レジスト(日本ゼオン製、ZEP520A)を全面にスピンコートした。スピンコート条件として、4000rpmで50秒間回転させた後、ホットプレートにより180℃で5分間ベーキングを行い薄膜とした。レジスト膜形成後に、画素電極パターンの長辺と平行となる部分のみを残して露光、現像、洗浄を行い、レジストパターンを形成した。 A body-type photosensitive resist (ZEP520A, manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.) was spin coated on the entire surface of the first partition wall subjected to the planarization treatment. As spin coating conditions, the film was rotated at 4000 rpm for 50 seconds, and then baked on a hot plate at 180 ° C. for 5 minutes to form a thin film. After the resist film was formed, exposure, development, and washing were performed, leaving only portions parallel to the long sides of the pixel electrode pattern, thereby forming a resist pattern.
レジストパターン形成後、反応性イオンエッチングにより第一隔壁の逆テーパー形状を形成する。反応性ガスはフッ素と酸素を用いた。フッ素ガス及び酸素ガスの混合ガスをチャンバ内に導入する。各流量を調整し、フッ素ガスの流量を100sccmとし、酸素ガスの流量を400sccmとし、チャンバ内の圧力が10Paになるように調節を行った。また、高周波電源から13.56MHzの高周波電力700Wを印加した。隔壁部以外の窒化シリコン膜がドライエッチングにより除去され、基板からのテーパー角度が150度となり、頭頂部が37μm、底部が34μmの逆テーパー形状の第一隔壁23Aが形成された。ドライエッチングの後、レジストの剥離を行った。
After forming the resist pattern, a reverse tapered shape of the first partition is formed by reactive ion etching. The reactive gas used fluorine and oxygen. A mixed gas of fluorine gas and oxygen gas is introduced into the chamber. Each flow rate was adjusted, the fluorine gas flow rate was set to 100 sccm, the oxygen gas flow rate was set to 400 sccm, and the pressure in the chamber was adjusted to 10 Pa. Moreover, high frequency power 700W of 13.56 MHz was applied from the high frequency power supply. The silicon nitride film other than the partition wall was removed by dry etching to form a
次に、第二隔壁23Bを以下のように形成した。基板全面にポジ型感光性ポリイミド(東レ社製フォトニース、DL−1000)をスピンコートした。スピンコートの条件として、ガラス基板を110rpmで5秒間回転させた後に、ガラス基板を450rpmで20秒間回転させた。ポジ型感光性ポリイミドの膜厚は1.5μmである。第一隔壁23Aと直行するようなフォトマスクを準備し、フォトリソグラフィ法を用いて基板の全面に塗布された感光性樹脂材料をi線ステッパーにより200mJ/cm2露光した。露光した後現像を行い、オーブンを用いて、230℃30分の条件で焼成し、第一隔壁23A間に第二隔壁23Bを得た。こうして形成された第二隔壁は、頭頂部からの順テーパー形状角度が50度となり、頭頂部が21μm、底部が30μm、膜厚が1.3μmとなった。
Next, the
次に、ITOの表面処理として、紫外線照射を行った。UV/O3洗浄装置を用いて隔壁が形成されたガラス基板に紫外線照射を3分間行った。紫外線照射前のITOの仕事関数は、4.8eVであった。紫外線照射前のITOの仕事関数は、5.3eVであった。
次に、正孔輸送層14を形成した。正孔輸送層14を構成する無機材料として酸化モリブデンを用いた。表示領域の全面が成膜されるように、スパッタリング法を用いて無機材料を20nm成膜した。スパッタリング法おいては、純度99.9%のモリブデン金属ターゲットを用いて、不活性ガスであるアルゴンと反応性ガスである酸素をスパッタリング装置のチャンバ内に供給した。また、リアクティブDCマグネトロンスパッタ法を用いて酸化モリブデンをアクティブマトリックス基板101上に成膜した。ターゲットの電力密度は、1.3W/cm2である。チャンバ内に供給される混合ガスの比率としては、アルゴンが2であるのに対して、酸素が1である。スパッタリング時の真空度が0.3Paとなるように、チャンバに設けられた排気バルブを調整し、チャンバに供給されるガスの量を調節した。酸化モリブデンの膜厚は、スパッタリング時間を調整することにより、制御した。パターニング工程においては、33mm×33mmの開口を有するメタルマスクを用いた。
Next, ultraviolet irradiation was performed as a surface treatment of ITO. The glass substrate on which the partition walls were formed was irradiated with ultraviolet rays for 3 minutes using a UV / O 3 cleaning device. The work function of ITO before ultraviolet irradiation was 4.8 eV. The work function of ITO before ultraviolet irradiation was 5.3 eV.
Next, the
次に、有機発光材料として、ポリフェニレンビニレン誘導体を採用し、この材料の濃度が1%になるように、この材料がトルエンに溶解された有機発光インキを準備した。このインキ用いて、第一隔壁と画素電極が配置されている方向に一致するように、凸版印刷法を用いて発光層を印刷した。印刷工程の後に乾燥された発光層の膜厚は、100nmであった。 Next, a polyphenylene vinylene derivative was employed as the organic light emitting material, and an organic light emitting ink in which this material was dissolved in toluene was prepared so that the concentration of this material was 1%. Using this ink, a light emitting layer was printed using a relief printing method so as to coincide with the direction in which the first partition and the pixel electrode are arranged. The film thickness of the light emitting layer dried after the printing process was 100 nm.
次に、発光層の上にCa、Alからなる陰極層のラインパターンを形成した。具体的には、陰極層のラインパターンと画素電極のラインパターンとが直交するように、抵抗加熱蒸着法を用いるマスク蒸着によって陰極層を形成した。
最後に、外部の酸素又は水分から保護するために、上記のように形成された有機EL構成体を、ガラスキャップと接着剤とを用いて密閉封止し、有機EL表示装置を作製した。
Next, a cathode layer line pattern made of Ca and Al was formed on the light emitting layer. Specifically, the cathode layer was formed by mask vapor deposition using resistance heating vapor deposition so that the line pattern of the cathode layer and the line pattern of the pixel electrode were orthogonal to each other.
Finally, in order to protect from external oxygen or moisture, the organic EL structure formed as described above was hermetically sealed using a glass cap and an adhesive to produce an organic EL display device.
このように得られた有機EL表示装置の表示領域の周辺部においては、画素電極毎に接続されている陽極側の取り出し電極と、陰極層に接続されている陰極側の取り出し電極とが設けられている。これら取り出し電極を電源に接続し、有機EL表示素子を点灯かつ表示させ、点灯状態及び表示状態を確認した。
このように得られた有機EL素子を駆動したところ、7Vの駆動電圧で、750cd/cm2の輝度が得られ、発光効率は12cd/Aであった。発光画素を撮影した画像の発光面積と、設計の画素電極面積から開口率を計算した結果、75%となった。
In the periphery of the display area of the organic EL display device thus obtained, an anode-side extraction electrode connected to each pixel electrode and a cathode-side extraction electrode connected to the cathode layer are provided. ing. These extraction electrodes were connected to a power source, the organic EL display element was turned on and displayed, and the lighting state and the display state were confirmed.
When the organic EL element thus obtained was driven, a luminance of 750 cd / cm 2 was obtained at a driving voltage of 7 V, and the luminous efficiency was 12 cd / A. As a result of calculating the aperture ratio from the light emitting area of the image obtained by photographing the light emitting pixels and the designed pixel electrode area, it was 75%.
[比較例1]
まず、実施例1と同様に、ガラス基板を準備し、画素電極を形成した。
次に、比較例1においては、逆テーパー形状の第一隔壁23Aを形成せずに、基板全面にポジ型感光性ポリイミド(東レ社製フォトニース、DL−1000)をスピンコートした。スピンコートの条件として、ガラス基板を110rpmで5秒間回転させた後に、ガラス基板を450rpmで20秒間回転させた。ポジ型感光性ポリイミドの膜厚は1.5μmである。実施例1の第一隔壁23Aと第二隔壁23Bを合わせたパターンになるように露光、現像と行い隔壁23を得た。こうして形成された隔壁は、基板表とのテーパー角度が45度となり、頭頂部が15μm、底部が35μm、膜厚が1.3μmとなった。
[Comparative Example 1]
First, as in Example 1, a glass substrate was prepared and a pixel electrode was formed.
Next, in Comparative Example 1, a positive photosensitive polyimide (Photo Nice, DL-1000 manufactured by Toray Industries, Inc.) was spin-coated on the entire surface of the substrate without forming the first tapered
次に、実施例1と同様に、ITOの表面処理、正孔輸送層、発光層、及び陰極層を形成した。
このように得られた有機EL表示素子を駆動したところ、7Vの駆動電圧で、500cd/cm2の輝度が得られ、発光効率は10cd/Aであった。発光画素を撮影した画像の発光面積と、設計の画素電極面積から開口率を計算した結果、55%となった。
Next, as in Example 1, a surface treatment of ITO, a hole transport layer, a light emitting layer, and a cathode layer were formed.
When the organic EL display device thus obtained was driven, a luminance of 500 cd / cm 2 was obtained at a driving voltage of 7 V, and the light emission efficiency was 10 cd / A. As a result of calculating the aperture ratio from the light emitting area of the image obtained by photographing the light emitting pixels and the designed pixel electrode area, it was 55%.
次に、実施例2と比較例2を参照し、アクティブマトリクス駆動型有機EL表示装置の例である有機EL表示装置の実施例について説明する。
[実施例2]
まず、アクティブマトリクス基板を準備した。このアクティブマトリクス基板においては、第一電極(画素電極)としてITO薄膜が形成されており、ITO薄膜は基板内部のTFTと接続されている。表示領域のサイズは対角6インチであり、画素数は320×240である。
Next, with reference to Example 2 and Comparative Example 2, an example of an organic EL display device which is an example of an active matrix driving type organic EL display device will be described.
[Example 2]
First, an active matrix substrate was prepared. In this active matrix substrate, an ITO thin film is formed as a first electrode (pixel electrode), and the ITO thin film is connected to a TFT inside the substrate. The size of the display area is 6 inches diagonal, and the number of pixels is 320 × 240.
次に、基板上に設けられている第一電極の端部を被覆するように、かつ、複数の画素の各々を区画するように隔壁を形成した。実施例1と同様に第一隔壁と第二隔壁の二層を形成し、この隔壁(第一隔壁、第二隔壁)によって、サブピクセル数が960×240ドットであり、0.12mm×0.36mmの面積を有する画素領域が区画された。TFTを駆動させるためには、TFT上に絶縁層を形成する必要があるが、前記隔壁がTFTの絶縁層としての機能を兼ねてもいる。 Next, a partition wall was formed so as to cover the end portion of the first electrode provided on the substrate and to partition each of the plurality of pixels. Two layers of a first partition and a second partition were formed in the same manner as in Example 1, and by this partition (first partition, second partition), the number of subpixels was 960 × 240 dots, 0.12 mm × 0. A pixel region having an area of 36 mm was defined. In order to drive the TFT, it is necessary to form an insulating layer on the TFT. However, the partition also functions as the insulating layer of the TFT.
隔壁が形成されたアクティブマトリックス基板上に実施例1と同様にUV/O3洗浄を行った。
UV/O3洗浄が施されたアクティブマトリックス基板に、実施例1と同様に正孔輸送層を形成した。酸化モリブデンの膜厚は30nmとした。
アクティブマトリックス基板上の表示領域全面が成膜されるように116mm×87mmの開口を有するメタルマスクを用いてパターニングを行った。
In the same manner as in Example 1, UV / O 3 cleaning was performed on the active matrix substrate on which the partition walls were formed.
A hole transport layer was formed on the active matrix substrate that had been subjected to UV / O 3 cleaning in the same manner as in Example 1. The film thickness of molybdenum oxide was 30 nm.
Patterning was performed using a metal mask having an opening of 116 mm × 87 mm so that the entire display region on the active matrix substrate was formed.
次に、インターレイヤの材料としてポリビニルカルバゾール誘導体を採用し、この材料の濃度が0.5%になるように、この材料をトルエンに溶解させた。これによって、インターレイヤの材料となるインキを得た。
次に、画素電極、隔壁、及び正孔輸送層が形成された基板を被印刷基板602として、図6に示す凸版印刷装置600にセッティングした。
Next, a polyvinyl carbazole derivative was employed as an interlayer material, and this material was dissolved in toluene so that the concentration of this material was 0.5%. As a result, an ink serving as an interlayer material was obtained.
Next, the substrate on which the pixel electrodes, the partition walls, and the hole transport layer were formed was set as the
凸版印刷装置600は、アニロックスロール605と、ドクタ606と、感光性樹脂で形成された凸版607と、版胴608とを含む。アニロックスロール605の表面には、インキ層609が塗布される。
被印刷基板602上には、隔壁で囲まれた画素電極が形成され、画素電極上には、正孔輸送層が形成されている。
The
A pixel electrode surrounded by a partition wall is formed on the substrate to be printed 602, and a hole transport layer is formed on the pixel electrode.
上記インキを用いて、第一隔壁と画素電極が配置されている方向に一致するように、インターレイヤを正孔輸送層上に凸版印刷法を用いて印刷した。このような凸版印刷法においては、300線/インチのアニロックスロール605及び凸版607を使用した。インキが印刷され、かつ、インキが乾燥された後のインターレイヤの膜厚は、20nmであった。
Using the ink, the interlayer was printed on the hole transport layer using a relief printing method so as to coincide with the direction in which the first partition and the pixel electrode were arranged. In such a relief printing method, 300 lines /
次に、有機発光層の有機発光材料として、ポリフェニレンビニレン誘導体を採用し、この材料の濃度が1%になるように、この材料をトルエンに溶解させた。これによって、有機発光層の材料となる有機発光インキを得た。
次に、画素電極102、隔壁203、正孔輸送層104、及びインターレイヤ105が形成された基板101を被印刷基板602として、図6に示す凸版印刷装置600にセッティングした。
Next, a polyphenylene vinylene derivative was adopted as the organic light emitting material of the organic light emitting layer, and this material was dissolved in toluene so that the concentration of this material was 1%. As a result, an organic light emitting ink as a material for the organic light emitting layer was obtained.
Next, the substrate 101 on which the pixel electrode 102, the partition wall 203, the hole transport layer 104, and the interlayer 105 were formed was set as the
被印刷基板602上には、隔壁で囲まれたインターレイヤが形成されている。
上記有機発光インキを用いて、インターレイヤ205のラインパターンに一致するように、有機発光層をインターレイヤ上に凸版印刷法を用いて印刷した。このような凸版印刷法においては、150線/インチのアニロックスロール605及び感光性樹脂で形成された凸版607を使用した。インキが印刷され、かつ、インキが乾燥された後の有機発光層の膜厚は80nmであった。
On the printed
Using the organic light emitting ink, the organic light emitting layer was printed on the interlayer using a relief printing method so as to match the line pattern of the interlayer 205. In such a relief printing method, an
次に、真空蒸着法を用いて、第二電極(対向電極)としてカルシウム膜を有機発光層上に5nmの厚さで成膜した。カルシウム膜の形成工程においては、116mm×87mmの開口を有するメタルマスクを用いた。その後、真空蒸着法を用いて、アルミニウム膜をカルシウム膜上に200nmの厚さで形成した。アルミニウム膜の形成工程においては、120mm×90mmの開口を有するメタルマスクを用いた。 Next, a calcium film was formed as a second electrode (counter electrode) with a thickness of 5 nm on the organic light emitting layer by using a vacuum deposition method. In the calcium film forming process, a metal mask having an opening of 116 mm × 87 mm was used. Thereafter, an aluminum film was formed to a thickness of 200 nm on the calcium film using a vacuum deposition method. In the aluminum film forming step, a metal mask having an opening of 120 mm × 90 mm was used.
その後、封止体として、中央部が凹状に加工されたガラス基板を準備した。封止体の凹部内に第二電極(陰極)が配置されるように、封止体とアクティブマトリックス基板とを接合した。また、ガラス基板(封止体)の凹部には、水分又は酸素の浸入に起因する劣化を防止するために、吸湿剤を設置した。
このように得られた有機EL表示装置を駆動したところ、7Vの駆動電圧で700cd/cm2の輝度が得られ、発光効率は11cd/Aであった。発光画素を撮影した画像の発光面積と、設計の画素電極面積から開口率を計算した結果、75%となった。
Then, the glass substrate by which the center part was processed into the concave shape was prepared as a sealing body. The sealing body and the active matrix substrate were joined so that the second electrode (cathode) was disposed in the recess of the sealing body. In addition, a hygroscopic agent was installed in the concave portion of the glass substrate (sealing body) in order to prevent deterioration due to the ingress of moisture or oxygen.
When the organic EL display device thus obtained was driven, a luminance of 700 cd / cm 2 was obtained at a driving voltage of 7 V, and the light emission efficiency was 11 cd / A. As a result of calculating the aperture ratio from the light emitting area of the image obtained by photographing the light emitting pixels and the designed pixel electrode area, it was 75%.
[比較例2]
まず、実施例2と同様に、アクティブマトリックス基板を準備した。次に、比較例1と同様に隔壁を形成した。発光媒体層の成膜工程、封止工程は、実施例2と同様に行われた。
このようにして得られた有機EL表示装置を駆動したところ、7Vの駆動電圧で470cd/cm2の輝度が得られ、発光効率は8cd/Aであった。発光画素を撮影した画像の発光面積と、設計の画素電極面積から開口率を計算した結果、50%となった。
[Comparative Example 2]
First, as in Example 2, an active matrix substrate was prepared. Next, partition walls were formed in the same manner as in Comparative Example 1. The film formation process and the sealing process of the light emitting medium layer were performed in the same manner as in Example 2.
When the organic EL display device thus obtained was driven, a luminance of 470 cd / cm 2 was obtained at a driving voltage of 7 V, and the luminous efficiency was 8 cd / A. As a result of calculating the aperture ratio from the light emitting area of the image obtained by photographing the light emitting pixel and the designed pixel electrode area, it was 50%.
以上詳述したように、本発明は、画素を区分する隔壁上を含む表示領域全体に所定の発光媒体層が形成された有機EL表示装置において、リーク電流を低減又は抑制することのできる有機EL表示装置及びその製造方法に有用である。また、本発明は、リーク電流を低減させ、素子特性を向上させた有機EL素子、画像表示装置、及び画像表示装置の製造方法に有用である。 As described above in detail, the present invention is an organic EL display device that can reduce or suppress leakage current in an organic EL display device in which a predetermined light-emitting medium layer is formed over the entire display area including the partition wall that separates pixels. It is useful for a display device and a manufacturing method thereof. Further, the present invention is useful for an organic EL element, an image display apparatus, and an image display apparatus manufacturing method in which leakage current is reduced and element characteristics are improved.
11・・・基板
12・・・第一電極(画素電極)
14・・・正孔輸送層/正孔注入層
15・・・インターレイヤ
16・・・発光層
17・・・第二電極(陰極)
19・・・発光媒体層
21・・・樹脂層
23・・・隔壁
23A・・・第一隔壁
23B・・・第二隔壁
26・・・封止キャップ
28・・・封止体
29・・・封止板
31・・・反射層
50、51・・・表示装置(有機EL素子)
600・・・凸版印刷装置
601・・・ステージ
602・・・被印刷基板
603・・・インキタンク
604・・・インキチャンバ
605・・・アニロックスロール
606・・・ドクタ
607・・・凸版
608・・・版胴
609・・・インキ層
11 ...
14 ... Hole transport layer /
DESCRIPTION OF
600 ...
Claims (10)
前記基板上に形成され、画素領域を有する第一電極と、
前記基板上に形成され、前記第一電極を区画する隔壁と、
前記画素領域上に形成され、少なくとも有機材料からなる発光層を含み、少なくとも一層がライン状パターンで印刷された発光媒体層と、
前記発光媒体層上に形成され、発光媒体層を覆うように成膜された第二電極と、
を備え、
前記隔壁は、
前記ライン状パターンと平行に形成され、前記基板側が先細りの逆テーパー形状を少なくとも一部に有する第一隔壁と、
前記第一隔壁と直交に形成され、前記基板側が先太りの順テーパー形状を有する第二隔壁と、
を備えたことを特徴とする有機EL素子。 A substrate,
A first electrode formed on the substrate and having a pixel region;
A partition wall formed on the substrate and defining the first electrode;
A light emitting medium layer formed on the pixel region, including a light emitting layer made of at least an organic material, and at least one layer printed in a line pattern;
A second electrode formed on the luminescent medium layer and formed to cover the luminescent medium layer;
With
The partition is
A first partition that is formed in parallel with the line-shaped pattern, and the substrate side has a tapered reverse taper shape at least in part,
A second partition that is formed orthogonal to the first partition, and the substrate side has a tapered forward taper shape;
An organic EL device comprising:
前記第一隔壁の厚みは、0.3μm以上5.0μm以下であることを特徴とする有機EL素子。 The organic EL device according to claim 1,
The thickness of the said 1st partition is 0.3 micrometer or more and 5.0 micrometers or less, The organic EL element characterized by the above-mentioned.
前記第二隔壁の厚みは、0.1μm以上5.0μm以下であることを特徴とする有機EL素子。 The organic EL device according to claim 1,
The organic EL element, wherein the second partition wall has a thickness of 0.1 μm or more and 5.0 μm or less.
前記第一隔壁の高さが前記第二隔壁の高さよりも高いことを特徴とする有機EL素子。 The organic EL element according to claim 2, wherein
The organic EL element, wherein the height of the first partition is higher than the height of the second partition.
前記発光媒体層の膜厚は、前記第二隔壁の総膜厚より薄いことを特徴とする有機EL素子。 The organic EL element according to any one of claims 1 to 4, wherein
The organic EL element, wherein the thickness of the light emitting medium layer is thinner than the total thickness of the second partition walls.
前記第一電極は、透明な電極であり、
前記第一電極と前記第二電極との間において、前記発光媒体層が形成されていることを特徴とする有機EL素子。 The organic EL device according to claim 1,
The first electrode is a transparent electrode,
The organic EL element, wherein the light emitting medium layer is formed between the first electrode and the second electrode.
前記第二電極は、透明な電極であり、
前記第一電極と前記第二電極との間において、前記発光媒体層が形成されていることを特徴とする有機EL素子。 The organic EL device according to claim 1,
The second electrode is a transparent electrode,
The organic EL element, wherein the light emitting medium layer is formed between the first electrode and the second electrode.
前記基板上に有する第一電極を形成し、
前記基板上に前記第一電極を区画する隔壁を形成し、
前記画素領域状に少なくとも有機材料からなる発光層を含み、少なくとも一層をライン状パターンで印刷して発光媒体層を形成し、
前記発光媒体層上に当該発光媒体層を覆うように第二電極を成膜して形成する有機EL素子の製造方法であって、
前記隔膜として、
前記ライン状パターンと平行で、前記基板側が先細りの逆テーパー形状を少なくとも一部に有する第一隔壁と、
前記第一隔壁と直交に形成され、前記基板側が先太りの順テーパー形状を有する第二隔壁と、
を形成することを特徴とする有機EL素子の製造方法。 Forming a first electrode on the substrate;
Forming a first electrode on the substrate;
Forming partition walls for partitioning the first electrode on the substrate;
The pixel region includes a light emitting layer made of at least an organic material, and at least one layer is printed in a line pattern to form a light emitting medium layer,
A method for producing an organic EL element, wherein a second electrode is formed on the light emitting medium layer so as to cover the light emitting medium layer,
As the diaphragm,
A first partition wall which is parallel to the line pattern and has a reverse taper shape at least partially tapered on the substrate side;
A second partition that is formed orthogonal to the first partition, and the substrate side has a tapered forward taper shape;
A method for producing an organic EL element, comprising: forming an organic EL element.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011074290A JP2012209138A (en) | 2011-03-30 | 2011-03-30 | Organic el element, manufacturing method for the organic el element, image display device, and manufacturing method for the image display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011074290A JP2012209138A (en) | 2011-03-30 | 2011-03-30 | Organic el element, manufacturing method for the organic el element, image display device, and manufacturing method for the image display device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012209138A true JP2012209138A (en) | 2012-10-25 |
Family
ID=47188707
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011074290A Withdrawn JP2012209138A (en) | 2011-03-30 | 2011-03-30 | Organic el element, manufacturing method for the organic el element, image display device, and manufacturing method for the image display device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2012209138A (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140085953A (en) * | 2012-12-28 | 2014-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting diode and Method for fabricating the same |
JP2015109190A (en) * | 2013-12-04 | 2015-06-11 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Organic electroluminescence display device |
CN105552101A (en) * | 2014-10-22 | 2016-05-04 | 三星显示有限公司 | Organic light-emitting display apparatus |
USRE48349E1 (en) * | 2013-06-28 | 2020-12-08 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same |
US10957856B2 (en) | 2018-03-09 | 2021-03-23 | Joled Inc. | Method and apparatus for manufacturing organic el display panel |
-
2011
- 2011-03-30 JP JP2011074290A patent/JP2012209138A/en not_active Withdrawn
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140085953A (en) * | 2012-12-28 | 2014-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting diode and Method for fabricating the same |
KR102043208B1 (en) * | 2012-12-28 | 2019-11-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting diode and Method for fabricating the same |
USRE48349E1 (en) * | 2013-06-28 | 2020-12-08 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same |
JP2015109190A (en) * | 2013-12-04 | 2015-06-11 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Organic electroluminescence display device |
CN105552101A (en) * | 2014-10-22 | 2016-05-04 | 三星显示有限公司 | Organic light-emitting display apparatus |
CN105552101B (en) * | 2014-10-22 | 2020-12-22 | 三星显示有限公司 | Organic light emitting display device |
US10957856B2 (en) | 2018-03-09 | 2021-03-23 | Joled Inc. | Method and apparatus for manufacturing organic el display panel |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5708482B2 (en) | Organic electroluminescent device and method of manufacturing organic electroluminescent device | |
JP5625448B2 (en) | Method for manufacturing organic EL element and organic EL image display device | |
JP5633516B2 (en) | Organic electroluminescent device, organic electroluminescent display panel, and organic electroluminescent display panel manufacturing method | |
JP5526610B2 (en) | Structure of organic EL display and manufacturing method thereof | |
JP5910496B2 (en) | Organic electroluminescence device | |
US20100078630A1 (en) | Organic Electroluminescence Element, Method for Manufacturing the Same, Image Display Unit and Illuminating Device | |
WO2012133206A1 (en) | Organic electroluminescent display panel and method for manufacturing same | |
TW201332179A (en) | Organic electroluminescent display panel and method for manufacturing same | |
JP5569023B2 (en) | Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same | |
JP5278686B2 (en) | Organic EL display panel and manufacturing method thereof | |
JP2012209138A (en) | Organic el element, manufacturing method for the organic el element, image display device, and manufacturing method for the image display device | |
JP5359731B2 (en) | Manufacturing method of organic EL element | |
JP2011210614A (en) | Organic el element and method of manufacturing the same | |
JP5732977B2 (en) | Organic EL device and manufacturing method thereof | |
JP2012216810A (en) | Organic el element and method of manufacturing the same | |
JP6003155B2 (en) | ORGANIC EL ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING ORGANIC EL ELEMENT | |
JP2014072013A (en) | Organic el display device | |
JP2014179163A (en) | Organic el element, method of manufacturing the same, and organic el panel | |
JP2014165261A (en) | Organic light-emitting display device and manufacturing method therefor | |
JP5817393B2 (en) | Organic EL device and manufacturing method thereof | |
JP2013211227A (en) | Organic el display device and manufacturing method therefor | |
JP2012074237A (en) | Organic el element and manufacturing method thereof | |
WO2012132292A1 (en) | Organic el display element, organic el display device, and methods for manufacturing organic el display element and organic el display device | |
JP5672682B2 (en) | Organic EL device and manufacturing method thereof | |
JP2012079484A (en) | Organic electroluminescent element and manufacturing method thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20140603 |