JP2004354755A - Diaphragm joining structure - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板に形成された枠部及び開口部と、上記基板全面にわたって形成された少なくとも2層の薄膜により上記開口部に形成されたダイヤフラムと、を少なくとも有するダイヤフラム構造体に関する。
【0002】
【従来の技術】
ダイヤフラム構造体を少なくとも含む複数の基板を接合するダイヤフラム接合構造体として、図8に示すような可変形状鏡が知られている(例えば、特許文献1参照)。この可変形状鏡は、ダイヤフラム構造体としての上部基板101と、下部基板102とを接合した構成を有している。
【0003】
ここで、上部基板101は、主として、ミラー開口部103と電極開口部104とを有する単結晶シリコン基板105よりなる枠部で構成される。このシリコン基板105の表面(図中で下側の面)には、ポリイミド膜106が形成される。このポリイミド膜106のミラー開口部103における所定領域には、上部電極107が形成される。この上部電極107から引き出された上部電極パッド108が、電極開口部104の端の部分に配置されている。また、電極開口部104におけるポリイミド膜106は、上部電極パッド108及びその周囲を除いて除去されている。ポリイミド膜106と上部電極107からなるミラー開口部103は、ダイヤフラム領域である。
【0004】
一方、単結晶シリコン基板109で構成される下部基板102には、絶縁膜(図示せず)を介して下部電極111及びそこから引き出された第1電極パッド112と、下部電極111とは電気的に分離された第2電極パッド113とが形成されている。そして、この第2電極パッド113の所定領域には、Auバンプ114が形成されている。また、下部電極111の周囲には、ネガティブ型の厚膜フォトレジストよりなるスペーサ115が配置されている。ここで、スペーサ115は、下部電極111の周囲を完全には囲わず、切り欠き116をもって配置されている。また、スペーサ115の高さは、Auバンプ114よりも若干低くなされている。
【0005】
そして、このような構成の上部基板101と下部基板102とは、フリップチップボンダーなどを用いて、アライメント(位置合わせ)を行い、ごく微小な力を加えて加熱することによって接合されて、可変形状鏡を得るものである。
【0006】
【特許文献1】
特開2002−156514号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
従来、上部電極107となる電極膜は、パターニングされることなく、シリコン基板105上のポリイミド膜106の全面に一様に成膜されている。よって、ミラー開口部103において上部電極107として使用される部分以外の枠部に形成された電極膜は、そのミラー開口部103に形成された上部電極107と外部の電源やアースとを導電させるための配線としての機能を果たすだけであり、その他の機能を持つことが極めて困難である。
【0008】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、配線パターンなどを形成して、多機能化することの可能なダイヤフラム構造体を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、請求項1に記載の発明によるダイヤフラム構造体は、基板に形成された枠部及び開口部と、上記基板全面にわたって形成された少なくとも2層の薄膜により上記開口部に形成されたダイヤフラムと、を少なくとも有するダイヤフラム構造体において、上記2層の薄膜の内、少なくとも1層の薄膜は、パターニングされていることを特徴とする。
【0010】
また、請求項2に記載の発明によるダイヤフラム構造体は、請求項1に記載の発明によるダイヤフラム構造体において、上記薄膜へのパターニングは、リフトオフ法により行われることを特徴とする。
【0011】
また、請求項3に記載の発明によるダイヤフラム構造体は、請求項1に記載の発明によるダイヤフラム構造体において、上記薄膜へのパターニングは、メタルマスク法により行われることを特徴とする。
【0012】
また、請求項4に記載の発明によるダイヤフラム構造体は、請求項1に記載の発明によるダイヤフラム構造体において、上記薄膜へのパターニングは、フォトエッチングにより行われることを特徴とする。
【0013】
また、請求項5に記載の発明によるダイヤフラム構造体は、請求項1に記載の発明によるダイヤフラム構造体において、上記薄膜へのパターニングは、印刷法により行われることを特徴とする。
【0014】
また、請求項6に記載の発明によるダイヤフラム構造体は、請求項1乃至5の何れか1項に記載の発明によるダイヤフラム構造体において、上記パターニングされた薄膜とは別途に、新たな薄膜がパターン保護マスク法にて形成されていることを特徴とする。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
【0016】
[第1の実施の形態]
本発明の第1の実施の形態に係るダイヤフラム構造体として、可変形状鏡の上部基板を例に説明する。
【0017】
図1(A)は、この上部基板101の斜視図であり、同図におけるB−B線断面図を図1(B)に示す。
【0018】
即ち、この上部基板101は、単結晶シリコン基板105に形成された枠部及びミラー開口部103と、上記シリコン基板105全面にわたって形成された少なくとも2層の薄膜、即ち第1の薄膜であるポリイミド膜106と第2の薄膜である電極膜10、により上記ミラー開口部103に形成されたダイヤフラムと、を少なくとも有するダイヤフラム構造体である。
【0019】
そして、上記2層の薄膜の内、少なくとも1層の薄膜、本第1の実施の形態においては電極膜10が、パターニングされて、配線12が形成されている。
【0020】
なお、この配線12は、アルミニウムや銅や金などの比抵抗の低い導体である金属が望ましい。但し、ヒータに用いる場合など、高い比抵抗が望まれる場合は、モリブデン(Mo)やニッケル(Ni)などが望ましい。
【0021】
このように、本第1の実施の形態によれば、少なくとも1層の薄膜がパターニングされることにより配線12などを形成できるので、ダイヤフラム構造体である上部基板101上に他の機能を実現する構成を設けることができ、システムとしての応用が広がる。即ち、多機能化が可能となる。
【0022】
なお、図1(A)及び(B)では、可変形状鏡の上部基板101下側面に配線12を形成しているが、これは一例に過ぎず、配線形成位置は何処でも良い。即ち、上部基板101の上側面または両面であっても良い。
【0023】
また、配線数及び配線形状も自由である。例えば、コイル形状や、蛇行した形状などでも良い。配線12の終端にパッドがあっても勿論良い。更には、磁気回路のヨークとして用いることも可能である。但しヨークとして用いる場合には、鉄やニッケル、あるいは鉄とニッケルの合金(パーマロイ)などを材質とすることが望ましい。
【0024】
また勿論、配線12とパッドに加えて、別途ヨークも有する構成などでも良い。
【0025】
[第2の実施の形態]
次に、本発明の第2の実施の形態として、上記薄膜へのパターニングの具体的な手法について説明する。即ち、本第2の実施の形態は、リフトオフ法を用いて配線12を形成する製造方法である。
【0026】
本第2の実施の形態においては、まず、図2(A)に示すように、シリコン基板105の片面に、第1の薄膜であるポリイミド膜106を成膜する。そして、このポリイミド膜106の上にCVD(Chemical Vapor Deposition)法などでシリコン酸化膜を成膜し、フォトリソグラフィでレジストパターンニングし、RIE(Reactive Ion Etching)によってパターニングして、シリコン酸化膜からなるリフトオフ犠牲層14を形成する。なお、上記シリコン酸化膜のパターニングは、RIEによる異方性エッチングの方が等方性エッチングより好ましい。これは、後述するリフトオフ犠牲層14の除去が容易になるからである。こうしてリフトオフ犠牲層14の形成後、シリコン基板105のポリイミド膜106のある方の面に、シリコンエッチング用レジスト16をパターニングせずに全面にわたって成膜する。また、逆のポリイミド膜106のない方の面には、シリコンエッチング用レジスト16を成膜し、ミラー開口部103形成用のパターニングを行う。
【0027】
次に、シリコン基板105を、例えば水酸化カリウム水溶液にて結晶異方性エッチングをし、図2(B)に示すように、ミラー開口部103を形成する。
【0028】
その後、ポリイミド膜106とリフトオフ犠牲層14(シリコン酸化膜)にはダメージを与えない、即ちそれらを浸食又は除去してしまうことのない、レジスト剥離液などで、両面のシリコンエッチング用レジスト16を除去する。つまり、リフトオフ犠牲層14をレジストで形成していないため、電極膜パターニング用のシリコンエッチング用レジスト16の除去時にリフトオフ犠牲層14が除去されることはない。従って、この後、シリコン基板105のポリイミド膜106のある方の面に、アルミニウムなどの電極膜10をスパッタや蒸着法などで成膜すると、図2(C)に示すように、ポリイミド膜106及びリフトオフ犠牲層14上に、電極膜10が形成されることになる。
【0029】
そして、フッ化アンモニウム系のエッチング液などで、上記シリコン酸化膜からなるリフトオフ犠牲層14のみを除去することで、図2(D)に示すように、所望の配線12のパターンと電極膜10が上部基板101に形成できる。
【0030】
以上のように、本第2の実施の形態によれば、電極膜10を位置精度良くパターニングして、配線12などを容易に形成できる。
【0031】
また、このような製造方法により、配線12のみならず、上部基板101と下部基板102とを位置精度良く貼り合わせるための合わせマークなども容易に形成できる。即ち、リフトオフ犠牲層14を除去した部分は、電極膜10に比べて例えば可視光の反射率が低いので暗く見えることとなり、よって、上記のような手順で所望の位置・形状にリフトオフ犠牲層14を形成し、除去することで、合わせマークを形成することができる。
【0032】
また、電極膜10を形成後にシリコン基板105をエッチングしてダイヤフラム領域となるミラー開口部103を形成すると、シリコン基板105から電極膜10への応力がなくなり、上記ダイヤフラム領域に相当する部分のポリイミド膜106及び電極膜10にしわが発生し易いが、本実施の形態では、電極膜10を最後に成膜するようにしているので、ダイヤフラム領域にしわの発生をし難くすることができる。
【0033】
なお、上記リフトオフ犠牲層14は、上記のようなシリコン酸化膜に限定するものではなく、レジストを用いても良い。
【0034】
レジストを用いる場合には、ポリイミド膜106上に、シリコン酸化膜を成膜することなく、フォトリソグラフィ法でレジストをパターンニングし、レジストからなるリフトオフ犠牲層14を直接形成すれば良い。この時、リフトオフ犠牲層14が、図3に示すように、逆テーパ形状のリフトオフ犠牲層14’となるようなプロセスを用いるのが望ましい。このような逆テーパ形状のリフトオフ犠牲層14’とすると、そのひさし部分に阻まれて、ポリイミド膜106のそのひさし部分に対応する箇所に電極膜10が成膜されることがなく、該リフトオフ犠牲層14’が確実に除去されることとなる。
【0035】
また、このようなレジストによりリフトオフ犠牲層14を形成した場合には、ポリイミド膜106上にはシリコンエッチング用レジスト16を成膜する必要はなく、ミラー開口部103のパターニングのみを、シリコンエッチング用レジスト16により行えば良い。そして、ミラー開口部103の形成にあたっては、RIEによって、このパターニングされた側であるシリコン基板105の一面のみをエッチングすれば良い。
【0036】
このレジストによるリフトオフ犠牲層14の除去には、リフトオフ犠牲層14のみを除去するようなレジスト剥離液を用いれば良い。
【0037】
このように、リフトオフ犠牲層14の材質がレジストであると、エッチングレートの速いリフトオフ犠牲層14の除去が比較的容易である。
【0038】
また、レジストであれば、逆テーパをつけたリフトオフ犠牲層14’を形成するのも比較的容易であり、上記のように、リフトオフ犠牲層14’の除去も容易にできる。
【0039】
[第3の実施の形態]
次に、本発明の第3の実施の形態を説明する。本第3の実施の形態も上記薄膜へのパターニングの具体的な手法に関するものであり、フォトエッチングを用いて配線12を形成する製造方法である。
【0040】
即ち、まず、シリコン基板105の片面にポリイミド膜106を成膜し、そのポリイミド膜106の上にクロムやアルミニウムなどの電極膜10を例えば蒸着法やスパッタ法などで成膜する。その後、図4(A)に示すように、電極膜エッチング用レジスト18を成膜し、フォトリソグラフィで配線12の形状にパターニングする。そして、このパターニングした電極膜エッチング用レジスト18をマスクとして電極膜10をエッチングし、所望の配線形状を形成する。なお、この電極膜10のエッチング方法は限定しないが、好ましくはポリイミド膜106をエッチングしない方法、例えば電極膜10がアルミニウムならば、燐酸と硝酸と酢酸の混合液などによるウエットエッチングが望ましい。
【0041】
次に、上記電極膜エッチング用レジスト18をレジスト剥離液などのポリイミド膜106や電極膜10をエッチングしておかさない手段で除去する。その後、図4(B)に示すように、上記電極膜10のある方の面にシリコンエッチング用レジスト16を成膜する。このシリコンエッチング用レジスト16はパターニングはしない。また、シリコン基板105の上記電極膜10のない方の面に、同じくシリコンエッチング用レジスト16を成膜し、こちら側は、ミラー開口部103のためのパターニングをする。
【0042】
そして、シリコン基板105を、例えば水酸化カリウム水溶液にディップして結晶異方性エッチングをし、図4(C)に示すようにミラー開口部103を形成する。その後、レジスト剥離液などで上記シリコンエッチング用レジスト16を両面とも除去する。この際、ポリイミド膜106や電極膜10をエッチングしておかさないレジスト剥離液などを用いるのが好ましい。
【0043】
このように、本第3の実施の形態によれば、配線12など電極膜10を直接フォトエッチングでパターニングするため、上記第2の実施の形態で説明したリフトオフ法などに比較して、配線12を容易に形成できる。
【0044】
なお、フォトエッチングの代わりに、配線形状がパターニングされた印刷版を用いた印刷法で電極膜10を形成するようにしても良い。この印刷法を用いる場合は、電極膜10の成膜時に、配線形状がパターニングされた印刷版を用いて電極膜10の成膜と配線12のパターニングを同時に行う。よって、電極膜エッチング用レジスト18の形成と除去、及び電極膜10のエッチングを行う必要はない。なお、この印刷法の場合は、電極膜10の材質は、銅(Cu)や銀(Ag)などがある。
【0045】
このような印刷法によれば、配線形状がパターニングされた印刷版を用いて電極膜10の成膜と配線12のパターニングを同時に行うので、工程が簡単で安価に提供することができる。
【0046】
[第4の実施の形態]
次に、本発明の第4の実施の形態を説明する。本第4の実施の形態も上記薄膜へのパターニングの具体的な手法に関するものであり、メタルマスク法を用いて配線12を形成する製造方法である。
【0047】
即ち、図5(A)に示すように、まず、シリコン基板105の片面にポリイミド膜106を成膜する。そして、このポリイミド膜106の成膜されたシリコン基板105の両面にシリコンエッチング用レジスト16を成膜する。そして、ポリイミド膜106のある方の面のシリコンエッチング用レジスト16はパターニングせず、ポリイミド膜106のない方の面のシリコンエッチング用レジスト16のみ、ミラー開口部103のためのパターニングを行う。
【0048】
次に、図5(B)に示すように、このシリコン基板105を、例えば水酸化カリウム水溶液にディップして結晶異方性エッチングをし、ミラー開口部103を形成する。そして、レジスト剥離液などでシリコンエッチング用レジスト16を両面とも除去する。
【0049】
その後、図5(C)に示すように、配線形状がパターニングされたメタルマスク20を用いて、配線12及び電極膜10を形成する。この配線12及び電極膜10は、蒸着法やスパッタ法などで成膜する。
【0050】
このような本第4の実施の形態によれば、電極膜10に対してフォトリソグラフィやエッチングなどをしないので工程が比較的単純で、容易に配線12及び電極膜10を形成できるとともに、安価になる。
【0051】
また、前述した第2の実施の形態同様、ダイヤフラム領域にしわが発生し難く、電極膜10をパターニングできる。
【0052】
[第5の実施の形態]
次に、本発明の第5の実施の形態を説明する。本第5の実施の形態も上記薄膜へのパターニングの具体的な手法に関するものであり、パターン保護マスク法を用いて配線12を形成する製造方法である。
【0053】
即ち、まず、図6(A)に示すように、シリコン基板105の片面にポリイミド膜106を成膜する。そして、そのポリイミド膜106上に、アルミニウム(Al)などの金属膜(図示せず)をフォトリソグラフィ技術でミラー開口部103などとの位置精度高い位置にパターニングしてアルミニウムなどの配線12を形成する。ここで、上記金属膜の材質は、電極膜10と同じでも良いし、異なっていても良い。また、配線12のパターニングは、上記実施の形態で示したリフトオフ法、フォトエッチング、メタルマスク法あるいは印刷法のいずれの方法を用いて形成しても良い。その後、上記ポリイミド膜106及び配線12のある方の面にシリコンエッチング用レジスト16を成膜する。このシリコンエッチング用レジスト16はパターニングはしない。また、シリコン基板105の上記ポリイミド膜106及び配線12のない方の面に、同じくシリコンエッチング用レジスト16を成膜し、こちら側は、ミラー開口部103のためのパターニングをする。
【0054】
次に、図6(B)に示すように、そのようなシリコン基板105を、例えば水酸化カリウム水溶液で結晶異方性エッチングして、ミラー開口部103を形成する。そして、レジスト剥離液などでシリコンエッチング用レジスト16を両面とも除去する。
【0055】
その後、図6(C)に示すように、クロム(Cr)などの電極膜10をスパッタや蒸着法などで成膜する。この際、メタルマスク20を用いて、既に形成されている配線12が電極膜10で覆われてしまわないようにする。なお、このメタルマスク20の合わせ精度は、ミラー開口部103にメタルマスク20がかからず、且つ、配線12にメタルマスク20がかかる様になっていれば良いので、半導体装置によるフォトリソグラフィのような高精度な合わせ精度は不要で、メタルマスク20とシリコン基板105の合わせ装置や、あるいは実体顕微鏡などを用いて容易に合わせることができる。
【0056】
このような第5の実施の形態によれば、上記第4の実施の形態で説明したメタルマスク法に比較して、位置精度の高い電極膜10のパターニングをすることが容易であり、高精度の合わせが要求される場合も歩留まりが高い。
【0057】
また、電極膜10と配線12が同じ材質でも、異なる材質でもどちらでも良いので、目的・用途によって使い分けることもできる。
【0058】
更に、ダイヤフラム領域にしわの発生をし難くし、配線12を位置精度良く形成できる。
【0059】
[第6の実施の形態]
次に、本発明の第6の実施の形態を説明する。
【0060】
上記第1乃至第5の実施の形態では、電極膜をパターニングして配線を形成したが、本第6の実施の形態は、切り込みを形成した場合の例である。
【0061】
ここでは、本第6の実施の形態に係るダイヤフラム構造体として、可変形状鏡の上部基板を例に説明する。
【0062】
図7(A)は、この上部基板101の斜視図であり、同図におけるB−B線断面図を図7(B)に示す。
【0063】
即ち、この上部基板101は、単結晶シリコン基板105に形成された枠部及びミラー開口部103と、上記シリコン基板105全面にわたって形成された少なくとも2層の薄膜であるポリイミド膜106及び電極膜10により上記ミラー開口部103に形成されたダイヤフラムと、を少なくとも有するダイヤフラム構造体である。
【0064】
そして、上記2層の薄膜の内、少なくとも1層の薄膜、本第6の実施の形態においては電極膜10が、パターニングされて、切り込み22が形成されている。
【0065】
このような切り込み22を形成した本第6の実施の形態では、可変形状鏡のミラー開口部103全面に電極膜10が形成された場合に比較して、ミラー開口部103の剛性が局部的に小さくなり、所望の形状を得易くなる。
【0066】
なお、図7(A)及び(B)に示す切れ込み22の製法は、例えば前述した第2乃至第4の実施の形態の配線12の製法において、配線12の形状をパターニングする代わりに、切り込み22の形状をパターニングすることにより形成することが可能である。このように、第2乃至第4の実施の形態で説明した製法が好ましいが、勿論、これらの製法に限定するものではなく、第5の実施の形態で説明した製法でも形成可能である。
【0067】
また、形成する切り込み22の個数は限定しない。
【0068】
更に、切り込み22の形状や、配置の仕方なども限定しない。例えば、螺旋形状に切り込みを入れても良いし、円弧形状に切り込みを入れるなどしても良い。
【0069】
また、図7(A)及び(B)に示す構成に限定するものではなく、図1(A)及び(B)に示した配線12や、またはその他コイルやヨークなども、この切り込み22に加えて形成しても勿論良い。
【0070】
このように、本第6の実施の形態によれば、可変形状鏡のミラー開口部103全面に電極膜10が形成された場合に比較して、ミラー開口部103の剛性が局部的に小さくなり、所望の形状を得易くなる。
【0071】
可変形状鏡は、ミラー開口部103の形状変化に伴って、反射光の焦点の距離が可変するものであるが、本第6の実施の形態により、ミラー開口部103をより変形させることができるようになるので、その焦点距離の変化量の大きな可変形状鏡を提供することができる。
【0072】
以上実施の形態に基づいて本発明を説明したが、本発明は上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形や応用が可能なことは勿論である。
【0073】
即ち、上記第1乃至第6の実施の形態は、可変形状鏡の上部基板を例にして説明をしたが、本発明のダイヤフラム構造体はこれに限定するものではなく、例えばマイクロバルブやマイクロポンプなどの他のダイヤフラム構造体に適用することが可能である。
【0074】
また、上記第1乃至第6の実施の形態では、1個の基板につき1個のダイヤフラム領域しか示していないが、ダイヤフラム領域の個数はそれに限定しない。
【0075】
また、ダイヤフラム領域とダイヤフラム領域以外の領域にまたがるパターンが電極膜にパターニングされていても良い。
【0076】
更に、配線やコイルやヨークをダイヤフラム領域の電極膜をパターニングして形成しても良い。ダイヤフラム領域を電磁力で駆動する電磁コイルを作製する場合はそのような構成の一例である。
【0077】
また、上記第2乃至第5の実施の形態で述べた製法の説明では、図1(A)及び(B)で示した第1の実施の形態を用いて説明しているが、これに限定されるものではなく、例えば第6の実施の形態の製法として用いることも可能であるし、図1(A)及び(B)の文章中で述べたコイルやヨークなどを作製する製法として用いることも可能である。
【0078】
更に、第2の形態で説明したような合わせマークを、第3乃至第5の実施の形態で述べた製法で電極膜をパターニングして形成しても良い。このような合わせマークを形成すれば、例えば上部基板と下部基板など、ダイヤフラム構造体を少なくとも一つ含む接合構造において、位置精度良く合わせて接合することができるなどの作用効果がある。
【0079】
また、上記すべての実施の形態においては、電極膜は例えばクロム(Cr)などの金属膜で形成されるが、クロムに限定するものではなく、銅(Cu)や金(Au)などでも良い。
【0080】
更に、この電極膜は、単層に限定されず、例えばクロム(Cr)と金(Au)の積層、あるいはチタン(Ti)と白金(Pt)と金(Au)の積層など、複数の電極膜からなる積層構造の電極膜でも良い。またそれらの成膜法が各層で異なっていても良い。
【0081】
なお、アルミニウム等の反射率が高い材質をミラー開口部のシリコン基板を有する側の面に成膜すると、反射率の高い反射鏡をダイヤフラム領域に形成することができる。
【0082】
また、電極膜の成膜は、例えば第2、第4、第5の実施の形態などで示した様に、ミラー開口部を形成してから形成するのが望ましい。更に、ダイヤフラム領域に配線などをパターニングして形成する場合は、あるいは、第6の実施の形態のような切り込みを形成する場合は、第2及び第4の実施の形態などの様に電極膜の成膜をミラー開口部を形成してから形成するのが望ましい。これは、前述したように、ミラー開口部を形成してから電極膜などの成膜をすると、シリコン基板から応力を電極膜などは最初から受けることがないので、その結果ダイヤフラム領域にしわが発生しにくくなるからである。しかし、ポリイミド膜の膜厚が比較的厚く、剛性が高い場合には、例えば第3の実施の形態などの様に、電極膜を成膜してからミラー開口部を形成しても良い。この場合、厚く剛性の高いポリイミド膜により、電極膜への応力の影響がなくなるため、ダイヤフラム領域にしわが発生し難くなる。
【0083】
また、ポリイミド膜の代わりに、シリコーンゴム、サイトップ(登録商標)、あるいはレジストなどでも良い。この場合、成膜法は、例えばワニス状の材料のポリイミド、シリコーンゴム、サイトップ(登録商標)、レジストなどであればスピンコートや印刷法など、シート状の材料のシリコーンゴムやレジストなどならばラミネータで成膜するなど、どのような手法を用いても良い。
【0084】
また、ダイヤフラム領域のポリイミド膜のどちらか一方の面、または両面に、第3の薄膜として、任意の薄膜を成膜しても良い。この第3の薄膜としては、例えばシリコン酸化膜(SiO2膜)、アルミニウム(Al)や金(Au)などの金属薄膜が挙げられる。SiO2膜を成膜した場合には、表面保護あるいは電極膜の酸化防止などの効果がある。一方、アルミニウム(Al)や金(Au)などの金属薄膜の場合には、反射率の高い反射鏡をダイヤフラム領域に形成できる。なお、可視光線を反射させる場合はアルミニウムが好ましい。更に、ポリイミド膜の保護膜として、窒化膜を形成しても良い。
【0085】
またこの場合、そのような第3の薄膜を、ダイヤフラム領域を含む基板全体に形成しても良いし、ダイヤフラム領域のみに形成しても良い。
【0086】
なお、ポリイミド膜と電極膜とその第3の薄膜はそれぞれ全面に成膜されている必要はなく、一部分がパターニングされていても良い。またそのパターニングの方法はどのようなものであっても良い。
【0087】
また、本発明は、基板を上記実施の形態のようなシリコン基板に限定するものではなく、化合物半導体基板、プリント配線基板、ガラス・エポキシ基板、ガラス基板などでも良い。
【0088】
更に、シリコン基板の形状は一般的な半導体用ウエハの形状に限定するものではなく、四角い板状や、オリエンテーションフラットやノッチなどを持たない円形などでも良い。
【0089】
また、上記第2乃至第5の実施の形態で述べた製法で、シリコン基板のエッチングは水酸化カリウムによるものに限定せず、例えばRIE法などの異方性エッチングなどでも良い。
【0090】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、基板全面にわたって形成された少なくとも2層の薄膜の内、少なくとも1層の薄膜をパターニングすることで、配線パターンなどを形成して、多機能化することの可能なダイヤフラム構造体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(A)は本発明の第1の実施の形態に係るダイヤフラム構造体としての上部基板の構成を示す斜視図であり、(B)は図1(A)のB−B線断面図である。
【図2】本発明の第2の実施の形態における薄膜へのパターニングの具体的な手法を説明するための一連の製造工程を示す図である。
【図3】逆テーパ形状のリフトオフ犠牲層を説明するための断面図である。
【図4】本発明の第3の実施の形態における薄膜へのパターニングの具体的な手法を説明するための一連の製造工程を示す図である。
【図5】本発明の第4の実施の形態における薄膜へのパターニングの具体的な手法を説明するための一連の製造工程を示す図である。
【図6】本発明の第5の実施の形態における薄膜へのパターニングの具体的な手法を説明するための一連の製造工程を示す図である。
【図7】(A)は本発明の第6の実施の形態に係るダイヤフラム構造体としての上部基板の構成を示す斜視図であり、(B)は図6(A)のB−B線断面図である。
【図8】ダイヤフラム構造体を少なくとも含む複数の基板を接合する従来のダイヤフラム接合構造体としての可変形状鏡の構成を示す分解斜視図である。
【符号の説明】
10…電極膜、12…配線、14,14’…リフトオフ犠牲層、16…シリコンエッチング用レジスト、18…電極膜エッチング用レジスト、20…メタルマスク、22…切り込み、101…上部基板、103…ミラー開口部、105…シリコン基板、106…ポリイミド膜。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a diaphragm structure having at least a frame portion and an opening formed in a substrate, and a diaphragm formed in the opening by at least two layers of thin films formed over the entire surface of the substrate.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art A deformable mirror as shown in FIG. 8 is known as a diaphragm bonding structure for bonding a plurality of substrates including at least a diaphragm structure (for example, see Patent Document 1). This deformable mirror has a configuration in which an
[0003]
Here, the
[0004]
On the other hand, on the
[0005]
Then, the
[0006]
[Patent Document 1]
JP 2002-156514 A
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
Conventionally, the electrode film to be the
[0008]
The present invention has been made in view of the above points, and has as its object to provide a diaphragm structure that can be multifunctional by forming a wiring pattern or the like.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, a diaphragm structure according to the invention according to claim 1 is characterized in that the opening is formed by a frame and an opening formed on a substrate and at least two layers of thin films formed over the entire surface of the substrate. And at least one of the two layers of the thin film is patterned.
[0010]
A diaphragm structure according to a second aspect of the present invention is characterized in that, in the diaphragm structure according to the first aspect, the patterning on the thin film is performed by a lift-off method.
[0011]
The diaphragm structure according to the third aspect of the present invention is characterized in that, in the diaphragm structure according to the first aspect, the patterning on the thin film is performed by a metal mask method.
[0012]
A fourth aspect of the present invention provides the diaphragm structure according to the first aspect, wherein the thin film is patterned by photoetching.
[0013]
A diaphragm structure according to a fifth aspect of the present invention is the diaphragm structure according to the first aspect of the present invention, wherein the patterning of the thin film is performed by a printing method.
[0014]
Further, the diaphragm structure according to the invention of claim 6 is the diaphragm structure according to any one of claims 1 to 5, wherein a new thin film is formed separately from the patterned thin film. It is characterized by being formed by a protective mask method.
[0015]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0016]
[First Embodiment]
As the diaphragm structure according to the first embodiment of the present invention, an upper substrate of a deformable mirror will be described as an example.
[0017]
FIG. 1A is a perspective view of the
[0018]
That is, the
[0019]
The
[0020]
The
[0021]
As described above, according to the first embodiment, the
[0022]
In FIGS. 1A and 1B, the
[0023]
Further, the number of wirings and the wiring shape are also free. For example, a coil shape or a meandering shape may be used. Of course, a pad may be provided at the end of the
[0024]
Further, needless to say, a configuration having a separate yoke in addition to the
[0025]
[Second embodiment]
Next, as a second embodiment of the present invention, a specific method of patterning the thin film will be described. That is, the second embodiment is a manufacturing method for forming the
[0026]
In the second embodiment, first, as shown in FIG. 2A, a
[0027]
Next, the
[0028]
Thereafter, the silicon etching resist 16 on both surfaces is removed with a resist stripping solution or the like that does not damage the
[0029]
Then, by removing only the lift-off
[0030]
As described above, according to the second embodiment, the
[0031]
Further, by such a manufacturing method, not only the
[0032]
When the
[0033]
Note that the lift-off
[0034]
If a resist is used, the resist may be patterned by photolithography without forming a silicon oxide film on the
[0035]
When the lift-off
[0036]
For removing the lift-off
[0037]
As described above, when the material of the lift-off
[0038]
In the case of a resist, it is relatively easy to form the lift-off sacrificial layer 14 'having a reverse taper, and as described above, the lift-off sacrificial layer 14' can be easily removed.
[0039]
[Third Embodiment]
Next, a third embodiment of the present invention will be described. The third embodiment also relates to a specific method of patterning the thin film, and is a manufacturing method for forming the
[0040]
That is, first, a
[0041]
Next, the electrode film etching resist 18 is removed by a means such as a resist stripping solution which does not leave the
[0042]
Then, the
[0043]
As described above, according to the third embodiment, since the
[0044]
Note that, instead of photoetching, the
[0045]
According to such a printing method, since the formation of the
[0046]
[Fourth Embodiment]
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described. The fourth embodiment also relates to a specific method of patterning the thin film, and is a manufacturing method for forming the
[0047]
That is, as shown in FIG. 5A, first, a
[0048]
Next, as shown in FIG. 5B, the
[0049]
Thereafter, as shown in FIG. 5C, the
[0050]
According to the fourth embodiment, since the photolithography and the etching are not performed on the
[0051]
Further, similarly to the above-described second embodiment, wrinkles hardly occur in the diaphragm region, and the
[0052]
[Fifth Embodiment]
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described. The fifth embodiment also relates to a specific method of patterning the thin film, and is a manufacturing method for forming the
[0053]
That is, first, as shown in FIG. 6A, a
[0054]
Next, as shown in FIG. 6B, such a
[0055]
Thereafter, as shown in FIG. 6C, an
[0056]
According to the fifth embodiment, it is easier to pattern the
[0057]
Further, since the
[0058]
Further, wrinkles are hardly generated in the diaphragm region, and the
[0059]
[Sixth Embodiment]
Next, a sixth embodiment of the present invention will be described.
[0060]
In the first to fifth embodiments, the wiring is formed by patterning the electrode film. However, the sixth embodiment is an example in which a cut is formed.
[0061]
Here, as the diaphragm structure according to the sixth embodiment, an upper substrate of a deformable mirror will be described as an example.
[0062]
FIG. 7A is a perspective view of the
[0063]
That is, the
[0064]
At least one of the two thin films, the
[0065]
In the sixth embodiment in which
[0066]
7A and 7B, for example, in the method of manufacturing the
[0067]
The number of
[0068]
Furthermore, the shape of the
[0069]
Further, the present invention is not limited to the configuration shown in FIGS. 7A and 7B, and the
[0070]
Thus, according to the sixth embodiment, the rigidity of the
[0071]
The deformable mirror changes the focal length of the reflected light in accordance with a change in the shape of the
[0072]
Although the present invention has been described based on the above embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications and applications are possible within the scope of the present invention. is there.
[0073]
That is, in the first to sixth embodiments, the upper substrate of the deformable mirror has been described as an example. However, the diaphragm structure of the present invention is not limited to this. For example, a micro valve or a micro pump may be used. It can be applied to other diaphragm structures.
[0074]
In the first to sixth embodiments, only one diaphragm region is shown for one substrate, but the number of diaphragm regions is not limited to this.
[0075]
Further, a pattern extending over the diaphragm region and a region other than the diaphragm region may be patterned on the electrode film.
[0076]
Further, the wiring, coil and yoke may be formed by patterning the electrode film in the diaphragm area. An example of such a configuration is to manufacture an electromagnetic coil that drives a diaphragm region with an electromagnetic force.
[0077]
Further, in the description of the manufacturing method described in the second to fifth embodiments, the description is made using the first embodiment shown in FIGS. 1A and 1B, but the present invention is not limited to this. However, the present invention can be used as, for example, the manufacturing method of the sixth embodiment, or can be used as the manufacturing method of manufacturing the coil, yoke, and the like described in the texts of FIGS. 1A and 1B. Is also possible.
[0078]
Further, the alignment mark described in the second embodiment may be formed by patterning the electrode film by the manufacturing method described in the third to fifth embodiments. When such alignment marks are formed, there is an operational effect that, for example, in a bonding structure including at least one diaphragm structure such as an upper substrate and a lower substrate, bonding can be performed with good positional accuracy.
[0079]
In all of the above embodiments, the electrode film is formed of a metal film such as chromium (Cr), but is not limited to chromium, and may be copper (Cu) or gold (Au).
[0080]
Further, the electrode film is not limited to a single layer, and may include a plurality of electrode films such as a laminate of chromium (Cr) and gold (Au) or a laminate of titanium (Ti), platinum (Pt), and gold (Au). An electrode film having a laminated structure composed of Further, the film forming method may be different for each layer.
[0081]
When a material having high reflectivity such as aluminum is formed on the surface of the mirror opening on the side having the silicon substrate, a reflecting mirror having high reflectivity can be formed in the diaphragm region.
[0082]
Further, it is desirable to form the electrode film after forming the mirror opening as described in the second, fourth and fifth embodiments, for example. Further, in the case where a wiring or the like is formed in the diaphragm region by patterning, or in the case where a cut is formed as in the sixth embodiment, the electrode film is formed as in the second and fourth embodiments. It is desirable to form the film after forming the mirror opening. This is because, as described above, if the electrode film is formed after the mirror opening is formed, the electrode film does not receive stress from the silicon substrate from the beginning, and as a result, wrinkles occur in the diaphragm region. This is because it becomes difficult. However, when the polyimide film is relatively thick and has high rigidity, the mirror opening may be formed after forming the electrode film as in the third embodiment, for example. In this case, the thick and highly rigid polyimide film eliminates the influence of the stress on the electrode film, so that wrinkles are less likely to occur in the diaphragm region.
[0083]
Further, instead of the polyimide film, silicone rubber, Cytop (registered trademark), or a resist may be used. In this case, the film forming method may be, for example, a varnish-like material such as polyimide, silicone rubber, CYTOP (registered trademark), or a resist if spin coating or a printing method, or a sheet-like material such as silicone rubber or a resist. Any method such as forming a film with a laminator may be used.
[0084]
Further, an arbitrary thin film may be formed as a third thin film on one or both surfaces of the polyimide film in the diaphragm region. As the third thin film, for example, a silicon oxide film (SiO 2 Film), and a metal thin film such as aluminum (Al) or gold (Au). SiO 2 When the film is formed, there are effects such as surface protection and prevention of oxidation of the electrode film. On the other hand, in the case of a metal thin film such as aluminum (Al) or gold (Au), a reflecting mirror having high reflectivity can be formed in the diaphragm region. In the case where visible light is reflected, aluminum is preferable. Further, a nitride film may be formed as a protective film for the polyimide film.
[0085]
In this case, such a third thin film may be formed on the entire substrate including the diaphragm region, or may be formed only on the diaphragm region.
[0086]
Note that the polyimide film, the electrode film, and the third thin film need not be formed on the entire surface, but may be partially patterned. In addition, any patterning method may be used.
[0087]
Further, the present invention is not limited to the silicon substrate as in the above embodiment, but may be a compound semiconductor substrate, a printed wiring board, a glass / epoxy substrate, a glass substrate, or the like.
[0088]
Further, the shape of the silicon substrate is not limited to the shape of a general semiconductor wafer, and may be a square plate, a circle having no orientation flat, notch, or the like.
[0089]
In the manufacturing methods described in the second to fifth embodiments, the etching of the silicon substrate is not limited to the one using potassium hydroxide, but may be an anisotropic etching such as RIE.
[0090]
【The invention's effect】
As described in detail above, according to the present invention, at least one of the at least two thin films formed over the entire surface of the substrate is patterned to form a wiring pattern and the like, thereby realizing multifunctionality. The diaphragm structure which can be provided can be provided.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1A is a perspective view illustrating a configuration of an upper substrate as a diaphragm structure according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line BB of FIG. FIG.
FIG. 2 is a view showing a series of manufacturing steps for describing a specific method of patterning a thin film according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining a lift-off sacrificial layer having an inverted taper shape.
FIG. 4 is a view showing a series of manufacturing steps for describing a specific method of patterning a thin film according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a view showing a series of manufacturing steps for describing a specific method of patterning a thin film according to a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a diagram showing a series of manufacturing steps for describing a specific method of patterning a thin film according to a fifth embodiment of the present invention.
FIG. 7A is a perspective view showing a configuration of an upper substrate as a diaphragm structure according to a sixth embodiment of the present invention, and FIG. 7B is a cross-sectional view taken along line BB of FIG. 6A. FIG.
FIG. 8 is an exploded perspective view showing a configuration of a deformable mirror as a conventional diaphragm bonding structure for bonding a plurality of substrates including at least a diaphragm structure.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (6)
上記2層の薄膜の内、少なくとも1層の薄膜は、パターニングされていることを特徴とするダイヤフラム構造体。A diaphragm structure having at least a frame and an opening formed in the substrate, and a diaphragm formed in the opening by at least two layers of thin films formed over the entire surface of the substrate,
A diaphragm structure, wherein at least one of the two thin films is patterned.
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-
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- 2003-05-29 JP JP2003152974A patent/JP2004354755A/en active Pending
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